TW201627311A - 表面處理劑 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的，係提供一種可形成具有撥水性、撥油性、防污性，而且具有較高的摩擦耐久性之層之含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成的表面處理劑。 本發明之解決手段，係提供一種表面處理劑，其係含有下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)的任一者表示之至少1種含全氟(聚)醚基矽烷化合物： □□(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1nR23-n)β．．．(B1) (R23-nR1nSi)β-X5-PFPE-X5-(SiR1nR23-n)β．．．(B2) (Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRakRblRcm)γ．．．(C1) (RcmRblRakSi)γ-X7-PFPE-X7-(SiRakRblRcm)γ．．．(C2)[式中，各記號係與說明書中的記載同意義] 上述通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為9mol%以下。

Description

表面處理劑
本發明係有關於一種表面處理劑，具體而言係有關於一種含有含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成之表面處理劑。
已知某種類的含氟矽烷化合物若使用於基材的表面處理，可提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。從含有含氟矽烷化合物之表面處理劑所得到的層(以下，亦稱為「表面處理層」)，係作為所謂功能性薄膜，已被施加在例如玻璃、塑膠、纖維、建築資材等各式各樣的基材。
作為此種含氟矽烷化合物，已知在分子主鏈具有全氟聚醚基且在分子末端或末端部具有鍵結在Si原子之可水解的基之含全氟聚醚基矽烷化合物。例如，專利文獻1及2中係記載一種在分子末端或末端部具有鍵結在Si原子之可水解的基之含全氟聚醚基矽烷化合物。
(先前技術文獻) (專利文獻)
[專利文獻1]日本國際公開第97/07155號
[專利文獻2]日本特表2008-534696號公報
為了長期間繼續對基材提供所需要的功能，表面處理層係被要求較高的耐久性。因為從含有含全氟聚醚基矽烷化合物之表面處理劑所得到的層，係即便薄膜亦可發揮如上述的功能，所以可適合被利用在要求光透射性或透明性之眼鏡、觸控面板等的光學構件，尤其在該等用途中，係被要求進一步提升摩擦耐久性。
但是，為了因應逐漸增加之提升摩擦耐久性的要求，從如上述之先前的含有含全氟聚醚基矽烷化合物之表面處理劑所得到的層，已經難謂充分。
本發明之目的在於提供一種可形成具有撥水性、撥油性、防污性，而且具有較高的摩擦耐久性之層之含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成的表面處理劑。
本發明人等經專心研究的結果，發現在含有含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成之表面處理劑，藉由使在表面處理劑所含有的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率設為9mol%，可形成具有更優異的摩擦耐久性之表面處理層，而完成了本發明。
亦即，依照本發明的第1要旨，係提供一種表面處理劑，其係含有下述通式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、 (C1)及(C2)的任一者表示之至少1種含全氟(聚)醚基矽烷化合物：
(Rf-PFPE) β’ -X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B1)
(R 2 3-n R 1 n Si) β -X 5 -PFPE-X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B2)
(Rf-PFPE) γ’ -X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C1)
(R c m R b l R a k Si) γ -X 7 -PFPE-X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C2)[式中：PFPE係在每次出現時各自獨立地為下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R2在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R2係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基； R11係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或鹵素原子；R12係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；n係每(-SiR1 nR2 3-n)單元為獨立且為0至3的整數；但是，在式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)，存在至少1個R2；X1係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2係在每次出現時各自獨立地表示單鍵或2價的有機基；t係在每次出現時各自獨立地為1至10的整數；α係各自獨立地為1至9的整數；α’係各自獨立地為1至9的整數；X5係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β係各自獨立地為1至9的整數；β’係各自獨立地為1至9的整數；X7係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ係各自獨立地為1至9的整數；γ’係各自獨立地為1至9的整數；Ra係在每次出現時各自獨立地表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r；Z係在每次出現時各自獨立地表示氧原子或2價的有機基；Ra’係在每次出現時各自獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra同意義； Ra中，透過Z基而被直鏈狀地連結之Si係最大為5個；R72係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；R73係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；p係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；q係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；r係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；但是，在1個Ra，p、q及r的和為3，在式(C1)及(C2)中，存在至少1個R72；Rb係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；Rc係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；k係在每次出現時各自獨立地為1至3的整數；l係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數；m係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數；但是，在附有γ且以括弧括起之單元中，k、l及m的和為3]，上述通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為9mol%以下。
依照本發明之第2要旨，係提供一種含有上 述表面處理劑之丸粒。
依照本發明之第3要旨，係提供一種物品，其係含有基材、及在該基材表面由上述含有含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成的表面處理劑所形成之層。
依照本發明，係提供一種含有新穎的含全氟(聚)醚基矽烷化合物而成之表面處理劑。藉由使用該表面處理劑，可形成一種具有撥水性、撥油性、防污性，而且具有優異的摩擦耐久性之表面處理層。
以下，說明本發明的化合物。
在本說明書使用時，所謂「烴基」係意味著含有碳及氫之基且使1個氫原子從烴脫離後之基。作為此種烴基，係沒有特別限定，可舉出亦可被1個或多於1個的取代基取代之碳數1至20的烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分枝鏈狀或環狀的任一者，亦可為飽和或不飽和的任一者。又，烴基亦可含有1個或多於1個的環構造。又，此種烴基亦可在其末端或分子鏈中具有1個或多於1個的N、O、S、Si、醯胺、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等。
在本說明書使用之時，作為「烴基」的取代基，係沒有特別限定，例如可舉出選自鹵素原子；亦可 被1個或多於1個的鹵素原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基之1個或多於1個的基。
在本說明書使用之時，所謂「2至10價的有機基」係意味著含有碳之2至10價的基。作為此種2至10價的有機基，係沒有特別限定，可舉出進一步使1至9個氫原子從烴基脫離而成之2至10價的基。例如，作為2價的有機基，係沒有特別限定，可舉出進一步使1個氫原子從烴基脫離而成之2價的基。
本發明係提供一種表面處理劑，其係含有下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)：
(Rf-PFPE) β’ -X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B1)
(R 2 3-n R 1 n Si) β -X 5 -PFPE-X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B2)
(Rf-PFPE) γ’ -X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C1)
(R c m R b l R a k Si) γ -X 7 -PFPE-X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C2)的任一者表示之至少1種含全氟(聚)醚基矽烷化合物之表面處理劑(以下，亦稱為「本發明的表面處理劑」)， ，其中，上述通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為9mol%以下。
以下，說明上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物。
式(A1)及(A2)：
上述式中，PFPE為-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-，且相當於全氟(聚)醚基。在此，a、b、c及d係各自獨立地為0或1以上的整數，a、b、c及d的和為至少1。以a、b、c及d係各自獨立地為0以上且200以下的整數、例如1至200的整數為佳，較佳是各自獨立地為0以上且100以下的整數。又，以a、b、c及d的和為5以上為佳，較佳為10以上、例如10以上且100以下。又，附有a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。該等重複單元之中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))- 的任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-的任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。又，-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-的任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
一態樣中，PFPE為-(OC3F6)b-(式中，b為1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數)，以-(OCF2CF2CF2)b-(式中，b為1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數)或-(OCF(CF3)CF2)b-(式中，b為1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數)，較佳為-(OCF2CF2CF2)b-(式中，b為1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數)。
在另外的態樣中，PFPE為-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a及b係各自獨立地為0以上且30以下的整數，c及d係各自獨立且1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d-。在一態樣中，PFPE可為-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，c及d係各自獨立且1以上且200以下，以5以上且200以下為佳，較佳為10以上且200以下的整數，附有下標c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)。
而且，在另外的態樣，PFPE為-(OC2F4-R8)f-表示之基。式中，R8係選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或是從該等之基獨立地選擇之2或3個基的組合。作為從OC2F4、OC3F6及OC4F8獨立地選擇之2或3個基的組合，係沒有特別限定，例如可舉出-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述f為2至100的整數、較佳為2至50的整數。上述式中，OC2F4、OC3F6及OC4F8可為直鏈或分枝鏈的任一者，較佳為直鏈。在該態樣中，PFPE較佳為-(OC2F4-OC3F6)f-或-(OC2F4-OC4F8)f-。
上述式中，Rf係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基。
在上述亦可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基之「碳數1至16的烷基」，可為直鏈，亦可為分枝鏈、較佳是直鏈或分枝鏈之碳數1至6、特別是碳數1至3的烷基，較佳是直鏈之碳數1至3的烷基。
上述Rf較佳是被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基，較佳為CF2H-C1-15氟伸烷基，更佳為碳數1至16的全氟烷基。
該碳數1至16的全氟烷基可為直鏈，亦可 為分枝鏈，較佳是直鏈或分枝鏈之碳數1至6、特別是碳數1至3的全氟烷基，較佳為直鏈之碳數1至3的全氟烷基，具體而言為-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
上述式中，個R2在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基，較佳為碳數1至4的烷基。
上述式中，R2係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」係在本說明書使用之時，意指藉由水解反應而可從化合物的主骨架脫離之基。作為可水解的基的例子，可舉出-OR、-OCOR、-O-N=CR2、-NR2、-NHR、鹵素(該等式中，R係表示取代或未取代之碳數1至4的烷基)等，較佳為-OR(亦即，烷氧基)。R的例子，係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的未取代烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，以烷基、特別是未取代烷基為佳，以甲基或乙基為較佳。羥基係沒有特別限定，亦可為可水解的基水解而產生者。
上述式中，R11係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或鹵素原子。鹵素原子係以碘原子、氯原子或氟原子為佳，較佳為氟原子。
上述式中，R12係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。低級烷基係以碳數1至20的烷基為佳，較佳為碳數1至6的烷基，例如可舉出甲基、乙基、 丙基等。
上述式中，n係每(-SiR1 nR2 3-n)單元為獨立且為0至3的整數，較佳為0至2，更佳為0。但是，式中，全部的n不可同時為0。換言之，式中至少存在1個R2。
上述式中，X1係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X1係在式(A1)及(A2)表示之化合物中，可解釋為主要是將提供撥水性及表面滑性等之全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)、和提供與基材的結合能之矽烷部(亦即，附有α且以括弧括起之基)連結之連結基。因而，該X1係只要為式(A1)及(A2)表示之化合物可安定地存在者，可為任一種之有機基。
上述式中，α為1至9的整數，α’為1至9的整數。該等α及α’係可按照X1的價數而變化。在式(A1)中，α及α’的和係與X1的價數相同。例如，X1為10價的有機基時、α及α’的和為10，例如α可成為9且α’為1，α為5且α’為5，或α為1且α’為9。又，X1為2價的有機基時，α及α’為1。在式(A2)中，α係從X1的價數減去1後之值。
上述X1係以2至7價為佳，較佳為2至4價，更佳為2價的有機基。
在一態樣中，X1為2至4價的有機基，α為1至3，α’為1。
在另外的態樣中，X1為2價的有機基，α為1，α’為1。此時，式(A1)及(A2)係以下述式(A1’)及(A2’) 表示。
作為上述X1的例子，沒有特別限定，例如，可舉出下述式：-(R31)p’-(Xa)q’-[式中：R31係表示單鍵、-(CH2)s’-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)s’-，s’為1至20的整數，以1至6的整數為佳，較佳為1至3的整數，更佳為1或2，Xa係表示-(Xb)l’，Xb係在每次出現時各自獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-所組成群組之基，R33係在每次出現時各自獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，以苯基或C1-6烷基為佳，較佳為甲基，R34係在每次出現時各自獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)， m’係在每次出現時各自獨立地表示1至100的整數，較佳為1至20的整數，n’係在每次出現時各自獨立地為1至20的整數，以1至6的整數為佳，較佳為1至3的整數，l’為1至10的整數，以1至5的整數為佳，較佳為1至3的整數，p’為0或1，q’為0或1，在此，p’及q’的至少一方為1，附有p’或q’且以括弧括起之各重複單元的存在順序為任意]表示之2價的基。在此，R31及Xa(典型地為R31及Xa的氫原子)亦可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
較佳是上述X1為-(R31)p’-(Xa)q’-R32-。R32係表示單鍵、-(CH2)t’-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)t’-。t’為1至20的整數，以2至6的整數為佳，較佳為2至3的整數。在此，R32(典型地為R32的氫原子)亦可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
較佳是上述X1可為C1-20伸烷基、-R31-Xc-R32-、或-Xd-R32-[式中，R31及R32係與上述同意義]。
較佳是上述X1可為 C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-、-Xd-、或-Xd-(CH2)t’-[式中，s’及t’係與上述同意義]。
上述式中，Xc係表示-O-、-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-O-CONR34-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(R33)2-O-Si(R33)2-CH2CH2-Si(R33)2-O-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-、或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-[式中，R33、R34及m’係與上述同意義，u’為1至20的整數，以2至6的整數為佳，較佳為2至3的整數]。Xc係較佳為-O-。
上述式中，Xd表示、 -S-、-C(O)O-、-CONR34-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-、或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-[式中，各記號係與上述同意義]。
較佳是上述X1可為C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-、或-Xd-(CH2)t’-[式中，各記號係與上述同意義]。
更佳是上述X1可為C1-20伸烷基、-(CH2)s’-O-(CH2)t’-、-(CH2)s’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-(CH2)s’-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、或-(CH2)s’-O-(CH2)t’-Si(R33)2-(CH2)u’-Si(R33)2-(CvH2v)-[式中，R33、m’、s’、t’及u’係與上述同意義，v為1至20的整數，以2至6的整數為佳，較佳為2至3的整數]。
上述式中，-(CvH2v)-可為直鏈，亦可為分枝鏈、例如可為-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-。
上述X1基亦可被選自氟原子、C1-3烷基及 C1-3氟烷基(較佳為C1-3全氟烷基)之1個或多於1個的取代基取代。
在另外的態樣中，作為X1基，例如可舉出下述的基：
[式中，R41係各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；D係表示選自下述之基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、及 (式中，R42係各自獨立地表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，以甲基或甲氧基為佳，以甲基為較佳)，E為-(CH2)n-(n為2至6的整數)，D係鍵結在分子主鏈的PFPE，E係鍵結在與PFPE相反之基]。
作為上述X1的具體例，例如可舉出下述等：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、 -CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、 -S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、
而且在另外的態樣中，X1係式：-(R16)x-(CFR17)y-(CH2)z-表示之基。式中，x、y及z係各自獨立地為0至10的整數，x、y及z的和為1以上，以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
上述式中，R16係在每次出現時各自獨立地為氧原子、伸苯基、伸苄唑基、-NR26-(式中，R26係表示氫 原子或有機基)或2價的有機基。較佳是R16為氧原子或2價的極性基。
作為上述「2價的極性基」，係沒有特別限定，可舉出-C(O)-、-C(=NR27)-、及-C(O)NR27-(該等式中，R27係表示氫原子或低級烷基)。該「低級烷基」係例如碳數1至6的烷基、例如甲基、乙基、正丙基，該等亦可被1個或多於1個的氟原子取代。
上述式中，R17係在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或低級氟烷基，較佳為氟原子。該「低級氟烷基」係例如碳數1至6，以碳數1至3的氟烷基為佳，以碳數1至3的全氟烷基為佳，較佳為三氟甲基、五氟乙基，更佳為三氟甲基。
在該態樣中，X1較佳是式：-(O)x-(CF2)y-(CH2)z-(式中，x、y及z係與上述同意義，以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)表示之基。
作為上述式：-(O)x-(CF2)y-(CH2)z-表示之基，例如可舉出-(O)x’-(CH2)z”-O-[(CH2)z'''-O-]z''''、及-(O)x’-(CF2)y”-(CH2)z”-O-[(CH2)z'''-O-]z''''(式中，x’為0或1，y”、z”及z'''係各自獨立地為1至10的整數，z''''為0或1)表示之基。又，該等之基係左端鍵結在PFPE側。
另外的較佳態樣中，X1為-O-CFR13-(CF2)e-。
上述R13係各自獨立地表示氟原子或低級氟烷基。低級氟烷基係例如碳數1至3的氟烷基，以碳數1至3的全氟烷基為佳，較佳為三氟甲基、五氟乙基，更佳 為三氟甲基。
上述e係各自獨立地為0或1。
在一具體例中，R13為氟原子，e為1。
而且在另外的態樣中，作為X1基的例子，可舉出下述的基： [式中，R41係各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；在各X1基中，T之中任意若干個係鍵結在分子主鏈的PFPE之以下的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、 -(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、或 [式中，R42係各自獨立地表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，以甲基或甲氧基為佳，較佳為甲基]，另外的T之若干個，係存在鍵結在與分子主鏈的PFPE相反之基(亦即，在式(A1)及(A2)中為碳原子，又，在下述式(B1)、(B2)、(C1)及(C2)為Si原子)之-(CH2)n”-(n”為2至6的整數)時，其餘者係各自獨立地為甲基、苯基、C1-6烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基。
自由基捕捉基係只要為可捕捉以光照射產生的自由基者即可，沒有特別限定，例如可舉出二苯基酮類、苯并三唑類、苯甲酸酯類、柳酸苯酯類、巴豆酸類、丙二酸酯類、有機丙烯酸酯類、受阻胺類、受阻酚類、或三嗪類的殘基。
紫外線吸收基係只要為可吸收紫外線者即可，沒有特別限定，例如可舉出苯并三唑類、羥二苯基酮 類、取代及未取代苯甲酸或柳酸化合物的酯類、丙烯酸酯或烷氧基肉桂酸酯類、草醯胺類、草酸替苯胺類、苯并 酮(benzoxazinone)類、苯并唑類的殘基。
在較佳態樣中，作為較佳之自由基捕捉基或紫外線吸收基，可舉出
在該態樣中，X1、X5及X7係可各自獨立地為3至10價的有機基。
上述式中，t係各自獨立地為1至10的整數。在較佳態樣中，t為1至6的整數。在另外的較佳態樣中，t為2至10的整數，較佳為2至6的整數。
上述式中，X2係在每次出現時各自獨立地表示單鍵或2價的有機基。X2係以碳數1至20的伸烷基為佳，較佳為-(CH2)u-(式中，u為0至2的整數)。
較佳之式(A1)及(A2)表示之化合物，係下述式(A1’)及(A2’)表示之化合物，
[式中：PFPE係各自獨立地為下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R2係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；R11係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或鹵素原子；R12係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；n為0至2的整數，較佳為0；X1為-O-CFR13-(CF2)e-； R13為氟原子或低級氟烷基；e為0或1；X2為-(CH2)u-；u為0至2的整數(u為0時，X2為單鍵)；t為1至10的整數]。
上述式(A1)及(A2)表示之化合物，例如可藉由將對應於Rf-PFPE-部分之全氟聚醚衍生物作為原料且在末端導入碘之後，使對應於-CH2CR12(X2-SiR1 nR2 3-n)-之乙烯基單體反應來得到。
式(B1)及(B2)：(Rf-PFPE) β’ -X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B1)
(R 2 3-n R 1 n Si) β -X 5 -PFPE-X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B2)
上述式(B1)及(B2)中，Rf、PFPE、R1、R2及n係與在有關上述式(A1)及(A2)之記載同意義。
上述式中，X5係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X5係在式(B1)及(B2)表示之化合物，可解釋為主要是將提供撥水性及表面滑性等之全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)、和提供與基材的結合能之矽烷部(具體而言為-SiR1 nR2 3-n)連結之連結基。因而，該X5係只要為式(B1)及(B2)表示之化合物可安定地存在即可，可為任一種之有機基。
上述式中的β為1至9的整數，β’為1至9的整數。該等β及β’係可按照X3的價數而決定，在式 (B1)中，β及β’的和係與X5的價數相同。例如，X5為10價的有機基時，β及β’的和為10，例如可成為β為9且β’為1，β為5且β’為5，或β為1且β’為9。又，X5為2價的有機基時，β及β’為1。在式(B2)中，β係從X5的價數之值減去1後之值。
上述X5係以2至7價為佳，較佳為2至4價，更佳為2價的有機基。
在一態樣中，X5係2至4價的有機基，β為1至3，β’為1。
在另外的態樣中，X5係2價的有機基，β為1，β’為1。此時，式(B1)及(B2)係以下述式(B1’)及(B2’)表示。
Rf-PFPE-X 5 -SiR 1 n R 2 3-n ．．．(B1’)
R 2 3-n R 1 n Si-X 5 -PFPE-X 5 -SiR 1 n R 2 3-n ．．．(B2’)
作為上述X5的例子，係沒有特別限定，例如可舉出與有關X1記載者同樣。
尤其，較佳之具體的X5，可舉出下述等：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、 -CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、 -(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、 -CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、
較佳之式(B1)及(B2)表示之化合物，係下述式(B1’)及(B2’)表示之化合物：Rf-PFPE-X 5 -SiR 1 n R 2 3-n ．．．(B1’)
R 2 3-n R 1 n Si-X 5 -PFPE-X 5 -SiR 1 n R 2 3-n ．．．(B2’)[式中：PFPE係各自獨立地為下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R2係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；n為0至2的整數，較佳為0； X5為-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-或-CH2O(CH2)6-]。
上述式(B1)及(B2)表示之化合物，係可使用眾所周知的方法、例如在專利文獻1所記載的方法或其改良方法來製造。例如，式(B1)及(B2)表示之化合物係可使下述式(B1-4)或(B2-4)表示之化合物，(Rf-PFPE) β’ -X 5’ -(R 82 -CH=CH 2 ) β ．．．(B1-4)
(CH 2 =CH-R 82 ) β -X 5’ -PFPE-X 5’ -(R 82 -CH=CH 2 ) β ．．．(B2-4)[式中：PFPE係各自獨立地為下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；X5’係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β係各自獨立地為1至9的整數；β’係各自獨立地為1至9的整數；R82為單鍵或2價的有機基]與HSiM3(式中，M係各自獨立地為鹵素原子、R1或R2，R2在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至22的烷基，R2係在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解的基)反應且按照必要而將上述鹵素原子轉換成為R1或R2，而以式 (B1”)或(B2”)表示的化合物之方式來得到：(Rf-PFPE) β’ -X 5’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B1”)
(R 1 n R 2 3-n Si-CH 2 CH 2 -R 82 ) β -X 5’ -PFPE-X 5’ -* *(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B2”)[式中，PFPE、Rf、X5’、β、β’及R82係與上述同意義；n為0至3的整數]。
在式(B1”)或(B2”)中，從X5’至R82-CH2CH2-為止的部分，係對應在式(B1)或(B2)之X5。
式(C1)及(C2)：(Rf-PFPE) γ’ -X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C1)
(R c m R b l R a k Si) γ -X 7 -PFPE-X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C2)
上述式(C1)及(C2)中，Rf及PFPE係與有關上述式(A1)及(A2之記載同意義。
上述式中，X7係表示各自獨立地為單鍵或2至10價的有機基。該X7係在式(C1)及(C2)表示之化合物，可解釋為主要是將提供撥水性及表面滑性等之全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)、和提供與基材的結合能之矽烷部(具體而言為-SiRa kRb lRc m基)連結之連結基。因而，該X7係只要式(C1)及(C2)表示之化合物可安定地存在，就可為任一種有機基。
上述式中的γ為1至9的整數，γ’為1至9的整數。該等γ及γ’係可按照X7的價數而決定，在式 (C1)中，γ及γ’的和係與X7的價數相同。例如，X7為10價的有機基時，γ及γ’的和為10，例如可成為γ為9且γ’為1，γ為5且γ’為5，或γ為1且γ’為9。又，X7為2價的有機基時，γ及γ’為1。在式(C1)中，γ係從X7的價數之值減去1後之值。
上述X7係以2至7價為佳，較佳為2至4價，更佳為2價的有機基。
在一態樣中，X7為2至4價的有機基，γ為1至3，γ’為1。
在另外的態樣中，X7為2價的有機基，γ為1，γ’為1。此時，式(C1)及(C2)係以下述式(C1’)及(C2’)表示。
Rf-PFPE-X 7 -SiR a k R b l R c m ．．．(C1’)
R c m R b l R a k Si-X 7 -PFPE-X 7 -SiR a k R b l R c m ．．．(C2’)
作為上述X7的例子，係沒有特別限定，例如可舉出與有關X1之記載者同樣。
尤其是，較佳具體的X7可舉出下述等：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、 -CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、 -(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、 -CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、
上述式中，Ra係在每次出現時各自獨立地表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r。
式中，Z係在每次出現時各自獨立地表示氧原子或2價的有機基。
上述Z，係以2價的有機基為佳，不包含與在式(C1)或式(C2)之分子主鏈末端的Si原子(鍵結有Ra之Si原子)形成矽氧烷鍵者。
上述Z係以C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g為1至6的整數，h為1至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i-(式中，i為0至6的整數)為佳，較佳為C1-3伸烷基。該等基亦可被例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個或多於1個的取代基取代。
式中，Ra’係在每次出現時各自獨立地表示Ra’。Ra’係與Ra同意義。
Ra中，透過Z基而被直鏈狀地連結之Si係最大為5個。亦即，在上述Ra，Ra’係存在至少1個時，在Ra中透過Z基而被直鏈狀地連結之Si原子係存在2個以上，此種透過Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目係最 大為5個。又，所謂「Ra中透過Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目」，係與在Ra中被連結成為直鏈狀之-Z-Si的重複數目相等。
例如，在下述顯示在Ra中透過Z基而連結Si原子之一個例子。
在上述式，*係意指鍵結在主鏈的Si之部位，…係鍵結有ZSi以外的預定之基，亦即，Si原子的3支懸掛鍵為全部…之情形，且意指ZSi的重複結束處。又，Si之右肩的數字，係意指從*開始計算得到之透過Z基而被直鏈狀地連結之Si的出現次數。亦即，Si2且ZSi重複結束之鏈係「透過Ra中的Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目」為2個，同樣地，Si3、Si4及Si5且ZSi重複結束之鏈，係各自「透過Ra中的Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目」為3、4及5個。又，從上述的式可清楚明白，雖然在Ra中，ZSi鏈存在複數個，但是該等不必全 部為相同長度，亦可各自為任意長度。
在較佳之態樣中，如下述所顯示，「透過Ra中的Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目」，係在全部的鏈為1個(左式)或2個(右式)。
在一態樣中，透過Ra中的Z基而被直鏈狀地連結之Si原子的數目為1個或2個，以1個為佳。
式中，R72係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」，在本說明書使用之時，係意指可進行水解反應之基。作為可水解的基的例子，可舉出-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中，R係表示取代或未取代之碳數1至4的烷基)等，較佳為-OR(烷氧基)。R的例子係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的未取代烷基；及氯甲基等的取代烷基。該等之中，係以烷基、特別是未取代烷基為佳，以甲基或乙基為較佳。羥基係沒有特別限定，可水解的基亦可為水解產生者。
R72係以-OR(式中，R係表示取代或未取代的C1-3烷基，較佳為甲基)為佳。
式中，R73係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20的烷基為佳，較佳為碳數1至6的烷基，更佳為甲基。
式中，p係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；q係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；r係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數。但是，p、q及r的和為3。
在較佳之態樣中，Ra中的末端的Ra’(Ra’不存在時，為Ra)，上述q係以2以上、例如以2或3為佳，較佳為3。
在較佳之態樣中，Ra的末端部之至少1個為-Si(-Z-SiR72 qR73 r)2或-Si(-Z-SiR72 qR73 r)3、較佳是可為-Si(-Z-SiR72 qR73 r)3。式中，(-Z-SiR72 qR73 r)的單元係(-Z-SiR72 3)為佳。在更佳態樣中，Ra的末端部係全部為-Si(-Z-SiR72 qR73 r)3，較佳是可為-Si(-Z-SiR72 3)3。
在上述式(C1)及(C2)中，係存在至少1個R72。
上述式中，Rb係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基。
上述Rb較佳係羥基、-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中，R係表示取代或未取代之碳數1至4的烷基)，以-OR為佳。R係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的未取代烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，係以烷基、特別 是未取代烷基為佳，以甲基或乙基為較佳。羥基係沒有特別限定，亦可為水解的基進行水解而產生者。較佳是Rc為-OR(式中，R係表示取代或未取代的C1-3烷基，較佳為甲基)。
上述式中，Rc係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20的烷基為佳，較佳為碳數1至6的烷基，更佳為甲基。
式中，k係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；l係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；m係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數。但是k、l及m的和為3。
上述式(C1)及(C2)表示之化合物，係例如可藉由將對應於Rf-PFPE-部分之全氟聚醚衍生物作為原料而在末端導入羥基後，在末端導入具有不飽和鍵之基，使該具有不飽和鍵之基與具有鹵素原子之矽基衍生物反應，進而對該矽基在末端導入羥基，且使具有所導入之不飽和鍵之基、與矽基衍生物反應來得到。例如可如以下進行而得到。
較佳之式(C1)及(C2)表示的化合物，係下述式(C1”)及(C2”)表示之化合物：Rf-PFPE-X 7 -SiR a 3 ．．．(C1”)
R a 3 Si-X 7 -PFPE-X 7 -SiR a 3 ．．．(C2”)[式中： PFPE係各自獨立地為下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；X7係表示-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-或-CH2O(CH2)6-；Ra係在每次出現時各自獨立地表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r；Z係表示C1-6伸烷基；Ra’係在每次出現時各自獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra同意義；Ra中，透過Z基而被直鏈狀地連結之Si係最大為5個；R72係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；R73係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；p係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數；q係在每次出現時各自獨立地為1至3的整數，較佳為3；r係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數；但是，在1個Ra，p、q及r的和為3]。
上述式(C1)及(C2)表示之化合物，係例如可 如以下方式而製造。將下述式(C1-4)或(C2-4)表示之化合物：(Rf-PFPE) γ’ -X 7’ -(R 82 -CH=CH 2 ) γ ．．．(C1-4)
(CH 2 =CH-R 82 ) γ -X 7’ -PFPE-X 7’ -(R 82 -CH=CH 2 ) γ ．．．(C2-4)[式中：PFPE係各自獨立且下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；X7’係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ係各自獨立地為1至9的整數；γ’係各自獨立地為1至9的整數；R82為單鍵或2價的有機基]，與HSiR83kRb lRc m(式中，R83為鹵素原子、例如氟原子、氯原子、溴原子或碘原子，較佳為氯原子，Rb係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基，Rc係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基，k為1至3的整數，1及m係各自獨立地為0至2的整數，k、l及m的和為3)表示之化合物反應而得到以式(C1-5)或(C2-5)表示之化合物： (Rf-PFRE) γ’ -X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR 83 k R b l R c m ) γ ．．．(C1-5)
(R c m R b l R 83 k Si-CH 2 CH 2 -R 82 ) γ -X 7’ -PFPE-* *X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR 83 k R b l R c m ) γ ．．．(C2-5)[式中，Rf、PFPE、R82、R83、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k、l及m係與上述同意義]。
使所得到之(C1-5)或(C2-5)表示之化合物，與Hal-J-R84-CH=CH2(式中，Hal係表示鹵素原子(例如，I、Br、Cl、F等)，J係表示Mg、Cu、Pd或Zn，R84係表示單鍵或2價的有機基)表示之化合物反應而得到下述式(C1-6)或(C2-6)表示之化合物：(Rf-PFPE) γ’ -X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR b l R c m (R 84 -CH=CH 2 ) k ) γ ．．．(C1-6)
((CH=CH 2 -R 84 ) k R c m R b l Si-CH 2 CH 2 -R 82 ) γ -X 7’ -PFPE-* *X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR b l R c m (R 84 -CH=CH 2 ) k ) γ ．．．(C2-6)[式中，Rf、PFPE、R82、R84、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k、l及m係與上述同意義]。
使所得到之式(C1-6)或(C2-6)表示之化合物，與HSiM3(式中，M係各自獨立地為鹵素原子、R72或R73，R72係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基，R73係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基)反應，且按照必要而將上述鹵素原子轉換成為R72或R73，而可得到式(C1''')或(C2''')表示之化合物： (Rf-PFPE) γ’ -X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR b l R c m (R 84 -CH 2 CH 2 -SiR 72 q R 73 r ) k ) γ ．．．(C1''')
((R 72 q R 73 r Si-CH 2 CH 2 -R 84 ) k R c m R b l Si-CH 2 CH 2 -R 82 ) γ -X 7’ -PFPE-* *X 7’ -(R 82 -CH 2 CH 2 -SiR b l R c m (R 84 -CH 2 CH 2 -SiR 72 q R 73 r ) k ) γ ．．．(C2''')[式中，Rf、PFPE、R72、R73、R82、R84、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k、l及m係與上述同意義；q係在每次出現時各自獨立地為1至3的整數；r係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數]。
在式(C1''')或(C2''')中，從X7’至R82-CH2CH2-的部分，係對應於式(C1)或(C2)之X7，-R84-CH2CH2-係對應於式(C1)或(C2)之Z。
在本發明的表面處理劑中，上述通式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為9mol%以下，以7mol%以下為佳，更佳為5mol%以下。藉由使分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率成為9mol%以下，可形成具有更優異的摩擦耐久性之表面處理層。又，該比率係相對於在本發明的表面處理劑所含有之上述通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物的總量，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率。
作為相對於表面處理劑中之含全氟(聚)醚基矽烷化合物全體，使分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率成為9mol%以下之方法，係沒有特別限定，例如可舉出藉由蒸餾等而將低分子量的化合物除 去之方法。蒸餾係以分子蒸餾為佳，可對於含全氟(聚)醚基矽烷化合物進行；或者亦可對於原料、例如具有全氟聚醚基之醯氟而進行。蒸餾條件係只要該業者，可按照蒸餾對象之化合物而適當地選擇。
相對於表面處理劑中之含全氟(聚)醚基矽烷化合物全體，分子量3000以下之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率，係可藉由GPC(凝膠滲透層析法)分析而測定。此種GPC測定，係例如可使用具備TDA-302作為檢測器之GPCmax(HPLC系統：Malvern Instruments公司製)而進行。
在本發明的表面處理劑所含有之含全氟(聚)醚基矽烷化合物的數量平均分子量，係以5,000以上為佳，以6,000以上為較佳，以100,000以下為佳，較佳為30,000以下，更佳是10,000以下。
在本發明的表面處理劑所含有之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之PFPE部分的數量平均分子量，係沒有特別限定，以4,000至30,000為佳、較佳是可為5,000至10,000。
在本發明中，所謂「數量平均分子量」係藉由GPC(凝膠滲透層析法)分析來測定。
本發明的表面處理劑係可對基材賦予撥水性、撥油性、防污性、防水性及較高的摩擦耐久性且沒有特別限定，可適合使用作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
本發明的表面處理劑係可以溶劑稀釋。作為此種溶劑，沒有特別限定，例如可舉出選自由全氟己烷、CF3CF2CHCl2、CF3CH2CF2CH3、CF3CHFCHFC2F5、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷((ZEORORAH(商品名)等)、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、CF3CH2OCF2CHF2、C6F13CH=CH2、六氟化二甲苯、全氟苯、甲基十五氟庚酮、三氟乙醇、五氟丙醇、六氟異丙醇、HCF2CF2CH2OH、甲基三氟甲烷磺酸酯、三氟乙酸及CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CF3[式中，m及n係各自獨立地為0以上且1000以下的整數，附有m或n且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，但是m及n的和為1以上]、1,1-二氯-2,3,3,3-四氟-1-丙烷、1,2-二氯-1,3,3,3-四氟-1-丙烷、1,2-二氯-3,3,3-三氟-1-丙烷、1,1-二氯-3,3,3-三氟-1-丙烷、1,1,2-三氯-3,3,3-三氟-1-丙烷、1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯所組成群組之溶劑。該等溶劑係可單獨、或以2種以上的混合物之方式使用。
本發明的表面處理劑係除了含全氟(聚)醚基矽烷化合物以外，亦可有其它成分。作為此種其它成分，係沒有特別限定，例如，可舉出被知悉作為含氟油之(非反應性的)氟聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下，稱為「含氟油」)、被知悉作為聚矽氧油之(非反應性的)聚矽氧化合物(以下，稱為「聚矽氧油」)、觸媒等。
作為上述含氟油，係沒有特別限定，例如可舉出以下的通式(3)表示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf1-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf2．．．(3)
式中，Rf1係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基(較佳為C1-16的全氟烷基)，Rf2係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基(較佳為C1-16的全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf1及Rf2較佳是各自獨立地為C1-3的全氟烷基。
a’、b’、c’及d’係各自表示構成聚合物的主骨架之全氟(聚)醚的4種重複單元數，而且互相獨立地為0以上且300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和為至少1，以1至300為佳，較佳為20至300。附有下標a’、b’、c’或d’且以括弧括起之各重複單元的存在順序，係在式中為任意。該等重複單元之中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-的任一者，以-(OCF2CF2CF2CF2)-為佳。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-的任一者，以-(OCF2CF2CF2)-為佳。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-的任一者，以-(OCF2CF2)-為佳。
作為上述通式(3)表示之全氟(聚)醚化合物的例子，可舉出以下的通式(3a)及(3b)之任一者表示之化合物(亦可為1種或2種以上的混合物)。
Rf1-(OCF2CF2CF2)b”-Rf2．．．(3a)
Rf1-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”- (OCF2)d”-Rf2．．．(3b)
該等式中，Rf1及Rf2係如上述；在式(3a)中，b”為1以上且100以下的整數；在式(3b)中，a”及b”係各自獨立地為0以上且30以下，例如1以上且30以下的整數，c”及d”係各自獨立地為1以上且300以下的整數。附有下標a”、b”、c”、d”且以括弧括起之各重複單元的存在順序，係在式中為任意。
上述含氟油，可以具有1,000至30,000的平均分子量。藉此，可得到較高的表面滑性。
本發明的表面處理劑中，相對於上述含全氟(聚)醚基矽烷化合物的合計100質量份(各自為2種以上時為該等的合計，以下亦同樣)，含氟油係例如0至500質量份，以0至400質量份為佳，較佳是可含有5至300質量份。
通式(3a)表示之化合物及通式(3b)表示之化合物，係可各自單獨使用，亦可組合而使用。因為相較於通式(3a)所表示的化合物，使用通式(3b)表示的化合物係可得到較高的表面滑性，故較佳。組合該等而使用時，通式(3a)表示之化合物與通式(3b)表示之化合物之質量比，係以1：1至1：30為佳，以1：1至1：10為較佳。若依據此種質量比，可得到表面滑性與摩擦耐久性的平衡優異之表面處理層。
在一態樣中，含氟油係含有通式(3b)表示之1種或多於1種的化合物。在此種態樣中，表面處理劑中 含全氟(聚)醚基矽烷化合物的合計、與式(3b)表示的化合物之質量比，係以10：1至1：10為佳，以4：1至1：4為較佳。
在一態樣中，式(3a)表示的化合物之數量平均分子量，係以2,000至8,000為佳。
在一態樣中，式(3b)表示的化合物之數量平均分子量，係以8,000至30,000為佳。
在另外的態樣中，式(3b)表示的化合物之數量平均分子量，係以3,000至8,000為佳。
在較佳之態樣中，藉由真空蒸鍍法形成表面處理層時，亦可比含全氟(聚)醚基矽烷化合物的數量平均分子量，更增大含氟油的數量平均分子量。藉由設為此種數量平均分子量，可得到更優異的摩擦耐久性及表面滑性。
又，從另外的觀點而言，含氟油亦可為通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)表示之化合物。又，亦可為氯三氟乙烯寡聚物。就得到可與末端為C1-16全氟烷基且在上述分子末端具有碳-碳不飽和鍵之含氟化合物表示的化合物、及高的親和性而言，係以Rf3-F表示之化合物及氯三氟乙烯寡聚物為佳。
含氟油係有助於提升表面處理層的表面滑性。
作為上述聚矽氧油，例如可使用矽氧烷鍵為2,000以下的直鏈狀或環狀聚矽氧油。直鏈狀聚矽氧油 係可以是所謂直鏈聚矽氧油及改性聚矽氧油。作為直鏈聚矽氧油，可舉出二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫化聚矽氧油。作為改性聚矽氧油，可舉出藉由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇類等將直鏈聚矽氧油改性而成者。環狀之聚矽氧油係例如可舉出環狀二甲基矽氧烷油等。
本發明的表面處理劑中，相對於含全氟(聚)醚基矽烷化合物的合計100質量份(2種以上時，係該等的合計，以下亦同樣)，此種聚矽氧油係例如可含有0至300質量份，較佳為0至200質量份。
聚矽氧油係有助於提升表面處理層的表面滑性。
作為上述觸媒，可舉出酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進含全氟(聚)醚基矽烷化合物的水解及脫水縮合，來促進形成表面處理層。
本發明的表面處理劑係可含浸於多孔質物質例如多孔質的陶瓷材料、金屬纖維例如使鋼絲絨固化成為綿狀者而製成丸粒。該丸粒係例如可使用在真空蒸鍍。
其次，說明本發明的物品。
本發明的物品，係包含基材、及使本發明的表面處理劑形成於該基材表面之層(表面處理層)。該物品係例如可如以下方式進行製造。
首先，準備基材。可使用於本發明的基材，係例如可由玻璃、藍寶石玻璃、樹脂(可為天然或合成樹脂、例如通常的塑膠材料，亦可為板狀、薄膜、其它的形態)、金屬(可為鋁、銅、鐵等的金屬單體或合金等的複合體)、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等任意適當的材料所構成。較佳基材係玻璃或藍寶石玻璃。
作為上述玻璃，係以鈉鈣玻璃、鹼矽酸鋁玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃為佳，以經化學強化的鈉鈣玻璃、經化學強化的鹼矽酸鋁玻璃、及經化學鍵結的硼矽酸玻璃為特佳。
作為樹脂，係以丙烯酸樹脂、聚碳酸酯為佳。
例如，要製造之物品為光學構件時，構成基材表面之材料，係可為光學構件用材料、例如玻璃或透明塑膠等。又，為製造之物品為光學構件時，於基材表面(最外層)亦可形成一些層(或膜)、例如硬塗層、抗反射層等。抗反射層係可使用單層抗反射層及多層抗反射層的任一者。作為可使用於抗反射層之無機物的例子，可舉出SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物係可單獨、或將該等2種以上組合(例如成為混合物)而使用。設作多層抗反射層時，其最外層係以使用SiO2及/或SiO為佳。要製造之物品為觸控面板用的光學玻璃構件時，亦可在基材(玻璃)表面的一部分具有透明電極、例如 使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等之薄膜。又，基材亦可按照其具體的規格而具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗佈膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。
基材的形狀係沒有特別限定。又，為形成表面處理層之基材的表面區域，係只要為基材表面的至少一部分即可，可按照要製造之物品的用途及具體的規格等而適當地決定。
作為此種基材，至少其表面部分係可以由原本具有羥基之材料所構成。作為此種材料，可舉出玻璃，又，可舉出在表面形成自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(特別是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或是如樹脂等，即便具有羥基亦不充分時、或原本不具有羥基之時，係可藉由對基材施予某些前處理，而將羥基導入於基材表面、或使羥基増加。作為此種前處理的例子，可舉出電漿處理(例如電暈放電)、離子束照射。電漿處理係在可將羥基導入於基材表面、或使羥基増加之同時，亦可適合利用於使基材表面清淨化(除去異物等)。又，作為此種前處理之另外的例子，可舉出藉由LB法(朗謬-布洛傑(Langmuir-Blodgett)法)、化學吸附法等將具有碳-碳不飽和鍵基之界面吸附劑預先以單分子膜的形態形成在基材表面，隨後，在含有氧、氮等之環境下使不飽和鍵開裂之方法。
又，或者作為此種基材，至少其表面部分亦可為由含有另外的反應性基、例如具有1個以上的Si-H 基之聚矽氧化合物、烷氧基矽烷之材料所構成者。
其次，在此種基材的表面，形成上述本發明的表面處理劑之膜，且按照必要將該膜進行後處理，藉此，由本發明的表面處理劑形成表面處理層。
形成本發明的表面處理劑之膜，係可藉由對基材表面以被覆該表面之方式，應用上述的表面處理劑而實施。被覆方法係沒有特別限定。例如，可使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
作為濕潤被覆法的例子，可舉出浸漬塗佈、旋轉塗佈、淋塗、噴霧塗佈、輥塗佈、凹版塗佈及類似的方法。
作為乾燥被覆法的例子，可舉出蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似的方法。作為蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)的具體例，可舉出使用電阻加熱、電子束、微波等之高頻加熱、離子束及類似的方法。作為CVD方法的具體例，可舉出電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。
而且，亦可以常壓電漿法進行被覆。
使用濕潤被覆法時，本發明的表面處理劑，係可以溶劑稀釋後，應用在基材表面。從本發明的表面處理劑之安定性及溶劑的揮發性的觀點而言，以使用以下的溶劑為佳：C5-12的全氟脂肪族烴(例如，全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴(例如，雙(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烴(例如，C6F13CH2CH3 (例如，旭硝子股份公司製的ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如，日本ZEON股份公司製的ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟碳(HFC)(例如，1,1,1,3,3-五氟丁烷(HFC-365mfc))；氫氯氟碳(例如，HCFC-225(ASAHIKLIN(註冊商標)AK225))；氫氟醚(HFE)(例如，全氟丙基甲醚(C3F7OCH3)(例如，住友3M股份公司製的Novec(商標名)7000)、全氟丁基甲醚(C4F9OCH3)(例如，住友3M股份公司製的Novec(商標名)7100)、全氟丁基乙醚(C4F9OC2H5)(例如，住友3M股份公司製的Novec(商標名)7200)、全氟己基甲醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如，住友3M股份公司製的Novec(商標名)7300)等的烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分枝狀)、或CF3CH2OCF2CHF2(例如，旭硝子股份公司製的ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000))、1,2-二氯-1,3,3,3-四氟-1-丙烷(例如，三井．Du Pont Fluorochemicals公司製的Vertrel(註冊商標)Sion)等。該等溶劑係可單獨、或組合2種以上而以混合物的方式使用。而且，例如為了調整含全氟(聚)醚基矽烷化合物的溶解性等，亦可混合另外的溶劑。
使用乾燥被覆法時，本發明的表面處理劑係可直接供至乾燥被覆法，或者亦可以上述的溶劑稀釋後，提供至乾燥被覆法。
為了本發明的表面處理劑在膜中產生水解及脫水縮合，膜形成係以與觸媒同時存在之方式實施為佳。簡便地，使用濕潤被覆法時，係以溶劑將本發明的表 面處理劑稀釋後，亦可在應用在基材表面之前，在本發明的表面處理劑之稀釋液添加觸媒。以乾燥被覆法進行時，係將添加有觸媒之本發明的表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理；或者亦可以使用使鐵、銅等的金屬多孔體含浸添加有觸媒之本發明的表面處理劑而成之丸粒狀物質，進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒係可使用任意適當的酸或鹼。作為酸觸媒，例如可使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，作為鹼觸媒，例如可使用氨、有機胺類等。
其次，按照必要而將膜進行後處理。該後處理係沒有特別限定，例如可以逐次地實施水分供給及乾燥加熱，更詳細地，可以如以下方式實施。
如上述方式而將本發明的表面處理劑在基材表面形成膜後，對該膜(以下，亦稱為「前驅物膜」)供給水分。供給水分的方法係沒有特別限定，例如可使用藉由前驅物膜(及基材)與周圍環境的溫度差之結露、吹附水蒸氣(steam)等方法。
認為若對前驅物膜供給水分，本發明的表面處理劑中之鍵結在含全氟(聚)醚基矽烷化合物的Si之可水解的基會與水產生作用，而使該化合物迅速地水解。
水分的供給係例如可在0至250℃、較佳為60℃以上、更佳為100℃以上，較佳為180℃以下，更佳為150℃以下的環境下實施。藉由在此種溫度範圍供給水分，可使其進行水解。此時的壓力係沒有特別限定，簡便 地係可設為常壓。
其次，在該基材表面將該前驅物膜於超過60℃之乾燥環境下進行加熱。乾燥加熱方法係沒有特別限定，將前驅物膜與基材同時在超過60℃，以超過100℃的溫度為佳，例如250℃以下，以180℃以下的溫度為佳，而且配置在不飽和水蒸氣壓的環境下即可。此時的壓力係沒有特別限定，簡便地係可設為常壓。
在此種環境下，在本發明之含PFPE的矽烷化合物間，水解後鍵結在Si的基之間迅速地進行脫水縮合。又，在此種化合物與基材之間，該化合物水解後鍵結在Si之基、與存在於基材表面之反應性基之間迅速地進行反應，而且存在於基材表面的反應性基為羥基時，係進行脫水縮合。其結果，在含全氟(聚)醚基矽烷化合物與基材之間形成鍵結。
上述的水分供給及乾燥加熱，可藉由使用過熱水蒸氣而連續地實施。
過熱水蒸氣係將飽和水蒸氣加熱至比沸點更高的溫度而得到的氣體，在常壓下加熱至超過100℃、通常為500℃以下，例如300℃以下的溫度且超過沸點之溫度而成為不飽和水蒸氣壓的氣體。在本發明中，從抑制含全氟(聚)醚基矽烷化合物的分解的觀點而言，較佳是將250℃以下、較佳為180℃以下的過熱水蒸氣使用於水分供給及乾燥加熱。將形成有前驅物膜之基材曝露在過熱水蒸氣時，首先，藉由過熱水蒸氣、與溫度較低的前驅物膜之 間的溫度差，而在前驅物膜表面產生結露，藉此，可對前驅物膜供給水分。不久，隨著過熱水蒸氣與前驅物膜之間的溫度差變小，前驅物膜表面的水分係因過熱水蒸氣而在乾燥環境中產生氣化，使得前驅物膜表面的水分量逐漸地降低。藉由在前驅物膜表面的水分量降低之期間，亦即前驅物膜在乾燥環境下之期間，基材表面的前驅物膜與過熱水蒸氣接觸，而被該過熱水蒸氣的溫度(在常壓下係超過100℃的溫度)加熱。因此，使用過熱水蒸氣時，只藉由將形成有前驅物膜之基材暴露在過熱水蒸氣，可連續地實施水分供給及乾燥加熱。
可如以上方式實施後處理。為了使摩擦耐久性進一步提升，而可實施此種後處理，希望注意這不是製造本發明的物品所必要的。例如在基材表面應用本發明的表面處理劑之後，亦可以只直接靜置。
如上述方式而在基材表面，形成源自本發明的表面處理劑膜之表面處理層，而可製造本發明的物品。藉此所得到的表面處理層，係具有較高的摩擦耐久性。又，該表面處理層係除了具有較高的摩擦耐久性以外，雖然亦取決於所使用的表面處理劑之組成，但亦可具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止附著指紋等的污染)、防水性(防止水浸入電子零件等)、表面滑性(或潤滑性、例如指紋等污染的擦去性、對手指之優異的觸感)等，而可適合利用作為功能性薄膜。
具有依照本發明所得到的表面處理層之物 品係沒有特別限定，可為光學構件。作為光學構件，例如可舉出下述的光學構件：例如，陰極線管(CRT：例如TV、個人電腦監視器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、電場放射顯示器(FED：Field Emission Display)等的顯示器或該等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、抗眩板、或是在該等表面施行抗反射膜處理而成者；眼鏡等的透鏡；行動電話、可攜式資訊終端設備等機器的觸控面板薄片；藍光(Blu-ray(註冊商標))碟片、DVD碟片、CD-R、MO等光碟片的碟片面；光纖；鐘錶的顯示面等。
依照本發明而得到之具有表面處理層之其它物品，可舉出窯業製品、塗裝面、布製品、皮革製品、醫療品及石膏(plaster)等。
又，依照本發明而得到之具有表面處理層之其它物品，亦可為醫療機器或醫療材料。
表面處理層的厚度係沒有特別限定。光學構件的情形，表面處理層的厚度為1至50nm，以1至30nm為佳，較佳為1至15nm的範圍，就光學性能、表面滑性、摩擦耐久性及防污性而言，乃較佳。
以上，詳述使用本發明的表面處理劑而得到的物品。又，本發明的表面處理劑的用途、使用方法或物品的製造方法等，係不被上述所例示者限定。
[實施例]
經由以下的實施例而更具體地說明本發明的表面處理劑，但是本發明係不被該等實施例限定。又，在本實施例中，以下所顯示的化學式係全部顯示平均組成。
使用下表1所顯示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物。分子量3000以下的化合物之比率，係依據GPC(凝膠滲透層析法)測定而求取。測定條件係顯示在以下。
(GPC測定)
使用將以下的管柱[昭和電工股份公司製]依照順序而串聯配管而成者進行測定。又，使用全氟聚醚油A、B、C而進行校正分子量。
．校正用試樣
全氟聚醚油A：數量平均分子量7250 Mw/Mn 1.08
全氟聚醚油B：數量平均分子量4180 Mw/Mn 1.08
全氟聚醚油C：數量平均分子量2725 Mw/Mn 1.08
．管柱
GPC KF-G(4.6mmI.D.×1cm)
GPC KF806L(8.0mmI.D.×30cm)
GPC KF806L(8.0mmI.D.×30cm)
．裝置
Malvern Instruments公司製GPCmax(HPLC系統)及、TDA-302(檢測器)
．洗滌液
ASAHIKLINAK225(HCFC-225)/1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇 [90/10(w/w)]
．試樣濃度
20mg/mL
*結構式A及B係如以下。
．結構式B CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3
** m之值係從19F-NMR所測定的值，Mn及Mw係從GPC 所測定的值。
使在下表所示的化合物，以成為濃度20wt%之方式溶解在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)而調製表面處理劑。將所調製的表面處理劑真空蒸鍍在化學強化玻璃(Corning公司製、「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上。真空蒸鍍的處理條件係設為壓力3.0×10-3Pa，首先，使用電子射線蒸鍍方式，使二氧化矽蒸鍍於化學強化玻璃表面，接著，化學強化玻璃每1片(55mm×100mm)，蒸鍍表面處理劑2mg(亦即，含有0.4mg含全氟(聚)醚基矽烷化合物)。隨後，將附蒸鍍膜的化學強化玻璃在溫度20℃及濕度65%的環境下靜置24小時。
(評價)
．摩擦耐久性評價
針對上述的實施例1至4及比較例1至4之表面處理層，測定水的靜態接觸角。水的靜態接觸角係使用接觸角測定裝置(協和界面科學公司製)且以水1μL實施。
首先，作為初期評價，係在形成表面處理層後，在其表面尚未任何接觸的狀態下，測定水的靜態接 觸角(摩擦次數 零次)。
隨後，作為摩擦耐久性評價，係實施鋼絲絨摩擦耐久性評價。具體而言，係將形成有表面處理層之基材水平配置且使鋼絲絨(支數(號數)#0000、尺寸5mm×10mm×10mm)接觸於表面處理層的露出上面，而且在其上賦予1,000gf的荷重，隨後，在施加有荷重之狀態下以140mm/秒的速度使鋼絲絨往返。在每一定的往返次數測定水的靜態接觸角(度)(接觸角之測定值小於100度的時點中止評價。又，針對實施例2係因鋼絲絨摩耗掉，在20,000次中止評價。將結果表示在下表。
表3的結果可知，分子量3000以下的化合物之比率在本發明的範圍內之表面處理劑(實施例1至4)，係可確認出顯示優異的摩擦耐久性。另一方面，相較 於上述本發明的表面處理劑，分子量3000以下的化合物之比率比9.0mol%更高的表面處理劑(比較例1至4)，其摩擦耐久性較差。本發明係不被任何的理論束縛，惟可認為這是因為分子量3000以下的化合物之比率太高時，該低分子量的化合物先與基材鍵結，而阻礙具有較高的功能之高分子量的化合物與基材鍵結之緣故。
[產業上之利用可能性]
本發明係可適合被利用在各種各式各樣的基材、特別是用以在被要求透射性之光學構件表面形成表面處理層。

Claims (34)

  1. 一種表面處理劑，其係含有下述通式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)的任一者表示之至少1種含全氟(聚)醚基矽烷化合物： (Rf-PFPE) β’ -X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B1) (R 2 3-n R 1 n Si) β -X 5 -PFPE-X 5 -(SiR 1 n R 2 3-n ) β ．．．(B2) (Rf-PFPE) γ’ -X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C1) (R c m R b l R a k Si) γ -X 7 -PFPE-X 7 -(SiR a k R b l R c m ) γ ．．．(C2)[式中：PFPE係在每次出現時各自獨立地為以下述式表示之基：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d係各自獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和為至少1，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；Rf係在每次出現時各自獨立地表示可被1個或多 於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R2係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；R11係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或鹵素原子；R12係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；n係在每個(-SiR1 nR2 3-n)單元獨立地為0至3的整數；但是，在式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)中，存在至少1個R2；X1係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2係在每次出現時各自獨立地表示單鍵或2價的有機基；t係在每次出現時各自獨立地為1至10的整數；α係各自獨立地為1至9的整數；α’係各自獨立地為1至9的整數；X5係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β係各自獨立地為1至9的整數；β’係各自獨立地為1至9的整數；X7係各自獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ係各自獨立地為1至9的整數；γ’係各自獨立地為1至9的整數； Ra係在每次出現時各自獨立地表示-Z-SiR71 pR72 qR73 r；Z係在每次出現時各自獨立地表示氧原子或2價的有機基；R71係在每次出現時各自獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra同意義；Ra中，透過Z基而被直鏈狀地連結之Si係最大為5個；R72係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；R73係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；p係在每次出現時各自獨立地表示0至3的整數；q係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；r係在每次出現時各自獨立地為0至3的整數；但是，在1個Ra中，p、q及r的和為3，在式(C1)及(C2)中，存在至少1個R72；Rb係在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解的基；Rc係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基；k係在每次出現時各自獨立地為1至3的整數；l係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數；m係在每次出現時各自獨立地為0至2的整數； 但是，在附有γ且以括弧括起之單元，k、l及m的和為3]，上述通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為9mol%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理劑，其中通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為7mol%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理劑，其中通式表示之含全氟(聚)醚基矽烷化合物之中，分子量為3000以下的含全氟(聚)醚基矽烷化合物之比率為5mol%以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中Rf為碳數1至16的全氟烷基。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之表面處理劑，其中PFPE為以下的式(i)至(iv)的任一者表示之基：-(OCF2CF2CF2)b- (i)[式中，b為1至200的整數]-(OCF(CF3)CF2)b- (ii)[式中，b為1至200的整數]-(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d- (iii) [式中，a及b係各自獨立地為0或1至30的整數，c及d係各自獨立地為1至200的整數，附有下標a、b、c或d且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]，或-(OC2F4-R8)f- (iv)[式中，R8係選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基；f為2至100的整數]。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7係各自獨立地為2至4價的有機基，α、β及γ係各自獨立地為1至3，α’、β’及γ’為1。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7為2價的有機基，α、β及γ為1，α’、β’及γ’為1。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7係各自獨立地為-(R31)p’-(Xa)q’-表示之基，[式中：R31係表示單鍵、-(CH2)s’-(式中，s’為1至20的整數)或鄰、間或對伸苯基；Xa係表示-(Xb)l’-(式中，l’為1至10的整數)；Xb係在每次出現時各自獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、 -(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(式中，m’為1至100的整數)、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-(式中，n’為1至20的整數)所組成群組之基；R33係在每次出現時各自獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；R34係在每次出現時各自獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基；p’為0或1；q’為0或1；在此，p’及q’的至少一方為1，附有p’或q’且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；R31及Xa係亦可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代]。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7係各自獨立地選自由下述基所組成群組者：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、 -CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2- -CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之表面處理劑，其中X1為-O-CFR13-(CF2)e-，R13係表示氟原子或低級氟烷基，e為0或1。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之表面處理劑，其中X2為-(CH2)s-，s為0至2的整數。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之表面處理劑，其中k為3，Ra中，q為3。
  13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7係各自獨立地為3至10價的有機基。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之表面處理劑，其中X1、X5及X7係各自獨立地選自由下述式所組成群組者： [式中，在各基，T之中至少1個係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中為鍵結在PFPE之下列的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意味著苯基)、及 其他的T之中至少1者，係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中為鍵結在碳原子或Si原子之-(CH2)n-(n為2至6的整數)，其餘者係各自獨立地為甲基、苯基、碳數1至6的烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基，R41係各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷氧基或碳數1至6的烷基，R42係各自獨立地表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基]。
  15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基矽烷化合物係式(A1)及(A2)的任一者表示之至少1種化合物。
  16. 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基矽烷化合物為式(B1)及(B2)的任一者表示之至少1種化合物。
  17. 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基矽烷化合物係式(C1)及(C2)的任一者表示之至少1種化合物。
  18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項所述之表面處理 劑，其進一步含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種或多於1種的其它成分。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之表面處理劑，其中含氟油係式(3)表示之1種或多於1種的化合物：R21-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-R22．．．(3)[式中：R21係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R22係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基、氟原子或氫原子；a’、b’、c’及d’係各自表示構成聚合物的主骨架之全氟(聚)醚的4種重複單元之數目，而且互相獨立地為0以上300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和為至少1，附有下標a’、b’、c’或d’且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
  20. 如申請專利範圍第18或19項所述之表面處理劑，其中含氟油係式(3a)或(3b)表示之1種或多於1種的化合物：R21-(OCF2CF2CF2)b”-R22．．．(3a) R21-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-R22．．．(3b)[式中：R21係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基； R22係表示可被1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基、氟原子或氫原子；在式(3a)中，b”為1以上且100以下的整數；在式(3b)，a”及b”係各自獨立地為0以上且30以下的整數，c”及d”係各自獨立地為1以上且300以下的整數；附有下標a”、b”、c”或d”且以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基矽烷化合物與式(3b)表示之化合物之質量比為10：1至1：10。
  22. 如申請專利範圍第20或21項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基矽烷化合物與式(3b)表示之化合物之質量比為4：1至1：4。
  23. 如申請專利範圍第20至22項中任一項所述之表面處理劑，其中式(3a)表示之化合物係具有2,000至8,000的數量平均分子量。
  24. 如申請專利範圍第20至23項中任一項所述之表面處理劑，其中式(3b)表示之化合物係具有8,000至30,000的數量平均分子量。
  25. 如申請專利範圍第20至23項中任一項所述之表面處理劑，其中式(3b)表示之化合物係具有3,000至8,000的數量平均分子量。
  26. 如申請專利範圍第1至25項中任一項所述之表面處理 劑，其進一步含有溶劑。
  27. 如申請專利範圍第1至26項中任一項所述之表面處理劑，係使用作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
  28. 如申請專利範圍第1至27項中任一項所述之表面處理劑，係真空蒸鍍用者。
  29. 一種丸粒，係含有如申請專利範圍第1至28項中任一項所述之表面處理劑。
  30. 一種物品，係包含基材、及在該基材表面使用如申請專利範圍第1至28項中任一項所述之表面處理劑形成之層。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之物品，其中基材為玻璃或藍寶石玻璃。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之物品，其中玻璃係選自由鈉鈣玻璃、鹼矽酸鋁玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃及石英玻璃所組成群組之玻璃。
  33. 如申請專利範圍第30至32項中任一項所述之物品，其中前述物品為光學構件。
  34. 如申請專利範圍第30至32項中任一項所述之物品，其中前述物品為顯示器。
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