TWI654278B - 高穩定性之含量子點之聚合物膜 - Google Patents
高穩定性之含量子點之聚合物膜Info
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- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 title description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 92
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000008385 outer phase Substances 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N ac1mi23b Chemical compound C1C2C3C(COC(=O)C=C)CCC3C1C(COC(=O)C=C)C2 VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000008384 inner phase Substances 0.000 claims 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OJNNAJJFLWBPRS-UHFFFAOYSA-N phenyl-[(2,4,6-trimethylphenyl)methyl]-[(2,4,6-trimethylphenyl)methylidene]phosphanium Chemical group CC1=C(C=P(C2=CC=CC=C2)=CC2=C(C=C(C=C2C)C)C)C(=CC(=C1)C)C OJNNAJJFLWBPRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 abstract 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 21
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229940095095 2-hydroxyethyl acrylate Drugs 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-1-piperidin-4-ylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CC(O)CN1C1CCNCC1 HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZFMOKQJFYMBGY-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-TEMPO Chemical compound CC1(C)CC(O)CC(C)(C)N1[O] UZFMOKQJFYMBGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- -1 propylene 2-hydroxyethyl ester Chemical class 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDVUCLWJZJHFAV-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-ol Chemical compound CC1(C)CC(O)CC(C)(C)N1 VDVUCLWJZJHFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-3-methyl-2h-indazole Chemical compound FC1=CC=C2C(C)=NNC2=C1 JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMVNWVONJDMTSH-UHFFFAOYSA-N 7-bromo-2-methyl-1h-quinazolin-4-one Chemical compound C1=CC(Br)=CC2=NC(C)=NC(O)=C21 CMVNWVONJDMTSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- RMRJXGBAOAMLHD-IHFGGWKQSA-N buprenorphine Chemical compound C([C@]12[C@H]3OC=4C(O)=CC=C(C2=4)C[C@@H]2[C@]11CC[C@]3([C@H](C1)[C@](C)(O)C(C)(C)C)OC)CN2CC1CC1 RMRJXGBAOAMLHD-IHFGGWKQSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ISRJTGUYHVPAOR-UHFFFAOYSA-N dihydrodicyclopentadienyl acrylate Chemical compound C1CC2C3C(OC(=O)C=C)C=CC3C1C2 ISRJTGUYHVPAOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- KHAYCTOSKLIHEP-UHFFFAOYSA-N docosyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C KHAYCTOSKLIHEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LFULEKSKNZEWOE-UHFFFAOYSA-N propanil Chemical compound CCC(=O)NC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 LFULEKSKNZEWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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Abstract
本文提供高穩定性之含半導體奈米粒子(「量子點」)之膜，其係自含有具有高玻璃轉化溫度(T g
)之快速固化內相及某些內相/外相組合之樹脂製備。該等樹脂可包含內相及外相(但由於在使用光學顯微鏡觀看時其均質外觀，可顯現為單相)。方法提供製備對光、升高溫度、水分及氧具有抗性之膜的高度可縮放及成本有效之程序。
Description
本發明概言之係關於半導體奈米粒子(「量子點」)。更特定而言，其係關於納入不含重金屬之量子點之聚合物膜。
先前已闡述含有不含重金屬之半導體奈米粒子之多相及兩相聚合物膜，該等半導體奈米粒子分散於內相中、隨後分散於適宜氣體障壁外相中-參見(例如)美國公開案第2015/0047765號「Quantum dot films utilizing multi-phase resin」及美國公開案第2015/0275078號「Quantum dot compositions」。 然而，獲得在測試條件下真實穩定之膜存在許多挑戰，該等測試條件除光測試(106/60/90) [90%相對濕度]外亦包括暗測試(0/60/RH) [0 mW/cm2
輻照度/ 於60℃下/ RH = 室內濕度(未量測)]。對於結合具有約10-2
g/m2
天之水蒸汽透光率(WVTR)且具有50微米或更小之樹脂膜厚度之障壁膜(例如，i-Components TBF1004障壁膜，i-Components Co. Ltd., 701, Family Tower, 958-2, Youngtong-dong, Paldal-gu Soowon-si, Gyeonggi-do, Korea)使用之目前獲得之紅色發射量子點(QD)而言，暗測試尤其具有挑戰。
本發明係關於自含有較佳具有高玻璃轉化溫度(T g
) (較佳大於35℃且更佳大於80℃)之快速固化內相之樹脂及某些內相/外相樹脂組合來製備高穩定性之膜。所述樹脂由內相及外相組成，但在一些情形下，由於在使用光學顯微鏡觀看時其均質外，可稱作單相。本發明之方法提供製備穩定膜之高度可縮放且成本有效之方式。 本文中，穩定性測試條件報導為「(x
/y
/z
)」，其中x
係輻照度(mW/cm2
)；y
係溫度(℃)；且z
係相對濕度(%)。 貫穿本揭示內容使用以下縮寫、首字母縮寫詞及商品名： IPM 肉豆蔻酸異丙基酯 YR011 丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂，來自Showa Denko K.K. (Shiba Daimon, Minato-ku Tokyo JAPAN) AEROSIL® R106 發煙二氧化矽(EVONIK DEGUSSA GMBH Rellinghauser Strasse 1-11 45128 Essen FED REP GERMANY) CN104 雙酚A環氧二丙烯酸酯寡聚物，來自Sartomer (Sartomer Technology USA, LLC Suite 202, 103 Foulk Rd., Wilmington DELAWARE 19803) CN104B80 雙酚A環氧二丙烯酸酯摻合物，來自Sartomer CN104C80 CN104與丙烯2-羥基乙基酸酯(HEA)之80/20摻合物 CN104E70C5 CN104、甲基丙烯酸2-羥基甲基酯(HEMA)及丙烯酸2-羥基乙基酯(HEA)之70/20/5摻合物 CN146 單官能黏著促進丙烯酸寡聚物，來自Sartomer SR833S 三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(可由自由基聚合之低黏度二官能丙烯酸酯單體) LMA 甲基丙烯酸月桂基酯 TMPTMA 三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯 IRG651 IRGACURE® 651 (2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮)光引發劑，來自BASF (BASF SE Carl-Bosch-Strasse 38 Ludwigshafen GERMANY) IRG819 IRGACURE® 819 (雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦)光引發劑，來自BASF IBOA 丙烯酸異莰基酯 YR301 另一丙烯酸酯-官能化二氧化矽奈米粒子樹脂，來自Showa Denko K.K. TMPTA 三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 CITHROL DPHS PEG 30二聚羥基丙烯酸酯表面活性劑(Croda International Plc, Snaith, Goole, East Yorkshire DN14 9AA UK) IPM 肉豆蔻酸異丙基酯 TCDMDA 三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯 LA 丙烯酸月桂基酯 HEA 丙烯酸2-羥基乙基酯 HEMA 甲基丙烯酸2-羥基乙基酯 4-羥基-TEMPO 自由基抑制劑(4-羥基-2,2,6,6-四甲基六氫吡啶1-氧基或「TEMPOL」)
相關申請案交叉參考 本申請案主張於2016年2月12日提出申請之美國臨時申請案第62/294,783號之權益，該案件之全文以引用方式併入本文中。 關於由聯邦政府贊助之研究或開發之聲明：不適用 自一系列實驗發現，內相與外相之間之相分離愈高，則維持愈好之障壁樹脂之氣體障壁性質。舉例而言，IPM/Aerosil R106內相在與雙酚A環氧二丙烯酸酯外相(CN104B80，來自Sartomer)一起使用時顯示良好背光單元(BLU)穩定性(2.5 mW/cm2
)，但在與YR011 (丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂，來自Showa Denko K.K.)或50:50 wt. %丙烯酸寡聚物(CN146，來自Sartomer) / 三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(TCDMDA或SR833S，來自Sartomer)外相一起使用時顯示極差穩定性及在來自障壁膜層壓試樣之接縫(cut)中之氧及/或水分之顯著邊緣進入。本申請案中CN104B80之極性對於提供良好相分離及外相經未固化液體污染較少極為重要。然而，此限制調配物中此內相之範疇，且由於努力增加該等樹脂之乳液穩定性，內相與外相之間之相互作用可能增加。內相或外相之較高黏在降低內相至外相中之擴散中可為重要的，如藉由與較高黏度(IPM/Aerosil R106)/YR011樹脂(233B)相比僅IPM/YR011樹脂(233A)之膜中觀察之障壁膜層壓試樣中邊緣進入較大所證明。 在使用甲基丙烯酸月桂基酯/三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(LMA/TMPTMA)之固化內相時，對於YR011及50:50 wt.% CN146/SR833S摻合物獲得更穩定之膜，儘管以下事實：在該等系統中可能預計極性更大之內相(與IPM相比)更大擴散至外相中。 使用具有不含重金屬之半導體奈米粒子珠粒之相同外相以製備樹脂的實驗展現較固化內相樹脂更好穩定性。珠粒係自LMA/TMPTMA製備，但含有較高比例之TMPTMA交聯劑且在與外相混合之前經完全固化。推斷出，為最小化氣體障壁性質之降低(此乃因軟的未固化內相混合至外相中)，該等系統中內相之完全固化為必要的。由於兩相樹脂之聚合之時標(在汞燈下30秒)，與甲基丙烯酸酯內相相對之丙烯酸酯可提供更適宜之固化系統。 利用YR011、YR301及CN104C80 (CN104: 丙烯酸2-羥基乙基酯(HEA) = 80:20 wt. %)作為外相實施使用丙烯酸異莰基酯(IBOA)及IBOA/丙烯酸月桂基酯(LA)作為內相之實驗。由於IBOA之高T g
(94℃，根據Sigma Aldrich)而選擇IBOA且其較LA可在外相中產生較少量之軟材料。使用LA與IBOA之組合以在膜中提供更大撓性，其在輥-對-輥製程中可能需要。LA較IBOA亦提供稍微更佳之與不含重金屬之半導體奈米粒子之相容性。所實施之一些實驗之概述及所獲得之結果提供於表1及表2中。使用Hamamatsu儀器進行PLQY量測且使用LABSPHERE®積分球(LABSPHERE INC. 231 Shaker Street NORTH SUTTON NEW HAMPSHIRE 03260)獲得EQE值。 具有相對較高玻璃轉化溫度(Tg
)或熔融溫度(T m
)之丙烯酸酯單體之實例包括：丙烯酸山萮基酯(BEA，Tg
= 54℃)；丙烯酸第三丁基酯(TBA，Tg
= 43℃至107℃)；丙烯酸二氫二環-戊二烯基酯(DCPA，Tg
= 110℃)；及丙烯酸硬脂基酯(SA，Tm
= 41℃至49℃)。 具有相對較高玻璃轉化溫度(Tg
)或熔融溫度(T m
)之甲基丙烯酸酯單體之實例包括：甲基丙烯酸山萮基酯(BEMA，Tm
= 44℃)；甲基丙烯酸第三丁基酯(TBMA，Tg
= 117℃)；甲基丙烯酸環己基酯(CHMA，Tg
= 105℃)；及甲基丙烯酸甲基酯(MMA，T g
= 105℃)。表 1.
用於比較丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯內相與基於YR011-、YR301-及CN104之外相製備之樹脂.
注意：試樣281C及282A相同。表 2.
自表1中列示之樹脂製備之膜的光學性質。膜係約100-µm厚且塗佈在i-Component 125-µm障壁膜之間。固化係在汞燈下實施30秒，只是298A實施15秒。
(試樣281C及282A闡釋試樣-對-試樣變化) 對於具有0.36 wt. % IRG819之YR011外相而言，發現由於BLU上障壁膜層壓試樣中觀察之水分及/或氧降解，僅IBOA之內相產生最少邊緣進入。先前發現將YR011中IRG819之濃度增加至1 wt. %顯著增加(LMA/TMPTMA)/YR011樹脂之穩定性。預期出於此之主要原因在於在此較高引發劑濃度下顯著增加擴散LMA/TMPTMA至外相中之固化。亦於較高光引發劑濃度下利用282B中之IBOA內相測試新的較不昂貴的丙烯酸酯-官能化二氧化矽奈米粒子樹脂(YR301)。此試樣上之邊緣進入顯著小於其他試樣。應注意，IBOA/(YR301或YR011)顯示較LMA/TMPTMA顯著更佳之乳液穩定性，此指示極性愈大之IBOA之擴散愈大且與外相之相互作用愈大。與基於LA或LMA之內相相比，IBOA試樣之增加之穩定性意指使用快速固化之高-T g
內相可在維持氣體障壁性質中係至關重要的。一般而言，丙烯酸酯優於甲基丙烯酸酯，此乃因可利用之基團聚合反應之其較高傳播速率常數。 具有丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂之所有上述試樣對於光測試(106/60/90)皆不顯示足夠穩定性。儘管對於具有1 wt. % IRG819 (282B)之IBOA/YR301而言，障壁膜層壓試樣中之邊緣進入在120小時後幾乎為零，但穩定性之下降較281C更顯著。在光測試期間，282B中之較高引發劑濃度可引起膜之漂白。圖1及圖2顯示穩定性差異。預期282B中內相與外相之混合可能無效(藉由自282B樹脂製備之膜之光學顯微術觀察不完全相分離)且可能係觀察之穩定性下降之原因(參見下文解釋)。 使該等試樣中之二者經受90%濕度下暗測試(0/60/90)且LMA/TMPTMA與IBOA內相之間之穩定性差異示於圖3及4中(使用不同量子點)。 對於CN104C80外相(298)而言，固化15秒與30秒之間未觀察到差異。光及暗穩定性測試之結果示於圖5及圖6中。 測試大量外相及內相。實例包括三個外相及三個內相，此乃因其最佳說明系統之穩定性。使用2.40 mg/g濃度下之紅色發射量子點以製備50 µm之厚度之i-Components Co. 50-µm障壁膜之間之膜。外相實例 ：
1. CN104E70C5外相(69.3 wt. % CN104；24.75 wt. %甲基丙烯酸2-羥基乙基酯(HEMA)；4.95 wt. %丙烯酸2-羥基乙基酯(HEA)；125 ppm 4-羥基-TEMPO抑制劑；1 wt. % IRG 819)。 2. YR301外相(99.0 wt. % YR301；1.0 wt. % IRG819；125 ppm 4-羥基-TEMPO抑制劑)。 3. SR833S外相(99.0 wt. % SR833S；1.0 wt. % IRG819；125 ppm 4-羥基-TEMPO抑制劑)。內相製備及與上述外相實例之混合 ：
1. 將甲苯中紅色發射不含重金屬之半導體奈米粒子(PL = 633 nm，FWHM = 57 nm，QY = 78%)在高真空下乾燥並藉由攪拌過夜以23.8 mg/g之濃度重新分散於IBOA中。將濃縮量子點溶液進一步用IBOA稀釋並以0.3 wt. %之濃度添加IRG819以提供11.9 mg/g之最終濃度。將此內相(20 wt. %)與外相以500 rpm混合10分鐘以提供2.4 mg/g之紅色發射量子點濃度。 2. 將甲苯中紅色發射不含重金屬之半導體奈米粒子在高真空下乾燥並藉由攪拌過夜以23.8 mg/g之濃度重新分散於IBOA中。將濃縮之量子點溶液進一步用IBOA稀釋並於40℃下與Cithrol DPHS (內相中2.5 wt. %之最終濃度)混合1 hr。在冷卻後，以0.3 wt. %之濃度添加IRG819以提供11.9 mg/g之最終濃度。將此內相(20 wt. %)與外相以500 rpm混合10分鐘以提供2.4 mg/g之紅色發射量子點濃度。 3. 將甲苯中紅色發射不含重金屬之半導體奈米粒子在高真空下乾燥並藉由攪拌過夜以23.8 mg/g之濃度重新分散於IBOA中。將濃縮量子點溶液進一步用IBOA及TMPTA (5 wt. %之內相)稀釋並以0.3 wt. %之濃度添加IRG819以提供11.9 mg/g之最終濃度。將此內相(20 wt. %)與外相以500 rpm混合10分鐘以提供2.4 mg/g之紅色發射量子點濃度。基於 CN104E70C5 之樹脂 ( 雙酚 A 環氧二丙烯酸酯寡聚物、甲基丙烯酸 2- 羥基甲基酯及丙烯酸 2- 羥基乙基酯之摻合物 )
所製備樹脂列示於表3中。表 3.
自基於CN104E70C5及IBOA之內相(IP)製備之樹脂及膜之光學性質. 在再混合後第0天、第5天及第14天自相同樹脂製備膜。藉由在背光單元上曝光16小時將第0天及第14天之膜光變亮(PB)。
樹脂(試樣B除外)之貯存期良好，且在塗佈時獲得透明膜。在使用Cithrol時觀察到最小紅色位移減小，此表明Cithrol僅最低地改良IBOA中量子點之分散。膜之顯微鏡影像皆展現分散於外相中之透明內部結構域。 所有試樣皆呈現較差暗穩定性(0/60/RH)且具有TMPTA (383C)之試樣對於光穩定性(106/60/90)具有稍微較長壽命。可明瞭，此基於CN104之樹脂(利用標準基於CN104/IPM之樹脂之情形亦如此)在暗測試中對於半導體奈米粒子較不穩定。預期其組份(例如HEMA)之高極性容許水滲透至膜中。修飾具有較小水溶性組份之外相可改良穩定性。圖7及8闡釋383C之穩定性。基於 YR301 之樹脂 ( 丙烯酸酯 - 官能化二氧化矽奈米粒子樹脂 )
所製備樹脂列示於表4中。表 4.
自基於YR301及IBOA之內相製備之樹脂及膜之光學性質. 在再混合後第0天、第5天及第14天自相同樹脂製備膜。將第0天及第14天之膜光變亮(PB)。
樹脂之貯存期良好且在塗佈時獲得透明膜。YR301之吸光度稍微高於CN104E70C5。在顯微鏡影像中，可觀察到透明內部結構域，含有Cithrol DPHS之試樣除外，其中相分離不再清晰。 穩定性曲線呈現於圖9 - 13中。對於暗穩定性測試而言，尤其在前500小時期間針對僅IBOA之內相觀察到優異穩定性，其中QD峰曲線緊密匹配LED峰強度曲線。Cithrol DPHS之添加具有負性效應，其中早期中兩條線之間具有較大偏差。此係由於蠟狀非固化材料之添加可引起外相之軟化而預計到。TMPTA之添加亦引起稍微更大偏差，此可能係由於極性TMPTA擴散至外相中。 對於光穩定性曲線而言，試樣383I及383J在500小時後穩定，但含有Cithrol之試樣在500 hr後保持更穩定。據信383I中之混合較282B中更好(唯一差別係使用綠色量子點且最終樹脂在混合後流動性較小)，從而在內相與外相之間產生清晰相分離。此可產生更佳氣體障壁樹脂及更佳地保護內相免受外相中高引發劑濃度影響，因此提供遠更佳之初始穩定性。 一般而言，就暗穩定性而言，使用具有快速固化之高-T g
內相之YR301較佳。基於 SR833S 之樹脂 ( 三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯樹脂 )
所製備樹脂列示於表5中。表 5.
自基於SR833S及IBOA之內相製備之樹脂及膜之光學性質. 在再混合後第0天、第5天及第14天自相同樹脂製備膜。將第0天及第14天之膜光變亮(PB)。
樹脂之貯存期良好且在塗佈時獲得透明膜。在顯微鏡影像中，可觀察到內部結構域(較CN104E70C5及YR301不清晰)，含有Cithrol DPHS之試樣除外，其中相分離不再清晰。與CN104E70C5及YR301之情形不同，觀察到使用Cithrol之紅色位移顯著更小。 穩定性曲線呈現於圖14 - 18中。在暗測試上，基於SR833S之膜較基於YR301之膜不穩定。類似地，Cithrol DPHS之添加具有稍微負性效應，其中QD與峰強度線之間具有較大偏差。然而，與可獲得之大部分系統相比，該等試樣隨時間保持相對穩定，如藉由峰強度之平化(levelling)所看到。 對於光穩定性曲線而言，試樣383F及383G在500小時後穩定，且含有Cithrol DPHS之試樣尤其在1000 hr後顯示更佳穩定性。在此樹脂中，其中內相及外相之極性接近，Cithrol可有助於保護量子點免受外相中引發劑之高濃度影響。 快速固化之高-T g
內相改良兩相樹脂之穩定性。該等膜呈現良好暗測試穩定性，此可能係由於外相中未固化之軟材料之減少。在內相與外相(例如IBOA/YR301)之間存在良好相分離時，觀察到光穩定性良好。在內相及外相彼此之極性接近(例如IBOA/SR833S)時，諸如Cithrol等添加劑可為有益的。 本發明之優點包括： 1. 上述樹脂系統在商業上可縮放。 2. 對於i-Components Co.障壁膜之間之50-微米紅色發射-QD膜而言，該等樹脂呈現極好穩定性(在光及暗條件下)。 3. 樹脂之乳液穩定性及貯存期良好。 上文呈現體現本發明之原理之系統之特定實施例。彼等熟習此項技術者能夠設計即使本文中未明確揭示亦體現彼等原理且因此在本發明範疇內之替代形式及變化形式。儘管已顯示並闡述本發明之特定實施例，但其並不意欲限制本發明所涵蓋者。熟習此項技術者應理解，可作出各種改變及修飾而不背離本發明之範疇，如由以下申請專利範圍逐字及等效地涵蓋。
圖1係顯示自281C樹脂(IBOA/(YR011/0.36 wt. % IRG819))製備之膜之光穩定性測試之結果的圖。 圖2係顯示自282B樹脂(IBOA/(YR301/1 wt. % IRG819))製備之膜之光穩定性測試之結果的圖。 圖3係顯示自281A樹脂(LMA/TMPTMA/(YR011/0.36 wt. % IRG819))製備之膜之暗穩定性測試(0/60/90)之結果的圖。 圖4係顯示自281C樹脂(IBOA/(YR011/0.36 wt. % IRG819))製備之膜之暗穩定性測試(0/60/90)之結果的圖。 圖5係顯示自IBOA/CN104C80樹脂製備之膜(298B)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。 圖6係顯示自IBOA/CN104C80樹脂製備之膜(298B)之暗穩定性測試(0/60/90)之結果的圖。 圖7係顯示自(IBOA/TMPTA)/CN104E70C5製備之膜(383C)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖8係顯示自(IBOA/TMPTA)/CN104E70C5製備之膜(383C)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。 圖9係顯示自IBOA/YR301製備之膜(383I)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖10係顯示自(IBOA/Cithrol)/YR301製備之膜(383J)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖11係顯示自(IBOA/TMPTA)/YR301製備之膜(383K)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖12係顯示自IBOA/YR301製備之膜(383I)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。 圖13係顯示自(IBOA/Cithrol)/YR301製備之膜(383J)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。 圖14係顯示自IBOA/SR833S製備之膜(383E)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖15係顯示自((IBOA/Cithrol)/SR833S)製備之膜(383F)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖16係顯示自((IBOA/TMPTA)/SR833S)製備之膜(383G)之暗穩定性測試(0/60/RH)之結果的圖。 圖17係顯示自(IBOA/Cithrol)/SR833S製備之膜(383F)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。 圖18係顯示自(IBOA/TMPTA)/SR833S製備之膜(383G)之光穩定性測試(106/60/90)之結果的圖。
Claims (16)
- 一種膜，其包含：複數個分散於固化內相中之半導體奈米粒子，該內相包含甲基丙烯酸月桂基酯及三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；及包含丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂之外相。
- 如請求項1之膜，其另外包含：氧障壁膜。
- 一種膜，其包含：複數個分散於固化內相中之半導體奈米粒子，該內相包含甲基丙烯酸月桂基酯及三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；及包含單官能黏著促進丙烯酸寡聚物及三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯之外相。
- 如請求項3之膜，其中該外相包含實質上相等量之該單官能黏著促進丙烯酸寡聚物及該三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯。
- 如請求項3之膜，其另外包含：氧障壁膜。
- 如請求項3之膜，其中該等半導體奈米粒子包含紅色發射量子點。
- 如請求項3之膜，其中該等半導體奈米粒子包含紅色發射量子點及綠色發射量子點。
- 一種膜，其包含：複數個分散於內相中之半導體奈米粒子，該內相包含丙烯酸異莰基酯；及包含提供與該內相之相分離之樹脂的外相。
- 如請求項8之膜，其中該外相包含丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂。
- 如請求項8之膜，其中該外相包含雙酚A環氧二丙烯酸酯寡聚物及丙烯酸2-羥基乙基酯。
- 如請求項10之膜，其中該外相包含約80%雙酚A環氧二丙烯酸酯寡聚物及約20%丙烯酸2-羥基乙基酯。
- 如請求項8之膜，其中該內相另外包含丙烯酸月桂基酯。
- 如請求項8之膜，其中該外相包含丙烯酸酯官能化二氧化矽奈米粒子樹脂且該內相基本上由丙烯酸異莰基酯及半導體奈米粒子組成。
- 如請求項13之膜，其進一步包含約1重量%光引發劑。
- 如請求項14之膜，其中該光引發劑係雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦。
- 如請求項14之膜，其中該內相另包含穩定添加劑。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662294783P | 2016-02-12 | 2016-02-12 | |
| US62/294,783 | 2016-02-12 | ||
| US15/429,845 US10246633B2 (en) | 2016-02-12 | 2017-02-10 | Highly stable quantum dot-containing polymer films |
| US15/429,845 | 2017-02-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201736571A TW201736571A (zh) | 2017-10-16 |
| TWI654278B true TWI654278B (zh) | 2019-03-21 |
Family
ID=58547750
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106104656A TWI654278B (zh) | 2016-02-12 | 2017-02-13 | 高穩定性之含量子點之聚合物膜 |
| TW108107119A TW201943835A (zh) | 2016-02-12 | 2017-02-13 | 高穩定性之含量子點之聚合物膜 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108107119A TW201943835A (zh) | 2016-02-12 | 2017-02-13 | 高穩定性之含量子點之聚合物膜 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10246633B2 (zh) |
| EP (1) | EP3400268B1 (zh) |
| JP (2) | JP6759349B2 (zh) |
| KR (1) | KR102240061B1 (zh) |
| CN (1) | CN108603105A (zh) |
| TW (2) | TWI654278B (zh) |
| WO (1) | WO2017137843A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2548012B (en) | 2016-02-26 | 2021-04-28 | Nanoco Technologies Ltd | Phototherapy mask with quantum dot phosphors |
| CN109694518B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-01-28 | 四川东方绝缘材料股份有限公司 | 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法 |
| WO2021168062A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Swimc Llc | Stain-blocking polymers, primers, kits, and methods |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009086374A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板 |
| WO2011031871A1 (en) * | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Qd Vision, Inc. | Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods |
| GB0916700D0 (en) * | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| GB201109054D0 (en) * | 2011-05-31 | 2011-07-13 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials for use in light emitting diodes, optoelectronic displays and the like |
| GB201116517D0 (en) * | 2011-09-23 | 2011-11-09 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle based light emitting materials |
| WO2013078252A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot-containing compositions including an emission stabilizer, products including same, and method |
| US9783733B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-10-10 | Nanoco Technologies Ltd. | Preparation of quantum dot beads having a silyl surface shell |
| JPWO2014208356A1 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 光学フィルム及び発光デバイス |
| JPWO2015019941A1 (ja) | 2013-08-09 | 2017-03-02 | 昭和電工株式会社 | 半導体ナノ粒子含有硬化性組成物、硬化物、光学材料および電子材料 |
| JP6475722B2 (ja) * | 2013-08-14 | 2019-02-27 | ナノコ テクノロジーズ リミテッドＮａｎｏｃｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 多相樹脂を用いた量子ドットフィルム |
| JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
| JP6245742B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-12-13 | 昭和電工株式会社 | 半導体ナノ粒子含有硬化性組成物、硬化物、光学材料および電子材料 |
| CN109021968B (zh) * | 2014-03-04 | 2021-08-20 | 纳米技术有限公司 | 用于制造量子点聚合物膜的方法 |
| US9663710B2 (en) * | 2014-03-18 | 2017-05-30 | Nanoco Technologies Inc. | Quantum dot compositions |
| US9708532B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-07-18 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot compositions |
| EP3126472B1 (en) | 2014-04-02 | 2018-08-29 | 3M Innovative Properties Company | Composite nanoparticles including a thioether ligand |
| US9466771B2 (en) * | 2014-07-23 | 2016-10-11 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converters and methods for making the same |
-
2017
- 2017-02-10 JP JP2018542256A patent/JP6759349B2/ja active Active
- 2017-02-10 WO PCT/IB2017/000178 patent/WO2017137843A1/en active Application Filing
- 2017-02-10 EP EP17717496.8A patent/EP3400268B1/en active Active
- 2017-02-10 US US15/429,845 patent/US10246633B2/en active Active
- 2017-02-10 KR KR1020187022610A patent/KR102240061B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-10 CN CN201780010680.7A patent/CN108603105A/zh active Pending
- 2017-02-13 TW TW106104656A patent/TWI654278B/zh active
- 2017-02-13 TW TW108107119A patent/TW201943835A/zh unknown
-
2019
- 2019-02-15 US US16/277,513 patent/US10941338B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-27 JP JP2020091881A patent/JP2020169322A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3400268A1 (en) | 2018-11-14 |
| KR20180100204A (ko) | 2018-09-07 |
| US20170233644A1 (en) | 2017-08-17 |
| CN108603105A (zh) | 2018-09-28 |
| JP6759349B2 (ja) | 2020-09-23 |
| TW201943835A (zh) | 2019-11-16 |
| WO2017137843A1 (en) | 2017-08-17 |
| KR102240061B1 (ko) | 2021-04-13 |
| US20190177609A1 (en) | 2019-06-13 |
| EP3400268B1 (en) | 2020-10-14 |
| JP2020169322A (ja) | 2020-10-15 |
| US10246633B2 (en) | 2019-04-02 |
| JP2019506510A (ja) | 2019-03-07 |
| TW201736571A (zh) | 2017-10-16 |
| US10941338B2 (en) | 2021-03-09 |
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