CN110392955B - 蓄电设备 - Google Patents

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Abstract

蓄电设备(30)具备：第1氧化物半导体层(14)，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层(24)，其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40％以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。

Description

蓄电设备
技术领域
本实施方式涉及蓄电设备。
背景技术
作为以往的蓄电设备，为了不使用电解液·稀有元素、和能薄膜化，提出了层叠有第1电极/绝缘物·n型氧化物半导体层/p型氧化物半导体层/第2电极的二次电池。
另外，作为与该二次电池类似的结构，提出了具备如下正极、固体电解质和负极的二次电池，所述正极具备包含氧化镍等作为正极活性物质的正极活性物质膜，所述固体电解质具有含水多孔结构，所述负极具备包含氧化钛等作为负极活性物质的负极活性物质膜。
另外，还提出了如下结构的蓄电设备：层叠有n型半导体层、充电层、绝缘层、p型半导体层，且在上下形成有电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5508542号公报
专利文献2：日本专利第5297809号公报
专利文献3：日本特开2015-82445号公报
专利文献4：日本特开2016-82125号公报
发明内容
发明要解决的问题
本实施方式提供：能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
用于解决问题的方案
根据本实施方式的一方式，提供一种蓄电设备，其具备：第1氧化物半导体层，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层，其配置于前述第1氧化物半导体层上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层，其配置于前述第1充电层上，前述第3氧化物半导体层具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，前述氢相对于构成前述第3氧化物半导体的金属的比率为40％以上。
发明的效果
根据本实施方式，可以提供：能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
附图说明
图1为实施方式的蓄电设备的示意性截面结构图。
图2为实施方式的蓄电设备中、(a)含有氢的第3氧化物半导体层的示意性构成图，(b)含有氢的第3氧化物半导体层的另一示意性构成图。
图3为实施方式的蓄电设备中、放电电荷量QD与p型氧化物半导体层中的氢量CH的关系。
图4为实施方式的蓄电设备中、放电电荷量QD与p型氧化物半导体层的厚度tp的关系。
图5为实施方式的蓄电设备中、p型氧化物半导体层的X射线散射(XRD：X-raydiffraction)测定结果。
图6为对实施方式的蓄电设备中、溅射沉积中的p型氧化物半导体层的氢量CH与压力ΔP的关系进行说明的示意图。
图7为对实施方式的蓄电设备中、放电时间TD与p型氧化物半导体层的厚度tp的关系进行说明的示意图。
图8为对实施方式的蓄电设备中、放电时间TD与第1充电层的厚度tch的关系进行说明的示意图。
图9为实施方式的蓄电设备中、溅射沉积装置的示意性构成图。
具体实施方式
接着，参照附图，对本实施方式进行说明。以下中说明的附图的记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的符号。但是，附图为示意性的，应注意的是，各构成部件的厚度与平面尺寸的关系等与现实的情况不同。因此，具体的厚度、尺寸应参照以下的说明进行判断。另外，当然包含附图的相互间彼此的尺寸的关系、比率不同的部分。
另外，以下所示的实施方式示例了用于使技术构思具体化的装置、方法，不特定各构成部件的材质、形状、结构、配置等。该实施方式可以在权利要求的范围内加以各种变更。
以下的实施方式的说明中，第1导电型例如是指n型，第2导电型是指，与第1导电型相反导电型的p型。另外，第1导电型的第1氧化物半导体层14是指，具有第1导电型的第1氧化物半导体的氧化物半导体层。第2导电型的第3氧化物半导体层24是指，具有第2导电型的第3氧化物半导体的氧化物半导体层。以下同样。
[实施方式]
实施方式的蓄电设备30如图1所示那样，具备：第1氧化物半导体层14，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层16，其配置于第1氧化物半导体层上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层24，其配置于第1充电层16上。此处，第3氧化物半导体层24具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率可以为40％以上。
另外，实施方式的蓄电设备30中，第3氧化物半导体层24具备含有氢的氧化镍(NiOyHx)，氢组成比x的值可以为0.35以上，氧组成比y的值可以为任意。
另外，可以具备第2充电层18，所述第2充电层18配置于第1充电层16与第3氧化物半导体层24之间。
另外，第2充电层18可以具备第2绝缘物。
另外，第3氧化物半导体可以具备NiO。
另外，第2充电层18可以具备第2绝缘物、和电导率调整材料。
另外，第2氧化物半导体可以具备选自由Ti、Sn、Zn或Mg的氧化物组成的组中的至少1种氧化物。
另外，电导率调整材料可以具备第1导电型的半导体、或金属的氧化物。
另外，电导率调整材料可以具备选自由Sn、Zn、Ti或Nb的氧化物组成的组中的至少1种氧化物。
另外，第2绝缘物可以具备SiOx，电导率调整材料可以具备SnOx。
另外，第2绝缘物可以具备由硅油成膜的SiOx。
另外，第1绝缘物可以具备SiOx，第2氧化物半导体可以具备TiOx。
进而，第3氧化物半导体层可以具备与第3氧化物半导体不同的金属。此处，该金属可以具备锂或钴。
另外，实施方式的蓄电设备30中，可以增大第3氧化物半导体层24的厚度。通过增大第3氧化物半导体层24的厚度，从而增加第3氧化物半导体层24的氢蓄积量，可以增大对第1充电层16的氢蓄积量。
另外，实施方式的蓄电设备30中，可以增大第1充电层16的厚度。通过增大第1充电层16的厚度，从而可以增大对第1充电层16的氢蓄积量。
另外，实施方式的蓄电设备30中，为了得到充分的蓄电容量，可以增加第3氧化物半导体层24的氢浓度，进而可以较厚地形成第1充电层16。
另外，第1充电层16可以具备组成彼此不同的、至少2层结构。第1充电层16例如可以由氧化硅(SiOx)/氧化钛(TiOx)形成。具体而言，可以由SiOx/TiOx的层结构形成，或可以也由通过SiOx覆盖了颗粒形状的TiOx周围的颗粒接合结构形成。另外，第1充电层16可以具备TiOx与SiOx混合存在或由氧化硅包覆TiOx的结构。另外，上述中，氧化钛和氧化硅的组成不限定于TiOx和SiOx，可以具备TiOx或SiOx等的组成比x变化了的构成。
另外，n型的氧化物半导体可以为钛(Ti)、锡(Sn)、锌(Zn)、镁(Mg)的氧化物，因此，可以由SiOx与Ti、Sn、Zn、Mg的氧化物的层结构形成，或也可以由通过SiOx覆盖颗粒形状的Ti、Sn、Zn、Mg的氧化物周围的颗粒接合结构形成。另外，可以具备SiOx与Ti、Sn、Zn、Mg的氧化物的分子或分子组包围于SiOx(非晶)的构成。
另外，第1充电层16可以具备多孔结构。
(第1充电层)
第1充电层16是蓄积充电时产生的氢的层。对于第1充电层16，充电时，M+H2O+e-→MH+OH-的反应进行，放电时，MH+OH-→M+H2O+e-的反应进行。通过进行多孔化，从而能增大氢蓄积的效率。另外，通过形成多层，从而可以使氢蓄积和导电性最佳化。通过将第2氧化物半导体形成Ti、Sn、Zn或Mg的氧化物，从而能最佳化。
(第2充电层)
第2充电层18是用于调整H+和电子(e-)的移动的缓冲层。
(p型氧化物半导体层)
氧化物半导体层24对第1充电层16的n型半导体(第2氧化物半导体)构成pn接合，能抑制充电时的电荷泄漏。p型氧化物半导体层24形成含有氢的氧化镍(NiOyHx)，从而能增大对第1充电层16的氢供给量。
(n型氧化物半导体层)
实施方式的蓄电设备30如图1所示那样，具备第1电极12和第2电极26，第1氧化物半导体层14具备n型氧化物半导体层，且与第1电极12连接，第2氧化物半导体具备n型第2氧化物半导体，第3氧化物半导体层24具备p型第3氧化物半导体层，且可以与第2电极26连接。
(制造方法)
实施方式的蓄电设备30的制造方法具备如下工序：形成第1导电型的第1氧化物半导体层14的工序；在第1氧化物半导体层14上形成第1充电层16的工序，所述第1充电层16由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；在第1充电层16上形成第2充电层18的工序；和，通过溅射沉积法在第2充电层18上形成第3氧化物半导体层24的工序。
此处，形成第3氧化物半导体层24的工序如下：使用金属镍Ni作为溅射时的靶材料，向腔室内供给水蒸气、水，且可以增加溅射流量。
另外，形成第3氧化物半导体层24的工序如下：通过利用氩离子Ar+的离子冲击由靶使Ni原子激发，且在所激发的Ni原子与腔室内的氢、氧反应的同时，通过溅射沉积反应，可以使含有氢的第3氧化物半导体层24沉积。
―n型氧化物半导体层14―
在构成下部电极的第1电极12上用例如溅射沉积法成膜TiOx膜从而形成。此处，可以使用Ti或TiOx作为靶。n型氧化物半导体层14的膜厚例如为约50nm-200nm左右。需要说明的是，第1电极12例如能应用钨(W)电极等。
―第1充电层16―
将脂肪酸钛和硅油与溶剂一起搅拌而形成化学溶液。用旋涂装置，将该化学溶液涂布于n型氧化物半导体层14上。转速例如为约500-3000rpm。涂布后，在热板上使其干燥。热板上的干燥温度例如为约30℃-200℃左右，干燥时间例如为约5分钟-30分钟左右。干燥后进行焙烧。干燥后焙烧使用焙烧炉，且在大气中进行焙烧。焙烧温度例如为约300℃-600℃左右，焙烧时间例如为约10分钟-60分钟左右。
由此，脂肪族酸盐分解，形成由有机硅的绝缘膜覆盖的二氧化钛的微粒层。层形成有以有机硅的绝缘膜覆盖的二氧化钛的上述制造(制作)方法为涂布热分解法。该层具体地为覆膜了有机硅的二氧化钛的金属盐被埋入有机硅层中的结构。焙烧后，实施利用低压汞灯的UV照射。UV照射时间例如为约10分钟-100分钟左右。第1充电层16的膜厚例如为约200nm-2000nm左右。
―第2充电层(缓冲层)18―
将硅油与溶剂一起搅拌而形成化学溶液。用旋涂装置，将该化学溶液涂布于第1充电层16上。转速例如为约500-3000rpm。涂布后，在热板上使其干燥。热板上的干燥温度例如为约50℃-200℃左右、干燥时间例如为约5分钟-30分钟左右。进而，干燥后进行焙烧。干燥后焙烧使用焙烧炉，且在大气中进行焙烧。焙烧温度例如为约300℃-600℃左右，焙烧时间例如为约10分钟-60分钟左右。焙烧后，实施利用低压汞灯的UV照射。UV照射时间例如为约10分-60分钟左右。UV照射后的第2充电层(缓冲层)18的膜厚例如为约10nm-100nm左右。
―p型第3氧化物半导体层24―
在第2充电层18上用例如溅射沉积法成膜含有氢的氧化镍(NiOyHx)膜而形成。此处，可以使用Ni或NiO作为靶。另外，水由溅射沉积装置的腔室内的水蒸气或水分掺入。p型氧化物半导体层(含有氢的氧化镍(NiOyHx))24的膜厚例如为约200nm-1000nm左右。
―第2电极26―
作为上部电极的第2电极26例如通过用溅射沉积法或真空蒸镀法成膜Al而形成。可以使用Al靶在p型氧化物半导体层(含有氢的氧化镍(NiOyHx))24上成膜。第2电极26例如可以使用不锈钢掩模，仅成膜指定区域。
(含有氢的p型氧化物半导体层的构成)
实施方式的蓄电设备30中，p型氧化物半导体层24的示意性构成例如图2的(a)所示那样表示。另外，p型氧化物半导体层24的另一示意性构成例如图2的(b)所示那样表示。
实施方式的蓄电设备30中，p型氧化物半导体层24例如如图2的(a)所示那样，以氧化镍NiO与氢氧化镍Ni(OH)2的混合存在层的形式表示。作为结果，p型氧化物半导体层24以含有氢的氧化镍(NiOyHx)的形式表示。
或者，实施方式的蓄电设备30中，p型氧化物半导体层24例如如图2的(b)所示那样，以氧化镍NiO与氢氧化镍Ni(OH)2与羟基氧化镍NiOOH的混合存在层的形式表示。作为结果，p型氧化物半导体层24以含有氢的氧化镍(NiOyHx)的形式表示。
(放电电荷量QD与氢量CH的关系)
根据二次离子质谱法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)的分析结果，测定了p型氧化物半导体层24中的总氢量CH与跟蓄电设备30的放电时间TD成比例的放电电荷量QD的关系。
对于实施方式的蓄电设备30，仅施加规定时间的充电电压，之后，使第1电极E1·第2电极E2间为开放状态，测定放电时间TD。
通过改变p型氧化物半导体层24的成膜条件(包含膜厚)，从而蓄电设备30的放电时间TD变化。判定通过改变溅射流量条件、膜厚，从而能增加放电时间TD。
通过增加p型氧化物半导体层24的膜厚，从而能增加蓄电设备30的放电时间TD。
通过增加溅射流量(压力)，从而能增加放电时间TD。例如具体而言，还判定通过分别增加溅射中的腔室内的Ar/O2的流量，从而能增加放电时间TD。
实施方式的蓄电设备30中，还判定通过增加第1充电层16的膜厚tch，从而能增加放电时间TD。
实施方式的蓄电设备中、放电电荷量QD与p型氧化物半导体层24中的氢量CH的关系如图3所示那样表示。放电电荷量QD与含有氢的氧化镍(NiOyHx)24中的氢量CH的关系如图3所示那样，存在比例关系，增加氢量CH的同时放电电荷量QD增大，蓄电性能得到改善。
(放电电荷量QD与p型氧化物半导体层的厚度tp的关系)
根据SIMS的分析结果，p型氧化物半导体层(含有氢的氧化镍(NiOyHx))24中的氢H的添加量在膜深度方向上基本恒定。因此，与p型氧化物半导体层24的厚度tp成比例，p型氧化物半导体层24中的总氢量增加。因此，在同一成膜条件下，测定变更p型氧化物半导体层24的厚度tp时的、膜厚与放电时间的关系，求出放电电荷量QD与p型氧化物半导体层24的厚度tp的关系。
即，实施方式的蓄电设备中，放电电荷量QD与p型氧化物半导体层24的厚度tp的关系如图4所示那样表示。使用金属镍Ni作为溅射时的靶材料。需要说明的是，图4中，NiO是指，使用氧化镍作为溅射时的靶材料的情况(参照例)。
放电电荷量QD与p型氧化物半导体层24的厚度tp的关系如图4所示那样，存在比例关系，增加厚度tp的同时放电电荷量QD增大，蓄电性能得到改善。
(X射线散射测定结果)
实施方式的蓄电设备中、p型氧化物半导体层24的X射线散射(XRD：X-raydiffraction)测定结果如图5所示那样表示。XRD的测定结果，根据2θ＝37度和43度的结果，观测到NiO的(111)面37度和(200)面43度。
(氢量CH与压力ΔP的关系)
实施方式的蓄电设备30中，溅射沉积中的p型氧化物半导体层24中的氢量CH与压力ΔP的关系如图6所示示意性表示。此处，压力ΔP＝P1、P2、P3呈线性增大，对应于各自的氢量CH＝CP1、CP2、CP3也呈线性增大。压力ΔP可以通过分别增加溅射中的腔室内的Ar/O2的流量而变更。
p型氧化物半导体层24中的氢量CH与压力ΔP的关系如图6所示那样，存在比例关系，通过增加压力ΔP，从而可以增加氢量CH，作为结果，能增加放电时间TD。
(放电时间TD与p型氧化物半导体层的厚度tp的关系)
实施方式的蓄电设备30中，放电时间TD与p型氧化物半导体层24的厚度tp的关系如图7所示示意性表示。此处，厚度tp＝tp1、tp2、tp3呈线性增大，对应于各自的放电时间TD＝TP1、TP2、TP3也呈线性增大。根据SIMS的分析结果，p型氧化物半导体层24的厚度tp与氢添加量成比例，因此，通过增大厚度tp，从而能增大p型氧化物半导体层24中的氢添加量。
实施方式的蓄电设备30中，放电时间TD与p型氧化物半导体层24的厚度tp的关系如图7所示那样，存在比例关系，通过增加厚度tp，从而可以增加氢量CH，作为结果，能增加放电时间TD。
(放电时间TD与第1充电层的厚度tch的关系)
实施方式的蓄电设备30中，放电时间TD与第1充电层16的厚度tch的关系如图8所示示意性表示。此处，第1充电层16的厚度tch＝tch1、tch2、tch3增大，对应于各自的放电时间TD＝Tc1、Tc2、Tc3也增大。
实施方式的蓄电设备30中，放电时间TD与第1充电层16的厚度tch的关系如图8所示那样，存在比例关系，通过增加厚度tch，从而可以增大对第1充电层16的氢蓄积量，作为结果，能增加放电时间TD。
(溅射沉积装置)
用于实施方式的蓄电设备30的制造方法的溅射沉积装置600的示意性构成如图9所示那样表示。需要说明的是，可以使用扩展了图9的装置构成的能进行多张处理的分批式装置。
用于实施方式的蓄电设备30的制造方法的溅射沉积装置600如图9所示那样，具备：气体导入口100；气体排出口200；圆筒形状的上部电极80；和，具有靶400的腔室500。
在上部电极80上配置有加热器60和能用该加热器60加热的样品基板50。
另外，磁体90与靶400连接，如图9所示那样，在靶400上能产生磁力线70。
从气体导入口100，能以规定流量向腔室500内供给氩(Ar)气体和氧(O2)气体。
从气体排出口200，将溅射沉积反应后的排气气体排出。气体排出口200与配置于腔室500的外部的例如低温泵、或涡轮分子泵连接。
作为靶400，能应用金属Ni、或NiO等。
另外，作为样品基板50，能应用由实施方式的蓄电设备30中的第1充电层16/第1氧化物半导体层14形成的层结构、或由第1充电层16/第1氧化物半导体层14/第1电极(E1)形成的层结构、且使第1充电层16为露出表面的基板样品。
能以规定的频率励磁的高频电源300连接于对腔室500电连接的上部电极80、与对腔室500电绝缘的靶400之间。其结果，在腔室500内的上部电极80与靶400间，产生由氩离子Ar+和电子e-形成的规定量的等离子体，通过利用氩离子Ar+的离子冲击，由靶400激发Ni原子。该所激发的Ni原子与腔室内的氢、氧反应的同时在样品基板50表面上通过溅射沉积反应使含有氢的p型氧化物半导体层24沉积。作为结果，p型氧化物半导体层24以含有氢的氧化镍(NiOyHx)的形式表示。
即使根据p型氧化物半导体层24的每单位膜厚(体积)而变换，通过增大氢(H)浓度，从而也能增加放电时间。因此，例如溅射时，可以向腔室内供给水蒸气、H2O。
(RBS)
SIMS中，能相互比较，但无法测定绝对量，因此，还实施了卢瑟福背散射光谱学(RBS：Rutherford Backscattering Spectroscopy)下的定量化。RBS中，对试样照射高速离子(He+、H+等)时，入射离子中的一部分通过试样中的原子核受到弹性(卢瑟福)散射。散射离子的能量根据对象原子的质量和位置(深度)而不同。由该散射离子的能量和收率可以得到深度方向的试样的元素组成。其结果，作为一例，得到了Ni含量35.20％、O含量35.60％、H含量29.00％的结果，判定包含以原子量比计为约30％的氢(H)。
实施方式的蓄电设备30中，推测包含以原子量比计为15％以上的氢(H)的氧化镍(NiOyHx)是为了放电所必须的。或，在化学式中，对于包含氢(H)的氧化镍(NiOyHx)的氢量，期望为y＝任意、x＝0.35以上。
在氧化镍(NiO)中纯粹地包含H的情况下，可以为NiOHx x＝0.35左右。然而，还可能存在氧化镍(NiO)中包含NiOOH、Ni(OH)2的情况，因此，包含氢的氧化镍(NiOyHx)中，期望y＝任意、x＝0.35以上。
XRD中，仅检测到NiO，但确认了RBS的测定中氧相对于Ni超过1的情况，以Ni为基础定义氢的量，这是由于，氢的量有利于充放电。RBS测定的结果，例如某一样品中，得到了NiOyHx：y＝1、x＝0.8，另一样品中，得到了NiOyHx：y＝1.5、x＝0.4。
根据实施方式，可以提供：能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备和其制造方法。
[其他实施方式]
如上述，记载了实施方式，但作为公开的一部分的论述和附图是示例性的，不应理解为限定性的。由该公开，对于本领域技术人员来说，各种代替实施方式、实施例和运用技术是显而易见的。
例如，将不锈钢箔作为基板，将实施方式的蓄电设备30的结构制作成片状。之后，将该片层叠，可以制作所需容量的蓄电设备30。
例如，使2张片的第2电极(上部电极)对置，在其之间插入电极(薄的金属箔)，以多层重叠2张片，从而可以制作所需容量的蓄电设备。之后，可以用层压等进行密封。
如此，本实施方式包含此次未记载的各种实施方式等。
产业上的可利用性
本实施方式的蓄电设备可以用于各种民生用仪器、产业设备，能用于通信终端、面向无线传感器网络的蓄电设备等面向能将各种传感器信息进行低消耗电力传输的系统应用的蓄电设备等广泛的应用领域。
附图标记说明
12…第1电极(E1)
14…第1氧化物半导体层
16…第1充电层
18…第2充电层
24…第3氧化物半导体层
26…第2电极(E2)
30…蓄电设备
50…样品基板
60…加热器
70…磁力线
80…上部电极
90…磁体
100…气体导入口
200…气体排出口
300…高频电源
400…靶
500…腔室
600…溅射沉积装置

Claims (14)

1.一种蓄电设备，其特征在于，具备：
第1氧化物半导体层，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；
第1充电层，其配置于所述第1氧化物半导体层上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，
第3氧化物半导体层，其配置于所述第1充电层上，
所述第3氧化物半导体层具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，所述氢相对于构成所述第3氧化物半导体的金属的原子量比为40%以上。
2.根据权利要求1所述的蓄电设备，其特征在于，具备第2充电层，所述第2充电层配置于所述第1充电层与所述第3氧化物半导体层之间。
3.根据权利要求2所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2充电层具备第2绝缘物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的蓄电设备，其特征在于，所述第3氧化物半导体具备NiO。
5.根据权利要求2所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2充电层具备第2绝缘物和电导率调整材料。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2氧化物半导体具备选自由Ti、Sn、Zn或Mg的氧化物组成的组中的至少1种氧化物。
7.根据权利要求5所述的蓄电设备，其特征在于，所述电导率调整材料具备第1导电型的半导体、或金属的氧化物。
8.根据权利要求5或7所述的蓄电设备，其特征在于，所述电导率调整材料具备选自由Sn、Zn、Ti或Nb的氧化物组成的组中的至少1种氧化物。
9.根据权利要求5所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2绝缘物具备SiOx，所述电导率调整材料具备SnOx。
10.根据权利要求5所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2绝缘物具备由硅油成膜的SiOx。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的蓄电设备，其特征在于，所述第1绝缘物具备SiOx，所述第2氧化物半导体具备TiOx。
12.根据权利要求1所述的蓄电设备，其特征在于，所述第3氧化物半导体层具备与所述第3氧化物半导体不同的金属。
13.根据权利要求12所述的蓄电设备，其特征在于，所述金属具备锂或钴。
14.一种蓄电设备，其特征在于，具备：
第1导电型的第1氧化物半导体层；
第1充电层，其配置于所述第1氧化物半导体层上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，
第2导电型的第3氧化物半导体层，其配置于所述第1充电层上，
所述第3氧化物半导体层具备含有氢的氧化镍（NiOyHx），氢组成比x的值为0.35以上，氧组成比y的值为任意。
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