TWI650893B - 蓄電裝置 - Google Patents

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TWI650893B
TWI650893B TW107108264A TW107108264A TWI650893B TW I650893 B TWI650893 B TW I650893B TW 107108264 A TW107108264 A TW 107108264A TW 107108264 A TW107108264 A TW 107108264A TW I650893 B TWI650893 B TW I650893B
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Takashi Tonokawa
殿川孝司
Kazuyuki Tsunokuni
津國和之
Takuo Kudoh
工藤拓夫
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Kabushiki Kaisha Nihon Micronics
日商日本麥克隆尼股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為提供一種可以增大每單位體積(重量)之蓄電容量的蓄電裝置。
蓄電裝置30具備：第1氧化物半導體層14，具有第1導電型之第1氧化物半導體；第1充電層16，配置於第1氧化物半導體層14上，由第1絕緣物與第1導電型之第2氧化物半導體所構成；及第3氧化物半導體層24，配置於第1充電層16上。第3氧化物半導體層24具有氫及第2導電型之第3氧化物半導體，氫相對於構成第3氧化物半導體之金屬的比例為40%以上。

Description

蓄電裝置
本實施形態係關於一種蓄電裝置。
習知的蓄電裝置中，為了不使用電解液-稀有元素以及能夠薄膜化，有積層第1電極/絕緣物-n型氧化物半導體層/p型氧化物半導體層/第2電極而成之二次電池的提案。
再者，和該二次電池類似的構造中，也已有二次電池的提案，其具備：正極，具有包含氧化鎳等作為正極活性物質的正極活性物質膜；固態電解質，具有含水多孔質構造；及負極，具有包含氧化鈦等作為負極活性物質的負極活性物質膜。
此外，也有將n型半導體層、充電層、絕緣層、p型半導體層加以積層後，在其上下方形成電極之構造的蓄電裝置的提案。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5508542號公報
[專利文獻2]日本專利第5297809號公報
[專利文獻3]日本特開2015-82445號公報
[專利文獻4]日本特開2016-82125號公報
本實施形態係提供可增大每單位體積(重量)之蓄電容量的蓄電裝置。
若依本實施形態之一樣態，係提供一種蓄電裝置，具備：第1氧化物半導體層，具有第1導電型之第1氧化物半導體；第1充電層，配置於前述第1氧化物半導體層上，由第1絕緣物與第1導電型之第2氧化物半導體所構成；及第3氧化物半導體層，配置於前述第1充電層上；前述第3氧化物半導體層具有氫及第2導電型之第3氧化物半導體，前述氫相對於構成前述第3氧化物半導體之金屬的比例為40%以上。
若依本實施形態，能夠提供可增大每單位體積(重量)之蓄電容量的蓄電裝置。
12‧‧‧第1電極(E1)
14‧‧‧第1氧化物半導體層
16‧‧‧第1充電層
18‧‧‧第2充電層
20‧‧‧充電層
24‧‧‧第3氧化物半導體層
26‧‧‧第2電極(E2)
30‧‧‧蓄電裝置
50‧‧‧試樣基板
60‧‧‧加熱器
70‧‧‧磁力線
80‧‧‧上部電極
90‧‧‧磁鐵
100‧‧‧氣體導入口
200‧‧‧氣體排出口
300‧‧‧高頻電源
400‧‧‧靶材
500‧‧‧濺鍍室
600‧‧‧濺鍍沉積裝置
第1圖為實施形態之蓄電裝置的示意性剖面構造圖。
第2圖係在實施形態的蓄電裝置中，(a)含氫的第3氧化物半導體層的示意性構成圖，(b)含氫的第3氧化物半導 體層的另一示意性構成圖。
第3圖係在實施形態的蓄電裝置中，放電電荷量QD與p型氧化物半導體層中之氫量CH的關係。
第4圖係在實施形態的蓄電裝置中，放電電荷量QD與p型氧化物半導體層之厚度tp的關係。
第5圖係在實施形態的蓄電裝置中，p型氧化物半導體層之X射線散射(XRD：X-ray diffraction)量測結果。
第6圖係說明在實施形態的蓄電裝置中，濺鍍沉積的p型氧化物半導體層之氫量CH與壓力△P之關係的示意圖。
第7圖係說明在實施形態的蓄電裝置中，放電時間TD與p型氧化物半導體層厚度tp之關係的示意圖。
第8圖係說明在實施形態的蓄電裝置中，放電時間TD與第1充電層厚度tch之關係的示意圖。
第9圖係在實施形態的蓄電裝置中，濺鍍沉積裝置的示意性構成圖。
[發明的實施形態]
接著，參照附圖就本實施形態加以說明。下文說明之附圖的記載中，對相同或類似的部分賦予相同或類似的符號。但，附圖係屬示意性圖示，各構成元件的厚度與平面尺寸之關係等和實物有不同之處，尚請留意。因此，具體厚度或尺寸請參照下文說明進行判斷。此外，圖式相互間也包含相互尺寸關係或比例不同的部分，應屬當然。
再者，以下所揭示的實施形態係為了將技術性思想具體化而舉出的例示性裝置或方法，並非用以特別限定各構成元件的材質、形狀、構造、配置等。該實施形態可在申請專利範圍內加入各種改變。
下文的實施形態之說明中，所謂第1導電型係指例如n型，所謂第2導電型係指導電型和第1導電型相反的p型。而且，所謂第1導電型第1氧化物半導體層14係指具有第1導電型第1氧化物半導體的氧化物半導體層。所謂第2導電型第3氧化物半導體層24係指具有第2導電型第3氧化物半導體的氧化物半導體層。以下均相同。
[實施形態]
如第1圖所示，實施形態的蓄電裝置30具備：第1氧化物半導體層14，具有第1導電型第1氧化物半導體；第1充電層16，配置於第1氧化物半導體層上，由第1絕緣物與第1導電型第2氧化物半導體所構成；及第3氧化物半導體層24，配置於第1充電層16上。此處，第3氧化物半導體層24也可具有氫及第2導電型第3氧化物半導體，氫相對於構成第3氧化物半導體之金屬的比例為40%以上。
此外，實施形態之蓄電裝置30中，第3氧化物半導體層24可具備含氫的氧化鎳(NiOyHx)，氫組成比x之值可為0.35以上、氧組成比y之值可為任意值。
而且，也可具備配置於第1充電層16與第 3氧化物半導體層24之間的第2充電層18。
此外，第2充電層18也可具備第2絕緣物。
再者，第3氧化物半導體也可具備NiO。
而且，第2充電層18也可具備第2絕緣物及導電率調整材。
此外，第2氧化物半導體也可具備選自由Ti、Sn、Zn或Mg之氧化物所組成之組群的至少一種氧化物。
再者，導電率調整材也可具備第1導電型半導體或金屬氧化物。
而且，導電率調整材也可具備選自由Sn、Zn、Ti或Nb之氧化物所組成之組群的至少一種氧化物。
此外，第2絕緣物也可具備SiOx，導電率調整材也可具備SnOx。
再者，第2絕緣物也可具備由矽酮油成膜的SiOx。
而且，第1絕緣物也可具備SiOx，第2氧化物半導體也可具備TiOx。
此外，第3氧化物半導體層也可具備和第3氧化物半導體不同的金屬。此處，該金屬也可具備鋰或鈷。
再者，實施形態的蓄電裝置30中，也可使第3氧化物半導體層24的厚度增大。藉由使第3氧化物半導體層24的厚度增大，可使第3氧化物半導體層24的氫儲存量增加，可增大對第1充電層16的氫儲存量。
而且，實施形態之蓄電裝置30中，也可使第1充電層16的厚度增大。藉由使第1充電層16的厚度增大，可增大對第1充電層16的氫儲存量。
此外，實施形態之蓄電裝置30中，為了獲得充分的蓄電容量，可使第3氧化物半導體層24的氫濃度增加，進一步增大第1充電層16的形成厚度。
再者，第1充電層16也可具備組成彼此不同的至少2層構造。第1充電層16也可藉由例如氧化矽(SiOx)/氧化鈦(TiOx)形成。具體而言，可藉SiOx/TiOx的層構造來形成，或者，亦可藉由以SiOx被覆粒子狀的TiOx周圍而成的粒子接合構造來形成。而且，第1充電層16也可具備TiOx和SiOx混合存在或者TiOx包覆於氧化矽的構造。此外，上述中，氧化鈦及氧化矽的組成並不限定於TiOx及SiOx，也可具備TiOx或者SiOx等之組成比x改變後的構成。
再者，因n型的氧化物半導體可為鈦(Ti)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎂(Mg)之氧化物，所以也可為SiOx與Ti、Sn、Zn、Mg之氧化物的層構造，或者，也可為藉SiOx被覆粒子狀Ti、Sn、Zn、Mg之氧化物周圍而成的粒子接合構造。而且，也可具備SiOx與Ti、Sn、Zn、Mg之氧化物分子或者分子群被SiOx(非晶質)圍繞而成的構成。
此外，第1充電層16也可具備多孔質構造。
(第1充電層)
第1充電層16為將充電時產生的氫予以儲存的層。第1充電層16在充電時係進行M+H2O+e-→MH+OH-的反應，放電時則進行MH+OH-→M+H2O+e-的反應。藉由多孔質化，可增大氫的儲存效率。再者，藉由設為複數層，可使氫儲存與導電性最佳化。藉由採用Ti、Sn、Zn或Mg之氧化物，第2氧化物半導體可最佳化。
(第2充電層)
第2充電層18係為用以調整H+及電子(e-)之移動的緩衝層。
(p型氧化物半導體層)
氧化物半導體層24係對第1充電層16之n型半導體(第2氧化物半導體)構成pn接合，可抑制充電時的電荷洩漏。p型氧化物半導體層24則藉由採用含氫之氧化鎳(NiOyHx)，而得以增大對第1充電層16的氫供給量。
(n型氧化物半導體層)
如第1圖所示，實施形態之蓄電裝置30具備：第1電極12及第2電極26。第1氧化物半導體層14具備n型氧化物半導體層，且連接於第1電極12。第2氧化物半導體具備n型第2氧化物半導體。第3氧化物半導體層24具備p型第3氧化物半導體層，且連接於第2電極26。
(製造方法)
實施形態之蓄電裝置30的製造方法具有：形成第1導電型第1氧化物半導體層14的步驟；在第1氧化物半導體層14上形成由第1絕緣物與第1導電型第2氧化物半導體所構成之第1充電層16的步驟；在第1充電層16上形成第2充電層18的步驟；及藉濺鍍沉積法在第2充電層18上形成第3氧化物半導體層24的步驟。
此處，形成第3氧化物半導體層24的步驟可使用金屬鎳Ni作為濺鍍時的靶材，將水蒸氣或水供給到濺鍍室內，且增加濺射流量。
再者，形成第3氧化物半導體層24的步驟可藉氬離子Ar+的離子碰撞而從靶材激發Ni原子，同時被激發的Ni原子會和濺鍍室內的氫、氧反應而產生濺鍍沉積反應，堆積含氫的第3氧化物半導體層24。
-n型氧化物半導體層14-
以例如濺鍍沉積法將TiOx膜形成在構成下部電極之第1電極12上。此處，可使用Ti或TiOx作為靶材。n型氧化物半導體層14的膜厚約為例如50nm-200nm左右。然而，第1電極12可應用例如鎢(W)電極等。
-第1充電層16-
藥液係由脂肪酸鈦與矽酮油和溶劑一起攪拌而形成。使用旋塗裝置將該藥液塗佈於n型氧化物半導體層14 上。旋轉數約為例如500-3000rpm。塗佈後，在加熱板上使其乾燥。加熱板上的乾燥溫度為約例如30℃-200℃左右，乾燥時間約為例如5分鐘-30分鐘左右。乾燥後進行煅燒。乾燥後之煅燒係使用煅燒爐在大氣中進行。煅燒溫度約為例如300℃-600℃左右，煅燒時間約為例如10分鐘-60分鐘左右。
藉此操作，脂肪族酸鹽會分解並形成被矽酮絕緣膜包覆的二氧化鈦的微粒子層。以層狀形成被矽酮絕緣膜包覆之二氧化鈦的上述製造(製作)方法為塗佈熱分解法。具體而言，該層的構造係使被覆有矽酮膜的二氧化鈦金屬鹽包埋於矽酮層中。煅燒後，以低壓水銀燈實施UV照射。UV照射時間約為例如10分鐘-100分鐘左右。第1充電層16的膜厚約為例如200nm-2000nm左右。
-第2充電層(緩衝層)18-
藥液係由矽酮油和溶媒一起攪拌而形成。使用旋塗裝置將該藥液塗佈於第1充電層16上。旋轉數約為例如500-3000rpm。塗佈後，在加熱板上使其乾燥。加熱板上的乾燥溫度約為例如50℃-200℃左右，乾燥時間約為例如5分鐘-30分鐘左右。乾燥後再進行煅燒。乾燥後煅燒係使用煅燒爐在大氣中進行。煅燒溫度約為例如300℃-600℃左右，煅燒時間約為例如10分鐘-60分鐘左右。煅燒後，以低壓水銀燈實施UV照射。UV照射時間約為例如10分鐘-60分鐘左右。UV照射後的第2充電層(緩衝層)18的 膜厚約為例如10nm-100nm左右。
-p型第3氧化物半導體層24-
該p型第3氧化物半導體層24係以例如濺鍍沉積法將含氫的氧化鎳(NiOyHx)膜成膜在第2充電層18上而形成。此處，可將Ni或NiO作為靶材使用。此外，水係取自濺鍍沉積裝置之濺鍍室內的水蒸氣或者水分。p型氧化物半導體層(含氫的氧化鎳(NiOyHx))24之膜厚約為例如200nm-1000nm左右。
-第2電極26-
作為上部電極的第2電極26係以濺鍍沉積法或者真空蒸鍍法將例如Al成膜而形成，可在p型氧化物半導體層(含氫的氧化鎳(NiOyHx))24上使用Al靶材進行成膜。第2電極26也可使用例如不銹鋼遮罩僅成膜在指定區域。
(含氫的p型氧化物半導體層的構成)
實施形態的蓄電裝置30中，p型氧化物半導體層24的示意性構成例，係表現為例如第2圖(a)所示。此外，p型氧化物半導體層24的其他示意性構成例，係表現為例如第2圖(b)所示。
實施形態之蓄電裝置30中，p型氧化物半導體層24係表現為例如第2圖(a)所示之氧化鎳NiO與氫氧化鎳Ni(OH)2的混合層。結果，p型氧化物半導體層24 表現為含氫的氧化鎳(NiOyHx)。
或者，實施形態之蓄電裝置30中，如第2圖(b)所示，p型氧化物半導體層24係表現為例如氧化鎳NiO、氫氧化鎳Ni(OH)2與羥基氧化鎳NiOOH的混合層。結果，p型氧化物半導體層24係表現為含氫的氧化鎳(NiOyHx)。
(放電電荷量QD與氫量CH之關係)
依據二次離子質量分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)的分析結果，量測p型氧化物半導體層24中之氫總量CH和與蓄電裝置30之放電時間TD成比例之放電電荷量QD的關係。
僅在預定時間對實施形態的蓄電裝置30施加充電電壓，然後，將第1電極E1-第2電極E2間設在開放狀態，量測其放電時間TD。
藉由改變p型氧化物半導體層24的成膜條件(包含膜厚)，蓄電裝置30的放電時間TD就會變化。藉由改變濺射流量條件、膜厚，已知可使放電時間TD增加。
藉由增加p型氧化物半導體層24的膜厚，可增加蓄電裝置30的放電時間TD。
藉由增加濺射流量(壓力)，可增加放電時間TD。具體而言，例如，藉由分別增加濺鍍步驟中濺鍍室內之Ar/O2流量，也已知可增加放電時間TD。
實施形態之蓄電裝置30中，藉由增加第1 充電層16的膜厚tch，已知可增加放電時間TD。
在實施形態之蓄電裝置中，放電電荷量QD與p型氧化物半導體層24中的氫量CH之關係如第3圖所示。放電電荷量QD與含氫的氧化鎳(NiOyHx)24中的氫量CH之關係如第3圖所示，具比例關係，在增加氫量CH的同時放電電荷量QD增大，提升蓄電性能。
(放電電荷量QD與p型氧化物半導體層之厚度tp的關係)
依據SIMS的分析結果，p型氧化物半導體層(含氫的氧化鎳(NiOyHx))24中的氫H添加量在膜深度方向幾乎是一定。因此，p型氧化物半導體層24中的氫總量係和p型氧化物半導體層24的厚度tp成比例地增加。因此，量測以該成膜條件改變p型氧化物半導體層24之厚度tp時的膜厚與放電時間之關係，可求得放電電荷量QD與p型氧化物半導體層24之厚度tp的關係。
亦即，實施形態的蓄電裝置中，放電電荷量QD與p型氧化物半導體層24之厚度tp的關係係如第4圖所示。濺鍍步驟時的靶材係使用金屬鎳Ni。另外，第4圖中，出現NiO係在使用氧化鎳作為濺鍍時靶材的情況(參照例)。
如第4圖所示，放電電荷量QD與p型氧化物半導體層24之厚度tp的關係係呈比例關係，隨著增加厚度tp，放電電荷量QD亦增大，蓄電性能提升。
(X射線散射量測結果)
實施形態的蓄電裝置中，p型氧化物半導體層24的X射線散射(XRD：X-ray diffraction)量測結果係如第5圖所示。XRD的量測結果，從2θ=37度或43度的結果，可觀測到NiO的(111)面37度、及(200)面43度。
(氫量CH與壓力△P之關係)
實施形態的蓄電裝置30中，濺鍍沉積過程中p型氧化物半導體層24中的氫量CH與壓力△P之關係如第6圖所示意性顯示。此處，壓力△P=P1、P2、P3係呈線性增大，分別對應的氫量CH=CP1、CP2、CP3亦呈線性增大。壓力△P可藉由將濺鍍過程中濺鍍室內的Ar/O2流量分別增加而改變。
p型氧化物半導體層24中氫量CH與壓力△P之關係係如第6圖所示，具有比例關係，藉由增加壓力△P，可增加氫量CH，結果可增加放電時間TD。
(放電時間TD與p型氧化物半導體層之厚度tp的關係)
實施形態的蓄電裝置30中，放電時間TD與p型氧化物半導體層24之厚度tp的關係如第7圖所示意性顯示。此處，厚度tp=tp1、tp2、tp3係呈線性增大，分別對應的放電時間TD=TP1、TP2、TP3亦呈線性增大。依據SIMS的分析結果，p型氧化物半導體層24的厚度tp因和氫添加量成比例，故藉由增加厚度tp，可增加p型氧化物半導體層 24中的氫添加量。
實施形態之蓄電裝置30中，如第7圖所示，放電時間TD與p型氧化物半導體層24之厚度tp的關係具有比例關係，藉由增加厚度tp，可增加氫量CH，結果可增加放電時間TD。
(放電時間TD與第1充電層之厚度tch的關係)
實施形態的蓄電裝置30中，放電時間TD與第1充電層16之厚度tch的關係如第8圖所示意性顯示。此處，第1充電層16之厚度tch=tch1、tch2、tch3增大，分別對應的放電時間TD=Tc1、Tc2、Tc3亦增大。
實施形態的蓄電裝置30中，放電時間TD與第1充電層16之厚度tch的關係如第8圖所示，具有比例關係。藉由增加厚度tch，可增大對第1充電層16的氫儲存量，結果可增加放電時間TD。
(濺鍍沉積裝置)
實施形態的蓄電裝置30的製造方法中所應用的濺鍍沉積裝置600之示意性構成係呈現如第9圖所示。另外，也可使用由第9圖的裝置構成擴大而成俾可處理複數片的批式裝置。
實施形態的蓄電裝置30的製造方法中所應用的濺鍍沉積裝置600係如第9圖所示，具備濺鍍室500，其具有氣體導入口100、氣體排出口200、缸筒狀的上部電 極80、及靶材400。
在上部電極80上配置有加熱器60及可用該加熱器60加熱的試樣基板50。
再者，靶材400連接有磁鐵90，如第9圖所示，靶材400上可產生磁力線70。
氬(Ar)氣或氧(O2)氣可依預定流量從氣體導入口100供給到濺鍍室500內。
濺鍍沉積反應後的廢氣係從氣體排出口200排出。氣體排出口200係連接於配置在濺鍍室500外部的例如低溫泵、或渦輪分子泵。
靶材400可使用金屬Ni或NiO等。
此外，試樣基板50為由實施形態之蓄電裝置30中第1充電層16/第1氧化物半導體層14構成之層構造、或者由第1充電層16/第1氧化物半導體層14/第1電極(E1)構成之層構造，其可使用以第1充電層16為露出表面的基板試樣。
電性連接於濺鍍室500的上部電極80與對濺鍍室500電性絕緣的靶材400之間，連接有可依預定頻率振盪的高頻電源300。結果，在濺鍍室500內的上部電極80與靶材400之間會產生由氬離子Ar+與電子e-構成的預定量電漿，藉由氬離子Ar+的離子碰撞，會從靶材400激發出Ni原子。該被激發的Ni原子會和濺鍍室內的氫、氧反應，同時藉濺鍍沉積反應在試樣基板50表面上堆積含氫的p型氧化物半導體層24。結果，p型氧化物半導體層 24係呈現為含氫的氧化鎳(NiOyHx)。
即使p型氧化物半導體層24的每單位膜厚(體積)有變換，仍可藉由提高氫(H)濃度增加放電時間。因此，例如可在濺鍍時將水蒸氣或H2O供給至濺鍍室內。
(RBS)
藉由SIMS雖可相互比較，但因無法量測絶對量，故也用賴擇福後方散射分光法(RBS：Rutherford Backscattering Spectroscopy)實施定量化。RBS中，對試料照射高速離子(He+、H+等)時，入射離子中的一部分會因試料中的原子核而受到彈性(賴擇福)散射。散射離子的能量因對象原子的質量及位置(深度)而有不同。從該散射離子的能量及產量可求得深度方向之試料的元素組成。結果，在一例子中，獲得了Ni含量35.20%、O含量35.60%、H含量29.00%的結果，從而可知包含有原子量比約30%的氫(H)。
在實施形態的蓄電裝置30中，推測為了放電需要原子量比為15%以上之含氫(H)的氧化鎳(NiOyHx)。再者，在化學式中，關於含氫(H)的氧化鎳(NiOyHx)的氫量，y=任意、x=0.35以上較理想。
在氧化鎳(NiO)純粹包含H的情況中，可為NiOHx x=0.35左右。然而，由於也有在氧化鎳(NiO)中包含NiOOH或Ni(OH)2的情形，故在包含氫的氧化鎳(NiOyHx)中，以y=任意、x=0.35以上較理想。
XRD中，雖只能檢測NiO，但在RBS量測 中氧相對於Ni的值超過1的情況已獲得確認，這是因以Ni為基礎來定義氫量，而氫量對充放電有所助益的緣故。RBS量測的結果，例如，在某試樣中獲得NiOyHx：y=1、x=0.8，而在另一試樣中則獲得NiOyHx：y=1.5、x=0.4。
若依實施形態，可提供每單位體積(重量)的蓄電容量能夠增大的蓄電裝置及其製造方法。
[其他實施形態]
如上所述，雖然已針對實施形態加以陳述，但本文所揭示的一部分論述及圖面係屬例示性，不應視為具有限定性。本行業者應可從該揭示內容知悉各種代替實施形態、實施例及運用技術。
例如，以不銹鋼箔作為基板，將實施形態的蓄電裝置30之構造製作成板片狀。然後，將該板片層疊而製得所需容量的蓄電裝置30。
例如，可使2張板片之第2電極(上部電極)相對向，在其間插入電極(薄金屬箔)，再將2張板片重疊多層而製成所需容量的蓄電裝置。然後可以積層板等密封。
依此方式，本實施形態包含此處未敘及的各種實施形態等。
[產業上的可利用性]
本實施形態的蓄電裝置可利用於各種民生用設備、產業設備，且可應用於通訊終端、無線感測器網路專用的蓄電裝置等能夠以低消費電力傳送各種感測器資訊的系統專用型蓄電裝置等廣泛應用領域。

Claims (14)

  1. 一種蓄電裝置，具備：第1氧化物半導體層，具有第1導電型之第1氧化物半導體；第1充電層，配置於前述第1氧化物半導體層上，由第1絕緣物與第1導電型之第2氧化物半導體所構成；及第3氧化物半導體層，配置於前述第1充電層上；前述第3氧化物半導體層具有氫及第2導電型之第3氧化物半導體，前述氫相對於構成前述第3氧化物半導體之金屬的比例為40%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蓄電裝置，係具備配置於前述第1充電層與前述第3氧化物半導體層之間的第2充電層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之蓄電裝置，其中前述第2充電層具備第2絕緣物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之蓄電裝置，其中前述第3氧化物半導體具備NiO。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之蓄電裝置，其中前述第2充電層具備第2絕緣物及導電率調整材。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之蓄電裝置，其中前述第2氧化物半導體具備選自由Ti、Sn、Zn或Mg之氧化物所組成之組群的至少一種氧化物。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之蓄電裝置，其中前述導電率調整材具備第1導電型之半導體或者金屬氧化物。
  8. 如申請專利範圍第5或7項所述之蓄電裝置，其中前述導電率調整材具備選自由Sn、Zn、Ti或Nb之氧化物所組成之組群的至少一種氧化物。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之蓄電裝置，其中前述第2絕緣物具備SiOx，前述導電率調整材具備SnOx。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之蓄電裝置，其中前述第2絕緣物具備由矽酮油成膜的SiOx。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之蓄電裝置，其中前述第1絕緣物具備SiOx，前述第2氧化物半導體具備TiOx。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之蓄電裝置，其中前述第3氧化物半導體層具備和前述第3氧化物半導體不同的金屬。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之蓄電裝置，其中前述金屬具備鋰或鈷。
  14. 一種蓄電裝置，具備：第1導電型之第1氧化物半導體層；第1充電層，配置於前述第1氧化物半導體層上，由第1絕緣物與第1導電型之第2氧化物半導體所構成；及第2導電型之第3氧化物半導體層，配置於前述第1充電層上，前述第3氧化物半導體層具備含氫的氧化鎳(NiOyHx)，氫組成比x之值為0.35以上，氧組成比y之值為任意值。
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