JPH06317629A - 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード - Google Patents

半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード

Info

Publication number
JPH06317629A
JPH06317629A JP5108254A JP10825493A JPH06317629A JP H06317629 A JPH06317629 A JP H06317629A JP 5108254 A JP5108254 A JP 5108254A JP 10825493 A JP10825493 A JP 10825493A JP H06317629 A JPH06317629 A JP H06317629A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
board
aging
recess
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5108254A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyoshi Tato
伸好 田遠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP5108254A priority Critical patent/JPH06317629A/ja
Publication of JPH06317629A publication Critical patent/JPH06317629A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】多数個のチップキャリア型半導体レーザの迅速
な試験と、自動出力調整の簡易化。 【構成】 導電性材料からなるエージング用ボード12
の一側面12aに多数の凹部13を形成し、この凹部1
3にチップキャリア型半導体レーザ14を固定する。凹
部13の底からボード12の他側面12bに貫通してガ
イド孔と電極挿入孔を設ける。ガイド孔にモニタ用フォ
トダイオード15を装着し、このガイド孔を介して半導
体レーザ14のレーザ光をフォトダイオード15で受光
する。半導体レーザ14の一方の電極はボード12を介
してリード線23に接続され、他方の電極21は電極挿
入孔に挿入され、電極21の先端にリード線22が接続
される。ボード12は1つの恒温槽(高温)に収容され
て試験が行なわれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はチップキャリア型半導体
レーザのエージング方法およびエージング用ボードに関
する。
【0002】
【従来の技術】光通信用の半導体レーザでは、その作製
後に信頼性評価を行なうため、この半導体レーザを高温
の試験用恒温槽に収容して駆動する(これをエージング
またはバーイングという)ことが一般に行なわれてい
る。このエージングに際しては、半導体レーザがモジュ
ールに組込まれて使用されるときと同様に、レーザ光を
モニタ用の受光素子(フォトダイオード)で受光し、駆
動回路を介してレーザ出力を自動調整しながら行なわれ
る。
【0003】ところで、半導体レーザにはチップキャリ
ア型やCDパッケージ型などがある。後者すなわちCD
パッケージ型半導体レーザでは、パッケージに半導体レ
ーザ素子と受光素子が一体化して組み込まれているの
で、この半導体レーザ素子と受光素子を1つの恒温槽に
入れてエージングを比較的簡易に行なうことができる。
しかし、チップキャリア型の半導体レーザでは、その作
製段階で半導体レーザ素子と受光素子を一体化すること
が構造上難しく、このため特別な設備を用いて、モニタ
用の受光素子を半導体レーザとは離れた場所に設置する
ことになるが、この場合種々の問題が生じる。
【0004】図9によって説明すると、所定長の石英バ
ー1の一端に半導体レーザ2が設置されている。この半
導体レーザ2はいわゆるチップキャリア型であって、半
導体レーザ素子3がサブマウントに搭載され、このサブ
マウント4がチップキャリア5に融着されている。そし
て、半導体レーザ2からのレーザ光は石英バー1の端面
に入射するようになされている。
【0005】石英バー1の他端部にはフィルタ6とモニ
タ用のフォトダイオード(Ge−PD)7が配設されて
いる。フォトダイオード7と半導体レーザ2とは、AP
C(自動出力調整)と計測用の回路8およびドライバー
9を介して電気的に接続されている。また、半導体レー
ザ2はエージングを行なうために高温の試験用恒温槽
(図9に示す点線10から右側)に収容される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】チップキャリア型の半
導体レーザ2のエージング方法では、上述のとおりモニ
タ用のフォトダイオード7を石英バー1の端部に設けて
いるが、このフォトダイオード7は、直径が大きくない
と石英バー1から出射されるモニタ光をフォトダイオー
ド7に全て光結合することができない。しかし、フォト
ダイオード7の直径を大きくすることは作製上困難を伴
ないかつコストがかかる。それでも、出来るだけ受光径
の大きなフォトダイオードの作製が試みられているが、
この受光径の大きなフォトダイオードは現状ではGeで
しか作製できない。
【0007】このため、従来はGeにより出来るだけ受
光径の大きいフォトダイオードを作製し、このGeフォ
トダイオードを用いてエージングを行なっている。しか
し、Geフォトダイオードは高温で劣化し易く、この劣
化を防ぐために試験用恒温槽(高温)とは別に低常温高
温槽(図9に示す点線11から左側)を用意して、この
低常温高温槽にGeフォトダイオード7を収容したうえ
で動作させる必要がある。
【0008】上述のように、従来のチップキャリア型半
導体レーザのエージング方法では、モニタ用受光素子と
してGeフォトダイオードを使用するのに伴ない2つの
恒温槽と石英バーとが必要であり、装置が複雑大型化
し、かつ多数の半導体レーザを迅速に試験することが困
難であった。
【0009】本発明は上記の問題点を解決した半導体レ
ーザのエージング方法およびエージング用ボードを提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
素子を載置したサブマウントをチップキャリアに融着し
て構成される半導体レーザを、恒温槽内でエージングす
る半導体レーザのエージング方法において、複数の半導
体レーザが電気的接触を有して取付けられると共に、半
導体レーザのレーザ光を受光する受光素子が搭載された
エージング用ボードを1つの恒温槽内に収容して、複数
の半導体レーザのエージングを行なうことを特徴とす
る。
【0011】また、本発明の半導体レーザのエージング
ボードは、半導体レーザ素子を載置したサブマウントを
チップキャリアに融着して構成される複数の半導体レー
ザ素子を、電気的接触を有してボードに搭載すると共
に、ボードに半導体レーザ素子のレーザ光を受光する複
数個の受光素子を搭載して構成することを特徴とする。
【0012】上記ボードの一側面に凹部を形成して、こ
の凹部に上記半導体レーザを配設し、またボードには半
導体レーザのレーザ光をボードの他側面に透過する孔を
開設し、この孔の先方に上記受光素子を配設するとよ
い。
【0013】上記凹部には上記半導体レーザの電極部の
コンタクト材としてセラミック部材を収容するとよい。
【0014】上記半導体レーザは、クサビ状の金属板に
より凹部の内壁に締付けられる構成とするのがよい。
【0015】また、上記半導体レーザは、上記ボードの
一側面に配設する蓋の突起部に押されて上記凹部に固定
される構成とするのがよい。
【0016】さらに、上記凹部の底から上記ボードの他
側面に貫通する孔を形成し、この孔に装着したソケット
に、当該孔を介して挿入した半導体レーザの電極部を結
合するとよい。
【0017】
【作用】上記の構成によると、別体である半導体レーザ
とモニタ用の受光素子は、エージング用ボードに固定さ
れることで一体化される。また、1枚のボードに多数の
半導体レーザとモニタ用受光素子とが配設され、このボ
ードを1つの試験用恒温槽(高温)に収容し、半導体レ
ーザのレーザ光をモニタ用の受光素子で受光して、多数
の半導体レーザを迅速に試験できる。
【0018】
【実施例】以下本発明の実施例を図を参照して説明す
る。
【0019】図1〜図3は第1実施例を示し、図1は全
体斜視図、図2は一部の破断斜視図、図3は一部の断面
図である。
【0020】各図において、エージング用ボード(以下
ボードという)12は所定の寸法と厚みを有し、かつC
u又はSUS等の導電材料で構成されている。このボー
ド12の一側面12aに四角形の凹部13が前後左右に
所定の間隔をあけて多数形成され、この凹部13に多数
のチップキャリア型の半導体レーザ14が収容されてお
り、ボード12の他側面にはモニタ用のフォトダイオー
ド(非Ge−PD)15が搭載されている。
【0021】さらに説明すると、図2,図3に示された
ように凹部13の底からボード12の他側面12bに貫
通して小径部16aと大径部16bとからなるガイド孔
16が形成されている。この小径部16aと大径部16
bは同心的に形成されている。
【0022】また、ガイド孔16の近傍にも凹部13の
底からボード12の他側面12bに貫通して電極挿入孔
17が形成されている。
【0023】半導体レーザ14は、半導体レーザ素子1
8を搭載したサブマウント19をチップキャリア20に
融着して構成される。そして、半導体レーザ14は、各
図に示すように凹部13に収容され、このとき、半導体
レーザ素子18はガイド孔16の軸線上に位置してい
る。また、電極21は電極挿入孔17を挿通してボード
12の他側面12bに突出している。なお、電極21に
は絶縁被覆が施されていて、導電性材料からなるボード
12と電極21とは絶縁されており、かつ電極21には
リード線22が接続されている。また、半導体レーザ1
4を凹部13に収容することで、半導体レーザ14のP
側(GND)電極は導電性材料からなるボード12に電
気的に接続される。ボード12からはGND側のリード
線23が導出されている。
【0024】フォトダイオード15はその受光面を半導
体レーザ素子18に向けてボード1のガイド孔16の大
径部16bに装着されている。フォトダイオード15か
らはN側とP側(GND)の電極にそれぞれ接続するリ
ード線24,25が導出されている。
【0025】第1実施例の構成によると、一枚のボード
12に形成される多数の凹部13とガイド孔16と電極
挿通孔17を介して、1枚のボード12に多数の半導体
レーザ14とモニタ用のフォトダイオード15が装着さ
れる。この状態でボード12を試験用恒温槽(高温)に
収容し、ACD回路及び計測回路を駆動して多数の半導
体レーザ14のエージングを迅速に行なうことができ
る。
【0026】この場合、フォトダイオード15はボード
12のガイド孔16に支持されて半導体レーザ素子18
に近接して配置されるので、このフォトダイオード15
は小径であってもレーザ光を全て受光できる。したがっ
てフォトダイオード15は小径でよいから非Ge材で構
成できる。このフォトダイオード15は高温でも劣化せ
ず、したがって劣化防止策を施す必要性がないから半導
体レーザ14と同じ試験用恒温槽(高温)に収容でき
る。こうして、第1実施例によると1つの恒温槽を用い
て半導体レーザ14の試験を行うことができる。
【0027】上記の半導体レーザ14はボード12の凹
部13に収容したうえ、エージング時にずれ動かないよ
うに固定する必要がある。図4〜図7は第2実施例〜第
5実施例として、半導体レーザ14の凹部14への固定
手段に特徴のある構成が示されている。
【0028】図4に示す第2実施例では、凹部13の内
径を半導体レーザ14よりも大きく形成してあり、電極
21のある側のチップキャリア20と凹部13の内壁と
の間にセラミック板からなるコンタクト材26が配設さ
れている。そして、コンタクト材26と反対の側におい
て、半導体レーザ14と凹部13の内壁との間隔に充填
材(図示せず)を押し込むことにより、半導体レーザ1
4を矢印で示す方向に押してコンタクト材26に押し付
け、このコンタクト材26を介して半導体レーザ14を
凹部13に固定することができる。なお、この場合、電
極挿入孔17は電極21が動き得るだけの余裕をもたせ
て形成しておくとよい。
【0029】図5に示す第3実施例では、セラミック材
からなるコンタクト材26を用いる点は第2実施例と同
じである。この第3実施例では、半導体レーザ14をコ
ンタクト材26に押し付ける手段として、コンタクト材
26と反対側の凹部13の内壁に開口部が拡径するよう
に傾斜面27が形成されている。
【0030】したがって、この第3実施例によると、凹
部13の開口から半導体レーザ14を押し込むと、この
半導体レーザ14は傾斜面27に沿ってコンタクト材2
6に押し付けられ、半導体レーザ14が凹部13の底に
位置したとき、半導体レーザは14この凹部13にしっ
かりと固定される。
【0031】図6に示す第4実施例では、クサビ状の金
属板28を用いて半導体レーザ14をコンタクト材26
に押し付ける構成とされている。この第4実施例では、
半導体レーザ14を凹部13に挿入した後、コンタクト
材26と反対側において半導体レーザ14と凹部13の
内壁との隙間に上記クサビ状の金属板28を挿入して、
半導体レーザ14をコンタクト材26に押付け、この半
導体レーザ14を凹部13に固定できる。
【0032】図7に示す第5実施例では、ボード12の
前面に蓋29を配置し、この蓋29の裏面に設けた突起
30で半導体レーザ14を押さえる構成とされている。
蓋29にはレーザ光を透過するための窓31が開設され
ている。なお、この第5実施例では第4実施例と同様コ
ンタクト材26が凹部13に挿入されており、凹部13
の内壁には傾斜面27が形成されている。
【0033】したがって、第5実施例によると、蓋29
をボード12の前面に押し付けて、適宜の固定手段(図
示せず)で蓋29をボード12に固定することにより突
起30が半導体レーザ14の端面を押し、半導体レーザ
14はコンタクト材26に押付けられて凹部13ですれ
動くことなくしっかりと固定される。
【0034】つぎに図8にもとづいて、電極21とリー
ド線22との結合に特徴がある第6実施例を説明する。
この第6実施例では、電極挿入孔17にリード線22を
接続したソケット32が挿入固定されていて、半導体レ
ーザ14を凹部13に挿入し、電極21を電極挿入孔1
7を挿入したうえ、ソケット32に嵌め込まれる構成と
されている。
【0035】この第6実施例によると、ソケット32を
介して電極21をリード線22に接続できるので、リー
ド線22と電極21との現場での結合作業が不要であ
り、エージング時の作業がスムーズとなる。
【0036】なお、本発明は上記の実施例に限定され
ず、例えば半導体レーザ14とフォトダイオード15の
ボード12に対する固定手段は図示以外の構成であって
も構わない。
【0037】また、実施例では半導体レーザ14とフォ
トダイオード15をボード12に搭載することで両者が
結合される構成とされる。しかし、これ以外にも、次の
手段が考えられる。例えばフォトダイオードのパッケー
ジに直接半導体レーザを乗せて予め両者を固定し、その
後、両者をエージング用ボードの両側面に貫通して形成
された支持孔に装着する(但し、図示せず)。また、フ
ォトダイオードのパッケージに半導体レーザの固定台を
設け、ネジ止めによりフォトダイオードと半導体レーザ
を固定し、その後、両者をエージング用ボードの両側面
に貫通して形成された支持孔に装着してもよい(但し、
図示省略)。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるとエ
ージング用ボードにチップキャリア型の半導体レーザと
モニタ用の受光素子を搭載して多数個の半導体レーザの
試験を迅速に行なうことができる。また、本発明による
と、モニタ用の受光素子を半導体レーザ素子に近接配置
することが可能なので受光素子の直径が小さくても十分
な光結合が得られ、この受光素子を高温でも劣化のおそ
れがない非Geの半導体受光素子によって形成できる。
したがって、半導体レーザと受光素子とを1つの試験用
恒温槽(高温)に収容して試験ができ、試験設備の簡易
化が可能となる。さらに、従来の石英バーを使用しない
で、ボードにより半導体レーザと受光素子の位置を完全
に固定できるので自動出力調整(APC)を行ないやす
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例に係るエージング用ボードの全体斜
視図である。
【図2】図1の要部を破断して示す拡大斜視図である。
【図3】図1の要部の拡大断面図である。
【図4】第2実施例の断面図である。
【図5】第3実施例の断面図である。
【図6】第4実施例の断面図である。
【図7】第5実施例の断面図である。
【図8】第6実施例の断面図である。
【図9】従来のチップキャリア型半導体レーザのエージ
ング手段の説明図である。
【符号の説明】
12…ボード、13…凹部、14…半導体レーザ、5…
フォトダイオード、16…ガイド孔、17…電極挿入
孔、18…半導体レーザ素子、19…サブマウント、2
0…チップキャリア、21…電極、26…コンタクト
材、27…傾斜面、28…金属板、29…蓋、30…突
起、31…穴、32…ソケット。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザ素子を載置したサブマウン
    トをチップキャリアに融着して構成される半導体レーザ
    を、恒温槽内でエージングする半導体レーザのエージン
    グ方法において、 複数の前記半導体レーザが電気的接触を有して取付けら
    れると共に、前記半導体レーザのレーザ光を受光する受
    光素子が搭載されたエージング用ボードを1つの前記恒
    温槽内に収容して、前記半導体レーザのエージングを行
    なうことを特徴とする半導体レーザのエージング方法。
  2. 【請求項2】 半導体レーザ素子を載置したサブマウン
    トをチップキャリアに融着して構成される複数の半導体
    レーザ素子を、電気的接触を有してボードに搭載すると
    共に、前記ボードに前記半導体レーザ素子のレーザ光を
    受光する複数個の受光素子を搭載して構成される半導体
    レーザのエージング用ボード。
  3. 【請求項3】 前記ボードは、その一側面に形成されて
    おり、前記半導体レーザを固定する凹部と、前記凹部に
    固定された前記半導体レーザのレーザ光を前記ボードの
    他側面に透過する孔を有し、この孔の先方に前記受光素
    子が配設されていることを特徴とする請求項2に記載の
    半導体レーザのエージング用ボード。
  4. 【請求項4】 前記凹部に、前記半導体レーザの電極部
    のコンタクト材としてセラミック部材が収容されている
    ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザのエー
    ジング用ボード。
  5. 【請求項5】 前記半導体レーザは、クサビ状の金属板
    により前記凹部の内壁に締付けられていることを特徴と
    する請求項3に記載の半導体レーザのエージング用ボー
    ド。
  6. 【請求項6】 前記半導体レーザは、前記ボードの一側
    面に配設される蓋の突起部に押されて前記凹部に固定さ
    れていることを特徴とする請求項3に記載のの半導体レ
    ーザのエージング用ボード。
  7. 【請求項7】 前記凹部の底から前記ボードの他側面に
    貫通する孔が形成され、前記孔に装着されたソケットに
    前記孔を介して挿入した半導体レーザの電極部を結合す
    ることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザのエ
    ージング用ボード。
JP5108254A 1993-05-10 1993-05-10 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード Pending JPH06317629A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5108254A JPH06317629A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5108254A JPH06317629A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06317629A true JPH06317629A (ja) 1994-11-15

Family

ID=14480004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5108254A Pending JPH06317629A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06317629A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135245A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Sharp Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
CN101872936A (zh) * 2010-06-09 2010-10-27 中国科学院半导体研究所 半导体激光器老化夹具
CN102023053A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 思达科技股份有限公司 发光元件的测试装置及其感测模块
CN106771693A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 神讯电脑(昆山)有限公司 老化自动测试系统及方法
CN109374257A (zh) * 2018-11-16 2019-02-22 苏州伊欧陆系统集成有限公司 一种边发射激光器测试高低温及恒温使用夹具系统
CN112345873A (zh) * 2020-12-04 2021-02-09 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 半导体激光器低温老化测试装置及低温老化测试方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59222774A (ja) * 1983-06-02 1984-12-14 Shin Nippon Denko Kk 発光素子用試験装置
JPS63281078A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Daito Denshi Kogyo Kk 半導体素子のエ−ジング検査装置
JPS6483165A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Chino Corp Testing apparatus of optical semiconductor element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59222774A (ja) * 1983-06-02 1984-12-14 Shin Nippon Denko Kk 発光素子用試験装置
JPS63281078A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Daito Denshi Kogyo Kk 半導体素子のエ−ジング検査装置
JPS6483165A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Chino Corp Testing apparatus of optical semiconductor element

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135245A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Sharp Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
CN102023053A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 思达科技股份有限公司 发光元件的测试装置及其感测模块
CN101872936A (zh) * 2010-06-09 2010-10-27 中国科学院半导体研究所 半导体激光器老化夹具
CN106771693A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 神讯电脑(昆山)有限公司 老化自动测试系统及方法
CN109374257A (zh) * 2018-11-16 2019-02-22 苏州伊欧陆系统集成有限公司 一种边发射激光器测试高低温及恒温使用夹具系统
CN112345873A (zh) * 2020-12-04 2021-02-09 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 半导体激光器低温老化测试装置及低温老化测试方法
CN112345873B (zh) * 2020-12-04 2023-08-01 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 半导体激光器低温老化测试装置及低温老化测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4768070A (en) Optoelectronics device
US7350979B2 (en) Optical transceiver having an optical receptacle optionally fixed to a frame
CN107005022B (zh) 光学单元、光学单元的固定结构及半导体激光器模块
US6061374A (en) Laser diode integrating enclosure and detector
JPH06317629A (ja) 半導体レーザのエージング方法およびエージング用ボード
KR20170052265A (ko) 다채널 광 모듈 및 그의 제조 방법
US7303340B2 (en) Optoelectronic transmitter module and method for the production thereof
KR100285114B1 (ko) 광반도체장치용리드프레임과광반도체장치
JP2000277843A (ja) 半導体レーザモジュールとその製造方法
US6646291B2 (en) Advanced optical module which enables a surface mount configuration
JPH11295560A (ja) 光通信用モジュール及びその検査方法
JP2004295097A (ja) 光モジュール及びその製造方法
JPH10321685A (ja) 半導体素子の試験方法および試験装置
US5617036A (en) Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly
WO1996026450A1 (en) Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly
US20220052508A1 (en) Package self-heating using multi-channel laser
JP2005037947A (ja) 光パッケージ用の一体型ファイバ取り付けパッド
JPS62169488A (ja) 光電子装置
JPH0436630A (ja) 寿命試験装置
JP3760923B2 (ja) 光モジュールの製造方法
JP2000353844A (ja) 半導体試験用治具、半導体試験装置および半導体試験方法
JP3318083B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2528402Y2 (ja) 光モジュールの熱交換構造
JP2967003B2 (ja) 光半導体モジュールおよびその製造方法
JP3728787B2 (ja) 半導体レーザモジュール