TWI644942B - 表面處理劑 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種化合物，其係以下述通式(A1)或(A2)表示之化合物：R1-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α‧‧‧(A1)
(Rc mRb lRa kSi)α-X-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α‧‧‧(A2)式中，各記號如說明書中之記載。

Description

表面處理劑
本發明係關於一種含(聚)醚基矽烷化合物、及含有該含(聚)醚基矽烷化合物而成之表面處理劑。
已知某種矽烷化合物使用在基材的表面處理時，能夠提供優異的功能(例如撥水性、撥油性、防污性)等。從含有矽烷化合物的表面處理劑所得到之層(以下，亦稱為「表面處理層」)，係能夠作為所謂的功能性薄膜施加在例如玻璃、塑膠、纖維、建築資材等各式各樣的基材。
作為該種矽烷化合物，已知有含氟矽烷化合物。具體而言，專利文獻1及2係記載一種含全氟聚醚基之矽烷化合物，其係在分子末端具有鍵結在Si原子之可水解基。
而且，作為另外的矽烷化合物，已知含聚醚基的矽烷化合物。具體而言，專利文獻3及4係記載一種含聚醚基的矽烷化合物，其係在分子末端具有鍵結在Si原子之可水解基。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第97/07155號
[專利文獻2]日本特表2008-534696號公報
[專利文獻3]日本特開2013-60354號
[專利文獻4]日本特開2014-65827號
從如專利文獻1至4記載的表面處理劑所得到的表面處理層，因為即便是薄膜亦能夠發揮如上述的功能，所以適合利用在要求光穿透性乃至透明性之眼鏡和觸控面板等光學構件。在此種用途，指紋的附著可能會成為問題。
從如專利文獻1及2記載之包含含有全氟聚醚基的矽烷化合物的表面處理劑所得到之層，係具有優異的撥水撥油性且不容易附著指紋。然而，在從包含含有全氟聚醚基的矽烷化合物的表面處理劑所得到之層，雖然指紋的附著量較少，但是在附著有指紋時，因為其優異的撥水撥油性，亦即較高的接觸角，所以會有所附著的皮脂使光線散射且指紋顯眼之問題。
從如專利文獻3及4記載之包含含有聚醚之矽烷化合物的表面處理劑所得到之層，因為親油性較高且所附著的皮脂係溶入至層中，所以即便附著有指紋時亦不顯眼。然而，從如專利文獻3及4記載之包含含有聚醚矽烷化合物的表面處理劑所得到之層，係有所謂磨擦耐久性 低、無法長期間保持其功能之問題。
本發明之目的在於提供一種矽烷化合物及含有該矽烷化合物之表面處理劑，該矽烷化合物係可形成所附著的指紋之視認性較低、且磨擦耐久性優異之層。
本發明者等經專心研討，結果發現藉由使用具有鍵結在基材之可水解的基具有複數個Si基之含(聚)醚基矽烷化合物，可形成一種所附著的指紋之視認性低且磨擦耐久性高的表面處理層，遂完成本發明。
亦即，依照本發明的第1要旨，能夠提供一種化合物，其係以下述通式(A1)或(A2)所示者：R1-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α‧‧‧(A1)
(Rc mRb lRa kSi)α-X-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α．．．(A2)[式中：R1係表示OR4；R4表示氫原子或碳數1至20的烷基；PE1在每次出現為各自獨立，係式：-(CaH2aO)b-(式中：a在附有b且以括弧括起之各單元係各自獨立，為1至6的整數；b在每次出現為各自獨立，為1至200的整數。)表示之基； Y在每次出現為各自獨立，表示單鍵或-CONH-R5-NHCOO-；R5在每次出現為各自獨立，表示2價有機基；n為1至50的整數；PE2表示單鍵或上述-(CaH2aO)b-基；X係各自獨立，表示單鍵或2至10價有機基；Ra在每次出現為各自獨立，表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r；Z在每次出現為各自獨立，表示氧原子或2價有機基；R71在每次出現為各自獨立，表示Ra’；Ra’與Ra為相同意義；Ra中，經由Z基而連結成為直鏈狀之Si係最多為5個；R72在每次出現為各自獨立，表示羥基或可水解的基；R73在每次出現為各自獨立，表示氫原子或低級烷基；p在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；q在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；r在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；在1個Ra中，p、q及r的和為3；Rb在每次出現為各自獨立，表示羥基或可水解的基；Rc在每次出現為各自獨立，表示氫原子或低級烷基；k在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；l在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；m在每次出現為各自獨立，為0至3的整數； 在附有α且以括弧括起之單元中，k、l及m的和為3；α係各自獨立，為1至9的整數；惟，在鍵結在1個X之(SiRa kRb lRc m)α中，具有Rb或R72之Si原子總計存在2個以上]。
依照本發明的第2要旨，係能夠提供一種表面處理劑，其係含有以上述式(A1)或式(A2)表示之至少1種化合物者。
依照本發明的第3要旨，係能夠提供一種物品，其係包含：基材；及藉由上述的表面處理劑形成在該基材之表面之層。
依照本發明，能夠提供一種新穎的含(聚)醚基矽烷化合物及含有該含(聚)醚基矽烷化合物而成之表面處理劑。藉由使用該表面處理劑，即便附著有指紋時，亦可形成指紋的視認性低而且磨擦耐久性優異之表面處理層。
以下，說明本發明的化合物。
使用在本說明書時，所謂「烴基」係意指含有碳及氫的基且使1個氫原子從烴脫離之基。作為此種烴基係沒有特別限定，而可舉出可經1個或1個以上的取代基取代之碳數1至20的烴基，例如脂肪族烴基、芳香族 烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分枝鏈狀或環狀的任一者，亦可為飽和或不飽和的任一者。又，烴基亦可含有1個或1個以上的環結構。又，該烴基亦可在其末端或分子鏈中，具有1個或1個以上的N、O、S、Si、醯胺基、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等。
使用在本說明書時，作為「烴基」的取代基，係沒有特別限定，例如可舉出鹵素原子；選自可經1個或1個以上的鹵素原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基之1個或1個以上的基。
使用在本說明書時，所謂「2至10價有機基」，係意指含有碳之2至10價基。作為此種2至10價有機基，係沒有特別限定，可舉出從烴基進一步使1至9個氫原子脫離而成之2至10價基。例如，作為2價有機基係沒有特別限定，可舉出從烴基進一步使1個氫原子脫離而成之2價基。
本發明係提供一種以下述通式(A1)或(A2)表示之至少1種含(聚)醚基矽烷化合物：R1-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α．．．(A1)
(Rc mRb lRa kSi)α-X-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α‧‧‧(A2)。
上述式(A1)或(A2)中，R1係表示OR4。
R4係表示氫原子或碳數1至20的烷基。該 碳數1至20的烷基可為直鏈，亦可為分枝鏈，較佳為直鏈。碳數1至20的烷基，較佳為碳數1至10的烷基，更佳為碳數1至6的烷基。具體而言，碳數1至20的烷基，較佳為甲基、乙基或正丙基，更佳為甲基。R4較佳為氫原子或甲基，更佳為氫原子。
上述式(A1)或(A2)中、PE1係在每次出現時各自獨立，為以下述式表示之基：-(CaH2aO)b-(式中：a在附有b且以括弧括起之單元各自獨立，表示1至6的整數，較佳為2至4的整數；b在每次出現時各自獨立，為1至200的整數、較佳為5至200的整數，更佳為5至100的整數，又更佳為5至50的整數)。
上述式(A1)或(A2)中、PE2係在每次出現時各自獨立，為單鍵或以下述式表示之基：-(CaH2aO)b-(式中，a及b係與上述為相同意義)。
在較佳態樣，在PE1及PE2中之-(CaH2aO)b-係在每次出現時各自獨立，為以下述式表示之基：-(C4H8O)c-(C3H6O)d-(C2H4O)e-(式中：c、d及e在每次出現時各自獨立，為0至200的整數，例如1至200的整數，較佳為5至200的整數，更佳為5 至100的整數，又更佳為5至50的整數；c、d及e的和為1至200，較佳為5至200，更佳為5至100，又更佳為5至50；在附有c、d或e且以括弧括起之各重複單元，在式中之存在順序為任意)。
在較佳態樣，式(A1)或(A2)中，在-(CaH2aO)-單元的至少1個中，a為4。亦即，式(A1)或(A2)中至少包含1個-C4H8O-基。該-C4H8O-基較佳為直鏈。藉由含有-C4H8O-基，本發明之化合物可賦予表面處理層具有低的指紋視認性，而且，可容易地消除指紋的痕跡。
在上述的態樣，(C4H8O)單元數與(C3H6O)單元數及(C2H4O)單元數之比係沒有特別限定。在較佳態樣，(C3H6O)單元數及(C2H4O)單元數係各自能夠是(C4H8O)單元數的100%以下，較佳為80%以下，更佳為50%以下，又更佳為30%以下。
在一態樣，在PE1及PE2中之-(CaH2aO)b-係在每次出現時各自獨立，為以下式表示之基：-(C4H8O)c-(C3H6O)d-(式中：c及d係在每次出現時各自獨立，為0至200的整數，例如1至200的整數，較佳為5至200的整數，更佳為5至100的整數，又更佳為5至50的整數；c及d的和為1至200，較佳為5至200，更佳為5至100，又更佳為5至50； 附有c或d且以括弧括起之各重複單元，在式中之存在順序為任意)。
在上述態樣，(C4H8O)單元數與(C3H6O)單元數之比係沒有特別限定。在較佳態樣，(C3H6O)單元數能夠是(C4H8O)單元數的100%以下，較佳為80%以下，更佳為50%以下，又更佳為30%以下。
在另外的態樣，PE1及PE2在每次出現時各自獨立，為選自下列者之基：-(C4H8O)c--(C3H6O)d-、及-(C2H4O)e-(式中，c、d及e係各自獨立，為1至200的整數，較佳為5至200的整數，更佳為5至100的整數，又更佳為5至50的整數)。
亦即，在該態樣，PE1及PE2係各自獨立且為以-(C4H8O)c-、-(C3H6O)d-或-(C2H4O)e-表示之均聚物單元。在較佳態樣，式(A1)或(A2)中，存在至少1個-(C4H8O)c-均聚物單元。而且，式(A1)或(A2)中，除了-(C4H8O)c-均聚物單元以外，亦可存在其它2種，也可只存在其它1種。
在上述態樣，各均聚物單元的存在比率係沒有特別限定，較佳的-(C3H6O)d-均聚物單元數及-(C2H4O)e-均聚物單元數，係各自能夠是-(C4H8O)c-均聚物單元數的80%以下，較佳為50%以下，更佳為30%以下。
在較佳態樣，PE1及PE2在每次出現時各自 獨立，為選自下列者之基：-(C4H8O)c-、及-(C3H6O)d-(式中，c及d係各自獨立，為1至200的整數，較佳為5至200的整數，更佳為5至100的整數，又更佳為5至50的整數)。
在較佳態樣，式(A1)或(A2)中，係含有至少1個-(C4H8O)c-均聚物單元。
在上述態樣，各均聚物單元的存在比率係沒有特別限定，較佳為-(C3H6O)d-均聚物單元數能夠是-(C4H8O)c-均聚物單元數的80%以下，更佳為50%以下，又更佳為30%以下。
在更佳的態樣，PE1及PE2在每次出現時各自獨立，為下式表示之基：-(C4H8O)c-(式中，c為1至200的整數，較佳為5至200的整數，更佳為5至100的整數，又更佳為5至50的整數)。
亦即，在該態樣，PE1及PE2係只由-C4H8O-單元所構成。
上述聚醚的重複單元之中，-(C4H8O)-可為-(CH2CH2CH2CH2O)-、-(CH(CH3)CH2CH2O)-、-(CH3CH(CH3)CH2O)-、-(CH2CH2CH(CH3)O)-、-(C(CH3)2CH2O)-、-(CH2C(CH3)2O)-、-(CH(CH3)CH(CH3)O)-、-(CH(C2H5)CH2O)-及-(CH2CH(C2H5)O)-的任一者， 較佳為-(CH2CH2CH2CH2O)-。-(C3H6O)-可為-(CH2CH2CH2O)-、-(CH(CH3)CH2O)-及-(CH2CH(CH3)O)-的任一者，較佳為-(CH2CH(CH3)O)-。而且，-(C2H4O)-可為-(CH2CH2O)-及-(CH(CH3)O)-的任一者，較佳為-(CH2CH2O)-。
上述式(A1)或(A2)中，Y係在每次出現時各自獨立，表示單鍵或-CONH-R5-NHCOO-。
上述R5在每次出現時各自獨立，表示2價有機基。
R5較佳為可具有取代基之碳數1至20的2價脂肪族烴基或碳數3至20的2價芳香族烴基或該等之組合。上述脂肪族烴基可為直鏈狀、分枝鏈狀或環狀的任一者。在一態樣，R5係能夠是可具有取代基之碳數1至20的伸烷基、碳數3至20的環伸烷基或碳數3至20的伸芳基或者該等之組合。作為上述取代基，可舉出較佳為碳數1至6個烷基。
在一態樣，R5能夠是下述式表示之基：-(CH2)x’-(式中，x’為1至6的整數，例如1至4的整數)； (式中，x及y係各自獨立，為0至6的整數、例如0至3或1至3的整數；z為0至10的整數、例如0至4或1至4的整數)。 (式中，x及y係各自獨立，為0至6的整數，例如0至3或1至3的整數；z為0至4的整數，例如0至3或1至3的整數)。
又，x或y為0時，-(CH2)x-或-(CH2)y-係各自意指單鍵(鍵結鍵)。
上述式(A1)或(A2)中，n係1至50的整數，較佳為1至30的整數，例如5至30的整數或10至20的整數。
上述式(A1)或(A2)中，X係各自獨立，表示單鍵或2至10價有機基。在以式(A1)及(A2)表示之化合物中，該X係能夠理解為連結主要是提供表面功能之聚醚部(亦即，R1-(PE1-Y)n-PE2-部或-(PE1-Y)n-PE2-部)、和提供與基材的結合能之矽烷部(亦即，附有α且以括弧括起之基)之連結基。因而，只要式(A1)及(A2)表示的化合物能夠安定地存在，該X可為任一種有機基。
上述式中，α為1至9的整數。該等α係能夠按照X的價數而變化。在式(A1)及(A2)，α係從X的價數減去1後之值。例如X為10價有機基時，α為9，X為5價有機基時，α為4，X為2價有機基時，α為1。
上述X，較佳為2至8價，例如3至8價；更佳為2至6價，例如3至6價。
在一態樣，X能夠是下述X1a。
作為上述X1a的例子，係沒有特別限定，例如可舉出以下述式表示之2價基：-(R30)r’-[(R31)p’-(Xa)q’]-[式中：R30為-CONH-或-CO-，較佳為-CONH-；r’為0或1，R31係表示單鍵、-(CH2)s’-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)s’-，s’為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數，又更佳為1或2，Xa係表示-(Xb)l’-，Xb係在每次出現時各自獨立，表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-所成群組之基，R33係在每次出現時各自獨立，表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，R34係在每次出現時各自獨立，表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，m’係在每次出現時各自獨立，為1至100的整數，較佳為1至20的整數，n’係在每次出現時各自獨立，為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數， l’係1至10的整數，較佳為1至5的整數，更佳為1至3的整數，p’為0或1，q’為0或1，其中，p’及q’的至少一者為1，在[(R31)p’-(Xa)q’]中，附有p’或q’且以括弧括起之各重複單元的存在順序係任意]。
其中，R31及Xa(典型係R31及Xa的氫原子)可經選自C1-3烷基之1個或1個以上的取代基取代。
較佳是上述X1a為-(R30)r’-(R31)p，-(Xa)q’-R32-。R32係表示單鍵、-(CH2)t’-或鄰、間或是對伸苯基，較佳為-(CH2)t’-。t’為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數。其中，R32(典型係R32的氫原子)可經選自C1-3烷基之1個或1個以上的取代基取代。
較佳為上述X1a能夠是-R30-C1-20伸烷基、-R30-R31-Xc-R32-、-R30-Xd-R32-、C1-20伸烷基、-R31-Xc-R32-或-Xd-R32-[式中，R30、R31及R32係與上述為相同意義]。
更佳是上述X1a為 -R30-C1-20伸烷基、-R30-(CH2)s’-Xc-、-R30-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’--R30-Xd-、-R30-Xd-(CH2)t’-、C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’--Xd-或-Xd-(CH2)t’-[式中，R30、s’及t’係與上述為相同意義]。
上述式中，Xc係表示-O-、-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-O-CONR34-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(R33)2-O-Si(R33)2-CH2CH2-Si(R33)2-O-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、 -CONR34-(CH2)u’-N(R34)-或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-[式中，R33、R34及m’係與上述為相同意義，u’為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數]。Xc較佳為-O-。
上述式中，Xd係表示-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-[式中，各記號係與上述為相同意義]。
更佳是上述X1a為-R30-C1-20伸烷基、-R30-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-、-R30-Xd-(CH2)t’-、C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-或-Xd-(CH2)t’-[式中，各記號係與上述為相同意義]。
又更佳是上述X1a為-R30-C1-20伸烷基、-R30-(CH2)s’-O-(CH2)t’-、 -R30-(CH2)s’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-R30-(CH2)s’-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-R30-(CH2)s’-O-(CH2)t’-Si(R33)2-(CH2)u’-Si(R33)2-(CvH2v)-、C1-20伸烷基、-(CH2)s’-O-(CH2)t’-、-(CH2)s’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-(CH2)s’-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-或-(CH2)s’-O-(CH2)t’-Si(R33)2-(CH2)u’-Si(R33)2-(CvH2v)-[式中，-R30、R33、m’、s’、t’及u’係與上述為相同意義，v為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數]。
上述式中，-(CvH2v)-可為直鏈，亦可為分枝鏈，例如能夠是-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-。
上述X1a基可經選自C1-3烷基之1個或1個以上的取代基取代。
在另外的態樣，作為X1a基，例如可舉出下述的基： [式中，R41係各自獨立，為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基或C1-6烷氧基，較佳為甲基；D係選自下列者之基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、 -CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)4-、-CO-(CH2)2-、-CO-(CH2)3-、-CO-(CH2)4-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、及 (式中，R42係各自獨立，表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，較佳為甲基或甲氧基，更佳為甲基)，E為-(CH2)n-(n為2至6的整數)，D係鍵結在分子主鏈的PE2，E係鍵結在Si原子]。
作為上述X1a的具體例，例如可舉出：-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)4-、-CO-(CH2)2-、-CO-(CH2)3-、-CO-(CH2)4-、-CH2O(CH2)2-、 -CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2 OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)6-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2- -C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、、等。
在又另外的態樣，X能夠是X1b。作為X1b基的例子，可舉出下述的基： [式中，R41係各自獨立，為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基或C1-6烷氧基，較佳為甲基；在各X1基，T中之任意若干個係鍵結在分子主鏈的PE2之以下的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、 -CONH-(CH2)4-、-CO-(CH2)2-、-CO-(CH2)3-、-CO-(CH2)4-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、或
[式中，R42係各自獨立，表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，較佳為甲基或甲氧基為佳，更佳為甲基]，另外的T之若干個係鍵結在Si原子之-(CH2)n”-(n”為2至6的整數)，存在剩餘的T時，剩餘者係各自獨立，為甲基、苯基或C1-6烷氧基。
在該態樣，X1a能夠是3至10價有機基。在該態樣，與基材結合部位之矽烷部位(SiRa kRb lRc m)係能夠存在2個以上。藉由為此種結構，能夠使表面處理層的磨擦耐久性提升。
在又另外的態樣，X係能夠是下述X2。
X2係以-CONH-R61-R62(R61-NHCO-R63)β-1表示之基[式中：R61係各自獨立，表示2價烴基； R62係表示β價有機基；β為2至6的整數；R63係表示-O-R67(OR68)s(O-X1a-)t；R67係表示γ價有機基；γ為2至8的整數；R68係氫原子或碳數1至6的烷基；X1a係2價有機基，且與上述的X1a為相同意義；s為0至6的整數；t為1至7的整數；s與t的和為γ-1]。
上述R61係各自獨立，較佳為可具有取代基之碳數1至10的伸烷基、碳數3至10的環伸烷基或碳數3至10的伸芳基，更佳為可具有取代基之碳數1至10的伸烷基，例如碳數3至8的伸烷基。
R62較佳為可具有取代基之2至6價脂肪族烴基、脂環式烴基、脂肪族雜環基、芳香族基或芳香族雜環基。
在較佳態樣，β為3至6，亦即R62為3至6價。在該態樣，為與基材的結合部位之具有可水解的基之矽烷部位(SiRa kRb lRc m)係能夠存在2個以上。藉由成為此種結構，可使表面處理層的磨擦耐久性提升。
在上述X2，可理解R63除外之部分(亦即，-CONH-R61-R62(R61-NHCO-)β-1)係作為多官能異氰酸酯殘基，例如具有以下的結構。
R67較佳為可具有取代基之2至8價脂肪族烴基、脂環式烴基、脂肪族雜環基、芳香族基或芳香族雜環基。
在較佳態樣，γ為3至8，亦即R67為3至8價。在該態樣，為與基材的結合部位之具有可水解的基之矽烷部位(SiRa kRb lRc m)係能夠存在2個以上。藉由成為此種結構，可使表面處理層的磨擦耐久性提升。
在上述R63，可理解X1a除外之部分(亦即，-O-R67(OR68)s(O-)t)係作為多元醇殘基，例如具有以下的結構。
R68係氫原子或碳數1至6的烷基，例如甲基或乙基，較佳為氫原子。
s為0至6的整數，較佳為0至3的整數，更佳為0或1，又更佳為0。
在較佳態樣，X2係以下述式表示之基： [式中，R61、R67、X1及t係與上述為相同意義。]
在該態樣，R61較佳是可具有取代基之碳數 1至8的伸烷基、碳數5至8的環伸烷基或伸苯基。作為上述取代基，較佳為碳數1至6的烷基，更佳為甲基或乙基，又更佳為甲基。
在該態樣，R67能夠是2至6價，較佳為2至4價，更佳為2價或3價之碳數2至6的烴鏈。較佳為R67能夠是下述的基。
[式中，附有*之鍵結鍵係鍵結在三聚異氰酸酯環側]。
在該態樣，較佳為X1能夠是碳數1至8的伸烷基，更佳為碳數2至6的伸烷基。
在一態樣，X係各自獨立，表示3至10價有機基，α係各自獨立，為2至9的整數。在該態樣，較佳是附有α且以括弧括起之單元皆包含鍵結有羥基或可水 解的基之Si原子。藉由為此種結構，可使表面處理層的磨擦耐久性提升。
上述式中，Ra在每次出現時各自獨立，表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r。
式中，Z在每次出現時各自獨立，表示氧原子或2價有機基。
上述Z，較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g為1至6的整數，h為1至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i-(式中，i為0至6的整數)，更佳為C1-3伸烷基。該等基係例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個或1個以上的取代基取代。
式中，R71係在每次出現時各自獨立，表示Ra’。Ra’係與Ra為相同意義。
Ra中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si最多為5個。亦即，在上述Ra，R71係存在至少1個時，在Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子係存在2個以上，惟此種經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目最多為5個。又，所謂「Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目」，係與在Ra中連結成直鏈狀之-Z-Si-的重複數一致。
例如，在下述Ra中表示經由Z基而連結Si原子之1個例子。
在上述式，*係意指鍵結在主鏈的Si之部位，…係意指鍵結有ZSi以外的預定基，亦即，Si原子的3根鍵結鍵全部為…時，係意指ZSi的重複結束處。又，Si右上標的數目字，係意指從*算起之經由Z基而連結成直鏈狀之Si的出現數。亦即，ZSi重複係在Si2結束之鏈，其「Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目」為2個，同樣地，ZSi重複係在Si3、Si4及Si5結束之鏈，各自之「Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目」為3、4及5個。又，從上述式能夠清楚明白，在Ra中，ZSi鏈存在複數個，惟該等不需全部為相同長度，亦可各自為任意長度。
在較佳態樣，係如下述所示，「Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目」，係在全部的鏈為1個(左式)或2個(右式)。
在一態樣，Ra中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數目為1個或2個，較佳為1個。
式中，R72係在每次出現時各自獨立，表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」，使用在本說明書時，係意指能夠接受水解反應之基。作為可水解的基的例子，可舉出-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中，R表示取代或非取代之碳數1至4的烷基)等，較佳為-OR(烷氧基)。R的例子係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基、特別是非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基係沒有特別限定，亦可為可水解的基經水解而產生者。
較佳是R72為-OR(式中，R係表示取代或非取代的C1-3烷基，更佳為甲基)。
式中，R73係在每次出現時各自獨立，表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較佳為碳數1至20的烷基，更佳為碳數1至6的烷基，又更佳為甲基。
式中，p係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數；q係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數；r係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數。惟，p、q及r的和為3。
在較佳態樣，在Ra中的末端之Ra’(Ra’不存在時，為Ra)，上述q較佳為2以上，例如2或3，更佳為3。
上述式中，Rb係在每次出現時各自獨立，表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」，係與R72的記載為相同意義，較佳為-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中，R表示取代或非取代之碳數1至4的烷基)，更佳為-OR。R係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基、特別是非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基係沒有特別限定，亦可為可水解的基經水解而產生者。更佳是Rb為-OR(式中，R係表示取代或非取代的C1-3烷基，較佳為甲基)。
上述式中，Rc係表示在每次出現時各自獨立，為氫原子或低級烷基。該低級烷基較佳為碳數1至20的烷基，更佳為碳數1至6的烷基，又更佳為甲基。
式中，k係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數；l係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數；m係在每次出現時各自獨立，為0至3的整數。惟，k、l 及m的和為3。
在較佳態樣，k為1至3，更佳為2或3，又更佳為3。亦即，Ra為存在。在該態樣，為與基材的結合部位之具有可水解的基之矽烷部位，係能夠存在2個以上。藉由成為此種結構，可使表面處理層的磨擦耐久性提升
本發明之化合物中，X為2價有機基時，k為1至3，更佳為2或3，又更佳為3。在該態樣，在附有α且以括弧括起之單元，係包含2個以上之鍵結有羥基或可水解的基之Si原子。藉由成為此種構成，可提高表面處理層的磨擦耐久性。
本發明之含(聚)醚基矽烷化合物的數量平均分子量，較佳為200以上，更佳為500以上，較佳為10,000以下，更佳為5,000以下，又更佳為2,000以下。藉由具有此種數量平均分子量，附著在基材之指紋的視認性變低，而且，可容易地藉由例如以布等擦拭而變得看不到附著的指紋(或使附著的指紋之視認性更為降低)。
在本發明的含(聚)醚基矽烷化合物之聚醚部(PE1基)的數量平均分子量，係沒有特別限定，較佳為200以上，更佳為500以上，較佳為10,000以下，更佳為5,000以下，又更佳為2,000以下。藉由PE1具有此種數量平均分子量，附著在基材之指紋的視認性變低，而且，可藉由擦拭附著的指紋，而容易地減低指紋的視認性。
在本發明，「數量平均分子量」係藉由 GPC(凝膠滲透層析)分析來測定。
本發明的含(聚)醚基矽烷化合物，較佳為能夠具有-70℃以上的玻璃轉移溫度(Tg)，且較佳為40℃以下，更佳為30℃以下，又更佳為20℃以下。藉由具有此種玻璃轉移溫度，附著在基材之指紋的視認性變低，而且，可藉由擦拭附著的指紋，而容易地減低指紋的視認性。
在本發明，「玻璃轉移溫度」係藉由示差掃描熱量分析來測定。
本發明之化合物，在聚醚基的至少1個末端，能夠存在2個以上與基材結合的部位之具有羥基或可水解的基之矽烷部位。因此，咸認可牢固地與基材結合，可達成高磨擦耐久性。
式(A1)及式(A2)表示之含(聚)醚基矽烷化合物，係可藉由眾所周知的方法來製造。
例如，可使對應PE1及PE2之含聚醚基二醇與對應Y之二異氰酸酯基反應而合成R1-(PE1-Y)n-PE2-H，其次，使R1-(PE1-Y)n-PE2-H末端的OH基與對應-X-SiRa kRb lRc m之在末端具有異氰酸酯基之矽烷化合物反應來得到。
製造本發明的含(聚)醚基矽烷化合物時之反應條件，只要是所屬技術領域中具有通常知識者，就能夠適當地調整在較佳範圍。
其次，說明本發明的表面處理劑。
本發明的表面處理劑，係含有式(A1)及式 (A2)的任一者表示之至少1種含(聚)醚基矽烷化合物。
本發明之表面處理劑無特別限定，可視結構而對基材賦予親水性、親油性、防汙性、表面光滑性、擦去性、磨擦耐久性等。
特別是使用含有本發明的化合物之表面處理劑而形成在基材上之表面處理層，係親油性高。亦即，含有本發明的化合物之表面處理劑，其可形成對於正十六烷之接觸角較佳為40°以下，更佳為30°以下，又更佳為25°以下，而且，較佳為10°以上、更佳為15°以上之表面處理層。因此，即便在附著有指紋時，因為接觸角較小，所以視認性低且指紋不顯眼。
而且，使用含有本發明的化合物之表面處理劑而形成在基材上之表面處理層，係表面光滑性高。亦即，含有本發明的化合物之表面處理劑，可形成動磨擦係數較佳為0.30以下、更佳為0.25以下、又更佳為0.20以下、又再更佳為0.15以下、進一步更佳為0.10以下之表面處理層。
在一態樣，本發明的表面處理劑係含有式(A1)表示之至少1種含(聚)醚基矽烷化合物。
本發明的表面處理劑，亦可經溶劑稀釋。作為此種溶劑，係沒有特別限定，可使用各種泛用溶劑。例如作為本發明的表面處理劑所含有的溶劑，可舉出丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二 醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚戊烷、己烷、庚烷、辛烷、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、二氯乙烷、二硫化碳、苯、甲苯、二甲苯、硝基苯、二乙醚、二甲氧基乙烷、二甘二甲醚(diglyme)、三甘二甲醚(triglyme)、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙腈、苯甲腈、丁醇、1-丙醇、2-丙醇、乙醇、甲醇及二丙酮醇。該等溶劑係能夠單獨使用或以2種以上的混合物使用。
本發明的表面處理劑，係除了本發明的含(聚)醚基矽烷化合物以外，亦可含有其它成分。作為此種其它成分係沒有特別限定，可舉出多元醇、觸媒等。
作為上述多元醇，能夠是下述式表示之化合物：HO-(Ca’H2a’O)b’-OH[式中：a’係在各個附有b’且以括弧括起之單元中各自獨立，為1至6的整數；b’係在每次出現時各自獨立，且為1至300的整數]。
該多元醇可為嵌段聚合物，亦可為無規聚合物。藉由添加多元醇，可得到更優異的表面光滑性、磨擦耐久性、使擦去後的指紋視認性降低之性能。
在較佳態樣，-(Ca’H2a’O)b’-係下述式表示之基：-(C4H8O)c’-(C3H6O)d’-(C2H4O)e’- (式中：c’、d’及e’係在每次出現時各自獨立，為0至300的整數，例如1至300的整數，較佳為5至200的整數，更佳為10至100的整數；c’、d’及e’的和為1至200，較佳為5至200，更佳為10至100；附有c’、d’或e’且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)。
在另外的態樣，-(Ca’H2a’O)b’-係選自下述式之基：-(C4H8O)c’--(C3H6O)d’-、及-(C2H4O)e’-(式中，c’、d’及e’係各自獨立且為1至300的整數，較佳為5至200的整數，更佳為10至100的整數)。
上述多元醇的數量平均分子量，較佳為1,000至30,000，更佳為5,000至20,000，例如能夠是8,000至20,000或10,000至20,000。
本發明的表面處理劑中，相對於上述本發明的含聚醚基矽烷化合物之總計100質量份(2種以上時為該等總計，以下亦相同)，多元醇係例如能夠含有0至500質量份，較佳為0至400質量份，更佳為25至400質量份。
在較佳態樣，藉由真空蒸鍍法來形成表面處理層時，亦可使上述多元醇的平均分子量成為比式(A1) 或式(A2)表示的化合物之平均分子量更大。藉由成為此種式(A1)或式(A2)表示的化合物及多元醇之平均分子量，能夠得到更優異的表面光滑性及磨擦耐久性。
作為上述觸媒，可舉出酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進本發明的含(聚)醚基矽烷化合物之水解及脫水縮合且促進表面處理層的形成。
本發明的表面處理劑，係可使其含浸多孔質物質，例如多孔質的陶瓷材料、金屬纖維，例如鋼絲絨絮凝而成者，而製成丸粒(pellet)。該丸粒係例如可使用於真空蒸鍍。
其次，說明本發明的物品。
本發明的物品，係包含：基材、及使用本發明的表面處理劑而形成在該基材之表面之層(表面處理層)。該物品係例如以下述方式製造。
首先，準備基材。在本發明可使用的基材，係例如可為由下述之任意適當的材料所構成：玻璃、藍寶石玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如可為一般的塑膠材料，亦可為板狀、膜、其它形態)、金屬(可為鋁、銅、鐵等金屬單體或合金等複合體)、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶瓷器、石材等、建築構件等。較佳為基材係玻璃或藍寶石玻璃。
作為上述玻璃，較佳為鈉鈣玻璃、鹼鋁矽 酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃，特佳為經化學強化的鈉鈣玻璃、經化學強化的鹼鋁矽酸鹽玻璃及化學鍵結而成之硼矽酸玻璃。
作為樹脂，較佳為丙烯酸樹脂、聚碳酸酯。
例如預定製造的物品為光學構件時，構成基材表面之材料，可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。而且，預定製造的物品為光學構件時，亦可在基材表面(最外層)形成某些層(或膜)，例如硬塗層、抗反射層等。抗反射層係可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。作為在抗反射層可使用的無機物的例子，可舉出SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物係可單獨使用或將該等組合2種以上而(例如以混合物的方式)使用。作為多層抗反射層時，其最外層係以使用SiO2及/或SiO為佳。預定製造的物品係觸控面板用光學玻璃零件時，亦可在基材(玻璃)表面的一部分具有透明電極，例如使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等之薄膜。而且，基材視其具體的規格等，亦可具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光薄膜、相位差膜及液晶顯示模組等。
基材形狀係沒有特別限定。而且，預定形成表面處理層之基材表面區域，只要為基材表面的至少一部分即可，且能夠視預定製造的物品的用途及具體的規格等而適當地決定。
作為此種基材，係可以是至少其表面部分為由原本具有羥基之材料所構成者。作為此種材料，可舉出玻璃，而且，可舉出在表面形成自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(特別是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或是如樹脂等，即便在具有之羥基為不充分之情況、和原本即不具有羥基之情況，可藉由在基材施行某些前處理而在基材表面導入羥基或是使羥基增加。作為此種前處理的例子，可舉出電漿處理(例如電暈放電)和離子束照射。電漿處理係能夠在基材表面導入羥基或使羥基增加，同時亦能夠適合利用於將基材表面潔淨化(除去異物等)。而且，作為此種前處理之另外的例子，可舉出藉由將具有碳-碳不飽和鍵基之界面吸附劑使用LB法(朗謬-布洛傑法(Langmuir-Blodgett method))、化學吸附法等而預先以單分子膜的形態形成在基材表面，之後，在含有氧、氮等之環境下使不飽和鍵裂解之方法。
又或者，作為此種基材，亦可以是至少其表面部分為由含有另外的反應性基之材料，例如具有1個以上之Si-H基之聚矽氧化合物、烷氧基矽烷之材料所構成者。
其次，在此種基材表面，形成上述本發明的表面處理劑之膜，且將該膜視所需進行後處理，藉此，由本發明的表面處理劑形成表面處理層。
本發明的表面處理劑之膜形成，係可藉由對基材表面，將上述的表面處理劑以被覆該表面來施用之 方式來實施。被覆方法係沒有特別限定。例如能夠使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
作為濕潤被覆法的例子，可舉出浸漬塗佈、旋轉塗佈、淋塗、噴霧塗佈、輥塗佈、凹版塗佈及類似的方法。
作為乾燥被覆法的例子，可舉出蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似的方法。作為蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)的具體例，可舉出使用電阻加熱、電子束、微波等高頻加熱、離子束及類似的方法。作為CVD方法的具體例，可舉出電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。
而且，亦能夠藉由常壓電漿法來被覆。
使用濕潤被覆法時，本發明的表面處理劑係能夠在經溶劑稀釋後施用在基材表面。從本發明的表面處理劑之安定性及溶劑揮發性的觀點而言，較佳為使用以下的溶劑：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚戊烷、己烷、庚烷、辛烷、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、二氯乙烷、二硫化碳、苯、甲苯、二甲苯、硝基苯、二乙醚、二甲氧基乙烷、二甘二甲醚、三甘二甲醚、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙腈、苯甲腈、丁醇、1-丙醇、2-丙醇、乙醇、甲醇及二丙酮醇。該等溶劑係能夠單獨使用或組合2種以上作為 混合物而使用。再者，例如亦可混合另外的溶劑用以調整含(聚)醚基矽烷化合物的溶解性等。
使用乾燥被覆法時，本發明的表面處理劑係可直接供給至乾燥被覆法，或者亦可使用上述的溶劑稀釋後再供給至乾燥被覆法。
膜形成較佳係以使本發明的表面處理劑與用以水解及脫水縮合的觸媒之同時存在於膜中之方式實施。為了簡便，藉由濕潤被覆法時，在使用溶劑將本發明的表面處理劑稀釋後，亦可在即將施用於基材表面之前，在本發明的表面處理劑之稀釋液中添加觸媒。藉由乾燥被覆法時，係將添加有觸媒之本發明的表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者亦可使用使添加有觸媒之本發明的表面處理劑含浸鐵、銅等金屬多孔體而成之丸粒狀物質而進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒係能夠使用任意適當的酸或鹼。作為酸觸媒，例如能夠使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。而且，作為鹼觸媒，例如能夠使用氨、有機胺類等。
其次，視所需而將膜進行後處理。該後處理係沒有特別限定，例如可以逐次地實施水分供給及乾燥加熱，更詳細而言，係可以下述方式實施。
以上述方式將本發明的表面處理劑在基材表面進行膜形成後，對該膜(以下，亦稱為「前驅物膜」)供給水分。水分的供給方法係沒有特別限定，例如可使用：藉由前驅物膜(及基材)與周圍環境的溫度差產生冷凝、吹 附蒸氣(steam)等方法。
咸認對前驅物膜供給水分時，本發明的表面處理劑中之鍵結在含(聚)醚基矽烷化合物的Si之可水解的基係對水起作用，而可使該化合物迅速地水解。
水分的供給，係例如能夠在設為0至250℃的環境下實施，較佳為60℃以上，更佳為100℃以上，較佳為180℃以下，更佳為150℃以下。藉由在此種溫度範圍供給水分，可使水解進行。此時的壓力係沒有特別限定，惟為了簡便，能夠設為常壓。
其次，在該基材表面於超過60℃的乾燥環境下加熱該前驅物膜。乾燥加熱方法係沒有特別限定，只要將前驅物膜與基材一同配置在超過60℃，較佳為超過100℃的溫度，例如於250℃以下，較佳為180℃以下的溫度，且於不飽和蒸氣壓的環境下即可。此時的壓力係沒有特別限定，惟為了簡便係能夠設為常壓。
在此種環境下，在本發明的含(聚)醚基矽烷化合物之間，水解後鍵結在Si的基之間係迅速地進行脫水縮合。而且，在此種化合物與基材之間，該化合物水解後鍵結在Si之基係與在基材表面存在的反應性基之間迅速地進行反應，且在基材表面存在之反應性基為羥基時係進行脫水縮合。其結果，係在含全氟(聚)醚基矽烷化合物與基材之間形成鍵結。
上述的水分供給及乾燥加熱，亦可藉由使用過熱水蒸氣而連續地實施。
過熱水蒸氣係將飽和水蒸氣加熱至比沸點更高的溫度而得到的氣體，常壓下係大於100℃，通常係藉由500℃以下，例如300℃以下的溫度加熱至大於沸點之溫度而成為不飽和蒸氣壓之氣體。在本發明，從抑制含全氟(聚)醚基矽烷化合物的分解之觀點而言，較佳為250℃以下，更佳為180℃以下的過熱水蒸氣能夠使用於水分供給及乾燥加熱。將形成有前驅物膜之基材暴露在過熱水蒸氣時，首先，係藉由過熱水蒸氣與相較為低溫的前驅物膜之間之溫度差而在前驅物膜表面產生冷凝，藉此可對前驅物膜供給水分。然後，隨著過熱水蒸氣與前驅物膜之間的溫度差變小，前驅物膜表面的水分係在過熱水蒸氣造成的乾燥環境中氣化，使前驅物膜表面的水分量逐漸降低。前驅物膜表面的水分量降低之期間，亦即，前驅物膜處於乾燥環境下之期間，基材表面的前驅物膜係藉由與過熱水蒸氣接觸而被加熱至該過熱水蒸氣的溫度(在常壓下為超過100℃的溫度)。因而，若使用過熱水蒸氣，則只要將形成有前驅物膜之基材暴露在過熱水蒸氣，就能夠連續地實施水分供給及乾燥加熱。
藉由以上方式而能夠實施後處理。為了使磨擦耐久性進一步提升，係能夠實施此種後處理，惟需留意此非製造本發明的物品所必須的。例如，將本發明的表面處理劑施用在基材表面之後，亦可保持原本的靜置狀態。
如上述方式，能夠在基材表面形成源自本 發明的表面處理劑膜之表面處理層，而能夠製造本發明的物品。藉此得到的表面處理層，係具有較高的磨擦耐久性。而且，該表面處理層係除了磨擦耐久性高以外，亦能夠容易地使所附著的指紋無法看到，而且，雖然亦會因使用的表面處理劑之組成而異，但能夠具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等髒污的附著)、防水性(防止水侵入電子零件等)、表面光滑性(或潤滑性，例如指紋等污染的擦去性、對手指之優異的觸感)等，而能夠適合利用作為功能性薄膜。
具有依據本發明而得到的表面處理層之物品係沒有特別限定，能夠是光學構件。作為光學構件，例如可舉出下述的光學構件：例如陰極射線管(CRT：例如TV、個人電腦螢幕)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、抗眩板或在該等的表面經施行抗反射膜處理而成者；眼鏡等透鏡；行動電話、行動資訊終端設備等機器的觸控面板薄片；藍光(Blu-ray(註冊商標))碟片、DVD碟片、CD-R、MO等光碟的碟面；光纖；時鐘的顯示面等。
具有依據本發明而得到的表面處理層之其它物品，係能夠舉出窯業製品、塗面、布製品、皮革製品、醫療品及石膏(plaster)等。
而且，具有依據本發明而得到的表面處理 層之其它物品，亦可為醫療機器或醫療材料。
表面處理層的厚度係沒有特別限定。於光學構件時，就光學性能、表面光滑性、磨擦耐久性及防污性而言，較佳為表面處理層的厚度係1至50mm，較佳為1至30nm，更佳為1至15nm的範圍。
以上，係詳述使用本發明的表面處理劑而得到的物品。又，本發明的表面處理劑之用途、使用方法乃至物品的製造方法等係不被上述例示者限定。
(實施例)
以下，藉由實施例而更具體地說明本發明的表面處理劑，惟本發明係不被該等實施例限定。又，在本實施例，以下所顯示的化學式均表示平均組成。
(化合物的合成)
實施例1
使聚四亞甲二醇(分子量650)6.5g溶解於四氫呋喃10g，加入氫化鈉0.96g。滴下3-溴烯丙烯7.3g，以50度攪拌3小時。放冷至室溫後，徐緩添加飽和氯化銨水溶液70ml，分液後回收上層，減壓餾除溶劑及未反應物。將所得之油狀的生成物5g滴下至甲苯10g、四甲基環四矽氧烷3.6g、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷白金(0)錯合物的二甲苯溶液0.25g(含有5mgPt單體)之混合溶液中，以60度攪拌3小時。之後，減壓餾除溶劑及未反應物。將所得之化合物8.5g、甲苯10g、乙烯基三甲氧基矽烷8.3g、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷白金(0)錯合物之二 甲苯溶液0.25g(含有5mgPt單體)混合，以60℃攪拌5小時。然後加入活性碳1g以室溫攪拌一晚。過濾活性碳之後，減壓餾除溶劑及未反應物而得到油狀之生成物13g。藉由1H-NMR確認為下述式所示之化合物。
式中，n約為9。
實施例2
在具備滴液漏斗、攪拌機、溫度計之四口燒瓶投入並攪拌甘油2.0g、乙酸乙酯5g，進行攪拌混合，使系統內均勻。其次，以成為[OH]/[NCO]=3/2的方式將異氰酸3-(三乙氧基矽基)丙酯5.74g及作為觸媒之二月桂酸二正丁基錫0.05g之混合物從滴液漏斗滴下，進行攪拌且在室溫使其反應12小時。藉由FT-IR確認2260cm-1之異氰酸酯的譜峰消失之後，以成為[OH]/[NCO]=2/3的比率之方式秤量3官能異氰酸酯之SumidurN3300(住友化學公司製)3.56g，溶解於相同重量之乙酸乙酯並滴下，使其攪拌反應，得到具有異氰酸酯基之4官能矽烷化合物A。其次，所得之矽烷化合物A與聚四亞甲二醇(分子量650)以成為[OH]/[NCO]=2/1的方式混合，得到每1分子平均具有4個矽烷之化合物2。藉由FT-IR確認2260cm-1之異氰酸 酯的譜峰消失且反應結束。
實施例3
使用矽烷化合物A與聚四亞甲二醇(分子量650)，以成為[OH]/[NCO]=1/1之比率的方式使其混合反應，得到每1分子平均具有8個矽烷分子之化合物3(代表性者具有下述構造式)。藉由FT-IR確認2260cm-1之異氰酸酯的譜峰消失且反應結束。
式中，n約為9。
比較例1
在具備滴液漏斗、攪拌機、溫度計之四口燒瓶投入聚四亞甲二醇(分子量650)10.0g、乙酸乙酯10.0g，進行攪拌混合使系統內均勻。其次，將異氰酸3-(三乙氧基矽基)丙酯3.80g及作為觸媒之二月桂酸二正丁基錫0.05g之混合 物從滴液漏斗滴下，進行攪拌且在室溫使其反應12小時，得到化合物4。藉由FT-IR確認2260cm-1之異氰酸酯的譜峰消失且反應結束。
(表面處理層之形成)
實施例4
將在上述實施例1所得到的化合物1以成為濃度20wt%的乙酸乙酯溶液之方式調製，來調製表面處理劑。將表面處理劑真空蒸鍍(壓力3.0×10-3Pa)在化學強化玻璃(康寧公司製，「Gorilla」玻璃，厚度0.7mm)上。使每1片(55mm×100mm)化學強化玻璃蒸鍍有2mg表面處理劑(亦即，含有0.4mg實施例1的化合物1)。之後，將附蒸鍍膜的化學強化玻璃在溫度20℃及濕度65%的環境下靜置24小時。藉此，蒸鍍膜硬化而形成表面處理層。
實施例5
除了使用實施例2的化合物2代替實施例1的化合物以外，係與實施例4同樣地進行而調製表面處理劑且形成表面處理層。
實施例6
除了使用實施例3的化合物3代替實施例1的化合物以外，係與實施例4同樣地進行而調製表面處理劑且形成表面處理層。
比較例2
除了使用比較例1的化合物4代替實施例1的化合物以外，係與實施例4同樣地進行而調製表面處理劑且形成 表面處理層。
試驗例
‧表面光滑性評估(動磨擦係數(COF)之測定)
針對上述的實施例4至6及比較例2在基材表面所形成的表面處理層，使用表面性質測定機(Labthink公司製FPT-1)且使用紙作為磨擦件，依據ASTM D4917而測定動磨擦係數(-)。具體而言，係將形成有表面處理層的機件水平配置且使磨擦紙(2cm×2cm)接觸表面處理層所露出的上面，而且在其上賦予200gf的荷重，之後，在施加荷重的狀況下，使磨擦紙以500mm/秒的速度平衡移動而測定動磨擦係數。將結果顯示在表1。
‧視認性評估
針對上述的實施例4至6及比較例2在基材表面所形成的表面處理層，評估所附著的指紋之視認性、擦去性。具體而言，係將附著有指紋之處理基材載置在鋁金屬板上，在暗室內使螢光燈的光線對基材以60度的入射角照射，而且從與光源相反側60度的角度藉由目視確認看到附著在基材之指紋的情形，且採用以下的3階段進行評估。
1：完全無法看到指紋附著部。
2：稍微能夠看到指紋附著部。
3：清楚地能夠看到白色的指紋附著部。
‧擦去性評估
藉由目視確認在將指紋附著試驗後的基材用KimWipes(商標名；擦拭紙)以100gf的荷重擦去後之指紋 擦去情形，且採用以下3階段進行評估。
1：藉由2次以內來回擦去而無法看到指紋。
2：藉由3至5次來回擦去而無法看到指紋。
3：即便藉由5次來回，仍殘留有指紋的痕跡。
‧接觸角評估
使用接觸角計(協和界面科學公司製，「DropMaster」)，分別以1μL的液量測定水及正十六烷的靜態接觸角。將結果顯示在表1。
從上述的結果，能夠確認由含有本發明的化合物之表面處理劑所形成的表面處理層，即便在附著有指紋時，仍為指紋的視認性低，而且磨擦耐久性高。
(產業上之可利用性)
本發明係能夠適合利用於在各式各樣的基材、特別是被要求穿透性之光學構件的表面形成表面處理 層。

Claims (20)

  1. 一種化合物，其係下述通式(A1)或(A2)表示之化合物：R1-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α．．．(A1) (Rc mRb lRak kSi)α-X-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α．．．(A2)式中：R1表示OR4；R4表示氫原子或碳數1至20的烷基；PE1在每次出現為各自獨立，係下式表示之基：-(CaH2aO)b-(式中，a在附有b且以括弧括起之各單元係各自獨立，為1至6的整數；b在每次出現為各自獨立，為1至200的整數)；Y在每次出現為各自獨立，表示單鍵或-CONH-R5-NHCOO-；R5在每次出現為各自獨立，表示2價有機基；n為1至50的整數；PE2表示單鍵或上述-(CaH2aO)b-基；X係各自獨立，表示3至10價有機基；Ra在每次出現為各自獨立，表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r；Z在每次出現為各自獨立，表示氧原子或2價有機基；R71在每次出現為各自獨立，表示Ra’；Ra’與Ra為相同意義；Ra中，經由Z基而連結成為直鏈狀之Si係最多為5個；R72在每次出現為各自獨立，表示羥基或可水解的基；R73在每次出現為各自獨立，表示氫原子或低級烷基；p在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；q在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；r在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；在1個Ra中，p、q及r的和為3；Rb在每次出現為各自獨立，表示羥基或可水解的基；Rc在每次出現為各自獨立，表示氫原子或低級烷基；k在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；l在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；m在每次出現為各自獨立，為0至3的整數；在附有α且以括弧括起之單元中，k、l及m的和為3；α係各自獨立，為2至9的整數；惟，在鍵結在1個X之(SiRa kRb lRc m)α中，具有Rb或R72之Si原子總計存在2個以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化合物，其中，k為1至3的整數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其係式(A1)表示之化合物：R1-(PE1-Y)n-PE2-X-(SiRa kRb lRc m)α．．．(A1)式中，R1、PE1、PE2、X、Y、Ra、Rb、Rc、k、l、m、n及α與申請專利範圍第1項之記載為相同意義。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，PE1及PE2中之-(CaH2aO)b-係各自獨立，為下式表示之基：-(C4H8O)c-(C3H6O)d-(C2H4O)e-式中：c、d及e係各自獨立，為0至200的整數；c、d及e的和為1至200；附有c、d或e且以括弧括起之各重複單元，在式中之存在順序為任意。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，PE1及PE2在每次出現為各自獨立，為選自下式之基：-(C4H8O)c--(C3H6O)d-、及-(C2H4O)e-式中，c、d及e係各自獨立，為1至200的整數。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，PE1及PE2在每次出現為各自獨立，為下式表示之基：-(C4H8O)c-式中，c為1至200的整數。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之化合物，其中，C4H8O為CH2CH2CH2CH2O；C3H6O為CH2CHCH3O；C2H4O為CH2CH2O。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，Y為下述式表示之基：-CONH-R5-NHCOO-式中，R5為：-(CH2)x’-式中，x’為1至6的整數；
    Figure TWI644942B_C0001
    式中，x及y係各自獨立，為0至6的整數；z為0至10的整數；或
    Figure TWI644942B_C0002
    式中，x及y係各自獨立，為0至6的整數；z為0至4的整數。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，X為下述式表示之基：-CONH-R61-R62(R61-NHCO-R63)β-1式中：R61係各自獨立，表示2價烴基；R62表示β價有機基；β為2至6的整數；R63表示-O-R67(OR68)s(O-X1-)t；R67表示γ價有機基；γ為2至8的整數；R68為氫原子或碳數1至6的烷基；X1表示2價有機基；s為0至6的整數；t為1至7的整數；s與t的和為γ-1。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之化合物，其中，X為下述式表示之基：
    Figure TWI644942B_C0003
    式中：R61係各自獨立，表示2價烴基；R67係各自獨立，表示2至8價有機基；X1表示2價有機基；t係各自獨立，為1至7的整數。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，PE1之數平均分子量為500至10,000。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述之化合物，其中，玻璃轉移溫度於-70℃至40℃之範圍。
  13. 一種表面處理劑，其係含有申請專利範圍第1至12項中任一項所述之式(A1)或式(A2)表示之至少1種化合物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之表面處理劑，其中進一步含有溶媒。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所述之表面處理劑，其中進一步含有下述式表示之多元醇：HO-(Ca’H2a’O)b，-OH式中：a’在附有b’且以括弧括起之各單元係各自獨立，為1至6的整數；b’在每次出現為各自獨立，為1至300的整數。
  16. 如申請專利範圍第13或14項所述之表面處理劑，其可形成對於正十六烷之接觸角為40°以下之表面處理層。
  17. 如申請專利範圍第13或14項所述之表面處理劑，其可形成動摩擦係數為0.30以下之表面處理層。
  18. 一種物品，其係包含：基材，與藉由申請專利範圍第13至17項中任一項所述之表面處理劑形成在該基材的表面之層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之物品，其中，前述物品為光學構件。
  20. 如申請專利範圍第18或19項所述之物品，其中，前述物品為顯示器或觸控面板。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637977B (zh) * 2015-06-12 2018-10-11 大金工業股份有限公司 表面處理劑
JP6690675B2 (ja) * 2017-09-05 2020-04-28 Ａｇｃ株式会社 化合物、組成物、表面処理剤、物品および化合物の製造方法
KR102561500B1 (ko) * 2018-09-28 2023-08-01 다이킨 고교 가부시키가이샤 표면 처리제
KR20220039575A (ko) * 2020-09-21 2022-03-29 주식회사 쎄코 초박형 강도보강 코팅제용 화합물 이를 포함하는 강도보강 코팅제

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011068777A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ω末端にポリアルキレンオキシド基を有する片末端反応性オルガノポリシロキサン及びその製造方法。
JP2013124362A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Dow Corning Toray Co Ltd オルガノポリシロキサン−ポリオキシアルキレンブロック共重合体の製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1154853A (en) * 1965-08-26 1969-06-11 Gen Electric Improvements in Curable Compositions
JPH01125390A (ja) * 1987-11-10 1989-05-17 Sagami Chem Res Center 二官能性オリゴエチレンオキシド誘導体
US5227410A (en) * 1991-12-05 1993-07-13 General Electric Company Uv-curable epoxysilicone-polyether block copolymers
DE4213321A1 (de) * 1992-04-23 1993-10-28 Bayer Ag Thermostabilisierung von aromatischen Polycarbonaten
US5359109A (en) * 1993-06-16 1994-10-25 Osi Specialties, Inc. Surface-active siloxane coating compounds and their use in coatings
US5798430A (en) * 1995-06-28 1998-08-25 E. I. Du Pont De Nemours And Compnay Molecular and oligomeric silane precursors to network materials
DE69624923T2 (de) 1995-08-11 2003-08-21 Daikin Ind Ltd Silizium enthaltende organische fluorpolymere und ihre verwendung
JP2001131243A (ja) * 1999-11-04 2001-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 液状放射線硬化型樹脂組成物、光ファイバ用被覆材及び光ファイバ
JP4378565B2 (ja) * 2004-03-26 2009-12-09 株式会社ネオス アルコキシシラン化合物
JP2006274005A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Dainippon Ink & Chem Inc 光ファイバー被覆用樹脂組成物及びそれを用いた光ファイバー素線
US8211544B2 (en) 2005-04-01 2012-07-03 Daikin Industries, Ltd. Surface modifier
KR100803197B1 (ko) 2006-08-16 2008-02-14 삼성에스디아이 주식회사 실란 화합물, 이를 채용한 유기전해액 및 리튬 전지
US20080241892A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Pacific Biosciences Of California, Inc. Modified surfaces for immobilization of active molecules
JP2013060354A (ja) 2011-08-19 2013-04-04 Central Glass Co Ltd 耐指紋性被膜形成処理剤及び該被膜を有する耐指紋性ガラス
CN104350084B (zh) * 2012-05-31 2016-10-12 株式会社钟化 具有有多个反应性硅基的末端结构的聚合物及其制造方法和利用
JP5936448B2 (ja) * 2012-06-01 2016-06-22 関西ペイント株式会社 塗料組成物及び塗装物品
JP2014065827A (ja) 2012-09-26 2014-04-17 Dic Corp トップコート剤ならびにそれを用いて得られたトップコート層を備えた表示装置及びタッチパネル
JP2013076094A (ja) 2013-01-28 2013-04-25 Asahi Glass Co Ltd 硬化性組成物
FR3005052B1 (fr) 2013-04-30 2015-04-17 Oreal Compose adapte au maquillage et/ou soin des ongles
TWI637977B (zh) 2015-06-12 2018-10-11 大金工業股份有限公司 表面處理劑
EP3348560A1 (en) * 2017-01-16 2018-07-18 Spago Nanomedical AB Chemical compounds for coating of nanostructures

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011068777A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ω末端にポリアルキレンオキシド基を有する片末端反応性オルガノポリシロキサン及びその製造方法。
JP2013124362A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Dow Corning Toray Co Ltd オルガノポリシロキサン−ポリオキシアルキレンブロック共重合体の製造方法

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