WO2018070179A1 - 試験装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
試験装置および発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2018070179A1 WO2018070179A1 PCT/JP2017/033218 JP2017033218W WO2018070179A1 WO 2018070179 A1 WO2018070179 A1 WO 2018070179A1 JP 2017033218 W JP2017033218 W JP 2017033218W WO 2018070179 A1 WO2018070179 A1 WO 2018070179A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- optical waveguide
- test apparatus
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/44—Testing lamps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0286—Constructional arrangements for compensating for fluctuations caused by temperature, humidity or pressure, or using cooling or temperature stabilization of parts of the device; Controlling the atmosphere inside a spectrometer, e.g. vacuum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0252—Constructional arrangements for compensating for fluctuations caused by, e.g. temperature, or using cooling or temperature stabilization of parts of the device; Controlling the atmosphere inside a photometer; Purge systems, cleaning devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0418—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using attenuators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0425—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using optical fibers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0437—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using masks, aperture plates, spatial light modulators, spatial filters, e.g. reflective filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0474—Diffusers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0218—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using optical fibers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J2001/4247—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources
- G01J2001/4252—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources for testing LED's
Definitions
- the present invention relates to a test device for a light emitting device.
- ⁇ Reliability of light-emitting devices such as LEDs is evaluated by a long-time energization test.
- a test apparatus for performing such an energization test for example, a test apparatus capable of testing in an environment at a temperature higher or lower than normal temperature without mounting a light emitting component on which a semiconductor light emitting element is mounted on a substrate or the like (for example, , See Patent Document 1).
- the light receiving device provided in the test device When testing a light emitting device that outputs high energy light with a short wavelength such as deep ultraviolet light, the light receiving device provided in the test device is deteriorated by the high energy light, and it is not possible to properly perform a long-term conduction test. There is. If it does so, the reliability of a test process will be impaired.
- the present invention has been made in view of these problems, and one of its exemplary purposes is to provide a test apparatus capable of a highly reliable continuous energization test.
- a test apparatus includes a holding unit that holds a light-emitting device to be tested, and an optical waveguide that guides light output from the light-emitting device held by the holding unit. And a light diffusing plate for diffusing the light output from the optical waveguide, and a light receiving device for receiving the light diffused by the light diffusing plate.
- the light whose peak intensity near the center has been increased by passing through the optical waveguide can be diffused by the light diffusion plate, and the light that has been diffused and has the reduced peak intensity can be incident on the light receiving device.
- the influence that high intensity light concentrates on a part of the light receiving surface and deteriorates earlier than other parts can be reduced, and the life until the light receiving device can no longer be used can be extended.
- the test apparatus may further include a thermostatic device configured to house the holding unit and the light emitting device held by the holding unit and control the operating temperature of the light emitting device.
- the light receiving device may be provided outside the thermostatic device, and the optical waveguide may guide light from the inside of the thermostatic device to the outside.
- the test apparatus may further include a shielding plate arranged so as to block light traveling toward the outer peripheral area of the light receiving surface of the light receiving device.
- the light emitting device may output deep ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less.
- the optical waveguide may be composed of a rod of quartz (SiO 2 ) glass.
- the light diffusing plate may be a quartz glass plate having an uneven surface for diffusing light.
- Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a light emitting device.
- This method includes a step of receiving light output from a light emitting device by a light receiving device via an optical waveguide and a light diffusion plate, and testing the light output of the light emitting device.
- the light whose peak intensity near the center has been increased by passing through the optical waveguide can be diffused by the light diffusion plate, and the light that has been diffused and has the reduced peak intensity can be incident on the light receiving device.
- the influence that high intensity light concentrates on a part of the light receiving surface and deteriorates earlier than other parts can be reduced, and the life until the light receiving device can no longer be used can be extended.
- a highly reliable energization test can be provided.
- FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a test apparatus 10 according to an embodiment.
- the test apparatus 10 includes a thermostatic device 12, a plurality of holding units 20 (20a, 20b, 20c), a plurality of light guide units 30 (30a, 30b, 30c), and a plurality of light receiving devices 40 (40a, 40b, 40c). ) And a shielding plate 50.
- the test apparatus 10 is an apparatus for collectively executing an energization test of a plurality of light emitting devices 60 (60a, 60b, 60c).
- the light emitting device 60 to be tested is a UV-LED (Ultra Violet-Light Emitting Diode) that outputs deep ultraviolet light.
- the light emitting device 60 is configured to output deep ultraviolet light having a peak wavelength or center wavelength in the range of 200 nm to 360 nm.
- an ultraviolet light LED for example, one using aluminum gallium nitride (AlGaN) is known.
- the thermostatic device 12 includes a plurality of holding units 20 and a container 14 that houses therein a light emitting device 60 held by each of the plurality of holding units 20.
- the thermostatic device 12 is, for example, a thermostatic bath, and is a device that heats or cools the internal space 16 surrounded by the container 14 so that the temperature is constant.
- the constant temperature device 12 maintains a temperature condition (for example, ⁇ 20 ° C. to 85 ° C.) used for the current test of the light emitting device 60 for a predetermined test time.
- the thermostatic device 12 may be configured to perform a cycle test that raises and lowers the temperature at a constant cycle.
- the container 14 is provided with a plurality of attachment holes 18 (18a, 18b, 18c) through which the plurality of light guides 30 are inserted.
- the holding unit 20 holds the light emitting device 60 to be tested.
- the holding unit 20 includes a light emitting device mounting substrate 22 and a heat sink 24.
- the light emitting device mounting substrate 22 has a terminal connected to the electrode of the light emitting device 60, and supplies a driving current for driving the light emitting device 60 through the terminal.
- the light emitting device mounting substrate 22 is connected to an external power source (not shown).
- the heat sink 24 is attached to the light emitting device mounting substrate 22. The heat sink 24 helps the temperature of the light emitting device mounting substrate 22 and the light emitting device 60 to be equal to the temperature of the internal space 16 of the thermostatic device 12.
- a plurality of holding units 20 are provided inside the thermostatic device 12. In the illustrated example, three holding units 20 are provided, but the number of holding units 20 may be two or less, or four or more.
- the plurality of holding units 20 may be arranged in a row (one-dimensional array) inside the thermostat 12 or may be arranged in a matrix (two-dimensional array). In an embodiment, the plurality of holding units 20 may be arranged in a 5 ⁇ 15 matrix.
- the holding unit 20 is configured to hold one light emitting device 60.
- one holding unit may be configured to hold a plurality of light emitting devices 60.
- a plurality of holding portions 20a, 20b, and 20c may be integrated so that three light emitting devices 60 can be mounted on one holding portion.
- the holding unit 20 is arranged so that output light from the light emitting device 60 to be mounted enters the corresponding light guide unit 30.
- the holding unit 20 is disposed so that the light emission surface 62 of the light emitting device 60 to be mounted and the light incident end 31 of the light guide unit 30 face each other, and preferably the light emission surface 62 of the light emitting device 60 and the light guide. It arrange
- the holding unit 20 is housed inside the thermostat 12 when the test apparatus 10 is used, but may be configured to be easily taken out of the thermostat 12 when the test apparatus 10 is not used.
- maintenance part 20 may be comprised so that it can accommodate in the rack provided in the inside of the thermostat 12, for example.
- the light guide unit 30 is provided between the corresponding light emitting device 60 and the light receiving device 40, and is configured to guide output light from the light emitting device 60 to the light receiving device 40.
- the light guide unit 30 is provided to extract the output light of the light emitting device 60 from the inside of the thermostatic device 12 to the outside.
- the light incident end 31 of the light guide unit 30 is provided inside the thermostatic device 12 and is located in the vicinity of the light emitting device 60 mounted on the holding unit 20.
- the light emitting end 32 of the light guide 30 is provided outside the thermostatic device 12 and is located in the vicinity of the light receiving surface 48 of the light receiving device 40.
- the light guide unit 30 includes an optical waveguide 34, a light amount filter 36, and a light diffusion plate 38.
- the optical waveguide 34 is a member extending in the longitudinal direction from the corresponding light emitting device 60 toward the light receiving device 40.
- the optical waveguide 34 is preferably made of a material that is not easily deteriorated by deep ultraviolet light output from the light emitting device 60, and is made of, for example, quartz (SiO 2 ) glass.
- the optical waveguide 34 is composed of, for example, a columnar quartz glass rod.
- the optical waveguide 34 has, for example, a cross-sectional area larger than the light emitting surface 62 of the light emitting device 60, and has a cross-sectional dimension (diameter) of 5 mm or more, for example. In one embodiment, the diameter of the optical waveguide 34 is about 6 mm.
- the optical waveguide 34 may have a core and a clad such as an optical fiber, or may be composed of only the core.
- the optical waveguide 34 may be a hollow tube, a quartz tube, a tube made of a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), a resin tube or a metal tube whose inner surface is made of aluminum (Al). May be.
- PTFE polytetrafluoroethylene
- Al aluminum
- the shape of the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the optical waveguide 34 is not particularly limited, and may be a circle, an ellipse, a triangle, a quadrangle, a pentagon, a hexagon, or the like.
- the optical waveguide 34 may be configured by bundling a plurality of optical fibers.
- the light quantity filter 36 is a so-called ND (Neutral Density) filter, and attenuates the intensity of light passing through the light guide unit 30 at a constant rate.
- the transmittance of the light amount filter 36 is not particularly limited, for example, values such as 1%, 5%, 10%, and 20% can be used.
- the light quantity filter 36 is preferably made of a material that is not easily deteriorated by deep ultraviolet light. For example, quartz glass is used as a base material. By using a material having high durability against deep ultraviolet light, it is possible to suppress the influence that the transmittance of the filter changes over time due to deterioration due to deep ultraviolet light.
- the light quantity filter 36 is provided at the light incident end 31 of the light guide 30 and is provided at a position between the light emitting device 60 and the optical waveguide 34.
- a light amount filter 36 may be disposed between the optical waveguide 34 and the light receiving device 40.
- the light amount filter 36 may be disposed between the optical waveguide 34 and the light diffusion plate 38, or may be disposed between the light diffusion plate 38 and the light receiving device 40.
- the light diffusion plate 38 is provided at the light emitting end 32 of the light guide unit 30.
- the light diffusing plate 38 diffuses the light output from the optical waveguide 34 and adjusts the intensity distribution of the light incident on the light receiving device 40.
- the light diffusing plate 38 makes the intensity distribution of the output light from the optical waveguide 34 uniform. That is, the peak intensity value of the output light is decreased, and the full width at half maximum of the intensity distribution is increased.
- the light diffusion plate 38 is preferably made of a material that is not easily deteriorated by deep ultraviolet light. For example, quartz glass is used as the base material.
- the light diffusing plate 38 may be a so-called “ground glass”, and may have a fine uneven surface for diffusing light on one main surface or both surfaces of a quartz glass plate.
- the uneven surface for light diffusion is preferably formed so as to have a uniform and fine grain.
- FIG. 2 is a diagram schematically showing the intensity distribution of the light output from the light guide section 30 and shows the distribution of the light intensity I in the direction along the light receiving surface 48 (x direction).
- a broken line 64 shows an example of an intensity distribution of light output from the optical waveguide 34 when there is no light diffusion plate 38. Since the output light from the optical waveguide 34 has an intensity distribution having a strong peak near the center, the intensity distribution is sharp and has a small spread width as shown.
- a solid line 66 indicates an example of an intensity distribution of light output from the light guide unit 30 having the light diffusion plate 38. By passing through the light diffusing plate 38, diffused light having an intensity distribution having a peak intensity lower than that of the broken line 64 and a wide spread width is output.
- the light receiving device 40 is provided outside the thermostatic device 12 and receives light that has passed through the light guide 30.
- Each of the light receiving devices 40 receives light output from the corresponding light emitting device 60.
- the first light receiving device 40a receives light output from the first light emitting device 60a and passed through the first light guide unit 30a.
- the second light receiving device 40b receives the light output from the second light emitting device 60b and passed through the second light guide unit 30b
- the third light receiving device 40c is output from the third light emitting device 60c. 3 Light that has passed through the light guide 30c is received.
- the plurality of light receiving devices 40 are attached to the light receiving device mounting board 54.
- the light receiving device 40 includes a light receiving element 42, a package 44, and a light receiving window 46.
- the light receiving element 42 is a photoelectric conversion element such as a photodiode, and measures the intensity of incident light.
- the light receiving element 42 may be configured to measure the intensity distribution of incident light.
- the light receiving element 42 is accommodated in the package 44.
- the light receiving window 46 transmits light traveling toward the light receiving element 42.
- the light receiving window 46 is attached to the package 44 and seals the light receiving element 42 inside the package 44 together with the package 44.
- the light receiving window 46 is attached to the package 44 by an adhesive provided on the outer periphery of the light receiving window 46, for example.
- the light receiving window 46 forms a light receiving surface 48 on which light to be detected by the light receiving device 40 enters.
- the shielding plate 50 is disposed between the light guide unit 30 and the light receiving device 40.
- the shielding plate 50 has a plurality of openings 52 (52a, 52b, 52c) that allow light traveling toward the central region of the light receiving surfaces 48 of the plurality of light receiving devices 40 (40a, 40b, 40c) to pass therethrough.
- the opening 52 has a shape corresponding to the shape of the light receiving surface 48 of the light receiving device 40, and is, for example, circular or rectangular.
- the shielding plate 50 transmits light traveling toward the central region of the light receiving surface 48 of the light receiving device 40, while shielding light traveling toward the outer peripheral region of the light receiving surface 48. This prevents the adhesive that joins between the package 44 and the light receiving window 46 from being irradiated with deep ultraviolet light to deteriorate the adhesive and impair the sealing performance of the package 44.
- the light emitting device 60 is mounted on each of the plurality of holding units 20.
- the inside of the thermostatic device 12 is set to a predetermined temperature, and the light emitting device 60 is turned on.
- the intensity of the deep ultraviolet light emitted from the light emitting device 60 is attenuated by the light quantity filter 36, passes through the optical waveguide 34, and the intensity distribution is made uniform by the light diffusion plate 38.
- the light receiving device 40 receives light that has passed through the light guide unit 30.
- the light emitting device 60 is energized continuously for a time required for the test (for example, 100 hours, 1000 hours, 5000 hours, 10000 hours, 50000 hours).
- the light receiving device 40 measures the intensity or intensity distribution of incident light over the time when the continuous energization test is executed.
- the present embodiment it is possible to execute an energization test of the light emitting device 60 that outputs deep ultraviolet light while suitably preventing deterioration of the light guide unit 30 and the light receiving device 40 due to deep ultraviolet light. Since deep ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less has high optical energy (3.4 eV or more), the material used for the light guide 30 and the light receiving device 40 is damaged with the configuration of the conventional test apparatus, and the light guide 30 and the light receiving device 40 are deteriorated. For example, when ordinary optical glass or resin material is used as the material of the light guide section 30, the optical material is yellowed or becomes brittle due to the influence of deterioration due to deep ultraviolet light.
- a semiconductor material such as silicon (Si) used for the light receiving element 42 may be deteriorated by receiving high-intensity deep ultraviolet light and may not be able to withstand continuous use for a long time.
- Si silicon
- the output light from the light emitting device 60 having a wavelength of 300 nm and an optical output of 30 mW is measured in a configuration that does not include the light amount filter 36 and the light diffusion plate 38, the light is received in about 1000 hours. Near the center of the element 42 turned black, and the light intensity could not be measured correctly.
- the life of the light receiving device 40 was extended up to about 50,000 hours. Therefore, according to the test apparatus 10 according to the present embodiment, it is possible to appropriately execute a continuous energization test for a long time and to improve the reliability of the life test of the light emitting device 60.
- the light receiving device 40 since the light receiving device 40 is provided outside the thermostatic device 12, the light receiving device 40 having specifications that operate at room temperature can be used. Thereby, it is not necessary to prepare a special light receiving device that can operate at low and high temperatures, and the cost of the light receiving device 40 can be reduced.
- the shielding plate 50 protects the joint between the package 44 and the light receiving window 46 of the light receiving device 40, it is not necessary to use a light receiving device having a special specification with high light resistance, and the cost of the light receiving device 40 can be reduced. be able to.
- light having a high peak intensity output from the optical waveguide 34 is diffused using the light diffusing plate 38 and then received, so that the effective area that the light receiving device 40 can receive is widely used. Highly sensitive measurement can be performed. Thereby, the reliability of the light emission test using the test apparatus 10 can be improved.
- a method for manufacturing the light emitting device 60 including a test process using the test apparatus 10 will be described.
- a semiconductor light-emitting device made of an aluminum gallium nitride (AlGaN) -based semiconductor material is created, and the light-emitting device 60 is manufactured by enclosing the created light-emitting device in an LED package.
- a lighting test of the light emitting device 60 is performed using the test apparatus 10. In the lighting test, light output from the light emitting device 60 is received by the light receiving device 40 through the light amount filter 36, the optical waveguide 34, and the light diffusion plate 38, and the light output of the light emitting device 60 is tested.
- This test process may be a burn-in test in which current is supplied for a certain period of time in a high temperature environment in order to stabilize characteristics and eliminate non-standard products or defective products.
- the light emitting device 60 may be completed through a burn-in test. According to this manufacturing method, since the test is performed using the test apparatus 10 that is not easily affected by the deep ultraviolet light, the reliability of the test process can be increased, and the reliability of the light emitting device 60 to be shipped can be increased. Can do.
- the test apparatus 10 using one thermostatic apparatus 12 has been described.
- the test apparatus 10 may include a plurality of thermostatic apparatuses 12.
- the plurality of thermostatic devices 12 may be arranged in a line, or may be arranged in a matrix (for example, 2 ⁇ 2).
- the plurality of holding units 20 may be disposed in each of the plurality of thermostatic devices 12.
- the above-described test apparatus 10 may be used for a light emitting device that outputs light other than deep ultraviolet light.
- a light emitting device that outputs ultraviolet light of 360 nm to 400 nm and a light emitting device that outputs blue light of 400 nm to 450 nm may be used as the test object.
- a light emitting device that outputs visible light such as green, yellow, and red may be a test target, or a light emitting device that outputs infrared light may be the target.
- a highly reliable energization test can be provided.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
試験装置10は、試験対象となる発光装置60を保持する保持部20と、保持部20に保持される発光装置60から出力される光を導光する光導波路34と、光導波路34から出力される光を拡散させる光拡散板38と、光拡散板38により拡散された光を受光する受光装置40と、を備える。試験装置10は、保持部20および保持部20に保持される発光装置60を内部に収容し、発光装置60の温度を制御するよう構成される恒温装置12をさらに備えてもよい。受光装置40は、恒温装置12の外部に設けられ、光導波路34は、恒温装置12の内部から外部に光を導光してもよい。
Description
本発明は、発光装置の試験装置に関する。
LEDなどの発光装置は、長時間の通電試験により信頼性が評価される。このような通電試験を行うための試験装置として、例えば、半導体発光素子を搭載した発光部品を基板等に実装することなく、常温より高温または低温の環境下で試験できる試験装置が挙げられる(例えば、特許文献1参照)。
深紫外光などの波長が短く高エネルギーの光を出力する発光装置を試験する場合、試験装置が備える受光装置が高エネルギーの光により劣化してしまい、長時間の通電試験を適切に実行できないことがある。そうすると、試験工程の信頼性が損なわれてしまう。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その例示的な目的のひとつは、信頼性の高い連続通電試験が可能な試験装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある態様の試験装置は、試験対象となる発光装置を保持する保持部と、保持部に保持される発光装置から出力される光を導光する光導波路と、光導波路から出力される光を拡散させる光拡散板と、光拡散板により拡散された光を受光する受光装置と、を備える。
この態様によれば、光導波路を通過することにより中心付近のピーク強度が高められた光を光拡散板により拡散させ、拡散されてピーク強度が低くなった光を受光装置に入射させることができる。これにより、高強度の光が受光面の一部に集中することで他の部分よりも早く劣化してしまう影響を低減し、受光装置が使えなくなるまでの寿命を長くできる。受光装置を長期間使用できるようにすることで、長時間の通電試験を適切に実行できるようにし、試験の信頼性を向上させることができる。
試験装置は、保持部および保持部に保持される発光装置を内部に収容し、発光装置の動作温度を制御するよう構成される恒温装置をさらに備えてもよい。受光装置は、恒温装置の外部に設けられ、光導波路は、恒温装置の内部から外部に光を導光してもよい。
試験装置は、受光装置の受光面の外周領域に向かう光を遮るよう配置される遮蔽板をさらに備えてもよい。
発光装置は、360nm以下の波長の深紫外光を出力してもよい。
光導波路は、石英(SiO2)ガラスのロッドで構成されてもよい。
光拡散板は、光を拡散させるための凹凸面を有する石英ガラス板であってもよい。
本発明の別の態様は、発光装置の製造方法である。この方法は、発光装置から出力される光を光導波路および光拡散板を介して受光装置で受光し、発光装置の光出力を試験する工程を備える。
この態様によれば、光導波路を通過することにより中心付近のピーク強度が高められた光を光拡散板により拡散させ、拡散されてピーク強度が低くなった光を受光装置に入射させることができる。これにより、高強度の光が受光面の一部に集中することで他の部分よりも早く劣化してしまう影響を低減し、受光装置が使えなくなるまでの寿命を長くできる。これにより、受光装置が早期に劣化することによる試験の信頼性の低下を防ぎ、適切な試験がなされた信頼性の高い発光装置を提供できる。
本発明によれば、信頼性の高い通電試験を提供できる。
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
図1は、実施の形態に係る試験装置10の構成を概略的に示す図である。試験装置10は、恒温装置12と、複数の保持部20(20a,20b,20c)と、複数の導光部30(30a,30b,30c)と、複数の受光装置40(40a,40b,40c)と、遮蔽板50とを備える。試験装置10は、複数の発光装置60(60a,60b,60c)の通電試験を一括して実行するための装置である。
試験対象となる発光装置60は、深紫外光を出力するUV-LED(Ultra Violet-Light Emitting Diode)である。発光装置60は、ピーク波長または中心波長が200nm~360nmの範囲となる深紫外光を出力するよう構成される。このような紫外光LEDとして、例えば、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)を用いたものが知られている。
恒温装置12は、複数の保持部20および複数の保持部20のそれぞれに保持される発光装置60を内部に収容する容器14を有する。恒温装置12は、例えば恒温槽であり、容器14に囲われる内部空間16の温度が一定となるように加熱または冷却する装置である。恒温装置12は、発光装置60の通電試験に用いる温度条件(例えば-20℃~85℃)が所定の試験時間にわたって維持されるようにする。恒温装置12は、一定周期で温度を上下させるサイクル試験を実施できるように構成されてもよい。容器14には、複数の導光部30を挿通させるための複数の取付孔18(18a,18b,18c)が設けられる。
保持部20は、試験対象となる発光装置60を保持する。保持部20は、発光装置搭載基板22と、ヒートシンク24とを有する。発光装置搭載基板22は、発光装置60の電極と接続される端子を有し、端子を通じて発光装置60を駆動するための駆動電流を供給する。発光装置搭載基板22は、図示しない外部電源に接続される。ヒートシンク24は、発光装置搭載基板22に取り付けられる。ヒートシンク24は、発光装置搭載基板22および発光装置60の温度と、恒温装置12の内部空間16の温度とが等しくなるのを助ける。
保持部20は、恒温装置12の内部に複数設けられる。図示する例では、3個の保持部20が設けられているが、保持部20の数は2個以下であってもよいし、4個以上であってもよい。複数の保持部20は、恒温装置12の内部で一列(一次元アレイ状)に並んでいてもよいし、マトリックス状(二次元アレイ状)に配置されていてもよい。ある実施例において、複数の保持部20は5×15のマトリックス状に配置されていてもよい。図示する例において、保持部20は、一つの発光装置60を保持するよう構成されている。変形例では、一つの保持部が複数の発光装置60を保持できるよう構成されてもよい。例えば、複数の保持部20a,20b,20cを一体化させ、一つの保持部に3個の発光装置60が搭載できるようにしてもよい。
保持部20は、搭載される発光装置60からの出力光が対応する導光部30に入射するように配置される。保持部20は、搭載される発光装置60の光出射面62と、導光部30の光入射端31とが対向するように配置され、好ましくは、発光装置60の光出射面62と導光部30の光入射端31が近接するように配置される。保持部20は、試験装置10の使用時に恒温装置12の内部に収容されるが、試験装置10の非使用時には恒温装置12の外部に容易に取り出せるよう構成されてもよい。保持部20は、例えば、恒温装置12の内部に設けられるラックに収納できるよう構成されてもよい。
導光部30は、対応する発光装置60と受光装置40の間に設けられ、発光装置60からの出力光を受光装置40に導くよう構成される。導光部30は、恒温装置12の内部から外部に発光装置60の出力光を取り出すために設けられる。導光部30の光入射端31は、恒温装置12の内部に設けられ、保持部20に搭載される発光装置60の近傍に位置する。一方、導光部30の光出射端32は、恒温装置12の外部に設けられ、受光装置40の受光面48の近傍に位置する。
導光部30は、光導波路34と、光量フィルタ36と、光拡散板38とを有する。光導波路34は、対応する発光装置60から受光装置40に向けて長手方向に延在する部材である。光導波路34は、発光装置60が出力する深紫外光により劣化しにくい材料で構成されることが好ましく、例えば、石英(SiO2)ガラスで構成される。光導波路34は、例えば、柱状の石英ガラスのロッドで構成される。光導波路34は、例えば、発光装置60の光出射面62より大きい断面積を有し、例えば、断面の寸法(直径)が5mm以上である。ある実施例において、光導波路34の直径は6mm程度である。
光導波路34は、光ファイバのようなコアとクラッドを有してもよいし、コアだけで構成されてもよい。光導波路34は、中空管であってもよく、石英管、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などのフッ素系樹脂製の管、内面がアルミニウム(Al)で構成される樹脂管または金属管であってもよい。光導波路34の長手方向と直交する断面の形状は特に問わず、円形、楕円形、三角形、四角形、五角形、六角形などであってよい。光導波路34は、複数本の光ファイバを束ねて構成されてもよい。
光量フィルタ36は、いわゆるND(Neutral Density)フィルタであり、導光部30を通過する光の強度を一定割合で減衰させる。光量フィルタ36の透過率は、特に限定されないが、例えば、1%、5%、10%、20%などの値を用いることができる。光量フィルタ36は、深紫外光により劣化しにくい材料で構成されることが好ましく、例えば、石英ガラスがベース材として用いられる。深紫外光に対する耐久性の高い材料を用いることで、深紫外光による劣化によりフィルタの透過率が時間経過とともに変化してしまう影響を抑えることができる。
光量フィルタ36は、導光部30の光入射端31に設けられ、発光装置60と光導波路34の間の位置に設けられる。光量フィルタ36を光導波路34より手前側に配置することで、光導波路34に高強度の深紫外光が入射して光導波路34が劣化する影響を抑えることができる。変形例においては、光導波路34と受光装置40の間に光量フィルタ36が配置されてもよい。具体的に、光量フィルタ36は、光導波路34と光拡散板38の間に配置されてもよいし、光拡散板38と受光装置40の間に配置されてもよい。
光拡散板38は、導光部30の光出射端32に設けられる。光拡散板38は、光導波路34から出力される光を拡散させ、受光装置40に入射する光の強度分布を調整する。光拡散板38は、光導波路34からの出力光の強度分布を均一化させる。つまり、出力光のピーク強度値が低くなり、強度分布の半値全幅値が大きくなるようにする。光拡散板38は、深紫外光により劣化しにくい材料で構成されることが好ましく、例えば、石英ガラスがベース材として用いられる。光拡散板38は、いわゆる「すりガラス」であってよく、石英ガラス板の一主面または両面に光を拡散させるための微細な凹凸面を形成したものであってもよい。光拡散のための凹凸面は、均一かつ緻密な砂目を有するように形成されることが好ましい。
図2は、導光部30から出力される光の強度分布を模式的に示す図であり、受光面48に沿った方向(x方向)の光強度Iの分布を示す。破線64は、光拡散板38がない場合に光導波路34から出力される光の強度分布の一例を示す。光導波路34からの出力光は、中心付近に強いピークを持つ強度分布となるため、図示されるような先鋭かつ広がり幅の小さな強度分布となる。実線66は、光拡散板38がある導光部30から出力される光の強度分布の一例を示す。光拡散板38を通過させることにより、破線64よりもピーク強度が低く、広がり幅の大きい強度分布を持つ拡散光が出力される。
受光装置40は、恒温装置12の外部に設けられ、導光部30を通過した光を受光する。受光装置40は、それぞれが対応する発光装置60から出力された光を受光する。例えば、第1受光装置40aは、第1発光装置60aから出力され、第1導光部30aを通過した光を受光する。同様に、第2受光装置40bは、第2発光装置60bから出力され、第2導光部30bを通過した光を受光し、第3受光装置40cは、第3発光装置60cから出力され、第3導光部30cを通過した光を受光する。複数の受光装置40は、受光装置搭載基板54に取り付けられている。
受光装置40は、受光素子42と、パッケージ44と、受光窓46とを有する。受光素子42は、フォトダイオードなどの光電変換素子であり、入射光の強度を計測する。受光素子42は、入射光の強度分布を計測できるよう構成されてもよい。受光素子42は、パッケージ44の内部に収容されている。受光窓46は、受光素子42に向かう光を透過させる。受光窓46は、パッケージ44に取り付けられ、パッケージ44とともに受光素子42をパッケージ44の内部に封止する。受光窓46は、例えば、受光窓46の外周に設けられる接着剤によりパッケージ44に取り付けられる。受光窓46は、受光装置40が検出すべき光が入射する受光面48を形成する。
遮蔽板50は、導光部30と受光装置40の間に配置される。遮蔽板50は、複数の受光装置40(40a,40b,40c)の受光面48の中央領域に向かう光を通過させる複数の開口52(52a,52b,52c)を有する。開口52は、受光装置40の受光面48の形状に対応した形状を有し、例えば、円形または矩形状である。遮蔽板50は、受光装置40の受光面48の中央領域に向かう光を透過させる一方、受光面48の外周領域に向かう光を遮蔽する。これにより、パッケージ44と受光窓46の間を接合する接着剤に深紫外光が照射されて接着剤が劣化し、パッケージ44の封止性が損なわれることを防ぐ。
つづいて、試験装置10の使用方法について述べる。まず、複数の保持部20のそれぞれに発光装置60が搭載される。恒温装置12の内部が所定の温度に設定され、発光装置60が点灯される。発光装置60が発する深紫外光は、光量フィルタ36にて強度が減衰され、光導波路34を透過し、光拡散板38にて強度分布が均一化される。受光装置40は、導光部30を通過した光を受光する。発光装置60は、試験に必要な時間(例えば、100時間、1000時間、5000時間、10000時間、50000時間)にわたって連続して通電される。受光装置40は、連続通電試験が実行される時間にわたって入射する光の強度または強度分布を計測する。
本実施の形態によれば、深紫外光による導光部30や受光装置40の劣化を好適に防ぎながら、深紫外光を出力する発光装置60の通電試験を実行できる。波長が360nm以下の深紫外光は光エネルギーが高い(3.4eV以上)ため、従来の試験装置の構成のままでは、導光部30および受光装置40に用いる材料にダメージを与え、導光部30や受光装置40を劣化させてしまう。例えば、導光部30の材料として通常の光学ガラスや樹脂材料を用いた場合、深紫外光による劣化の影響を受けて、光学材料が黄変したり、脆くなったりしてしまう。また、受光素子42に用いるシリコン(Si)などの半導体材料も高強度の深紫外光を受けて劣化し、長時間の連続使用に耐えられない場合がある。例えば、本発明者らの実験によれば、波長300nm、光出力30mWの発光装置60からの出力光を光量フィルタ36および光拡散板38が含まれない構成で計測した場合、1000時間程度で受光素子42の中央付近が黒変し、正しく光強度を計測できない状態となった。一方、透過率10%の光量フィルタ36と、#220番の砂目の光拡散板38とを組み合わせて用いた場合、50000時間程度まで受光装置40の寿命が延びることが分かった。したがって、本実施の形態に係る試験装置10によれば、長時間の連続通電試験を適切に実行することを可能にし、発光装置60の寿命試験の信頼性を高めることができる。
本実施の形態によれば、受光装置40が恒温装置12の外部に設けられるため、室温下で動作する仕様の受光装置40を用いることができる。これにより、低温および高温下で動作可能な特別な受光装置を用意する必要がなく、受光装置40のコストを抑えることができる。また、遮蔽板50により受光装置40のパッケージ44と受光窓46との接合部を保護する構成としているため、耐光性の高い特別仕様の受光装置を用いる必要がなく、受光装置40のコストを抑えることができる。
本実施の形態によれば、光拡散板38を用いて、光導波路34から出力されるピーク強度の高い光を拡散させてから受光するため、受光装置40が受光可能な有効面積を広く使って感度の高い計測をすることができる。これにより、試験装置10を用いた発光試験の信頼性を高めることができる。
つづいて、試験装置10を用いた試験工程を含む発光装置60の製造方法について述べる。まず、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系の半導体材料で構成される半導体発光素子を作成し、作成した発光素子をLEDパッケージ内に封入することで発光装置60を製造する。つづいて、試験装置10を用いて発光装置60の点灯試験を実行する。点灯試験では、発光装置60から出力される光が光量フィルタ36、光導波路34および光拡散板38を介して受光装置40で受光され、発光装置60の光出力が試験される。この試験工程は、特性を安定化させ、規格外品または不良品などを排除するために高温環境下で一定時間通電されるバーンイン試験であってもよい。発光装置60は、バーンイン試験を経ることにより完成してもよい。この製造方法によれば、深紫外光による悪影響を受けにくい試験装置10を用いて試験がなされるため、試験工程の信頼性を高めることができ、出荷される発光装置60の信頼性を高めることができる。
以上、本発明を実施例にもとづいて説明した。本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
上述の実施の形態では、一つの恒温装置12を用いた試験装置10について述べた。変形例においては、試験装置10が複数の恒温装置12を備えてもよい。複数の恒温装置12は一列に並べられてもよいし、(例えば2×2などの)マトリックス状に配置されてもよい。複数の保持部20は、複数の恒温装置12のそれぞれに配置されてもよい。複数の恒温装置12を用いることで、異なる温度条件に係る試験を同時に実行することができ、試験効率を高めることができる。
上述の実施の形態では、深紫外光を出力する発光装置60を試験対象とする場合について示した。変形例においては、深紫外光以外の光を出力する発光装置に対して上述の試験装置10を用いてもよい。例えば、360nm~400nmの紫外光を出力する発光装置、400nm~450nmの青色光を出力する発光装置を試験対象としてもよい。緑色、黄色、赤色などの可視光を出力する発光装置を試験対象としてもよいし、赤外光を出力する発光装置を対象としてもよい。
10…試験装置、12…恒温装置、20…保持部、30…導光部、34…光導波路、36…光量フィルタ、38…光拡散板、40…受光装置、48…受光面、50…遮蔽板、60…発光装置。
本発明によれば、信頼性の高い通電試験を提供できる。
Claims (7)
- 試験対象となる発光装置を保持する保持部と、
前記保持部に保持される発光装置から出力される光を導光する光導波路と、
前記光導波路から出力される光を拡散させる光拡散板と、
前記光拡散板により拡散された光を受光する受光装置と、を備えることを特徴とする試験装置。 - 前記保持部および前記保持部に保持される発光装置を内部に収容し、前記発光装置の動作温度を制御するよう構成される恒温装置をさらに備え、
前記受光装置は、前記恒温装置の外部に設けられ、前記光導波路は、前記恒温装置の内部から外部に光を導光することを特徴とする請求項1に記載の試験装置。 - 前記受光装置の受光面の外周領域に向かう光を遮るよう配置される遮蔽板をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の試験装置。
- 前記発光装置は、360nm以下の波長の深紫外光を出力することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の試験装置。
- 前記光導波路は、石英(SiO2)ガラスのロッドで構成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の試験装置。
- 前記光拡散板は、光を拡散させるための凹凸面を有する石英ガラス板であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の試験装置。
- 発光装置から出力される光を光導波路および光拡散板を介して受光装置で受光し、前記発光装置の光出力を試験する工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17860592.9A EP3527998B1 (en) | 2016-10-11 | 2017-09-14 | Test apparatus and method for testing a light-emitting device |
KR1020197013474A KR102326832B1 (ko) | 2016-10-11 | 2017-09-14 | 시험 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
CN201780062931.6A CN109804258A (zh) | 2016-10-11 | 2017-09-14 | 试验装置及发光装置的制造方法 |
US16/378,935 US20190234798A1 (en) | 2016-10-11 | 2019-04-09 | Test device and method of manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016200383A JP6449830B2 (ja) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | 試験装置および発光装置の製造方法 |
JP2016-200383 | 2016-10-11 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US16/378,935 Continuation US20190234798A1 (en) | 2016-10-11 | 2019-04-09 | Test device and method of manufacturing light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018070179A1 true WO2018070179A1 (ja) | 2018-04-19 |
Family
ID=61905461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/033218 WO2018070179A1 (ja) | 2016-10-11 | 2017-09-14 | 試験装置および発光装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190234798A1 (ja) |
EP (1) | EP3527998B1 (ja) |
JP (1) | JP6449830B2 (ja) |
KR (1) | KR102326832B1 (ja) |
CN (1) | CN109804258A (ja) |
TW (1) | TWI663384B (ja) |
WO (1) | WO2018070179A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102472591B1 (ko) | 2018-01-29 | 2022-12-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
KR20210112815A (ko) * | 2020-03-06 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 검사 방법 |
CN113805031B (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-01 | 陕西开尔文测控技术有限公司 | 一种碳化硅动静态测试一体机 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH072933U (ja) * | 1993-06-11 | 1995-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レ−ザ信頼性試験装置 |
JPH0750331A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の評価装置及び評価方法 |
JP2002296115A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Unitec:Kk | 発光体の色調測定方法、及びその測定装置、並びに発光体の光度測定装置 |
JP2011237350A (ja) | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Showa Denko Kk | 発光部品試験モジュールおよび発光部品試験装置 |
JP2013174546A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Sharp Corp | 発光検査装置および発光検査方法 |
WO2014020978A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
WO2015107657A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-23 | パイオニア株式会社 | 光学測定装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2689649B1 (fr) * | 1992-04-07 | 1995-02-10 | Bridgestone Corp | Tuyau souple formant guide d'onde optique et appareil d'éclairage utilisant ledit tuyau. |
US5847822A (en) * | 1995-08-29 | 1998-12-08 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical element inspecting apparatus |
JP4258058B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2009-04-30 | ソニー株式会社 | 円盤状記録媒体の検査装置及び検査方法 |
JP3674504B2 (ja) * | 2000-12-11 | 2005-07-20 | ウシオ電機株式会社 | 分光反射率測定装置および分光反射率測定方法 |
US8174394B2 (en) * | 2001-04-11 | 2012-05-08 | Trutouch Technologies, Inc. | System for noninvasive determination of analytes in tissue |
KR20040110071A (ko) * | 2002-04-23 | 2004-12-29 | 히로무 마에다 | 소형 패키지 분광센서유닛 |
JP4437641B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2010-03-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
EP1860800A1 (en) * | 2002-10-24 | 2007-11-28 | Nakagawa Laboratories, Inc. | Illumination light communication device |
JP2005098765A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Shimadzu Corp | 光源装置及びそれを用いた分析装置 |
KR20170058458A (ko) * | 2003-09-29 | 2017-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
US7911699B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-03-22 | Guardian Industries Corp. | Optical diffuser with UV blocking coating |
US20090233012A1 (en) * | 2005-11-15 | 2009-09-17 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Light Diffusion Plate for Liquid Crystal Display |
JP2008051698A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Yokogawa Electric Corp | 双方向光モジュールおよびこれを用いた光パルス試験器 |
TWI380004B (en) * | 2008-10-20 | 2012-12-21 | Ind Tech Res Inst | Light source detection and control system |
CN102693925B (zh) * | 2011-03-25 | 2016-05-25 | 夏普株式会社 | 半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法 |
CN102252983A (zh) * | 2011-05-09 | 2011-11-23 | 博奥生物有限公司 | 一种深紫外光谱测量和分光光度测量装置 |
JP5794020B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5802511B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2015-10-28 | アルプス電気株式会社 | 光センサモジュール及び光センサ |
JP5882801B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2016-03-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体結晶性評価装置および該方法 |
DE102013218062A1 (de) * | 2013-09-10 | 2015-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Testvorrichtung und Verfahren zum Testen von optoelektronischen Bauelementen |
CN104483729A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-04-01 | 常州市诺金精密机械有限公司 | Uv防护扩散板 |
CN205450191U (zh) * | 2016-03-24 | 2016-08-10 | 佛山市云米电器科技有限公司 | Uv灯寿命检测装置 |
-
2016
- 2016-10-11 JP JP2016200383A patent/JP6449830B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-14 CN CN201780062931.6A patent/CN109804258A/zh active Pending
- 2017-09-14 KR KR1020197013474A patent/KR102326832B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-14 WO PCT/JP2017/033218 patent/WO2018070179A1/ja active Search and Examination
- 2017-09-14 EP EP17860592.9A patent/EP3527998B1/en active Active
- 2017-09-27 TW TW106133156A patent/TWI663384B/zh active
-
2019
- 2019-04-09 US US16/378,935 patent/US20190234798A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH072933U (ja) * | 1993-06-11 | 1995-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レ−ザ信頼性試験装置 |
JPH0750331A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の評価装置及び評価方法 |
JP2002296115A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Unitec:Kk | 発光体の色調測定方法、及びその測定装置、並びに発光体の光度測定装置 |
JP2011237350A (ja) | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Showa Denko Kk | 発光部品試験モジュールおよび発光部品試験装置 |
JP2013174546A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Sharp Corp | 発光検査装置および発光検査方法 |
WO2014020978A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
WO2015107657A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-23 | パイオニア株式会社 | 光学測定装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See also references of EP3527998A4 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3527998A4 (en) | 2020-06-17 |
KR102326832B1 (ko) | 2021-11-17 |
KR20190067853A (ko) | 2019-06-17 |
EP3527998A1 (en) | 2019-08-21 |
CN109804258A (zh) | 2019-05-24 |
US20190234798A1 (en) | 2019-08-01 |
JP6449830B2 (ja) | 2019-01-09 |
JP2018063132A (ja) | 2018-04-19 |
EP3527998B1 (en) | 2024-06-05 |
TWI663384B (zh) | 2019-06-21 |
TW201819871A (zh) | 2018-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI683994B (zh) | 基於複合紫外光led及磷光劑的高光譜校準器 | |
WO2018070179A1 (ja) | 試験装置および発光装置の製造方法 | |
JP5606981B2 (ja) | 光量安定化光源装置 | |
JP5864870B2 (ja) | 光源システム | |
US20140286365A1 (en) | Solid State Lighting Device | |
JP2015014590A (ja) | 積分球 | |
JPWO2011152082A1 (ja) | ソーラーシミュレーターおよび太陽電池検査装置 | |
JP6516484B2 (ja) | 液中溶存物濃度測定装置 | |
JP2019075434A (ja) | プローバ装置およびウェハチャック | |
JP2009236546A (ja) | 標準光源装置 | |
JP2017120200A5 (ja) | ||
WO2014034596A1 (ja) | 照明モニタ装置およびそれを備えた露光装置 | |
JP6277207B2 (ja) | 光学測定装置 | |
TWI608222B (zh) | 光學測定裝置 | |
JP6417723B2 (ja) | 検査装置 | |
JP2011059118A (ja) | 発光素子用検知モジュール及びこれを用いる試験装置 | |
KR20100063851A (ko) | 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법 | |
WO2016117484A1 (ja) | 光ファイバ装置 | |
JP2019086319A (ja) | 試験装置 | |
JP6899755B2 (ja) | 試験装置および発光装置の試験方法 | |
JP7338441B2 (ja) | 光加熱装置 | |
KR20090030674A (ko) | 광 전환물질 측정 시스템 및 그 측정방법, 발광소자제조방법 | |
JP2013011542A (ja) | 検査装置 | |
KR20130092805A (ko) | 광검사장치 | |
JP2014020817A (ja) | 放射温度計用校正装置及び放射温度計の校正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
DPE1 | Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101) | ||
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17860592 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20197013474 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2017860592 Country of ref document: EP Effective date: 20190513 |