TWI663008B - 切削加工方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種切削加工方法，其切削光學構件之端面，該光學構件包含：偏光器；第1偏光器保護層，其積層於偏光器之第1面上；及第2偏光器保護層，其積層於偏光器之第2面上，且楊氏模數較第1偏光器保護層更低；該切削加工方法包含如下步驟：準備具有旋轉軸、及朝光學構件之端面側突出之切削刃之切削構件；以旋轉軸為中心使上述切削刃自第2偏光器保護層之側朝第1偏光器保護層之側旋轉；藉由使旋轉之切削刃自第2偏光器保護層之側侵入且與光學構件之端面接觸而切削光學構件之端面。

Description

切削加工方法

本發明係關於切削加工方法及切削加工裝置。

本申請案係基於2013年4月9日提交申請之日本專利申請案第2013-81215號及2013年5月10日提交申請之日本專利申請案第2013-100748號主張優先權，其內容係以引用之方式併入本文中。

先前，作為切削加工偏光板等之光學構件之端面之切削加工方法，已知有專利文獻1中記載之切削加工方法。專利文獻1之切削加工方法係記載為，對藉由旋轉之切削刃形成之切削領域，在使其接觸於光學構件之端面而進行切削加工時，使該切削領域中與特定之假想線分離之部分亦接觸於光學構件之端面。根據該方法，可緩和切削刃之壓低作用，而以良好之狀態加工光學構件之端面。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第4954662號公報

另一方面，近年來，隨著液晶顯示裝置之薄型化，偏光板之薄型化也在發展。例如，開發有一種去除成為積層於偏光器之兩面之保護層之三醋酸纖維素(TAC：TriAcetylCellulose)中之一者之TAC之偏 光板(以下，有時稱為薄型偏光板)。

根據本發明者之見解，於包含薄型偏光板之光學構件之端面之切削加工中，若改變旋轉刃之侵入方向，則存在光學構件之端面之龜裂之產生狀況變化之情形。於薄型偏光板中，積層於偏光器之一面上之保護層與積層於另一面上之保護層彼此硬度不同。因此，本發明者查明根據對光學構件使旋轉刃自上側侵入或自下側侵入，偏光器充分地受到保護或未受保護而使光學構件之端面之龜裂之產生狀況變化，而達成本發明。

本發明之態樣係鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可以良好之狀態加工光學構件之端面之切削加工方法及切削加工裝置。

為達成上述之目的，本發明之態樣之切削加工方法及切削加工裝置採用以下之構成。

(1)本發明之第一態樣之切削加工方法係切削光學構件之端面者，該光學構件包含：偏光器；第1偏光器保護層，其積層於上述偏光器之第1面上；第2偏光器保護層，其積層於上述偏光器之第2面上，且楊氏模數較上述第1偏光器保護層更低；該切削加工方法包含準備具有旋轉軸、朝上述光學構件之端面側突出之切削刃之切削構件；以上述旋轉軸為中心使上述切削刃自上述第2偏光器保護層之側朝上述第1偏光器保護層之側旋轉；藉由使旋轉之上述切削刃自上述第2偏光器保護層之側侵入且與上述光學構件之端面接觸而切削上述光學構件之端面。

(2)在上述技術方案(1)之切削加工方法中，可於1次切削加工處理批次完成後，測定切削加工後之光學構件之外形尺寸，以使藉由下一個批次之切削加工處理獲得之光學構件之外形尺寸在所要求之容許範 圍以內之方式，於開始上述下一個批次之切削加工處理前，調整在上述下一個批次中予以切削加工處理之光學構件之端面與上述切削刃之相對位置。

(3)在上述技術方案(1)或(2)之切削加工方法中，可基於熱震試驗之結果決定上述光學構件之切削加工條件，在上述熱震試驗中，於切削加工後之光學構件進行高壓滅菌處理，以60℃~90℃將上述光學構件加熱1小時，將上述貼合體於常溫下放置15分鐘~30分鐘，且將上述貼合體以23℃~40℃水溫於水槽中沉浸30分鐘。

(4)本發明之第二態樣之切削加工裝置係切削光學構件之端面者，包含：切削構件，其具有旋轉軸、及朝上述光學構件之端面側突出之切削刃，使上述切削刃以上述旋轉軸為中心旋轉，藉由使旋轉之上述切削刃與上述光學構件之端面接觸而切削上述光學構件之端面；及外罩，其係以包圍上述切削構件之側面之方式配置；吸引裝置，其藉由吸引上述外罩之內側部分而吸引切削所產生之切屑。

(5)在上述技術方案(4)之切削加工裝置中，可於上述外罩之使上述切削構件露出之開口部之緣部設置有使上述切屑附著之防飛散刷。

(6)在上述技術方案(5)之切削加工裝置中，可進而包含移動裝置，其使上述切削構件對上述光學構件之端面平行地相對移動；且構成為藉由上述移動裝置所引起之上述切削構件與上述光學構件之相對移動，使上述防飛散刷接觸於上述光學構件之端面，藉此剝取附著於上述光學構件之端面之上述切削。

根據本發明之態樣，可提供一種切削加工方法及切削加工裝置，其可以良好之狀態加工光學構件之端面。

1‧‧‧切削加工裝置

2‧‧‧第1加工裝置

3‧‧‧第2加工裝置

4‧‧‧移動裝置

5‧‧‧第1位置調整裝置

6‧‧‧第2位置調整裝置

7‧‧‧控制裝置

8‧‧‧二維測定機

20‧‧‧切削構件

21‧‧‧旋轉軸

22‧‧‧旋轉體

22a‧‧‧設置面

23‧‧‧支持台

24‧‧‧切削刃

24a‧‧‧第1切削刃

24b‧‧‧第2切削刃

24c‧‧‧第3切削刃

24d‧‧‧第4切削刃

24e‧‧‧第5切削刃

24f‧‧‧第6切削刃

40‧‧‧基台

41‧‧‧機架

42‧‧‧平臺

43‧‧‧第1按壓構件

44‧‧‧圓柱體

45‧‧‧第2按壓構件

110‧‧‧測試器

111‧‧‧基台

112‧‧‧比例尺

112a‧‧‧刻度

113‧‧‧支持柱

113a‧‧‧支持軸

114‧‧‧可動臂

115‧‧‧夾具

116‧‧‧振動子

116a‧‧‧支持部

117‧‧‧錘

120‧‧‧作業台

121‧‧‧膠帶

121a‧‧‧膠帶之一端部

121b‧‧‧膠帶之另一端部

121c‧‧‧膠帶之中心線

202‧‧‧第1加工裝置

203‧‧‧外罩

203h‧‧‧開口部

203s‧‧‧內側部分

204‧‧‧吸引裝置

205‧‧‧防飛散刷

F‧‧‧光學構件

Fx‧‧‧光學構件

F1‧‧‧光學構件本體

F1x‧‧‧光學構件本體

F2‧‧‧偏光器

F2x‧‧‧偏光器

F3‧‧‧保護薄膜(第1偏光器保護層)

F3x‧‧‧保護薄膜

F4‧‧‧相位差板(第2偏光器保護層)

F4x‧‧‧相位差板

F5‧‧‧粘著層

F5x‧‧‧粘著層

F6‧‧‧分離膜

F6x‧‧‧分離膜

F7‧‧‧表面保護薄膜

F7x‧‧‧表面保護薄膜

F10‧‧‧偏光板

F11‧‧‧第1粘著層

F12‧‧‧相位差板

F13‧‧‧第2粘著層

F14‧‧‧分離膜

F15‧‧‧表面保護薄膜

Fa‧‧‧光學構件之端面

Fs‧‧‧光學構件之樣本

Fs1‧‧‧樣本

W‧‧‧積層體

Wa‧‧‧端面

V‧‧‧與成為切削對象之積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向

Vf‧‧‧與構成積層體W之光學構件F之短邊方向平行之方向

圖1係顯示第1實施形態之切削加工裝置之立體圖。

圖2係切削構件之側視圖。

圖3係比較例之光學構件之剖面圖。

圖4係本實施形態之光學構件之剖面圖。

圖5係用於說明第1實施形態之切削加工方法之圖。

圖6係用於說明第1實施形態之切削加工方法之其他例之圖。

圖7係顯示第2實施形態之切削加工裝置之立體圖。

圖8係顯示光學構件之長邊方向上之積層體之外形尺寸之變化之圖。

圖9係顯示光學構件之短邊方向上之積層體之外形尺寸之變化之圖。

圖10係測試器之側視圖。

圖11係測試器之前視圖。

圖12係樣本之說明圖。

圖13係(a)~(e)剝離試驗之說明圖。

圖14係熱震試驗之流程圖。

圖15係第3實施形態之第1加工裝置之立體圖。

圖16係第3實施形態之第1加工裝置之俯視圖。

圖17係用於說明吸引裝置之作用之圖。

圖18係用於說明移動裝置及防飛散刷之作用之圖。

以下，雖參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並非限定於以下之實施形態。

另，於以下之全部圖式中，為易於觀察圖式，適當使各構成要件之尺寸或比率等有所不同。又，以下之說明及圖式中，對相同或相當之要件標註相同之符號，省略重複之說明。

(第1實施形態)

圖1係顯示本發明之第1實施形態之切削加工裝置1之立體圖。

切削加工裝置1係用於切削加工光學構件之端面之裝置。於本實施形態中，為了彙總複數個光學構件之端面而切削加工，將重合有複數個光學構件之長方體狀之積層體W之端面Wa作為切削對象。例如，積層體W可藉由將長型之單層薄片或積層薄片之坯布沖孔加工成矩形形狀而獲得。另，切削對象並不限於積層體W，亦可係1個光學構件。

構成積層體W之薄片，雖可列舉聚乙烯醇系薄膜、以三醋酸纖維素為代表之纖維素系薄膜、乙烯-醋酸乙烯系之薄膜等，但並非特別限定。由複數層光學薄膜構成之偏光板，因一片之厚度較厚，故較佳係作為可實現多層薄膜之端面加工之本發明之第1實施形態之切削加工裝置1之切削對象。

如圖1所示，切削加工裝置1包含第1加工裝置2、第2加工裝置3、移動裝置4、第1位置調整裝置5、第2位置調整裝置6、控制裝置7。

第1加工裝置2與第2加工裝置3係夾著移動裝置4而對向配置。

於第1加工裝置2之移動裝置4之側，配置有切削積層體W之端面Wa之切削構件20。於第2加工裝置3之移動裝置4之側，配置有切削積層體W之端面Wa之切削構件20。藉由使第1加工裝置2之切削構件20及第2加工裝置3之切削構件20同時旋轉，可同時統一切削加工積層體W之4個端面Wa中之2個端面Wa。

以下，就切削構件20之構成進行說明。

圖2係切削構件20之側視圖。

如圖2所示，切削構件20包含：旋轉軸21，其係沿積層體W之端面Wa(參照圖1)之法線方向延伸；旋轉體22，其係以旋轉軸21為中心旋轉；支持台23，其支持旋轉軸21；複數個切削刃(例如在本實施形 態中係第1切削刃24a、第2切削刃24b、第3切削刃24c、第4切削刃24d、第5切削刃24e及第6切削刃24f之6個切削刃)，其設置於旋轉體22。於以下之說明中，將第1切削刃24a、第2切削刃24b、第3切削刃24c、第4切削刃24d、第5切削刃24e及第6切削刃24f統稱為「切削刃24」。

旋轉體22係固定於旋轉軸21，且以旋轉軸21為中心朝一方向旋轉。旋轉體22具有相對旋轉軸21垂直之設置面22a。另，旋轉體22雖為圓盤形狀，但並非限定於該形狀。

例如，旋轉體22之直徑為250mm左右。另，旋轉體22之直徑不限於此，作為一例可為150mm以上600mm以下。

切削刃24設置於旋轉體22之設置面22a。切削刃24自設置面22a朝積層體W之端面Wa(參照圖1)之側突出。

切削刃24a~24c係以該順序自設置面22a之突出量變大。第1切削刃24a距旋轉軸21之距離最長且自設置面22a之突出量最小。第3切削刃24c距旋轉軸21之距離最短且自設置面22a之突出量最大。

第1切削刃24a、第2切削刃24b、第4切削刃24d及第5切削刃24e為粗削用之切削刃，包含多結晶金剛石。另一方面，第3切削刃24c及第6切削刃24f為加工用之切削刃，包含單結晶金剛石。另，上述材質係以適於作為切削刃之材質之形態而選定，只要為適於切削加工積層體W之端面Wa(參照圖1)之材質，並非限定於其等。

另，在本實施形態中，切削刃之個數雖為6個，但並非限定於此，可根據自旋轉軸21至切削刃之距離等之各種條件適當變更。然而，自加工效率之觀點來看，切削刃之個數較佳為自旋轉軸21至切削刃之距離越長則越多。又，切削刃之配置雖並非特別限定，但自加工效率之觀點來看，較佳為以特定之間隔自旋轉軸21等距離配置複數個切削刃。

切削刃之形狀並非特別限定，亦可為圓柱狀或角柱狀、剖面具有台形之柱狀、半球狀等。切削刃之形狀或大小，可根據光學構件之尺寸或所要求之加工效率等而適當設定。又，切削刃係只要朝積層體W之端面Wa(參照圖1)之側突出設置，則亦可相對旋轉軸21之軸向傾斜。

回到圖1，移動裝置4包含：基台40；門形之機架41，其設置於基台40上；圓板狀之平臺42，其設置於基台40上；第1按壓構件43，其配置於平臺42上；圓柱體44，其設置於機架41之基台40側；及第2按壓構件45，其安裝於圓柱體44之圓鋼之前端。

移動裝置4使積層體W相對切削構件20沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動。

平臺42使第1按壓構件43可繞著平臺42之中心軸旋轉。圓柱體44使第2按壓構件45可上下移動。積層體W係夾於第1按壓構件43與第2按壓構件45之間而固定。

基台40可以通過第1加工裝置2與第2加工裝置3之間之方式移動。切削時，藉由第1按壓構件43及第2按壓構件45固定積層體W。此時，使積層體W之兩端面之法線方向與第1加工裝置2及第2加工裝置3各自之旋轉軸21之延伸方向一致。且，使旋轉體22旋轉，以積層體W通過第1加工裝置2與第2加工裝置3之間之方式使基台40移動。基台40係藉由未圖示之移動機構，沿與成為切削對象之積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動。

隨著旋轉體22之旋轉，設置於旋轉體22之設置面22a之切削刃24旋轉，切削刃24與積層體W之端面Wa相接，藉此切削端面Wa。

此時，首先，位於旋轉體22之最外側之第1切削刃24a及第4切削刃24d與積層體W接觸，而切削積層體W之端面Wa。基台40行進後，接著設置於較第1切削刃24a及第4切削刃24d更內側之第2切削刃24b及 第5切削刃24e接觸於積層體W，而切削積層體W之端面Wa。第2切削刃24b及第5切削刃24e因較第1切削刃24a及第4切削刃24d突出量更大，故進而更深地切削第1切削刃24a及第4切削刃24d所切削之端面Wa。如此一來，第1切削刃24a、第2切削刃24b、第4切削刃24d及第5切削刃24e逐漸加深地切削積層體W之端面Wa。最後，加工用之第3切削刃24c及第6切削刃24f切削積層體W之端面Wa，進行鏡面加工。如此完成一組對向之端面Wa之處理後，使平臺42旋轉90°，而處理其他端面Wa。

第1位置調整裝置5係用於調整第1加工裝置2之位置之裝置。本實施形態之第1位置調整裝置5使第1加工裝置2僅沿與構成積層體W之光學構件F之短邊方向平行之方向Vf移動。

第2位置調整裝置6係用於調整第2加工裝置3之位置之裝置。本實施形態之第2位置調整裝置6使第2加工裝置3僅沿方向Vf移動。

控制裝置7統括控制第1位置調整裝置5、第2位置調整裝置6。本實施形態之控制裝置7進行第1位置調整裝置5及第2位置調整裝置6之控制，使第1加工裝置2及第2加工裝置3之各者僅沿方向Vf移動。

以下，使用圖3及圖4就構成積層體W之光學構件進行說明。

圖3係比較例之光學構件Fx之剖面圖。圖4係本實施形態之光學構件F之剖面圖。另，為方便圖示，省略圖3及圖4之各層之陰影線。

如圖3所示，比較例之光學構件Fx包含：薄膜狀之光學構件本體F1x；相位差板F4x，其設置於光學構件本體F1x之一面(圖3中為上表面)；粘著層F5x，其設置於相位差板F4x之上表面；分離膜F6x，其介隔粘著層F5x可分離地積層於相位差板F4x之上表面；表面保護薄膜F7x，其積層於光學構件本體F1x之另一面(圖3中為下表面)。光學構件本體F1x係作為偏光板發揮功能。

光學構件本體F1x具有：偏光器F2x；保護薄膜F3x，其積層於偏 光器F2x之兩面。例如，偏光器F2x包含聚乙烯醇(PVA：Poly Vinyl Alcohol)。保護薄膜F3x包含三醋酸纖維素(TAC：TriAcetyl Cellulose)。

如圖4所示，本實施形態之光學構件F包含：薄膜狀之光學構件本體F1；相位差板F4，其設置於光學構件本體F1之一面(圖4中為上表面)；粘著層F5，其設置於相位差板F4之上表面；分離膜F6，其介隔粘著層F5可分離地積層於相位差板F4之上表面；表面保護薄膜F7，其積層於光學構件本體F1之另一面(圖4中為下表面)。光學構件本體F1係作為偏光板發揮功能。

光學構件本體F1具有：偏光器F2；保護薄膜F3，其積層於偏光器F2之一面(圖4中為下表面)上。例如，保護薄膜F3為TAC。

此處，保護薄膜F3相當於第1偏光器保護層。相位差板F4相當於第2偏光器保護層。

另，比較例之保護薄膜F3x與相位差板F4x之貼合，及本實施形態之保護薄膜F3與粘著層F5之間之各層之貼合，亦可藉由水溶液系、有機溶劑溶液系、無溶劑型等適宜之接著劑予以接著。又，比較例之保護薄膜F3x與相位差板F4x之貼合，及本實施形態之偏光器F2與相位差板F4之貼合，亦可藉由感壓接著劑予以接著。

於藉由感壓接著劑接著本實施形態之偏光器F2與相位差板F4之貼合之情形時，可將相位差板F4(第2偏光器保護層)設為感壓接著劑。感壓接著劑之楊氏模數一般可作為剛性模數而求得。不伴隨相對於變形之體積變化之情形時，楊氏模數E與剛性模數G之間，以下之關係式(1)成立。

E=G×3…(1)

本實施形態之光學構件本體F1相對比較例之光學構件本體F1x，採用去除積層於偏光器F2x之兩面上之保護薄膜F3x之中積層於偏光器 F2x之上表面上之保護薄膜F3x之構成。因此，本實施形態之光學構件本體F1，較比較例之光學構件本體F1x厚度薄保護薄膜F3x量。於以下之說明中，有時將本實施形態之光學構件本體F1稱為薄型偏光板。

根據本發明者之見解，於包含薄型偏光板之光學構件之端面之切削加工中，若改變旋轉刃之侵入方向，則存在光學構件之端面之龜裂之產生狀況變化之情形。於薄型偏光板中，積層於偏光器之一面上之保護層與積層於另一面上之保護層彼此硬度不同。因此，本發明者查明根據對光學構件使旋轉刃自上側侵入或自下側侵入，偏光器充分受到保護或未受到保護而使光學構件之端面之龜裂之產生狀況變化，而達成本發明。

以下，就本實施形態之切削加工方法進行說明。

(切削加工方法)

本實施形態之切削加工方法係重合有複數個光學構件之積層體W之端面Wa(參照圖1)之切削加工方法，且係使用圖1及圖2所示之切削加工裝置1進行。

圖5係用於說明本實施形態之切削加工方法之圖。

在圖5中，就將相位差板F4相對偏光器F2配置於上側之情形之切削加工方法進行說明。

圖5之上部係顯示藉由切削構件20之積層體W之端面Wa之切削加工之圖。圖5之中部係圖5之上部之積層體W之端面放大圖。圖5之下部係構成圖5之中部之積層體W之光學構件F之側視圖。

如圖5之上部所示，本實施形態之切削加工方法係藉由旋轉體22順時針旋轉並沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動，而切削積層體W之端面Wa。

如圖5之中部所示，積層體W係積層有複數個光學構件F。如圖5之下部所示，相位差板F4配置於偏光器F2之上表面。回到圖5之中 部，積層體W係自上層側向下層側，於每1個光學構件F依序交替配置有相位差板F4、偏光器F2及保護薄膜F3。

表1係顯示相位差板及TAC(保護薄膜)之楊氏模數[N/mm²]之表。於表1中，MD係搬送薄片之長邊方向(Machine Direction：縱向)之楊氏模數，TD係搬送薄片之短邊方向(Transverse Direction：橫向)之楊氏模數。此處，搬送薄片係指將光學構件沖孔加工成矩形形狀前之長型之薄片。

楊氏模數之測定方法係基於JIS K 7127「塑膠薄膜及薄片之拉伸試驗方法」之1號試驗片而進行。具體而言，自相位差薄膜切出寬度10mm×長度200mm之試驗片，將標線間距離設為100mm，並將此固著於島津製作所社製之萬能試驗機「自動立體測圖儀(Autograph)AG-I」，以拉伸速度50mm/分進行拉伸試驗，而求得楊氏模數。拉伸試驗係分別就將長形膠捲薄膜之機械方向(長度方向、MD)作為長邊而擷取之試驗片、及將長形捲筒薄膜之寬度方向(TD)作為長邊而擷取之試驗片進行。

如表1所示，相位差板之楊氏模數較TAC之楊氏模數更低。MD之楊氏模數較TD之楊氏模數更低。另，獲取楊氏模數之資料時，係使用較低者之資料、即MD之楊氏模數。

本發明者銳意研究之結果發現，藉由使旋轉之切削刃24自楊氏 模數較保護薄膜F3更低之相位差板F4之側侵入，可充分保護偏光器F2而抑制於光學構件F之端面Fa上產生龜裂，從而發明瞭以下之切削加工方法。

本實施形態之切削加工方法係切削光學構件F之端面Fa者，該光學構件F包含：偏光器F2；保護薄膜F3，其積層於偏光器F2之下表面上；相位差板F4，其積層於偏光器F2之上表面上，且楊氏模數較保護薄膜F3更低；該切削加工方法係如下：準備切削構件20，該切削構件20包含：旋轉軸21，其係沿光學構件F之端面Fa之法線方向延伸；及切削刃24，其係朝光學構件F之端面Fa側突出；以旋轉軸21為中心使切削刃24自相位差板F4之側朝保護薄膜F3之側旋轉，藉此使旋轉之切削刃24自相位差板F4之側侵入且與光學構件F之端面Fa接觸而切削光學構件F之端面Fa。

另，旋轉體22之旋轉方向不限於圖5所示之方向(順時針)，亦可如圖6所示為逆時針。

圖6係用於說明本實施形態之切削加工方法之其他例之圖。

於圖6中，就將相位差板F4相對偏光器F2配置於下側之情形之切削加工方法進行說明。

圖6之上部係顯示藉由切削構件20之積層體W之端面Wa之切削加工之圖。圖6之中部係圖6之上部之積層體W之端面放大圖。圖6之下部係構成圖6之中部之積層體W之光學構件F之側視圖。

如圖6之上部所示，本實施形態之切削加工方法係藉由使旋轉體22逆時針旋轉並沿與積層體W之端面之長邊方向平行之方向V移動，而切削積層體W之端面Wa。

如圖6之中部所示，積層體W係積層有複數個光學構件F。如圖6之下部所示，相位差板F4配置於偏光器F2之下表面。回到圖6之中部，積層體W係自下層側向上層側於每1個光學構件F交替配置有相位 差板F4、偏光器F2及保護薄膜F3。

如此即使為使旋轉體22逆時針旋轉之情形，藉由使旋轉之切削刃24自楊氏模數較保護薄膜F3更低之相位差板F4之側侵入，仍可充分保護偏光器F2而抑制於光學構件F之端面Fa產生龜裂。

根據以上說明之本實施形態，使旋轉之切削刃24自楊氏模數較保護薄膜F3更低之相位差板F4之側侵入，藉此，可充分保護偏光器F2而可抑制積層體W之端面Wa之龜裂之發生。從而，可以良好之狀態加工積層體W之端面Wa。

另，於本實施形態中，雖列舉移動裝置4使積層體W對切削構件20沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動之例進行說明，但不限於此。亦可為移動裝置使切削構件對積層體之端面沿與積層體之端面之長邊方向平行之方向移動。即，只要為移動裝置使切削構件對積層體之端面沿與積層體之端面之長邊方向平行之方向相對移動之構成即可。

(第2實施形態)

接著，就第2實施形態之切削加工裝置1之構成進行說明。圖7係顯示本實施形態之切削加工裝置1之立體圖。於圖7中，對與第1實施形態共通之構成要件，標註相同之符號，省略其詳細說明。

如圖7所示，本實施形態之切削加工裝置1係與第1實施形態之切削加工裝置1相同之構成。於切削加工裝置1之附近，配置有二維測定機8。

二維測定機8係利用由未圖示之攝像機拍攝之攝像圖像與XY平臺之位置資訊，不與積層體W接觸，測定積層體W之端面Wa之二維座標者。於本實施形態中，二維測定機8測定積層體W之端面Wa之面內(端面Wa之上部、端面Wa之中央部、端面Wa之下部)之光學構件F之長邊及短邊。

控制裝置7基於二維測定機8之測定結果，進行第1位置調整裝置5及第2位置調整裝置6之控制，使第1加工裝置2及第2加工裝置3之各者僅沿方向Vf移動。

(切削加工方法)

以下，就本實施形態之切削加工方法進行說明。

本實施形態之切削加工方法係使用圖7所示之切削加工裝置1及二維測定機8而進行。

本實施形態之切削加工方法係與第1實施形態相同，藉由使旋轉體22順時針旋轉並沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動，而切削積層體W之端面Wa。

然而，先前製品規格之容許範圍較廣，例如偏光板之外形尺寸公差為±0.15mm。因此，偏光板之端面之切削加工時之偏光板之外形尺寸之變化幅度收斂於製品規格之容許範圍內，可獲得滿足要求尺寸之偏光板。

然而，近年來，隨著液晶顯示裝置之框架狹窄化，對偏光板之外形尺寸之變化幅度之要求變得嚴苛，例如近年來所要求之偏光板之外形尺寸公差為-0.05mm以上且+0.05mm以下。因此，若只單純切削加工偏光板之端面，則切削加工時之偏光板之外形尺寸之變化幅度超過製品規格之容許範圍，難以滿足近年來嚴苛之尺寸要求。

本發明者銳意研究之結果，查明上述課題之原因為若使旋轉體22旋轉特定之時間，則因旋轉軸21之旋轉驅動或旋轉軸21與軸承(圖示略)之摩擦等之影響而引起熱膨脹，且發現藉由使切削構件20之設定位置以特定時序移動，可獲得滿足尺寸要求之偏光板，從而發明瞭以下之切削加工方法。

本實施形態之切削加工方法係1次切削加工處理批次完成後測定切削加工後之積層體W之外形尺寸，以使藉由下一個批次之切削加工 處理獲得之積層體W之外形尺寸不為超過所要求之容許範圍之外形尺寸之方式(即，以使外形尺寸在容許範圍以內之方式)，於開始下一個批次之切削加工處理前，調整下一個批次中所要切削加工處理之積層體W之端面Wa與切削刃24之相對位置。

此處，所謂1批次係指分別逐次切削加工1個積層體W之4個端面Wa之處理。例如，同時統一切削加工積層體W之4個端面Wa中之2個端面Wa之情形時，首先，切削加工光學構件F之長邊方向之積層體W之2個端面Wa，其後，使平臺42旋轉90°，切削加工光學構件F之短邊方向之積層體W之其餘2個端面Wa，藉此完成1個批次。

以下，使用圖8及圖9就批次數與積層體W之外形尺寸之距基準值之偏差量之關係進行說明。

圖8係顯示光學構件F之長邊方向上之積層體W之外形尺寸之變化之圖。

圖9係顯示光學構件F之短邊方向上之積層體W之外形尺寸之變化之圖。

於圖8及圖9中，橫軸係批次數[次]。於圖8中，縱軸係光學構件F之長邊方向上之積層體W之外形尺寸之距基準值之偏差量[mm]。於圖9中，縱軸係光學構件F之短邊方向上之積層體W之外形尺寸之距基準值之偏差量[mm]。

於圖8及圖9中，「上」係積層體W之端面Wa之上部之測定結果，「中」係積層體W之端面Wa之中央部之測定結果，「下」係積層體W之端面Wa之下部之測定結果。

如圖8及圖9所示，以先前之方法，進行積層體W之端面Wa之切削加工時，隨著批次數之增加，於光學構件F之長邊方向及短邊方向之各者中，積層體W之外形尺寸之距基準值之偏差量變大。因此，若如此繼續增加批次數，則導致切削加工時之偏光板之外形尺寸之變化 幅度超過製品規格之容許範圍(例如偏光板之外形尺寸公差：±0.03mm)。

然而，於本實施形態中，1次切削加工處理批次完成後，作為切削加工後之積層體W之外形尺寸，測定光學構件F之長邊方向及短邊方向之各者之積層體W之外形尺寸，以使藉由下一個批次之切削加工處理獲得之積層體W之外形尺寸不為超過所要求之容許範圍(例如偏光板之外形尺寸公差：±0.03mm)之外形尺寸之方式，於開始下一個批次之切削加工處理前，調整下一個批次中所要切削加工處理之積層體W之端面Wa與切削刃24之相對位置。

在圖8及圖9中，進行4批次至6批次左右之積層體W之端面Wa之切削加工後，藉由使切削構件20之設定位置朝抵消偏差量之方向移動，以免光學構件F之長邊方向及短邊方向之各者中積層體W之外形尺寸之距基準值之偏差量超過容許範圍，而滿足要求尺寸。

如上述說明，根據本實施形態，藉由使切削構件20之設定位置以特定之時序移動，可獲得滿足要求尺寸之光學構件F。

又，藉由利用二維測定機8測定積層體W之端面Wa之面內(端面Wa之上部、端面Wa之中央部、端面Wa之下部)之光學構件F之長邊及短邊，易於構成積層體W之光學構件F之各者中滿足要求尺寸。

根據上述實施形態之切削加工方法，可以良好之狀態加工積層體之端面。然而，上述實施形態之切削加工方法有根據積層體之構成構件、切削加工條件而於所積層之光學構件間發生剝離(層間剝離)之擔憂。該層間剝離有於積層體之端面之切削加工之後被確認之實例，亦有於因製品出貨時於積層體之角部施加衝擊等而剝離保護薄膜時被確認之實例。

作為如此發生層間剝離之實例，有很多實例，但難以設想怎樣之衝擊以怎樣之頻度被附加於積層體。

本發明者銳意研究之結果發現，對構成已實施切削加工處理之積層體之光學構件賦予可設想以上之衝擊，其後，對賦予衝擊之光學構件進行剝離試驗，找出發生光學構件之層間剝離之條件，且藉由將該結果反饋於切削加工方法，可決定可抑制產生層間剝離之切削加工方法之條件。

以下，使用圖10及圖11就用於對光學構件賦予衝擊之測試器之構成進行說明。

圖10係測試器110之側視圖。圖11係測試器110之前視圖。

測試器110係將以JISL-1085、1096為參考規格之「葛爾萊式剛性測試器(電動式)」轉用於衝擊賦予試驗機者。

如圖10及圖11所示，測試器110包含：基台111；比例尺112，其設置於基台111；支持柱113，其設置於基台111；可動臂114，其係由支持柱113支持為可上下移動；夾具115，其安裝於可動臂114；振動子116，其係以支持柱113之支持軸113a為中心可旋轉地被支持；錘117，其安裝於振動子116之支持部116a。

於夾具115安裝光學構件之樣本Fs。

以下，使用圖12就樣本Fs之製作方法進行說明。

圖12係樣本Fs之說明圖。

如圖12所示，樣本Fs係藉由使用超級切割機等之切斷機切出端面切削加工完成之俯視矩形之光學構件F之4角而製作。例如，樣本Fs之俯視形狀為等腰三角形，自其底邊至頂點之距離為22mm左右。另，樣本Fs之形狀與尺寸係一例，並不限定於此。

以下，就使用測試器110於樣本Fs賦予衝擊之方法進行說明。

(1)首先，於振動子116之支持部116a安裝200g之錘117(參照圖10及圖11)。

(2)其後，於夾具115安裝樣本Fs。此時，使等腰三角形之樣本Fs 之底邊部分保持於夾具115(參照圖10及圖11)。

(3)接著，將振動子116之前端對準於比例尺112之刻度112a(參照圖11)，而使振動子116傾斜。接著，使振動子116自其位置離開且因自重而旋轉，振動子116回到比例尺112之刻度112a側時，阻止振動子116。

(4)重複10次上述(3)之步驟。即，使振動子116往返10次。

以下，使用圖13就剝離試驗進行說明。

圖13(a)係樣本Fs之剖面圖。圖13(b)係顯示樣本Fs之對作業台120之安裝狀態之剖面圖。圖13(c)係顯示樣本Fs之對作業台120之安裝狀態之俯視圖。圖13(d)係顯示膠帶121之對樣本Fs之安裝狀態之俯視圖。圖13(e)係用於說明膠帶121相對作業台120之剝離方向之側視圖。

如圖13(a)所示，樣本Fs包含：偏光板F10；第1粘著層F11，其設置於偏光板F10之一面(圖13(a)中為下表面)；相位差板F12，其設置於第1粘著層F11之下表面；第2粘著層F13，其設置於相位差板F12之下表面；分離膜F14，其介隔第2粘著層F13可分離地積層於相位差板F12之下表面；表面保護薄膜F15，其積層於偏光板F10之另一面(圖13(a)中為上表面)。

首先，如圖13(b)所示，剝離樣本Fs之分離膜F14，將已剝離分離膜F14之樣本Fs1自第2粘著層F13之側貼附於作業台120。例如，作業台120係使用玻璃板。

此時，樣本Fs1之配置係如圖13(c)所示，包含樣本Fs1之頂點(即，等腰三角形之頂點)之部分朝向作業台120側，且，樣本Fs1之底邊(即，等腰三角形之底邊)部分自作業台120之端緣露出些許。

其後，如圖13(d)所示，於包含樣本Fs1之頂點之部分，貼附俯視為長方形之膠帶121之一端部121a(膠帶貼附步驟)。此時，膠帶121之 配置為膠帶121之中心線121c將樣本Fs1之頂角(即，等腰三角形之頂角)二等分。

其後，如圖13(e)所示，將膠帶121自另一端部121b之側相對作業台120之上表面垂直剝離(膠帶剝離步驟)。此時，膠帶121並非慢慢剝離，而是一氣呵成地快速剝離。

其後，重複10次上述膠帶貼附步驟及膠帶剝離步驟。其後，確認樣本Fs1中是否發生層間剝離。且，找出發生層間剝離之條件，將該結果反饋於切削加工方法。

然而，近年來，偏光板所要求之耐久性能變得嚴苛。例如，作為偏光板之耐久性能之評估方法，有規格化為「JIS C 60068-2-14：2011」之「溫度變化試驗方法」。以下，有時將JIS規格之溫度變化試驗方法稱為正規之方法。

然而，根據該方法，因必須以特定週期反復冷熱衝擊，故需要較長時間獲得評估結果。因此，無法於製造條件變更時之效果確認、製品開發等中採取迅速之對策。

本發明者銳意研究之結果發現，藉由將樣本沉浸於水中而強制形成結露狀態，可促進條件形成而縮短試驗時間，且可獲得與JIS規格之方法相同之結果，從而發明瞭以下之切削加工方法。

本實施形態之切削加工方法係基於熱震試驗之結果決定光學構件之切削加工條件，在熱震試驗中，於切削加工後之光學構件進行高壓滅菌處理，將光學構件以60℃~90℃加熱1小時，將貼合體於常溫下放置15分鐘~30分鐘，且將貼合體以23℃~40℃水溫於水槽內沉浸30分鐘。

以下，使用圖14就熱震試驗進行說明。

圖14係熱震試驗之流程圖。

首先，準備樣本。樣本可使用與圖13(a)所示之層構造相同之樣 本(包含如下者：偏光板F10；第1粘著層F11，其設置於偏光板F10之下表面；相位差板F12，其設置於第1粘著層F11之下表面；第2粘著層F13，其設置於相位差板F12之下表面；分離膜F14，其介隔第2粘著層F13可分離地積層於相位差板F12之下表面；表面保護薄膜F15，其積層於偏光板F10之上表面)。例如，樣本之平面形狀為8cm×6cm之長方形。另，樣本之形狀與尺寸係為一例，並不限定於此。

其後，剝離樣本之分離膜，且將已剝離分離膜之樣本自第2粘著層之側貼附於玻璃板。

其後，對貼附於玻璃板之樣本，進行高壓滅菌處理(圖14所示之步驟S1)。高壓滅菌處理係將貼附於玻璃板之樣本放入壓力容器中進行加壓之處理。高壓滅菌處理係用於消除會對試驗結果造成影響之樣本內部之氣泡之處理。例如，高壓釜裝置係使用栗原製作所社製之高壓釜裝置，高壓滅菌處理之條件設為溫度：50℃、壓力：0.5Mpa、處理時間：30分鐘。處理時間包含昇壓時間、保壓時間、減壓時間。保壓時間要確保2分鐘以上。

其後，剝離樣本之表面保護薄膜。其後，將貼附於玻璃板之樣本放入烘爐進行加熱處理(圖14所示之步驟S2)。例如，加熱裝置係使用ESPEC社製之型號為「PR-2KT」，加熱處理之條件設為溫度：80℃、濕度：不限、加熱時間：1小時。

其後，自烘爐取出貼附於玻璃板之樣本，並於常溫下放置15分鐘(圖14所示之步驟S3)。此處，放置時間(15分鐘)係由與龜裂之再現性之平衡而決定。若放置時間較15分鐘過短或過長，則會出現與以正規之方法實施之結果不同之結果。

其後，將貼附於玻璃板之樣本沉浸於水槽中(圖14所示之步驟S4)。藉此，可對樣本強制使其產生龜裂。例如，沉浸之條件設為以使樣本完全沉浸於溫度23℃±1℃之自來水中之狀態沉浸時間：30分 鐘。

其後，自水槽取出貼附於玻璃板之樣本，拭去附著於樣本之水分。其後，以氣槍等附著於樣本並完全吹乾水分。接著，確認樣本上產生之龜裂之出現數、大小。例如，作為確認方法，可使用螢光燈之反射或放大鏡等。

根據本實施形態，可將正規之方法中通常花費750小時左右之試驗時間縮短至2小時左右。再者，可獲得與藉由正規之方法之試驗相同之結果。

(第3實施形態)

其後，就第3實施形態之第1加工裝置202之構成進行說明。圖15係本實施形態之第1加工裝置202之立體圖。圖16係本實施形態之第1加工裝置202之前視圖。於圖15及圖16中，就與第1實施形態共通之構成要件標註相同符號，省略其詳細說明。另，作為第2加工裝置亦具有同樣之構成者，省略其詳細說明。

如圖15及圖16所示，第1加工裝置202包含：切削構件20；外罩203，其係以包圍切削構件20之側向之方式配置；吸引裝置204，其藉由吸引外罩203之內側部分203s而吸引切削所產生之切屑；及防飛散刷205，其設置於外罩203之一部分且使切屑附著。

於外罩203形成有使切削構件20露出之開口部203h。開口部203h係矩形。

防飛散刷205係沿外罩203之開口部203h之4邊配置。另，防飛散刷205之配置位置不限於此，亦可自開口部之1邊沿3邊配置，亦可配置於開口部之各邊之一部分。即，防飛散刷只要配置於外罩之開口部之緣部之至少一部分即可。

防飛散刷205係使用例如馬之鬃毛。另，防飛散刷並不限於此，可使用各種刷子。

如上所述，移動裝置4使積層體W相對切削構件20沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V移動(參照圖1)。於本實施形態中，構成為藉由移動裝置4所引起之切削構件20與積層體W之相對移動，使防飛散刷205接觸於積層體W之端面Wa，藉此剝取附著於積層體W之端面Wa之切屑。

圖17係用於說明吸引裝置204之作用之圖。圖17係與積層體W一同顯示第1加工裝置202之前視圖。

如圖17所示，因外罩203包圍切削構件20之側向，故藉由切削構件20之積層體W之端面Wa之切削所產生之切屑係藉由利用吸引裝置204吸引外罩203之內側部分203s而吸引。

再者，在本實施形態中，因設置於開口部203h之4邊之防飛散刷205包圍積層體W之端面Wa之側向，故因藉由切削構件20之積層體W之端面Wa之切削而飛散之切屑附著於防飛散刷205。

圖18係用於說明移動裝置4(參照圖1)及防飛散刷205之作用之圖。圖18係與積層體W一同顯示第1加工裝置202之俯視圖。於圖18中，為方便，省略移動裝置4之圖示。

如圖18所示，藉由移動裝置4(參照圖1)將積層體W相對切削構件20沿與積層體W之端面Wa之長邊方向平行之方向V(圖18中為上方向)移動。因防飛散刷205設置於外罩203之開口部203h，故於積層體W沿上方向V移動之過程中，防飛散刷205接觸於積層體W之端面Wa。因此，殘存於積層體W之端面Wa之切屑可由防飛散刷205剝取。

如上述說明，根據本實施形態，因吸引裝置204吸引外罩203之內側部分203s，故吸引裝置204之吸引作用在狹窄之空間內發揮。因此，可提高作用於積層體W之端面Wa之吸引力，從而可有效地吸引附著於積層體W之端面Wa之切屑。因此，可以良好之狀態加工積層體W之端面Wa。

再者，因藉由防飛散刷205附著飛散之切屑，故可抑制切屑飛散於外部。

又，藉由移動裝置4及防飛散刷205之作用，殘存於積層體W之端面Wa之切屑被防飛散刷205剝取。因此，可抑制切屑殘存於積層體W之端面Wa。

又，於上述之各實施形態中，雖列舉旋轉軸21沿積層體W之端面Wa(參照圖1)之法線方向延伸之例進行說明，但並不限於此。例如，旋轉軸21亦可相對積層體W之端面Wa傾斜。即，亦可構成為可藉由切削刃24傾斜切削加工積層體W之端面Wa。

以上，雖一邊參照附加圖式一邊就本實施形態之較佳之實施形態例進行說明，但不言而喻，本發明不限定於上述例子。上述之例所示之各構成構件之諸形狀或組合等係一例，於不脫離本發明之主旨之範圍內，可基於設計要求等進行多種變更。

[實施例]

以下，雖顯示本發明之實施例，但本發明並非限定於該等者。

(樣本之製作)

作為比較例及實施例之檢查對象用之樣本，使用具有與圖4所示之光學構件F相同之積層構造之光學構件(包含如下者：光學構件本體F1；相位差板F4，其設置於光學構件本體F1之上表面；粘著層F5，其設置於相位差板F4之上表面；分離膜F6，其介隔粘著層F5可分離地積層於相位差板F4之上表面；及表面保護薄膜F7，其積層於光學構件本體F1之下表面)。光學構件本體F1包含：偏光器F2；及保護薄膜F3，其積層於偏光器F2之下表面上。此處，保護薄膜F3相當於第1偏光器保護層。相位差板F4相當於第2偏光器保護層。

於比較例及實施例中，光學構件使用俯視為長方形者，光學構件之尺寸設為8cm×6cm。光學構件係以將自表面保護薄膜F7至分離 膜F6為朝下而觀察偏光器F2時之逆時針旋轉為正，將俯視為長方形之短邊設為0°，使偏光器F2之吸收軸成為10°之方式，將自薄片狀之坯布切出其一部分作為光學構件而獲得。切出方向設為自保護薄膜之側朝向相位差板之側而切割之方向。

(比較例1)

比較例1之光學構件使用藉由上述擷取而獲得者。不進行比較例1之光學構件之端面研磨。即，不進行光學構件之端面之切削加工。

(比較例2)

比較例2之光學構件係使用藉由對上述切出所獲得之光學構件，使切削構件以旋轉軸為中心自保護薄膜之側旋轉至相位差板之側，而使旋轉之切削刃自保護薄膜之側侵入且與光學構件之端面接觸，藉此切削光學構件之端面者。即，比較例之切削加工方向係與實施例之切削加工方向為反方向。

(實施例)

實施例之光學構件係使用藉由對上述切出所獲得之光學構件，使切削構件以旋轉軸為中心自相位差板之側旋轉至保護薄膜之側，而使旋轉之切削刃自相位差板之側侵入且與光學構件之端面接觸，藉此切削光學構件之剖面者。

(光學構件之端面之龜裂數及龜裂尺寸之評估)

就比較例及實施例之各者，評估光學構件之端面之龜裂數及龜裂尺寸。對光學構件之端面，照射螢光燈，並使用放大鏡目視觀察龜裂。

關於上述評估，於表2顯示結果。

於表2中，「熱震條件」係使用「冷熱衝擊試驗裝置TSA-301L-W」，在高溫條件85℃下曬30分鐘，在低溫條件-40℃下曬30分鐘而進行。另，分別設定將溫度過渡時間設為1分鐘且於溫度過渡時藉由導入外氣而特意使光學構件發生結露之條件(有結露)，與將溫度過渡時 間設為0分鐘且於溫度過渡時不導入外氣而不使光學構件發生結露之條件(無結露)。

「週期數」係熱震試驗之週期數。於有結露之條件下，設為50週期之1種，在無結露之條件下，設為50週期、100週期及400週期之3種。

「試驗n數」係評估個數。

「項目」欄之龜裂數係光學構件之端面上所觀察到之龜裂之數量。max尺寸[mm]係光學構件之端面上所觀察到之龜裂之尺寸之最大長度。比較例及實施例之各者之各項目(龜裂數、max尺寸)顯示全部試驗個數之評估結果之平均值。另，於龜裂數之欄，CL係Count Less之省略，假定龜裂數為600個以上。

評估之結果，根據實施例之光學構件，可確認：較比較例2之光學構件，可明顯減少龜裂數。

於有結露之條件下，根據實施例之光學構件，可確認：較比較例1之光學構件，可明顯減少龜裂數。

另一方面，於無結露之條件下，在實施例之光學構件與比較例1之光學構件中龜裂數為0，確認無龜裂。又，於比較例2之光學構件中，可確認無結露之條件者較有結露之條件者雖龜裂數明顯減少，但龜裂尺寸變大。

根據以上之結果可知，無結露者較有結露者更可抑制光學構件之端面產生龜裂。又，與此相反，有結露者較無結露者更可促進光學構件之端面產生龜裂。

Claims (3)

1. 一種切削加工方法，其係切削光學構件之端面者，該光學構件包含：偏光器；第1偏光器保護層，其積層於上述偏光器之第1面上；第2偏光器保護層，其積層於上述偏光器之第2面上，且楊氏模數較上述第1偏光器保護層低；且該切削加工方法包含如下步驟：準備切削構件，其具有旋轉軸、及朝上述光學構件之端面側突出之切削刃；以上述旋轉軸為中心使上述切削刃自上述第2偏光器保護層之側朝上述第1偏光器保護層之側旋轉；及藉由使旋轉之上述切削刃自上述第2偏光器保護層之側侵入且與上述光學構件之端面接觸而切削上述光學構件之端面。
2. 如請求項1之切削加工方法，其中於1次切削加工處理批次完成後測定切削加工後之光學構件之外形尺寸，以使藉由下一個批次之切削加工處理獲得之光學構件之外形尺寸為所要求之容許範圍內之方式，於開始上述下一個批次之切削加工處理前，調整上述下一個批次所要切削加工處理之光學構件之端面與上述切削刃之相對位置。
3. 如請求項1或2之切削加工方法，其中基於熱震試驗之結果決定上述光學構件之切削加工條件，且在上述熱震試驗中，對切削加工後之光學構件進行高壓滅菌處理，將上述光學構件以60℃~90℃加熱1小時，將上述貼合體於常溫下放置15分鐘~30分鐘，且將上述貼合體以水溫23℃~40℃於水槽中沉浸30分鐘。