TW202302706A - 表面處理劑 - Google Patents
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Abstract
本發明提供下述式(1)或(2)所示含有氟聚醚基之矽烷化合物。
Description
本揭示係關於新穎之含有氟聚醚基之矽烷化合物及含有該化合物之表面處理劑。
已知某種含有氟聚醚基之矽烷化合物是用於基材的表面處理，且可提供優異撥水性、撥油性、防汙性等。從包含含有氟聚醚基之矽烷化合物之表面處理劑所獲得的層(以下稱為「表面處理層」)，亦即功能性薄膜，例如施加於玻璃、塑膠、纖維、衛生用品、建築資材等各種不同的基材(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-218639號公報。
專利文獻1所記載之含有氟聚醚基之矽烷化合物可賦予具有優異功能之表面處理層，但要求具有更高耐久性之表面處理層。
本揭示之目的在於提供一種含有氟聚醚基之化合物，係可形成耐久性，尤其是磨耗耐久性較高之表面處理層。
本揭示包括以下態樣。
[1]一種含有氟聚醚基之矽烷化合物，係下述式(1)或(2)所示，
[式中：
RF1為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基；
RF各自獨立地為2價氟聚醚基；
p為0或1；
q各自獨立地為0或1；
R1各自獨立地為可經氟取代之C1-16烷基；
RSi各自獨立地為含有鍵結有羥基或水解性基之Si原子之1價基；
XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X51)p5-
(式中：
X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，
R53在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，
p5為1至10之整數)；
XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X61)p6-
(式中：
X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所成群組中之基，
R63在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R64在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m6在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，
n6在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，
p6為1至10之整數)]。
[2]如上述[1]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中R1各自獨立地為可經氟取代之C3-16烷基。
[3]如上述[1]或[2]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中R1各自獨立地為未取代之烷基。
[4]如上述[1]至[3]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中Rf1在每次出現時各自獨立地為C1-16全氟烷基，
Rf2在每次出現時各自獨立地為C1-6全氟伸烷基。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RF在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中，RFa在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f各自獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f的和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，但所有RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1個為1以上]。
[6]如上述[5]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RFa為氟原子。
[7]如上述[1]至[6]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RF在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，
-(OC3F6)d- (f1)
[式中，d為1至200之整數]
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；
e及f各自獨立地為1至200之整數；
c、d、e及f的和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(R6-R7)g- (f3)
[式中，R6為OCF2或OC2F4；
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或選自該等基的2或3個基的組合；
g為2至100之整數]
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或獨立地選自該等基的2或3個基的組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或獨立地選由該等基的2或3個基的組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為
(式中，*表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f的和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧所括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)
[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f的和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧所括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[8]如上述[1]至[7]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RSi各自獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
- SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
- SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
- CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
- NRg1Rh1 (S5)
[式中：
R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；
X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；
R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；
Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1、q1、及r1的合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；
Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1’、q1’、及r1’的合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3；
Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1”及r1”的合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3；
Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時各自獨立地為1至3之整數；
l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k1、l1及m1的合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p2、q2、及r2的合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2’及r2’的合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；
Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k2、l2及m2的合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；
Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Rc1 12Rf1 m2；
Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
但式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子]。
[9]如上述[1]至[8]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RSi為式(S4)所示之基。
[10]如上述[1]至[9]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-
(式中：
R51’各自獨立地為C1-6伸烷基，
X51’為O，
p5’為0或1，
p5”為0或1，
q5’為0或1，
在此，p5’及p5”之至少一者為1)；
XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-
(式中：
R61’各自獨立地為C1-6伸烷基，
X61’為O，
p6’為0或1，
p6”為0或1，
q6’為0或1，
在此，p6’及p6”之至少一者為1)。
[11]如上述[1]至[10]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中XA為單鍵，XB為C1-6伸烷基。
[12]一種表面處理劑，其含有如上述[1]至[11]中任一項所述之含有氟(聚)醚基之矽烷化合物。
[13]如上述[12]所述之表面處理劑，其進一步含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種以上之其他成分。
[14]如上述[12]或[13]所述之表面處理劑，其進一步含有溶媒。
[15]如上述[13]至[15]中任一項所述之表面處理劑，其係使用作為防汙性塗層劑或防水性塗層劑。
[16]一種物品，係包含基材、及於該基材的表面藉由如上述[1]至[11]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物或如上述[12]至[15]中任一項所述之表面處理劑所形成的層。
[17]如上述[16]所述之物品，其為光學構件。
根據本揭示，可提供一種含有氟聚醚基之矽烷化合物，其可形成具有更高磨耗耐久性之表面處理層。
本說明書中，「1價有機基」係指含有碳的1價基。1價有機基並無特別限定，可為烴基或其衍生物。烴基之衍生物係指於烴基的末端或分子鏈中具有1個以上的N、O、S、Si、醯胺基、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰基氧基等的基。再者，僅表示為「有機基」時為1價有機基。又，「2價有機基」係指含有碳的2價基。該2價有機基並無特別限定，可舉出進一步使1個氫原子從有機基脫離的2價基。
本說明書中，「烴基」係指含碳及氫的基，為使1個氫原子從烴脫離的基。該烴基並無特別限定，可舉出可經1個以上的取代基取代之C1-20烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀之任一者，也可為飽和或不飽和之任一者。又，烴基可含有1個以上的環構造。
在本說明書中使用時，「烴基」之取代基並無特別限定，可列舉例如鹵原子、選自可經1個以上的鹵原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員之雜環基、5至10員之不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員之雜芳基之1個以上的基。
在本說明書中使用時，「水解性基」係指可接受水解反應的基，亦即可藉由水解反應從化合物之主骨架脫離的基。水解性基可舉例如-
ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)等。
(含有氟聚醚基之矽烷化合物)
本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物係下述式(1)或(2)所示，
[式中：
RF1為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基；
RF各自獨立地為2價氟聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時各自獨立地為0或1；
R1各自獨立地為可經氟取代之C1-16烷基；
RSi各自獨立地為含有鍵結有羥基或水解性基之Si原子之1價基；
XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X51)p5-
(式中：
X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，
R53在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，
p5為1至10之整數)；
XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X61)p6-
(式中：
X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所成群組中之基，
R63在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R64在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m6在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，
n6在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，
p6為1至10之整數)]。
上述式(1)中，RF1為Rf1-RF-Oq-。
上述式(2)中，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-。
上述式中，Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基中的「C1-16烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-6烷基，尤其是C1-3烷基，更佳為直鏈之C1-6烷基，尤其是C1-3烷基。
上述Rf1較佳為經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，更佳為直鏈之C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，具體而言為-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
上述式中，Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基中的「C1-6伸烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-3伸烷基，更佳為直鏈之C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈之C1-3全氟烷基，具體而言為-CF2-、-CF2CF2-、或-CF2CF2CF2-。
上述式中，p為0或1。一態樣中，p為0。其他態樣中p為1。
上述式中，q各自獨立地為0或1。一態樣中，q為0。其他態樣中q為1。
上述式(1)及(2)中，RF在每次出現時各自獨立地為2價氟聚醚基。
RF較佳為下述式所示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中：
RFa在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f各自獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f的和為1以上。標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。但所有RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1個為1以上]。
RFa較佳為氫原子或氟原子，更佳為氟原子。但所有RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1個為1以上。
a、b、c、d、e及f較佳係各自獨立地為0至100之整數。
a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f的和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如為50以下或30以下。
該等重複單元可為直鏈狀或分支鏈狀、也可含有環構造。例如-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-
(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者。-(OC3F6)-(亦即上述式中，RFa為氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-，-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者。
上述環構造可為下述三員環、四員環、五員環、或六員環。
[式中，*表示鍵結位置。]
上述環構造較佳為四員環、五員環、或六員環，更佳為四員環或六員環。
具有環構造之重複單元較佳可為下述單元。
[式中，*表示鍵結位置。]
一態樣中，上述重複單元為直鏈狀。藉由使上述重複單元為直鏈狀而可提高表面處理層的表面平滑性、磨耗耐久性等。
一態樣中，上述重複單元為分支鏈狀。藉由使上述重複單元成為分支鏈狀而可增大表面處理層之動摩擦係數。
一態樣中，RF在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)至(f6)之任一者所示之基。
-(OC3F6)d-(OC3F6)e- (f1)
[式中，d為1至200之整數，e為0或1，較佳為1]；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式中，c及d各自獨立地為0以上30以下之整數，e及f各自獨立地為1以上200以下之整數，
c、d、e及f的和為2以上，
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g- (f3)
[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或獨立地選自該等基的2或3個基的組合，
g為2至100之整數]；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或獨立地選自該等基的2或3個基的組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基、或獨立地選自該等基的2或3個基的組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為
(式中，*表示鍵結位置。)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)
[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如25至35之整數。一態樣中，e為1。其他態樣中，e為
0。上述式(f1)中，-(OC3F6)d-較佳為-(OCF2CF2CF2)d-或-(OCF(CF3)CF2)d-所示之基，更佳為-(OCF2CF2CF2)d-所示之基。
上述式(f2)中，e及f各自獨立地較佳為5至200，更佳為10至200之整數。又，c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如15以上或20以上。一態樣中，上述式(f2)較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所示之基。其他態樣中，式(f2)為-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基。
上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。上述(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的基、或獨立地選自該等基的2或3個基的組合，更佳為選自OC3F6及OC4F8的基。獨立地選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的2或3個基的組合並無特別限定，可舉例如-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上之整數。上述g較佳為50以下之整數。上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或分支鏈之任一者，較佳為直鏈。該態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
上述式(f4)中，R6、R7及g與上述式(f3)之記載同義，且具有相同之態樣。R6’、R7’及g’分別與上述式(f3)所記載之R6、R7及g同義，且具有相同之態樣。Rr較佳為
[式中，*表示鍵結位置]
更佳為
[式中，*表示鍵結位置]。
上述式(f5)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
上述式(f6)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
一態樣中，上述RF為上述式(f1)或(f2)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f1)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f2)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f3)或(f4)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f3)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f4)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f5)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f6)所示之基。
上述RF中，e與f之比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5，又再更佳為0.2至0.85。藉由使e/f比為10以下而可進一步提高從該化合物獲得之表面處理層之平滑性、磨耗耐久性及耐化學性(例如對人工汗之耐久性)。e/f比越小則越可提高表面處理層之平滑性及磨耗耐久性。另一方面，藉由使e/f比為0.1以上而可提高化合物之穩定性。e/f比越大則越可提高化合物之穩定性。
一態樣中，上述e/f比較佳為0.2至0.95，更佳為0.2至0.9。
一態樣中，以耐熱性之觀點來看，上述e/f比較佳為1.0以上，更佳為1.0至2.0。
上述含有氟聚醚基之矽烷化合物中，RF1及RF2部分之數平均分子量並無特別限定，例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更
佳為2,000至10,000。本說明書中，RF1及RF2之數平均分子量為藉由19F-NMR所測定的值。
其他態樣中，RF1及RF2部分之數平均分子量為500至30,000，較佳為1,000至20,000，更佳為2,000至15,000，又更佳為2,000至10,000，例如可為3,000至6,000。
其他態樣中，RF1及RF2部分之數平均分子量為4,000至30,000，較佳為5,000至10,000，更佳為6,000至10,000。
上述式(1)及(2)中，R1各自獨立地為可經氟取代之C1-16烷基。
上述C1-16烷基可為直鏈或分支鏈。上述C1-16烷基較佳為直鏈。
一態樣中，R1中的烷基碳數為3至16，較佳為4至15，更佳為8至12。藉由使R1中的烷基碳數在該範圍而可更提高磨耗耐久性。
一態樣中，R1中的烷基為未取代烷基。藉由使R1中的烷基為未取代烷基而可更提高磨耗耐久性。
一態樣中，R1中的烷基為氟取代烷基。藉由使R1中的烷基為氟取代烷基而可降低髒污附著性並進一步提高擦除性。
上述氟取代烷基較佳為-R2-R3，在此，R2為C1-6伸烷基，較佳為C2-4伸烷基，R3為C1-10全氟烷基，較佳為C1-6全氟烷基。藉由使R1中的烷基為-R2-R3而可降低髒污附著性並進一步提高擦取性。
一較佳態樣中，R1為未取代之C3-16烷基，較佳為未取代之C4-16烷基，更佳為未取代之C8-12烷基。
其他較佳態樣中，R1為-R2-R3，R2為C2-4伸烷基，R3為C1-10全氟烷基。
上述式(1)及(2)中，RSi在每次出現時各自獨立地為含有鍵結有羥基或水解性基之Si原子之1價基。
較佳態樣中，RSi為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。
- SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
- SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
- CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
- NRg1Rh1 (S5)
上述式中，R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R11較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R11較佳為在每次出現時各自獨立地表示-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，更佳為未取代烷基，尤其是甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為除了上述水解性基以外的1價有機基。
R12中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數。但RSi為式(S1)或(S2)所示之基時，式(1)及式(2)的末端之RSi部分(以下亦僅稱為式(1)及式(2)之「末端部分」)中至少存在1個n1為1至3之(SiR11 n1R12 3-n1)單元。亦即，該末端部分中，所有n1不同時為0。換言之，式(1)及式(2)的末端部分中至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子。
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述式中，X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基。該2價有機基較佳為-R28-Ox-R29-(式中，R28及R29在每次出現時各自獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1)。該C1-20伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該C1-20伸烷基較佳為C1-10伸烷基，更佳為C1-6伸烷基，又更佳為C1-3伸烷基。
一態樣中，X11在每次出現時各自獨立地為-C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基-或-O-C1-6伸烷基-。
較佳態樣中，X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或直鏈之C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈之C1-3伸烷基，更佳為單鍵或直鏈之C1-2伸烷基，又更佳為直鏈之C1-2伸烷基。
上述式中，R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基較佳為C1-20烷基。該C1-20烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。
較佳態樣中，R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或直鏈之C1-6烷基，較佳為氫原子或直鏈之C1-3烷基，更佳為氫原子或甲基。
上述式中，t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數。
較佳態樣中，t在每次出現時各自獨立地為2至10之整數，較佳為2至6之整數。
上述式中，R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1。該鹵原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，更佳為氟原子。較佳態樣中，R14為氫原子。
上述式中，R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
一態樣中，R15在每次出現時各自獨立地為氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
較佳態樣中，R15為單鍵。
一態樣中，式(S1)為下述式(S1-a)。
[式中，
R11、R12、R13、X11、及n1與上述式(S1)之記載同義；
t1及t2在每次出現時各自獨立地為1以上之整數，較佳為1至10之整數，更佳為2至10之整數，例如為1至5之整數或2至5之整數；
標註t1及t2並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
較佳態樣中，式(S1)為下述式(S1-b)。
[式中，R11、R12、R13、X11、n1及t與上述式(S1)之記載同義]
上述式中，Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1。
上述Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z1之構造其右側與(SiR21 p1R22 q1R23 r1)鍵結。
較佳態樣中，Z1為2價有機基。
較佳態樣中，Z1不含與Z1所鍵結之Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，例如為1至6之整數，z2為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，例如為1至6之整數，z4為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1為C1-6伸烷基或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4-。Z1為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
上述R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’。
上述Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z1’之構造其右側與(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)鍵結。
較佳態樣中，Z1’為2價有機基。
較佳態樣中，Z1’不含與Z1’所鍵結之Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1’-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1’-O-(CH2)z2’-(式中，z1’為0至6之整數，例如為1至6之整數，z2’為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-(式中，z3’為0至6之整數，例如為1至6之整數，z4’為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1’為C1-6伸烷基或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4’-。Z1’為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1’可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1’可為-CH2CH2-。
上述R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”。
上述Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z1”之構造其右側與(SiR22” q1”R23” r1”)鍵結。
較佳態樣中，Z1”為2價有機基。
較佳態樣中，Z1”不含與Z1”所鍵結之Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1”-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1”較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1”-O-(CH2)z2”-(式中，z1”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z2”為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-(式中，z3”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z4”為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1”為C1-6伸烷基或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4”-。Z1”為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1”為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1”可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1”可為-CH2CH2-。
上述R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述R23”中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，上述r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，q1”與r1”的合計在(SiR22”q1”R23” r1”)單元中為3。
上述q1”在每個(SiR22” q1”R23” r1”)單元中各自獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R22’較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R22’較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，尤
其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
R23’中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，p1’、q1’及r1’的合計在(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中為3。
一態樣中，p1’為0。
一態樣中，p1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中各自獨立地為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1’為3。
一態樣中，q1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1’為0，q1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，又更佳為3。
上述R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R22較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R22較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正
丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
R23中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，p1、q1、及R1的合計在(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中為3。
一態樣中，p1為0。
一態樣中，p1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中各自獨立地為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1為3。
一態樣中，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1為0，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，又更佳為3。
上述式中，Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、
正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述Rc1中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，k1、l1及m1的合計在(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中為3。
一態樣中，k1在每個(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。較佳態樣中，k1為3。
上述式(1)及(2)中，RSi為式(S3)所示之基時，較佳為式(1)及式(2)的末端部分中至少存在2個鍵結有羥基或水解性基之Si原子。
較佳態樣中，式(S3)所示之基具有-Z1-SiR22 q1R23 r1(式中，q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1為0至2之整數)、-Z1’-SiR22’ q1’R23’ r1’(式中，q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1’為0至2之整數)、或-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”(式中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1”為0至2之整數)之任一者。Z1、Z1’、Z1”、R22、R23、R22’、R23’、R22”、及R23”與上述同義。
較佳態樣中，式(S3)中，R21’存在時，至少1個R21’中，較佳為所有R21’中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，R21存在時，至少1個R21中，較佳為所有R21中，p1’為0，q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，Ra1存在時，至少1個Ra1中，較佳為所有Ra1中，p1為0，q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，k1為2或3，較佳為3，p1為0，q1為2或3，較佳為3。
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2。
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z2之構造其右側與(CR31 p2R32 q2R33 r2)鍵結。
較佳態樣中，Z2為2價有機基。
上述Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6之整數，例如為1至6之整數，z6為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6之整數，例如為1至6之整數，z8為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2為C1-6伸烷基或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8-。Z2為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z2為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z2可為-CH2CH2-。
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’。
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z2’之構造其右側與(CR32’ q2’R33’ r2’)鍵結。
上述Z2’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5’-O-(CH2)z6’-(式中，z5’為0至6之整數，例如為1至6之整數，z6’為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-(式中，z7’為0至6之整數，例如為1至6之整數，z8’為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2’為C1-6伸烷基或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8’-。Z2’為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z2’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2’可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z2’可為-CH2CH2-。
上述R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。
上述Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z3之構造其右側與(SiR34 n2R35 3-n2)鍵結。
一態樣中，Z3為氧原子。
一態樣中，Z3為2價有機基。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸
烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z3為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z3為C1-3伸烷基。一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R34較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R34較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、或鹵素(該等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等中較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述R35中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中各自獨立地為0至3之整數。但RSi為式(S4)所示之基時，式(1)及式(2)的末端部分中至少存在1個n2為1至3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元。亦即，該末端部分中，所有
n2不同時為0。換言之，式(1)及式(2)的末端部分中至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子。
n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中各自獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述R33’中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33’為羥基。
其他態樣中，R33’為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，上述r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，q2’及r2’的合計在(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中為3。
q2’在每個(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中各自獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中的記載同義。
上述R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述R33中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33為羥基。
其他態樣中，R33為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，p2、q2及r2的合計在(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中為3。
一態樣中，p2為0。
一態樣中，p2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中各自獨立地為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p2為3。
一態樣中，q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p2為0，q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
上述Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中的記載同義。
上述Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外的1價有機基。
上述Rf1中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，Rf1為羥基。
其他態樣中，Rf1為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。再者，k2、l2及m2的合計在(CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2)單元中為3。
一態樣中，RSi為式(S4)所示之基時，n2為1至3，較佳為2或3，更佳為3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元在式(1)及式(2)之各末端部分中存在2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，更佳為2至6個，又更佳為2至3個，特佳為3個。
較佳態樣中，式(S4)中，R32’存在時，至少1個，較佳為所有R32’中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，R32存在時，至少1個，較佳為所有R32中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，Re1存在時，至少1個，較佳為所有Ra1中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，k2為0，l2為2或3，較佳為3，n2為2或3，較佳為3。
上述Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2。在此，R11、R12、Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Re1、Rf1、n1、k1、l1、m1、k2、l2、及m2與上述同義。
較佳態樣中，Rg1及Rh1各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1。
上述Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。再者，以下記載為Z4之構造其右側與(SiR11 n1R12 3-n1)鍵結。
一態樣中，Z4為氧原子。
一態樣中，Z4為2價有機基。
上述Z4較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如為1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如為1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可經選自由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
較佳態樣中，Z4為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為該基時，可獲得更高的光耐性，尤其是紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z4為C1-3伸烷基。一態樣中，Z4可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z4可為-CH2CH2-。
一態樣中，RSi為式(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。該等化合物可形成具有表面平滑性高之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。由於該等化合物於一末端具有複數個水解性基，故可形成可與基材強力密接並具有高磨耗耐久性之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S3)、(S4)或(S5)所示之基。由於該等化合物於一末端具有複數個水解性基，故可形成可與基材強力密接並具有高磨耗耐久性之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)、(S3)或(S4)所示之基。由於該等化合物於一末端具有複數個水解性基，故可形成可與基材強力密接並具有高磨耗耐久性之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S3)或(S4)所示之基。由於該等化合物可於一末端具有從一個Si原子或C原子分支出的複數個水解性基，故可形成具有更高磨耗耐久性之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S2)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S3)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S4)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S5)所示之基。
較佳態樣中，RSi為式(S4)所示之基。藉由使RSi為式(S4)而可形成具有高磨耗耐久性、高耐化學性、及高指紋擦除性之表面處理層。
上述式(1)及(2)中，XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X51)p5-
[式中：
X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，
R53在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
p5為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數]。
又，XA之說明中，各基之左側與式中之RF1或RF2鍵結，右側與CONR1之碳原子鍵結。
一態樣中，XA為單鍵。
其他態樣中，XA為-(X51)p5-。
較佳態樣中，X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-C(O)O-、-OC(O)-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基。
更佳態樣中，X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-CONR54-、-NR54CO-、及-(CH2)n5-所成群組中之基。
又更佳態樣中，X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-及-(CH2)n5-所成群組中之基。
其他態樣中，XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-
(式中：
R51’各自獨立地為C1-6伸烷基，
X51’為O，
p5’為0或1，
p5”為0或1，
q5’為0或1，
在此，p5’及p5”之至少一者為1)。
其他態樣中，XA各自獨立地為C1-6伸烷基。
上述式(1)及(2)中，XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X61)p6-
[式中：
X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所成群組中之基，
R63在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R64在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m6在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n6在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
p6為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數]
又，XB之說明中，各基之左側與式中之CONR1之氮原子鍵結，右側與RSi鍵結。
一態樣中，XB為單鍵。
其他態樣中，XB為-(X61)p6-。
較佳態樣中，X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-C(O)O-、-OC(O)-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所成群組中之基。
更佳態樣中，X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-CONR64-、-NR64CO-、及-(CH2)n6-所成群組中之基。
又更佳態樣中，X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-及-(CH2)n6-所成群組中之基。
其他態樣中，XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-
(式中：
R61’各自獨立地為C1-6伸烷基，
X61’為O，
p6’為0或1，
p6”為0或1，
q6’為0或1，
在此，p6’及p6”之至少一者為1)。
其他態樣中，XB各自獨立地為C1-6伸烷基。
一態樣中，XA為單鍵，XB各自獨立地為C1-6伸烷基。
上述式(1)或式(2)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物並無特別限定，可具有5×102至1×105之數平均分子量。該範圍中，以磨耗耐久性之觀點來看較佳為具有2,000至32,000，更佳為2,500至12,000之數平均分子量。又，該「數平均分子量」為藉由19F-NMR所測定的值。
一態樣中，本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物為式(1)所示的含有氟聚醚基之矽烷化合物。
一態樣中，本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物為式(2)所示的含有氟聚醚基之矽烷化合物。
上述式(1)及(2)所示的含有氟聚醚基之矽烷化合物可藉由其本身之公知方法而製造。
例如上述式(1)及(2)所示含有氟聚醚基之矽烷化合物係可藉由使含有氟聚醚基之羧酸與經含有烷基與烯丙基的基取代之胺反應，而獲得醯胺化合物，接著使醯胺化合物之烯丙基與三乙醯氧基甲基矽烷反應而得者。
一態樣中，上述式(1)及(2)所示之化合物係可藉由使下述式(1’)或(2’)所示之羧酸化合物
[式中，各記號與上述同義]
與下述式所示之胺化合物反應，
[式中，R1及RB與上述同義，RSi’為與上述RSi同義或RSi之前驅物]
得到式(1”)或(2”)所示之醯胺化合物，並視需要將RSi’轉換為RSi而得者。
[式中，各記號與上述同義]。
一態樣中，RSi為式(S4)之化合物係可藉由使下述式(1’)或(2’)所示之羧酸化合物
[式中，各記號與上述同義]
與下述式所示之胺化合物反應，
[式中，R1及RB與上述同義，Z3為單鍵或2價有機基，較佳為伸烷基。]
得到式(1''')或(2''')所示之醯胺化合物，
[式中，各記號與上述同義]
並使該醯胺化合物與下述式所示之矽烷化合物反應而得，
HSiR34 n2R35 3-n2
[式中，各記號與上述同義]。
接著說明本發明之表面處理劑。
本揭示之表面處理劑係含有式(1)或(2)所示的至少1種含有氟聚醚基之矽烷化合物。
一態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之矽烷化合物為式(1)所示之化合物。
其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之矽烷化合物為式(2)所示之化合物。
其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含有氟聚醚基之矽烷化合物為式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物。
本揭示之表面處理劑中，相對於式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物較佳為0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物之含有量下限較佳為0.1莫耳%，更佳為0.2莫耳%，又更佳為0.5莫耳%，又再更佳為1莫耳%，特佳為2莫耳%，又特佳為5莫耳%。相對於式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物含量上限較佳為35莫耳%，更佳為30莫耳%，又更佳為20莫耳%，又再更佳為15莫耳%或10莫耳%。相對於式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物的合計，式(2)所示之化合物較佳為0.1莫耳%以上30莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以上20莫耳%以下，又更佳為0.2莫耳%以上10莫耳%以下，又再更佳為0.5莫耳%以上10莫耳%以下，特佳為1莫耳%以上10莫耳%以下，例如為2莫耳%以上10莫耳%以下或5莫耳%以上10莫耳%以下。藉由使式(2)所示化合物在該範圍而可進一步提高磨耗耐久性。
相對於表面處理劑整體，上述式(1)或(2)所示化合物之含量較佳為0.1至50.0質量%，更佳為1.0至30.0質量%，又更佳為5.0至25.0質量%，特佳為10.0至20.0質量%。藉由使上述含有氟聚醚基之矽烷化合物之含量在上述範圍，可獲得更高之撥水撥油性及摩擦耐久性。
本揭示之表面處理劑可含有溶媒、可理解為含氟油(非反應性)之氟聚醚化合物、較佳為全氟(聚)醚化合物(以下合稱為「含氟油」)、可
理解為聚矽氧油之(非反應性)之聚矽氧化合物(以下稱為「聚矽氧油」)、醇類、觸媒、界面活性劑、阻聚劑、敏化劑等。
上述溶媒可舉例如己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦油精等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶媒石腦油等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸賽珞蘇、丙二醇甲基醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、2-羥基丁酸乙酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙酮、甲基異丁酮、2-己酮、環己酮、甲胺基酮、2-庚酮等酮類；乙基賽珞蘇、甲基賽珞蘇、甲基賽珞蘇乙酸酯、乙基賽珞蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇二甲基醚、乙二醇單烷基醚等二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、第二丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、第三戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；四氫呋喃、四氫吡喃、二噁烷等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基賽珞蘇、賽珞蘇、異丙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、二乙二醇單甲基醚等醚醇類；二乙二醇單乙基醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORA H、HFE7100、HFE7200、HFE7300、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、(CF3)2CHOH等含氟溶媒等。或可舉出該等的2種以上之混合溶媒等。
含氟油並無特別限定，可舉例如以下之通式(3)所示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6...(3)
式中，Rf5表示可經1個以上的氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16之全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上的氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳為各自獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’分別表示構成聚合物之主骨架之全氟(聚)醚的4種重複單元數，互相獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標註a’、b’、c’或d’並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。該等重複單元中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
上述通式(3)所示之全氟(聚)醚化合物可舉例如以下之通式(3a)及(3b)之任一者所示之化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b”-Rf6...(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-Rf6...(3b)
該等式中，Rf5及Rf6係如上述；式(3a)中，b”為1以上100以下之整數；式(3b)中，a”及b”各自獨立地為0以上30以下之整數，c”及d”各自獨立地為1以上300以下之整數。標註a”、b”、c”、d”並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
又，從其他觀點來看，含氟油可為通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)所示之化合物。又，可為氯三氟乙烯寡聚物。
上述含氟油可具有500至10000之平均分子量。含氟油之分子量可使用GPC測定。
相對於本揭示之表面處理劑，含氟油含量例如為0至50質量%，較佳為0至30質量%，更佳為0至5質量%。一態樣中，本揭示之表面處理劑實質上不含有含氟油。實質上不含有含氟油係指完全不含有含氟油、或可含有極微量之含氟油。
一態樣中，含氟油之平均分子量可大於含有氟聚醚基之矽烷化合物之平均分子量。藉由該平均分子量，尤其可在藉由真空蒸鍍法形成表面處理層時獲得更優異之磨耗耐久性及表面平滑性。
一態樣中，含氟油之平均分子量可小於含有氟聚醚基之矽烷化合物之平均分子量。藉由該平均分子量，可抑制從該化合物獲得之表面處理層之透明性的降低，並形成具有高磨耗耐久性及高表面平滑性之硬化物。
含氟油可提升藉由本揭示之表面處理劑所形成的層的表面平滑性。
上述聚矽氧油例如可使用矽氧烷鍵為2,000以下之直鏈狀或環狀之聚矽氧油。直鏈狀之聚矽氧油可為所謂直線聚矽氧油及改質聚矽氧油。直線聚矽氧油可舉出二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油。改質聚矽氧油可舉出直線聚矽氧油經烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質者。環狀之聚矽氧油可舉例如環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之表面處理劑中，相對於上述本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的合計100質量份(2種以上時為該等的合計，以下亦同)，該聚矽氧油含量例如可為0至300質量份，較佳為50至200質量份。
聚矽氧油有助於提高表面處理層的表面平滑性。
上述醇類可舉例如可經1個以上的氟原子取代之碳數1至6之醇，例如甲醇、乙醇、異丙醇、第三丁醇、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、(CF3)2CHOH。將該等醇類添加於表面處理劑，藉此可提高表面處理劑之穩定性，又，可改善含有全氟聚醚基之矽烷化合物與溶媒的相溶性。
上述醇較佳為2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇或2,2,2-三氟乙醇。
上述觸媒可舉出酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的水解及脫水縮合，且促進藉由本揭示之表面處理劑所形成的層之形成。
其他成分除了上述以外可舉例如四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本揭示之表面處理劑可含浸於多孔物質(例如多孔之陶瓷材料)或金屬纖維(例如將鋼絲絨固定為綿狀者)而形成錠粒。該錠粒例如可用於真空蒸鍍。
本揭示之表面處理劑除了上述成分以外可含有微量的雜質，例如Pt、Rh、Ru、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、三苯基膦、NaCl、KCl、矽烷之縮合物等。
以下說明本揭示之物品。
本揭示之物品係含有基材、及於該基材的表面藉由本揭示之表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
本揭示中可使用之基材例如可以玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如一般塑膠材料)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等、衛生用品、任意適當材料而構成。
例如所要製造的物品為光學構件時，構成基材表面之材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。又，所要製造的物品為光學構件時，可於基材表面(最外層)形成某種層(或膜)，例如硬塗層或抗反射層等。抗反射層可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。抗反射層可使用之無機物可舉例如SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、Ta3O5、Nb2O5、HfO2、Si3N4、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物可單獨、或組合該等的2種以上(例如混合物)使用。形成多層抗反射層時，其最外層較佳為使用SiO2及/或SiO。所要製造的物品為觸控面板用光學玻璃零件時，可於基材(玻璃)表面的一部分具有透明
電極，例如使用氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等之薄膜。又，基材可因應其具體規格等而具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗層膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。
上述基材之形狀並無特別限定，例如可為板狀、膜、其他形態。又，要形成表面處理層的基材的表面區域只要為基材表面之至少一部分即可，可因應所要製造的物品之用途及具體規格等而適當地決定。
一態樣中，該基材可為至少其表面部分為原本就具有羥基之材料所構成者。該材料可舉出玻璃，又，可舉出在表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(尤其卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，如樹脂等雖具有羥基但不充分時或原本就不具有羥基時，可藉由於基材實施某種的前處理而於基材表面導入或增加羥基。該前處理之例可列舉如電漿處理(例如電暈放電)或離子束照射。電漿處理可於基材表面導入或增加羥基，同時亦適合用於清潔基材表面(去除異物等)。又，作為該前處理之其他例可舉出將具有碳-碳不飽和鍵基之界面吸附劑以LB法(朗謬-布洛傑法)或化學吸附法等而預先以單分子膜型態形成於基材表面，其後於含有氧或氮等之環境下使不飽和鍵分裂之方法。
其他態樣中，該基材中，至少其表面部分可為包含具有1個以上其他反應性基，例如Si-H基之聚矽氧化合物或烷氧基矽烷的材料所構成者。
較佳態樣中，上述基材為玻璃。該玻璃較佳為藍寶石玻璃、鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻
璃，特佳為化學強化鈉鈣玻璃、化學強化鹼鋁矽酸鹽玻璃、及經化學鍵結的硼矽酸玻璃。
本揭示之物品係可於上述基材表面形成上述本揭示之表面處理劑的層，再將該層視需要進行後處理，藉此由本揭示之表面處理劑形成層而製造。
本揭示之表面處理劑的層形成係可藉由將上述表面處理劑塗佈於基材表面以被覆該表面而實施。被覆方法並無特別限定。例如可使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
濕潤被覆法之例可列舉如浸漬塗佈、旋轉塗佈、流動塗佈、噴霧塗佈、輥塗佈、凹板塗佈及類似之方法。
乾燥被覆法之例可列舉如蒸鍍(通常為真空蒸鍍)，濺鍍，CVD及類似之方法。蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例可舉出電阻加熱、電子束、使用微波等之高頻加熱、離子束及類似之方法。CVD方法之具體例可舉出電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似之方法。
又，也可進行以常壓電漿法的被覆。
使用濕潤被覆法時，本揭示之表面處理劑可以溶媒稀釋後再施用於基材表面。以本揭示之組成物之穩定性及溶媒之揮發性之觀點來看，較佳為使用以下溶媒：碳數5至12之全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴(例如雙(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烴(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子股份有限公司製Asahiklin(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如日本ZEON股份有限公司製ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲
基醚(C3F7OCH3)(例如住友3M股份有限公司製Novec(商標)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如住友3M股份有限公司製Novec(商標)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M股份有限公司製Novec(商標)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M股份有限公司製Novec(商標)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分支狀)、或CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子股份有限公司製Asahiklin(註冊商標)AE-3000))等。該等溶媒可單獨使用或使用2種以上的混合物。其中較佳為氫氟醚，特佳為全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)。
使用乾燥被覆法時，本揭示之表面處理劑可直接實施乾燥被覆法，也可以上述溶媒稀釋後再實施乾燥被覆法。
表面處理劑的層形成較佳為以在層中同時存在本揭示之表面處理劑及用以水解及脫水縮合的觸媒之方式實施。為了方便，以濕潤被覆法實施時，可將本揭示之表面處理劑以溶媒稀釋後，在施用於基材表面前於本揭示之表面處理劑之稀釋液添加觸媒。以乾燥被覆法實施時，可將添加有觸媒之本揭示之表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，也可使用於鐵或銅等金屬多孔體含浸添加觸媒之本揭示之表面處理劑之錠粒狀物質而進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒可使用任意適當的酸或鹼。酸觸媒例如可使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，鹼觸媒例如可使用氨、有機胺類等。
本揭示之物品中所含的表面處理層具有高磨耗耐久性兩者。又，上述表面處理層除了高磨耗耐久性以外，依照所使用表面處理劑之組
成而可具有撥水性、撥油性、防汙性(例如防止指紋等髒污的附著)、防水性(防止水侵入電子零件等)、表面平滑性(或潤滑性、例如指紋等髒污的擦除性、或對手指的優異觸感)、耐藥品性等、可適合利用作為功能性薄膜。
因此，本揭示係進一步有關在最外層具有上述表面處理層之光學材料。
光學材料除了後述例示之顯示器等的相關光學材料以外，較佳可舉出各種光學材料：例如陰極線管(CRT；例如電腦螢幕)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場放射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器之保護板、或於該等表面實施抗反射膜處理者。
本揭示之物品並無特別限定，可為光學構件。光學構件之例可列舉如以下者：眼鏡等透鏡；PDP、LCD等顯示器之前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩板；行動電話、行動資訊終端等機器的觸控面板薄片；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟的光碟面；光纖；手錶的顯示面等。
又，本揭示之物品可為醫療機器或醫療材料。又，具有藉由本揭示而獲得的層之物品可為汽車內外裝構件。外裝材之例可列舉如以下者：車窗、燈罩、副廠鏡頭罩。內裝材可舉例如以下者：儀表板罩、導航系統觸控面板、裝飾內裝材。
上述層之厚度並無特別限定。光學構件的情形，上述層之厚度為1至50nm、1至30nm，較佳為1至15nm之範圍內，以光學性能、磨耗耐久性及防汙性此點來看為較佳。
以上詳述本揭示之物品。又，本揭示之物品及物品之製造方法等並不限定於上述所例示者。
(實施例)
以下在實施例中說明本揭示之物品，但本揭示並不限定於以下之實施例。又，本實施例中，構成氟聚醚之重複單元的存在順序為任意，以下所示化學式表示平均組成。
(合成例1)
將HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒21，n≒35)與CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒21，n≒35)的混合物(4.0g，CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為4mol%)溶解於1,3-雙(三氟甲基)苯(6.0g)並冰冷。於該溶液滴入亞硫醯氯(1.5g)後，進一步添加N,N-二甲基甲醯胺(0.3mg)，於60℃攪拌2小時。從該反應液餾除亞硫醯氯後，在冰冷下加入N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺(0.4g)及N,N-二異丙基乙胺(1.0g)，在室溫攪拌3小時。反應終點係藉由19F-NMR以HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒21，n≒35)之羰基α位之-CF2-之化學位移偏移往低磁場、及藉由1H-NMR以二烯丙胺之胺基α位之亞甲基質子偏移往低磁場而確認。於反應液添加1N-鹽酸，將經分液之下層進行水洗並使用硫酸鎂乾燥、濃縮。將所得濃縮物溶解於全氟己烷，以丙酮洗淨3次，藉此獲得包含含有聚醚基之化合物(A)及含有聚醚基之化合物(A’)的混合物(4.0g)。
含有聚醚基之化合物(A)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(A’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例2)
將合成例1所得之混合物(4.0g)溶解於1,3-雙(三氟甲基)苯(5ml)，加入含有三乙醯氧基甲基矽烷(0.01g)及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之Pt錯合物2%之二甲苯溶液(0.06ml)後，加入三氯矽烷(1.0g)，加熱至60℃，攪拌4小時。其後從所得溶液在減壓下餾除揮發成分後，加入甲醇(0.1g)及原甲酸三甲酯(3.0g)的混合溶液，加熱至60℃，攪拌3小時。其後進行精製，藉此獲得包含末端具有三甲氧基矽基之下述含有聚醚基之化合物(B)及含有聚醚基之化合物(B’)的混合物(4.1g)。
含有聚醚基之化合物(B)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(B’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例3)
除了使用N-十二烷基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以取代N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺之外，進行與合成例1及2相同之操作，獲得包含含有聚醚基之化合物(C)及含有聚醚基之化合物(C’)的混合物(4.2g)。
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(C’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例4)
除了使用N-甲基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以取代N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺之外，進行與合成例1及2相同之操作，獲得包含含有聚醚基之化合物(D)及含有聚醚基之化合物(D’)的混合物(4.1g)。
含有聚醚基之化合物(D)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(D’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例5)
除了使用N-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以取代N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺之外，進行與合成例1及2
相同之操作，獲得包含含有聚醚基之化合物(E)及含有聚醚基之化合物(E’)的混合物(3.9g)。
含有聚醚基之化合物(E)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(E’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例6)
除了使用N-(3,3,3-三氟丙基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以取代N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺之外，進行與合成例1及2相同之操作，獲得包含含有聚醚基之化合物(F)及含有聚醚基之化合物(F’)的混合物(3.7g)。
含有聚醚基之化合物(F)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(F’)：
(m≒21，n≒35)
(合成例7)
除了使用N-(8,8,8-三氟辛基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以取代N-辛基-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺之外，進行與合成例1及2相同之操作，獲得包含含有聚醚基之化合物(G)及含有聚醚基之化合物(G’)的混合物(3.9g)。
含有聚醚基之化合物(G)：
(m≒21，n≒35)
含有聚醚基之化合物(G’)：
(m≒21，n≒35)
(實施例1)
將上述合成例2所得之包含含有聚醚基之化合物(B)及含有聚醚基之化合物(B’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7300)，而調製表面處理劑(1)。
(實施例2)
將上述合成例3所得之包含含有聚醚基之化合物(C)及含有聚醚基之化合物(C’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7300)，而調製表面處理劑(2)。
(實施例3)
將上述合成例4所得之包含含有聚醚基之化合物(D)及含有聚醚基之化合物(D’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7300)，而調製表面處理劑(3)。
(實施例4)
將上述合成例5所得之包含含有聚醚基之化合物(E)及含有聚醚基之化合物(E’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7500)，而調製表面處理劑(4)。
(實施例5)
將上述合成例6所得之包含含有聚醚基之化合物(F)及含有聚醚基之化合物(F’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7300)，而調製表面處理劑(5)。
(實施例6)
將上述合成例7所得之包含含有聚醚基之化合物(G)及含有聚醚基之化合物(G’)的混合物以成為濃度10質量%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製Novec HFE-7300)，而調製表面處理劑(6)。
(比較例1及2)
除了使用下述對照化合物(1)或(2)以取代包含含有聚醚基之化合物(B)及含有聚醚基之化合物(B’)的混合物之外，以與實施例2相同方式進行，分別調製比較表面處理劑(1)及(2)。
對照化合物(1)
對照化合物(2)
(靜態接觸角)
靜態接觸角係使用全自動接觸角計DropMasteR700(協和界面科學公司製)用以下方法測定。
<靜態接觸角之測定方法>
靜態接觸角係由微注射器於水平放置的基板滴入水2μL，以影像顯微鏡拍攝滴入1秒後之靜止圖藉此而求得。
(硬化膜的形成)
分別使用表面處理劑(1)至(6)及比較表面處理劑(1)至(2)並用以下方式形成硬化膜。
使用真空蒸鍍法將表面處理劑塗佈於化學強化玻璃(康寧公司製「Gorilla」玻璃，厚度0.7mm)上。真空蒸鍍法之條件為電阻加熱式蒸鍍機(shincron製)、腔室尺寸1900mmφ、真空度5.0E-05、電流值240A、電壓10V、基材溫度40℃。將塗佈後之玻璃在大氣下、恆溫槽內以150℃加熱30分鐘，而形成硬化膜。
[硬化膜之特性評價]
用以下方式評價所得硬化膜之特性。
<靜態接觸角>
(初期評價)
首先作為初期評價於硬化膜形成後，在其表面未有任何接觸狀態下測定水之靜態接觸角。
(乙醇擦拭後的評價)
接著將上述硬化膜使用充分吸收乙醇的KimWipes(商品名，十條Kimberly股份有限公司製)來回擦拭5次後乾燥。測定乾燥後之硬化膜之水之靜態接觸角。
<指紋附著性及擦除性>
(指紋附著性)
將手指按壓於使用表面處理劑或比較表面處理劑所形成之硬化膜，以目視判定指紋的附著容易度。評價係根據以下基準判斷。
A：指紋不易附著，或即使指紋附著也不明顯。
B：指紋的附著較少，但可充分確認該指紋。
C：指紋附著與未經處理之玻璃基板一樣清晰。
(指紋擦除性)
在上述指紋附著性試驗後，以KimWipes(商品名，十條Kimberly股份有限公司製)將附著的指紋來回擦除5次，以目視判定所附著指紋的擦除容易度。評價係根據以下基準判斷。
A：可完全擦除指紋。
B：殘留有指紋的擦除痕跡。
C：指紋的擦除痕跡擴散且難以去除。
上述一連串的評價結果彙整於以下表1。
使用表面處理劑(1)至(6)所形成之硬化膜的接觸角即使使用乙醇擦拭也未降低。另一方面，使用比較表面處理劑(1)所形成之硬化膜的接觸角會因使用乙醇擦拭而降低。其原因係認為比較表面處理劑(1)所形成之硬化膜的耐化學性(對溶媒之耐久性)較差。又，使用比較表面處理劑(2)所形成之硬化膜的接觸角的初期評價較低，且指紋附著性、指紋擦除性亦差。其原因係認為比較表面處理劑(2)所形成之硬化膜的防汙性較差。
[硬化膜的耐摩擦性評價]
用以下方式評價所得硬化膜的耐摩擦性。
<耐鋼絲絨摩擦性試驗>
使用摩擦測試器(新東科學公司製)用下述條件在每2500次擦拭測定耐水接觸角，試驗持續至10000次或未達100度為止。試驗環境條件為25℃、濕度40%RH。
條件
鋼絲絨：#0000
磨耗面積：1cm2(1cm×1cm)
磨耗速度：14cm/sec
荷重：1kg/cm2(使用1kg錘)
水：1μl，5點測定平均
將上述評價結果彙整於以下表2。表中「-」為未測定。
[表2]
從上述結果可確認相較於使用比較表面處理劑(1)所形成之硬化膜，使用表面處理劑(1)至(6)所形成之硬化膜的耐摩擦性較高。
[產業上之可利用性]
本揭示之含有氟聚醚基之化合物適合利用於在各種不同的基材，尤其是要求摩擦耐久性之光學構件表面形成表面處理層。
Claims (17)
- 一種含有氟聚醚基之矽烷化合物，係下述式(1)或(2)所示，
[式中：RF1為Rf1-RF-Oq-；RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；Rf1為可經1個以上的氟原子取代之C1-16烷基；Rf2為可經1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基；RF各自獨立地為2價氟聚醚基；p為0或1；q各自獨立地為0或1；R1各自獨立地為可經氟取代之C1-16烷基；RSi各自獨立地為含有鍵結有羥基或水解性基之Si原子之1價基；XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(X51)p5-(式中：X51在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，R53在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，p5為1至10之整數)XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(X61)p6-(式中：X61在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所成群組中之基，R63在每次出現時各自獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，R64在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，m6在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，n6在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，p6為1至10之整數)]。 - 如請求項1所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中R1各自獨立地為可經氟取代之C3-16烷基。
- 如請求項1或2所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中R1各自獨立地為未取代之烷基。
- 如請求項1至3中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中Rf1在每次出現時各自獨立地為C1-16全氟烷基，Rf2在每次出現時各自獨立地為C1-6全氟伸烷基。
- 如請求項1至4中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RF在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-[式中，RFa在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，a、b、c、d、e及f各自獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f的和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，但所有RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1個為1以上]。
- 如請求項5所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RFa為氟原子。
- 如請求項1至6中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RF在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，-(OC3F6)d- (f1)[式中，d為1至200之整數]-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；e及f各自獨立地為1至200之整數；c、d、e及f的和為10至200之整數；標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]-(R6-R7)g- (f3)[式中，R6為OCF2或OC2F4；R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基、或選自該等基之2或3個基的組合；g為2至100之整數]-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)[式中，R6為OCF2或OC2F4，R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基、或獨立地選自該等基之2或3個基的組合，R6’為OCF2或OC2F4，R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基、或獨立地選自該等基之2或3個基的組合，g為2至100之整數，g’為2至100之整數，Rr為
(式中，*表示鍵結位置)]；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f的和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f的和至少為1，又，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。 - 如請求項1至7中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RSi各自獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
- SiR11 n1R12 3-n1 (S2)- SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)- CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)- NRg1Rh1 (S5)[式中：R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1、q1、及r1的合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1’、q1’、及r1’的合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3；Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1”及r1”的合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3；Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；k1在每次出現時各自獨立地為1至3之整數；l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k1、l1及m1的合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p2、q2、及r2的合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2’及r2’的合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k2、l2及m2的合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；但式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子]。 - 如請求項1至8中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中RSi為式(S4)所示之基。
- 如請求項1至9中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中XA各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-(式中：R51’各自獨立地為C1-6伸烷基，X51’為O，p5’為0或1，p5”為0或1，q5’為0或1，在此，p5’及p5”之至少一者為1)；XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-(式中：R61’各自獨立地為C1-6伸烷基，X61’為O，p6’為0或1，p6”為0或1，q6’為0或1，在此，p6’及p6”之至少一者為1)。
- 如請求項1至10中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中XA為單鍵，XB為C1-6伸烷基。
- 一種表面處理劑，係含有如請求項1至11中任一項所述之含有氟(聚)醚基之矽烷化合物。
- 如請求項12所述之表面處理劑，其進一步含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種以上之其他成分。
- 如請求項12或13所述之表面處理劑，其進一步含有溶媒。
- 如請求項12至14中任一項所述之表面處理劑，其使用作為防汙性塗層劑或防水性塗層劑。
- 一種物品，係包含基材、及於該基材的表面藉由如請求項1至11中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物或如請求項12至15中任一項所述之表面處理劑所形成的層。
- 如請求項16所述之物品，其為光學構件。
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