TW202336023A - 表面處理劑 - Google Patents
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Abstract
本發明為下式(1)或(2)所示之化合物(式中，各記號與說明書中之記載同義)。
RF1-XA-XB RSi nRAc m (1)
RAc mRSi nXB-XA-RF2-XA-XB RSi nRAc m (2)
Description
本揭示係關於新穎之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物、及含有該化合物表面處理劑。
已知某種含有氟聚醚基之矽烷化合物在用於基材表面處理時，能夠提供優異的撥水性、撥油性、防汙性等。由包含氟聚醚基之矽烷化合物之表面處理劑所獲得的層(以下亦稱為「表面處理層」)，係作為功能性薄膜而被施作於例如玻璃、塑膠、纖維、衛生用品、建築資材等各種不同的基材(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2003-238577號公報。
專利文獻1所記載之含有氟聚醚基之矽烷化合物可賦予具有優異功能之表面處理層，但要求具有更高的耐久性之表面處理層。
本揭示的目的在於提供一種含有氟聚醚基之化合物，其可賦予耐久性優異之表面處理層。
本揭示包括以下態樣。
[1]一種化合物，係下式(1)或(2)所示之化合物，
RF1-XA-XB RSi nRAc m (1)
RAc mRSi nXB-XA-RF2-XA-XB RSi nRAc m (2)
[式中，
RF1為Rf1-RF-Oq-，
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-，
Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，
Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，
RF係分別獨立地為二價氟聚醚基，
p為0或1，
q分別獨立地為0或1，
XA分別獨立地為單鍵、或二價有機基，
XB分別獨立地為不含Si原子之碳數1至10之(m+n+1)價的基，
RSi在每次出現時分別獨立地為-XC-SiR1 n’R2 3-n’，
XC為碳數1至10之二價有機基，
R1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基，
R2在每次出現時分別獨立地為氫原子或一價有機基，
n’為1至3之整數，
RAc在每次出現時分別獨立地為-XD-XE(-XF-OCO-CR5=CH2)m’，
XD為單鍵、或二價有機基，
XE為單鍵、或(m’+1)價的基，
XF在每次出現時分別獨立地為單鍵、或碳數1至10之二價有機基，
R5為氫原子、鹵原子、或碳數1至8之一價有機基，
m’為1至10之整數，
n分別獨立地為1至10之整數，
m分別獨立地為1至10之整數]。
[2]如上述[1]所述之化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下式所示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意，惟全部的RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中之至少一者為1以上]。
[3]如上述[1]或[2]所述之化合物，其中，RFa為氟原子。
[4]如上述[1]至[3]中任一項所述之化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
[式(f1)中，d為1至200之整數，e為0或1]；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式(f2)中，c及d分別獨立地為0至30之整數；
e及f分別獨立地為1至200之整數；
c、d、e及f之和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g-R9- (f3)
[式(f3)中，R6為OCF2或OC2F4；
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基選擇的2或3個基的組合；
R9為單鍵、或選自OCF2、OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基；
g為2至100之整數]；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
[式(f4)中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為：
(式中，＊表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式(f5)中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)
[式(f6)中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所述之化合物，其中，Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基，
Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
[6]如上述[1]至[5]中任一項所述之化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵、或不含有胺酯鍵之二價有機基。
[7]如上述[1]至[6]中任一項所述之化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵、或下式所示之基，
-(CαR11 2α)s1-R12 t1-
[式中，
R11在每次出現時分別獨立地為氫原子或氟原子，
α在每次出現時分別獨立地為1至10之整數，
R12在每次出現時分別獨立地為-O-、-CO-、-NR10-、-CONR10-、-NR10CO-、-COO-、或-OCO-，
R10為氫原子或C1-6烷基，
s1為0至3之整數，
t1為0至3之整數，
s1與t1之合計為1以上，
標註s1或t1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[8]如上述[7]所述之化合物，其中，XA為-CONR10-Cα1H2α1-、-(Cα2H2α2)-O-(Cα3H2α3)-、或-Cα4H2α4-，
R10為氫原子或C1-6烷基，
α1為1至10之整數，
α2為0至6之整數，
α3為0至6之整數，
α4為0至6之整數。
[9]如上述[8]所述之化合物，其中，XA為-CONR10-Cα1H2α1-。
[10]如上述[1]至[9]中任一項所述之化合物，其中，XB為3價基，n為1，m為1。
[11]如上述[1]至[10]中任一項所述之化合物，其中，XB為下式所示者，n為1，m為1。
[式中，R8為氫原子、或C1-6烷基]。
[12]如上述[1]至[11]中任一項所述之化合物，其中，XC為：
C1-6伸烷基；
-(CH2)z1-O-(CH2)z2-
(式中，z1為0至6之整數，z2為0至6之整數)；
-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-
(式中，z3為0至6之整數，z4為0至6之整數)；或
-(CH2)z13-OCONH-(CH2)z14-
(式中，z13為0至6之整數，z14為0至6之整數)。
[13]如上述[1]至[12]中任一項所述之化合物，其中，XC為C1-6伸烷基。
[14]如上述[1]至[13]中任一項所述之化合物，其中，n’為2或3。
[15]如上述[1]至[14]中任一項所述之化合物，其中，n’為3。
[16]如上述[1]至[15]中任一項所述之化合物，其中，XE為單鍵。
[17]如上述[1]至[15]中任一項所述之化合物，其中，XE為-XG-XH，
XG為：
單鍵；
C1-6伸烷基；
-(CH2)z9-O-(CH2)z10-
(式中，z9為0至6之整數，z10為0至6之整數)；或
-(CH2)z11-伸苯基-(CH2)z12-
(式中，z11為0至6之整數，z12為0至6之整數)，
XH為下述所示者，
R8為氫原子、或C1-6烷基。
[18]如上述[1]至[17]中任一項所述之化合物，其中，XD為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-OCONH-、-NHCOO-、-NH-CO-NH-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH(CH2OH)CH2-、
[式中，＊及＊＊表示鍵結位置，＊鍵結於XB，＊＊鍵結於XE]。
[19]如上述[1]至[18]中任一項所述之化合物，其中，XF為：單鍵、
C1-6伸烷基、
-(CH2)z5-O-(CH2)z6-
(式中，z5為0至6之整數，z6為0至6之整數)、或
-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6之整數，z8為0至6之整數)。
[20]如上述[1]至[19]中任一項所述之化合物，其中，R5為氫原子、或甲基。
[21]一種表面處理劑，係含有上述[1]至[20]中任一項所述之化合物。
[22]如上述[21]所述之表面處理劑，其進一步含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種或1種以上的其他成分。
[23]如上述[21]或[22]所述之表面處理劑，其係使用作為防汙性塗佈劑或防水性塗佈劑。
[24]一種物品，係包含：
基材、及
於該基材表面藉由上述[1]至[19]中任一項所述之化合物或上述[21]至[23]中任一項所述之表面處理劑而形成的層。
根據本揭示，可提供一種含有氟聚醚基之丙烯酸化合物，其可賦予耐久性優異之表面處理層。
本說明書中之用語，「一價有機基」是指含有碳的一價基。一價有機基並無特別限定，可為烴基或其衍生物。烴基之衍生物是指於烴基之末端或分子鏈中具有1個以上的N、O、S、Si、醯胺、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等的基。再者，僅以「有機基」表示時，是指一價有機基。又，「2價有機基」是指含有碳的2價基。該2價有機基並無特別限定，可舉出從有機基進一步使1個氫原子脫離的2價基。
本說明書中之用語，「烴基」是指含有碳及氫的基，其係使1個氫原子從烴脫離所成的基。該烴基並無特別限定，可舉出可經1個以上的取代基取代之C1-20烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、支鏈狀或環狀之任一者，也可為飽和或不飽和之任一者。又，烴基可包含1個以上的環結構。
就本說明書中之用語而言，「烴基」之取代基並無特別限定，可舉例如選自鹵原子、可經1個以上的鹵原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員之雜環基、5至10員之不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員之雜芳基之1個以上的基。
本說明書中，「水解性基」是指能夠接受水解反應的基，亦即，能夠藉由水解反應而從化合物之主骨架脫離的基。水解性基可舉例如：-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、-NCO、鹵素(該等式中，Rh表示取代或非取代之C1-4烷基)等。
本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為下式(1)或(2)所示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物。
RF1-XA-XB RSi nRAc m (1)
RAc mRSi nXB-XA-RF2-XA-XB RSi nRAc m (2)
[式中，
RF1為Rf1-RF-Oq-，
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-，
Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，
Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，
RF係分別獨立地為二價氟聚醚基，
p為0或1，
q分別獨立地為0或1，
XA分別獨立地為單鍵、或二價有機基，
XB分別獨立地為不含Si原子之碳數1至10之(m+n+1)價的基，
RSi在每次出現時分別獨立地為-XC-SiR1 n’R2 3-n’，
XC為碳數1至10之二價有機基，
R1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基，
R2在每次出現時分別獨立地為氫原子或一價有機基，
n’為1至3之整數，
RAc在每次出現時分別獨立地為-XD-XE(-XF-OCO-CR5=CH2)m’，
XD為單鍵、或二價有機基，
XE為單鍵、或(m’+1)價的基，
XF在每次出現時分別獨立地為單鍵、或有機基，
R5為氫原子、鹵原子、或碳數1至8之一價有機基，
m’為1至10之整數，
n分別獨立地為1至10之整數，
m分別獨立地為1至10之整數]。
上述式(1)中，RF1為Rf1-RF-Oq-。
上述式(2)中，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-。
上述式中，Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基中的「C1-16烷基」可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈或分枝鏈之C1-6烷基，尤其是C1-3烷基；更佳為直鏈之C1-6烷基，尤其是C1-3烷基。
上述Rf1較佳為以1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈或分枝鏈之C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，更佳為直鏈之C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，具體而言為-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。
上述式中，Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基中的「C1-6伸烷基」可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈或分枝鏈之C1-3伸烷基，更佳為直鏈之C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為以1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈或分枝鏈之C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈之C1-3全氟烷基，具體而言為-CF2-、-CF2CF2-或-CF2CF2CF2-。
上述式中，p為0或1。一態樣中p為0。其他態樣中p為1。
上述式中，q分別獨立地為0或1。一態樣中q為0。其他態樣中q為1。
上述式(1)及(2)中，RF在每次出現時分別獨立地為2價氟聚醚基。
RF較佳可包含下述所示之基。
-(OCh1RFa 2h1)h3-(OCh2RFa 2h2-2)h4-
[式中，
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
h1為1至6之整數，
h2為4至8之整數，
h3為0以上之整數，
h4為0以上之整數，
惟，h3與h4的合計為1以上，較佳為2以上，更佳為5以上，標註h3及h4並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]。
一態樣中，RF可為直鏈狀或支鏈狀。RF較佳為下式所示之基。
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中，
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上。標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。惟全部的RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中之至少一者為1以上]。
RFa較佳為氫原子或氟原子，更佳為氟原子。惟全部的RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中之至少一者為1以上。
a、b、c、d、e及f較佳係分別獨立地為0至100之整數。
a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f之和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如可為50以下或30以下。
該等重複單元可為直鏈狀或支鏈狀，也可包含環結構。例如-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者。-(OC3F6)-(亦即，上述式中的RFa為氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者。
一態樣中，RF可包含環結構。
上述環結構可為下述三員環、四員環、五員環或六員環。
[式中，＊表示鍵結位置]。
上述環結構較佳為四員環、五員環或六員環，更佳為四員環或六員環。
具有環結構之重複單元較佳為下述單元。
[式中，＊表示鍵結位置]
一態樣中，上述重複單元為直鏈狀。藉由使上述重複單元為直鏈狀，可提升表面處理層的表面光滑性、耐磨性等。
一態樣中，上述重複單元為支鏈狀。藉由使上述重複單元為支鏈狀，可增大表面處理層之動摩擦係數。
一態樣中，RF在每次出現時分別獨立地為下式(f1)至(f6)之任一者所示之基。
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
[式(f1)中，d為1至200之整數，e為0或1，較佳為1]；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式(f2)中，c及d分別獨立地為0以上30以下之整數，e及f分別獨立地為1以上200以下之整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標註c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g-R9- (f3)
[式(f3)中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，
R9為單鍵、或選自OCF2、OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基，
g為2至100之整數]；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
[式(f4)中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為
(式中，＊表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式(f5)中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)
[式(f6)中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]。
上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如為25至35之整數。一態樣中e為1。其他態樣中e為0。上述式(f1)中的(OC3F6)較佳為(OCF2CF2CF2)、(OCF2CF(CF3))或
(OCF(CF3)CF2)所示之基，更佳為-(OCF2CF2CF2)d-所示之基。上述式(f1)中的(OC2F4)較佳為(OCF2CF2)或(OCF(CF3))所示之基，更佳為(OCF2CF2)所示之基。
上述式(f2)中，e及f係分別獨立，而較佳為5至200，更佳為10至200之整數。又，c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。一態樣中，上述式(f2)較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所示之基。其他態樣中，式(f2)為-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基。
上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。上述(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，更佳為選自OC3F6及OC4F8的基。從OC2F4、OC3F6及OC4F8獨立選擇之2或3個基之組合並無特別限定，可舉例如-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。於一態樣中，R9為單鍵。於其他態樣中，R9為選自OCF2、OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基。上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上之整數。上述g較佳為50以下之整數。上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12為直鏈或分枝鏈之任一者，較佳為直鏈。該態樣中，上述(R6-R7)g較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
上述式(f4)中，R6、R7及g與上述式(f3)之記載同義，且具有相同態樣。R6’、R7’及g’分別與上述式(f3)所記載之R6、R7及g同義，且具有相同態樣。Rr較佳為：
[式中，＊表示鍵結位置]，
更佳為：
[式中，＊表示鍵結位置]。
上述式(f5)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如10以上100以下。
上述式(f6)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如10以上100以下。
一態樣中，上述RF為上述式(f1)或(f2)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f1)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f2)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f3)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f4)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f5)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f6)所示之基。
上述RF中，e相對於f之比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5，又再更佳為0.2至0.85。藉由使e/f比為10以下，會進一步提升由該化合物所獲得之表面處理層之光滑性、耐磨性及耐化學藥品性(例如對於人工汗液的耐久性)。e/f比越小，則表面處理層之光滑性及耐磨性越會進一步地提升。另一方面，藉由使e/f比為0.1以上，可進一步提高化合物之穩定性。e/f比越大，則化合物之穩定性越為提升。
一態樣中，上述e/f比較佳為0.2至0.95，更佳為0.2至0.9。
一態樣中，以耐熱性之觀點來看，上述e/f比較佳為1.0以上，更佳為1.0至2.0。
上述含有氟聚醚基之丙烯酸化合物中，RF1及RF2部分之數量平均數量平均分子量並無特別限定，例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更佳為2,000至10,000。本說明書中，RF1及RF2之數量平均分子量為藉由19F-NMR測定的值。
上述式(1)及(2)中，XA分別獨立地為單鍵、或二價有機基。
一態樣中，XA分別獨立地為單鍵、或不含有胺酯鍵之二價有機基。
較佳態樣中，XA分別獨立地為單鍵、或下式所示之基，
-(CαR11 2α)s1-R12 t1-
[式中，
R11在每次出現時分別獨立地為氫原子或氟原子，
α在每次出現時分別獨立地為1至10之整數，
R12在每次出現時分別獨立地為-O-、-CO-、-CONH-、-NHCO-、-COO-、或-OCO-，
s1為0至3之整數，
t1為0至3之整數，
s1與t1之合計為1以上，
標註s1或t1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意]
又，式中，左側係鍵結於RF1或RF2。
一態樣中，XA為單鍵。
一態樣中，XA分別獨立地為上述-(CαR11 2α)s1-R12 t1-。
上述R11較佳為氫原子。
上述α在每次出現時係分別獨立，而較佳為1至6之整數，更佳為1至4之整數，又更佳為2至4之整數。
上述R12在每次出現時係分別獨立，而較佳為-O-、-CO-、-NR10-、-CONH-、或-COO-，更佳為-CONH-。
上述R10為氫原子或C1-6烷基，較佳為氫原子。
上述s1較佳為1或2，更佳為1。
上述t1較佳為0至2之整數，更佳為1或2，又更佳為1。
較佳態樣中，
R11為氫原子，
α為2至4之整數，
R12為-O-、-CO-、-NR10-、-CONH-、或-COO-，
R10為氫原子或C1-6烷基，
s1為1或2，
t1為0或1。
更佳態樣中，XA為-CONR10-Cα1H2α1-、-(Cα2H2α2)-O-(Cα3H2α3)-、或-Cα4H2α4-，較佳為-CONR10-Cα1H2α1-。該基中，左側係鍵結於RF1或RF2。
α1為1至10之整數。α2為0至6之整數，例如1至6之整數。α3為0至6之整數例如1至6之整數。α4為0至6之整數例如1至6之整數。
XA較佳為-CONH-Cα1H2α1-。該基中，左側係鍵結於RF1或RF2。
上述Cα1H2α1較佳為(CH2)α1。
上述Cα2H2α2較佳為(CH2)α2。
上述Cα3H2α3較佳為(CH2)α3。
上述Cα4H2α4較佳為(CH2)α4。
上述式(1)及(2)中，XB分別獨立地為不含Si原子之碳數1至10之(n+n+1)價的基。
一態樣中，上述XB為4價基，較佳為下式所示者，
一態樣中，上述-C(-O-)=為O鍵結於RSi。其他態樣中，-C(-O-)=為O鍵結於RAc。
一態樣中，上述XB為3價基，較佳可為下式所示者，
[式中，R8可為氫原子、或C1-6烷基(較佳為甲基或乙基，更佳為甲基)]。一態樣中，上述-CR8(-O-)-為O鍵結於RSi。其他態樣中，-CR8(-O-)-為O鍵結於RAc。
較佳態樣中，XB為N。此時，式中，m為1，n為1。
上述式(1)及(2)中，m分別獨立地為1至10之整數，n分別獨立地為1至10之整數。
m較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，特佳為1。
n較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，特佳為1。
較佳態樣中，m為1，n為1。
上述式(1)及(2)中，RSi在每次出現時分別獨立地為-XC-SiR1 n’R2 3-n’。
上述XC為碳數1至10之二價有機基。
一態樣中，XC為：
C1-6伸烷基、
-(CH2)z1-O-(CH2)z2-
(式中，z1為0至6之整數，例如1至6之整數，z2為0至6之整數，例如1至6之整數)、
-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-
(式中，z3為0至6之整數，例如1至6之整數，z4為0至6之整數，例如1至6之整數)、或
-(CH2)z13-OCONH-(CH2)z14-
(式中，z13為0至6之整數，z14為0至6之整數)。
該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，惟較佳為非取代。此等基中，左側係鍵結於XB。
上述C1-6伸烷基可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈。
較佳態樣中，XC為C1-6伸烷基，較佳為C2-4伸烷基。
上述R1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R1較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R1較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、-NCO、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或非取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中，較佳為烷基，尤佳為非取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中之Rh為甲基，其他態樣中之Rh為乙基。
上述R2在每次出現時分別獨立地為氫原子或一價有機基。該一價有機基為上述水解性基以外的一價有機基。
R2中，一價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n’在各(SiR1 n’R2 3-n’)單元中分別獨立地為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
上述式(1)及(2)中，RAc在每次出現時分別獨立地為-XD-XE(-XF-OCO-CR5=CH2)m’。
上述XD為單鍵、或二價有機基。
XD較佳為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-OCONH-、-NHCOO-、-NH-CO-NH-、-CH2CH(OH)CH2-、或-CH(CH2OH)CH2-，更佳為-CONH-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH(CH2OH)CH2-、
[式中，＊及＊＊表示鍵結位置，＊鍵結於XB，＊＊鍵結於XE]。
該等基中，左側係鍵結於XB。
XD為更佳為-CONH-。
上述XE為單鍵、或(m’+1)價的基。
一態樣中，XE為單鍵。
一態樣中，XE為下式所示三或四價的基，
-XG-XH
[式中，
XG為：
單鍵、
C1-6伸烷基、
-(CH2)z9-O-(CH2)z10-
(式中，z9為0至6之整數，例如1至6之整數，z10為0至6之整數，例如1至6之整數)、或
-(CH2)z11-伸苯基-(CH2)z12-
(式中，z11為0至6之整數，例如1至6之整數，z12為0至6之整數，例如1至6之整數)；
XH為下述所示者，
R8為氫原子、或C1-6烷基]。
上述C1-6伸烷基可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈。
較佳態樣中，上述C1-6伸烷基為C2-4伸烷基。
上述C1-6烷基較佳為C1-3烷基，更佳為甲基。
上述XF在每次出現時分別獨立地為單鍵、或二價有機基(較佳為碳數1至10之二價有機基)。
一態樣中，XF為：
單鍵、
C1-6伸烷基、
-(CH2)z5-O-(CH2)z6-
(式中，z5為0至6之整數，例如1至6之整數，z6為0至6之整數，例如1至6之整)、或
-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-
(式中，z7為0至6之整數，例如1至6之整數，z8為0至6之整數，例如1至6之整數)。
該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為非取代。該等基中，左側係鍵結於XB。
上述C1-6伸烷基可為直鏈或分枝鏈，較佳為直鏈。
較佳態樣中，XF為C1-6伸烷基，較佳為C2-4伸烷基。
一態樣中，XD、XE及XF為單鍵。
上述R5為氫原子、鹵原子或碳數1至8之一價有機基。
上述一價有機基較佳為C1-8烷基、C3-8環烷基、或C5-8芳基，更佳為C1-6烷基或苯基，又更佳為C1-3烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R5為氫原子。
一態樣中，R5為甲基。
上述m’為1至10之整數，較佳為1至3之整數，更佳為1。
上述式(1)或式(2)所示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物並無特別限定，但可具有5×102至1×105之數量平均分子量。以耐磨性之觀點來看，在該範圍內較佳為具有2,000至32,000之數量平均分子量，更佳為具有2,500至12,000之數量平均分子量。又，該「數量平均分子量」為藉由19F-NMR所測定出的值。
一態樣中，本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為式(1)所示的含有氟聚醚基之丙烯酸化合物。
一態樣中，本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為式(2)所示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物。
有關上述式(1)及(2)所示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物，可係首先調製具有-NH-、-C(OH)-等反應性部位之含有氟聚醚基之矽烷化合物，繼而於上述反應性部位使具有丙烯醯基之化合物反應，藉此而獲得。
一態樣中，上述式(1)及(2)所示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物可藉由下述方式獲得：
使RF1-COOR21、R21OOC-RF2-COOR21所示之化合物
[式中，R21為氫原子或甲基，RF1及RF2與關於式(1)及(2)之記載同義]與
R24-R23-NH-R22-SiR1 n’R2 3-n’所示之化合物
[式中，R22為二價基，R23為二價基，R24為NH2等反應性基，R1、R2及n’與關於式(1)及(2)之記載同義]
反應，而獲得RF1-R25-R23-NH-R22-SiR1 n’R2 3-n’、R2 3-n’R1 n’Si-R22-HN-R23-R25-RF2-R25-R23-NH-R22-SiR1 n’R2 3-n’所示之化合物；
接著，使上述化合物與
R34-R35-OCOCH=CH2所示之化合物
(式中，R34為-NCO、-COOH、-COOCl等反應性基，R35為二價基)、或
R56-OCOCR57=CH2所示之化合物
(式中，R56為鹵素、H、或一價之烴基，R57為氫原子或C1-3烷基)
反應，藉此而獲得。
一態樣中，上述式(1)及(2)所示含有氟聚醚基之丙烯酸化合物可係藉由下述方式獲得：
使RF1-COF、FOC-RF2-COF所示之化合物
(式中，RF1及RF2與式(1)及(2)之記載同義)
與Br-Mg-CH2CH=CH2反應，而獲得RF1-C(OH)(CH2CH=CH2)2、(CH2=CHCH2)2(HO)C-RF2-C(OH)(CH2CH=CH2)2所示之化合物；
接著，使上述化合物與HSiR1 n’R2 3-n’反應，而獲得RF1-C(OH)(CH2CH=CH2)2、(R2 3-n’R1 n’Si-CH2CH2CH2)2(HO)C-RF2-C(OH)(CH2CH2CH2-SiR1 n’R2 3-n’)2所示之化合物；
接著，使上述化合物與R34-R35-OCOCH=CH2
(式中，R34為-NCO、-COOH等反應性基，R35為二價基)
所示之化合物反應，藉此而獲得。
一態樣中，上述式(A1)及(A2)所示含有氟聚醚基之丙烯酸化合物可藉由下述方式獲得：
使HOCH2-RF2-CH2OH所示之化合物(式中，RF1及RF2與式(A1)及
(A2)之記載同義)與
反應，而獲得下式化合物，
接著，使上述化合物與OCN-(CH2)3-SiR1 n’R2 3-n’(式中，各記號與上述同義)反應，而可獲得下式所示之化合物，
(式中，各記號與上述同義)。
一態樣中，上述式(A1)及(A2)所示含有氟聚醚基之丙烯酸化合物可藉由下述方式獲得：
使
(式中，各記號與上述同義)所示之化合物與HOOC=CH2反應，而獲得下式所示之化合物，
(式中，各記號與上述同義)；
接著，使上述化合物與OCN-(CH2)3-SiR1 n’R2 3-n’(式中，各記號與上述同義)反應，而可獲得下式所示之化合物，
(式中，各記號與上述同義)。
上述反應之各步驟之反應條件可由所屬技術領域中具有通常知識者適當地設定。
接著，說明本揭示之表面處理劑。
本揭示之表面處理劑係含有式(1)或(2)所示之至少一種之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物。
於一態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為式(1)所示之化合物。
於其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為式(2)所示之化合物。
於其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之丙烯酸化合物為式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物。
本揭示之表面處理劑中，相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物較佳為0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物之含量下限較佳為0.1莫耳%，更佳為0.2莫耳%，又更佳為0.5莫耳%，又更佳為1莫耳%，尤其佳為2莫耳%，特佳為5莫耳%。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物之含量上限較佳為35莫耳%，更佳為30莫耳%，又更佳為20莫耳%，又再更佳為15莫耳%或10莫耳%。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物較佳為0.1莫耳%以上30莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以上20莫耳%以下，又更佳為0.2莫耳%以上10莫耳%以下，尤其佳為0.5莫耳%以上10莫耳%以下，特佳為1莫耳%以上10莫耳%以下，例如為2莫耳%以上10莫耳%以下或5莫耳%以上10莫耳%以下。
相對於表面處理劑整體，上述式(1)或(2)所示之化合物之含量較佳為0.1至50.0質量%，更佳為1.0至30.0質量%，又更佳為5.0至25.0質量%，特佳為10.0至20.0質量%。藉由將上述含有氟聚醚基之丙烯酸化合物之含量設為上述範圍，而可得更到高的撥水撥油性及摩擦耐久性。
本揭示之表面處理劑可包含：溶劑、可理解為含氟油之(非反應性之)氟聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下合稱為「含氟油」)；
可理解為聚矽氧油之(非反應性之)聚矽氧化合物(以下稱為「聚矽氧油」)；醇類、觸媒、界面活性劑、聚合抑制劑、增敏劑等。
上述溶劑可舉例如：己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦油精(mineral spirits)等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑油(solvent naphtha)等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸賽璐蘇、丙二醇甲基醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、2-羥基丁酸乙酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙酮、甲基異丁酮、2-己酮、環己酮、甲胺基酮、2-庚酮等酮類；乙基賽璐蘇、甲基賽璐蘇、甲基賽璐蘇乙酸酯、乙基賽璐蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇二甲基醚、乙二醇單烷基醚等二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、第二丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、第三戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇(glycol)類；四氫呋喃、四氫吡喃、二
烷等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基賽璐蘇、賽璐蘇、異丙基賽璐蘇、丁基賽璐蘇、二乙二醇單甲基醚等醚醇類；二乙二醇單乙基醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORA(
)H、HFE7100、HFE7200、HFE7300、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、
(CF3)2CHOH等含氟溶劑等。或者，可舉出此等溶劑的2種以上之混合溶劑等。
含氟油並無特別限定，可舉例如以下通式(3)所示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6…(3)
式中，Rf5表示可經1個以上的氟原子取代之碳數1至16的烷基(較佳為C1-16之全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上的氟原子取代之碳數1至16的烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳係分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’分別表示構成聚合物之主骨架之全氟(聚)醚之4種重複單元數，係互相獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’之和為至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標註a’、b’、c’或d’並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。該等重複單元可為直鏈狀或支鏈狀，也可包含環結構。例如-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
上述環結構可為下述三員環或四員環。
[式中，＊表示鍵結位置]
例如，(OC4F8)可為下式所示者，
[式中，＊表示鍵結位置]。
上述通式(3)所示之全氟(聚)醚化合物的例子，係可舉例如以下通式(3a)及(3b)之任一者所示之化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b”-Rf6…(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-Rf6…(3b)
此等式中，Rf5及Rf6如上所述。式(3a)中，b”為1以上100以下之整數。式(3b)中，a”及b”係分別獨立地為0以上30以下之整數，c”及d”分別獨立地為1以上300以下之整數。標註a”、b”、c”、d”並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。
又，以其他觀點來看，含氟油可為通式Rf3-F所示之化合物(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)。又，可為氯三氟乙烯寡聚物。
上述含氟油可具有500至10000之平均分子量。含氟油之分子量可使用GPC測定。
含氟油相對於本揭示之表面處理劑，係例如可含有0至50質量%，較佳為0至30質量%，更佳為0至5質量%。一態樣中，本揭示之表面處理劑係實質上不含有含氟油。所謂之實質上不含有含氟油，是指完全不含有含氟油、或可含有極微量之含氟油。
一態樣中，含氟油之平均分子量可較含有氟聚醚基之丙烯酸化合物之平均分子量更大。藉由設為如此之平均分子量，尤其是在藉由真空蒸鍍法來形成表面處理層之情況下，可獲得更優異之耐磨性及表面光滑性。
一態樣中，含氟油之平均分子量可較含有氟聚醚基之丙烯酸化合物之平均分子量更小。藉由設為如此之平均分子量，可抑制由該化合物獲得之表面處理層之透明性的降低，且可形成具有高耐磨性及高表面光滑性之硬化物。
含氟油有助於提升藉由本揭示之表面處理劑所形成的層之表面光滑性。
上述聚矽氧油例如能夠使用矽氧烷鍵結為2,000以下之直鏈狀或環狀之聚矽氧油。直鏈狀之聚矽氧油可為所謂的直鏈聚矽氧油(straight silicone oil)及改質聚矽氧油。直鏈聚矽氧油可舉出二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油。改質聚矽氧油可舉出：直鏈聚矽氧油經烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質而成者。環狀之聚矽氧油可舉例如環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之表面處理劑中，相對於上述本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物之合計100質量份(2種以上時為此等的合計，以下亦同)，該聚矽氧油係例如可含有0至300質量份，較佳為50至200質量份。
聚矽氧油有助於提升表面處理層的表面光滑性。
上述醇類可舉例如可經1個以上的氟原子取代之碳數1至6之醇，例如：甲醇、乙醇、異丙醇、第三丁醇、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、(CF3)2CHOH。藉由將此等醇類添加於表面處理劑，以提升表面處理劑之穩定性，且改善含有全氟聚醚基之丙烯酸化合物與溶劑之相溶性。
上述醇較佳為2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇或2,2,2-三氟乙醇。
上述觸媒可舉出：酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物之水解、脫水縮合、或聚合，並促進藉由本揭示之表面處理劑所形成的層之形成。
就其他成分而言，除了上述者以外，亦可舉例如：四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本揭示之表面處理劑可含浸於多孔物質(例如多孔之陶瓷材料)、金屬纖維(例如將鋼絲絨團成棉狀者)，而作成錠粒。該錠粒例如可用於真空蒸鍍。
本揭示之表面處理劑除了可包含上述成分以外，還可包含微量的雜質，例如：Pt、Rh、Ru、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、三苯基膦、NaCl、KCl、矽烷之縮合物等。
以下說明本揭示之物品。
本揭示之物品係具有基材、及於該基材表面藉由本揭示之表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
本揭示中能夠使用之基材係例如可以玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如一般的塑膠材料)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶瓷器、石材等建築構件等衛生用品、任意的適當材料來構成。
例如當要製造的物品為光學構件時，構成基材的表面之材料可為光學構件用材料，例如可為玻璃或透明塑膠等。又，當要製造的物品為光學構件時，可於基材表面(最外層)形成某些層(或膜)，例如形成硬塗層(hard coating layer)或抗反射層等。抗反射層可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。能夠使用於抗反射層之無機物的例子係可列舉：SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、Ta3O5、Nb2O5、HfO2、Si3N4、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。此等無機物可為單獨使用、或組合此等的2種以上(例如作為混合物)而使用。為多層抗反射層之情形時，其最外層較佳為使用SiO2及/或SiO。當要製造的物品為觸控面板用光學玻璃零件時，可於基材(玻璃)表面之一部分具有透明電極(該透明電極例如為使用了氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等之薄膜)。又，基材可因應其具體規格等而具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗佈膜層、偏光膜、相位差膜及液晶顯示模組等。
上述基材之形狀並無特別限定，例如可為板狀、膜、其他形態。又，就要形成表面處理層之基材表面區域而言，只要為基材表面之至少一部分即可，可因應要製造的物品之用途及具體規格等而適當地決定。
一態樣中，該基材可為至少其表面部分係由原本就具有羥基之材料所構成者。該材料可舉出玻璃，又，可舉出於表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(尤其是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，在如樹脂等般雖然具有羥基但並不充分之情形、或原本就不具有羥基之情形下，可對基材實施某些前處理，藉此可於基材表面導入羥基或使羥基增加。該前處理之例子可列舉：電漿處理(例如電暈放電)、或離子束照射。電漿處理也能夠適合利用來於基材表面導入加羥基或使羥基增加，並且使基材表面潔淨化(去除異物等)用。又，該前處理之其他例子可舉出：將具有碳-碳不飽和鍵結基之界面吸附劑藉由LB法(朗謬-布洛傑法(langmuir-blodgett method))或化學吸附法等而預先以單分子膜之形態形成於基材表面，其後，在包含氧或氮等之氣體環境下，使不飽和鍵斷裂之方法。
其他態樣中，該基材可為至少在其表面部分係由具有1個以上的其他反應性基(例如Si-H基)之聚矽氧化合物、或含有烷氧基矽烷之材料所構成者。
較佳態樣中，上述基材為玻璃。該玻璃較佳為藍寶石玻璃、鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃，特佳為經化學強化之鈉鈣玻璃、經化學強化之鹼鋁矽酸鹽玻璃及化學鍵結而成之硼矽酸玻璃。
本揭示之物品可係藉由下述方式製造：於上述基材之表面形成上述本揭示之表面處理劑的層，並視需要而將該層進行後處理，藉此，由本揭示之表面處理劑形成層而製造。
本揭示之表面處理劑之層形成，係可藉由將上述表面處理劑對於基材表面以被覆該表面之方式應用而實施。被覆方法並無特別限定。例如可使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
濕潤被覆法可舉例如浸漬塗佈、旋轉塗佈、淋塗、噴塗、輥塗、凹版塗佈及類似之方法。
乾燥被覆法之例子可列舉：蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似之方法。蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例可舉出：電阻加熱；使用電子束、微波等之高頻加熱；離子束及類似之方法。CVD(化學氣相沈積，Chemical Vapor Deposition)方法之具體例可舉出：電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似之方法。
又，也能夠藉由常壓電漿法來被覆。
使用濕潤被覆法時，本揭示之表面處理劑能夠在以溶劑稀釋後再應用於基材表面。以本揭示之組成物之穩定性及溶劑之揮發性的觀點來看，較佳為使用以下溶劑：碳數5至12之全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴(例如雙(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烴(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子股份有限公司製之Asahiklin(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如日本ZEON股份有限公司製之ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7000)、
全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分枝狀)、或CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子股份有限公司製之Asahiklin(註冊商標)AE-3000))等。此等溶劑可單獨使用或使用2種以上的混合物。其中，較佳為氫氟醚，特佳為全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)。
使用乾燥被覆法時，本揭示之表面處理劑可直接用於乾燥被覆法，也可在以上述溶劑稀釋之後再用於乾燥被覆法。
表面處理劑之層形成較佳為以在層中同時存在本揭示的表面處理劑與水解及脫水縮合用觸媒之方式來實施。就簡便方面而言，在藉由濕潤被覆法來進行時，可在將本揭示之表面處理劑以溶劑稀釋後，在要應用至基材表面之前才於本揭示之表面處理劑之稀釋液中添加觸媒。在藉由乾燥被覆法來進行時，可將已添加有觸媒之本揭示的表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者可以使用在鐵或銅等金屬多孔體中含浸添加有觸媒之本揭示的表面處理劑而形成之錠粒狀物質來進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒可使用任意之適當的酸或鹼。酸觸媒例如可使用：乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，鹼觸媒例如可使用：氨、有機胺類等。
本揭示之物品所包含之表面處理層係具有高耐磨性。又，上述表面處理層除了可具有高耐磨性以外，還可以因為所使用的表面處理劑
之組成而具有撥水性、撥油性、防汙性(例如防止指紋等髒污之附著)、防水性(防止水侵入電子零件等)、表面光滑性(或潤滑性，例如指紋等髒污之擦除性、或對於手指的優異觸感)、耐藥品性等，而能夠適合利用作為功能性薄膜。
因此，本揭示亦有關於在最外層具有上述表面處理層之光學材料。
光學材料除了後述所例示之與顯示器等相關的光學材料以外，可較佳地舉出各式各樣的光學材料，例如：陰極射線管(CRT，例如電腦螢幕)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場放射顯示器(FED，Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器之保護板、或於該等之表面經實施抗反射膜處理者。
本揭示之物品並無特別限定，而能夠為光學構件。光學構件之例子可列舉下述者：眼鏡等透鏡；PDP、LCD等顯示器之前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩板；行動電話、攜帶資訊終端等機器之觸控面板片料；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟之碟面；光纖；手錶的顯示面等。
又，本揭示之物品可為醫療機器或醫療材料。又，具有藉由本揭示獲得的層之物品可為汽車內外裝構件。外裝材可舉例如下述者：窗戶、燈罩、副廠相機罩。內裝材可舉例如：儀表板罩、導航系統觸控面板、裝飾內裝材。
上述層之厚度並無特別限定。為光學構件時，就光學性能、耐磨性及防汙性之點而言，上述層之厚度為1至50nm，1至30nm，較佳為1至15nm之範圍。
以上係詳述本揭示之物品。又，本揭示之物品及物品之製造方法等並不限定於上述所例示者。
(實施例)
以下用實施例說明本揭示之化合物，但本揭示並不限定於以下實施例。又，本實施例中，構成氟聚醚之重複單元的存在順序為任意，以下所示之化學式是表示平均組成。
合成例1
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中，將平均組成以CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2COF表示之全氟聚醚改質酸氟化物10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯10.0g及四氫呋喃5.0g在氮氣流下於25℃攪拌30分鐘。接著，緩緩滴入0.7M之烯丙基鎂溴化物9.6mL後，於60℃加熱4小時。其後，冷卻至5℃，滴入3.0M鹽酸水溶液10.0g使反應停止。藉由分液操作回收下層之氟相後，以甲醇洗淨。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之烯丙基化合物(A)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2C(OH)(CH2CH=CH2)2
合成例2
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例1所得之含有全氟聚醚基之烯丙基化合物(A)10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯10.0g、三乙醯氧基甲基矽烷0.020g及三氯矽烷1.21g，在氮氣流下於
5℃攪拌30分鐘。接著，加入含有2%之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之Pt錯合物之二甲苯溶液0.20g後，以60℃攪拌5小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之三氯矽烷化合物(B)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2C(OH)(CH2CH2CH2SiCl3)2
合成例3
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例2所得之含有全氟聚醚基之三氯矽烷化合物(B)10.0g、及1,3-雙(三氟甲基)苯10.0g，在氮氣流下於50℃攪拌30分鐘。接著，加入甲醇0.13g及鄰甲酸甲酯1.42g之混合溶液後，於65℃攪拌2小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(C)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2C(OH){CH2CH2CH2Si(OCH3)3}2
合成例4
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例3所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(C)10.0g、丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.32g、及二丁基錫二月桂酸酯0.0014g，在氮氣流下於50℃攪拌2小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(D)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2C(OX){CH2CH2CH2Si(OCH3)3}2
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例5
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)24CF2CF2COOCH3表示之全氟聚醚改質酯體10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷0.51g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(E)。
CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)24CF2CF2CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例6
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例5所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(E)10.0g、丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.32g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(F)。
CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)24CF2CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例7
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2COOCH3表示之全氟聚醚改質酯體10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷0.50g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(G)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例8
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例7所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(G)10.0g、及丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.31g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(H)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例9
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CF3CF2CF2O{CF(CF3)CF2O}11CF(CF3)COOCH3表示之全氟聚醚改質酯體10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷1.02g，在氮氣流下於70℃攪拌10小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(I)。
CF3CF2CF2O{CF(CF3)CF2O}11CF(CF3)CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例10
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例9所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(I)10.0g、及丙烯酸2-異氰基
乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.65g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(J)。
CF3CF2CF2O{CF(CF3)CF2O}11CF(CF3)CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例11
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CF3O(CF2CF2OCF2CF2CF2CF2O)13CF2CF2OCF2CF2CF2COOCH3表示之全氟聚醚改質酯體10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷0.47g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(K)。
CF3O(CF2CF2OCF2CF2CF2CF2O)13CF2CF2OCF2CF2CF2CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例12
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例11所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(K)10.0g、及丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.30g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(L)。
CF3O(CF2CF2OCF2CF2CF2CF2O)13CF2CF2OCF2CF2CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例13
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例7所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(G)10.0g、及異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)BEI)0.53g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(M)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHC(CH3)(CH2OCOCH=CH2)2
合成例14
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例7所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(G)10.0g、及丙烯酸4-羥基丁酯環氧丙基醚(三菱化學股份有限公司製4HBAGE)0.45g，在氮氣流下於50℃攪拌2小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(N)。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X為下述X1或X2(X1：X2=73：27)
X1=-CH2CH(OH)CH2OCH2CH2CH2CH2OCOCH=CH2
X2=-CH(CH2OH)CH2OCH2CH2CH2CH2OCOCH=CH2
合成例15
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CH3OCOCF2O(CF2O)12(CF2CF2O)12CF2COOCH3表示之全氟聚
醚改質酯體10.0g、1,3-雙(三氟甲基)苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷1.69g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(O)。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2NHCH2CH2NHCOCF2O(CF2CF2O)12(CF2O)12CF2CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例16
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例15所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(O)10.0g、及丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)1.08g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(P)。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2N(X)CH2CH2NHCOCF2O(CF2CF2O)12(CF2O)12CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例17
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入平均組成以CH3OCOCF(CF3){OCF2CF(CF3)}mOCF2CF2O{CF(CF3)CF2O}nCF(CF3)COOCH3(m+n≒34)表示之全氟聚醚改質酯體10.0g、六氟苯5.0g、及3-(2-胺基乙胺基)丙基三甲氧基矽烷0.73g，在氮氣流下於70℃攪拌12小時。其後，在減壓下餾除揮發性成分，藉此獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(Q)。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2NHCH2CH2NHCOCF(CF3){OCF2CF(CF3)}mOCF2CF2O{CF(CF3)CF2O}nCF(CF3)CONHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
合成例18
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例17所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(Q)10.0g、及丙烯酸2-異氰基乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)AOI)0.46g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(R)。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2N(X)CH2CH2NHCOCF(CF3){OCF2CF(CF3)}mOCF2CF2O{CF(CF3)CF2O}nCF(CF3)CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(OCH3)3
X=-CONHCH2CH2OCOCH=CH2
合成例19
於裝設有回流冷凝器、溫度計及攪拌機之100mL之三口燒瓶中加入合成例15所得之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(O)10.0g、及異氰酸2-(2-甲基丙烯醯氧基乙基氧)乙酯(昭和電工股份有限公司製Karenz(註冊商標)MOI-EG)1.52g，在氮氣流下於25℃攪拌1小時，而獲得下式所示之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(S)。
(CH3O)2(CH3)SiCH2CH2CH2N(X)CH2CH2NHCOCF2O(CF2CF2O)12(CF2O)12CF2CONHCH2CH2N(X)CH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2
X=-CONHCH2CH2OCH2CH2OCOC(CH3)=CH2
實施例1
將上述合成例4所得化合物(D)以成為濃度20質量%之方式溶解於Novec 7200(3M公司製)，而調製成表面處理劑1。
將上述所調製的表面處理劑1真空蒸鍍於化學強化玻璃(康寧公司製「Gorilla」玻璃，厚度0.7mm)上。真空蒸鍍法之條件為：電阻加熱式蒸鍍機腔室尺寸(chamber size)1,900mm 
、真空度5.0E-05、電流值240A、電壓10V、基材溫度40℃。接著，將經蒸鍍的化學強化玻璃於溫度150℃之氣體環境下靜置30分鐘，其後放冷至室溫。接著，對經蒸鍍的化學強化玻璃在空氣環境下以1000mJ/cm2之強度照射含有365nm之紫外光的光線，而於玻璃基材上形成表面處理層。
實施例2
除了使用上述合成例6所得之化合物(F)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例3
而除了使用上述合成例8所得之化合物(H)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例4
除了使用上述合成例10所得之化合物(J)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例5
除了使用上述合成例12所得化合物(L)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例6
除了使用上述合成例13所得之化合物(M)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例7
而除了使用上述合成例14所得之化合物(N)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例8
除了使用上述合成例16所得之化合物(P)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例9
除了使用上述合成例18所得之化合物(R)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
實施例10
除了使用上述合成例19所得之化合物(S)來取代化合物(D)之外，係以與實施例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
比較例1
將下述化合物(T)以成為濃度20質量%之方式溶解於Novec 7200(3M公司製)，而調製成表面處理劑2。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CON{CH2CH2CH2Si(OCH3)3}2
將上述所調製表面處理劑2分別真空蒸鍍於化學強化玻璃(康寧公司製「Gorilla」玻璃，厚度0.7mm)上。真空蒸鍍法之條件為：電阻加熱式蒸鍍機腔室尺寸1,900mm 
、真空度5.0E-05、電流值240A、電壓10V、基材溫度40℃。接著，將經蒸鍍的化學強化玻璃於溫度150℃之氣
體環境下靜置30分鐘，其後放冷至室溫，而於玻璃基材上形成表面處理層。
比較例2
除了使用下述化合物(U)來取代化合物(T)之外，係以與比較例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
CF3O(CF2CF2O)22(CF2O)26CF2CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
比較例3
除了使用下述化合物(V)來取代取代化合物(T)之外，係以與比較例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
CF3CF2CF2O{CF(CF3)CF2O}11CF(CF3)CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
比較例4
除了使用下述化合物(W)來取代化合物(T)之外，係以與比較例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)25CF2CF2CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
比較例5
除了使用下述化合物(X)來取代化合物(T)之外，係以與比較例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2NHCOCF2O(CF2CF2O)12(CF2O)12CF2CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
比較例6
除了使用下述化合物(Y)來取代化合物(T)之外，係以與比較例1相同方式調製表面處理劑，並形成表面處理層。
(CH3O)3SiCH2CH2CH2NHCOCF(CF3){OCF2CF(CF3)}mOCF2CF2O{CF(CF3)CF2O}nCF(CF3)CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
<評估>
針對上述所得之附有表面處理層之玻璃基體，分別用以下方式測定水接觸角，並進行鹼試驗之評估。
(鹼浸漬試驗)
將直徑1cm之PTFE製O環設置於上述實施例1至10、及比較例1至6之經表面處理的基材的表面，並將8N之NaOH溶液(鹼水溶液)滴入至上述O環內，使表面處理層的表面與鹼水溶液接觸，而付諸鹼浸漬試驗。在鹼浸漬試驗經過20至300分鐘後，擦除鹼水溶液，並以純水、乙醇洗淨，之後測定相對於水的接觸角。又，水之靜態接觸角是使上述鹼浸漬試驗後之玻璃基體的表面滴附2μL之純水的水滴，並使用接觸角量測儀(協和界面化學公司製，自動接觸角量測儀DropMaster701)來測定相對於水的接觸角。鹼浸漬試驗後之水之靜態接觸角的測定位置是在5個位置進行。當在300分鐘以內水之靜態接觸角之測定值降低時，便於中途停止鹼浸漬試驗。將浸漬時間及5個位置的接觸角之平均值的關係示於下表。
[表1]
(耐磨性試驗)
將形成有表面處理層之試樣物品水平配置，使下述摩擦件與表面處理層表面接觸(接觸面為直徑1cm之圓)，並於其上施加5N之荷重，其後，在經施加荷重之狀態下使摩擦件以40mm/秒之速度來回。使摩擦件最大來回4000次，並在來回次數(摩擦次數)每1000次時測定水之靜態接觸角(°)。在水之靜態接觸角之測定值成為未達60°之時間點中止試驗。再者，水之靜態接觸角之測定是以與上述鹼試驗同樣方式實施。將結果示於下表。
‧摩擦件
將下述所示之聚矽氧橡膠加工品的表面(直徑1cm)以浸漬有下述所示之組成之人工汗液的棉覆蓋，並將其使用作為摩擦件。
人工汗液之組成：
無水磷酸氫二鈉(disodium hydrogen phosphate anhydrous)2g、
氯化鈉20g、
85%乳酸2g、
組胺酸鹽酸鹽5g、
蒸餾水1Kg。
聚矽氧橡膠加工品：將Tigers Polymer製之聚矽氧橡膠栓SR-51加工為直徑1cm、厚度1cm之圓柱狀者。
[表2]
(產業上之可利用性)
本揭示之含有氟聚醚基之丙烯酸化合物可應用於各式各樣的基材，尤其是適合利用於在要求摩擦耐久性之光學構件之表面形成表面處理層。
Claims (24)
- 一種化合物，係下式(1)或(2)所示之化合物，RF1-XA-XB RSi nRAc m (1)RAc mRSi nXB-XA-RF2-XA-XB RSi nRAc m (2)式中，RF1為Rf1-RF-Oq-，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-，Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，RF係分別獨立地為二價氟聚醚基，p為0或1，q分別獨立地為0或1，XA分別獨立地為單鍵、或二價有機基，XB分別獨立地為不含Si原子之碳數1至10之(m+n+1)價的基，RSi在每次出現時分別獨立地為-XC-SiR1 n’R2 3-n’，XC為碳數1至10之二價有機基，R1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基，R2在每次出現時分別獨立地為氫原子或一價有機基，n’為1至3之整數，RAc在每次出現時分別獨立地為-XD-XE(-XF-OCO-CR5=CH2)m’，XD為單鍵、或二價有機基，XE為單鍵、或(m’+1)價的基，XF在每次出現時分別獨立地為單鍵、或二價有機基，R5為氫原子、鹵原子、或碳數1至8之一價有機基，m’為1至10之整數，n分別獨立地為1至10之整數，m分別獨立地為1至10之整數。
- 如請求項1所述之化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下式所示之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意，惟全部的RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中之至少一者為1以上。
- 如請求項1或2所述之化合物，其中，RFa為氟原子。
- 如請求項1至3中任一項所述之化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)式(f1)中，d為1至200之整數，e為0或1；-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式(f2)中，c及d分別獨立地為0至30之整數；e及f分別獨立地為1至200之整數；c、d、e及f之和為10至200之整數；標註c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意；-(R6-R7)g-R9- (f3)式(f3)中，R6為OCF2或OC2F4；R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基選擇的2或3個基的組合；R9為單鍵、或選自OCF2、OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基；g為2至100之整數；-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)式(f4)中，R6為OCF2或OC2F4，R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，R6’為OCF2或OC2F4，R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或從此等基獨立選擇之2或3個基之組合，g為2至100之整數，g’為2至100之整數，Rr為：
(式中，＊表示鍵結位置)；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式(f5)中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和為至少1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)式(f6)中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和為至少1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。 - 如請求項1至4中任一項所述之化合物，其中，Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基，Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
- 如請求項1至5中任一項所述之化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵、或不含有胺酯鍵之二價有機基。
- 如請求項1至6中任一項所述之化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵、或下式所示之基，-(CαR11 2α)s1-R12 t1-式中，R11在每次出現時分別獨立地為氫原子或氟原子，α在每次出現時分別獨立地為1至10之整數，R12在每次出現時分別獨立地為-O-、-CO-、-NR10-、-CONR10-、-NR10CO-、-COO-、或-OCO-，R10為氫原子或C1-6烷基，s1為0至3之整數，t1為0至3之整數，s1與t1之合計為1以上，標註s1或t1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。
- 如請求項7所述之化合物，其中，XA為-CONR10-Cα1H2α1-、-(Cα2H2α2)-O-(Cα3H2α3)-、或-Cα4H2α4-，R10為氫原子或C1-6烷基，α1為1至10之整數，α2為0至6之整數，α3為0至6之整數，α4為0至6之整數。
- 如請求項8所述之化合物，其中，XA為-CONR10-Cα1H2α1-。
- 如請求項1至9中任一項所述之化合物，其中，XB為3價基，n為1，m為1。
- 如請求項1至10中任一項所述之化合物，其中，XB為下式所示者，n為1，m為1，
式中，R8為氫原子、或C1-6烷基。 - 如請求項1至11中任一項所述之化合物，其中，XC為：C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，z2為0至6之整數)、-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，z4為0至6之整數)、或-(CH2)z13-OCONH-(CH2)z14-(式中，z13為0至6之整數，z14為0至6之整數)。
- 如請求項1至12中任一項所述之化合物，其中，XC為C1-6伸烷基。
- 如請求項1至13中任一項所述之化合物，其中，n’為2或3。
- 如請求項1至14中任一項所述之化合物，其中，n’為3。
- 如請求項1至15中任一項所述之化合物，其中，XE為單鍵。
- 如請求項1至15中任一項所述之化合物，其中，XE為-XG-XH，XG為：單鍵、C1-6伸烷基、-(CH2)z9-O-(CH2)z10-(式中，z9為0至6之整數，z10為0至6之整數)、或-(CH2)z11-伸苯基-(CH2)z12-(式中，z11為0至6之整數，z12為0至6之整數)，XH為下式所示者，
R8為氫原子、或C1-6烷基。 - 如請求項1至17中任一項所述之化合物，其中，XD為-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-OCONH-、-NHCOO-、-NH-CO-NH-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH(CH2OH)CH2-、
式中，＊及＊＊表示鍵結位置，＊鍵結於XB，＊＊鍵結於XE。 - 如請求項1至18中任一項所述之化合物，其中，XF為：單鍵、C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6之整數，z6為0至6之整數)、或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6之整數，z8為0至6之整數)。
- 如請求項1至19中任一項所述之化合物，其中，R5為氫原子、或甲基。
- 一種表面處理劑，係含有請求項1至20中任一項所述之化合物。
- 如請求項21所述之表面處理劑，其進一步含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種或1種以上的其他成分。
- 如請求項21或22所述之表面處理劑，其使用作為防汙性塗佈劑或防水性塗佈劑。
- 一種物品，係包含：基材、及於該基材表面藉由請求項1至20中任一項所述之化合物或請求項21至23中任一項所述之表面處理劑而形成的層。
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