TWI656117B - 在發射區域具有電洞傳輸共主體（ｃｏｈｏｓｔ）材料之磷光有機發光裝置 - Google Patents

在發射區域具有電洞傳輸共主體（ｃｏｈｏｓｔ）材料之磷光有機發光裝置 Download PDF

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Abstract

一種改良的OLED，該者包括配置在一陰極與一陽極之間的一發射層，其中該發射層包括一多成份主體材料與一磷光發射材料。該主體材料包括至少一第一主體化合物與一第二主體化合物，其中該第一主體化合物係為一電洞傳輸主體化合物，該者具有通式
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6可能為相同或不同的氟原子、氯原子、氘原子、氰基、三氟甲基、硝基、直鏈或支鏈的烷基(C1-C6)、環烷基(C5-C10)、直鏈或支鏈烷氧基(C1-C6)、環烷氧基(C5~C10)、取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，r1、r4、r5=0、1、2、3、或4，r2、r3、r6=0、1、2或3，n=0或1，且Ar1、Ar2及Ar3可能為相同或不同的，取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，經氘取代的芳香族烴基、經氘取代的芳香族雜環基、或經氘取代的縮合多環芳香族基團。

Description

在發射區域具有電洞傳輸共主體(COHOST)材料之磷光有機發光裝置 發明領域
本發明係關於諸如有機發光裝置(以下簡稱為OLED)之一有機電致發光(electroluminescent)(EL)裝置，及能夠在此種OLED中使用的材料等。
發明背景
包含一有機薄膜層其包括位於一陽極與一陰極之間之一發光層的OLEDs在該技藝中係為知悉的。在此種裝置中，光的發射可能從激子能量獲得的，該者係藉由注入一發光層之電洞與電子之重組而產生。
OLEDs利用薄的有機膜，該者當橫跨該裝置施加一電壓時會發光。一般地，OLEDs係由幾種有機層組成的，其中該等層中至少一者可以藉由橫跨該裝置施加電壓而使其電致發光的。當橫跨一裝置施加電壓時，該陰極有效地還原該等相鄰的有機層(意即，注入電子)，且該陽極有效地氧化該等相鄰的有機層(意即，注入電洞)。電洞與 電子橫跨該裝置分別朝向其等之相反電荷電極遷移。當一電洞與一電子侷限於相同分子上時，重組係期望發生的，且一激子形成。一激子係為具有一激發能態之一侷限的電子-電洞對。當該激子經由一光發射機制在一發光化合物中鬆弛時，光線係發射的(意即，電致發光)。在一些事例中，該激子可能侷限於一激態複合物(excimer)或激態錯合物(exciplex)上。
儘管近來諸如高效重金屬燐光體使用的發現及該所引致在OLED技術中之進展，對於更長的裝置安定性及更高的效率仍然有一持續的需要。一種展示出改良之壽命與效率的經改良OLED裝置，以及可能使用以構建此種OLED的相關聯材料係於此揭露的。
如於此所使用，該術語“有機”包括可能使用以製造有機光電裝置之聚合性材料以及小分子有機材料者。如於此所使用，“小分子”意指不是聚合物之任意有機材料，意即，有機材料其具有具一界定分子量之分子者，且“小分子”實際上可能相當大的。在一些情況下，小分子可能包括重複單元，例如寡聚物。舉例而言，使用一長鏈烷基做為取代基並不將一分子從該“小分子”類移除。小分子亦可能併入到聚合物中，舉例而言做為一聚合物骨架上的側基(pendent group)，或做為骨架之一部分。小分子亦可以做為一樹枝狀聚合物的核心部分，其中該樹枝狀聚合物係由建立在該核心部分上之一序列化學層所組成。樹枝狀聚合物之該核心部分可能為一螢光或磷光小分子發射 器。一樹枝狀聚合物可能為一“小分子”，且其係相信的是現今在該OLEDs領域中使用的所有樹枝狀聚合物係為小分子。
如於此所使用，“頂部”意謂距該基板最遙遠，而“底部”意謂最靠近該基板。其中一第一層係描述為“配置在一第二層上”，該第一層係配置距該基板較遙遠的。在該第一與該第二層之間可能有其他層，除非其係具體指明該第一層係與該第二層“接觸”的。舉例而言，一陰極可能描述為“配置在一陽極上”，即使在其間有各種有機層。
如於此所使用，“溶液加工的”意謂能夠在一液體介質中溶解、分散或傳輸及/或從一液體介質沈積，在溶液或懸浮液形式任一中。
一配位基可能意指為“光活性”的，當其係相信的是該配位基直接促成一發射材料該光活性性質時。一配位基可能意指為“輔助”，當其係相信的是，該配位基不促成一發射材料該光活性性質時，儘管輔助配位基可能改變一光活性配位基的性質。
如於此所使用，且如熟習該項技藝者一般地理解，一第一“最高佔據分子軌域(HOMO)”或”最低未佔據分子軌域(LUMO)”能階係“大於”或“高於”一第二HOMO或LUMO能階，假若該第一能階更接近該真空能階的話。由於電離電位(IP)係測量為相對於一真空能階之一負能量，一較高的HOMO能階對應於具有一較小絕對值的IP(負得較少之一IP)。同樣地，一較高的LUMO能階對應於具有一較 小絕對值的電子親和力(EA)(負得較少之一EA)。在一常規的能階圖上，在該頂部具有真空能階，一材料的LUMO能階係高於相同材料的HOMO能階。一“較高”的HOMO或LUMO能階較諸一“較低”的HOMO或LUMO能階看似更接近此一圖的頂部。
如於此所使用，且如熟習該項技藝者一般地理解，一第一功函數(work function)係“大於”或“高於”一第二功函數，假若該第一功函數具有一更高的絕對值。由於功函數一般地係測量為相對於一真空能階的一負數，此意謂的是，一“較高”的功函數係為更負的。在一常規的能階圖上，在該頂部具有真空能階，一“較高”的功函數係例示為在該向下方向中距該真空能階更遙遠的。因此，HOMO與LUMO能階之定義遵守一不同的常規，相較於功函數而言。如於此所使用，該術語“共主體”，當使用於意指一特定的主體化合物時，意謂的是該特定的主體化合物係與一或多個額外的主體化合物一起使用，以形成在一OLED裝置中的主體材料。
發明概要
本揭露內容提供具有一多成份發射層的OLEDs。在一層面中，本揭露內容之OLED包含一陽極電極、一陰極電極及配置在該陽極電極與該陰極電極之間的一有機電致發光層。該有機電致發光層包含一主體材料與一磷光發射器摻雜材料。該主體材料包含一第一主體化合 物與一第二主體化合物，其中該第一主體化合物係藉由下列通式表示
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6可能為相同或不同的氟原子、氯原子、氘原子、氰基、三氟甲基、硝基、直鏈或支鏈的烷基(C1-C6)、環烷基(C5-C10)、直鏈或支鏈烷氧基(C1-C6)、環烷氧基(C5~C10)、取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，r1、r4、r5=0、1、2、3、或4，r2、r3、r6=0、1、2或3，n=0或1，且Ar1、Ar2及Ar3可能為相同或不同的，取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，經氘取代的芳香族烴基、經氘取代的芳香族雜環基、或經氘取代的縮合多環芳香族基團。
在另一層面，上文描述之該OLED進一步包含配置在該發射層與該陽極之間的一激子/電子阻擋層，其中，該激子/電子阻擋層阻擋激子或電子至少一者，且包 含一材料其係為由該通式H1所表示之該化合物。
本發明人已經發現，併入本揭露內容之教示的該OLED展示一非預期地改良的發光效率。
11、160、415‧‧‧陰極
100、200、300、400‧‧‧OLED
110、410‧‧‧基板
115、430‧‧‧陽極
120‧‧‧電洞注入層/HIL
125、425‧‧‧電洞傳輸層/HTL
130‧‧‧電子阻擋層
135、420‧‧‧發射層/EML
140‧‧‧電洞阻擋層/HBL
145‧‧‧電子傳輸層/ETL
150‧‧‧電子注入層
155‧‧‧保護層
圖1係為一OLED架構的示意性例示。
圖2係為根據本揭露內容之一實施例之一OLED架構的示意例示，在該者中，一電洞傳輸材料係使用做為在一多成份發射層中的共主體材料。
圖3係為針對圖2該裝置之一能階圖，在該者中，該發射層係為一四成份的發射層，其包含根據一實施例之一電洞傳輸共主體材料。
圖4係為針對圖2該裝置之一能階圖，在該者中，該發射層係為一三成份的發射層，其包含根據另一實施例之一電洞傳輸共主體材料。
圖5係為根據另一實施例之一OLED架構的示意例示，在該者中，該電洞傳輸材料可以使用做為在該發射層中的共主體材料，以及做為一激子/電子阻擋層。
圖6係為針對圖5該裝置之一能階圖，在該者中，該電洞傳輸材料係使用做為該激子/電子阻擋層。
圖7係為針對圖5該裝置之一能階圖，在該者中，該電洞傳輸材料係使用做為在該發射層中之一共主體材料，及做為該激子/電子阻擋層。
圖8係為針對實例裝置#5與#6之一複合能階圖。
圖9係為針對實例裝置#7至#16之一複合能階 圖。
圖10係為一倒置型OLED之一示意例示。
圖11顯示在該樣品裝置中使用的一些有機化合物的結構。
詳細說明
在本揭露內容中，HIL意指一電洞注入層；HTL意指一電洞傳輸層；EBL意指一激子/電子阻擋層，該者可能能夠阻擋激子或電子或兩者；EML意指一發射層；HBL意指一電洞阻擋層；且ETL意指一電子傳輸層。
本揭露內容描述一OLED，該者包含一有機電致發光層其包含分散在一主體材料中的一磷光發射器摻雜，其中該主體材料包含一第一主體化合物與一第二主體化合物。該第一主體化合物係為由下列通式表示之一電洞傳輸主體化合物
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6可能為相同或不同的氟原子、氯原子、氘原子、氰基、三氟甲基、硝基、直鏈或支鏈的烷基(C1-C6)、環烷基(C5-C10)、直鏈或支鏈烷氧基 (C1-C6)、環烷氧基(C5~C10)、取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，r1、r4、r5=0、1、2、3、或4，r2、r3、r6=0、1、2或3，n=0或1，且Ar1、Ar2及Ar3可能為相同或不同的，取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，經氘取代的芳香族烴基、經氘取代的芳香族雜環基、或經氘取代的縮合多環芳香族基團。當Ar1、Ar2或Ar3係為一經取代的芳香族烴基、經取代的芳香族雜環基或經取代的多環芳香族基團時，該等取代基團可以為任何非碳或含碳的官能基團，諸如，一芳香族烴基、一芳香族雜環基或一多環的芳香族基團。
該所得到之OLED展示改良的發光效率。根據本揭露內容之一層面，該主體材料還可以包括一第三主體化合物。該第二與第三主體化合物係於下文描述的。
圖1顯示出一OLED 100。該OLED 100可能包括一基板110、一陽極115、一電洞注入層120、一電洞傳輸層125，及電子阻擋層130、一發射層135、一電洞阻擋層140、一電子傳輸層145、一電子注入層150、一保護層155及一陰極160。該陰極160可以為具有一個以上導電層的一化合物陰極。該OLED 100可以藉由按照順序沈積該等描述的層而製造的。這些各種層之性質與功能，以及實 例材料，係於美國專利第7,279,704號中於欄6-10中更詳細描述的，該者之揭露內容係以其整體併入於此以做為參考。
沒有具體描述之結構與材料亦可能使用的，諸如由聚合性材料構成的OLED(PLEDs)，諸如由Friend等人於美國專利第5,247,190號中所揭露者，該者係以其整體併入以做為參考。藉助於進一步實例，具有一單一有機層的OLEDs可能使用的。OLEDs可能堆疊的，舉例而言，如Forrest等人於美國專利第5,707,745號中所描述，該者係以其整體併入以做為參考。該OLED結構可能背離在此揭露內容中所例示之該簡單層狀結構。舉例而言，該基板可能包括一傾斜的反射面以改良輸出耦合(outcoupling)，諸如Forrest等人於美國專利第6,091,195號中所描述之一檯面(mesa)結構，及/或諸如Bulovic等人於美國專利第5,834,893號中所描述之一凹坑(pit)結構，該等者係以其整體併入以做為參考。
除非另有說明，各種實施例之該等層之任一者可能藉由任何適合的方法沈積。對於有機層，較佳的方法包括熱蒸發、噴墨，諸如於美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所描述，該等者係以其整體併入以做為參考，有機氣相沈積(OVPD)，諸如Forrest等人於美國專利第6,337,102號中所描述，該者係以其整體併入以做為參考，及藉由有機蒸氣噴射印刷(OVJP)沈積，諸如於在美國專利第7,431,968號中所描述，該者係以其整體併入以做為參 考。其他適合的沈積方法包括旋塗法及其他基於溶液的製程。基於溶液的製程較佳地係於氮氣或惰性大氣中實行。對於其它層，較佳的方法包括熱蒸發。較佳的圖案化方法包括透過遮罩沈積、冷焊，諸如於美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所描述，該等者係以其整體併入以做為參考，及關聯於諸如噴墨與OVJD之一些沈積方法的圖案化。其他方法亦可能使用的。該被沈積的材料可能經改質的，以使它們相容於一特定的沈積方法。舉例而言，諸如烷基與芳基、支鏈或無支鏈的、且較佳地含有至少3個碳原子的取代基可能在小分子中使用，以提升它們進行溶液加工的能力。取代基其具有20個碳原子或更多者亦可能使用的，而3-20個碳原子係為一較佳的範圍。具不對稱結構之材料較諸那些具有對稱結構者對於溶液加工可能更相稱的，因為非對稱材料可能具有一較低的再結晶傾向。樹枝狀聚合物取代基可能使用以提升小分子進行溶液加工的能力。
按照本發明之實施例製造的裝置可能併入各式各樣的消費產品，包括平板顯示器、電腦監視器、電視、廣告牌、室內或室外照明燈及/或信號號、平視顯示器(heads up displays)、完全透明的顯示器、可撓性顯示器、雷射印表機、電話、手機、個人數位助理(PDA)、筆記型電腦、數位相機、攝錄影機、取景器(viewfinders)、微型顯示器、汽車、大面積的牆、劇院或體育場螢幕、或一標誌。各種控制機制可能使用以控制依照本發明製造之裝 置，包括被動矩陣及主動矩陣。該等裝置許多係意欲在對人類舒適之一溫度範圍中使用，諸如18℃至30℃，且更佳地於室溫下(20-25℃)。
於此描述之該等材料及結構可能在OLED以外的裝置中具有應用的。舉例而言，其他光電裝置，諸如有機太陽能電池與有機光偵測器，可能採用該等材料及結構。更一般地，有機裝置，諸如有機電晶管，可能採用該等材料及結構。
該等術語鹵基、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基、芳香族基及雜芳基對該技藝係為已知的，並在美國專利第7,279,704號中於欄31-32界定的，該者之揭露內容係以其整體併入於此以做為參考。在一有機發光裝置中，該發射層之主體材料提供一固體介質用於傳輸及重組從該陽極與該陰極注入的電荷載體。使用於該主體材料之化合物可以根據其等之電荷傳輸性質分類的。一些主體化合物主要為電子傳輸且其他一些主要為電洞傳輸。雖然主體化合物可以表徵為主要傳輸一種類型的電荷，該化合物亦可能傳輸兩種類型的電荷。
發射器摻雜：
任何適合的磷光摻雜可能在該發射層中使用。下方表5中提供的係為一些實例。在一實施例中，該磷光摻雜係為一磷光發射器材料其包含一磷光有機金屬化合物，當橫跨該材料施加一電壓時，該磷光有機金屬化合物從一三重態(triplet)分子激發態發射磷光輻射。該主體材料 的選擇取決於該磷光發射器摻雜之選擇將變化的。在一些實施例中，該電致發光層含有額外的摻雜。
根據一實施例，該磷光發射器材料係為一有機金屬化合物其選自由磷光有機金屬鉑化合物、有機金屬銥化合物及有機金屬鋨化合物所組成之該群組。該磷光有機金屬化合物可以包括一碳-金屬鍵。該等有機金屬鉑化合物、銥化合物及鋨化合物每一者可以包括一芳香族配位基。
該等磷光有機金屬化合物可以包含在該雜環上具延伸共軛的雜配基複合物(heteroleptic complexes)。此種雜配基銥化合物之實例係於2010年3月11日公告的PCT公開案號WO 2010/028151中描述的，該者之揭露內容係以其整體併入於此以做為參考。
第一主體化合物：
該第一主體化合物係由下列通式(H1)所表示：
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6可能為相同或不同的氟原子、氯原子、氘原子、氰基、三氟甲基、硝基、直鏈或支鏈的烷基(C1-C6)、環烷基(C5-C10)、直鏈或支鏈烷氧基 (C1-C6)、環烷氧基(C5~C10)、取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，r1、r4、r5=0、1、2、3、或4，r2、r3、r6=0、1、2或3，n=0或1，且Ar1、Ar2及Ar3可能為相同或不同的，取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，經氘取代的芳香族烴基、經氘取代的芳香族雜環基、或經氘取代的縮合多環芳香族基團。當Ar1、Ar2或Ar3係為一經取代的芳香族烴基、經取代的芳香族雜環基團或經取代的多環芳香族基團時，該等取代基團可以為任何非碳或含碳的官能基團，諸如，一芳香族烴基、一芳香族雜環基或一多環的芳香族基團。舉例而言，在Ar1、Ar2或Ar3之芳香環結構上的該等取代基團可以為 或之類。
具有分子式(H1)該結構的化合物之實例係如下文所顯示的。該第一主體化合物可以選自由下文所顯示之該等化合物所組成之該群組，其中D代表氘：
化合物H1-9
較佳地，該第一主體化合物之HOMO能階係相對地接近該發射器摻雜的HOMO能階，該者允許該電洞傳輸功能從發射器摻雜材料卸載的(offloading)。這提升了在OLED中該發射器摻雜材料的壽命。因為該第一主體化合物係為一電洞傳輸類型，該第一主體化合物的HOMO能階係高於(較不電負性的)其他共主體材料的HOMO能階。該正確的能階對齊(alignment)允許在該裝置發射層中分開電荷與激子，最小化三重態極化子(polaron)湮滅與非輻射淬滅器的形成。此改良了裝置的效率及壽命。
合成該第一主體化合物之實例：
合成實例1-合成H1-1化合物：在一氮氣大氣下，1.6 g的3,6-二溴-9-苯基-9H-咔唑、2.4 g的9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼戊環-2-基)-9H-咔唑、0.23 g的四(三苯基膦)鈀、6 ml的2M碳酸鉀水溶液、20 ml的甲苯及5 ml的乙醇係放到一反應容器中，然後在回流溫度下加熱並攪拌達5小時。在冷卻至40℃之後，該不溶性材料係藉由過濾移除的，且該過濾液係於減壓下濃縮，以 獲得一粗產物。該粗產物係藉由再結晶而純化(溶劑：甲苯/甲醇)並乾燥，1.76 g(產率：60.9%)的3,6-雙(9'-苯基-9'H-咔唑-3-基)-9-苯基-9H-咔唑(化合物H1-1)係以一棕白色粉末獲得的。
該所獲得的棕白色粉末之結構係藉由NMR確定的。
下列35個氫信號係由1H-NMR(CDCl3)偵測到。δ(ppm)=8.56(2H)、8.49(2H)、8.24-8.26(2H)、7.79-7.81(4H)、7.62-7.67(12H)、7.43-7.55(11H)、7.30-7.33(2H)。
合成實例2-合成H1-2化合物：在一氮氣大氣下，26.1 g的3,6-二溴-9-(苯基-d5)-9H-咔唑、48.7 g的9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼戊環-2-基)-9H-咔唑、2.23 g的四(三苯基膦)鈀、95 ml的2M碳酸鉀水溶液、326 ml的甲苯及82 ml的乙醇係放到一反應容器中，然後在回流溫度下加熱並攪拌達6.5小時。在冷卻至室溫之後，650 ml的甲醇係添加至該溶液，該粗產物係藉由過濾獲得的。該粗產物係溶解在1130 ml的甲苯中，藉由二胺矽(diaminesilica)凝膠與矽凝膠純化。該溶液係於減壓下濃縮。該殘餘產物係藉由再結晶純化(溶劑：甲苯/己烷)，然後以甲醇沖洗並乾燥，32.3 g(產率：69%)的3,6-雙(9'-苯基-9'H-咔唑-3-基)-9-(苯基-d5)-9H-咔唑(化合物H1-2)係以白色粉末獲得的。
該所獲得的白色粉末之結構係藉由NMR確定的。
下列30個氫信號係由1H-NMR(CDCl3)偵測到。δ (ppm)=8.70(2H)、8.60(2H)、8.28(2H)、7.83-7.86(4H)、7.65-7.66(8H)、7.49-7.54(6H)、7.36-7.42(4H)、7.27(2H)。
合成實例3-合成H1-7化合物：在一氮氣大氣下，12.9 g的9-苯基-9H,9'H-[3,3']二咔唑、13.4 g的4-溴碘苯、0.64 g的銅粉末、8.34 g的碳酸鉀、0.49 g的亞硫酸氫鈉及50 ml的鄰-二氯苯係放到一反應容器中，然後於170℃加熱並攪拌達19.5小時。在冷卻至90℃之後，200 ml的甲苯係添加到其中，且不溶性材料係藉由過濾移除。該濾液係於減壓下濃縮，以獲得一粗產物，該粗產物係藉由以甲醇再結晶及乾燥而純化，17.3 g(產率：97%)的9-(4-溴苯基)-9'-苯基-9H,9H’-[3,3']二咔唑係以一白色粉末獲得的。
在氮氣大氣下，17.0 g的9-(4-溴苯基)-9'-苯基-9H,9'H-[3,3']二咔唑、12.3 g的9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼戊環-2-基)-9H-咔唑、1.74 g的四(三苯基膦)鈀、23 ml的2M碳酸鉀水溶液、160 ml的甲苯及40 ml的乙醇係放到反應容器中，然後加熱並於回流溫度下攪拌達13小時。在冷卻至室溫之後，100 ml的甲苯及150 ml的水係添加至其中並攪拌的，且該有機層係以一分液漏斗分離的。該有機層係於硫酸鎂上乾燥，並於減壓下濃縮，以獲得一粗產物。該粗產物係藉由管柱層析法純化(載體：矽凝膠，洗提液：n-己烷/甲苯)且10.4 g(產率：48%)的9'-苯基-9-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-苯基]-9H,9'H-[3,3']二咔唑係以淺黃色粉末獲得的。
該所獲得的淺黃色粉末之結構係藉由NMR確定的。
下列35個氫信號係由1H-NMR(THF-d8)偵測到。δ(ppm)=8.56-8.61(3H)、8.26-8.30(3H)、8.04-8.08(2H)、7.81-7.85(3H)、7.73-7.76(2H)、7.64-7.69(8H)、7.58(1H)、7.48-7.53(5H)、7.36-7.44(5H)、7.25-7.31(3H)。
第二及第三主體化合物：
該第二與第三主體化合物每一者係為一寬能隙主體化合物，該者相較於該化合物H1係更為電子傳輸，且在該分子中可以含有下列基團至少一者：
其中X1至X8係選自C或N；且其中Z1及Z2係為S或O。該第二主體化合物與該第三主體化合物係為不同化合物。
根據本揭露內容之一層面，在該第二與第三主體化合物中任一取代基較佳地係為一未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2 係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。
根據另一實施例，該第二主體化合物可以為一化合物其包含含有苯並融合噻吩之一聯三伸苯者。聯三伸苯係為一種具高三重態能量的聚芳香族烴，但高[pi]-共軛及在該第一單重態與該第一三重態能階之間一相對較小的能量差。此將指出的是，相較於其他具類似三重態能量的芳香族化合物(例如，聯苯)，聯三伸苯具有相對容易到達的HOMO及LUMO能階。使用聯三伸苯及其衍生物做為主體的優勢是，它可以搭載紅色、綠色且甚至藍色磷光摻雜以給予高效率而沒有能量淬滅。聯三伸苯主體可能使用以提供高效率及安定性磷光OLED(PHOLEDs)。參閱Kwong及Alleyene之”Triphenylene Hosts in Phosphorescent Light Emitting Diodes,2006,60 pp,US 2006/0280965 A1”。苯並融合噻吩可能使用做為電洞傳輸有機導體。此外，苯並噻吩之三重態能量，那就是二苯並[b,d]噻吩(於此意指為“二苯並噻吩”)、苯並[b]噻吩及苯並[c]噻吩，係相對高的。苯並融合噻吩與聯三伸苯之一組合做為在PHOLEDs中的主體可能為有益的。更具體地，苯並融合噻吩典型地比電子傳輸係更多電洞傳輸的，且聯三伸苯係比電洞傳輸更多電子傳輸的。所以在一分子中組合這兩個部分可能授予改良的電荷平衡，該者可能改良裝置性能，就壽命、效率及低電壓而論。該兩個部分的不同化學鏈結可以使用以微調該所得到化合物之性質，使其最適於一特定的磷光發射器、裝 置架構及/或製造過程。舉例而言，間-伸苯基鏈結係預期引致較高的三重態能量及較高的溶解度，而對-伸苯基鏈結係預期引致較低的三重態能量及較低的溶解度。
類似於苯並融合噻吩之特徵，苯並融合呋喃典型地亦為具有相對高三重態能量的電洞傳輸材料。苯並融合呋喃之例子包括苯並呋喃與二苯並呋喃。所以，含有聯三伸苯及苯並呋喃兩者之一材料可以有利地使用做為PHOLED中的發射器主體或電洞阻擋材料。含有這兩個基團兩者之一化合物可能授予改良的電子安定作用，該者可能改良伴隨低電壓的裝置安定性與效率。含有苯並呋喃化合物之該聯三伸苯之性質在必要時可能藉由使用不同的化學鏈結鏈接該聯三伸苯與苯並呋喃而微調。
用於該第二主體化合物之該等化合物可能以基團取代的，該等基團不必然為聯三伸苯、苯並融合噻吩及苯並融合呋喃。較佳地，使用做為該化合物之一取代基的任何基團具有一足夠高的三重態能量以維持具有聯三伸苯苯並融合噻吩或苯並融合呋喃的利益(意即該取代基之三重態能量維持苯並融合噻吩、苯並融合呋喃及聯三伸苯的高三重態能量)。可能使用做為該化合物之取代基之此種基團的例子可能包括任合未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2係獨立地選自由 苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。於此描述用於該主體材料之該等化合物具有一足夠高的三重態能量，以適合在具有磷光藍色發射材料之一裝置中使用。
於此所描述之該等化合物取代基係未融合的，藉由此，該等取代基係不融合至該化合物的聯三伸苯、苯並融合呋喃或苯並融合噻吩部分。該等取代基可能任選地為間融合的(inter-fused)(即彼此融合)。
於此提供的材料亦可能在該裝置中授予改良的薄膜形成，當藉由蒸氣沈積與溶液加工兩種方法製造時。特別的，授予改良製作之材料具有一中央的吡啶環，其中苯並融合的亞噻吩(thiophenylene)與聯三伸苯，或苯並呋喃與聯三伸苯係連接至該環。該改良的薄膜形成係認為是在該化合物中極性與非極性環重組的一個結果。
根據另一實施例，該第二及/或第三主體化合物係為含有聯三伸苯的苯並融合噻吩或苯並融合呋喃。含有聯三伸苯之苯並融合噻吩或苯並融合呋喃之例子包括化合物其具有下列分子式(H-IV)、(HV)及(H-VI)之結構者：
X係為S或O。較佳地，R1、R2與R3係為一未融合取代基，該者獨立地選自於CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、 N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1，或無取代作用。R1、R2與R3每一者代表單、二、三或四取代作用，n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。R1、R2與R3中至少一者包括一聯三伸苯基。
具有分子式(H-IV)該結構之化合物的例子包括：
其中X係為S或O。較佳地，X係為S。R1至Rn係獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用。R1至Rn每一者可能代表單、二、三或四取代作用，n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。R1、R2與R3中至少一者包括一聯三伸苯基。
具有分子式(H-V)該結構之化合物的例子包括：
其中X係為S或O。較佳地，X係為S。R1至Rn係獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用。R1至Rn每一者可能代表單、二、三或四取代作用，n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。R1、R2與R3中至少一者包括一聯三伸苯基。
具有分子式(H-VI)該結構之化合物的例子包括：
其中X係為S或O。較佳地，X係為S。R1至Rn係獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用。R1至Rn每一者可能代表單、二、三或四取代作用，n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。R1、R2與R3中至少一者包括一聯三伸苯基。
於此揭露的所有該主體化合物材料係為具有三重態能量其大於磷光摻雜之三重態能量的化合物。此能量組態允許約束該三重激發態在該摻雜上。在該發射層中使用額外的主體材料可能降低該激子與該電荷載體的交互作用，從而降低了激子淬滅，這可能改良裝置的效率及/或壽命。
在該發射層中用於該第二及第三主體化合物之該寬能隙主體化合物具有至少2.0 eV之一HOMO-LUMO能隙。取決於該所使用的磷光摻雜，在一些事例中，該寬能隙主體化合物具有至少2.5 eV之一HOMO-LUMO能隙，且在一些事例中，至少3.0 eV。在一些事例中，該寬能隙主體化合物之HOMO-LUMO能隙係等於或大於該電洞傳輸第一主體化合物者。該寬能隙主體化合物在該發射層中不輕易地傳輸兩種類型的電荷。特別的，該寬能隙主體化合物較諸該電洞傳輸第一主體化合物具有一較低的電洞移動性。該主體化合物較佳地係能夠與該發射層其它成份混合 良好，且能夠促進一非晶薄膜的形成。
針對上文描述之第二及第三主體化合物的合成資訊可以在2009年2月12日公告的PCT公開案號WO 2009/021126中發現，該者之內容係併入於此以做為參考，及在於2010年7月22日公告的WO 2010/083359案號中發現，該者之內容係併入於此以做為參考。
用於該發射層之化合物可能使用任何適合的沈積技術沈積，包括氣相沈積技術，諸如真空熱蒸發。在該發射層中的不同化合物可能單獨或組合沈積的。舉例而言，每一化合物可能個別地於經控制速率下沈積，或者可選地，該等主體化合物中之二或多者可能預混合的且然後一起被蒸發。
於此討論的該多成份發射層之該等成份可以在下列數量中使用，該數量係界定為該總發射層材料之wt.%。根據一實施例，該磷光摻雜可以在0.5-20%中提供的，更佳地在1-10%中，最佳地3-7%。該第一主體化合物較佳地構成不超過25%，且更佳地約10-20%。該第二主體化合物較佳地構成約50-90%，且更佳地約60-80%。該第三主體化合物較佳地構成約10-50%，且更佳地約20-40%。該發射器摻雜與該主體材料在該發射層中的相對數量取決於特定的應用將會變化的。
激子/電子阻擋層：
根據另一層面，本揭露內容之OLED可以進一步包含一激子/電子阻擋層，該者係由上文描述之該通式H1 所表示的化合物之材料所形成的，配置於該發射層與該陽極之間。該激子/電子阻擋層阻擋激子或電子至少一者或兩者。
用於該激子/電子阻擋層之該材料可以選自由下列具有該通式H1之實例化合物所組成之該群組：化合物H1-1；化合物H1-2；化合物H1-3；化合物H1-4；化合物H1-5；化合物H1-6；化合物H1-7；化合物H1-8；化合物H1-9；化合物H1-10；化合物H1-11；化合物H1-12；化合物H1-13；化合物H1-14；化合物H1-15；化合物H1-16；及化合物H1-17。
電洞傳輸層：
根據本揭露內容另一層面之OLED進一步包含至少一配置在該發射層與該陽極之間之一電洞傳輸層。該至少一電洞傳輸層係為一材料其包含該等化合物至少一者，其中該等化合物具有選自下文列舉下列分子式(HTL-I)至(HTL-VI)之一分子式：(HTL-I)係為
其中R11與R12可能為相同或不同，且係獨立地選自由下列所組成之該群組：氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、苯基、具有低級烷基或氘取代基之苯基、具有一 氘原子或低級烷氧基取代基之苯基，其附帶條件為R11與R12中至少一者係為氘原子、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基，苯基、具有低級烷基取代基之苯基、或具有低級烷氧基取代基之苯基；且R13表示氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；(HTL-II)係為
其中R21、R22及R23可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、或具有一低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R24代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A1代表由下列結構分子式(a1)至(i1)任一者所表示之一基團；
在其中，R25代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；(HTL-III)係為
其中R31、R32及R33可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、或具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R34代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基 或氯原子；且A2代表由下列分子式(j1)至(n1)任一者所表示之一基團； (HTL-IV)係為
其中R41與R42可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、或具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R43代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A3代表由下列結構分子式(a2)至(i2)任一者所表示之一基團；
在其中R44代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；(HTL-V)係為
其中R51與R52可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之 苯基、或具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R53代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A4代表由下列結構分子式(j2)至(n2)任一者所表示之一基團； ；及(HTL-VI)係為
其中R61至R69，該者可能為相同或不同的，獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之芳香族烴基、具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基之 一苯基；r61至r69，該者可能為相同或不同的，代表0、1或2。
該術語“低級烷基”與“低級烷氧基”，如於此所使用分別地意謂“C1-4烷基”及“C1-4烷氧基”。
對於分子式(HTL-I)至(HTL-VI)化合物的合成資訊，及分子式(HTL-I)至(HTL-VI)化合物的具體例子係由Tomiyama等人於美國專利第5,707,747號中提供的，該者之內容係併入於此以做為參考。
具有分子式(HTL-I)至(HTL-VI)之結構的化合物之例子包括：
合成例子4：合成N,N,N’,N’-四(聯苯-4-基)-4,4'-二胺聯苯(化合物-1a)：雙(聯苯-4-基)胺10.0 g(31.1mmol)、4,4'-二碘聯苯5.28 g(30.0 mmol)、無水碳酸鉀5.39 g(39.0mmol)、銅粉0.083 g(1.3 mmol)、12 ml的十二烷基苯及24 ml的二甲苯之一混合物係攪拌並加熱的。在二甲苯蒸發之後，該反應混合物係於210-215℃反應達4小時。還更多的銅粉0.083 g(1.3mmol)係添加至該混合物中，額外的反應繼續進行計4.5小時。在冷卻至90℃之後，甲苯係加入到該反應混合物，且該反應混合物係冷卻至室溫。該反應混合物係過濾並以水、甲醇及甲苯沖洗。該沈澱物係以熱甲苯萃取，且甲苯溶液係於真空中濃縮至乾燥。該所獲得之粗產物係藉由再結晶純化。7.38 g(產率：71.7%)的 N,N,N’,N’-四(聯苯-4-基)-4,4'-二胺聯苯(化合物-1a)係獲得的。其熔點為265℃。
合成例子5：合成4',4"-雙[雙(4-聯苯基)胺基]-9,9-二苯基茀(化合物5a)：雙(聯苯-4-基)胺20.30 g(63.16mmol)、9,9-雙(4-碘苯基)茀15.0 g(26.31mmol)、無水碳酸鉀10.91 g(78.92mmol)、銅粉0.17 g(2.63mmol)及30ml的十二烷基苯之一混合物係在氮氣之下於200℃攪拌及加熱計13小時。該反應混合物係藉由HPLC分析，其係證實的是，該單碘-化合物中間體係1%或更少，並假想為一反應性末端。100ml的甲苯係添加到該反應混合物並過濾。一沈澱物係以甲醇及水沖洗。該沈澱物係加入到2000 ml氯苯並加熱至120℃。在冷卻至60℃之後，該混合物係過濾，且該過濾液係濃縮以乾燥。該所獲得之粗產物係藉由氯苯再結晶計3次而純化。該純化產物4',4"-雙[雙(4-聯苯基)胺基]-9,9-二苯基茀(化合物5a)係為17.9 g的灰白色粉末。產率為71%且熔點為324-326℃。
基板：
本發明之該OLED可能在一基板上製備的。在此事例中所意指的基板係為用於支撐該OLED之一基板，且其係較佳地，一平坦的基板，在該基板中，在約400至約700nm的可見光區域的光線具有至少約50%之一透射率。
該基板可能包括一玻璃板、一聚合物板及之類。特別的，該玻璃板可能包括鈉鈣玻璃、含鋇．鍶的玻璃、鉛玻璃、矽酸鋁玻璃、硼矽酸鹽玻璃、硼矽酸鋇玻 璃、石英及之類。該聚合物板可能包括聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚硫化物(polyether sulfide)、聚碸及之類。
電極：
在本發明OLED100中之該陽極3承擔注入電洞進入該電洞注入層、電洞傳輸層或發光層的角色。典型地，該陽極具有4.5 eV或更大之一功函數。適合使用做為該陽極之材料的具體例子包括銦錫氧化物合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦鋅氧化物、金、銀、鉑、銅及之類。該陽極可以藉由從諸如上文所討論的那些電極物質形成薄膜而製備，透過諸如蒸氣沈積法、濺鍍法及之類的一種方法。
當光從該發光層發射時，在該陽極中，該可見光區域之光透射率較佳地係大於10%。該陽極之薄片電阻(sheet resistance)較佳地係為數百Ω/平方或更小。該陽極之薄膜厚度係選擇的，取決於該材料，且典型地係在從約10 nm至約1 μm該範圍中，且較佳地從約10 nm至約200 nm。
該陰極11較佳地包含具有一小的功函數的一材料，為了達成注入一電子到該電子注入層、該電子傳輸層或該發光層之目的。適合使用做為該陰極之材料包括，但不限於：銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-鈧-鋰合金、鎂-銀合金及之類。對於透明或頂部發射裝置，諸如於美國專利第6,548,956號中揭露的一TOLED陰極係為較佳的。
如陽極之該事例，該陰極可以藉由形成一薄膜而製備，透過諸如蒸氣沈積、濺鍍法及之類的一種方法。進一步，實施例其中光線發射係從一陰極側發出者也可以採用。
倒置型OLED：
圖10顯示根據本揭露內容之另一實施例的一倒置型OLED 400。該裝置包括一基板410、一陰極415、發射層420、一電洞傳輸層425及一陽極430。OLED 400可能藉由按照順序沈積該等描述層而製造。因為最普遍的OLED組態具有配置於該陽極上之一陰極，而裝置400具有配置陽極430之下的陰極415，裝置400可能意指為一倒置型OLED。OLED 400亦例示一OLED之實例，在該者中，於圖1之該OLED 100中例示之該等層某些係從該裝置架構中省略了。
OLEDs 100、200、300及400的簡單層狀結構係藉助於非限制性實例提供的，且其係不言而明的是本發明之實施例可能結合各式各樣的其他結構使用的。該所描述之具體材料與結構本質上係為示範性的，且其他材料與結構可能使用的。功能性OLEDs可能實現的，藉由在不同方式中組合描述的各種層，或某些層等可能完全省略，基於該設計、性能及與成本因素。於此沒有具體描述的其它層亦可能含括的。
雖然於此提供之該許多實例描述各種層如同包含一單一材料，其係不言而明的是，材料之組合，或更一 般地一混合物，可能使用的。還有，該等層可能具有各種子層。於此給予該各種層之名稱係非意欲嚴格限制。舉例而言，在裝置400中，電洞傳輸層425傳輸電洞及注入電洞到發射層420內，且可能描述為一電洞傳輸層或一電洞注入層。在一實施例中，一OLED可能描述為具有配置於一陰極與一陽極之間的一“有機層”。此有機層可能包含一單一層，或可能進一步包含多個如描述之不同有機材料層。
實例
本發明藉由參照下面實例與比較實例將進一步詳細描述。然而，本發明係非受限於下面之該等實例。圖9顯示在製成樣品裝置中使用之該特定有機化合物H1-1、H1-2、H1-7、H2、E1、G1、NPD及Alq3實例之化學結構。
氘化化合物H1-2做為共主體材料-實例裝置#1：具有一四成份發射層且具有如圖2中所顯示之該架構的一實驗性綠色PHOLED係構建。該實例裝置#1具有一ITO陽極與一LiF/Al陰極。配置於該兩電極之間的是：100 Å厚的電洞注入層HIL，由化合物LG-101(來自LG化學)製成的；500 Å厚的電洞傳輸層HTL，由NPD製成；300Å厚的四成份發射層EML；100 Å厚的電洞阻擋層HBL，由化合物E1製成；及一400 Å厚的電子傳輸層ETL，由Alq3製成。在裝置#1中，該四成份EML係以三主體化合物形成。該第一主體化合物係為做為一電洞傳輸主體的化合物H1-2。該第二主體化合物係為做為一寬能隙主體的化合物 H2，且該第三主體化合物係為做為一電子傳輸主體的化合物E1。化合物G1係為該綠色發射器摻雜。這些化合物之HOMO-LUMO能階係於下方表1中提供的。
在根據本揭露內容之該示範性裝置中使用的該等有機化合物之功能係於下方表2中提供的。
該發射層之該等成份每一者所使用的數量係於下方表3中提供。該數量係以該發射層的wt.%提供。在該實例裝置#1中，該第一主體化合物H1-2、第二主體化合物H2、第三主體化合物E1及該發射器摻雜G1之濃度分別為15 wt.%、60 wt.%、20 wt.%及5 wt.%。
氘化化合物H1-2做為共主體材料-實例裝置#2：具有如圖2中所顯示之該相同架構且具有一三成份發射層的一第二實驗性綠色PHOLED係構建。該實例裝置#2之該三種成份EML係使用兩種主體化合物形成。該第一主體係為做為該電洞傳輸主體的化合物H1-2。該第二主體係為做為電子傳輸主體之化合物E1。化合物G1係為該綠色發射器摻雜。該發射層該等成份所使用數量係於表3中提供，以該發射層之wt.%。在實例裝置#2中，該第一主體化合物H1-2、該第二主體化合物D1與該發射器摻雜G1之濃度分別為18 wt.%、77wt.%及5 wt.%。
化合物H1-1做為一共主體材料-實例裝置#7：實例裝置#7亦為具有如裝置#1及#2相同的一般架構之一實驗性綠色PHOLED，且具有一四成份的發射層。該實例裝置#7之四成份EML係使用三種主體化合物形成。該第一主體係為做為一電洞傳輸主體的化合物H1-1。該第二主體係為做為一寬能隙主體的化合物H2。該第三主體係為做為一電子傳輸主體的化合物E1。化合物G1係為該綠色發射器摻雜。該發射層該等成份所使用數量係於表3中提供，以該發射層之wt.%。在該實例裝置#7中，該第一主體化合物 H1-1、該第二主體化合物H2、該第三主體化合物E1與該發射器摻雜G1之濃度分別為15 wt.%、60 wt.%、20 wt.%及5 wt.%。
化合物H1-7做為一共主體材料-實例裝置#8：實例裝置#8亦為具有如裝置#1、#2及#7相同的一般架構之一實驗性綠色PHOLED，且具有一三成份的發射層。該實例裝置#8之三成份EML係使用兩種主體化合物形成。該第一主體係為做為一電洞傳輸主體的化合物H1-7。該第二主體係為做為一電子傳輸主體的化合物E1。化合物G1係為該綠色發射器摻雜。該發射層該等成份所使用之數量係於表3中提供，以該發射層之wt.%。在該實例裝置#8中，該第一主體化合物H1-7、該第二主體化合物E1與該發射器摻雜G1之濃度分別為15 wt.%、20 wt.%及5 wt.%。
該實例裝置#1之四成份EML的能階圖係於圖3中顯示的。該實例裝置#2之三成份EML的能階圖係於圖4中顯示的。該實例裝置#7之四成份EML部份及該實例裝置#8之三成份EML部分的能階圖係於圖9中呈現的。圖9中該能階圖超過(over lay)在該許多實例裝置中使用之各種化合物的HOMO-LUMO能階。所以，圖9中之該能階圖係不應代表一特定的樣品裝置。化合物H1-2、H1-1與H1-7之HOMO能階係分別為5.45 eV、5.44 eV及5.49 eV，該等者係高於(或更少的電負性)另外主體材料H2與E1之HOMO能階，分別為5.96與5.73者。該等主體材料H2及E1從而較諸化合物H1-2、H1-1與H1-7更為電子傳輸性的。化合物H1-2、H1-1 與H1-7之HOMO能階係相對接近該發射器摻雜G1之HOMO能階(5.1 eV)，且如上文所討論，此容許該等電洞傳輸主體化合物H1-2、H1-1與H1-7從該發射器摻雜卸載電洞傳輸功能，該者延伸該發射器摻雜材料之壽命。在該等實例裝置#1、#2、#7及#8，由於在該EML中具高達15-18 wt.%之化合物H1-2、H1-1與H1-7及低至5 wt.%之G1，大多數電洞係認為是由該等主體化合物H1-2、H1-1與H1-7傳輸的，此提升電荷載體與激子之分隔，並最小化濃度淬滅及極化子-激子的交互作用。化合物H1-2的三重態能量(2.75 eV)係高於G1的三重態能量(2.4 eV)，且不會造成發射淬滅。
為了比較，兩個對應的參考裝置，CE1及CE2，亦構建及測試的。CE1之發射層具有如實例裝置#1與#7相同的成份H2、E1及G1，但沒有化合物H1-2或H1-1。CE2之發射層具有如實例裝置#2與#8相同的成份E1及G1，但沒有化合物H1-2或H1-7。該等裝置測得的性能參數係顯示於表3中。在EML中具有化合物H1-2、H1-1或H1-7成份之該等實例裝置展示優越的效率與壽命性能，當相較於在該EML中不具有化合物H1-2、H1-1或H1-7之該對應參考裝置CE1與CE2時。該實例裝置#1與#7展示較高的發光效率(LE)與外部量子效率(EQE)及較長壽命(LT97%)，相較於CE1。該實例裝置#2與#8展示較長的壽命(LT97%)，相較於CE2。源自添加一種成份，化合物其係由本揭露內容該通式H1表示者，諸如H1-2、H1-1及H1-7，至該發射層做為一共主體，該等實例裝置大大優越的性能數據係為非預期的。
化合物H1-2、H1-7及H1-1做為一激子/電子阻擋劑(EBL)：實例裝置#3、#9及#10係構建用於測試分別使用化合物H1-2、H1-7及H1-1做為一激子/電子阻擋層。實例裝置#3、#9及#10具有於圖5中顯示之該架構300。實例裝置#3、#9及#10之發射層具有由該主體化合物H2(65 wt.%-68 wt.%)及E1(20 wt.%)及該發射器摻雜化合物G1(15 wt.%-12 wt.%)所組成之一三成份組成物。
化合物H1-2、H1-7及H1-1做為一激子/電子阻擋劑及一共主體材料：實例裝置#4、#5、#6及#11至#16係構建用於測試使用化合物H1-2、H1-7及H1-1做為該發射層中之一電洞傳輸主體材料以及做為一激子/電子阻擋層。這些實例裝置亦具有圖5中所顯示之該架構300，但該發射層具有一四成份組成物。舉例而言，實例裝置#4具有化合物H1-2做為該激子/電子阻擋層及由該電洞傳輸第一主體化合物H1-2(15 wt.%)、一寬能隙主體化合物H2(60 wt.%)、一電子傳輸主體E1(20 wt.%)及該發射器摻雜化合物G1(5 wt.%)所組成之一EML。在實例裝置#5中，化合物H1-7係為該激子/電子阻擋劑且該EML由該電洞傳輸第一主體化合物H1-2(15 wt.%)、一寬能隙主體化合物H 2(60 wt.%)、一電子傳輸主體E1(20 wt.%)及該發射器摻雜化合物G1(5 wt.%)。如表4所顯示，該實例裝置#6及#11至#16係使用化合物H1-1、H1-7及H1-2之各種組合做為該電洞傳輸共主體以及該激子/電子阻擋劑而構建的。為了比較，一參考裝置CE3係構建，該者具有如實例裝置#3相同的發射層組成 物，但以一NPD層取代化合物H1-2做為該激子/電子阻擋層。該等實例裝置#3、#4、#5、#6及#9至#16之組成物及其等的性能數據係於下方表4中提供的。
表4中呈現之數據顯的是該等實例裝置#3至#6及#9至#16展示較高的發光效率(LE)、外部量子效率(EQE)及較長的壽命(LT97%)，相較於CE3。源自添加由本揭露內容該通式H1表示之該等化合物，諸如H1-2、H1-1及H1-7，至該EBL及/或做為一共主體，該等實例裝置大大優越的性能數據係為非預期的。
實例裝置#3與#4之能階圖係分別顯示於圖6與圖7中。實例裝置#5與#6之能階圖係於圖8中在一重疊的複合形式中顯示。實例裝置#7至#16之能階圖係於圖9中在一重疊的複合形式中顯示。圖8與圖9中之該能階圖覆蓋在該等實例裝置中使用的各種化合物的HOMO-LUMO能階。所以，圖8與圖9中之該能階圖係不應代表一特定的樣品裝置。
該HOMO、LUMO能階及該三重態能階係於上文表1中提供。化合物H1-1、H1-7及H1-2之非常淺的LUMO能階(1.94、2.16與1.97 eV分別地)阻擋電子洩漏到HTL，且化合物H1-1、H1-7及H1-2的高三重態能量(2.74、2.71與2.75 eV分別地)阻擋激子洩漏到HTL。在具諸如H1-1、H1-7或H1-2化合物做為激子/電子阻擋層之裝置中的激子與電子係更佳地限制在該發射層之內，這被認為是此種裝置較高效率之一原因，如實例裝置#3到#6及#9至#16相較於該參考裝置CE3的性能數據所顯示。實例裝置#5與#6在所有裝置中展示最高的效率(於1000尼特24%的EQE)及非常良好的壽命(LT97%)。因此，其結合了在該發射層中的電荷激子分隔及在該激子/電子阻擋層中的電子及激子阻擋。
所有的有機層係於高真空條件下(1×10-7托)沈積。該PHOLED係直接從真空轉移到一惰性環境手套箱中，在那裡其係使用一UV-固化的環氧樹脂及具一水分吸氣劑(moisture getter)之玻璃蓋封裝。該PHOLED發射量變 曲線係假定為朗伯(Lambertian)，所以EQE係從以SpectraScan PR705所做的發射強度測量計算的，該測量係以基板標準化。電流及電壓測量係使用Keithley 236源測量單元(source measure unit)獲得的。
除非另有說明，於此描述本發明之各種實施例的任何層可能藉由任何適合的方法沈積。對於該等有機層，較佳的方法包括熱蒸發、噴墨，諸如描述於美國專利第6,013,982及第6,087,196號者，該者係以其整體併入以做為參考；有機氣相沈積(OVPD)，諸如Forrest等人於美國專利第6,337,102號中所描述，該者係以其整體併入以做為參考；及藉由有機蒸氣噴射印刷(OVJP)沈積，諸如於美國專利申請案第10/233,470號中所描述，該者係以其整體併入以做為參考。其他適合的沈積方法包括旋塗法及其他基於溶液的製程。基於溶液的製程較佳地係於氮氣或惰性大氣中實行。對於其它層，較佳的方法包括熱蒸發。較佳的圖案化方法包括透過遮罩、冷焊沈積，諸如於美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所描述，該等者係以其整體併入以做為參考，及關聯於諸如噴墨與OVJD之一些沈積方法的圖案化。其他方法亦可能使用的。該被沈積的材料可能經改質的，以使它們相容於一特定的沈積方法。舉例而言，諸如烷基與芳基、支鏈或無支鏈的、且較佳地含有至少3個碳原子的取代基可能在小分子中使用，以提升它們進行溶液加工的能力。取代基其具有20個碳原子或更多者可能使用的，而3-20個碳原子係為一較佳的範圍。具不 對稱結構之材料較諸那些具有對稱結構者可能具有較佳的溶液加工性，因為非對稱材料可能具有一較低的再結晶傾向。樹枝狀聚合物取代基可能使用以提升小分子進行溶液加工的能力。
於此例示之該等結構係僅僅為一例子，且根據本揭露發明之該OLED並不受限於該特定的結構，且可以包括更多層或更少層或該等層之不同組合。
在一些實施例中，一有機發光裝置包含一陽極、一陰極及數個設於其間的有機層等，該數個有機層包含：一發射層其包含一主體材料與一磷光發射器材料，該主體材料包含：一第一主體化合物與一第二主體化合物，其中該第一主體化合物係藉由下列通式表示
其中R1、R2、R3、R4、R5及R6可能為相同或不同的氟原子、氯原子、氘原子、氰基、三氟甲基、硝基、直鏈或支鏈的烷基(C1-C6)、環烷基(C5-C10)、直鏈或支鏈烷氧基(C1-C6)、環烷氧基(C5~C10)、取代或未取代的芳香族烴 基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，r1、r4、r5=0、1、2、3、或4，r2、r3、r6=0、1、2或3，n=0或1，且Ar1、Ar2及Ar3可能為相同或不同的，取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的縮合多環芳香族基團，經氘取代的芳香族烴基、經氘取代的芳香族雜環基、或經氘取代的縮合多環芳香族基團。在該有機發光裝置中，該第一主體化合物構成該發射層不超過25 wt.%。較佳地，該第一主體化合物構成該發射層約10至20 wt.%。該第一主體化合物係選自由下列所組成之該群組：化合物H1-1、化合物H1-2、化合物H1-3、化合物H1-4、化合物H1-5、化合物H1-6、化合物H1-7、化合物H1-8、化合物H1-9、化合物H1-10、化合物H1-11、化合物H1-12、化合物H1-13、化合物H1-14、化合物H1-15、化合物H1-16及化合物H1-17。
在一些實施例中，該有機發光裝置之第二主體化合物在該第二主體化合物分子中含有下列基團至少一者：
其中X1至X8係選自C或N；且其中Z1及Z2係為S或O。該第二主體化合物中任一取代基較佳地係為一未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。
在一些實施例中，該有機發光裝置之第二主體化合物係由分子式(H-IV)之結構表示的：
其中X係為S或O；其中R1、R2及R3係為未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組， 或無取代作用，且其中R1、R2及R3每一者可能代表單、二、三或四取代作用；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組；且其中R1、R2及R3至少一者包括一聯三伸苯基。在一些實施例中，X係為S。在一些實施例中，X係為O。
在一些實施例中，該第二主體化合物係由分子式(H-V)之結構表示的：
其中X係為S或O；其中R1、及R2係為未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用，且其中R1及R2每一者可能代表單、二、三或四取代作用；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組；且其中R1及R2至少一者包括一聯三伸苯基。在一些實施例中，X係為S。在一些實施例中，X係為O。
在一些實施例，該第二主體化合物係由分式(H-VI)之結構表示的： 其中X係為S或O；且其中R1及R2係獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組；且其中R1及R2至少一者包括一聯三伸苯基。在一些實施例中，X係為S。在一些實施例中，X係為O。
在一些實施例中，該有機發光裝置之第二主體化合物具有下列分子式：
在一些實施例中，該有機發光裝置之主體材料進一步包含一第三主體化合物，該者在該第三主體化合物分子中含有下列基團中至少一者：
其中X1至X8係選自C或N；且其中Z1及Z2係為S或O； 且該第二主體化合物與該第三主體化合物係為不同化合物。在一些實施例，在該第三主體化合物中任一取代基係為一未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1所組成之該群組，或無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之該群組。在一些實施例中，該第三主體化合物具有該分子式：
在一些實施例，該有機發光裝置進一步包含至少一個配置在該發射層與該陽極之間的電洞傳輸層，其中該至少一電洞傳輸層係為一材料其包含該等化合物至少一者，其中該等化合物具有選自下列分子式(HTL-I)至(HTL-VI)之一分子式：
其中R11與R12可能為相同或不同，且係獨立地選自由 下列所組成之該群組：氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、苯基、具有低級烷基或氘取代基之苯基、具有一氘原子或低級烷氧基取代基之苯基，其附帶條件為R11與R12中至少一者係為氘原子、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、具有低級烷基取代基之苯基、或具有低級烷氧基取代基之苯基；且R13表示氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；
其中R21、R22及R23可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、具有一低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R24代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A1代表由下列結構分子式(a1)至(i1)任一者所表示之一基團，如於此所界定；在其中R25代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；
其中R31、R32及R33可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R34代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A2代表由下列分子式(j1)至(n1)任一者所表示之一基團，如於此所界定；
其中R41與R42可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代 基(等)之一苯基；R43代表一氫原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A3代表由下列結構分子式(a2)至(i2)任一者所表示之一基團，如於此所界定；在其中，R44代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；
其中R51與R52可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之苯基、具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R53代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基或氯原子；且A4代表由下列結構分子式(j2)至(n2)任一者所表示之一基團，如於此所界定；且
其中R61至R69，該者可能為相同或不同的，獨立地代表一氫原子、氘原子、低級烷基、低級烷氧基、未取代之芳香族烴基、具有一氘原子、低級烷基或一低級烷氧基之一苯基；r61至r69，該者可能為相同或不同的，代表0、1或2。
在一些實施例中，該有機發光裝置之磷光發射器材料係為一有機金屬化合物，該者係選自由磷光有機金屬鉑化合物、有機金屬銥化合物及有機金屬鋨化合物所組成之該群組。在一些實施例中，該磷光有機金屬鉑化合物具有一芳香族配位基。在一些實施例中，該磷光有機金屬銥化合物具有一芳香族配位基。在一些實施例中，該磷光有機金屬鋨化合物具有一芳香族配位基。
在一些實施例，該有機發光裝置進一步包含配置在該發射層與該陽極之間之一激子/電子阻擋層，其中該激子/電子阻擋層阻擋激子或電子至少一者且包含一材料其係為藉由該通式H1所表示之該化合物者。在一些實施例中，該激子/電子阻擋層之該材料係選自由下列所組成之 該群組：化合物H1-1、化合物H1-2、化合物H1-3、化合物H1-4、化合物H1-5、化合物H1-6、化合物H1-7、化合物H1-8、化合物H1-9、化合物H1-10、化合物H1-11、化合物H1-12、化合物H1-13、化合物H1-14、化合物H1-15、化合物H1-16及化合物H1-17，如於此所界定。在一些實施例中，該激子/電子阻擋層阻擋激子與電子兩者。
在一些實施例中，一有機發光裝置包含一陽極、一陰極及數個設於其間的有機層，該數個有機層包含：一發射層其包含一主體材料與一磷光發射器材料，該主體材料包含：一第一主體化合物、一第二主體化合物與一第三主體化合物，其中該第一主體化合物係藉由該分子式表示 該第二主體化合物係藉由該分子式表示；且該第三主體化合物係藉由該分子式表示
在一些實施例中，該第一主體化合物構成該發射層不超過25 wt.%。在一較佳實施例中，該第一主體化合物構成該發射層約10至20 wt.%。

Claims (29)

  1. 一種有機發光裝置，其包含一陽極、一陰極及數個設於其間的有機層等，該數個有機層包含：一發射層其包含一主體材料與一磷光發射器材料，該主體材料包含：一第一主體化合物與一第二主體化合物，其中該第一主體化合物係選自由下列所組成之群組： 及
  2. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該第一主體化合物構成該發射層不超過25wt.%。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機發光裝置，其中該第一主體化合物構成該發射層10至20wt.%。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該第二主體化合物在該第二主體化合物分子中含有下列基團之至少一者： 其中X1至X8係獨立地選自-CR或N，其中各R係獨立 地為氫或一取代基；且其中Z1與Z2係為S或O。
  5. 如申請專利範圍第4項之有機發光裝置，其中在該第二主體化合物中任一取代基係為一未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、及CnH2n-Ar1所組成之群組，或該第二主體化合物無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之群組。
  6. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該第二主體化合物係由分子式(H-IV)之結構所表示： 其中X係為S或O；其中R1、R2及R3係獨立地為氫或未融合取代基，選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、及CnH2n-Ar1所組成之群組，且其中R1、R2及R3每一者可能代表單、二、三或四取代作用；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10； 其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之群組；且其中R1、R2及R3至少一者包括一聯三伸苯基。
  7. 如申請專利範圍第6項之有機發光裝置，其中X係為S。
  8. 如申請專利範圍第6項之有機發光裝置，其中X係為O。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該第二主體化合物係由分子式(H-V)之結構所表示： 其中X係為S或O；其中R1與R2係獨立地為氫或未融合取代基，選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、及CnH2n-Ar1所組成之群組，且其中R1、R2及R3每一者可能代表單、二、三或四取代作用；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之群組；且其中R1與R2至少一者包括一聯三伸苯基。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機發光裝置，其中X係為S。
  11. 如申請專利範圍第9項之有機發光裝置，其中X係為O。
  12. 如申請專利範圍第5項之有機發光裝置，其中該第二主體化合物係由分子式(H-VI)之結構所表示： 其中X係為S或O；其中R1與R2係獨立地為氫或取代基，選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、及CnH2n-Ar1所組成之群組；其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之群組；且其中R1與R2至少一者包括一聯三伸苯基。
  13. 如申請專利範圍第12項之有機發光裝置，其中X係為S。
  14. 如申請專利範圍第12項之有機發光裝置，其中X係為O。
  15. 如申請專利範圍第12項之有機發光裝置，其中該第二主體化合物具有分子式：
  16. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該主體材料進一步包含一第三主體化合物，該者在該第三主體化 合物分子中含有下列基團之至少一者： 其中X1至X8係獨立地選自-CR或N，其中各R係獨立地為氫或一取代基；其中Z1與Z2係為S或O；且其中該第二主體化合物與該第三主體化合物係為不同的化合物。
  17. 如申請專利範圍第16項之有機發光裝置，其中在該第三主體化合物中任一取代基係為一未融合取代基，該者獨立地選自由CnH2n+1、OCnH2n+I、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、及CnH2n-Ar1所組成之群組，或該第三主體化合物無取代作用，其中n係為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，且其中Ar1與Ar2係獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯三伸苯、咔唑、及其等之雜芳香族類似物所組成之群組。
  18. 如申請專利範圍第15項之有機發光裝置，其中該第三主體化合物具有分子式：
  19. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，進一步包含至少一配置在該發射層與該陽極之間之一電洞傳輸層，其中該至少一電洞傳輸層係為一材料其包含該等化合物至少一者，其中該等化合物具有選自下列分子式(HTL-I)至(HTL-VI)之一分子式： 其中R11與R12可能為相同或不同，且係獨立地選自由下列所組成之群組：氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、苯基、具有C1-4烷基或氘取代基之苯基、及具有一氘原子或C1-4烷氧基取代基之苯基，其附帶條件為R11與R12中至少一者係為氘原子、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、具有C1-4烷基取代基之苯基、或具有C1-4烷氧基取代基之苯基；且R13表示氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子； 其中R21、R22及R23可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、未取代之苯基、或具有一C1-4烷基或一C1-4烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R24代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子；且A1代表由下列結構分子式(a1)至(i1)任一者所表示之一基團； 在其中R25代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子； 其中R31、R32及R33可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、未取代之苯基、具有一氘原子、C1-4烷基或一C1-4烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R34代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子；且A2代表由下列分子式(j1)至(n1)任一者所表示之一基團； 其中R41與R42可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、未取代之苯基、或具有一氘原子、C1-4烷基或一C1-4烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R43代表一氫原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子；且A3代表由下列結構分子式(a2)至(i2)任一者所表示之一基團； 在其中R44代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子； 其中R51與R52可能為相同或不同，且每一者獨立地代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、未取代 之苯基、或具有一氘原子、C1-4烷基或一C1-4烷氧基做為取代基(等)之一苯基；R53代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基或氯原子；且A4代表由下列結構分子式(j2)至(n2)任一者所表示之一基團； ；及 其中R61至R69，該者可能為相同或不同的，獨立地代表一氫原子、氘原子、C1-4烷基、C1-4烷氧基、未取代之芳香族烴基、具有一氘原子、C1-4烷基或一C1-4烷氧基之一苯基；r61至r69，該者可能為相同或不同的，代表0、 1或2。
  20. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，其中該磷光發射器材料係為一有機金屬化合物其係選自由磷光有機金屬鉑化合物、有機金屬銥化合物及有機金屬鋨化合物所組成之群組。
  21. 如申請專利範圍第20項之有機發光裝置，其中該磷光有機金屬鉑化合物具有一芳香族配位基。
  22. 如申請專利範圍第20項之有機發光裝置，其中該磷光有機金屬銥化合物具有一芳香族配位基。
  23. 如申請專利範圍第20項之有機發光裝置，其中該磷光有機金屬鋨化合物具有一芳香族配位基。
  24. 如申請專利範圍第1項之有機發光裝置，進一步包含配置在該發射層與該陽極之間之一激子/電子阻擋層，其中該激子/電子阻擋層阻擋激子或電子至少一者且包含一材料其係為藉由該通式H1所表示之該化合物者。
  25. 如申請專利範圍第24項之有機發光裝置，其中用於該激子/電子阻擋層之該材料係選自由下列所組成之群組：化合物H1-2、化合物H1-3、化合物H1-4、化合物H1-5、化合物H1-6、化合物H1-7、化合物H1-8、化合物H1-9、化合物H1-10、化合物H1-11、化合物H1-12、化合物H1-13、化合物H1-14、化合物H1-15、化合物H1-16及化合物H1-17。
  26. 如申請專利範圍第24項之有機發光裝置，其中該激子/電子阻擋層阻擋激子與電子兩者。
  27. 一種有機發光裝置，其包含一陽極、一陰極及數個設於其間的有機層等，該數個有機層包含：一發射層其包含一主體材料與一磷光發射器材料，該主體材料包含：一第一主體化合物、一第二主體化合物與一第三主體化合物，其中該第一主體化合物係藉由該分子式表示 該第二主體化合物係藉由該分子式表示；且該第三主體化合物係藉由該分子式表示
  28. 如申請專利範圍第27項之有機發光裝置，其中該第一主體化合物構成該發射層不超過25wt.%。
  29. 如申請專利範圍第28項之有機發光裝置，其中該第一主 體化合物構成該發射層10至20wt.%。
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