TWI663384B - 試驗裝置以及發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

試驗裝置10係具備：支持部20，用以支持作為試驗對象之發光裝置60；光波導34，對從支持部20所支持之發光裝置60所輸出之光進行導光；光擴散板38，使從光波導34所輸出之光擴散；光接收裝置40，接收藉由光擴散板38所擴散之光。試驗裝置10亦可更具備：恆溫裝置12，係將支持部20及支持部20所支持之發光裝置60收納至內部，以控制發光裝置60的運作溫度的方式構成。光接收裝置40係設置在恆溫裝置12的外部，光波導34係亦可將光從恆溫裝置12的內部導光至外部。

Description

試驗裝置以及發光裝置的製造方法
本發明係關於一種發光裝置的試驗裝置。
LED(Light-emitting diode；發光二極體)等發光裝置係藉由長時間的通電試驗而評價可靠性。作為用以進行如此之通電試驗的試驗裝置，可列舉例如不將配備有半導體發光元件之發光部品構裝在基板等，可在較常溫高溫或是低溫的環境下進行試驗之試驗裝置(例如參照專利文獻1)。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2011-237350號公報。
當在試驗輸出深紫外光等的波長短且高能量的光的發光裝置時，存有試驗裝置所具有的光接收裝置因高能量的光而劣化，而導致無法適切地執行長時間的通電試驗的情 況。若如此，則將損及試驗步驟之可靠性。
本發明係有鑑於上述課題而研發，其例示性的目的之一為提供可進行可靠性高的連續通電試驗的試驗裝置。
為了解決上述課題，本發明之一態樣的試驗裝置係具備：支持部，用以支持作為試驗對象之發光裝置；光波導(Optical waveguide)，對從支持部所支持之發光裝置所輸出之光進行導光；光擴散板，使從光波導所輸出之光擴散；光接收裝置，接收藉由光擴散板所擴散之光。
藉由該態樣，可將由於通過光波導而提高中心附近的峰值強度之光藉由光擴散板而擴散，使得經擴散而峰值強度降低之光射入至光接收裝置。藉此，高強度的光集中在光接收面的一部分可減低較其它部分更早劣化所導致之影響，藉此延長光接收裝置至無法使用為止的壽命。使光接收裝置成為可長期間使用的方式，藉此可適當地執行長時間的通電試驗，可提高試驗的可靠性。
試驗裝置亦可更具備：恆溫裝置，係將支持部及支持部所支持之發光裝置收納至內部，以控制前述發光裝置的運作溫度的方式構成。光接收裝置係設置在恆溫裝置的外部，光波導係亦可將光從恆溫裝置的內部導光至外部。
試驗裝置亦可具備：屏蔽板，以將朝向前述光接收裝置的光接收面的外周區域之光屏蔽的方式配置。
發光裝置係亦可輸出360nm以下的波長的深紫外光。
光波導係亦可以石英(SiO2)玻璃的桿所構成。
光擴散板亦可為具有用以使光擴散之凹凸面之石英玻璃板。
本發明的另一態樣為發光裝置的製造方法。該方法係具備將從發光裝置所輸出之光經由光波導及光擴散板而以光接收裝置接收，對發光裝置的光輸出進行試驗之步驟。
藉由該態樣，可將由於通過光波導而提高中心附近的峰值強度之光藉由光擴散板而擴散，使得經擴散而峰值強度降低之光射入至光接收裝置。藉此，高強度的光集中在光接收面的一部分可減低較其它部分更早劣化所導致之影響，藉此延長光接收裝置至無法使用為止的壽命。藉此，可提供一種發光裝置，係防止光接收裝置在早期由於劣化所致之試驗的可靠性下降，而適當的試驗所成就之可靠性高。
藉由本發明，可提供可靠性高的通電試驗。
10‧‧‧試驗裝置
12‧‧‧恆溫裝置
14‧‧‧容器
16‧‧‧內部空間
18、18a、18b、18c‧‧‧安裝孔
20、20a、20b、20c‧‧‧支持部
22‧‧‧基板
24‧‧‧散熱片
30、30a、30b、30c‧‧‧導光部
31‧‧‧光射入端
32‧‧‧光射出端
34‧‧‧光波導
36‧‧‧光量過濾器
38‧‧‧光擴散板
40、40a、40b、40c‧‧‧光接收裝置
42‧‧‧光檢測器
44‧‧‧包裝
46‧‧‧光接收窗
48‧‧‧光接收面
50‧‧‧屏蔽板
52、52a、52b、52c‧‧‧開口
54‧‧‧基板
60、60a、60b、60c‧‧‧發光裝置
62‧‧‧光射出面
64‧‧‧虛線
66‧‧‧實線
圖1係概略性表示實施形態之試驗裝置的構成之圖。
圖2係示意性地表示從導光部所輸出之光的強度分布之線圖。
以下參照圖面，對於本發明的實施方式進行詳細說明。另外，說明中之相同要素則給予相同符號，適當省略重複之說明。
圖1係表示實施形態之試驗裝置10的概略性構成之圖。試驗裝置10係具備：恆溫裝置12、複數個支持部20(20a、20b、20c)、複數個導光部30(30a、30b、30c)、複數個光接收裝置40(40a、40b、40c)以及屏蔽板50。試驗裝置10係用以一併執行複數個發光裝置60(60a、60b、60c)的通電試驗之裝置。
試驗對象之發光裝置60係輸出深紫外光之UV-LED(Ultra Violet-Light Emitting Diode；深紫外光發光二極體)。發光裝置60係以輸出峰值波長或是中心波長為200nm至360nm範圍之深紫外光的方式構成。作為如此之 紫外光LED，已知例如使用氮化鋁鎵(AlGaN)。
恆溫裝置12係具有：容器14，係將複數個支持部20及複數個支持部20各自所支持之發光裝置60收納至內部。恆溫裝置12例如為恆溫槽，使被容器14所包圍之內部空間16的溫度成為恆定的方式進行加熱或是冷卻之裝置。恆溫裝置12係在預定的試驗時間內維持用於發光裝置60的通電試驗之溫度條件(例如-20℃至85℃)。恆溫裝置12係亦可以可實施以一定週期升高降低溫度之循環試驗的方式構成。容器14係設置用以使複數個導光部30插入之複數個安裝孔18(18a、18b、18c)。
支持部20係支持作為試驗對象之發光裝置60。支持部20係具有：發光裝置配備基板22以及散熱片24。發光裝置配備基板22係具有與發光裝置60的電極連接之端子，通過端子供給用以驅動發光裝置60之驅動電流。發光裝置配備基板22係連接於未圖示之外部電源。散熱片24係附接在發光裝置配備基板22。散熱片24有助於使發光裝置配備基板22及發光裝置60的溫度變得與恆溫裝置12的內部空間16的溫度相等。
支持部20係在恆溫裝置12的內部設有複數個。圖示之例中，雖設置有3個支持部20，但支持部20的數量亦可為2個以下，或是4個以上。複數個支持部20配置在恆 溫裝置12的內部亦可排成一列(一維陣列狀)或是矩陣狀(二維陣列狀)。某實施例之中，複數個支持部20亦可配置為5×15的矩陣狀。圖示之例之中，支持部20係以支持一個發光裝置60的方式構成。變形例中，亦可以一個支持部支持複數個發光裝置60的方式構成。例如亦可將複數個支持部20a、20b、20c一體化而成為在一個支持部可配備3個發光裝置60。
支持部20係以對應從所配備之發光裝置60輸出的光可射入導光部30的方式配置。支持部20係以所配備之發光裝置60的光射出面62與導光部30的光射入端31呈對向的方式配置，較佳係以發光裝置60的光射出面62與導光部30的光射入端31接近的方式配置。支持部20係在試驗裝置10使用時被收納在恆溫裝置12的內部，但亦可為在試驗裝置10非使用時則容易取出至恆溫裝置12的外部的方式構成。支持部20亦可為以例如可收納在恆溫裝置12的內部所設置之架的方式構成。
導光部30係以設置在對應之發光裝置60與光接收裝置40之間且將從發光裝置60輸出的光導引至光接收裝置40的方式構成。導光部30係設置用以取出從恆溫裝置12的內部至外部之發光裝置60輸出的光。導光部30的光射入端31係設置在恆溫裝置12的內部，位於支持部20所配備之發光裝置60的附近。另一方面，導光部30的光射出 端32係設置在恆溫裝置12的外部，位於光接收裝置40的光接收面48的附近。
導光部30係具有：光波導34、光量過濾器36以及光擴散板38。光波導34係從對應之發光裝置60朝向光接收裝置40長度方向延伸之構件。光波導34係較佳以不易因發光裝置60輸出之深紫外光而劣化之材料構成，例如以石英(SiO2)玻璃構成。光波導34係例如以柱狀的石英玻璃桿構成。光波導34係具有較例如發光裝置60的光射出面62更大之截面積，例如截面的尺寸(直徑)為5mm以上。某實施例之中，光波導34的直徑為6mm左右。
光波導34亦可具有如光纖之核與包層，或是僅以核構成。光波導34亦可為中空管或石英管、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene；PTFE)等的氟系樹脂製的管、內表面以鋁(Al)所構成之樹脂管或金屬管。與光波導34的長度方向正交之截面的形狀並沒有特別限定，亦可為圓形、橢圓形、三角形、四角形、五角形、六角形等。光波導34亦可為將複數支的光纖捆紮而構成。
光量過濾器36亦即所謂ND(Neutral Density；中性密度)過濾器，使通過導光部30之光的強度以一定比率衰減。光量過濾器36的透射率雖沒有特別限定，但可使用例如1%、5%、10%、20%等值。光量過濾器36較佳以不 易因深紫外光而劣化之材料構成，例如可以石英玻璃作為基材而使用。藉由使用對深紫外光而言耐久性高的材料，可抑制因深紫外光之劣化所導致的過濾器的透射率隨時間經過而變化之影響。
光量過濾器36係設置在導光部30的光射入端31，設置在發光裝置60與光波導34之間的位置。藉由將光量過濾器36配置在較光波導34更前側，可抑制高強度的深紫外光射入至光波導34而光波導34劣化之影響。變形例之中，光量過濾器36亦可配置在光波導34與光接收裝置40之間。具體而言，光量過濾器36亦可配置在光波導34與光擴散板38之間，或是配置在光擴散板38與光接收裝置40之間。
光擴散板38係設置在導光部30的光射出端32。光擴散板38係使從光波導34所輸出之光擴散，而調整射入至光接收裝置40之光的強度分布。光擴散板38係使從光波導34所輸出的光的強度分布均一化。亦即，成為輸出光的峰值強度值降低，強度分布的半值全幅值增大。光擴散板38係較佳以不易因深紫外光而劣化之材料構成，例如可以使用石英玻璃作為基材。光擴散板38亦可為所謂的「毛玻璃」，或是形成用以在石英玻璃板的一主面或兩面使光擴散之微細的凹凸面。用以光擴散之凹凸面較佳以具有均一且緻密的砂目的方式形成。
圖2係表示從導光部30所輸出之光的強度分布之示意圖，表示沿著光接收面48之方向(x方向)的光強度I的分布。虛線64係表示在沒有光擴散板38的情況下從光波導34所輸出之光的強度分布的一例。由於從光波導34所輸出的光在中心附近成為具有強峰值之強度分布，因此成為如圖示之尖銳且幅寬小的強度分布。實線66係表示光擴散板38從某導光部30所輸出之光的強度分布的一例。藉由通過光擴散板38，可使具有較虛線64之峰值強度更低且幅寬大之強度分布之擴散光輸出。
光接收裝置40係設置在恆溫裝置12的外部，接收通過導光部30之光。光接收裝置40係接收從各自對應之發光裝置60所輸出之光。例如第1光接收裝置40a係接收從第1發光裝置60a所輸出而通過第1導光部30a之光。同樣地，第2光接收裝置40b係接收從第2發光裝置60b所輸出且通過第2導光部30b之光，第3光接收裝置40c係接收從第3發光裝置60c所輸出且通過第3導光部30c之光。複數個光接收裝置40係附接在光接收裝置配備基板54。
光接收裝置40係具有：光檢測器42、包裝44以及光接收窗46。光檢測器42係光電二極體等光電轉換元件，測量射入光的強度。光檢測器42係以可測量射入光的強度 分布的方式構成。光檢測器42係被收納在包裝44的內部。光接收窗46係使朝向光檢測器42之光透射。光接收窗46係附接在包裝44，將光檢測器42與包裝44一起封裝在包裝44的內部。光接收窗46係藉由例如設置在光接收窗46的外周之接著劑而附接在包裝44。光接收窗46係光接收裝置40形成應檢出光射入之光接收面48。
屏蔽板50係配置在導光部30與光接收裝置40之間。屏蔽板50係具有使朝向複數個光接收裝置40(40a、40b、40c)的光接收面48的中央區域之光通過之複數個開口52(52a、52b、52c)。開口52係具有與光接收裝置40的光接收面48的形狀對應之形狀，例如圓形或是矩形。屏蔽板50係使朝向光接收裝置40的光接收面48的中央區域之光透射，另一方面屏蔽朝向光接收面48的外周區域之光。藉此，防止深紫外光照射在接合包裝44與光接收窗46之間之接著劑而使接著劑劣化，進而防止減損包裝44的封裝性。
然後，對於試驗裝置10的使用方法進行說明。首先，複數個支持部20配備有各自的發光裝置60。恆溫裝置12的內部設定在預定的溫度，發光裝置60點亮。發光裝置60所發出之深紫外光於光量過濾器36強度衰減，透射光波導34而於光擴散板38強度分布均一化。光接收裝置40係接收通過導光部30的光。發光裝置60係在試驗所需要 的時間(例如100小時、1000小時、5000小時、10000小時、50000小時)中連續通電。光接收裝置40係在執行連續通電試驗的時間中測量射入之光的強度或是強度分布。
藉由本實施形態，不僅可合適地防止深紫外光所致之導光部30或光接收裝置40的劣化，且可執行輸出深紫外光之發光裝置60的通電試驗。波長為360nm以下的深紫外光由於光能量高(3.4eV以上)，若以以往的試驗裝置的構成，會對導光部30及光接收裝置40所使用之材料給予損傷，導致導光部30或光接收裝置40劣化。例如在使用一般的光學玻璃或樹脂材料作為導光部30的材料的情況下，受到深紫外光所致之劣化的影響，導致光學材料變黃或是脆化。此外，光檢測器42所使用之矽(Si)等半導體材料亦可能因接受高強度深紫外光而劣化，無法承受長時間的連續使用。例如藉由本發明者的實験，將從波長300nm、光輸出30mW的發光裝置60所輸出的光以不包含光量過濾器36及光擴散板38之構成進行測量的情況下，在1000小時左右，光檢測器42的中央附近變黑，成為無法正確測量光強度之狀態。另一方面，可知將透射率10%的光量過濾器36與# 220號的砂目的光擴散板38組合使用的情況下，光接收裝置40的壽命可延長至50000小時左右。因此，藉由本實施形態之試驗裝置10，使長時間適切地執行連續通電試驗成為可能，而可提高發光裝置60的壽命試驗的可靠性。
藉由本實施形態，由於光接收裝置40設置在恆溫裝置12的外部，可使用在室溫下運作之規格的光接收裝置40。藉此，不需要準備可在低溫及高溫下運作之特別的光接收裝置，可減低光接收裝置40的成本。此外，由於藉由屏蔽板50作為保護光接收裝置40的包裝44與光接收窗46之接合部之構成，不需要使用耐光性高的特別規格的光接收裝置，可減低光接收裝置40的成本。
藉由本實施形態，由於使用光擴散板38，可將光波導34所輸出之峰值強度高的光擴散之後接收，因此光接收裝置40可擴大使用可接收光的有效面積而進行靈敏度高的測量。藉此，可提高使用試驗裝置10之發光試驗的可靠性。
然後，對於包含使用試驗裝置10之試驗步驟之發光裝置60的製造方法進行說明。首先，作成以氮化鋁鎵(AlGaN)系的半導體材料所構成之半導體發光元件，將作成之發光元件封入至LED包裝內以製造發光裝置60。然後，使用試驗裝置10執行發光裝置60的點亮試驗。點亮試驗之中，發光裝置60所輸出之光經由光量過濾器36、光波導34及光擴散板38而以光接收裝置40接收光，試驗發光裝置60的光輸出。該試驗步驟亦可為為了使特性穩定化、排除不合規格品或是缺陷品等而在高溫環境下以一定時間通電之預燒試驗。發光裝置60亦可藉由經過預燒試驗而完成。若 藉由該製造方法，由於使用不易受深紫外光所致之不良影響之試驗裝置10而進行試驗，因此可提高試驗步驟的可靠性，可提高出貨之發光裝置60的可靠性。
以上，基於實施例對本發明進行說明。本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種的設計變更、各種的變形例，所屬技術領域中具有通常知識者可理解該些變形例亦為本發明的範圍。
上述實施形態之中，對於使用一個恆溫裝置12之試驗裝置10進行說明。變形例之中，試驗裝置10亦可具備複數個恆溫裝置12。複數個恆溫裝置12亦可配置為排成一列，或是(例如2×2等的)矩陣狀。複數個支持部20亦可配置在複數個恆溫裝置12的各個。使用複數個恆溫裝置12，可藉此同時執行在不同溫度條件之試驗，提高試驗效率。
上述實施形態之中，表示輸出深紫外光之發光裝置60作為試驗對象的情況。變形例之中，對於輸出深紫外光以外的光之發光裝置而言亦可使用上述試驗裝置10。例如亦可將輸出360nm至400nm的紫外光之發光裝置、輸出400nm至450nm的藍色光之發光裝置作為試驗對象。亦可將輸出綠色、黄色、紅色等可視光之發光裝置作為試驗對象，或亦可將輸出紅外光之發光裝置作為對象。
(產業可利用性)
藉由本發明，可提供可靠性高的通電試驗。

Claims (8)

  1. 一種試驗裝置，係具備：支持部，用以支持作為試驗對象之發光裝置；光波導，將從前述支持部所支持之發光裝置所輸出之光進行導光；光擴散板，使從前述光波導所輸出之光擴散；光接收裝置，接收藉由前述光擴散板所擴散之光；以及屏蔽板，以將朝向前述光接收裝置的光接收面的外周區域之光屏蔽的方式配置。
  2. 如請求項1所記載之試驗裝置，其中前述光波導係以石英玻璃的桿所構成。
  3. 一種試驗裝置，係具備：支持部，用以支持作為試驗對象之發光裝置；光波導，係以石英玻璃的桿所構成，且對從前述支持部所支持之發光裝置所輸出之光進行導光；光擴散板，使從前述光波導所輸出之光擴散；以及光接收裝置，接收藉由前述光擴散板所擴散之光。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之試驗裝置，其中更具備恆溫裝置，係將前述支持部及前述支持部所支持之發光裝置收納至內部且以控制前述發光裝置的運作溫度的方式構成；前述光接收裝置係設置在前述恆溫裝置的外部；前述光波導係將光從前述恆溫裝置的內部至外部進行導光。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之試驗裝置，其中前述發光裝置輸出360nm以下的波長的深紫外光。
  6. 如請求項1至3中任一項所記載之試驗裝置，其中前述光擴散板係具有用以使光擴散之凹凸面之石英玻璃板。
  7. 一種發光裝置的製造方法，係具備：將從發光裝置所輸出之光經由光波導及光擴散板而以光接收裝置接收，對前述發光裝置的光輸出進行試驗之步驟，其中朝向前述光接收裝置的光接收面的外周區域之光係藉由屏蔽板所屏蔽。
  8. 一種發光裝置的製造方法，係具備：將從發光裝置所輸出之光經由以石英玻璃的桿所構成的光波導及光擴散板而以光接收裝置接收，對前述發光裝置的光輸出進行試驗之步驟。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102472591B1 (ko) 2018-01-29 2022-12-01 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR20210112815A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 검사 방법
CN113805031B (zh) * 2021-11-19 2022-03-01 陕西开尔文测控技术有限公司 一种碳化硅动静态测试一体机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH072933U (ja) * 1993-06-11 1995-01-17 住友電気工業株式会社 半導体レ−ザ信頼性試験装置
JP2002296115A (ja) * 2001-04-02 2002-10-09 Unitec:Kk 発光体の色調測定方法、及びその測定装置、並びに発光体の光度測定装置
TWI380004B (en) * 2008-10-20 2012-12-21 Ind Tech Res Inst Light source detection and control system
JP2013174546A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Sharp Corp 発光検査装置および発光検査方法
WO2014020978A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 パイオニア株式会社 光量測定装置及び光量測定方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2689649B1 (fr) * 1992-04-07 1995-02-10 Bridgestone Corp Tuyau souple formant guide d'onde optique et appareil d'éclairage utilisant ledit tuyau.
JP2975815B2 (ja) * 1993-08-06 1999-11-10 株式会社東芝 半導体発光素子の評価装置及び評価方法
US5847822A (en) * 1995-08-29 1998-12-08 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Optical element inspecting apparatus
JP4258058B2 (ja) * 1999-03-23 2009-04-30 ソニー株式会社 円盤状記録媒体の検査装置及び検査方法
JP3674504B2 (ja) * 2000-12-11 2005-07-20 ウシオ電機株式会社 分光反射率測定装置および分光反射率測定方法
US8174394B2 (en) * 2001-04-11 2012-05-08 Trutouch Technologies, Inc. System for noninvasive determination of analytes in tissue
KR20040110071A (ko) * 2002-04-23 2004-12-29 히로무 마에다 소형 패키지 분광센서유닛
JP4437641B2 (ja) * 2002-08-21 2010-03-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
EP1860800A1 (en) * 2002-10-24 2007-11-28 Nakagawa Laboratories, Inc. Illumination light communication device
JP2005098765A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Shimadzu Corp 光源装置及びそれを用いた分析装置
KR20170058458A (ko) * 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7911699B2 (en) * 2005-12-22 2011-03-22 Guardian Industries Corp. Optical diffuser with UV blocking coating
US20090233012A1 (en) * 2005-11-15 2009-09-17 Asahi Kasei Chemicals Corporation Light Diffusion Plate for Liquid Crystal Display
JP2008051698A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Yokogawa Electric Corp 双方向光モジュールおよびこれを用いた光パルス試験器
JP2011237350A (ja) 2010-05-12 2011-11-24 Showa Denko Kk 発光部品試験モジュールおよび発光部品試験装置
CN102693925B (zh) * 2011-03-25 2016-05-25 夏普株式会社 半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法
CN102252983A (zh) * 2011-05-09 2011-11-23 博奥生物有限公司 一种深紫外光谱测量和分光光度测量装置
JP5794020B2 (ja) * 2011-07-27 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP5802511B2 (ja) * 2011-10-03 2015-10-28 アルプス電気株式会社 光センサモジュール及び光センサ
JP5882801B2 (ja) * 2012-03-16 2016-03-09 株式会社神戸製鋼所 半導体結晶性評価装置および該方法
DE102013218062A1 (de) * 2013-09-10 2015-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Testvorrichtung und Verfahren zum Testen von optoelektronischen Bauelementen
WO2015107657A1 (ja) * 2014-01-16 2015-07-23 パイオニア株式会社 光学測定装置
CN104483729A (zh) * 2014-11-21 2015-04-01 常州市诺金精密机械有限公司 Uv防护扩散板
CN205450191U (zh) * 2016-03-24 2016-08-10 佛山市云米电器科技有限公司 Uv灯寿命检测装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH072933U (ja) * 1993-06-11 1995-01-17 住友電気工業株式会社 半導体レ−ザ信頼性試験装置
JP2002296115A (ja) * 2001-04-02 2002-10-09 Unitec:Kk 発光体の色調測定方法、及びその測定装置、並びに発光体の光度測定装置
TWI380004B (en) * 2008-10-20 2012-12-21 Ind Tech Res Inst Light source detection and control system
JP2013174546A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Sharp Corp 発光検査装置および発光検査方法
WO2014020978A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 パイオニア株式会社 光量測定装置及び光量測定方法

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