TW202021804A - 光學堆疊薄膜及導電薄膜 - Google Patents

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Abstract

一種光學堆疊薄膜，包含由熱塑性樹脂A而成的A層及設置於前述A層之至少一側的面上之由熱塑性樹脂B而成的B層，其中前述熱塑性樹脂A之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為1900 MPa以上且3500 MPa以下，前述熱塑性樹脂B之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為100 MPa以上且900 MPa以下，前述熱塑性樹脂A之厚度1.5 mm之薄膜的斷裂點伸長率為100%以上。

Description

光學堆疊薄膜及導電薄膜
本發明係關於光學堆疊薄膜及導電薄膜。
一般而言，由樹脂而成的薄膜被用作為用於相位差薄膜、偏光板保護薄膜、光學補償薄膜及觸控面板等之導電薄膜等的光學薄膜（參照專利文獻1）。
『專利文獻』 《專利文獻1》國際專利公開第2016/152871號（對應公報：美國專利申請公開第2018/0065348號說明書）
光學薄膜依其用途在使用時可能被彎折。是故，要求光學薄膜的耐曲折性優異。然而，習知的光學薄膜的耐曲折性並不充足。
因此，要求耐曲折性優異的光學薄膜、包含其之導電薄膜。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，發現包含由滿足指定條件的熱塑性樹脂A而成之A層及由滿足指定條件的熱塑性樹脂B而成之B層的光學堆疊薄膜，耐曲折性優異，進而完成本發明。
亦即，本發明提供如下。
［1］一種光學堆疊薄膜，包含由熱塑性樹脂A而成的A層及設置於前述A層之至少一側的面上之由熱塑性樹脂B而成的B層，其中 前述熱塑性樹脂A之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為1900 MPa以上且3500 MPa以下， 前述熱塑性樹脂B之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為100 MPa以上且900 MPa以下， 前述熱塑性樹脂A之厚度1.5 mm之薄膜的斷裂點伸長率為100%以上。
［2］如［1］所記載之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂A包含結晶性的聚合物。
［3］如［1］或［2］所記載之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂A包含含脂環結構聚合物。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂B包含芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物之嵌段共聚物的氫化物。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂B包含芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物之嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之光學堆疊薄膜，其中前述A層的厚度為50 μm以下。
［7］一種導電薄膜，包含如［1］～［6］之任一項所記載之光學堆疊薄膜及導電層。
根據本發明，可提供耐曲折性優異的光學堆疊薄膜；包含其之導電薄膜。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±3°、±2°或±1°之範圍內的誤差。
[1.光學堆疊薄膜的概要]
本發明之一實施型態相關之光學堆疊薄膜包含由熱塑性樹脂A而成的A層及設置於前述A層之至少一側的面上之由熱塑性樹脂B而成的B層。
B層可設置成接觸於A層之面，亦可為B層設置於A層之面的上方且A層與B層之間中介有黏合層等其他層體。B層以設置成接觸於A層之面為佳。
［1.1.A層］
（熱塑性樹脂A）
A層由熱塑性樹脂A所形成。形成A層的熱塑性樹脂A在做成厚度4 mm之薄膜的情形中之彎曲彈性模數EA 通常為1900 MPa以上且3500 MPa以下，以1900 MPa以上為佳，以1950 MPa以上為較佳，以2000 MPa以上為更佳，且以3500 MPa以下為佳，3450 MPa以下為較佳，以3400 MPa以下為更佳。藉由彎曲彈性模數EA 落於前述範圍內，A層的剛性與可撓性取得平衡，光學堆疊薄膜之耐曲折性優異。
彎曲彈性模數EA 及於後敘述之彎曲彈性模數EB 得遵循JIS K7171來量測。得使用經170℃退火30秒鐘的薄膜作為用以量測彎曲彈性模數EA 及彎曲彈性模數EB 的薄膜。
熱塑性樹脂A在做成厚度1.5 mm之薄膜的情形中之斷裂點伸長率SA 通常為100%以上，以110%以上為佳，以120%以上為較佳，以130%以上為更佳，通常得做成1000%以下。藉由斷裂點伸長率SA 為前述下限值以上，光學堆疊薄膜之耐曲折性優異。
斷裂點伸長率SA 得遵循JIS K7127來量測。得使用經170℃退火30秒鐘的薄膜作為用以量測斷裂點伸長率SA 的薄膜。
可使用「包含熱塑性的聚合物，視需求得更包含任意成分」的樹脂作為熱塑性樹脂A。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
作為熱塑性樹脂A所得包含的聚合物，可列舉例如：聚乙烯、聚丙烯等脂族烯烴聚合物；含脂環結構聚合物；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯等聚酯；聚苯硫醚等聚芳硫醚；聚乙烯醇；聚碳酸酯；聚芳酯；纖維素酯聚合物；聚醚碸；聚碸；聚芳碸（polyarylsulfone）；聚氯乙烯；棒狀液晶聚合物；包含「苯乙烯或苯乙烯衍生物之均聚物」或「苯乙烯或苯乙烯衍生物與任意單體之共聚物」的聚苯乙烯系聚合物；苯乙烯等芳族乙烯化合物與丁二烯或異戊二烯等共軛二烯化合物之共聚物的氫化物（包含芳環的氫化物）或其改質物；聚丙烯腈；聚甲基丙烯酸甲酯；或此等之多元共聚物等。並且，作為得做成聚苯乙烯系聚合物之單體的任意單體，可列舉例如：丙烯腈、順丁烯二酸酐、甲基丙烯酸甲酯及丁二烯。
其中，熱塑性樹脂A以包含含脂環結構聚合物為佳。含脂環結構聚合物通常機械強度、透明性、尺寸穩定性及輕量性優異。
含脂環結構聚合物係重複單元中含有脂環結構的聚合物，可舉出例如：得由使用環烯烴作為單體的聚合反應來獲得之聚合物或其氫化物等。並且，作為前述含脂環結構聚合物，於主鏈中含有脂環結構的聚合物及於側鏈含有脂環結構的聚合物之任一者皆可使用。其中，含脂環結構聚合物，以於主鏈含有脂環結構為佳。作為脂環結構，可列舉例如：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等觀點而言以環烷結構為佳。
1個脂環結構所包含之碳原子的數量，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為尤佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，機械強度、耐熱性及成形性可高度取得平衡。
含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之重複單元的比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為更佳，以90重量%以上為尤佳，且通常為100重量%以下。藉由如前所述增多具有脂環結構之重複單元的比例，可提高耐熱性。
並且，在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之重複單元以外的剩餘部分，並無特殊限定，得因應使用目的而適當選擇。
熱塑性樹脂A以包含具有結晶性的聚合物為佳。於此，所謂具有結晶性的聚合物，係謂具有熔點Mp的聚合物。並且，所謂具有熔點Mp的聚合物，亦即係謂可藉由微差掃描熱量計（DSC）來量測熔點Mp的聚合物。藉由使用具有結晶性的聚合物，由於可尤其有效提高光學堆疊薄膜的機械強度，故可顯著改善耐曲折性。並且，可提升光學堆疊薄膜的化學抗性。
熱塑性樹脂A尤以係為含脂環結構聚合物且包含具有結晶性的聚合物為佳。作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，可列舉例如下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就容易獲得耐熱性優異的光學堆疊薄膜而言，作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。 聚合物（β）：聚合物（α）的氫化物且具有結晶性者。 聚合物（γ）：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。 聚合物（δ）：聚合物（γ）的氫化物等且具有結晶性者。
具體而言，作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，以雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為較佳，以雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物，係謂相對於全結構單元之源自雙環戊二烯之結構單元的比例通常為50重量%以上――以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳――的聚合物。
雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物，以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物中之重複單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以70%以上為較佳，以85%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高表示對排立體規則性高。據此，有外消旋二單元組的比例愈高，雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的熔點愈高的傾向。
外消旋二單元組的比例可依據於後敘述之實施例所記載的13 C-NMR光譜分析來決定。
具有結晶性的含脂環結構聚合物，在製造光學堆疊薄膜之前，亦可未結晶化。然而，在製造光學堆疊薄膜之後，該光學堆疊薄膜所包含之具有結晶性的含脂環結構聚合物，通常藉由經結晶化，而可具有高結晶化度。具體之結晶化度的範圍得因應期望性能而適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳。藉由將光學堆疊薄膜所包含之含脂環結構聚合物的結晶化度做成前述範圍之下限值以上，可對光學堆疊薄膜賦予化學抗性。結晶化度得藉由X射線繞射法來量測。
如前所述之具有結晶性的含脂環結構聚合物，得藉由例如國際專利公開第2016/067893號所記載的方法來製造。
熱塑性樹脂A所包含之聚合物的重量平均分子量（Mw），以10,000以上為佳，以15,000以上為較佳，以20,000以上為尤佳，且以100,000以下為佳，以80,000以下為較佳，以50,000以下為尤佳。具有此種重量平均分子量的聚合物，機械強度、成形加工性及耐熱性的平衡優異。
熱塑性樹脂A所得包含之具有結晶性之聚合物的熔點Mp，以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Mp之具有結晶性的聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更優異的光學堆疊薄膜。
熱塑性樹脂A所包含之聚合物的玻璃轉移溫度Tg，以80℃以上為佳，以85℃以上為較佳，以90℃以上為更佳，且以250℃以下為佳，以170℃以下為較佳。玻璃轉移溫度位於此種範圍的聚合物，不易發生在高溫下之使用中之變形及應力，而耐熱性優異。
熱塑性樹脂A所包含之聚合物的分子量分布（Mw／Mn）以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，以1.8以上為尤佳，且以3.5以下為佳，以3.4以下為較佳，以3.3以下為尤佳。藉由分子量分布為前述範圍之下限值以上，可提高聚合物的生產性，抑制製造成本。並且，藉由為上限值以下，由於低分子成分的量變小，故可抑制暴露高溫時的鬆弛，提高光學堆疊薄膜的穩定性。
聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，得藉由使用環己烷（在樹脂不溶解的情況下則為甲苯）作為溶劑的凝膠滲透層析法（以下簡稱「GPC」。），以聚異戊二烯換算（溶劑為甲苯時，以聚苯乙烯換算）之值來量測。或者，聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，得藉由使用四氫呋喃作為溶劑的GPC，以聚苯乙烯換算之值來量測。
在熱塑性樹脂A中之聚合物的比例，就獲得耐熱性及耐曲折性尤其優異之光學堆疊薄膜的觀點而言，以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為更佳，以98重量%～100重量%為尤佳。
熱塑性樹脂A亦可包含任意成分組合於於前已述之聚合物。作為任意成分之例，可列舉：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。作為此等任意成分，可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。惟就使本發明之效果顯著發揮的觀點而言，任意成分的含有比例以少為佳。舉例而言，任意成分的合計比例相對於熱塑性樹脂A所包含之聚合物的100重量份，以20重量份以下為佳，以15重量份以下為較佳，以10重量份以下為更佳，以5重量份以下為尤佳。並且，藉由熱塑性樹脂A所包含之任意成分少，可抑制任意成分的滲出。
（A層的厚度）
A層的厚度以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳，以10 μm以上為更佳，且以50 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳，以20 μm以下為更佳。藉由A層的厚度為前述範圍之下限值以上，藉由由A層所致之作用，可有效改善光學堆疊薄膜之耐曲折性、化學抗性等特性。另一方面，藉由A層的厚度為前述範圍的上限值以下，可達成光學堆疊薄膜的薄型化。
［1.2.B層］
（熱塑性樹脂B）
B層由熱塑性樹脂B所形成。形成B層的熱塑性樹脂B在做成厚度4 mm之薄膜的情形中之彎曲彈性模數EB 通常為100 MPa以上且900 MPa以下，以100 MPa以上為佳，以250 MPa以上為較佳，以400 MPa以上為更佳，且以900 MPa以下為佳，以800 MPa以下為較佳，以700 MPa以下為更佳。藉由彎曲彈性模數EB 落於前述範圍內，B層的剛性與可撓性取得平衡，光學堆疊薄膜之耐曲折性優異。
在光學堆疊薄膜包含2個B層的情況下，形成2個B層的熱塑性樹脂B可為彼此相同的樹脂，亦可為相異的樹脂，但就簡易進行製造的觀點而言，以彼此相同的樹脂為佳。
可使用「包含熱塑性的聚合物，視需求得更包含任意成分」的樹脂作為熱塑性樹脂B。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。作為熱塑性樹脂B所得包含的聚合物，可舉出例如作為熱塑性樹脂A所得包含之聚合物而於前已述的聚合物。
以芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物之嵌段共聚物的氫化物及該氫化物的烷氧矽基改質物作為熱塑性樹脂B所得包含的聚合物為佳。
芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物的嵌段共聚物包含「包含芳族乙烯化合物單元作為構成單元的聚合物嵌段［A］」與「包含共軛二烯化合物單元作為構成單元的聚合物嵌段［B］」。
所謂芳族乙烯化合物單元，係謂具有將芳族乙烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。惟芳族乙烯化合物單元並不受限於其製造方法。作為對應於聚合物嵌段［A］所具有之芳族乙烯化合物單元的芳族乙烯化合物，可列舉例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1～6之烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此等可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。此等之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類等不含有極性基的芳族乙烯化合物為佳，就工業上易取得性而言，以苯乙烯為尤佳。
在聚合物嵌段［A］中之芳族乙烯化合物單元的含有率，以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳，且通常為100重量%以下。藉由在聚合物嵌段［A］中芳族乙烯化合物單元的量為如前所述之多，可提高B層的硬度及耐熱性。
聚合物嵌段［A］除了芳族乙烯化合物單元以外，亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［A］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率組合而包含2種以上。
作為聚合物嵌段［A］所得包含的任意結構單元，可舉出例如鏈狀的共軛二烯化合物單元。在本說明書中，所謂共軛二烯化合物單元，係謂具有將共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。惟共軛二烯化合物單元並不受限於其製造方法。作為對應於共軛二烯化合物單元的共軛二烯化合物，可舉出例如與「作為對應於聚合物嵌段［B］所具有之共軛二烯化合物單元的共軛二烯化合物之例而舉出者」相同之例。
並且，作為聚合物嵌段［A］所得包含的任意結構單元，可舉出例如：具有將芳族乙烯化合物及共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為任意不飽和化合物，可列舉例如：鏈狀乙烯化合物、環狀乙烯化合物等乙烯化合物；不飽和之環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物；等。此等化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥基羰基或鹵素基等取代基。此等之中，就吸濕性的觀點而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子碳數2～20的鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等每1分子碳數5～20的環烯烴；等不具有極性基之乙烯基化合物為佳，以每1分子碳數2～20的鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為尤佳。
在聚合物嵌段［A］中之任意結構單元的含有率，以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為尤佳，且通常為0重量%以上，亦可為0重量%。
在嵌段共聚物1分子中之聚合物嵌段［A］的數量，以2個以上為佳，且以5個以下為佳，以4個以下為較佳，以3個以下為尤佳。在1分子中所存有的多個聚合物嵌段［A］可彼此相同，亦可相異。
於在1分子之嵌段共聚物中存在有多個相異之聚合物嵌段［A］的情況下，在聚合物嵌段［A］中，將重量平均分子量為最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A1），將重量平均分子量為最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A2）。此時，Mw（A1）與Mw（A2）之比「Mw（A1）／Mw（A2）」，以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的離散。
聚合物嵌段［B］係含有共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段。
作為對應於此聚合物嵌段［B］具有之共軛二烯化合物單元的共軛二烯化合物，可列舉例如：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等鏈狀共軛二烯化合物（直鏈狀共軛二烯、支鏈狀共軛二烯）。此等可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，就可降低吸濕性而言，以不含有極性基之鏈狀共軛二烯化合物為佳，以1,3-丁二烯、異戊二烯為尤佳。
在聚合物嵌段［B］中之共軛二烯化合物單元的含有率，以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳，且通常為100重量%以下。藉由在聚合物嵌段［B］中共軛二烯化合物單元的量為如前所述之多，可提升B層的可撓性。
聚合物嵌段［B］除了共軛二烯化合物單元以外，亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［B］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率組合而包含2種以上。
作為聚合物嵌段［B］所得包含的任意結構單元，可舉出例如具有「將芳族乙烯化合物單元，以及芳族乙烯化合物及共軛二烯化合物以外的任意不飽和化合物聚合而形成」之結構的結構單元。作為此等具有將芳族乙烯化合物單元以及任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元，可舉出例如與「作為亦可包含於聚合物嵌段［A］者而已示例者」相同之例。
在聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率，以30重量%以下為佳，以20重量%以下為較佳，以10重量%以下為尤佳。藉由在聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率低，可提升B層的可撓性。
在嵌段共聚物1分子中之聚合物嵌段［B］的數量通常為1個以上，但亦可為2個以上。於在嵌段共聚物中之聚合物嵌段［B］的數量為2個以上的情況下，此等聚合物嵌段［B］可彼此相同，亦可相異。
於在1分子之嵌段共聚物中存在有多個相異之聚合物嵌段［B］的情況下，在聚合物嵌段［B］中，將重量平均分子量為最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B1），將重量平均分子量為最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B2）。此時，Mw（B1）與Mw（B2）之比「Mw（B1）／Mw（B2）」，以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的離散。
嵌段共聚物的嵌段型態，可為鏈狀型嵌段，亦可為星型嵌段。其中，鏈狀型嵌段因機械強度優異而為佳。在嵌段共聚物具有鏈狀型嵌段型態的情況下，嵌段共聚物之分子鏈的兩端為聚合物嵌段［A］者，因可將B層的黏性壓至期望的低值，故為佳。
嵌段共聚物以包含嵌段共聚物每1分子2個以上的聚合物嵌段［A］與嵌段共聚物每1分子1個以上的聚合物嵌段［B］為佳。
嵌段共聚物的尤佳嵌段型態，係如以［A］－［B］－［A］表示，於聚合物嵌段［B］之兩端鍵結有聚合物嵌段［A］的三嵌段共聚物；如以［A］－［B］－［A］－［B］－［A］表示，於聚合物嵌段［A］之兩端鍵結有聚合物嵌段［B］，並進一步於該兩聚合物嵌段［B］之另一端分別鍵結有聚合物嵌段［A］的五嵌段共聚物。尤其因製造容易且可容易將物性收束於期望範圍，故以［A］－［B］－［A］的三嵌段共聚物為尤佳。
在嵌段共聚物中，聚合物嵌段［A］佔嵌段共聚物之整體的重量分率wA與聚合物嵌段［B］佔嵌段共聚物之整體的重量分率wB之比（wA／wB），以落於特定範圍為佳。具體而言，前述之比（wA／wB）以20／80以上為佳，以25／75以上為較佳，以30／70以上為更佳，以40／60以上為尤佳，且以60／40以下為佳，以55／45以下為較佳。藉由前述之比wA／wB為前述範圍的下限值以上，可提升B層的硬度及耐熱性，減小雙折射。並且，藉由前述之比wA／wB為前述範圍的上限值以下，可提升B層的可撓性。於此，聚合物嵌段［A］的重量分率wA表示聚合物嵌段［A］整體的重量分率，聚合物嵌段［B］的重量分率wB表示聚合物嵌段［B］整體的重量分率。
前述嵌段共聚物的重量平均分子量（Mw），以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。
並且，嵌段共聚物的分子量分布（Mw／Mn），以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。於此，Mn表示數量平均分子量。
前述嵌段共聚物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）得藉由將四氫呋喃（THF）作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC）量測為聚苯乙烯換算之值。
嵌段共聚物的氫化物係將嵌段共聚物的不飽和鍵結氫化而獲得的聚合物。於此，於經氫化之嵌段共聚物的不飽和鍵結中皆包含「嵌段共聚物之主鏈及側鏈之碳―碳不飽和鍵結」以及「芳環之碳―碳不飽和鍵結」之任一者。
氫化率以嵌段共聚物之主鏈及側鏈的碳―碳不飽和鍵結及芳環的碳―碳不飽和鍵結之90%以上為佳，以97%以上為較佳，以99%以上為尤佳，且通常為100%以下，亦可為100%。氫化率愈高，可愈優化B層的透明性、耐熱性及耐候性。於此，氫化物的氫化率得藉由1 H-NMR之量測來求得。
尤其，主鏈及側鏈之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高主鏈及側鏈之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，可更提高B層的耐光性及抗氧化性。
並且，芳環之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為尤佳。藉由提高芳環之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，由於將聚合物嵌段［A］氫化而獲得之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度會變高，故可有效提高B層的耐熱性。
嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）通常為35,000以上且250,000以下，以35,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以50,000以上為更佳，以60,000以上為尤佳，且以250,000以下為佳，以200,000以下較佳，以150,000以下為更佳，以100,000以下為尤佳。藉由氫化物的重量平均分子量（Mw）落於前述範圍，可提升B層的機械強度及耐熱性。
嵌段共聚物之氫化物的分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。藉由氫化物的分子量分布（Mw／Mn）落於前述範圍，可提升B層的機械強度及耐熱性。
嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算之值來量測。
作為嵌段共聚物及嵌段共聚物之氫化物的製造方法，得使用例如國際專利公開第2014/077267號所記載的方法。
嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物係在於前已述之嵌段共聚物之氫化物中導入烷氧矽基而獲得的聚合物。此時，烷氧矽基可直接鍵結於於前已述之氫化物，亦可中介例如伸烷基等2價的有機基而間接鍵結。經導入烷氧矽基的烷氧矽基改質物，與玻璃、金屬等無機材料的接合性尤為優異。是故，得將B層作為與前述無機材料之接合性優異的層體。
在烷氧矽基改質物中之烷氧矽基的導入量，相對於烷氧矽基之導入前之氫化物100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。若烷氧矽基的導入量落於前述範圍，則可抑制因水分等而分解之烷氧矽基彼此之交聯度變得過高，故可高度維持B層之對於無機材料的接合性。
烷氧矽基的導入量得由1 H-NMR光譜來測量。並且，測量烷氧矽基的導入量時，在導入量為少的情況下，得增加累積次數來測量。
烷氧矽基改質物得藉由在於前已述之嵌段共聚物的氫化物中導入烷氧矽基來製造。作為在氫化物中導入烷氧矽基的方法，可舉出例如使氫化物與乙烯性不飽和矽烷化合物在過氧化物的存在下反應的方法。具體而言，得使用國際專利公開第2014/077267號所記載的方法。
作為乙烯性不飽和矽烷化合物，得使用可與氫化物接枝聚合，而可在氫化物中導入烷氧矽基者。作為此種乙烯性不飽和矽烷化合物之例，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷等具有乙烯基的烷氧基矽烷；烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷等具有烯丙基的烷氧基矽烷；對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷等具有對苯乙烯基的烷氧基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等具有3-甲基丙烯醯氧基丙基的烷氧基矽烷；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等具有3-丙烯醯氧基丙基的烷氧基矽烷；2-降𦯉烯-5-基三甲氧基矽烷等具有2-降𦯉烯-5-基的烷氧基矽烷；等。此等之中，就較易獲得本發明之效果而言，以乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷為佳。並且，乙烯性不飽和矽烷化合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
乙烯性不飽和矽烷化合物的量，相對於導入烷氧矽基之前的氫化物100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。
在熱塑性樹脂B中，前述嵌段聚合物之氫化物及氫化物之烷氧矽基改質物的合計比例，以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為尤佳。
熱塑性樹脂B得包含任意成分組合於前述聚合物。作為任意成分之例，可舉出與熱塑性樹脂A所得包含之任意成分相同之例。
（B層的厚度）
B層的厚度以1 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳，以10 μm以上為更佳，且以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為更佳。藉由B層的厚度為前述範圍之下限值以上，可透過由B層所致之作用，有效改善光學堆疊薄膜的耐曲折性。另一方面，藉由B層的厚度為前述範圍的上限值以下，可達成光學堆疊薄膜的薄型化。
在光學堆疊薄膜包含2個B層的情況下，2個B層各自可具有彼此相同的厚度，亦可具有相異的厚度，但就抑制光學堆疊薄膜之翹曲的觀點而言，以具有相同的厚度為佳。
［1.3.B層與A層的厚度比率］
B層之厚度相對於A層之厚度的比率（B／A），以1／10以上為佳，以1／5以上為較佳，以1／3以上為更佳，且以1／1以下為佳，以1／1.2以下為較佳，以1／1.3以下為更佳。於此，在光學堆疊薄膜包含2個B層的情況下，前述良佳比率係針對1個B層之厚度之相對於A層之厚度的比率。
藉由B層之厚度相對於A層之厚度的比率落於前述範圍，可有效提升光學堆疊薄膜的耐曲折性。
［1.4.任意層體］
光學堆疊薄膜除了前述A層及B層，得視需求還包含任意層體。作為任意層體，可列舉：折射率匹配層、硬塗層、黏合劑（接合劑）層等功能層。
［1.5.光學堆疊薄膜的物性等］
（光學堆疊薄膜的厚度）
光學堆疊薄膜得因應使用目的做成任意厚度。光學堆疊薄膜的厚度以3 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以20 μm以上為更佳，且以150 μm以下為佳，以100 μm以下為較佳，以60 μm以下為更佳。於此，在光學堆疊薄膜具有2個B層的情況下，光學堆疊薄膜的厚度係包含A層及2個B層之光學堆疊薄膜整體的厚度。藉由光學堆疊薄膜的厚度為前述下限值以上，可增大光學堆疊薄膜的機械強度，藉由為前述上限值以下，可達成光學堆疊薄膜的薄型化。
（撕裂強度）
本實施型態之光學堆疊薄膜藉由具有前述結構，撕裂強度大。具體而言，光學堆疊薄膜的撕裂強度以1.30 N／mm以上，以1.4 N／mm以上為較佳，以1.5 N／mm以上為更佳，且以大為佳，但得做成5 N／mm以下。
撕裂強度（N／mm）得藉由下述方法來求得。首先，準備長度150 mm×幅寬50 mm，且在幅寬方向中央位置引入與長邊方向平行之長度75 mm之裂縫的試片，隨後藉由利用拉伸試驗機抓持並拉伸因裂縫而分離之試片的2個端部來撕裂試片，隨後求得自撕裂長度20 mm與撕裂長度70 mm之間之撕裂力的平均值Ft（N），藉由將平均值Ft除以試片之厚度d（mm）來求得試片的撕裂強度（N／mm）。
光學堆疊薄膜的撕裂強度得定為針對2片試片而獲得之撕裂強度的平均值。
（化學抗性）
並且，本實施型態之光學堆疊薄膜，藉由具有前述結構，化學抗性優異。具體而言，在室溫（25℃）下，將經彎曲的光學堆疊薄膜浸於環己烷或濃度30%之硫酸48小時後，得由目視或光學顯微鏡來確認在光學堆疊薄膜無裂縫及光學堆疊薄膜未破裂，藉此評價光學堆疊薄膜的化學抗性。
［1.6.光學堆疊薄膜的構成例］
以下使用圖式說明光學堆疊薄膜的構成例。本發明並非受限於此等構成例，視需求亦可包含其他構成要件。
（光學堆疊薄膜的實施型態F-1）
在光學堆疊薄膜的實施型態F-1中，B層係設置於A層之一側的面上。
圖1係繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-1的剖面示意圖。
如圖1所示，光學堆疊薄膜100具備A層101及B層102。A層101具有面101U及面101D，B層102係直接設置於A層101之一側的面101U上。
本實施型態之光學堆疊薄膜，至少在於B層102施加有拉伸應力的情形中，耐曲折性優異。
（光學堆疊薄膜的實施型態F-2）
在光學堆疊薄膜的實施型態F-2中，光學堆疊薄膜包含2個B層，在A層之兩面上分別設置有B層。
圖2係繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-2的剖面示意圖。
如圖2所示，光學堆疊薄膜200依序具備第1之B層202、A層201、第2之B層203，第1之B層202直接設置於A層201所具有的面201U上，第2之B層203直接設置於A層201所具有的面201D上。
本實施型態之光學堆疊薄膜，在於第1之B層202施加有拉伸應力的情形及在於第2之B層203施加有拉伸應力的情形之任一者中，耐曲折性皆優異。
［1.7.光學堆疊薄膜的製造方法］
光學堆疊薄膜可由任意方法製造。可列舉例如：分別形成A層及B層並堆疊的方法，以及藉由共擠製法、共流延法等方法同時製造A層及B層以獲得光學堆疊薄膜的方法。
作為形成A層或B層的方法，可舉出例如：熔融擠製法，以及在對表面施以離型處理之支撐薄膜塗布包含A層或B層之材料與溶劑的溶液以形成塗布層，隨後自塗布層去除溶劑而獲得附有支撐薄膜之A層或B層的方法。
作為將分別形成之A層及B層堆疊的方法，可列舉例如：加熱並將A層及B層加壓貼合的方法、中介黏合劑層將A層及B層貼合的方法。
在將A層及B層堆疊時，亦可在A層或B層的表面進行電暈處理等表面處理。
在由附有支撐薄膜之A層或B層製造堆疊薄膜的情況下，可在將A層與B層堆疊之前去除支撐薄膜，亦可在將A層或B層於附有支撐薄膜的狀態下堆疊而獲得堆疊體之後，自堆疊體去除支撐薄膜以獲得光學堆疊薄膜。
光學堆疊薄膜亦可為「製造包含A層、B層之堆疊體，隨後對堆疊體進行退火處理而獲得」的薄膜。作為退火處理的溫度條件，可舉出例如90℃以上且270℃以下。作為退火處理時間，可舉出例如1秒鐘以上且180秒鐘以下。經退火處理的光學堆疊薄膜，撕裂強度提高，同時化學抗性優異。其理由可推想係因光學堆疊薄膜所得包含之聚合物的結晶化受到促進之故，但以上理由並非限定本發明者。
［1.8.光學堆疊薄膜的用途］
光學堆疊薄膜的用途並無特別限定。光學堆疊薄膜由於耐曲折性優異，故合適用作為例如用以形成重複曲折之光學部件的保護薄膜或構成觸控面板的導電薄膜之薄膜等。
［2.導電薄膜］
本發明之一實施型態相關之導電薄膜包含前述光學堆疊薄膜及導電層。導電薄膜由於包含耐曲折性優異的前述光學堆疊薄膜，故導電薄膜亦得成為耐曲折性優異的薄膜。
導電層係具有導電性的層體。具有導電性的層體，通常係做成包含具有導電性之材料（導電材料）的層體而形成。作為導電材料，可列舉例如：金屬、導電性金屬氧化物、導電性奈米線及導電性聚合物。並且，導電材料可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
導電層得藉由塗布包含導電材料之塗布液的方法；蒸鍍法；濺射法；等方法來形成。
導電薄膜可如同前述實施型態F-1相關之光學堆疊薄膜，包含僅於A層之單面上設置B層的光學堆疊薄膜，亦可如同前述實施型態F-2相關之光學堆疊薄膜，包含於A層之兩面上設置B層的光學堆疊薄膜。
作為導電薄膜的層結構之例，可列舉下述結構。 （1）依序具備導電層、B層及A層的導電薄膜 （2）依序具備導電層、A層及B層的導電薄膜 （3）依序具備導電層、B層、A層及B層的導電薄膜 （4）依序具備導電層、B層、A層、B層及導電層的導電薄膜
導電層可形成於形成有導電層之層體的整面，亦可形成於形成有導電層之層體之面的一部分。舉例而言，導電層亦可在樹脂層之面的一部分圖案化成指定圖案而形成。導電層之圖案形狀，得因應導電薄膜的用途而設定。舉例而言，在使用導電薄膜作為電路基板的情況下，導電層的平面形狀亦可形成為對應於電路之佈線形狀的圖案。並且，舉例而言，在使用導電薄膜作為觸控面板用之感應薄膜的情況下，導電層的平面形狀以作為觸控面板（例如電容式觸控面板）良好作動的圖案為佳。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更並實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」除非另有註記，否則為重量基準。並且，以下說明的操作除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
（分子量的量測方法）
以藉由四氫呋喃作為溶析液的凝膠滲透層析法之標準聚苯乙烯換算值，在38℃（雙環戊二烯之開環聚合物及其氫化物）或40℃（嵌段共聚物的氫化物）中量測聚合物的重量平均分子量及數量平均分子量。作為量測裝置，使用東曹公司製HLC8320GPC。
（玻璃轉移溫度及熔點的量測）
使用微差掃描熱量計（DSC）以10℃／分鐘升溫，分別求得試樣的玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp。
（聚合物之外消旋二單元組之比例的量測方法）
以鄰二氯苯-d4 ／三氯苯-d3 （混合比（重量基準）1／2）作為溶劑，在200℃應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物的13 C-NMR量測。在此13 C-NMR量測的結果中，將鄰二氯苯-d4 之127.5 ppm的峰值作為參考位移，鑑定源自內消旋二單元組之43.35 ppm的訊號與源自外消旋二單元組之43.43 ppm的訊號。依據此等訊號的強度比，求得聚合物之外消旋二單元組的比例。
（聚合物之氫化率的量測方法）
以鄰二氯苯-d4 作為溶劑，在145℃藉由1 H-NMR量測來量測聚合物的氫化率。
（厚度的量測方法）
藉由卡規（MITUTOYO公司製）量測光學堆疊薄膜的整體厚度。對於光學堆疊薄膜，量測任意4處的厚度，將其平均值定為光學堆疊薄膜的厚度。
並且，使用切片機將光學堆疊薄膜薄切，獲得厚度0.05 μm的切片。之後，使用光學顯微鏡觀察因薄切而出現之切片的剖面，量測A層及B層之各自的厚度。
（彎曲彈性模數的量測方法）
藉由記載於下述製造例之方法，自作為試樣的樹脂來獲得厚度4 mm之片狀的薄膜。將所獲得之薄膜在170℃的烘箱中退火30秒鐘後，依循JIS K7171，在溫度23℃中量測薄膜的彎曲彈性模數。作為量測裝置，使用拉伸試驗機（INSTRON公司製「5564型」）。
（撕裂強度的量測方法）
光學堆疊薄膜的撕裂強度藉由下述方法來量測。
自光學堆疊薄膜切出「以成形薄膜時之流動方向（MD）定為長邊方向且長度150 mm×幅寬50 mm的試片」與「以薄膜之流動方向定為幅寬方向且長度150 mm×幅寬50 mm的試片」之2片試片。
在2片試片的幅寬方向中央位置引入與試片之長邊方向平行的裂縫。裂縫之自試片端部的長度為75 mm。
隨後，對於所獲得之2片試片，使用拉伸試驗機進行撕裂試驗。以下使用圖式說明撕裂試驗。
圖3係說明使用拉伸試驗機之撕裂試驗的說明圖。
以拉伸試驗機（IMADA至「FSA系列」）之上部夾頭C1抓持因裂縫而分離之試片T之一側的端部E1，以拉伸試驗機之下部夾頭C2抓持另一側的端部E2。上部夾頭C1與下部夾頭C2之間的距離D設為75 mm。
將拉伸試驗機的試驗速度設定為200 mm／min，拉伸所抓持之試片，量測撕裂強度。量測後，使用卡規量測經撕裂之試片的厚度d（mm）。
求得排除「自撕裂開始（撕裂長度0 mm）至撕裂長度20 mm」與「自撕裂強度70 mm至撕裂結束（撕裂強度75 mm）」之「自撕裂強度20 mm至撕裂強度70 mm」之間之撕裂力的平均值Ft（N），藉由後式，求得試片的撕裂強度。 試片的撕裂強度（N／mm）＝Ft／d
將針對於2片試片而獲得之撕裂強度的平均值定為光學堆疊薄膜的撕裂強度之值。
（斷裂點伸長率的量測方法）
藉由記載於下述製造例的方法，自作為試樣之樹脂形成厚度1.5 mm之片狀的薄膜。將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘後，依循JIS K7127藉由下述方法量測薄膜的斷裂點伸長率。首先，自量測對象之薄膜衝壓出1B型之啞鈴狀的試片作為量測試樣。沿熔融擠製或射出成形時之薄膜的流動方向（MD）自薄膜衝壓出5片，沿與流動方向正交之薄膜幅寬方向（TD）衝壓出5片，合計10片作為量測試樣。使用附有恆溫恆濕槽之拉伸試驗機（INSTRON公司製「5564型」）作為量測裝置。並且，在拉伸速度為20 mm／min實施，將沿流動方向衝壓之試片（N＝5）及沿幅寬方向衝壓之試片（N＝5）之斷裂點伸長率的平均值定為薄膜的斷裂點伸長率（%）。
（耐曲折性試驗的方法）
對於光學堆疊薄膜，使用桌上型耐久試驗器（YUASA系統機器股份有限公司製「DLDMLH-FS」），藉由面狀體無負載U字伸縮試驗的方法，進行耐曲折性試驗。彎折係在伸縮幅寬50 mm、曲率半徑2 mm、伸縮速度80次／分鐘的條件下，以B層為外側（施有拉伸應力之側）的方式重複進行。首先，在彎折次數第1次停止裝置，目視觀察光學堆疊薄膜，將在光學堆疊薄膜有彎折痕跡的情形評價為「有折線」，將無彎折痕跡的情形評價為「無折線」。
隨後，彎折次數超過1000次至1萬次則於每1000次，超過1萬次至5萬次則於每5000次，超過5萬次則於每1萬次，停止裝置，目視確認光學堆疊薄膜。若確認在光學堆疊薄膜發生就算微小的破裂則亦評價為「有破裂」，若未發生破裂則評價為「無破裂」。對於實施例3及比較例以彎折次數10萬次作為上限，對於實施例1、2、4、5及6以彎折次數20萬次作為上限，進行4次評價。4次之中，採用至「破裂」發生為止之彎折次數為最多次的結果作為評價結果。在4次皆未發生破裂的情況下，定為「無破裂」。
（化學抗性試驗）
對於光學堆疊薄膜，藉由下述方法進行化學抗性試驗。
將光學堆疊薄膜切成長度50 mm×幅寬20 mm的大小，獲得長方形的試片。使試片以重疊短邊的方式彎曲，以抓持部分之幅寬為25 mm的夾具抓持重疊之試片的端部。
將由夾具所抓持之試片的彎曲部浸於置入培養皿的試驗液後，自培養皿取出，在室溫（25℃）下放置48小時。之後，由目視觀察試片，確認破裂的有無及斷裂的有無。
使用環己烷或濃度30%的硫酸作為試驗液。在透過任一試驗液之試驗中於試片發生破裂或斷裂的情況下，評價為「有變化」，在透過任一試驗液之試驗中皆於試片完全未發生破裂及斷裂之任一者的情況下，評價為「無變化」。
［製造例1：包含雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物之結晶性COP樹脂（a1）的製造］
將金屬製的耐壓反應器充分乾燥後，進行氮氣置換。在此耐壓反應器加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型體含有率99%以上）之濃度70%環己烷溶液42.8份（就雙環戊二烯的量而言為30份）及1-己烯1.9份，加溫至53℃。
將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份的甲苯，製備溶液。在此溶液加入濃度19%之二乙基乙氧基鋁／正己烷溶液0.061份，攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。
將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，維持在53℃同時使之反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。
所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，由此等所求得之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。
在所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃，攪拌1小時以使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃，攪拌1小時。之後，加入過濾助劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP摺筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分開吸附劑與溶液。
在過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫壓6 MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，可獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。
將前述反應液所包含之氫化物與溶液使用離心分離器分離，在60℃減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點Mp為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
在所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份中，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「IRGANOX（註冊商標）1010」）1.1份之後，放入具備4個內徑3 mm∅之模具孔的雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM-37B」）。藉由使用雙軸擠製機之熱熔融擠製成形，將樹脂做成股狀之成形體後，以股線切割機細切，獲得包含結晶性之含脂環結構聚合物之樹脂（結晶性COP樹脂）（a1）的顆粒。此結晶性COP樹脂（a1）係包含雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物作為具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂。
前述雙軸擠製機的運轉條件係如下所述。 ・料桶設定溫度＝270℃～280℃。 ・模具設定溫度＝250℃。 ・螺桿轉數＝145 rpm。 ・進料器轉數＝50 rpm。
藉由射出成形，自結晶性COP樹脂（a1）獲得厚度4 mm的薄膜及厚度1.5 mm的薄膜，藉由前述方法量測彎曲彈性模數及斷裂點伸長率。
［製造例2：三嵌段共聚物氫化物（b1）的製造］
參考國際專利公開第2014/077267號所記載的方法，將苯乙烯25份、異戊二烯50份及苯乙烯25份依序聚合，製造三嵌段共聚物氫化物（b1）（重量平均分子量Mw＝48,400；分子量分布Mw／Mn＝1.02；主鏈及側鏈之碳―碳不飽和鍵結以及芳環之碳―碳不飽和鍵結的氫化率幾乎為100%）。
藉由射出成形，自三嵌段共聚物氫化物（b1）獲得厚度4 mm的薄膜，藉由前述方法量測彎曲彈性模數。
［製造例3：三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（b1-s）的製造］
參考前述國際專利公開第2014/077267號所記載的方法，使乙烯基三甲氧基矽烷2份與由製造例2製造之三嵌段共聚物氫化物（b1）100份鍵結，製造三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（b1-s）的顆粒。
藉由射出成形，自此烷氧矽基改質物（b1-s）獲得厚度4 mm的薄膜，藉由前述方法量測彎曲彈性模數。
［製造例4：包含烷氧矽基改質物（b1-s）之樹脂（b2）的製造］
使用具備4個內徑3 mm∅之模具孔的雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM-37B」），將由製造例3所獲得之三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物（b1-s）的顆粒28重量份與氫化聚丁烯（日油公司製「PERLEAM（註冊商標）24」）12重量份，在樹脂溫度200℃混練，擠製成股狀，置於空氣中冷卻後，藉由造粒機切割以獲得顆粒狀的樹脂（b2）。
藉由射出成形自樹脂（b2）獲得厚度4 mm的薄膜，藉由前述方法量測彎曲彈性模數。
［製造例5：聚對酞酸乙二酯（PET）樹脂試樣的製造方法］
將PET薄膜（東洋紡公司製「COSMOSHINE」）粉碎，做成絨毛（碎片）狀。將所獲得之絨毛狀之PET樹脂（a2）熔融擠製以獲得PET樹脂（a2）之厚度4 mm的薄膜及厚度1.5 mm的薄膜，藉由前述方法量測彎曲彈性模數及斷裂點伸長率。
［製造例6：黏合劑（c1）層的製造］
混合丙烯酸丁酯67重量份、丙烯酸環己酯14重量份、丙烯酸-4-羥基丁酯27重量份、丙烯酸羥基乙酯9重量份、光聚合起始劑（BASF公司製「Irgacure 651」）0.05重量份及光聚合起始劑（BASF公司製「Irgacure 184」）0.05重量份，獲得單體混合物。藉由將此單體混合物在氮氣環境下暴露於紫外線以使之部分光聚合，獲得聚合率約10重量%的部分聚合粗產物（丙烯酸系聚合物漿劑）。在所獲得之部分聚合粗產物100重量份中添加六丙烯酸二新戊四醇酯（日本化藥公司製「KAYARAD DPHA」）0.15重量份、矽烷耦合劑（信越化學工業公司製「KBM-403」）0.3重量份均勻混合，獲得丙烯酸系黏合劑組成物。
在離型薄膜（三菱樹脂公司製「DIAFOIL MRF#38」）之經離型處理的面上，以黏合劑層形成後之厚度呈4 mm或10 μm的方式，塗布前述丙烯酸系黏合劑組成物，形成黏合劑組成物層。隨後，在此黏合劑組成物層的表面，以該離型薄膜之離型處理面成為黏合劑組成物側的方式將離型薄膜（三菱樹脂公司製「DIAFOIL MRN#38」）被覆。藉此，將黏合劑組成物層隔絕於氧氣。
之後，在照度5 mW／cm2 、光量1500 mJ／cm2 的條件下，對黏合劑組成物層進行紫外線照射，使黏合劑組成物層光固化，獲得具有離型薄膜／黏合劑（c1）層／離型薄膜之層結構的黏合片材。作為黏合劑層之基質聚合物之丙烯酸系聚合物的重量平均分子量（Mw）為200萬。將具有厚度10 μm之黏合劑（c1）層的黏合片材使用於於後敘述之比較例3之光學堆疊薄膜的製造。
自具有厚度4 mm之黏合劑層的黏合片材將離型薄膜剝離，獲得厚度4 mm的黏合劑層。對於所獲得之厚度4 mm的黏合劑層，藉由前述方法量測彎曲彈性模數。
［實施例1］
將由製造例1所獲得之結晶性COP樹脂（a1）以擠製螺桿溫度280℃供給至T字模具。並且，將由製造例2所獲得之三嵌段共聚物氫化物（b1）以擠製螺桿溫度200℃供給至T字模具。使前述結晶性COP樹脂（a1）及三嵌段共聚物氫化物（b1）以模具擠製溫度（多歧管）280℃自T字模具吐出，於經溫度調整為60℃之冷卻輥鑄製，獲得具有A層（a1）／B層（b1）之層結構的薄膜。擠製條件以A層之厚度呈15 μm、B層之厚度呈11 μm的方式調整。將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘，獲得光學堆疊薄膜。對於所獲得之光學堆疊薄膜，藉由前述方法進行撕裂強度、耐曲折性試驗及化學抗性試驗。
［實施例2］
準備具備第1之T字模具、第2之T字模具及第3之T字模具的擠製機。
將由製造例1所獲得之結晶性COP樹脂（a1）以擠製螺桿溫度280℃供給至第1之T字模具及第3之T字模具。並且，將由製造例2所獲得之三嵌段共聚物氫化物（b1）以擠製螺桿溫度200℃供給至第2之T字模具。使前述結晶性樹脂（a1）及三嵌段共聚物氫化物（b1）以模具擠製溫度（多歧管）280℃自第1～第3之T字模具吐出，於經溫度調整為60℃之冷卻輥鑄製，以獲得具有B層（b1）／A層（a1）／B層（b1）之層結構的薄膜。擠製條件以A層之厚度呈15 μm、2個B層之厚度分別呈11 μm的方式調整。將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘，獲得光學堆疊薄膜。對於所獲得之光學堆疊薄膜，藉由前述方法進行撕裂強度、耐曲折性試驗及化學抗性試驗。
［實施例3］
除了下述事項以外，比照實施例1操作，獲得具有A層（a2）／B層（b1）之層結構的光學堆疊薄膜，對於所獲得之光學堆疊薄膜進行評價。 ・使用由製造例5所獲得之PET樹脂（a2）代替結晶性COP樹脂（a1）。 ・以A層之厚度呈50 μm、B層之厚度呈11 μm的方式調整擠製條件。
［實施例4］
除了下述事項以外，比照實施例1操作，獲得具有A層（a1）／B層（b1-s）之層結構的光學堆疊薄膜，對於所獲得之光學堆疊薄膜進行評價。 ・使用由製造例3所獲得之烷氧矽基改質物（b1-s）代替三嵌段共聚物氫化物（b1）。 ・以A層之厚度呈15 μm、B層之厚度呈15 μm的方式調整擠製條件。
［實施例5］
除了下述事項以外，比照實施例2操作，獲得具有B層（b1-s）／A層（a1）／B層（b1-s）之層結構的光學堆疊薄膜，對於所獲得之光學堆疊薄膜進行評價。 ・使用由製造例3所獲得之烷氧矽基改質物（b1-s）代替三嵌段共聚物氫化物（b1）。 ・以A層之厚度呈15 μm、2個B層之厚度分別呈15 μm的方式調整擠製條件。
［實施例6］
除了下述事項以外，比照實施例1操作，獲得具有A層（a1）／B層（b2）之層結構的光學堆疊薄膜，對於所獲得之光學堆疊薄膜進行評價。 ・使用由製造例4所獲得之包含烷氧矽基改質物（b1-s）的樹脂（b2）代替三嵌段共聚物氫化物（b1）。 ・以A層之厚度呈15 μm、B層之厚度呈15 μm的方式調整擠製條件。
［比較例1］
（B層的製造）
混合由製造例3所獲得之三嵌段共聚物氫化物（b1）的顆粒28 g與環己烷60 g，使顆粒溶解，製備40%的聚合物溶液。在對表面施以離型處理之離型用之聚對酞酸乙二酯（PET）製薄膜（厚度50 μm）的離型面上，塗布所獲得之聚合物溶液。溶液的塗布厚度以所獲得之B層的厚度成為11 μm的方式調整。塗布後，在110℃之加熱板上乾燥30分鐘，形成具有離型薄膜（PET）／B層（b1）之層結構的堆疊體。
（A層的製造）
並且，準備厚度25 μm之包含含脂環結構聚合物之樹脂（a3）（以下亦將包含含脂環結構聚合物之樹脂稱作含脂環結構樹脂。）的薄膜（日本瑞翁公司製「ZeonorFilm ZF16」）作為由熱塑性樹脂A而成的A層。含脂環結構樹脂（a3）為非晶性，且玻璃轉移溫度Tg為160℃。並且，對於由含脂環結構樹脂（a3）形成之厚度4 mm的薄膜及厚度1.5 mm的薄膜，藉由前述方法所量測的彎曲彈性模數及斷裂點伸長率分別為2500 MPa及10%。
於A層之將要貼合B層的單面，以水接觸角成為45度以下之輸出施以電暈處理。
（堆疊工序）
之後，準備加壓輥加熱至70度的加壓機，以A層之電暈處理面成為B層側的方式操作，將A層與B層貼合，獲得具有離型薄膜（PET）／B（b1）／A層（a3）之結構的堆疊薄膜。之後，將離型薄膜剝離，獲得具有B層（b1）／A層（a3）之結構的薄膜。將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘，獲得光學堆疊薄膜。對於所獲得之光學堆疊薄膜，藉由前述方法進行撕裂強度、耐曲折性試驗及化學抗性試驗。
［比較例2］
比照比較例1之（B層的製造）操作，準備具有離型薄膜（PET）／B層（b1）之層結構的堆疊體作為由熱塑性樹脂B而成的B層。
準備厚度25 μm之含脂環結構樹脂（a3）的薄膜（日本瑞翁公司製「ZeonorFilm ZF16」）作為由熱塑性樹脂A而成的A層。
於A層的兩面，以水接觸角成為45度以下之輸出施以電暈處理。之後，準備加壓輥加熱至70度的加壓機，將A層與2片B層貼合，獲得具有離型薄膜（PET）／B層（b1）／A層（a3）／B層（b1）／離型薄膜（PET）之層結構的薄膜。之後，將離型薄膜剝離，將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘，獲得光學堆疊薄膜。對於所獲得之光學堆疊薄膜，藉由前述方法進行撕裂強度、耐曲折性試驗及化學抗性試驗。
［比較例3］
將由製造例1所獲得之結晶性COP樹脂（a1）以擠製螺桿溫度280℃供給至T字模具，使之以模具擠製溫度280℃自T字模具吐出，於經溫度調整為60℃之冷卻輥鑄製，製造由結晶性COP樹脂（a1）而成之厚度15 μm的A層。
將由製造例6所獲得之具有厚度10 μm之黏合劑層的黏合片材之一側的離型薄膜剝離。將因剝離而出現之黏合劑層貼合於A層之單面，之後再將另一側的離型薄膜剝離。藉此，獲得具有黏合劑層（c1）／A層（a1）之層結構的薄膜。將所獲得之薄膜在170℃之烘箱中退火30秒鐘，獲得光學堆疊薄膜。對於所獲得之光學堆疊薄膜，藉由前述方法進行撕裂強度、耐曲折性試驗及化學抗性試驗。
前述實施例及比較例的結果揭示於下述表中。在下述表中之簡稱的意義係如下所示。 「c-COP」：結晶性COP樹脂（a1） 「PET」：聚對酞酸乙二酯樹脂（a2） 「ZF16」：非晶性含脂環結構樹脂（a3） 「b1」：三嵌段共聚物氫化物（b1） 「b1-s」：三嵌段共聚物氫化物的烷氧矽基改質物（b1-s） 「b2」：包含三嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物及氫化聚丁烯的樹脂（b2） 「c1」：黏合劑（c1） 「SA 」：熱塑性樹脂A的斷裂點伸長率 「EA 」：熱塑性樹脂A的彎曲彈性模數 「EB 」：熱塑性樹脂B的彎曲彈性模數 「＊1」：表示在試驗液為環己烷的情況下有變化。
『表1』
Figure 108131287-A0304-0001
『表2』
Figure 108131287-A0304-0002
根據以上結果，可知以下事項。
包含「由彎曲彈性模數EA 為1900 MPa以上且3500 MPa以下，且斷裂點伸長率SA 為100%以上之熱塑性樹脂A而成之A層」與「設置於A層上，彎曲彈性模數EB 為100 MPa以上且900 MPa以下之B層」的實施例1～6相關之光學堆疊薄膜，曲折後第1次未產生折線，並且即使曲折次數100×1000次後，亦未觀察到破裂，耐曲折性優異，再者，化學抗性優異，撕裂強度為1.3以上而良好。
使用包含結晶性之含脂環結構聚合物之樹脂作為熱塑性樹脂A的實施例1、2及4～6相關之光學堆疊薄膜，即使曲折次數200×1000次後，亦未觀察到破裂，耐曲折性尤其優異。
另一方面，比較例相關之光學堆疊薄膜，在曲折後第1次產生折線，耐曲折性拙劣。
以上結果係表示本發明之光學堆疊薄膜為耐曲折性優異者。
100:光學堆疊薄膜 101:A層 101U:面 101D:面 102:B層 200:光學堆疊薄膜 201:A層 201U:面 201D:面 202:第1之B層 203:第2之B層 T:試片 E1:端部 E2:端部 C1:上部夾頭 C2:下部夾頭 D:距離
〈圖1〉圖1係繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-1的剖面示意圖。 〈圖2〉圖2係繪示光學堆疊薄膜之實施型態F-2的剖面示意圖。 〈圖3〉圖3係說明使用拉伸試驗機之撕裂試驗的說明圖。
100:光學堆疊薄膜
101:A層
101U:面
101D:面
102:B層

Claims (7)

  1. 一種光學堆疊薄膜，其包含由熱塑性樹脂A而成的A層及設置於前述A層之至少一側的面上之由熱塑性樹脂B而成的B層，其中前述熱塑性樹脂A之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為1900 MPa以上且3500 MPa以下，前述熱塑性樹脂B之厚度4 mm之薄膜的彎曲彈性模數為100 MPa以上且900 MPa以下，前述熱塑性樹脂A之厚度1.5 mm之薄膜的斷裂點伸長率為100%以上。
  2. 如請求項1所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂A包含結晶性的聚合物。
  3. 如請求項1或2所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂A包含含脂環結構聚合物。
  4. 如請求項1或2所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂B包含芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物之嵌段共聚物的氫化物。
  5. 如請求項1或2所述之光學堆疊薄膜，其中前述熱塑性樹脂B包含芳族乙烯化合物與共軛二烯化合物之嵌段共聚物之氫化物的烷氧矽基改質物。
  6. 如請求項1或2所述之光學堆疊薄膜，其中前述A層的厚度為50 μm以下。
  7. 一種導電薄膜，包含如請求項1至6之任一項所述之光學堆疊薄膜及導電層。
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