TWI644574B - 發音裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種使支持磁鐵與線圈之軛和銜鐵之固定狀態穩定，抑制磁性電路之阻抗之變動，而能夠減少所謂之長音現象之雜訊的發音裝置及其製造方法。 本發明之銜鐵32具有：固定部32a、延伸部32b、彎曲部32c、及可動部32d。將銜鐵32之可動部32d插入線圈27之內部並與磁鐵24、25對向，且使固定部32a與軛21之外表面21b重合。將固定部32a之2個緣部32f、32f與軛21之外表面21b雷射點熔接，而形成4處熔接部51、51、52、52。

Description

發音裝置及其製造方法

本發明係關於一種將銜鐵之基部側之固定部固定於支持磁鐵之軛之外表面之構造的發音裝置。

在專利文獻1中記載有一種有關作為發音裝置之接收器及其製造方法的發明。 在專利文獻1中說明了：先前，以電阻熔接將銜鐵與磁性堆疊固定，並指出：電阻熔接容易對熔接部位造成損傷，且由於該種接收器較小而難以控制熔接部位。 因而，在專利文獻1所記載之發明中，利用雷射熔接將銜鐵之端部之2個緣部和磁性堆疊在2處熔接。在專利文獻1中說明了：根據該方法有以下優點，即：由於熔接部位並不限定於銜鐵周緣部，而能夠減少對磁性堆疊賦予之熱量。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]美國 6,654,477B1 公報

[發明所欲解決之問題] 專利文獻1所記載之接收器及其製造方法藉由以雷射熔接固定銜鐵之緣部，而能夠以最少之熱固定銜鐵與磁性堆疊。 然而，由於在靠近銜鐵之最基部側之端部之2處將銜鐵之緣部與磁性堆疊熔接，故在利用磁性驅動電路將銜鐵往板厚之朝向方向驅動時，銜鐵之基部與磁性堆疊之表面之間之磁間隙的厚度容易變動。其結果為，阻抗變得不穩定，容易以特定之頻域產生共振，而容易在發音狀態下產生所謂之長音現象等之雜訊。 本發明係解決上述先前之課題者，其目的在於提供一種將銜鐵與軛之熔接點設定為最少，而且使阻抗穩定，而能夠減少所謂之長音現象等之雜訊的發音裝置及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之發音裝置在殼體內設置有：由磁性材料形成之軛、由前述軛支持之磁鐵及與前述磁鐵並排之線圈、由磁性材料之板材形成之銜鐵、以及振動體，該發音裝置之特徵在於： 在前述銜鐵形成：朝向第1方向且與前述軛之外表面重合之固定部、自前述固定部朝與第1方向逆向之第2方向延伸之延伸部、及自前述延伸部彎曲並朝第1方向延伸之可動部，且前述可動部通過前述線圈之內部與前述磁鐵對向，前述可動部與前述振動體被連結； 於在與第1方向及第2方向正交之正交方向上遠離之2處基準熔接部，將前述固定部之對向之2個緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接； 在較前述基準熔接部位於更於第1方向遠離之位置之至少1處附加熔接部，將前述固定部之緣部與前述外表面點熔接。 本發明之發音裝置，較佳的是，將前述固定部之與形成有前述基準熔接部相同之2個前述緣部分別與前述外表面熔接，而形成前述附加熔接部。 亦即，本發明之發音裝置係將前述附加熔接部在2處以上形成為偶數個部位者。 本發明之發音裝置，較佳的是，前述基準熔接部設置於與前述軛之第2方向側之端部大致一致之位置。 又，本發明係一種發音裝置之製造方法，其係用於製造發音裝置者，該發音裝置在殼體內設置有：由磁性材料形成之軛、由前述軛支持之磁鐵及與前述磁鐵並排之線圈、由磁性材料之板材形成之銜鐵、以及振動體，該發音裝置之製造方法之特徵在於： 在前述銜鐵形成：朝向第1方向之固定部、自前述固定部朝與第1方向逆向之第2方向延伸之延伸部、及自前述延伸部彎曲並朝第1方向延伸之可動部； 使前述可動部插入前述線圈之內部並與前述磁鐵對向，且將前述固定部與前述軛之外表面重合； 將位於與前述固定部之第1方向及第2方向正交之正交方向上之2個緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接； 使前述軛相對於熔接裝置相對地朝第1方向或第2方向移動，進而將前述固定部之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接，而將前述固定部固定於前述軛之外表面； 之後，將前述可動部與前述振動體連結。 在本發明之發音裝置之製造方法中，較佳的是，在最初將前述固定部之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接而形成基準熔接部，之後，使前述軛相對於熔接裝置相對地朝第2方向移動，在自前述基準熔接部朝第1方向遠離之位置將前述固定部之對向之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接而形成附加熔接部。 本發明之發音裝置之製造方法係將前述附加熔接部在2處以上形成為偶數個部位者。 本發明之發音裝置之製造方法係例如以下者，即：前述熔接裝置具有在前述正交方向上對向之2處雷射發光部，使雷射光自2處前述雷射發光部朝向前述固定部之2個前述緣部，以彼此接近之朝向傾斜地照射，而進行熔接。 [發明之效果] 本發明之發音裝置藉由在設置於銜鐵之基部側之固定部之對向之2個緣部與軛之外表面之間形成2處基準熔接部，而能夠規定有助於銜鐵之振動之部分的長度。藉此，能夠使銜鐵之振幅等均一化。 再者，由於藉由在較基準熔接部更於第1方向遠離之位置，在附加熔接部將固定部之緣部與軛之外表面熔接，而能夠管理形成於銜鐵之固定部與軛之外表面之間的磁間隙之厚度，且能夠抑制磁間隙之變動，故阻抗之變動變少，而能夠減少所謂之長音等之雜訊。 又，本發明之發音裝置之製造方法，由於在形成基準熔接部後，使軛與銜鐵相對於熔接裝置相對地移動而形成附加熔接部，故即便設置於熔接裝置之雷射發光部之數目為最少，仍能夠在高精度之位置形成複數個部位之熔接部。

＜發音裝置1之構造＞ 如圖1及圖2等所示，本發明之實施形態之發音裝置1具有殼體2。殼體2包含第1殼體3及第2殼體4。第1殼體3係下殼體，第2殼體4係上殼體，均由非磁性金屬板或磁性金屬板經壓製加工而形成。 如圖2所示，第1殼體3具有：底部3a、包圍4個側面之側壁部3b、及側壁部3b之上端之開口端部3c。第2殼體4具有：天花板部4a、包圍4個側面之側壁部4b、及側壁部之下端之開口端部4c。第1殼體3之內部空間較第2殼體4之內部空間更寬廣，第2殼體4作為第1殼體3之蓋體而發揮功能。 如圖3及圖6所示，在第1殼體3之開口端部3c與第2殼體4之開口端部4c之間夾著框架5。如圖2所示，框架5係由Z方向之厚度尺寸為均一之非磁性材料或磁性材料之金屬板材形成。在框架5之中央部，開口部5c貫通上下而形成。開口部5c係矩形狀之孔。 框架5之圖示上表面之前述開口部5c之周邊部分成為振動體安裝面5b。振動體安裝面5b係邊框形狀之平面。在框架5中，與振動體安裝面5b之周圍整個外周一體地形成厚度尺寸變薄之被夾持部6。如圖3、圖4、及圖6所示，在被夾持部6中，與振動體安裝面5b朝向相同之側之上表面係上側接合接觸面6b。在振動體安裝面5b與上側接合接觸面6b之間形成有階差部7。 該框架5係藉由將厚度尺寸為均一之金屬板材壓製加工而製造。開口部5c係藉由沖壓金屬板材而形成。又，將振動體安裝面5b之周圍部分以Z方向之厚度尺寸變薄之方式予以壓潰加工而形成被夾持部6。藉由進行該壓潰加工，而能夠形成被夾持部6，且提高框架5之剛性。 框架5之圖示下表面之開口部5c之周圍部分係驅動機構安裝面5a，前述被夾持部6之朝向圖示下側之面係下側接合接觸面6a。驅動機構安裝面5a與下側接合接觸面6a係同一平面。惟，在驅動機構安裝面5a與下側接合接觸面6a之間還能夠設置階差部。 如圖3及圖4所示，在框架5之圖示上側之振動體安裝面5b安裝有振動體10。振動體10包含振動板11及振動支持片材12。振動板11包含鋁或SUS 304等之薄的金屬材料，壓製成形用於根據需要增強彎曲強度之肋。此外，在圖6中顯示有形成於振動板11之肋之隆起形狀，但在圖2中省略肋之圖示。振動支持片材12係較振動板11更容易撓曲變形者，包含例如PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、耐隆或聚胺基甲酸酯等之樹脂片(樹脂膜)。 振動板11與振動支持片材12係矩形狀且係長方形。振動板11之面積小於框架5之開口部5c之開口面積，振動支持片材12之面積大於振動板11。如圖6所示，振動板11係使用接著劑接著於振動支持片材12之下表面而固定。振動支持片材12之外周緣部12a較振動板11之外周緣更朝周圍突出，該外周緣部12a係經由接著劑固定於框架5之邊框形狀之上表面即振動體安裝面5b。振動板11因振動支持片材12之撓曲及彈性而可以如下之方式振動，即：以支點側端部11c為支點，而自由端11b朝Z方向變位。支持側端部11c與自由端11b在圖2、圖3、及圖4中出現。 如圖2、圖3、及圖4所示，在框架5安裝有磁場產生單元20、線圈27、及銜鐵32。磁場產生單元20具有：第1軛21、及第2軛22。構成第1軛21及第2軛22之軟磁性材料係Ni-Fe合金，含有Ni為17質量%以上50質量%以下。 如圖2所示，第2軛22彎曲為U字形狀，形成有：底面部22a、及在X方向之兩側朝向上方彎折之一對側面部22b、22b。側面部22b、22b之上端部接合於平板形狀之第1軛21之內面21a，以雷射點熔接等將第1軛21及第2軛22固定。若將第1軛21及第2軛22固定，則第2軛22之底面部22a之內面與第1軛21之內面21a平行地對向。 如圖2至圖4及圖6所示，在磁場產生單元20中，將第1磁鐵24固定於第1軛21之內面21a，將第2磁鐵25固定於第2軛22之底面部22a之內面。以第1磁鐵24之磁化面24a及第2磁鐵25之磁化面25a成為彼此相反之極性之方式將各磁鐵24、25磁化。在第1磁鐵24之磁化面24a與第2磁鐵25之磁化面25a之間，在Z方向上設定間隔δ。 如圖2、及圖3所示，在與磁場產生單元20並排之位置設置線圈27。線圈27以在Y方向上延伸之捲軸為中心將被覆導線以周繞之方式捲繞。線圈27之朝向Y方向之捲繞端部27a接著於第1軛21及第2軛22而固定。此外，可行的是，在第1軛21之朝向下方之外表面固定有由非磁性材料形成之支持板，線圈27之朝向下方之捲繞外側部接著於支持板上。 如圖2、圖3、及圖4所示，在發音裝置1設置有銜鐵32。銜鐵32由厚度為均一之磁性材料之金屬板材形成，例如包含Ni-Fe合金。銜鐵32係以壓製加工自金屬板材切出並彎折而形成。 在各圖中，Y1方向係第1方向，Y2方向係第2方向。銜鐵32之Y1側之基部係成為與第1軛21之朝向上方之外表面21b重合之部分的固定部32a。自固定部32a一體地形成有在Y2方向上延伸之延伸部32b。固定部32a與延伸部32b之X方向之寬度尺寸均一。惟，在固定部32a與延伸部32b，寬度尺寸可不同。延伸部32b之Y2側之端部在彎曲部32c呈U字形狀彎曲，較彎曲部32c更靠下之部分成為在Y1方向上延伸之可動部32d。固定部32a及延伸部32b和可動部32d彼此平行。如圖2所示，銜鐵32之可動部32d之自由端側亦即Y1側之前部32e之X方向之寬度尺寸變小，在前部32e處連結孔32f貫通上下而形成。 如圖3、圖4、及圖5所示，銜鐵32之固定部32a固定於第1軛21之朝向上方之外表面21b。如圖7至圖9所示，固定部32a與外表面21b在以雷射點熔接形成之複數部位之熔接部被固定。銜鐵32之可動部32d插入線圈27之捲繞空間27c之內部，並進一步插入第1磁鐵24與第2磁鐵25之間隔δ內，並與兩磁鐵24、25對向。銜鐵32之前部32e較第1磁鐵24及第2磁鐵25更朝Y1側凸出。 如圖3及圖4所示，第1軛21之朝向上方之外表面21b接合於框架5之下表面之驅動機構安裝面5a而固定。如圖5及圖6所示，第1軛21係以朝X方向橫貫框架5之開口部5c之方式設置，第1軛21之X方向之兩端部接合於框架5之驅動機構安裝面5a，以雷射點熔接將第1軛21與框架5固定。藉由將第1軛21與框架5固定，而磁場產生單元20係以框架5之驅動機構安裝面5a為基準而固定。 如圖5所示，將銜鐵32之固定部32a與延伸部32b予以合算之面積小於框架5之開口部5c之開口面積。因而，若將第1軛21之外表面21b固定於框架5之下表面即驅動機構安裝面5a，則如圖6所示，固定於前述外表面21b之銜鐵32之固定部32a及延伸部32b進入框架5之開口部5c之內部。固定部32a及延伸部32b之Z方向之厚度尺寸較框架5之Z方向之厚度尺寸變小，在相同地位於開口部5c內之振動板11與銜鐵32之固定部32a及延伸部32b之間，以振動板11能夠在Z方向上振動之方式空出Z方向之間隙。 如圖4所示，振動板11之自由端11b與銜鐵32之可動部32d之Y1側之前部32e係以傳遞體33連結。傳遞體33係包含金屬或合成樹脂之針狀構件，例如由SUS 202之銷件形成。傳遞體33之上端33a插入形成於振動板11之安裝孔11e，以接著劑或焊接將振動板11與傳遞體33固定。傳遞體33之下端部33b插入形成於可動部32d之前部32e之連結孔32f，以雷射點熔接或接著劑或者焊接將傳遞體33與前部32e固定。傳遞體33上下橫貫框架5之開口部5c內，傳遞體33之一部分位於開口部5c之內部。 如圖3及圖6所示，與框架5之外周一體地形成之被夾持部6被夾於第1殼體3之開口端部3c與第2殼體4之開口端部4c之間而固定。第1殼體3之開口端部3c抵接於被夾持部6之下表面即下側接合接觸面6a，第2殼體4之開口端部4c抵接於被夾持部6之上表面即上側接合接觸面6b。以雷射點熔接將第1殼體3及第2殼體4與被夾持部6固定，或以樹脂密封來固定，而完成圖1所示之發音裝置1。 框架5在其周圍整個區域一體地形成有被夾持部6，並形成有振動體安裝面5b與被夾持部6之上表面即上側接合接觸面6b之間之階差部7。因而，上側接合接觸面6b與第2殼體4之開口端部4c之接合部和振動體安裝面5b介隔著階差部7而不連接。因存在前述階差部7，而能夠防止在振動體安裝面5b中接著振動支持片材12之外周緣部12a之接著劑附著於上側接合接觸面6b與開口端部4c之接合部。 若框架5被夾於第1殼體3與第2殼體4之間而固定，則由振動板11與振動支持片材12將殼體2之內部之空間予以上下區分。較振動板11及振動支持片材12更靠上側之第2殼體4之內部之空間係發音側空間，發音側空間自形成於第2殼體4之側壁部4b之發音口4d與外部空間連通。 如圖3所示，在殼體2之外側固定有與前述發音口4d連通之發音噴嘴41。如圖2及圖3所示，在第1殼體3之底部形成有吸氣/排氣口3d，較振動板11及振動支持片材12更靠下側之第1殼體3之內部空間利用吸氣/排氣口3d與外部大氣連通。如圖2所示，在第1殼體3之側壁部3b，一對配線孔3e開口，如圖3所示，構成線圈27之導線之一對終端部27b分別自配線孔3e被抽出至外部。在殼體之側壁部3b之外部固定有基板42，終端部27b在形成於基板42之小孔內通過。藉由將該小孔封塞，而自外側將配線孔3e封閉。 ＜發音裝置1之動作＞ 其次，說明發音裝置1之動作。 若對線圈27賦予聲音電流，則以在線圈27誘發之磁場、及在第1磁鐵24之磁化面24a與第2磁鐵25之磁化面25a之間產生之磁場，對銜鐵32之可動部32d賦予朝Z方向之振動力。該振動經由傳遞體33被傳遞至振動板11。以振動支持片材12支持之振動板11以支點側端部11c為支點而自由端11b朝Z方向擺動地振動，而將振動傳遞至振動板11，在第2殼體4之內部之發音空間產生音壓，該音壓自發音口4d朝外部輸出。 ＜第1軛21與銜鐵32之固定＞ 圖7顯示第1實施形態(第1實施例)。 銜鐵32之Y1方向係第1方向，其Y2方向係第2方向。與第1方向及第2方向正交之方向即X方向係正交方向。如圖7(A)所示，銜鐵32之固定部32a具有在正交方向(X方向)上對向之緣部32f、32f。在各個緣部32f與第1軛21之外表面21b之間形成有基準熔接部51、51、及附加熔接部52、52。 基準熔接部51、51係於在X方向上延伸之基準線La上在X方向上隔以間隔而配置。較佳的是，基準線La與第1軛21之朝向Y2方向之端邊21c一致，或設定在極其接近端邊21c之位置。若在基準線La上設置基準熔接部51、51，則可規定銜鐵32自基準線La之位置起朝Y2方向的突出長度。藉由規定自基準線La起直至銜鐵32之彎曲部32c為止之突出長度，而能夠設定銜鐵32之振幅及固有頻率。 圖12顯示在使形成基準熔接部51、51之基準線La形成於極其接近第1軛21之朝向Y2方向之端邊21c之位置的發音裝置1中，改變自基準線La起直至銜鐵32之彎曲部32c為止之自由長度時的可動部32d之最大振幅之變化。由於發音裝置1為小型，故此處，如圖4及圖7(B)所示，藉由改變自第1軛21之Y1側之端部起直至銜鐵32之彎曲部32c為止的Y方向之尺寸A，而使自形成有基準熔接部51、51之基準線La起直至彎曲部32c為止的銜鐵32之突出尺寸變化。 試製使前述尺寸A自3.814 mm變化至3.943 mm的發音裝置1。在圖12中顯示對線圈27賦予100 Hz之驅動電流時的銜鐵32之可動部32d之Z方向之振幅的最大值。在將尺寸A設定為3.814 mm時之最大振幅為31.5 μm，在將尺寸A設定為3.943 mm時之最大振幅為56 μm。如此，自基準線La起直至彎曲部32c為止之距離僅變化0.129 mm，即使得可動部32d之振幅竟變化1.78倍。因而，藉由管理尺寸A且使基準熔接部51、51在X方向上隔以間隔地形成於基準線La上，而能夠減少自銜鐵32之基準線La朝Y2方向延伸之部分、亦即朝Z方向振動之部分之長度的不均一。其結果為，使可動部32d之最大振幅一致為最佳值，而能夠實現振幅之均一化。 其次，在發音裝置1中，如圖7所示，在較基準熔接部51、51更朝第1方向(Y1方向)遠離之位置，在銜鐵32之固定部32a之緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b之間形成有附加熔接部52、52。藉由除基準熔接部51、51外還形成附加熔接部52、52，而能夠相對於第1軛21之外表面21b確實地固定銜鐵32之固定部32a，並能夠穩定地形成在固定部32a之下表面與第1軛21之外表面21b之間形成的磁間隙。其結果為，能夠使包含軛21、22、磁鐵24、25、線圈27、及銜鐵32之磁性驅動電路之阻抗之變動較低，而能夠減少所謂之長音等之雜訊。 為了將銜鐵32之固定部32a之整體穩定地固定於第1軛21之外表面21b而較佳的是，將形成有基準熔接部51、51之基準線La設定於接近第1軛21之Y2側之端邊21c之位置，且使附加熔接部52、52形成於接近固定部32a之朝向Y1側之緣部32g之位置。 藉由附加熔接部52在固定部32a之朝向Y1方向之緣部32g之X方向之中央部僅形成1處，而仍有能夠以基準熔接部51、51及附加熔接部52將固定部32a穩定地固定於第1軛21之外表面21b的效果。惟，如圖7(A)所示，藉由設置偶數個附加熔接部52、52，且將附加熔接部52、52在X方向上並排之行之中心線與基準線La平行地設定，而能夠進一步將固定部32a穩定地固定於第1軛21之外表面21b。 圖8顯示第2實施形態(第2實施例)。 該發音裝置1於在與第1軛21之朝向Y2側之緣邊21c一致或極其接近之位置於X方向上延伸之基準線La上將固定部32a之2個緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b熔接，而形成基準熔接部51、51。又，在較基準線La更靠Y1側，在靠近固定部32a之朝向Y1方向之緣部32g之位置形成2個附加熔接部52a、52a。再者，在基準熔接部51、51與附加熔接部52a、52a之間形成附加熔接部52b、52b。 圖9顯示第3實施形態(第3實施例)。 該發音裝置1於在與第1軛21之朝向Y2側之緣邊21c一致或極其接近之位置於X方向上延伸之基準線La上將固定部32a之2個緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b熔接，而形成基準熔接部51、51。又，在較基準線La更靠Y1側，在靠近固定部32a之朝向Y1方向之緣部32g之位置形成2個附加熔接部52a、52a。再者，在基準熔接部51、51與附加熔接部52a、52a之間形成附加熔接部52b、52b及附加熔接部52c、52c。亦即，圖8所示之第2實施形態在4處形成附加熔接部，圖9所示之第3實施形態在6處形成附加熔接部。 在圖11中顯示在發音裝置1之製造方法中，將銜鐵32之固定部32a固定於第1軛21之外表面21b之步驟。 將包含軛21、22及磁鐵24、25之磁場產生單元20與線圈27一體化而成之磁性驅動部設置於朝Y方向移動之載台55並以治具固定。銜鐵32將可動部32d插入線圈27之捲繞空間27c之內部並與第1磁鐵24及第2磁鐵25對向，且以治具等將固定部32a定位於第1軛21之外表面21b而臨時固定。 自熔接裝置之2個雷射發光部56、56照射雷射光57、57。相對於固定部32a之2個緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b之兩者，以隨著朝向照射方向，諸條雷射光成為彼此接近之朝向之方式傾斜地照射2條雷射光56、56，而形成基準熔接部51、51。藉由在最初形成基準熔接部51、51，而能夠決定圖4所示之直至銜鐵32之彎曲部32c為止之長度尺寸A。 在形成基準熔接部51、51後，使載台55朝Y2方向移動，自相同之雷射發光部56、56相對於2個緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b之兩者照射2條雷射光57、57，而形成圖7所示之附加熔接部52、52。或，如圖8所示般形成附加熔接部52a、52a及附加熔接部52b、52b。或，如圖9所示般形成附加熔接部52a、52a、附加熔接部52b、52b、及附加熔接部52c、52c。 在發音裝置1之製造方法中，在將銜鐵32固定於第1軛21後，進而，如圖4所示般將第1軛21固定於具有振動板11之框架5。而後，以將框架5夾於第1殼體3與第2殼體4之間之方式組裝。 在圖11所示之熔接方法中，只要在熔接裝置具備2個雷射發光部56、56即可，能夠將雷射發光部56、56之數目設定為最少。又，藉由使載台55朝Y2方向移動，而能夠利用相同之雷射能量以相同之接合強度形成基準熔敷部51及附加熔敷部52(52a、52b、52c)。又，藉由使雷射光57、57以傾斜之朝向照射至固定部32a之2個緣部32f、32f與第1軛21之外表面21b的接合部，而可將緣部32f、32f之緣端面與外表面21b高精度地牢固地熔接。 又，藉由在最初形成基準熔接部51、51，在決定銜鐵32自基準線La起朝Y2方向之突出長度後，形成附加熔敷部52(52a、52b、52c)，而能夠高精度地決定前述突出長度，且能夠使固定部32a與第1軛21之外表面21b之間之磁間隙穩定。惟，在本發明中，可在首先形成附加熔敷部52(52a、52b、52c)後，形成基準熔接部51、51。 (1)第1實施例 成為第1實施例之發音裝置1係如圖7所示般，以2處基準熔接部51、51及2處附加熔接部52、52將銜鐵32之固定部32a與第1軛21之外表面21b固定。熔接部總計為4處。 將第1軛21及第2軛22之板厚設定為0.35 mm，將圖2所示之軛21、22之Y方向之寬度尺寸W1設定為1.6 mm，將第2軛22之X方向之寬度尺寸W2設定為2.7 mm，將磁場產生單元20之Z方向之高度尺寸H設定為1.8 mm。作為第1磁鐵24與第2磁鐵係使用AlNiCo磁鐵。將線圈27之捲繞數設定為200匝。 銜鐵32係PB坡莫合金、亦即包含Ni為45質量%之Fe-Ni合金，且使用板厚為0.15 mm、圖2所示之X方向之寬度尺寸Wa為1.8 mm、圖4所示之Y方向之長度A為3.94 mm、高度h為1.125 mm者。 振動板11由板厚為0.05 mm之鋁材形成。 (2)第2實施例 成為第2實施例之發音裝置1係如圖8所示般，以2處基準熔接部51、51及總計4處附加熔接部52a、52a，52b、52b將銜鐵32之固定部32a與第1軛21之外表面21b固定。熔接部總計為6處。 其他之尺寸等係與第1實施例相同。 (3)第3實施例 成為第3實施例之發音裝置1係如圖9所示般，以2處基準熔接部51、51及總計6處附加熔接部52a、52a、52b、52b及52c、52c將銜鐵32之固定部32a與第1軛21之外表面21b固定。熔接部總計為8處。 其他之尺寸等係與第1實施例相同。 (4)比較例 如圖10所示，將僅以2處熔接部53、53將銜鐵32之固定部32a與第1軛21之外表面21b固定者作為比較例。熔接部53、53形成於第1軛21之Y方向之中心位置。 其他之尺寸等係與第1實施例相同。 (5)阻抗與雜訊變動 在圖13中顯示第1實施例之發音裝置之特性。圖13(A)之虛線曲線顯示以1 mW驅動時之音壓相對於頻率(橫軸：Hz)之變化(縱軸：dB)。實線曲線顯示以1 mW驅動時之阻抗相對於頻率(左側縱軸：Hz)之變化(右側縱軸：Ω)。圖13(B)顯示阻抗之變化率。橫軸係頻率(Hz)，縱軸表示將無變動設定為「1」時之阻抗之變動比。 在圖14(A)中顯示第3實施例之音壓位準之變化(虛線曲線)與阻抗變化(實線曲線)。在圖14(B)中顯示第2實施例與第3實施例之阻抗之變化率。 在圖15(A)、及圖15(B)中顯示比較例之發音裝置之特性。 在圖13(A)、圖14(A)、及圖15(A)所示之實線曲線之阻抗變化中，如以(i)表示般，在4.5 ｋHz附近產生共振。又，在圖13(B)、圖14(B)、及圖15(B)中，如以(ii)表示般，相同地在4.5 ｋHz附近之頻寬下阻抗之變化率變大。 能夠預測該阻抗之共振之原因係銜鐵32被朝Z方向振動驅動時的固定部32a與第1軛21之外表面21a之間之磁間隙的變動。 在圖15所示之比較例中，以(i)表示之阻抗之共振較大地出現，以(ii)表示之阻抗之變動比亦變大。此係由於在銜鐵32振動時，僅以2處熔接部53、53熔接之固定部32a係如在圖10(B)中以虛線表示般容易不穩定地動作，而固定部32a與第1軛21之外表面21b之磁間隙容易變動之故。相對於此，如圖13所示，在第1實施例中抑制阻抗之共振與變動比，如圖14所示，在第2實施例與第3實施例中進一步抑制阻抗之共振與變動比。 在圖16中，在橫軸顯示熔接部之數目，在縱軸顯示圖13(B)、圖14(B)、及圖15(B)所示之(ii)之區域之阻抗的變動比。能夠確認藉由增加熔接數目，而能夠抑制阻抗之變動比。 (6)長音與雜訊 在圖17中，作為驅動發音裝置1而發音時之聲音效果，顯示所謂之長音之雜訊之位準。圖17(A)係第1實施例，圖17(B)係第3實施例，圖17(C)係比較例。 圖7(A)、圖7(B)、及圖7(C)之橫軸表示發音頻率，縱軸表示音壓位準。且深度表示時間，內側係發音時(時間零)，近前側意味著發音後之經過10.3 ms後。 在圖7(A)、圖7(B)、及圖7(C)中以(iii)表示的是所謂之長音雜訊。在圖17(C)所示之比較例中，相對於長音雜訊之音壓位準與長音時間變長，在圖17(A)所示之第1實施例與圖17(B)所示之第3實施例中，長音雜訊減少。

1‧‧‧發音裝置

2‧‧‧殼體

3‧‧‧第1殼體

3a‧‧‧底部

3b‧‧‧側壁部

3c‧‧‧開口端部

3d‧‧‧吸氣/排氣口

3e‧‧‧配線孔

4‧‧‧第2殼體

4a‧‧‧天花板部

4b‧‧‧側壁部

4c‧‧‧開口端部

4d‧‧‧發音口

5‧‧‧框架

5a‧‧‧驅動機構安裝面

5b‧‧‧振動體安裝面

5c‧‧‧開口部

6‧‧‧被夾持部

6a‧‧‧下側接合接觸面

6b‧‧‧上側接合接觸面

7‧‧‧階差部

10‧‧‧振動體

11‧‧‧振動板

11b‧‧‧自由端

11c‧‧‧支持側端部

11e‧‧‧安裝孔

12‧‧‧振動支持片材

12a‧‧‧外周緣部

20‧‧‧磁場產生單元

21‧‧‧第1軛

21a‧‧‧內面

21b‧‧‧外表面

21c‧‧‧端邊

22‧‧‧第2軛

22a‧‧‧底面部

22b‧‧‧側面部

24‧‧‧第1磁鐵

24a‧‧‧磁化面

25‧‧‧第2磁鐵

25a‧‧‧磁化面

27‧‧‧線圈

27a‧‧‧捲繞端部

27b‧‧‧終端部

27c‧‧‧捲繞空間

32‧‧‧銜鐵

32a‧‧‧固定部

32b‧‧‧延伸部

32c‧‧‧彎曲部

32d‧‧‧可動部

32e‧‧‧前部

32f‧‧‧緣部/連結孔

32g‧‧‧緣部

33‧‧‧傳遞體

33a‧‧‧上端

33b‧‧‧下端部

41‧‧‧發音噴嘴

42‧‧‧基板

51‧‧‧熔接部/基準熔接部/基準熔敷部

52‧‧‧熔接部/附加熔接部/附加熔敷部

52a‧‧‧附加熔接部/附加熔敷部

52b‧‧‧附加熔接部/附加熔敷部

52c‧‧‧附加熔接部/附加熔敷部

53‧‧‧熔接部

55‧‧‧載台

56‧‧‧雷射發光部

57‧‧‧雷射光

A‧‧‧尺寸/長度

H‧‧‧高度尺寸

h‧‧‧高度

La‧‧‧基準線

W1‧‧‧寬度尺寸

W2‧‧‧寬度尺寸

Wa‧‧‧寬度尺寸

δ‧‧‧間隔

圖1係顯示本發明之實施形態之發音裝置之外觀之立體圖。 圖2係顯示本發明之實施形態之發音裝置之分解立體圖。 圖3係以III-III線切斷圖1所示之發音裝置之剖視圖。 圖4係以將圖3所示之發音裝置分解之狀態顯示之剖視圖。 圖5係顯示在實施形態之發音裝置中在框架內安裝有振動板、第1軛、及銜鐵之狀態之平面圖。 圖6係以VI-VI線切斷圖3所示之發音裝置之剖視圖。 圖7(A)係說明本發明之第1實施例之發音裝置之熔接部之平面圖；圖7(B)係其側視圖。 圖8(A)係說明本發明之第2實施例之發音裝置之熔接部之平面圖；圖8(B)係其側視圖。 圖9(A)係說明本發明之第3實施例之發音裝置之熔接部之平面圖；圖9(B)係其側視圖。 圖10(A)係說明比較例之發音裝置之熔接部之平面圖；圖10(B)係其側視圖。 圖11係自與圖6相同之方向顯示照射雷射光進行熔接作業之步驟之剖視圖。 圖12係顯示銜鐵之長度與振幅之關係之線圖。 圖13(A)係顯示第1實施例之發音裝置之音壓與阻抗之特性之線圖；圖13(B)係顯示雜訊之變動率之線圖。 圖14(A)係顯示第3實施例之發音裝置之音壓與阻抗之特性之線圖；圖14(B)係顯示第2實施例與第3實施例之雜訊之變動率之線圖。 圖15(A)係顯示比較例之發音裝置之音壓與阻抗之特性之線圖；圖15((B)係顯示雜訊之變動率之線圖。 圖16係顯示熔接部之數目與雜訊之變動率之關係之線圖。 圖17係顯示所謂之長音之雜訊之位準者；分別是，圖17(A)係顯示第1實施例之線圖；圖17(B)係顯示第3實施例之線圖；圖17(C)係顯示比較例之線圖。

Claims (8)

1. 一種發音裝置，其在殼體內設置有：由磁性材料形成之軛、由前述軛支持之磁鐵及與前述磁鐵並排之線圈、由磁性材料之板材形成之銜鐵、以及振動體，其特徵在於： 在前述銜鐵形成：朝向第1方向且與前述軛之外表面重合之固定部、自前述固定部朝與第1方向逆向之第2方向延伸之延伸部、及自前述延伸部彎曲並朝第1方向延伸之可動部，且前述可動部通過前述線圈之內部與前述磁鐵對向，前述可動部與前述振動體被連結； 於在與第1方向及第2方向正交之正交方向上遠離之2處基準熔接部，將前述固定部之對向之2個緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接； 在較前述基準熔接部位於更於第1方向遠離之位置之至少1處附加熔接部，將前述固定部之緣部與前述外表面點熔接。
2. 如請求項1之發音裝置，其中將前述固定部之與形成有前述基準熔接部相同之2個前述緣部分別與前述外表面熔接，而形成前述附加熔接部。
3. 如請求項2之發音裝置，其中前述附加熔接部在2處以上形成為偶數個部位。
4. 如請求項1之發音裝置，其中前述基準熔接部設置於與前述軛之第2方向側之端部大致一致之位置。
5. 一種發音裝置之製造方法，其係用於製造發音裝置者，該發音裝置在殼體內設置有：由磁性材料形成之軛、由前述軛支持之磁鐵及與前述磁鐵並排之線圈、由磁性材料之板材形成之銜鐵、以及振動體，其特徵在於： 在前述銜鐵形成：朝向第1方向之固定部、自前述固定部朝與第1方向逆向之第2方向延伸之延伸部、及自前述延伸部彎曲並朝第1方向延伸之可動部； 使前述可動部插入前述線圈之內部並與前述磁鐵對向，且將前述固定部與前述軛之外表面重合； 將位於與前述固定部之第1方向及第2方向正交之正交方向上之2個緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接； 使前述軛相對於熔接裝置相對地朝第1方向或第2方向移動，進而將前述固定部之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接，而將前述固定部固定於前述軛之外表面； 之後，將前述可動部與前述振動體連結。
6. 如請求項5之發音裝置之製造方法，其中在最初將前述固定部之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接而形成基準熔接部，之後，使前述軛相對於熔接裝置相對地朝第2方向移動，在自前述基準熔接部朝第1方向遠離之位置，將前述固定部之對向之2個前述緣部分別與前述軛之前述外表面點熔接而形成附加熔接部。
7. 如請求項6之發音裝置之製造方法，其中將前述附加熔接部在2處以上形成為偶數個部位。
8. 如請求項5之發音裝置之製造方法，其中前述熔接裝置具有在前述正交方向上對向之2處雷射發光部，使雷射光自2處前述雷射發光部朝向前述固定部之2個前述緣部，以彼此接近之朝向傾斜地照射，而進行熔接。