TWI647599B - 觸控面板、觸控面板之製造方法、顯示裝置及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

觸控面板、觸控面板之製造方法、顯示裝置及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之觸控面板包含：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其包含自上述保護基板側朝上述觸控面板基板側積層之散射層，且設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域。

Description

觸控面板、觸控面板之製造方法、顯示裝置及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種適合應用於觸控面板、觸控面板之製造方法、及光學薄膜之技術。
近年來，作為以行動電話或攜帶型遊戲機為代表之各種電子機器之顯示裝置，已廣泛使用兼具輸入裝置功能之附有觸控面板之液晶顯示裝置。
該觸控面板包含觸控面板基板，其係以將光透過性之導電層等積層於透明基板，且於最表面側積層膜而成，並根據靜電電容之變化等而檢測手指等之操作位置者。
作為觸控面板，根據其構造及檢測方式之不同，已知有電阻膜型或靜電電容型等之各種觸控面板。
例如，已知有包含為薄片狀且具有光透過性之上基板及下基板的觸控面板基板。於上基板之上表面，於前後方向複數個排列形成有氧化銦錫等之具有光透過性之大致呈帶狀之上導電層。又，於與上導電層正交之方向，即左右方向，形成有藉由蒸鍍等而於氧化銦錫等上沉積銅或銀等之導電金屬箔而成之複數個上電極。於下基板之上表面於與上導電層正交之方向之左右方向排列形成有之氧化銦錫等之具有光透過性之大致呈帶狀之複數個下導電層。又，與一端連結於下導電 層端部之上電極相同之複數個之下電極，形成於與下導電層平行之方向之左右方向。
進而，於觸控面板基板中，將薄片狀且具有光透過性之保護基板重疊於上基板之上表面，並藉由接著劑而貼合。
圖7係先前之觸控面板之剖面圖。於圖7中，符號P係觸控面板基板，符號C係保護基板。於保護基板C之與觸控面板基板P對向之面，於位於供進行操作之觸控區域(顯示區域)T之外周或外側之邊緣部E，設有非透光性之遮光膜th。
如專利文獻1，已知該遮光膜th係藉由以印刷等於保護基板C上形成5μm~20μm程度之厚度。
然而，若於保護基板C之與觸控面板基板P對向之面，藉由印刷而以上述厚度尺寸程度形成邊緣部E之非透過性之遮光膜th，則如圖7中之作為Air所示，會於保護基板C與觸控基板P之間產生間隙，導致於保護基板C之背面或觸控面板基板P之表面產生反射，從而導致辨識性降低，由此存在因該辨識性之降低而阻礙顯示機構之輸出的問題。
進而，如日本國特開2012-226688號公報，於將金屬等導體設置於邊緣部E時，因保護基板C或面板部P與導體之介電常數不同，故而存在有電波特性等特性劣化之可能性，因而並不佳。
又，作為觸控面板，揭示於國際公報WO2015/005437(以下，稱為專利文獻2)。
本發明除了3個課題(1.防止辨識性之降低，2.謀求邊緣部之薄化，3.獲得能維持原有遮光性能且具有與採用玻璃等之基板同程度之介電常數的邊緣部)以外，亦欲一起達成獲得白色邊緣部(連接部)之第4課題。
本發明人係基於上述情況，而發現專利文獻2中解決上述3個課題之方法。根據專利文獻2，可提供一種觸控面板，其可實現防止辨識性之降低、邊緣部(連接部)之薄化、及能維持遮光性能且具有與由玻璃等形成之基板同程度之介電常數之邊緣部。又，關於觸控面板之邊緣部(連接部)之顏色，亦藉由致力於彩色層之積層構造，而確認可實現黑色、紅色、黃色、藍色、綠色等。然而，專利文獻2所揭示之彩色層之積層構造，並無法獲得觸控面板市場所需要較高的白色之邊緣部(連接部)。
為解決上述4個課題，本發明人等發現如下機構。
本發明之第一態樣之觸控面板具有：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；連接部，其包含自上述保護基板側朝上述觸控面板基板側積層之散射層，且設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域。
於上述第一態樣中，上述散射層可由交替積層之第一介電質層與第二介電質層之多層構造體形成。
於上述第一態樣中，上述第一介電質層及上述第二介電質層各者之膜厚可為10nm以下。
於上述第一態樣中，上述散射層之多層構造體中，由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量可為50以上。
於上述一態樣中，上述連接部可具備：上述散射層、及以覆蓋上述散射層之方式形成之反射層。
本發明之第二態樣之觸控面板之製造方法係製造包含如下部件之觸控面板者：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域，且包含散射層；且該製造方法包含於真空中形 成之上述散射層之步驟，該散射層由交替積層第一介電質層與第二介電質層而成之多層構造體形成；於形成上述散射層之步驟中，以上述第一介電質層及上述第二介電質層各者具有10nm以下之膜厚之方式積層。
本發明之第三態樣之光學薄膜包含：散射層，其由交替積層之第一介電質層與第二介電質層之多層構造體形成。
於上述第三態樣中，上述第一介電質層及上述第二介電質層各者之膜厚可為10nm以下。
於上述第三態樣中，上述散射層之多層構造體中，由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量可為50以上。
上述第三態樣之光學薄膜可進而包含：反射層，其以覆蓋上述散射層之方式設置。
上述第三態樣之光學薄膜可形成於透明基板上。
於上述第三態樣中，上述透明基板可由玻璃或樹脂形成。
根據本發明之上述態樣之觸控面板，可形成防止辨識性降低，邊緣部之薄化，維持遮光性能且具有與由玻璃等形成之基板同程度之介電常數之邊緣部；而散射層之存在，亦可帶來邊緣部(連接部)之白色化。因而，本發明有助於提供可解決上述4個課題之觸控面板。
尤其於上述散射層係由交替積層之第一介電質層及第二介電質層之多層構造體形成，且上述第一介電質層與上述第二介電質層之膜厚均為10nm以下時，可顯著提高顯示面板所需求之可見光域之散射效應。
根據本發明之上述態樣之觸控面板之製造方法，可形成可防止辨識性降低，邊緣部之薄化，以及維持遮光性能且具有與採用玻璃等之基板同程度之介電常數的邊緣部，並可穩定地製作包含白色邊緣部 (連接部)之觸控面板。
根據本發明之上述態樣之光學薄膜，可形成可防止辨識性降低，可薄化，及維持遮光性能且具有與基板同程度之介電常數的散射層；散射層之存在亦帶來白色化。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧滾筒
3‧‧‧CA1通風筒
4‧‧‧CA2通風筒
5‧‧‧氧化源供給部
6‧‧‧陰極
6‧‧‧靶材
7‧‧‧AC電源
8‧‧‧氣體導入口
9‧‧‧氣體導入口
10‧‧‧基板座
12‧‧‧反射積層體
C‧‧‧保護基板
D‧‧‧散射層
D1‧‧‧第一介電質層(高折射率層)
D2‧‧‧第二介電質層(低折射率層)
E,E1‧‧‧邊緣部
M,M1‧‧‧觸控面板
P‧‧‧觸控面板基板
R‧‧‧反射層
R1‧‧‧第一反射層
R2‧‧‧第二反射層
T‧‧‧顯示區域
th‧‧‧遮光膜
圖1係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之立體圖。
圖2A係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之構成例之剖面圖。
圖2B係表示本發明之一實施形態之觸控面板之構成例之一部之放大剖面圖。
圖3係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之製造方法之一例的步驟圖。
圖4A係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之其他構成例之剖面圖。
圖4B係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之另一構成例之一部分之放大剖面圖。
圖5係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之另一構成例之製造方法之步驟圖。
圖6係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之製造中所使用之製造裝置之示意圖。
圖7係表示先前之觸控面板之一構成例之剖面圖。
以下，基於圖式說明本發明之第一實施形態之觸控面板。
圖1係表示本發明之第一實施形態之觸控面板之立體圖。圖2A係表示圖1之觸控面板之構成例之剖面圖。圖2B係表示圖1之觸控面板之構成例之一部分(邊緣部)之放大剖面圖。於圖1及圖2中，符號M係 觸控面板。
如圖1及圖2A所示，本實施形態之觸控面板M係藉由將具有顯示區域T而可進行顯示及觸控動作之觸控面板基板P，與由玻璃等透過性基板形成之保護基板C重疊而形成。於該等基板間之除顯示區域T以外之區域(非顯示區域)中之顯示區域T周邊之邊緣部E，設有連接部。
觸控面板基板P適合應用於行動電話等移動終端機器，作為其之代表性構造，可例舉以下3種。
(1)將觸控面板感測器部與液晶顯示裝置組合而成之構造。
(2)於包含透明觸控開關與液晶顯示元件之顯示裝置中，對上述液晶顯示元件之顯示面與上述觸控開關之輸入區域背面之間，充填透明接著劑，而將上述觸控開關與液晶顯示元件接著之構造。
(3)使顯示面板與觸控面板之界面藉由接著劑層密著而一體化之附有觸控面板之圖像顯示裝置之構造。
進而，除上述(1)~(3)以外之構造、及投影型之靜電電容方式、電阻膜型及靜電電容型等各種類型，於觸控面板基板P均可採用。
保護基板C係例如玻璃或樹脂積層玻璃等之透明基板，以形成觸控面板M之最上表面之方式重疊於觸控面板基板P。
顯示區域T包含沿與視認方向正交之基板面內方向，具有特定之大小及形狀的區域。顯示區域T亦可為例如配置於觸控面板基板P之面內中央位置之矩形區域。
基板面內之顯示區域T之外側為邊緣部(邊框部)E。於該邊緣部E，作為於視認觸控面板M時可辨識為白色、且與保護基板C及觸控基板P兩者連接(接觸)之連接部，係僅散射層D、或散射層D與反射層R兩者自保護基板C側朝觸控面板基板P側積層。
作為連接部，可例舉於與觸控面板基板P對向之保護基板C之面 上，僅積層有散射層D之構成(圖2B)。又，亦可採用積層散射層D，並對該散射層D積層反射層R之構成(圖4B)。雖根據圖2B之構成可獲得白色，但於欲提高該白色之濃度時，較佳為將反射層R附加於散射層D之圖4B所示之構成。另，連接部之位置並非限定於邊緣部E，而亦可將其形成於所期望之區域。
散射層D係具有非透光性(遮光性)之膜，且為了溷出白色，其亦為由具有不同折射率之多層膜形成之光學薄膜。具體而言，散射層D係藉由交替多次積層由高折射率材料形成之高折射率層D1與由低折射率材料形成之低折射率層D2而成之多層構造體。即，散射層D係藉由積層複數層個由第一介電質層D1及第二介電質層D2形成之介電質積層體11而成之多層構造體。
散射層D(Dispersion layer)係對觸控面板M之顯示區域T發揮功能之光學波長域，即可見光域具有優異之散射能的膜，且為了溷出白色，其亦為由具有不同介電常數之多層膜形成之光學薄膜。具體而言，其係藉由交替多次積層由介電常數較高之介電質材料形成之第一介電質層D1、與由介電常數低於該第一介電質層D1之介電質材料形成之第二介電質層D2而成之多層構造體。
形成第一介電質層D1及第二介電質層D2之介電質材料，例如可自SiOx、SiN、SiOxNy、Al2O3、AlN、MgO、MgF2、HfO2、Ta2O5、NbxOy、TiO2、Ti3O5、ZnO、ZrO2選出。
又，亦可選擇該等之中之2種或3種而組合使用。
此處，所謂介電常數之高低，係根據所選出之材料彼此之介電常數之比較而設定。因此，視所選出之材料組合而定，存在1種材料成為介電常數較高之介電質材料之情形，及成為介電常數較低之介電質材料之情形。
第一介電質層D1之膜厚及第二介電質層D2之膜厚，為了發揮用 以獲得白色之散射能，較佳為10nm以下，更佳為5nm以下，無須使兩者之膜厚相同，亦可使之不同。第一介電質層D1及第二介電質層D2重複積層之次數(重複次數，積層數)，為了獲得白色，較佳為50次以上。亦即，為了獲得白色，較好形成50層以上之介電質積層體。另，藉由使第一介電質層D1之膜厚及第二介電質層D2之膜厚於各積層不一致地設為不同，可削減(少設定)積層數。
然而，本實施形態之散射層D並非限定於多層膜，只要具備散射功能，則亦可為單層膜。作為具備散射功能之單層膜，可例舉於單層膜之內部包含散射因子(例如粒狀構造、凹凸構造、結晶構造、缺陷構造)之膜，及單層膜之內部沿厚度方向組成調變(例如，雜質之擴散或摻雜)之膜等。
作為構成散射層D之第一介電質層D1與第二介電質層D2，選擇氧化矽與氧化鈦之組合。藉由適當變更第一介電質層D1及第二介電質層D2之膜厚或積層數，而製作散射層D之表面反射率與霧度(haze)之組合不同之試樣。表1係針對表面反射率於0~7.2(%)、霧度(haze)於0~7.2(%)之範圍內變化之散射層進行白色度評估之結果。表1中，符號○代表較濃之白色、符號△代表較淡之白色、符號×代表透明。於表面反射率之測定中，使用「島津製作所製之MultiSpec1500」，於霧度(haze)之測定中，使用「村上色彩技術研究所製之HM150」。
根據表1，可明瞭以下幾點。
(A1)於表面反射率為3.4以下，且霧度為3.0以下之組合中，散射層D成為透明。即便於表面反射率為3.4以下，或霧度為3.0以下時，散射層D亦成為透明。
(A2)表面反射率為4.2以上及霧度為4.1以上之組合中，散射層D成為較淡的白色。
(A3)以表面反射率與霧度之組合成為(7.2，5.3)、(6.5，6.1)、(5.4，7.2)之處為邊界，於表面反射率與霧度具有其以上之數值之區域，散射層D成為較濃之白色。
因而，若基於上述(A1)~(A3)所顯現之傾向而決定第一介電質層D1及第二介電質層D2之製作條件(膜厚、積層數等)，則可獲得本實施 形態之白色散射層D。
關於表1所示之白色，係基於CIE1976(L＊，a＊，b＊)顏色空間進行評估。若參照CIE1976(L＊，a＊，b＊)顏色空間之表示，則L＊意味著越接近100則白色度越高。a＊與b＊則意味著若分別滿足「-3<a＊<3」或「-3<b＊<3」之條件，則為白色系。
本發明中，散射層D為「較淡之白色(符號△)」，表示L＊較低之情形，散射層D為「較濃之白色(符號○)」，則表示L＊較高之情形。
其次，對具備與散射層D重疊之反射層R(reflection layer)之情形進行闡述。
表2係對僅設有擴散層D之情形(圖2B之構成：樣本1)，及除擴散層D以外，亦具有以覆蓋該擴散層之方式配置之反射層R之情形(圖4B之構成：樣本2)之2種情形，基於CIE1976(L＊，a＊，b＊)顏色空間進行白色度評估之結果。
根據表2，可知本實施形態之樣本1、2均為白色。
尤其可知具備與散射層D重疊之反射層R之情形(樣本2)，與僅設有擴散層D之情形(樣本1)相比，可進一步提高白色度。
作為反射層R，例如可列舉由鋁或金等形成之金屬膜，及由氧化物或氟化物等形成之介電質多層膜。然而，因本發明之觸控面板係應用於攜帶終端用途等，故本發明之與擴散層D重疊而設之反射層R，亦必須滿足不會影響通信功能的條件。若慮及該條件，則關於反射層 R，介電質多層膜優於金屬膜。
因而，反射層R係對觸控面板M之顯示區域T發揮功能之光學波長域亦即可見光域具有優異之反射能的膜，且為介電常數與玻璃等之基板同程度但不會屏蔽電波之膜。為獲得具有所期望之介電常數之反射層R，該反射層R係由具有不同介電常數之多層膜形成之光學薄膜。具體而言，反射層R係藉由將由折射率較高之介電質材料形成之第一反射層R1，與折射率低於該第一反射層R1之介電質材料形成之第二反射層R1，交替多次積層而成之多層構造體。亦即，反射層R係藉由積層複數層由第一反射層R1及第二反射層R2形成之反射層積層體12而成之多層構造體。
形成第一反射層R1及第二反射層R2之介電質材料，例如可自SiOx、SiN、SiOxNy、Al2O3、AlN、MgO、MgF2、HfO2、Ta2O5、NbxOy、TiO2、Ti3O5、ZnO、ZrO2選出。
又，亦可選擇該等之中之2種或3種而組合使用。
此處，所謂折射率之高低，係根據所選出之材料彼此之折射率比較而設定。因此，視所選出之材料組合而定，存在1種材料成為折射率較高之介電質材料之情形，及成為折射率較低之介電質材料之情形。
例如，上述材料中，可選擇作為折射率較高之介電質材料之氧化鈦(n=2.4)與作為折射率較低之介電質材料之氧化矽(n=1.46)之組合與。
作為第一反射層R1及第二反射層R2之各膜厚，為了發揮可見光域之反射能，較佳為100nm~200nm程度。無須將第一反射層R1及第二反射層R2之膜厚設為相同，而亦可使之不同。重複積層第一反射層R1及第二反射層R2之次數(重複次數，積層數)，為了獲得反射能，較佳為3~10次以上。亦即，為了獲得反射能，較好形成3~10以上 之反射積層體。另，藉由使第一反射層R1及第二反射層R2之各膜厚於各積層不一致地設為不同，可削減(少設定)積層數。
又，以可使可見光反射且不會屏蔽電波之方式，設定所積層之第一反射層R1與第二反射層R2之合計膜厚(亦即，反射層R之膜厚)。
如此，藉由形成以重疊於散射層D之方式積層反射層R之連接部，會透過散射層D之光線亦因反射層R之存在，而再次返回至散射層D中，從而可進一步提高散射層D之散射能。進而，不利用如印刷步驟(列印步驟)的濕步驟而藉由濺鍍即可形成此種連接部。
其次，對本實施形態之觸控面板之製造方法進行說明。
圖3係表示本實施形態之觸控面板之製造方法之一例之流程圖，且顯示僅設置散射層D之情形(設定為圖2B之構成之情形)。
於本實施形態之觸控面板之製造方法中，作為散射層成膜步驟S10，係準備由玻璃形成之保護基板C，如圖3所示，對在顯示區域T設有遮罩之保護基板C成膜散射層D。其後，去除遮罩，並將形成有散射層D之保護基板C與觸控面板基板貼合。
於散射層成膜步驟S10中，使用適當選出之材料作為散射層D，以成為特定膜厚之方式，積層第一介電質層D1與第二介電質層D2。此時，重複多次進行第一介電質層成膜步驟S11與第二介電質層成膜步驟S12，而濺鍍成膜散射層D。
圖5係表示本實施形態之觸控面板之製造方法之一例之流程圖，且顯示設置重疊於散射層D之反射層R之情形(設為圖4B之構成之情形)。
於本實施形態之觸控面板之製造方法中，作為散射層成膜步驟S10，係準備由玻璃基板形成之保護基板C，如圖3所示，對在顯示區域T設有遮罩之保護基板C成膜散射層D。其後，作為反射層成膜步驟S20，係成膜反射層R。其後，去除遮罩，並將以重疊於散射層D之方 式形成有反射層R之保護基板C與觸控面板貼合。
於散射層成膜步驟S10中，使用適當選出之材料作為散射層D，以成為特定膜厚之方式，積層第一介電質層D1與第二介電質層D2。此時，重複進行多次第一介電質層成膜步驟S11與第二介電質層成膜步驟S12，而濺鍍成膜散射層D。
於反射層成膜步驟S20中，使用適當選出之材料作為反射層R，以成為特定膜厚之方式，積層第一反射層R1與第二反射層R2積層。此時，重複多次進行第一反射層成膜步驟S21與第二反射層成膜步驟S22，而濺鍍成膜反射層R。
此時，可利用可交替積層成膜2種材料或3種材料之蒸鍍裝置，或平行平板磁控濺鍍裝置等進行成膜。將作為本實施形態之裝置例之轉盤型之濺鍍裝置示於圖6。
圖6係表示本實施形態之觸控面板之一實施形態之製造中所使用之製造裝置的示意圖。
本實施形態之製造裝置係轉盤型之濺鍍裝置，如圖6所示，於腔室1內，具有安裝有基板座10並旋轉之滾筒2，面向該滾筒2之外周而設有：可濺鍍不同材料之CA1通風筒(chimney)3與CA2通風筒4；及連接有於進行反應性濺鍍時可供給氧氣等氧化源之氣體導入口9之氧化源供給部5。
如圖6所示，CA1通風筒3與CA2通風筒4，分別周設於與旋轉之滾筒2之基板座10對應之位置，且設有連接於AC電源7之AC陰極6，及對通風筒內部供給Ar等環境氣體之氣體導入口8。
另，將於與顯示區域T對應之表面部分形成遮罩之保護基板C，或進而形成有散射層D之保護基板C，安裝於基板座10。
於散射層成膜步驟S10中，於CA1通風筒3與CA2通風筒4之陰極6，分別設置氧化矽源即矽作為第一介電質層D1之母材例、及氧化鈦 源即鈦作為第二介電質層D2之母材例。其後，將形成有遮罩之保護基板C固定於滾筒2之基板座10，自氣體導入口8供給氬等環境氛圍，同時，對氧化源供給部5經由氣體導入口9供給氧氣等氧化源，並使滾筒2旋轉。於該氧化環境狀態下，藉由自AC電源7對陰極6供給電力，可藉由反應性濺鍍，於CA1通風筒3成膜氧化矽，於CA2通風筒4成膜氧化鈦。
構成散射層D之第一介電質層D1或第二介電質層D2各有必要形成10nm以下之極薄之厚度。因此，於形成第一介電質層D1或第二介電質層D2時，可使用例如增加滾筒2之旋轉數，並降低濺鍍功率之組合條件等。
如圖2B及圖4B所示，於散射層成膜步驟S10中，使用適當選出之材料作為散射層D，以成為特定膜厚之方式，積層第一介電質層D1與第二介電質層D2。此時，藉由重複進行多次第一介電質層成膜步驟S11與第二介電質層成膜步驟S12，而交替多次積層第一介電質層D1與第二介電質層D2。
此時，藉由以交替式切換對CA1通風筒3與CA2通風筒4之陰極6所供給之電力進行控制，可重複進行必要次數之第一介電質層成膜步驟S11與第二介電質成膜步驟S12。
如圖4B所示，於反射層成膜步驟S20中，使用適當選出之材料作為反射層R，以成為特定膜厚之方式，積層第一反射層R1與第二反射層R2。此時，藉由重複進行多次第一反射層成膜步驟S21與第二反射層成膜步驟S22，可作為多層構造體濺鍍成膜反射層R。
於反射層成膜步驟S20中，於CA1通風筒3與CA2通風筒4之陰極6，分別設置氧化矽源即矽作為第一反射層R1之母材例、及氧化鈦源即鈦作為第二反射層R2之母材例。其後，將形成有遮罩之保護基板C固定於滾筒2之基板座10，自氣體導入口8供給氬等環境氣體，同時， 對氧化源供給部5經由氣體導入口9而供給氧氣等氧化源，並使滾筒2旋轉。於該氧化環境狀態下，藉由自AC電源7對陰極6供給電力，可藉由反應性濺鍍於CA1通風筒3成膜氧化矽，於CA2通風筒4成膜氧化鈦。
構成散射層D之第一介電質層D1或第二介電質層D2係10nm以下為極薄，相對於此，構成反射層R之第一介電質層D1或第二介電質層D2各者為100nm以上，為10倍以上之厚度。例如，於形成100nm之第一介電質層D1時，令用於形成第二介電質層D2之放電(電漿)停止，並藉由使滾筒2旋轉複數次，而形成以100nm以上之厚膜形成之第一介電質層D1。其次，於形成100nm之第二介電質層D2時，令用於形成第一介電質層D1之放電(電漿)停止，並藉由使滾筒2旋轉複數次，而形成以100nm以上之厚膜形成之第二介電質層D2。藉由重複進行此種操作，可形成具有如圖4B所示之多層構造之散射層D。
如上所述，於散射層形成步驟S10與反射層形成步驟S20中，藉由使用相同組合之靶材，且僅變更成膜條件，即可於1個腔室積層多層膜。
亦即，根據本實施形態，因可連續進行散射層形成步驟S10與反射層形成步驟S20，故可進行量產性優異之製造步驟。
根據本實施形態，藉由具有如上述般之由自保護基板C側朝觸控面板基板T側積層之散射層D與反射層R構成之連接部，可實現邊緣部E之白色顯色，既具有可見光之遮光性，亦可確保與玻璃同程度之介電常數，同時亦可使電波通過。而且，因可將該等連接部之厚度減小至2μm以下，故而不會於保護玻璃C與觸控面板T之間產生間隙，由此可防止亂反射，從而可實現辨識性提高之觸控面板M。
<實施例>
以下，說明本發明之實施例。
藉由使用圖6所示之將矽與鈦作為靶材6之轉盤型濺鍍裝置，分別且同時對矽側與鈦側供給電力，而設成可於矽側與鈦側兩者進行濺鍍成膜之狀態，並使滾筒2以200rpm旋轉。此時，供給氧氣作為氧化源，而成膜散射層D。
接著，使用圖6所示之將矽與鈦作為靶材6之轉盤型濺鍍裝置，將矽與鈦作為靶材6之轉盤型濺鍍裝置中，使滾筒2以200rpm旋轉，於該滾筒2旋轉3次之期間，對矽側進行電力供給後，停止放電，並對鈦側進行電力供給。此時，供給氧氣作為氧化源，而成膜反射層R。
具體而言，根據上述順序，可獲得如下之膜構成：於重複5次積層由氧化矽形成之第一介電質層D1(3nm)與由氧化鈦形成之第二介電質層D2(5nm)而成之散射層D上，設置重複5次積層由氧化矽形成之第一反射層R1(100nm)與由氧化鈦形成之第二反射層R2(150nm)而成之反射層R。
藉此，可藉由散射層D之存在而顯色為白色。藉由將反射層R重疊設置該散射層D上，可使白色度增濃。又，根據上述構成，可將散射層D及反射層R之介電常數設為與玻璃同等之介電常數，且可將可見光之透過率屏蔽至1%以下。
進而，根據本發明，可使以印刷步驟形成之連接部之厚度(約5μm程度)形成得更薄。
作為本發明之活用例，可應用於被組裝於行動電話、智慧型手機、平板電腦、附有觸控功能之筆記型PC、或附有觸控功能之自動販賣機等之觸控面板。又，亦可用作光學薄膜而設置於住宅或大樓之窗玻璃、汽車或電車、飛機、船舶之窗玻璃、或看板或照明等之擋風玻璃等上。

Claims (6)

  1. 一種觸控面板，其包含：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其包含自上述保護基板側朝上述觸控面板基板側積層之散射層，且設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域；且上述散射層係由交替積層之第一介電質層與第二介電質層之多層構造體所形成；上述第一介電質層及上述第二介電質層各者之膜厚係10nm以下；上述散射層之多層構造體中，由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量係50以上。
  2. 如請求項1之觸控面板，其中上述連接部包含：上述散射層、及以覆蓋上述散射層之方式形成之反射層。
  3. 一種觸控面板之製造方法，其係製造包含如下部件之觸控面板者：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域且包含散射層；且該觸控面板之製造方法包含：於真空中形成上述散射層之步驟，該散射層由交替積層第一介電質層與第二介電質層而成之多層構造體形成；於形成上述散射層之步驟中，上述第一介電質層及上述第二介電質層各者具有10nm以下之膜厚；且於形成上述散射層之步驟中，以由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量係50以上之方式積層。
  4. 一種顯示裝置，其包含：具有顯示機構之顯示基板；重疊於上述顯示基板而設之保護基板；及連接部，其包含自上述保護基板側朝上述顯示基板側積層之散射層，且設置於上述顯示基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域；且上述散射層係由交替積層之第一介電質層與第二介電質層之多層構造體所形成；上述第一介電質層及上述第二介電質層各者之膜厚係10nm以下；上述散射層之多層構造體中，由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量係50以上。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其進而包含以覆蓋上述散射層之方式設置之反射層。
  6. 一種顯示裝置之製造方法，其係製造包含如下部件之顯示裝置者：具有顯示機構之顯示基板；重疊於上述顯示基板而設之保護基板；及連接部，其設置於上述顯示基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域且包含散射層；且該顯示裝置之製造方法包含：於真空中形成上述散射層之步驟，該散射層由交替積層第一介電質層與第二介電質層而成之多層構造體形成；於形成上述散射層之步驟中，上述第一介電質層及上述第二介電質層各者具有10nm以下之膜厚；且於形成上述散射層之步驟中，以由上述第一介電質層及上述第二介電質層形成之介電質積層體之數量係50以上之方式積層。
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