TWI788510B - 堆疊薄膜及其製造方法以及偏光板 - Google Patents

Abstract

一種堆疊薄膜，其依序具備由第1樹脂所形成之第1層體、由第2樹脂所形成之第2層體，以及由第3樹脂所形成之第3層體，其中第2樹脂包含嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物，第2樹脂具有指定之含水率，第2樹脂具有比第1樹脂之彎曲彈性模數還低且比第3樹脂之彎曲彈性模數還低的彎曲彈性模數，第1樹脂及第3樹脂中之一者或兩者包含含有脂環結構的聚合物，第1樹脂具有指定之水蒸氣滲透率，第1層體之厚度及第3層體之厚度的和相對於第2層體之厚度的比位於指定範圍。

Description

堆疊薄膜及其製造方法以及偏光板

本發明係關於堆疊薄膜及其製造方法以及偏光板。

偏光板通常具備偏光件，以及作為用以保護此偏光件之光學薄膜的偏光件保護薄膜。於專利文獻1及2，已提案具有3層結構之堆疊薄膜作為偏光件保護薄膜。

『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公開第2015-031753號公報 《專利文獻2》：日本專利公開第2011-203400號公報

偏光板有時會設置於影像顯示裝置。近年來，就如有機電致發光顯示裝置（以下適時稱作「有機EL顯示裝置」。）般，可撓之影像顯示裝置受到矚目。設置於此種可撓之影像顯示裝置的偏光板，以耐彎折性優異為符合期望。因此，作為偏光件保護薄膜的堆疊薄膜亦以耐彎折性優異為符合期望。

並且，就如設置於車載用之影像顯示裝置的偏光板般，偏光板可能會暴露於高溫環境中。因此，作為偏光件保護薄膜的堆疊薄膜，以耐熱性優異為符合期望。

再者，如前述這般的堆疊薄膜，期望內部不含氣泡。尤其，像偏光件保護薄膜這般的光學薄膜，由於氣泡可能會成為損害其光學特性的原因，故格外強烈要求不含氣泡。

不過，在以往的技術上，無法獲得耐熱性及耐彎折性兩者皆優異，且氣泡之形成受到抑制的堆疊薄膜。

本發明係鑑於前述問題而首創者，其目的在於提供：耐熱性及耐彎折性兩者皆優異，且氣泡之形成受到抑制的堆疊薄膜及其製造方法；以及具備前述堆疊薄膜的偏光板。

本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，本發明人發現，在依序具備由第1樹脂所形成之第1層體、由第2樹脂所形成之第2層體，以及由第3樹脂所形成之第3層體的堆疊薄膜，合併滿足指定要件的情況下，耐熱性及耐彎折性兩者皆優異，且可抑制氣泡之形成，進而完成本發明。

亦即，本發明包含下述者。

〔1〕一種堆疊薄膜，其依序具備由第1樹脂所形成之第1層體、由第2樹脂所形成之第2層體，與由第3樹脂所形成之第3層體，其中 前述第2樹脂包含嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物， 前述第2樹脂在於37℃的水中浸漬24小時，並於23℃且濕度70%的環境下放置24小時之後以卡耳―費雪法所測得之含水率為0.020質量%以下， 前述第2樹脂具有比前述第1樹脂之彎曲彈性模數還低，且比前述第3樹脂之彎曲彈性模數還低的彎曲彈性模數， 前述第1樹脂及前述第3樹脂中之一者或兩者包含含有脂環結構的聚合物， 在將前述第1樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）所量測到的水蒸氣滲透率為5 g／(m² ·day)以下， 前述第1層體之厚度及前述第3層體之厚度的和相對於前述第2層體之厚度的比為1以上且4以下。

〔2〕如〔1〕所記載之堆疊薄膜，其中前述第1樹脂及前述第3樹脂中之一者或兩者之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為1900 MPa以上且2800 MPa以下。

〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之堆疊薄膜，其中前述第1樹脂及前述第3樹脂中之一者或兩者包含含有具結晶性之脂環結構的聚合物。

〔4〕如〔1〕～〔3〕之任一項所記載之堆疊薄膜，其中前述堆疊薄膜的厚度為50 μm以下。

〔5〕一種偏光板，其具備偏光件與如〔1〕～〔4〕之任一項所記載之堆疊薄膜。

〔6〕一種堆疊薄膜的製造方法，其係如〔1〕～〔4〕之任一項所記載之堆疊薄膜的製造方法，包含： 乾燥第2樹脂的工序、 藉由第1樹脂、經乾燥之前述第2樹脂，以及第3樹脂，形成第1層體、第2層體及第3層體的工序。

根據本發明，可提供：耐熱性及耐彎折性兩者皆優異，且氣泡之形成受到抑制的堆疊薄膜及其製造方法；以及具備前述堆疊薄膜的偏光板。

以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受以下所揭示之實施型態及示例物所限制者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍內得任意變更而實施。

在以下說明中，所謂「偏光板」，除非另有註記，否則不僅包含剛性之部件，亦可包含例如樹脂製之薄膜般具可撓性之部件。

在以下說明中，所謂「紫外線」，除非另有註記，否則意謂波長為10 nm以上且未達400 nm之光線。

［1.堆疊薄膜之概要］

圖1係繪示本發明之一實施型態相關之堆疊薄膜10的剖面示意圖。

如圖1所示，本發明之一實施型態相關之堆疊薄膜10依序具備第1層體110、第2層體120與第3層體130。再者，堆疊薄膜10滿足下述要件（i）～（vi）。 （i）第2樹脂包含嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物。 （ii）於37℃的水中浸漬24小時，並於23℃且濕度70%的環境下放置24小時之後以卡耳―費雪法所測得之第2樹脂的含水率為指定值以下。 （iii）第2樹脂具有比第1樹脂之彎曲彈性模數還低，且比第3樹脂之彎曲彈性模數還低的彎曲彈性模數。 （iv）第1樹脂及前述第3樹脂中之一者或兩者包含含有脂環結構的聚合物。 （v）在將第1樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）所量測到的水蒸氣滲透率為指定值以下。 （vi）第1層體110之厚度T₁₁₀ 及第3層體130之厚度T₁₃₀ 的和T₁₁₀ ＋T₁₃₀ 相對於第2層體120之厚度T₁₂₀ 的比「（T₁₁₀ ＋T₁₃₀ ）／T₁₂₀ 」位於指定範圍。

滿足前述要件（i）～（vi）的堆疊薄膜10，其耐熱性及耐彎折性兩者皆優異，且氣泡之形成受到抑制。因此，堆疊薄膜10可合適使用在偏光件保護薄膜等光學用途上。

堆疊薄膜10除了第1層體110、第2層體120及第3層體130以外亦可具備任意層體。惟第1層體110與第2層體120以直接相接為佳。並且，第2層體120與第3層體130，以直接相接為佳。於此，所謂某2層體相接之態樣為「直接」，係指此等2層體之間無其他層體。據此，堆疊薄膜10以僅具備第1層體110、第2層體120及第3層體130的3層結構之薄膜為佳。

［2.第1層體］

第1層體係藉由第1樹脂所形成。作為第1樹脂，可使用包含聚合物並得視需求進一步包含任意成分的樹脂。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

於堆疊薄膜中，使用包含含有脂環結構聚合物的樹脂，作為第1樹脂及第3樹脂中之一者或兩者（要件（iv））。以下將含有脂環結構的聚合物適時稱作「含脂環結構聚合物」。據此，在第3層體所包含之第3樹脂包含含脂環結構聚合物的情況下，第1樹脂可包含含脂環結構聚合物，亦可不包含之。另一方面，在第3層體所包含之第3樹脂不包含含脂環結構聚合物的情況下，第1樹脂包含含脂環結構聚合物。其中，以第1樹脂及第3樹脂兩者皆包含含脂環結構聚合物為佳。

含脂環結構聚合物，由於機械性強度優異，故可提高堆疊薄膜的耐彎折性。並且，含脂環結構聚合物通常吸濕性低。據此，藉由使用包含含脂環結構聚合物的樹脂，可有效減小堆疊薄膜的水蒸氣滲透率。藉此，通常可抑制在高濕度環境中之堆疊薄膜的變形，故可改善堆疊薄膜的耐濕性。再者，含脂環結構聚合物通常透明性、尺寸穩定性及輕量性優異。

含脂環結構聚合物，係重複單元中含有脂環結構的聚合物，可舉出例如：得藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應來獲得的聚合物或其氫化物等。並且，作為前述含脂環結構聚合物，可使用主鏈中含有脂環結構的聚合物及側鏈含有脂環結構的聚合物之任一者。其中，含脂環結構聚合物以主鏈含有脂環結構為佳。作為脂環結構，可列舉例如：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等觀點而言以環烷結構為佳。

1個脂環結構所包含之碳原子的數量，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為尤佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，機械性強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。

含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之重複單元的比例，以30質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以70質量%以上為更佳，以90質量%以上為尤佳。藉由將具有脂環結構之重複單元的比例定為如前述之多，可提高耐熱性。

並且，在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之重複單元以外的剩餘部分並無特別限定，得因應使用目的而適當選擇。

作為第1樹脂及第3樹脂中之一者或兩者所包含之含脂環結構聚合物，可使用具結晶性者及不具結晶性者之任一者，亦可組合兩者使用。於此，所謂具結晶性之聚合物，係指具有熔點Mp的聚合物。並且，所謂具有熔點Mp的聚合物，即係指可用示差掃描熱量分析計（DSC）觀測熔點Mp的聚合物。藉由使用具結晶性之含脂環結構聚合物，可格外有效提高堆疊薄膜的機械性強度，故可顯著改善耐彎折性。並且，藉由使用不具結晶性之含脂環結構聚合物，可降低堆疊薄膜的製造成本。

作為具結晶性之含脂環結構聚合物，可列舉例如：下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就容易獲得耐熱性優異之堆疊薄膜而言，作為具結晶性之含脂環結構聚合物，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：係為環烯烴單體之開環聚合物且具結晶性者。 聚合物（β）：係為聚合物（α）的氫化物且具結晶性者。 聚合物（γ）：係為環烯烴單體之加成聚合物且具結晶性者。 聚合物（δ）：係為聚合物（γ）的氫化物等且具結晶性者。

具體而言，作為具結晶性之含脂環結構聚合物，以係為二環戊二烯之開環聚合物且具結晶性者，以及係為二環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具結晶性者為較佳，以係為二環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具結晶性者為尤佳。於此，所謂二環戊二烯之開環聚合物，係指「相對於所有結構單元之源自二環戊二烯之結構單元的比例通常為50質量%以上，以70質量%以上為佳，以90質量%以上為較佳，以100質量%為更佳」的聚合物。

二環戊二烯之開環聚合物的氫化物，以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在二環戊二烯之開環聚合物的氫化物中之重複單元之外消旋二單元組的比例以51%以上為佳，以60%以上為較佳，以65%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高，表示對排立體規則性高。據此，有外消旋二單元組的比例愈高，二環戊二烯之開環聚合物的氫化物之熔點愈高的傾向。

外消旋二單元組的比例，可根據後述實施例所記載之¹³ C-NMR光譜分析來決定。

具結晶性之含脂環結構聚合物，在製造堆疊薄膜更之前，亦可未經結晶化。然而，在製造堆疊薄膜之後，該堆疊薄膜所包含之具結晶性之含脂環結構聚合物，通常藉由經結晶化而可具有高結晶化度。具體之結晶化度的範圍得因應期望之性能而適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳。藉由將堆疊薄膜所包含之含脂環結構聚合物的結晶化度定於前述範圍之下限值以上，可賦予堆疊薄膜高耐熱性及化學抗性。結晶化度得藉由X射線繞射法來量測。

具結晶性之含脂環結構聚合物的熔點Mp以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Mp的具結晶性之含脂環結構聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更加優異的堆疊薄膜。

前述般的具結晶性之含脂環結構聚合物，得藉由例如國際專利公開第2016/067893號所記載之方法來製造。

另一方面，不具結晶性之含脂環結構聚合物，可列舉例如：（1）降𦯉烯系聚合物、（2）單環的環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯脂環烴聚合物，及此等之氫化物等。此等之中，就透明性及成形性的觀點而言，以降𦯉烯系聚合物及其氫化物為較佳。

作為降𦯉烯系聚合物，可列舉例如：降𦯉烯系單體的開環聚合物、降𦯉烯系單體與能開環共聚合之其他單體的開環共聚物，及此等之氫化物；降𦯉烯系單體的加成聚合物、降𦯉烯系單體與能共聚合之其他單體的加成共聚物等。此等之中，就透明性的觀點而言，以降𦯉烯系單體的開環聚合物氫化物為尤佳。

上述含脂環結構聚合物，可選自例如日本專利公開第2002-321302號公報所揭露之聚合物。

作為包含不具結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂，市售有各式各樣的商品，故得於此等之中適當選擇具有期望之特性者來使用。作為此種市售品之例，可列舉：商品名「ZEONOR」（日本瑞翁股份有限公司製）、「ARTON」（JSR股份有限公司製）、「APEL」（三井化學股份有限公司製）、「TOPAS」（POLYPLASTICS公司製）的製品群。

第1樹脂所包含之聚合物的重量平均分子量（Mw）以10,000以上為佳，以15,000以上為較佳，以20,000以上為尤佳，且以100,000以下為佳，以80,000以下為較佳，以50,000以下為尤佳。具有此種重量平均分子量的聚合物，其機械性強度、成形加工性及耐熱性之平衡優異。

第1樹脂所包含之聚合物的分子量分布（Mw／Mn）以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，以1.8以上為尤佳，且以3.5以下為佳，以3.4以下為較佳，以3.3以下為尤佳。藉由分子量分布為前述範圍之下限值以上，可提高聚合物的生產性，抑制製造成本。並且，藉由為上限值以下，低分子成分的量會變小，故可抑制暴露高溫時的鬆弛，提高堆疊薄膜的穩定性。

聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，得藉由使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析法（以下簡稱「GPC」。），以聚異戊二烯換算之值來量測。在樹脂不溶於環己烷的情況下，得使用甲苯作為溶劑。溶劑為甲苯時，重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn得以聚苯乙烯換算之值來量測。

第1樹脂中之聚合物的比例，就獲得耐熱性及耐彎折性格外優異之堆疊薄膜的觀點而言，以80質量%～100質量%為佳，以90質量%～100質量%為較佳，以95質量%～100質量%為更佳，以98質量%～100質量%為尤佳。

第1樹脂亦可包含任意成分組合至上述聚合物。作為任意成分之例，可列舉：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。作為此等任意成分，可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。惟就使本發明之效果顯著發揮的觀點而言，任意成分的含有比例以少為佳。舉例而言，任意成分的合計比例，相對於第1樹脂所包含之聚合物之100質量份，以20質量份以下為佳，以15質量份以下為較佳，以10質量份以下為更佳，以5質量份以下為尤佳。並且，藉由第1樹脂所包含之任意成分少，可抑制任意成分之滲出。

第1樹脂具有低透濕性。因此，在將該第1樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）而在溫度40℃、濕度90%RH之條件下所量測到的水蒸氣滲透率為指定值以下（要件（v））。具體而言，前述水蒸氣滲透率通常為5 g／(m² ·day)以下，以2 g／(m² ·day)以下為佳，以1.5 g／(m² ·day)以下為較佳，以1 g／(m² ·day)以下為尤佳。藉由使用具有如此低之透濕性的第1樹脂，可提高第1層體的水蒸氣屏蔽能力，故可抑制往第2層體的水蒸氣之滲入。據此，可抑制水蒸氣所致之第2層體的劣化，故可活用第2層體的優異性能而改善堆疊薄膜的耐熱性及耐彎折性。並且，藉由使用具有高水蒸氣屏蔽能力的第1樹脂，可提高堆疊薄膜的水蒸氣屏蔽能力，故在將堆疊薄膜作為偏光件保護薄膜使用的情況下，可有效保護偏光件絕於濕氣。前述水蒸氣滲透率的下限值理想上為零，亦可定為0.1 g／(m² ·day)。

前述水蒸氣滲透率，可利用第1樹脂形成厚度100 μm之薄膜，使用此薄膜來量測。水蒸氣滲透率的量測，可使用市售之水蒸氣穿透度量測裝置，在溫度40℃、濕度90%RH之條件下進行。

第1樹脂以具有高彎曲彈性模數為佳。具體而言，第1樹脂之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數以1900 MPa以上為佳，以2000 MPa以上為較佳，以2100 MPa以上為尤佳，且以2800 MPa以下為佳，以2700 MPa以下為較佳，以2600 MPa以下為尤佳。藉由第1樹脂之前述薄膜的彎曲彈性模數為前述範圍之下限值以上，可提高第1層體的剛性，故可提高堆疊薄膜的處理性。並且，藉由第1樹脂之前述薄膜的彎曲彈性模數為前述範圍之上限值以下，可提高堆疊薄膜的可撓性，故可有效提升堆疊薄膜的耐彎折性。

前述彎曲彈性模數，可先藉由第1樹脂形成厚度4 mm之薄膜，再使用此薄膜來量測。彎曲彈性模數的量測可遵循JIS K7171，在溫度23℃之條件下進行。

第1樹脂之玻璃轉移溫度Tg以80℃以上為佳，以85℃以上為較佳，以90℃以上為更佳，且以250℃以下為佳，以170℃以下為較佳。玻璃轉移溫度位於此種範圍的聚合物，在高溫下之使用上不易產生變形及應力，且耐熱性優異。

第1層體之厚度，係以「第1層體之厚度及第3層體之厚度的和」相對於「第2層體之厚度」的比落於指定範圍的方式來設定（要件（vi））。具體而言，前述厚度的比通常為1以上，以1.2以上為佳，以1.4以上為尤佳，且通常為4以下，以3以下為佳，以2以下為尤佳。藉由厚度的比位於前述範圍，可獲得組合了第1層體、第2層體及第3層體各自之優異物性，而耐熱性及耐彎折性優異的堆疊薄膜。尤其，藉由厚度的比為前述範圍之下限值以上，可有效提高耐熱性，藉由厚度的比為前述範圍之上限值以下，可有效提高耐彎折性。

第1層體之具體厚度以5 μm以上為佳，以8 μm以上為較佳，以10 μm以上為尤佳，且以20 μm以下為佳，以18 μm以下為較佳，以15 μm以下為尤佳。藉由第1層體之厚度為前述範圍之下限值以上，可透過第1層體之作用，有效改善堆疊體的耐熱性及耐彎折性等特性。並且，可有效抑制往第2層體的水分之滲入。再者，藉由第1層體為如此之厚，可有效抑制第2層體所包含之任意成分的滲出。另一方面，藉由第1層體的厚度為前述範圍之上限值以下，可達成堆疊薄膜的薄型化。

［3.第2層體］

第2層體係藉由第2樹脂所形成。作為第2樹脂，使用包含嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物，且得視需求進一步包含任意成分的樹脂（要件（i））。在以下說明中，適時將前述嵌段共聚物稱作「嵌段共聚物［1］」。並且，在以下說明中，適時將前述嵌段共聚物［1］的氫化物稱作「氫化物［2］」。再者，在以下說明中，適時將前述嵌段共聚物［1］之氫化物［2］的烷氧矽基改質物稱作「烷氧矽基改質物［3］」。

嵌段共聚物［1］以包含：含有芳族乙烯化合物單元的聚合物嵌段［A］，與含有鏈狀共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段［B］為佳。其中，嵌段共聚物［1］以每1分子嵌段共聚物［1］具有2個以上之聚合物嵌段［A］，以及每1分子嵌段共聚物［1］具有1個以上之聚合物嵌段［B］為尤佳。

聚合物嵌段［A］係含有芳族乙烯化合物單元的聚合物嵌段。於此，所謂芳族乙烯化合物單元，係指具有將芳族乙烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。

作為對應於聚合物嵌段［A］所具有之芳族乙烯化合物單元的芳族乙烯化合物，可列舉例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧苯乙烯等具有碳數1～6之烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此等可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。此等之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類等不含有極性基的芳族乙烯化合物為佳，就工業上之取得容易性而言，以苯乙烯為尤佳。

在聚合物嵌段［A］中之芳族乙烯化合物單元的含有率，以90質量%以上為佳，以95質量%以上為較佳，以99質量%以上為尤佳。藉由在聚合物嵌段［A］中芳族乙烯化合物單元的量如前述之多，可提高第2層體的剛性及耐熱性。

聚合物嵌段［A］除了芳族乙烯化合物單元以外，亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［A］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率將2種以上任意結構單元組合而包含。

作為聚合物嵌段［A］得包含之任意結構單元，可舉出例如：鏈狀共軛二烯化合物單元。於此，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為對應於鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉與作為對應於聚合物嵌段［B］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物之例而列舉者相同之例。

並且，作為聚合物嵌段［A］得包含之任意結構單元，可舉出例如：具有將除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為任意不飽和化合物，可列舉例如：鏈狀乙烯化合物、環狀乙烯化合物等乙烯化合物；不飽和環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物；等。此等化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥基羰基或鹵基等取代基。此等之中，就吸濕性的觀點而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子碳數2～20之鏈狀烯烴；乙烯環己烷等每1分子碳數5～20之環烯烴；等不具有極性基之乙烯化合物為佳，以每1分子碳數2～20之鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為尤佳。

聚合物嵌段［A］中之任意結構單元的含有率，以10質量%以下為佳，以5質量%以下為較佳，以1質量%以下為尤佳。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［A］的數量，以2個以上為佳，且以5個以下為佳，以4個以下為較佳，以3個以下為尤佳。在1分子中所存在的多個聚合物嵌段［A］可彼此相同，亦可相異。

聚合物嵌段［B］係含有鏈狀共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段。如前所述，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。

作為對應於此聚合物嵌段［B］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。此等可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，就可降低吸濕性而言，以不含有極性基之鏈狀共軛二烯化合物為佳，以1,3-丁二烯、異戊二烯為尤佳。

聚合物嵌段［B］中之鏈狀共軛二烯化合物單元的含有率，以90質量%以上為佳，以95質量%以上為較佳，以99質量%以上為尤佳。藉由在聚合物嵌段［B］中鏈狀共軛二烯化合物單元的量如前述之多，可提升第2層體的可撓性。

聚合物嵌段［B］除了鏈狀共軛二烯化合物單元以外，亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［B］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率將2種以上任意結構單元組合而包含。

作為聚合物嵌段［B］得包含之任意結構單元，可列舉例如：芳族乙烯化合物單元，以及具有將除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為此等芳族乙烯化合物單元以及具有將任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元，可列舉例如：與已作為聚合物嵌段［A］亦可包含者而示例者相同之例。

聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率，以10質量%以下為佳，以5質量%以下為較佳，以1質量%以下為尤佳。藉由聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率低，可提升第2層體的可撓性。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［B］的數量通常為1個以上，亦可為2個以上。在嵌段共聚物［1］中之聚合物嵌段［B］的數量為2個以上的情況下，此等聚合物嵌段［B］可彼此相同，亦可相異。

嵌段共聚物［1］之嵌段的型態，可為鏈型嵌段，亦可為星型嵌段。其中，鏈型嵌段因機械性強度優異而佳。在嵌段共聚物［1］具有鏈型嵌段之型態的情況下，藉由嵌段共聚物［1］之分子鏈的兩端為聚合物嵌段［A］，可將第2層體之黏性抑至期望之低值。

嵌段共聚物［1］之尤佳嵌段型態，係如由［A］―［B］―［A］所表示，於聚合物嵌段［B］之兩端鍵結聚合物嵌段［A］的三嵌段共聚物；如由［A］―［B］―［A］―［B］―［A］所表示，於聚合物嵌段［A］之兩端鍵結聚合物嵌段［B］，並進一步於該兩聚合物嵌段［B］之另一端分別鍵結聚合物嵌段［A］的五嵌段共聚物。尤其，［A］―［B］―［A］之三嵌段共聚物由於製造容易且可輕易使物性落於期望之範圍，故為尤佳。

在嵌段共聚物［1］中，聚合物嵌段［A］佔嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wA與聚合物嵌段［B］佔嵌段共聚物［1］之整體的重量分率wB之比（wA／wB），以落於特定範圍為佳。具體而言，前述比（wA／wB）以40／60以上為佳，以50／50以上為較佳，以70／30以上為尤佳，且以95／5以下為佳，以90／10以下為較佳，以85／15以下為尤佳。藉由前述比wA／wB為前述範圍之下限值以上，可提升第2層體的剛性及耐熱性，或減小雙折射。並且，藉由前述比wA／wB為前述範圍之上限值以下，可提升第2層體的可撓性。於此，聚合物嵌段［A］的重量分率wA表示聚合物嵌段［A］整體重量分率，聚合物嵌段［B］的重量分率wB表示聚合物嵌段［B］整體的重量分率。

前述嵌段共聚物［1］的重量平均分子量（Mw），以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以50,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。

並且，嵌段共聚物［1］的分子量分布（Mw／Mn），以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。

前述嵌段共聚物［1］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃（THF）作為溶劑之凝膠滲透層析法（GPC），作為聚苯乙烯換算之值來量測。

作為嵌段共聚物［1］的製造方法，得採用例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載之方法。

氫化物［2］係將嵌段共聚物［1］之不飽和鍵氫化而獲得的聚合物。於此，於經氫化之嵌段共聚物［1］的不飽和鍵，嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之「芳香性及非芳香性」的碳―碳不飽和鍵皆包含在內。

氫化物［2］的氫化率以90%以上為佳，以97%以上為較佳，以99%以上為尤佳。氫化物［2］的氫化率，除非另有註記，否則係嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之「芳香性及非芳香性」的碳―碳不飽和鍵之中，經氫化之鍵結的比例。氫化率愈高，愈可優化第2層體的透明性、耐熱性及耐候性，更容易減小第2層體的雙折射。於此，氫化物［2］的氫化率，得藉由¹ H-NMR之量測而求得。氫化物［2］之氫化率的上限，得定為100%以下。

尤其，非芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高非芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率，可更加提高第2層體的耐光性及耐氧化性。

並且，芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為尤佳。藉由提高芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率，將聚合物嵌段［A］氫化而獲得之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度會變高，故可有效提高第2層體的耐熱性。再來，可降低第2樹脂的光彈性係數。

氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以45,000以上更為較佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下更為較佳。藉由氫化物［2］之重量平均分子量（Mw）落於前述範圍，可提升第2層體的機械強度及耐熱性，更容易減小第2層體的雙折射。

氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.8以下為尤佳，且以1.0以上為佳。藉由氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn）落於前述範圍，可提升第2層體的機械強度及耐熱性，更容易減小第2層體的雙折射。

氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶劑之凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算之值來量測。

如前所述之氫化物［2］，得藉由將嵌段共聚物［1］氫化來製造。作為氫化方法，以可提高氫化率，嵌段共聚物［1］之斷鏈反應少的氫化方法為佳。作為此種氫化方法可列舉例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載之方法。

烷氧矽基改質物［3］，係於上述嵌段共聚物［1］之氫化物［2］導入烷氧矽基而獲得之聚合物。此時，烷氧矽基可直接鍵結於上述氫化物［2］，亦可中介例如伸烷基等2價之有機基間接鍵結。烷氧矽基改質物［3］對多種材料的密合性優異。據此，由包含烷氧矽基改質物［3］之第2樹脂所形成之第2層體，與第1層體及第3層體的密合性優異。因此，可抑制因熱及應力所致之第2層體的剝離，故也因而可提高堆疊薄膜的耐熱性及耐彎折性。

烷氧矽基改質物［3］中之烷氧矽基的導入量，相對於烷氧矽基導入前的氫化物［2］100質量份，以0.1質量份以上為佳，以0.2質量份以上為較佳，以0.3質量份以上為尤佳，且以10質量份以下為佳，以5質量份以下為較佳，以3質量份以下為尤佳。若使烷氧矽基的導入量落於前述範圍，可抑制因水分等而分解之烷氧矽基彼此間的交聯度過度升高，故可高度維持第2層體的密合性。

烷氧矽基的導入量得以¹ H-NMR光譜來測量。並且，於測量烷氧矽基的導入量時，在導入量少的情況下，得增加累計次數來測量。

烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw），由於所導入之烷氧矽基的量少，通常不會較導入烷氧矽基前之氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）大幅變化。惟在導入烷氧矽基時，通常係在過氧化物的存在下使氫化物［2］進行改質反應，故會發生此氫化物［2］的交聯反應及斷裂反應，分子量分布會有大幅變化的傾向。烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw）以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以45,000以上更為較佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下更為較佳。並且，烷氧矽基改質物［3］的分子量分布（Mw／Mn）以3.5以下為佳，以2.5以下為較佳，以2.0以下為尤佳，且以1.0以上為佳。若烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）為此範圍，即可維持第2層體之良好的機械強度及拉伸伸長率。

烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），作為聚苯乙烯換算之值來量測。

烷氧矽基改質物［3］得藉由於前述嵌段共聚物［1］的氫化物［2］導入烷氧矽基來製造。作為於氫化物［2］導入烷氧矽基的方法，可列舉例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載之方法。

第2樹脂中之烷氧矽基改質物［3］的比例，就獲得耐熱性及耐彎折性格外優異之堆疊薄膜的觀點而言，以90質量%～100質量%為佳，以93質量%～100質量%為較佳，以95質量%～100質量%為更佳，以97質量%～100質量%為尤佳。

第2樹脂亦可包含任意成分組合至烷氧矽基改質物［3］。作為任意成分，可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。由於第2層體設置於第1層體與第3層體之間，故第2層體所包含之任意成分的移動，會因第1層體及第3層體而受到阻礙。因此，在堆疊薄膜中，可抑制第2樹脂所包含之任意成分的滲出。

作為任意成分之例，可列舉與第1樹脂得包含之任意成分相同之例。其中，以紫外線吸收劑為佳。紫外線吸收劑係具有吸收紫外線之能力的化合物。藉由使用包含紫外線吸收劑的第2樹脂，堆疊薄膜可具有紫外線屏蔽能力。因此，在將堆疊薄膜作為偏光件保護薄膜使用的情況下，可保護偏光件絕於紫外線。

作為紫外線吸收劑，以使用有機化合物為佳。藉由使用係為有機化合物的紫外線吸收劑，相較於使用係為無機化合物的紫外線吸收劑的情形，通常可提高堆疊薄膜在可見光波長的光線穿透率，或減小堆疊薄膜的霧度。作為「係為有機化合物的紫外線吸收劑」，可列舉例如：三𠯤系紫外線吸收劑、二苯基酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑、柳酸酯系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑、甲亞胺系紫外線吸收劑、吲哚系紫外線吸收劑、萘二甲醯亞胺系紫外線吸收劑、酞青系紫外線吸收劑等。作為此等紫外線吸收劑的具體例，可列舉日本專利公開第2017-68227號公報所記載者。

第2樹脂中之任意成分的比例以3質量%以上為佳，以5質量%以上為較佳，以7質量%以上為尤佳，且以20質量%以下為佳，以15質量%以下為較佳，以10質量%以下為尤佳。藉由任意成分的比例為前述範圍之下限值以上，可在堆疊薄膜中有效發揮該任意成分所具有之功能。並且，藉由任意成分之比例為前述範圍之上限值以下，可輕易抑制第2樹脂的凝膠化。

在將第2樹脂於37℃的水中浸漬24小時，並於23℃且濕度70%的環境下放置24小時之後以卡耳―費雪法所測得之含水率，通常為0.020質量%以下，以0.015質量%以下為佳，以0.010質量%以下為較佳，以0.008質量%以下尤為較佳（要件（ii））。作為使用於堆疊薄膜的第2樹脂，係使用已藉由施以適切之乾燥處理而降低含水率者。藉此，可抑制堆疊薄膜中之氣泡及孔洞的形成。再者，因第2樹脂的含水率低，可期待有效提升堆疊薄膜的耐彎折性。

第2樹脂的含水率，係在將該第2樹脂於37℃的水中浸漬24小時，並進一步於37℃、相對濕度70%的條件下靜置24小時之後來量測。此量測可使用卡耳―費雪水分計，將試樣的加熱溫度定為150℃、加熱時間定為10分鐘來量測。

第2樹脂具有比第1樹脂之彎曲彈性模數還低，且比第3樹脂之彎曲彈性模數還低的彎曲彈性模數（要件（iii））。藉此，可提高堆疊薄膜的耐彎折性。

以下揭示良佳之具體範圍。由第1樹脂所形成之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數以及由第3樹脂所形成之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數中較低者的彎曲彈性模數，與由第2樹脂所形成之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數的差，稱為「彎曲彈性模數差」。此彎曲彈性模數差以1000 MPa以上為佳，以1100 MPa以上為較佳，以1200 MPa以上為尤佳，且以2100 MPa以下為佳，以2000 MPa以下為較佳，以1900 MPa以下為尤佳。藉由彎曲彈性模數差為前述範圍之下限值以上，可有效提升堆疊薄膜的耐彎折性。並且，藉由彎曲彈性模數差為前述範圍之上限值以下，可抑制第1樹脂及第3樹脂之彎曲彈性模數變得過大而第2層體之作用變得相對過小的情形，故也因而可有效提升堆疊薄膜的耐彎折性。

並且，由第2樹脂所形成之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數，以550 MPa以上為佳，以600 MPa以上為較佳，以650 MPa以上為尤佳，且以1000 MPa以下為佳，以900 MPa以下為較佳，以800 MPa以下為尤佳。藉由由第2樹脂所形成之薄膜的彎曲彈性模數為前述範圍之下限值以上，可提高第2層體的剛性，故可提高堆疊薄膜的處理性。並且，藉由由第2樹脂所形成之薄膜的彎曲彈性模數為前述範圍之上限值以下，可提高堆疊薄膜的可撓性，故可有效提升堆疊薄膜的耐彎折性。

第2樹脂之前述彎曲彈性模數，可藉由與第1樹脂之彎曲彈性模數相同的方法來量測。

在將第2樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）而在溫度40℃、濕度90%RH之條件下所量測到的水蒸氣滲透率，以低為佳。具體而言，前述水蒸氣滲透率以5 g／(m² ·day)以下為佳，以4.5 g／(m² ·day)以下為較佳，以4 g／(m² ·day)以下為更佳。藉由第2樹脂具有如此低的透濕性，可有效提高堆疊薄膜的水蒸氣屏蔽能力，故在將堆疊薄膜作為偏光件保護薄膜使用的情況下，可有效保護偏光件絕於濕氣。前述水蒸氣滲透率的下限值理想上為零，亦可定為0.1 g／m² ·day。

第2樹脂之前述水蒸氣滲透率，可藉由與第1樹脂之水蒸氣滲透率相同的方法來量測。

第2樹脂以具有高紫外線屏蔽能力為佳。此種高紫外線屏蔽能力，可藉由使用包含紫外線吸收劑之物作為第2樹脂來實現。藉由使用具有高紫外線屏蔽能力的第2樹脂，堆疊薄膜亦可具有高紫外線屏蔽能力。據此，在將堆疊薄膜作為偏光件保護薄膜使用的情況下，可保護偏光件絕於紫外線。

第2層體之厚度如前所述，係以「第1層體之厚度及第3層體之厚度的和」相對於「第2層體之厚度」的比落於指定範圍的方式來設定。據此，第2層體之厚度係設定在前述厚度的比落於前述範圍的範圍。具體而言，第2層體之厚度以10 μm以上為佳，以13 μm以上為較佳，以15 μm以上為尤佳，且以25 μm以下為佳，以23 μm以下為較佳，以20 μm以下為尤佳。藉由第2層體之厚度為前述範圍之下限值以上，可透過第2層體之作用，有效改善堆疊體的耐熱性及耐彎折性等特性。另一方面，藉由第2層體之厚度為前述範圍之上限值以下，可達成堆疊薄膜的薄型化。

［4.第3層體］

第3層體係由第3樹脂所形成。作為第3樹脂，可使用包含聚合物，並得視需求進一步包含任意成分的樹脂。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

如前所述，於堆疊薄膜中，係使用包含含脂環結構聚合物的樹脂，來作為第1樹脂及第3樹脂中之一者或兩者（要件（iv））。因此，在第1樹脂包含含脂環結構聚合物的情況下，第3樹脂可包含含脂環結構聚合物，亦可不包含。並且，在第1樹脂不包含含脂環結構聚合物的情況下，第3樹脂包含含脂環結構聚合物。惟就有效提高堆疊薄膜之耐熱性及耐彎折性的觀點而言，以第1樹脂及第3樹脂兩者皆包含含脂環結構聚合物為佳。

作為第3樹脂，得任意使用已說明作為第1樹脂之範圍者。藉此，透過第3層體，可獲得與第1層體所致之效果相同的效果。第1樹脂與第3樹脂亦可相異，但就抑制堆疊薄膜之製造成本及抑制捲曲的觀點而言，以相同為佳。

第3樹脂以具有低透濕性為佳。具體而言，在將該第3樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）所量測到的水蒸氣滲透率，以位於與前述第1樹脂之水蒸氣滲透率的範圍相同之範圍為佳。藉由第3樹脂具有低透濕性，可獲得與第1樹脂所致之效果相同的效果。

第3樹脂之前述水蒸氣滲透率，可藉由與第1樹脂之水蒸氣滲透率相同的方法來量測。

第3樹脂以具有高彎曲彈性模數為佳。具體而言，第3樹脂之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數，以位於與前述第1樹脂之彎曲彈性模數的範圍相同的範圍為佳。藉由第3樹脂具有高彎曲彈性模數，可獲得與第1樹脂所致之效果相同的效果。尤其，藉由第1樹脂及第3樹脂兩者具有前述範圍之彎曲彈性模數，可格外有效改善堆疊薄膜的耐彎折性。

第3樹脂之前述彎曲彈性模數，可藉由與第1樹脂之彎曲彈性模數相同的方法來量測。

第3樹脂之玻璃轉移溫度，以位於與第1樹脂之玻璃轉移溫度之範圍相同的範圍為佳。藉此，可獲得與第1樹脂所致之效果相同的效果。

第3層體之厚度如前所述，係以「第1層體之厚度及第3層體之厚度的和」相對於「第2層體之厚度」的比落於指定範圍的方式來設定。據此，第3層體之厚度係設定在前述厚度的比落於前述範圍的範圍。具體而言，第3層體之厚度以位於與第1層體之厚度之範圍相同的範圍為佳。藉由第3層體之厚度位於前述範圍，可獲得與第1層體所致之效果相同的效果。第1層體之厚度與第3層體之厚度亦可相異，但就有效抑制堆疊薄膜之捲曲的觀點而言，以相同為佳。

［5.任意層體］

堆疊薄膜得視需求具備任意層體組合至上述第1層體、第2層體及第3層體。舉例而言，堆疊薄膜亦可於第1層體之與第2層體相反之側、第3層體之與第2層體相反之側等位置具備任意層體。作為任意層體，可列舉例如：硬塗層、低折射率層、抗靜電層、折射率匹配層等。惟就薄化堆疊薄膜的觀點而言，堆疊薄膜以不具備任意層體之3層結構的薄膜為佳。

［6.堆疊薄膜之物性及厚度］

堆疊薄膜具有優異之耐熱性。因此，堆疊薄膜在高溫環境中，可抑制表面狀態之惡化。舉例而言，在某實施型態中，以不施加張力於堆疊薄膜的狀態，將此堆疊薄膜在140℃之環境中放置10分鐘的情況下，能於堆疊薄膜的兩面抑制凹凸的發生。

再者，堆疊薄膜由於具備包含含脂環結構聚合物的第1層體或第3層體，故通常即使在特別高溫高濕度環境中，仍具有優異之尺寸穩定性。尤其，在使用具結晶性之含脂環結構聚合物的情況下，能顯著獲得前述效果。

堆疊薄膜具有優異之耐彎折性。因此，堆疊薄膜即使進行反覆彎折，仍可抑制破裂、摺痕及白濁的產生。舉例而言，在某實施型態中，即使在因後述實施例所記載之耐曲折性試驗而反覆彎折10萬次的情況下，仍可抑制破裂、摺痕及白濁的產生。

在堆疊薄膜中，氣泡之形成受到抑制。因此，通常堆疊薄膜在其內部中之氣泡的數量少，以其內部不具氣泡為佳。

堆疊薄膜在波長380 nm的光線穿透率，以低為佳。在波長380 nm之光線穿透率低，意謂紫外線屏蔽能力優異。紫外線屏蔽能力優異的堆疊薄膜，在作為偏光件保護薄膜使用的情況下，可保護偏光件絕於紫外線。再者，一般而言，有機EL顯示裝置所包含之有機成分特別容易因長波長之紫外線而劣化。因此，在將堆疊薄膜設置於有機EL顯示裝置的情況下，可有效抑制有機成分的劣化。

堆疊薄膜就作為光學薄膜使用的觀點而言，以具有高全光線穿透率為佳。堆疊薄膜的具體全光線穿透率，以85%～100%為佳，以87%～100%為較佳，以90%～100%為尤佳。全光線穿透率得使用市售之分光光度計，以波長400 nm以上且700 nm以下之範圍來量測。

堆疊薄膜，就提高安裝有堆疊薄膜之影像顯示裝置的影像清晰度之觀點而言，以霧度小為佳。堆疊薄膜的霧度以1%以下為佳，以0.8%以下為較佳，以0.5%以下為尤佳。霧度得遵循JIS K7361-1997，使用濁度計來量測。

堆疊薄膜之厚度以20 μm以上為佳，以25 μm以上為較佳，以30 μm以上為尤佳，且以50 μm以下為佳，以47 μm以下為較佳，以45 μm以下為尤佳。藉由堆疊薄膜之厚度為前述範圍之下限值以上，可確保光學薄膜用途上所要求之耐熱性及剛性，藉由為上限值以下，可確保光學薄膜用途上所要求之輕量性及省空間性。

［7.堆疊薄膜的製造方法］

堆疊薄膜可藉由包含：乾燥第2樹脂的工序；藉由第1樹脂、經乾燥之第2樹脂，以及第3樹脂，形成第1層體、第2層體及第3層體的工序；的製造方法來製造。

第2樹脂之乾燥工序中的乾燥溫度以40℃以上為佳，以45℃以上為較佳，以50℃以上為尤佳。藉由乾燥溫度為前述範圍之下限值以上，可使乾燥迅速進行。乾燥溫度之上限並無特別之限制。惟在工業上，第2樹脂之乾燥工序係在生產線上進行，故多在搬運第2樹脂的同時進行。被如此搬運之第2樹脂，以可抑制因熱所致之熔接為佳。於是，就穩定抑制熔接的觀點而言，乾燥溫度以100℃以下為佳，以80℃以下為較佳，以70℃以下為尤佳。

第2樹脂之乾燥工序中的乾燥時間，以180分鐘以上為佳，以210分鐘以上為較佳，以240分鐘以上為尤佳，且以720分鐘以下為佳，以660分鐘以下為較佳，以600分鐘以下為尤佳。藉由乾燥時間為前述範圍之下限值以上，可有效降低第2樹脂之含水率。並且，藉由乾燥時間為前述範圍之上限值以下，可抑制樹脂劣化，或縮短堆疊薄膜的製造時間而提高生產效率。

在第2樹脂之乾燥後，進行藉由第1樹脂、已乾燥之第2樹脂，以及第3樹脂來形成第1層體、第2層體及第3層體的工序，製造堆疊薄膜。第1層體、第2層體及第3層體的形成方法並無限制。舉例而言，可藉由包含將第1樹脂、第2樹脂及第3樹脂成形為薄膜狀之工序的形成方法，來形成第1層體、第2層體及第3層體。作為成形方法，可列舉例如：共擠製法及共流延法等。此等成形方法之中，共擠製法由於製造效率優異且不易使揮發性成分殘留於堆疊薄膜中故為佳。

共擠製法包含共擠製第1樹脂、第2樹脂與第3樹脂的工序。在共擠製法中，第1樹脂、第2樹脂及第3樹脂，分別以熔融狀態擠製成層狀，形成第1層體、第2層體及第3層體。此時，作為各樹脂的擠製方法，可列舉例如：共擠製T字模法、共擠製充氣法、共擠製層壓法等。其中，以共擠製T字模法為佳。共擠製T字模法方面，有進料塊（feed block）方式及多歧管方式，就可減少厚度之參差這點而言，以多歧管方式為尤佳。

堆疊薄膜的製造方法亦可更包含任意工序組合至前述工序。舉例而言，堆疊薄膜的製造方法亦可包含對堆疊薄膜施以延伸處理的延伸工序。藉由如此施以延伸處理，可薄化堆疊薄膜，提高堆疊薄膜的機械性強度，或者使堆疊薄膜顯現期望之光學特性。

［8.偏光板］

前述堆疊薄膜得作為相位差薄膜、偏光件保護薄膜、偏光補償薄膜等光學薄膜，而使用於廣泛之用途。其中，堆疊薄膜以作為偏光件保護薄膜使用為佳。

本發明之一實施型態相關之偏光板具備偏光件與前述堆疊薄膜。堆疊薄膜可僅設置於偏光件之單側，亦可設置於兩側。此偏光板由於堆疊薄膜具有優異之耐熱性，故可抑制在高溫環境中之性能的劣化。並且，此偏光板由於堆疊薄膜具有優異之耐彎折性，故偏光板本身亦具有優異之耐彎折性。因此，此偏光板，能適用於有機EL顯示裝置等可撓顯示器。

作為偏光件，得使用可使具有互相垂直之振動方向的兩道直線偏光之一者穿透，並吸收或反射另一者的薄膜。所謂直線偏光的振動方向，意謂直線偏光之電場的振動方向。若要舉出偏光件之具體例，可舉出：已於聚乙烯醇、部分縮甲醛化聚乙烯醇等乙烯醇系聚合物的薄膜，以適切之順序及方式施以透過碘、二色性染料等二色性物質的染色處理、延伸處理、交聯處理等適切之處理者。尤其以包含聚乙烯醇的偏光件為佳。並且，偏光件之厚度通常為5 μm～80 μm。

偏光板可藉由於偏光件貼合堆疊薄膜來製造。在貼合時，亦可視需求使用接合劑。

偏光板亦可更具備任意層體組合至偏光件及堆疊薄膜。舉例而言，偏光板亦可為保護偏光件而具備堆疊薄膜以外的任意保護薄膜層。再者，作為任意層體，可列舉例如：硬塗層、低折射率層、抗靜電層、折射率匹配層。

如上所述操作而獲得之偏光板，能夠使用於例如有機EL顯示裝置等影像顯示裝置。

『實施例』

以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受以下所揭示之實施例所限定者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍內得任意變更而實施。

在以下說明中，表示量的「ppm」、「%」及「份」，除非另有註記，否則為質量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則係在常溫及常壓之條件下進行。

［評價方法］

[分子量的量測方法]

聚合物之重量平均分子量及數量平均分子量，係在38℃量測作為將四氫呋喃做成溶析液之凝膠滲透層析法的標準聚苯乙烯換算值。作為量測裝置，係使用東曹公司製HLC8320GPC。

[玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp的量測方法]

使用示差掃描熱量分析計（DSC），以10℃／分鐘升溫，分別求出試樣的玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp。

[氫化率的量測方法]

聚合物之氫化率係藉由¹ H-NMR量測來量測。

[聚合物的外消旋二單元組之比例的量測方法]

以鄰二氯苯-d⁴ ／三氯苯-d³ （混合比（質量基準）1／2）作為溶劑，在200℃下，應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物的¹³ C-NMR量測。在此¹³ C-NMR量測的結果中，將鄰二氯苯-d⁴ 之127.5 ppm的峰值作為參考位移，辨別出源自內消旋二單元組的43.35 ppm之信號與源自外消旋二單元組的43.43 ppm之信號。根據此等信號的強度比，求出聚合物之外消旋二單元組的比例。

[彎曲彈性模數的量測方法]

自作為試樣的樹脂，藉由射出成形而形成厚度4 mm之薄片狀的薄膜。遵循JIS K7171，在溫度23℃下量測所獲得之薄膜的彎曲彈性模數。作為量測裝置，係使用拉伸試驗機（Instron公司製「5564型」）。

[水蒸氣滲透率的量測方法]

自作為試樣的樹脂，藉由擠製成形法形成厚度100 μm之薄膜。遵循JIS K7129 B（1992），量測所獲得之薄膜的水蒸氣滲透率。量測係使用水蒸氣穿透度量測裝置（MOCON公司製「PERMATRAN-W」），在溫度40℃、濕度90%RH之條件下進行。

[樹脂之含水率的量測方法]

將作為試樣的樹脂，於37℃的水中浸漬24小時。之後，將樹脂自水取出，在已調節為37℃、70%RH（相對濕度）的恆溫恆濕槽中靜置24小時。之後，自恆溫恆濕槽取出試樣，立即量測含水率。含水率的量測，係使用具備水分氣化裝置（Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. 製「VA-200型」）的卡爾―費雪水分量測裝置（Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. 製「微量水分量測裝置CA-200」），將試樣的加熱溫度定為150℃、加熱時間定為10分鐘來量測。

[厚度的量測方法]

包含第1層體、第2層體及第3層體之堆疊薄膜的整體厚度，係使用卡規來量測。

並且，使用切片機將堆疊薄膜薄切，獲得厚度0.05 μm的切片。之後，使用光學顯微鏡觀察因薄切而現出之切片的剖面，量測第1層體、第2層體及第3層體各自的厚度。

[全光線穿透率的量測方法]

堆疊薄膜的全光線穿透率，係遵循JIS K7361，使用日本電色工業公司製「濁度計 NDH-4000」自5處之平均值來求得。

[耐熱性的評價方法]

以不施加張力於堆疊薄膜的狀態，將此堆疊薄膜在140℃之環境下放置10分鐘。之後，以目視確認堆疊薄膜的表面狀態。

在可於堆疊薄膜之至少一表面確認到至少1個凹凸的情況下，即視為耐熱溫度未達140℃，將之判定為表示耐熱性低劣的「不良」。

並且，在無法於堆疊薄膜之兩表面確認到凹凸的情況下，即視為耐熱溫度為140℃以上，將之判定為表示耐熱性優異的「良」。

於此，所謂在耐熱試驗後於薄膜之表面確認到的凹凸，係指因熱所致之膨脹或收縮而於堆疊薄膜局部產生之微小凹凸。

[耐曲折性試驗的方法]

使用桌上型耐久試驗機（Yuasa System Co., Ltd.製「DLDMLH-FS」），藉由面狀體無負荷U字伸縮試驗的方法，對堆疊薄膜進行耐曲折性試驗。彎折係在伸縮寬度50 mm、彎曲半徑2 mm、伸縮速度80次／分鐘之條件下，以第1層體成為外側（施加有拉伸應力之側）的方式來重複進行。彎折次數為超過1000次至1萬次則於每1000次，超過1萬次至5萬次則於每5000次，超過5萬次則於每1萬次即停止裝置，並目視確認堆疊薄膜。若於堆疊薄膜確認到那怕細微的破裂產生即評價為「破裂」，在有摺痕的情況下則評價為「摺痕」、彎折部分有白濁的情況下則評價為「白濁」。以彎折次數10萬次為上限進行4次評價。在4次之中，採用直到「破裂」、「摺痕」或「白濁」產生為止之彎折次數最多次的結果作為評價結果。

[外觀的評價方法]

以目視評價堆疊薄膜，判定氣泡的有無。

［製造例1：包含「二環戊二烯之開環聚合物的氫化物」之結晶性COP樹脂（1）的製造］

將金屬製的耐壓反應器充分乾燥之後，進行氮氣置換。於此耐壓反應器加入環己烷154.5份、二環戊二烯（内型異構物含有率99%以上）之濃度70%的環己烷溶液42.8份（二環戊二烯的量而言為30份）及1-己烯1.9份，加溫至53℃。

將四氯化苯基醯亞胺鎢(四氫呋喃)錯合物0.014份溶解至0.70份之甲苯，製備溶液。於此溶液加入濃度19%的二乙基乙氧基鋁／正己烷溶液0.061份並攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。

將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，維持在53℃同時使之反應4小時，獲得二環戊二烯之開環聚合物的溶液。

所獲得之二環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，自此等求得之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。

於所獲得之二環戊二烯之開環聚合物的溶液200份加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃，攪拌1小時以使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃，攪拌1小時。之後，加入過濾助劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP褶筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分開吸附劑與溶液。

於過濾後之二環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，再添加羰基氯氫參(三苯膦)釕0.0043份，在氫壓6 MPa、180℃下進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含二環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。

使用離心分離器分離前述反應液所包含之氫化物與溶液，在60℃下減壓乾燥24小時，獲得具結晶性之二環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點（Mp）為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。

於所獲得之二環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製之「IRGANOX（註冊商標）1010」）1.1份之後，將之放入具備4個內徑3 mmΦ之模具孔的雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM-37B」）。藉由使用雙軸擠製機之熱熔融擠製成形，使樹脂成為股狀之成形體後，以股線切割機細切之，獲得結晶性COP樹脂（1）的顆粒。此結晶性COP樹脂（1）係包含二環戊二烯之開環聚合物的氫化物作為具結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂（玻璃轉移溫度Tg為92℃，熔點Mp為260℃）。

前述雙軸擠製機的運轉條件如下。 ・料桶設定溫度＝270℃～280℃。 ・模具設定溫度＝250℃。 ・螺桿轉數＝145 rpm。 ・進料器轉數＝50 rpm。

針對所獲得之結晶性COP樹脂（1），以上述方法量測彎曲彈性模數及水蒸氣滲透率。

［製造例2：包含「嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物」之Si改質樹脂（2）的製造］

（第1階段：透過聚合反應之第1嵌段St的延長）

將脫水環己烷550份、苯乙烯25份及二丁醚0.475份置入已充分乾燥並氮氣置換、具備攪拌裝置的不鏽鋼製反應器，在60℃下攪拌同時添加正丁基鋰溶液（15質量%的己烷溶液）0.68份以起始聚合反應，進行第1段的聚合反應。在反應起始後1小時的時間點，自反應混合物抽取出試樣，藉由氣相層析法（GC）分析的結果，聚合轉化率為99.5%。

（第2階段：透過聚合反應之第2嵌段Ip的延長）

將脫水異戊二烯50份添加至上述第1階段中所獲得之反應混合物，並就此繼續攪拌30分鐘。隨後起始第2階段的聚合反應。在第2階段之聚合反應起始後1小時的時間點，自反應混合物抽樣，藉由GC分析的結果，聚合轉化率為99.5%。

（第3階段：透過聚合反應之第3嵌段St的延長）

將脫水苯乙烯25份添加至上述第2階段中所獲得之反應混合物，隨後起始第3階段的聚合反應。在第3階段之聚合反應起始後1小時的時間點，自反應混合物抽樣，量測嵌段共聚物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn。並且，藉由GC分析在此時間點所抽取之試樣的結果，聚合轉化率為幾乎100%。之後立即於反應混合物添加異丙醇0.5份使反應終止。藉此，獲得包含嵌段共聚物的混合物。

可知所獲得之嵌段共聚物係具有第1嵌段St―第2嵌段Ip―第3嵌段St＝25―50―25（重量比）之三嵌段分子結構的聚合物。嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為47200，分子量分布（Mw／Mn）為1.05。

（第4階段：嵌段共聚物的氫化）

其次，將包含上述嵌段共聚物的混合物移至具備攪拌裝置的耐壓反應器，添加作為氫化觸媒的矽藻土負載型鎳觸媒（Süd-Chemie Catalysts Inc製「T-8400RL」）3.0份及脫水環己烷100份，並混合之。以氫氣置換反應器內部，進一步供給氫氣並同時攪拌溶液，在溫度190℃、壓力4.5 MPa下進行氫化反應8小時。「藉由氫化反應所獲得之反應溶液」所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為49900，分子量分布（Mw／Mn）為1.06。

（第5階段：揮發成分的去除）

氫化反應結束後，過濾反應溶液，去除氫化觸媒。之後，於反應溶液添加溶解有係為酚系抗氧化劑的肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（松原產業公司製「Songnox1010」）0.1份的二甲苯溶液2.0份，並使之溶解。

隨後，使用圓筒型濃縮乾燥器（日立製作所公司製「KONTRO」），以溫度260℃、壓力0.001 MPa以下的條件，自上述反應溶液去除係為溶劑的環己烷、二甲苯及其他揮發成分。將熔融聚合物自模具擠製成股狀而冷卻後，使用造粒機，製作包含嵌段共聚物之氫化物的樹脂之顆粒。

「所獲得之顆粒狀的樹脂」所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為49500，分子量分布（Mw／Mn）為1.10，氫化率近乎100%。

（第6階段：透過乙烯性不飽和矽烷化合物的改質）

對前述樹脂之顆粒100份，添加乙基三甲氧基矽烷3.0份及2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)己烷（日油公司製「PERHEXA（註冊商標） 25B」）0.2份，獲得混合物。使用雙軸擠製機，以樹脂溫度220℃、滯留時間60秒～70秒之條件混練此混合物，擠製成股狀。將所擠製之混合物置於空氣中冷卻之後，藉由造粒機切割，獲得包含「嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物」的樹脂之顆粒96份。

將包含烷氧矽基改質物的樹脂之顆粒10份溶解至環己烷100份，獲得溶液。將此溶液倒入脫水甲醇400份中，使烷氧矽基改質物凝聚，濾出凝聚物。在25℃下將過濾物真空乾燥，單獨分離出烷氧矽基改質物的團粒9.0份。

經量測烷氧矽基改質物之FT-IR光譜，而於與乙基三甲氧基矽烷之源自Si—OCH₃ 基、Si—CH基的吸收帶（1075 cm^-1 、808 cm^-1 及766 cm^-1 ）相異之位置，在1090 cm^-1 觀察到源自Si-OCH₃ 基的新吸收帶，在825 cm^-1 與739 cm^-1 觀察到源自Si-CH₂ 基的新吸收帶。

並且，經量測烷氧矽基改質物之¹ H-NMR光譜（氘代氯仿中），而於3.6 ppm觀察到根據甲氧基之質子的峰值。自此峰值面積比，確認到對於改質前之嵌段共聚物之氫化物的100份，已有乙基三甲氧基矽烷1.8份鍵結。

將如此而獲得之包含烷氧矽基改質物的樹脂，適當稱作Si改質樹脂（2）。

針對所獲得之Si改質樹脂（2），以上述方法量測彎曲彈性模數及水蒸氣滲透率。

［製造例3：包含降𦯉烯系聚合物之非晶性COP樹脂（3）的準備］

準備非晶性之降𦯉烯系聚合物（日本瑞翁公司製「ZEONOR 1600」、玻璃轉移溫度160℃）的顆粒作為非晶性COP樹脂（3）。

針對此非晶性COP樹脂（3）以上述方法量測彎曲彈性模數及水蒸氣滲透率。

［製造例4：包含烷氧矽基改質物及紫外線吸收劑之UVA樹脂（4）的製造］

將前述製造例2中所獲得之Si改質樹脂（2）90質量份，與苯并三唑系紫外線吸收劑（ADEKA公司製「ADK STAB LA-31」）10質量份，藉由雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM-37B」）混合，獲得包含烷氧矽基改質物及紫外線吸收劑之UVA樹脂（4）的顆粒。

針對此UVA樹脂（4），以上述方法量測彎曲彈性模數。

［製造例5：包含聚碳酸酯之PC樹脂（5）的準備］

準備聚碳酸酯樹脂（Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation製「Iupilon H3000」）的顆粒作為PC樹脂（5）。

針對此PC樹脂（5），以上述方法量測彎曲彈性模數及水蒸氣滲透率。

［實施例1］

使製造例2中所製造之Si改質樹脂（2）在已調節為70℃的真空烘箱中乾燥4小時。量測經乾燥之Si改質樹脂（2）的含水率。並且，在Si改質樹脂（2）乾燥後，立即藉由共擠製成形法，製造依序具備由第1樹脂所形成之第1層體、由第2樹脂所形成之第2層體以及由第3樹脂所形成之第3層體的堆疊薄膜。共擠製成形法具體上進行如下操作。

準備具備進料器的3台螺桿擠製機（螺桿徑20 mm，壓縮比3.1，螺桿有效長度L與螺桿徑D之比L／D＝30）及具備衣架歧管型（hanger manifold type）之T字模的薄膜熔融擠製成形機（固定設置型，GSI Creos公司製）。此擠製成形機所具備之T字模，係可將自螺桿擠製機擠製之各樹脂共擠製成層狀，而獲得3層結構之堆疊薄膜的類型的T字模。並且，此T字模的尺寸為T字模寬度150 mm、模唇開口0.8 mm、模唇寬度120 mm。

將製造例1中所製造之結晶性COP樹脂（1）導入對應第1層體及第3層體的螺桿擠製機。在擠製螺桿溫度280℃下，將導入之結晶性COP樹脂（1）供給至T字模。

並且，將經乾燥之Si改質樹脂（2）導入對應第2層體的螺桿擠製機。在擠製螺桿溫度200℃下，將導入之Si改質樹脂（2）供給至T字模。

在模具擠製溫度（多歧管）280℃下，將前述結晶性COP樹脂（1）及Si改質樹脂（2）自T字模排出，澆鑄至經溫度調整為60℃的冷卻輥，獲得堆疊薄膜。

以上述方法評價所獲得之堆疊薄膜。

［實施例2］

藉由調整樹脂的進料器之擠製量，將第1層體、第2層體及第3層體之厚度變更成如表1所示。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［實施例3］

以製造例3中所製造之非晶性COP樹脂（3）代替結晶性COP樹脂（1），導入至對應第1層體及第3層體的螺桿擠製機。並且，藉由調整樹脂的進料器之擠製量，將第2層體之厚度變更成如表1所示。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［實施例4］

使製造例4中所製造之UVA樹脂（4）在已調節為70℃的真空烘箱中乾燥4小時。量測經乾燥之UVA樹脂（4）的含水率。並且，以經乾燥之UVA樹脂（4）代替Si改質樹脂（2），導入對應第2層體的螺桿擠製機。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［實施例5］

以製造例3中所準備之非晶性COP樹脂（3）代替結晶性COP樹脂（1），導入對應第3層體的螺桿擠製機。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。惟在此實施例5中，自T字模擠製之結晶性COP樹脂（1）、Si改質樹脂（2）及非晶性COP樹脂（3）對冷卻輥的澆鑄，係以由結晶性COP樹脂（1）所形成之第1層體與冷卻輥相接的方式進行。

［比較例1］

藉由調整樹脂的進料器之擠製量，將第1層體、第2層體及第3層體之厚度變更成如表1所示。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［比較例2］

以經乾燥之Si改質樹脂（2）代替結晶性COP樹脂（1），導入對應第1層體及第3層體的螺桿擠製機。並且，將對應第1層體及第3層體之螺桿擠製機的擠製螺桿溫度變更成200℃。

使製造例1中所製造之結晶性COP樹脂（1）在已調節為100℃之真空烘箱中乾燥4小時。量測經乾燥之結晶性COP樹脂（1）的含水率。並且，以經乾燥之結晶性COP樹脂（1）代替Si改質樹脂（2），導入對應第2層體的螺桿擠製機。再來，將對應第2層體之螺桿擠製機的擠製螺桿溫度變更成280℃。

除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［比較例3］

以製造例5中所製造之PC樹脂（5）代替結晶性COP樹脂（1），導入對應第1層體及第3層體的螺桿擠製機。並且，將對應第1層體及第3層體之螺桿擠製機的擠製螺桿溫度變更成300℃。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［比較例4］

未進行製造例2中所製造之Si改質樹脂（2）的乾燥。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同之操作，進行堆疊薄膜的製造及評價。

［結果］

前述實施例及比較例的結果揭示於下述表1及表2。在下述表中，簡稱的意義係如同下述。 「樹脂（1）」：結晶性COP樹脂（1）。 「樹脂（2）」：Si改質樹脂（2）。 「樹脂（3）」：非晶性COP樹脂（3）。 「樹脂（4）」：UVA樹脂（4）。 「樹脂（5）」：PC樹脂（5）。 「厚度比」：第1層體之厚度及第3層體之厚度的和相對於第2層體之厚度的比。 「第1樹脂之水蒸氣滲透率」：在將第1樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）所量測到的水蒸氣滲透率。 「第2樹脂之水蒸氣滲透率」：在將第2樹脂做成厚度100 μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B（1992）所量測到的水蒸氣滲透率。 「全光線穿透率」：堆疊薄膜在5處之平均值上的全光線穿透率。 「彎折所致之變化」：在耐曲折性試驗中，因反覆彎折而產生的變化。 「彎折次數」：在耐曲折性試驗中，直到因反覆彎折而破裂、摺痕或白濁產生為止的彎折次數。

『表1』 ［表1.實施例的結果］

『表2』 ［表2.比較例的結果］

10‧‧‧堆疊薄膜 110‧‧‧第1層體 120‧‧‧第2層體 130‧‧‧第3層體

〈圖1〉圖1係繪示本發明之一實施型態相關之堆疊薄膜的剖面示意圖。

10‧‧‧堆疊薄膜

110‧‧‧第1層體

120‧‧‧第2層體

130‧‧‧第3層體

T₁₁₀‧‧‧第1層體110之厚度

T₁₂₀‧‧‧第2層體120之厚度

T₁₃₀‧‧‧第3層體130之厚度

Claims (7)

1. 一種堆疊薄膜，其依序具備由第1樹脂所形成之第1層體、由第2樹脂所形成之第2層體，以及由第3樹脂所形成之第3層體，其中該第2樹脂包含嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物，該第2樹脂在於37℃的水中浸漬24小時，並於23℃且濕度70%的環境下放置24小時之後以卡耳-費雪法所測得之含水率為0.020質量%以下，該第2樹脂具有比該第1樹脂之彎曲彈性模數還低，且比該第3樹脂之彎曲彈性模數還低的彎曲彈性模數，該第2樹脂之厚度4mm之薄膜的彎曲彈性模數為900MPa以下，該第1樹脂及該第3樹脂中之一者或兩者包含含有脂環結構的聚合物，在將該第1樹脂做成厚度100μm之薄膜的情形中，遵循JIS K7129 B(1992)所量測到的水蒸氣滲透率為5g/(m²．day)以下，該第1層體之厚度及該第3層體之厚度的和相對於該第2層體之厚度的比為1以上且4以下。
2. 如請求項1所述之堆疊薄膜，其中該第1樹脂及該第3樹脂中之一者或兩者之厚度4mm之薄膜的彎曲彈性模數為1900MPa以上且2800MPa以下。
3. 如請求項1所述之堆疊薄膜，其中該第1樹脂及該第3樹脂中之一者或兩者包含含有具結晶性之脂環結構的聚合物。
4. 如請求項1所述之堆疊薄膜，其中該堆疊薄膜的厚度為50μm以下。
5. 如請求項1所述之堆疊薄膜，其中該第1層體與該第2層體直接相接，該第2層體與該第3層體直接相接。
6. 一種偏光板，其具備偏光件與如請求項1至5之任一項所述之堆疊薄膜。
7. 一種堆疊薄膜的製造方法，其係如請求項1至5之任一項所述之堆疊薄膜的製造方法，包含：乾燥第2樹脂的工序、藉由第1樹脂、經乾燥之該第2樹脂，以及第3樹脂，形成第1層體、第2層體及第3層體的工序。

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