JPH072933U

JPH072933U - 半導体レ−ザ信頼性試験装置

Info

Publication number: JPH072933U
Application number: JP036903U
Authority: JP
Inventors: 康藤村; 学吉村; 均寺内
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1993-06-11
Filing date: 1993-06-11
Publication date: 1995-01-17
Also published as: KR950001290A; EP0628830A3; EP0628830A2

Abstract

(57)【要約】【目的】１．０μｍ〜１．６μｍの発光波長の半導体
レ−ザは、従来Ｇｅホトダイオ−ドによって信頼性試験
されていた。Ｇｅホトダイオ−ドは受光面積が広いので
あるが、高温時の暗電流が大きいので、半導体レ−ザの
恒温槽と、ホトダイオ−ドの恒温槽を別にしなければな
らない。ために半導体レ−ザ信頼性試験装置が大きい容
積を必要としていた。より小さくて、より多くの半導体
レ−ザを同時に試験できる装置を提供する。【構成】受光素子としてＩｎＧａＡｓホトダイオ−ド
を用いる。これは高温でも暗電流は小さいので、半導体
レ−ザと同じ恒温槽に入れて、半導体レ−ザとホトダイ
オ−ドを近接させることができる。収納スペースを大幅
に節減でき、より多くの半導体レ−ザを同時に信頼性試
験することができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、光通信システムなどに用いられる半導体レ−ザの信頼性試験装置に関する。光通信用の半導体レ−ザは波長が１．０〜１．６μｍの程度であり、ＩｎＰ系の半導体により構成される。信頼性試験というのは、長時間にわたる半導体レ−ザの発光特性の変化を調べることである。試験すべき半導体レ−ザに駆動電流を流して、一定温度の環境に置き、受光素子により光量をモニタする。

【０００２】

【従来の技術】

従来の発光量測定のための素子はＧｅのホトダイオ−ドであった。これは比較的広い面積の受光面を持つ受光素子であり、半導体レ−ザの光量の全体を受光するのに適している。しかしＧｅホトダイオ−ドは暗電流が大きく温度特性が悪いという難点があった。

【０００３】図１によりＧｅホトダイオ−ドを用いた、従来例に係る半導体レ−ザの信頼性試験装置の構成を説明する。二つの恒温槽１、２が用いられる。第１の恒温槽１は試験すべき半導体レ−ザ１１が複数個収納される。第２の恒温槽２は受光素子として同数のＧｅホトダイオ−ド２１が収納される。被試験体である半導体レ− ザ１１の発光面と、ホトダイオ−ドの受光面とは、ファイバロッド３によって光学的に結合されている。二つの恒温槽は、温度制御ユニット４によって個別に温度制御されている。二つの恒温槽を用いるのは、半導体レ−ザとＧｅホトダイオ −ドを同じ温度環境下におくことができないからである。半導体レ−ザ１１はレ −ザ用恒温槽の中で半導体レ−ザ用基板６に取り付けられる。これらは、半導体レ−ザ制御ユニット５によって電流制御されている。Ｇｅホトダイオ−ド２１はホトダイオ−ド用恒温槽２の中にあり、ダイオ−ド用基板７に取り付けられている。これも半導体レ−ザ制御ユニット５に接続される。

【０００４】半導体レ−ザに電流を流すことにより、半導体レ−ザを発光させ、この光をファイバロッド３を通してＧｅホトダイオ−ド２１に導き光量をモニタする。光量を一定にするように半導体レ−ザの駆動電流を調整するか、あるいは、電流を一定にして光量を測定する。いずれかの方法で半導体レ−ザの長時間にわたる発光特性の変化を調べることができる。

【０００５】一般に、半導体レ−ザの信頼性試験は、高温環境下で、半導体レ−ザを駆動し、駆動電流を一定に保った場合の光出力の変化、あるいは光出力を一定に保つようにした時の駆動電流の変化を評価することによりなされている。前者をＡＣＣ試験（Automatic Current Control ）という。後者をＡＰＣ試験（Automatic Po wer Control ）という。高温にするのは劣化を早めて試験の期間を短縮するためである。ＡＣＣ、ＡＰＣ、いずれの場合でも半導体レ−ザの光出力をモニタし、数％以下の光出力変化を正確にモニタできるホトダイオ−ドが必要である。

【０００６】ホトダイオ−ドは光出力をモニタするのであるから、半導体レ−ザの出力光の全部を受光しなければならない。半導体レ−ザのビ−ム径は出射面から離れるに従い、拡がってゆく。広がり角がかなり大きいので、半導体レ−ザとホトダイオ −ドが離れるとビ−ム径が大きいものになる。ビ−ム径は、半導体レ−ザのＦＦＰ（遠視野像；Far Field Pattern ）の広がり角と、半導体レ−ザチップ面からの距離の積に等しい。半導体レ−ザの光のビ−ム径を小さくするためには、ホトダイオ−ドを半導体レ−ザに接近させれば良いはずである。しかし、半導体レ− ザもホトダイオ−ドもパッケ−ジに収容されており、両者を幾ら接近させても、チップ間の距離が３ｍｍ程度にはなる。

【０００７】一般に半導体レ−ザのＦＦＰは３０°程度の場合が多い。半導体レ−ザの出射面での広がりが０としても、３ｍｍ離れた地点での広がりが約３ｍｍになる。もしも半導体レ−ザの出力の７０％以上をホトダイオ−ドで受光しようとすると、３ｍｍの受光面積を持つホトダイオ−ドが要求される。

【０００８】次にホトダイオ−ドの問題について述べる。１．０〜１．６μｍの発振波長の半導体レ−ザの試験をするのであるから、この波長の光に対して充分な感度のあるホトダイオ−ドを使用しなければならない。Ｇｅホトダイオ−ドはこの波長帯の光に対して感度がある。また、広い受光面のホトダイオ−ドを作ることができる。半導体レ−ザから出た全ての光を受光するには広い受光面を持つということが一番重要である。このため、１．０〜１．６μｍの半導体レ−ザの試験のためには、従来Ｇｅホトダイオ−ドのみが用いられた。これは受光面の直径が３〜１０ｍｍの大きいものが容易に製作でき、そのまま用いて（レンズを使わず）も、半導体レ−ザの光を全て受光することができた。Ｇｅホトダイオ−ドは、広い受光面を持つという点で他にない優れた特徴を持っている。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、Ｇｅホトダイオ−ドは暗電流が大きい。また、暗電流の温度変化も大きい。特に高温では、暗電流が著しく増加する。暗電流は、入射光に比例する光電流と区別できないので、暗電流が大きいと、半導体レ−ザの光量変化を正確にモニタできなくなる。例えば、受光径が３ｍｍのＧｅホトダイオ−ドを、半導体レ−ザの代表的な試験温度である８５℃で使用すると、逆バイアス電圧が１Ｖの時の暗電流が数ｍＡにも達する。数ｍＡといえば、半導体レ−ザからの入射光による光電流と同じレベルである。これでは、ホトダイオ−ドの電流から半導体レ−ザの光強度を求めることができない。つまりこのような高温下で、Ｇｅホトダイオ−ドを使用してはならないということである。暗電流を少なくするためには、Ｇｅホトダイオ−ドは、室温または室温以下に冷却しながら用いる必要がある。であるから、図１のホトダイオ−ド用恒温槽２の温度は室温かそれ以下である。しかも、温度変動がないように温度を精密にコントロ−ルしなければならない。

【００１０】ところが、半導体レ−ザの方は、試験時間を節約し、信頼性試験の結果を早く出すために、加速試験をしなければならない。つまり温度を上げて悪条件下で試験をする必要がある。このために７０℃〜１００℃に加熱した状態で半導体レ− ザの試験をする。例えば半導体レ−ザの温度を８５℃に保って試験する。図１で半導体レ−ザ用恒温槽１はこのような高温状態にある。

【００１１】恒温槽がふたつ必要な理由はここにある。半導体レ−ザは高温に、ホトダイオ −ドは低温にしなければならないからである。恒温槽が二つ必要であるから、これでコスト高になる。また半導体レ−ザとホトダイオ−ドの収容される恒温槽が別々になるので、両者を結ぶためのファイバロッド３が要る。これは直径が５ｍｍ程度のファイバである。ファイバロッドは半導体レ−ザの数だけ必要である。ファイバロッドのために信頼性試験装置のコストが上昇するという問題もある。

【００１２】もう一つの問題は、被試験体の収納個数、密度が低いということである。第１の恒温槽には半導体レ−ザが２次元的に分布している。第２の恒温槽にはホトダイオ−ドが２次元的に分布し、ファイバロッドも２次元的分布をしている。図１で紙面に垂直な方向にも並べることができる。ｘｚ面方向の配列のピッチは２０ｍｍ〜３０ｍｍである。しかし、ファイバロッドで二つの恒温槽を接続しなければならないので、ファイバロッドの方向には、半導体レ−ザを重ねて配置することができない。図１で下向きにＸ軸、横向きにＹ軸をとり、紙面に垂直な方向をＺ軸とする。半導体レ−ザはＸ軸方向と、Ｚ軸方向に並べることができる。Ｘ軸方向の個数をＭ、Ｚ軸方向の個数をＮとすると、全部でＭＮ個の半導体レ−ザの信頼性試験を同時に実行することができる。これを増やすには、恒温槽のＸＺ壁面の面積を広くすれば良い。しかしこれではＹ軸方向の容積が有効に利用されない。Ｙ軸方向には常に１列しか半導体レ−ザを設置することができない。ファイバロッド３の長さは３０〜５０ｍｍある。Ｙ方向の、二つの恒温槽の端から端までの長さは例えば５００ｍｍ程度にもなる。試験体数は、恒温槽のＸＺ壁面積によって制約される。大きい恒温槽を二つ使っても、一台の試験装置で試験できる半導体レ−ザの数は少ない。

【００１３】本考案はこれらの従来技術の難点を克服し、コストを削減でき、試験体の密度を高揚できるような半導体レ−ザ信頼性試験装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】

本考案の半導体レ−ザ信頼性試験装置は、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドを受光素子として用い、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドは半導体レ−ザと同じ恒温槽に互いに対向するように接近させて収容する。ホトダイオ−ドと半導体レ−ザを結合するためのファイバロッドは用いない。代わりに半導体レ−ザの出射面とホトダイオ−ドの受光面の間にレンズを入れると集光性が良くなる。しかしホトダイオ −ドの受光領域が広ければレンズを用いなくても良い。つまり本考案は、

【００１５】受光素子として、Ｇｅホトダイオ−ドではなく、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドを用いる。ホトダイオ−ドは半導体レ−ザと同じ恒温槽内に接近して設ける。ファイバロッドは用いない。半導体レ−ザとホトダイオ−ドの間にレンズを入れるのが望ましい。という特徴を備えている。

【００１６】

【作用】

１．０〜１．６μｍの波長の光に対して、感度のあるホトダイオ−ドとしては、Ｇｅの他に、ＩｎＧａＡｓのホトダイオ−ドもある。しかし従来ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドは、半導体レ−ザ信頼性試験のモニタ用には用いられなかった。半導体レ−ザ信頼性試験用のホトダイオ−ドは広い受光面積を要し、この要求を満たすことができるのは、Ｇｅホトダイオ−ドだけであった。ＩｎＧａＡｓは混晶であるし、欠陥のない広い面積の結晶を成長させることが難しいために、広い受光面のホトダイオ−ドをつくることができなかった。

【００１７】しかし近年結晶成長技術が進歩し、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドでも、１〜３ｍｍの直径の受光面のものが製作できるようになってきた。３ｍｍ直径というと、必要な最少受光面積にかろうじて達している。３ｍｍ直径のＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドを、半導体レ−ザ信頼性試験のモニタとして利用できる可能性が生じた。Ｇｅの場合は、受光面の径を３〜１０ｍｍにすることができる。受光面の点では、ＩｎＧａＡｓはＧｅに及ばない。しかし受光面積が狭くても、半導体レ− ザに接近させれば、半導体レ−ザの光の大部分を受光できる。Ｇｅの場合は、異なる恒温槽に入れるので、半導体レ−ザに接近させるということが不可能であった。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの場合は、同一の恒温槽に入れることができるので、半導体レ−ザにホトダイオ−ドを接近させて配置できる。受光面積が不足する場合は、間にレンズを入れて集光するようにする。

【００１８】ＩｎＧａＡｓのホトダイオ−ドの良い点は、暗電流が極めて小さいということである。また暗電流の温度変化も小さい。半導体レ−ザ試験の標準的な温度である８５℃において、逆バイアス１Ｖでの、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの暗電流は数百ｎＡに過ぎない。Ｇｅホトダイオ−ド（数ｍＡ）の１０^-4程度である。暗電流が光電流に対して充分に小さく、しかも温度による暗電流の変化が小さいので、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドは、半導体レ−ザと同じ恒温槽に入れることができる。同じ恒温槽に入れるので、半導体レ−ザとホトダイオ−ドを接近対向させることができる。恒温槽は一つで済む。また、ファイバロッドは不要になる。これだけでもコストを削減する上で効果がある。

【００１９】しかし本考案の利点はそれだけではない。半導体レ−ザとホトダイオ−ドを対にして、短い空間に収容できるので、軸方向に幾つものホトダイオ−ドと半導体レ−ザの対を並べることができる。つまり配置が３次元的になり、同じ容積の恒温槽でも、収容できる半導体レ−ザとホトダイオ−ドの数が何倍にもなる。同時試験可能な試験体の数を増やすことができる。信頼性試験そのもののコストを低減することができる。

【００２０】

【実施例】

図２、図３によって本考案の実施例に係る半導体レ−ザ信頼性試験装置を説明する。図２に示すように、この試験装置は一つの恒温槽１を持つ。恒温槽１は温度制御ユニット４により、半導体レ−ザの試験温度に保持される。例えば、５０ ℃〜１００℃の範囲のある値に保たれる。恒温槽１の中には、複数の半導体レ− ザ１１が半導体レ−ザ用基板６に取り付けられて配置される。これと同数のＩｎＧａＡｓホトダイオ−ド２１が受光素子用基板７に取り付けられ、半導体レ−ザと接近対向して設けられる。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドは高温でも暗電流が小さいので恒温槽に一緒に入れることができる。

【００２１】半導体レ−ザ１１の発光面と、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ド２１の受光面が対向しているが。この間にはレンズホルダ８によって支持されるレンズ９が設けられる。半導体レ−ザの光がレンズによって集光されてホトダイオ−ドの受光面に入る。半導体レ−ザ制御ユニット５は、半導体レ−ザに電流を流し、ホトダイオ −ドの光電流を検出する。ＡＣＣ試験の場合は、半導体レ−ザの駆動電流を一定にして、ホトダイオ−ドの電流つまり光量を測定することにより信頼性試験を行う。ＡＰＣ試験の場合は、ホトダイオ−ド電流を一定にするように駆動電流を調整し、駆動電流の変化を見ることにより信頼性試験を行う。

【００２２】半導体レ−ザとホトダイオ−ドの組みが対向接近して設けられるので、これらが並ぶ面（ＸＺ面）と垂直な方向（軸方向）にも幾つかの組みを並べることができる。ここに図示したものであれば、軸方向に３組みの半導体レ−ザ・ホトダイオ−ドが並べられている。一対の半導体レ−ザ、基板、レンズ、ホトダイオ−ド、基板の組みでｙ方向の長さは約１００ｍｍ程度である。図１のものがＹ方向には５００ｍｍ必要としたのに比較して、極めて高密度に配置できるということを意味している。

【００２３】Ｘ軸方向の数をＭ、Ｚ軸方向の数をＮとし、Ｙ軸方向の数をＳとすると、半導体レ−ザ・ホトダイオ−ドの対の数が、ＭＮＳとなる。図１のものはＭＮにしかならない。本考案は同じ広さのＸＺ面を持つ恒温槽であっても、Ｙ方向にも素子対を収容できるので、試験体の数をＳ倍に増やすことができる。

【００２４】図３は一対の半導体レ−ザ・ホトダイオ−ドの拡大図である。半導体レ−ザも、ホトダイオ−ドもパッケ−ジの中に封止されるので、チップ同士はあまり接近させることができない。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光面は狭くて充分に半導体レ−ザの光を捕集できないので、レンズで集光している。

【００２５】一例を述べる。恒温槽の温度は８５℃に設定する。これは半導体レ−ザ信頼性試験の標準的な温度である。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光面の直径は２ｍｍである。球レンズ９は、直径６ｍｍのＴａＦ−３レンズである。ホトダイオ− ドのモニタ電流を検出し、半導体レ−ザの光出力が５ｍＷになるように、半導体レ−ザの駆動電流を制御する。そしてある時間毎に、半導体レ−ザの駆動電流を測定する。半導体レ−ザの出射面とレンズ間距離Ｌ₁ と、レンズとホトダイオ− ド受光面距離Ｌ₂ の最適値は、ホトダイオ−ドの受光径と、レンズの屈折率、曲率半径により異なる。Ｌ₁ ＝１〜５ｍｍ、Ｌ₂ ＝１〜１０ｍｍとすることにより、半導体レ−ザの光の７０％以上を、ホトダイオ−ドに入射することが出来る。

【００２６】例えば、Ｌ₁ ＝２．０ｍｍ、Ｌ₂ ＝３．５ｍｍとすると、軸ずれのない場合、結合効率が８０％になる。これは試験のためには充分な比率である。また半導体レ−ザに対してホトダイオ−ドの軸ずれのある場合に結合効率の低下がどれほどになるかを調べた。結果を図４に示す。横軸は軸ずれ量（ｍｍ）である。縦軸は結合効率である。軸ずれが０．５ｍｍまでの範囲であれば、半導体レ−ザとホトダイオ−ドの結合効率が８０％程度を維持することが出来る。これはレンズで集光しているからである。もしもレンズがないと、もっと結合効率が低くなるし、また軸ずれに対する余裕も少なくなる。図４はホトダイオ−ドの受光径が２ｍｍの場合である。これがもしも３ｍｍであると、もっと結合効率も高くなり、軸ずれに対する余裕も増える。

【００２７】図５、図６は他の実施例を示す。これの一つの恒温槽１の中に、半導体レ−ザ１１と、ホトダイオ−ド２１の対を、レンズ９を介し対向するように配置している。レンズはここでは球レンズではない凸レンズになっている（非球レンズ）。恒温槽１の温度は６０℃である。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光径は１ｍｍである。ここでは半導体レ−ザの駆動電流が５０ｍＡで一定になるようにしている。ある一定の時間ごとにホトダイオ−ドのモニタ電流を検出し、半導体レ−ザの光出力を観測する。この実施例においても、半導体レ−ザ・ホトダイオ−ドの対は３次元的に配置され、同一の恒温槽でより多くの半導体レ−ザ信頼性試験を行うことができる。この例ではｙ軸方向に３列になっているから、図１の装置に比較して３倍の収容能力を持つ。恒温槽が一つで、ファイバが不要であるから、装置のコストを低減できる。

【００２８】レンズとしては、球レンズ、非球レンズの他に、セルフォックレンズをも用いることができる。レンズの使用は本考案の要件ではない。

【００２９】本考案は半導体レ−ザとホトダイオ−ドの間にレンズを用いない事も可能である。この場合は恒温槽をより小さくできるし、恒温槽内部の構造もより簡単になる。図７はレンズのない場合の本考案の実施例を示す拡大図である。全体図は省略した。図２や図５のように、半導体レ−ザとホトダイオ−ドの対が三次元的に配置されている。間にレンズがないので、両者をぴったりと接触させることができる。ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光面積が広ければ（径が３ｍｍ程度）このような簡単な構造が適する。

【００３０】

【考案の効果】

本考案の半導体レ−ザ信頼性試験装置は、受光素子としてＧｅホトダイオ−ドではなく、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドを用いるので、ホトダイオ−ドを半導体レ−ザと同じ恒温槽内に設けることができる。半導体レ−ザとホトダイオ−ドの対を、軸方向にも並べることができるようになり、半導体レ−ザとホトダイオ− ドの収納密度を大幅に高揚することができる。一つの装置で同時に試験することのできる半導体レ−ザの個数を増やすことができるので、信頼性試験のコストを下げることができる。また恒温槽が一つでよく、ファイバロッドも不要であるから装置コストも削減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例に係る半導体レ−ザ信頼性試験装置の概
略断面図。

【図２】本考案の実施例に係る半導体レ−ザ信頼性試験
装置の概略断面図。

【図３】図２の内、半導体レ−ザとホトダイオ−ドの対
の拡大断面図。

【図４】本考案の実施例において半導体レ−ザに対して
ホトダイオ−ドが軸ずれしている場合の、結合効率の変
化を示すグラフ。

【図５】本考案の第２の実施例に係る半導体レ−ザ信頼
性試験装置の概略断面図。

【図６】図５の内、半導体レ−ザとホトダイオ−ドの対
の部分の拡大断面図。

【図７】本考案の第３の実施例に係る半導体レ−ザ信頼
性試験装置の半導体レ−ザ・ホトダイオ−ドの対の部分
の拡大断面図。

【符号の説明】

１恒温槽２恒温槽３ファイバロッド４温度制御ユニット５半導体レ−ザ制御ユニット６半導体レ−ザ用基板７受光素子用基板８レンズホルダ９レンズ１１半導体レ−ザ２１ホトダイオ−ド

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】波長が１．０μｍ〜１．６μｍの光を発
生する半導体レ−ザの信頼性を試験するための装置であ
って、試験すべき半導体レ−ザを収容すべき恒温槽と、
同じ恒温槽の中に、半導体レ−ザと対向して設けられる
ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドと、恒温槽の温度を一定に
保持するための温度制御装置と、半導体レ−ザに駆動電
流を流す装置と、ホトダイオ−ドの光電流を監視する装
置を含み、半導体レ−ザで発生した光をＩｎＧａＡｓホ
トダイオ−ドに入射させ、半導体レ−ザの発光強度ある
いは半導体レ−ザの駆動電流を監視するようにした事を
特徴とする半導体レ−ザ信頼性試験装置。
【請求項２】波長が１．０μｍ〜１．６μｍの光を発
生する半導体レ−ザの信頼性を試験するための装置であ
って、試験すべき半導体レ−ザを収容すべき恒温槽と、
同じ恒温槽の中に、半導体レ−ザと対向して設けられる
ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドと、半導体レ−ザの光の出
射面とＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光面の間に設け
られるレンズと、恒温槽の温度を一定に保持するための
温度制御装置と、半導体レ−ザに駆動電流を流す装置
と、ホトダイオ−ドの光電流を監視する装置を含み、半
導体レ−ザで発生した光をレンズで集光して、ＩｎＧａ
Ａｓホトダイオ−ドに入射させ、半導体レ−ザの発光強
度あるいは半導体レ−ザの駆動電流を監視するようにし
た事を特徴とする半導体レ−ザ信頼性試験装置。
【請求項３】波長が１．０μｍ〜１．６μｍの光を発
生する半導体レ−ザの信頼性を試験するための装置であ
って、試験すべき半導体レ−ザを収容すべき恒温槽と、
同じ恒温槽の中に、半導体レ−ザと対向して設けられる
ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドと、半導体レ−ザの光の出
射面とＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドの受光面の間に設け
られるレンズと、恒温槽の温度を一定に保持するための
温度制御装置と、半導体レ−ザに駆動電流を流す装置
と、ホトダイオ−ドの光電流を監視する装置を含み、半
導体レ−ザとホトダイオ−ドは基板上に二次元的に配置
され、レンズはレンズホルダにより二次元的に配置さ
れ、これらの二次元配置した半導体レ−ザ・ホトダイオ
−ド・レンズの集合が、基板面と垂直な方向に複数個配
置されており、ホトダイオ−ドは半導体レ−ザで発生し
た光をレンズで集光して、ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ド
に入射させ、半導体レ−ザの発光強度あるいは半導体レ
−ザの駆動電流を監視するようにした事を特徴とする半
導体レ−ザ信頼性試験装置。
【請求項４】波長が１．０μｍ〜１．６μｍの光を発
生する半導体レ−ザの信頼性を試験するための装置であ
って、試験すべき半導体レ−ザを収容すべき恒温槽と、
同じ恒温槽の中に、半導体レ−ザと対向して設けられる
ＩｎＧａＡｓホトダイオ−ドと、恒温槽の温度を一定に
保持するための温度制御装置と、半導体レ−ザに駆動電
流を流す装置と、ホトダイオ−ドの光電流を監視する装
置を含み、半導体レ−ザとホトダイオ−ドは基板上に二
次元的に配置され、これらの二次元配置した半導体レ−
ザ・ホトダイオ−ドの集合が、基板面と垂直な方向に複
数個配置されており、半導体レ−ザで発生した光をＩｎ
ＧａＡｓホトダイオ−ドに入射させ、半導体レ−ザの発
光強度あるいは半導体レ−ザの駆動電流を監視するよう
にした事を特徴とする半導体レ−ザ信頼性試験装置。