TWI643729B - 壓印設備，製造物件之方法，壓印方法，及獲得配置圖案資訊的方法 - Google Patents

壓印設備，製造物件之方法，壓印方法，及獲得配置圖案資訊的方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種壓印設備，其利用模具在基底上成型壓印材料以在該基底上形成圖案，該壓印設備包括：供給裝置，構造成將壓印材料供給到基底上；以及處理器，構造成獲得基底上壓印材料的配置圖案資訊，其中，處理器構造成基於與模具的第一部分對應的配置圖案資訊和與模具的第二部分對應的配置圖案資訊來獲得與第一部分與第二部分之間邊界部對應的配置圖案資訊。

Description

壓印設備，製造物件之方法，壓印方法，及獲得配置圖案資訊的方法
本發明涉及壓印設備、物件製造方法、壓印方法和獲得配置圖案之資訊的方法。
作為一種例如半導體裝置大量生產的光刻設備，使用模具在基底上成型壓印材料的壓印設備正在受到關注。壓印設備包括向基底排出壓印材料液滴的多個噴嘴。壓印設備透過根據基底上的預定液滴配置圖案控制從各噴嘴排出液滴來將壓印材料供給到基底上。
在壓印設備中，由模具成型的壓印材料圖案的殘留層厚度(RLT)最好是均勻的。殘留膜表示基底與由壓印材料所形成的三維圖案(或者透過硬化壓印材料所形成的圖案)的凹部之間的壓印材料厚度。日本專利公開JP2011-228619提出了一種當使用形成有紋路圖案的模具成型壓印材料時改善由模具所成型出的壓印材料殘留膜的均勻性 的方法。當壓印材料與其上形成有紋路圖案的模具相互接觸時，壓印材料沿紋路圖案縱向和橫向的擴散速度是相互不同的，從而損害了壓印材料殘留膜的均勻性。根據日本專利公開JP2011-228619，透過使得供給到基底上的壓印材料液滴之間的間距在紋路圖案的橫向上比在紋路圖案的縱向上小來改善壓印材料殘留膜的均勻性。
在壓印設備中，當使用模具(其包括多個部分，該多個部分具有不同的圖案配置)成型壓印材料時，最好是根據模具的每個部分的圖案配置來改變供給到基底上的壓印材料液滴的配置。在此情況下，如果在模具的多個部分之中的兩個相鄰部分中的液滴配置是不同的，則壓印材料量在所述兩個部分之間的邊界部中偏離必要的量，並且因此由模具成型出的壓印材料殘留膜會變得不均勻。
本發明例如提供了一種在所獲得的殘留層的厚度均勻性方面有利的壓印設備。
根據本發明的一個方面，提供了一種壓印設備，利用模具在基底上成型壓印材料以在基底上形成圖案，所述壓印設備包括：供給裝置，構造成將壓印材料供給到基底上；以及處理器，構造成獲得基底上壓印材料的配置圖案資訊，其中，處理器構造成基於與模具的第一部分對應的配置圖案資訊和與模具的第二部分對應的配置圖案資訊來獲得與第一部分與第二部分之間邊界部對應的配置圖案資 訊。
根據本發明的一個方面，提供了一種製造物件的方法，所述方法包括：使用壓印設備在基底上形成圖案；以及，處理已經形成有圖案的基底以製造出物件，其中，所述壓印設備利用模具在基底上成型壓印材料以在基底上形成圖案，壓印設備包括：供給裝置，構造成將壓印材料供給到基底上；以及處理器，構造成獲得基底上壓印材料的配置圖案資訊，其中，處理器構造成基於與模具的第一部分對應的配置圖案資訊和與模具的第二部分對應的配置圖案資訊來獲得與第一部分與第二部分之間邊界部對應的配置圖案資訊。
根據本發明的一個方面，提供了一種壓印方法，利用模具在基底上成型壓印材料以在基底上形成圖案，所述壓印方法包括：獲得基底上壓印材料的配置圖案資訊，基於壓印材料的配置圖案資訊將壓印材料供給到基底上；以及，其中，基於與模具的第一部分對應的配置圖案資訊和與模具的第二部分對應的配置圖案資訊來獲得與第一部分與第二部分之間邊界部對應的配置圖案資訊。
根據本發明的一個方面，提供了一種獲得基底上壓印材料的配置圖案資訊以用於利用模具在基底上成型壓印材料而在基底上形成圖案的方法，其中，基於與模具的第一部分對應的配置圖案資訊和與模具的第二部分對應的配置圖案資訊來獲得與第一部分與第二部分之間邊界部對應的配置圖案資訊。
從以下參照附圖對示例性實施例的說明中將清楚本發明的其它特徵。
1‧‧‧模具
2‧‧‧模具台
3‧‧‧硬化單元
4‧‧‧基底
5‧‧‧基底台
6‧‧‧壓印材料
7‧‧‧供給單元
7a‧‧‧儲罐
7b‧‧‧給料器
8‧‧‧控制單元
10a‧‧‧第一配置圖案
10b‧‧‧第二配置圖案
10c‧‧‧第三配置圖案
圖1是示出根據第一實施例的壓印設備的示意圖；圖2是示出控制從每個噴嘴排出液滴的情況的視圖；圖3A是示出在模具與壓印材料相互接觸之前的狀態的視圖；圖3B是示出在模具與壓印材料相互接觸之後的狀態的視圖；圖4是示出利用光來照射壓印材料的情況的視圖；圖5是示出使模具從壓印材料分開的情況的視圖；圖6是示出第一配置圖案的實例的視圖；圖7是示出第二配置圖案的實例的視圖；圖8是示出第三配置圖案的實例的視圖；以及圖9是例示產生配置資訊的處理程序的流程圖。
以下將參照附圖來描述本發明的示例性實施例。注意，在所有附圖中相同的附圖標記表示相同部件，並且將不會對其給予重複說明。
<第一實施例>
將描述根據本發明第一實施例的壓印設備100。壓印 設備100用於製造半導體裝置等，並且用來執行用模具1使基底上壓印材料6成型的壓印處理。例如，壓印設備100在透過壓下形成有三維圖案的模具1來將基底上的壓印材料6成型的同時硬化壓印材料6。壓印設備100可以增寬模具1與基底4之間的間距，並且將模具1從硬化的壓印材料6分開(脫開)，從而形成了透過將基底上的壓印材料6硬化而獲得的圖案。
壓印材料6硬化方法的例子是使用熱的熱循環方法和使用光的光硬化方法。在第一實施例中將解釋採用光硬化方法的實例。光硬化方法是透過將作為壓印材料6的未硬化的紫外線硬化樹脂供給到基底上並且在模具1與壓印材料6相互接觸的同時利用紫外線照射壓印材料6來硬化壓印材料6的方法。雖然這裡將描述用紫外線作為光的情況，但也可以使用具有不同波長的光。
圖1是示出根據第一實施例的壓印設備100的示意圖。壓印設備100可包括保持模具1的模具台2、保持基底4的基底台5和透過利用光照射基底上的壓印材料6來硬化壓印材料6的硬化單元3。壓印設備100還可包括將壓印材料6供給至基底4的供給單元7(供給裝置)和控制單元8。控制單元8包括例如中央處理器(CPU)和記憶體，並且控制壓印處理(控制壓印設備100的每個單元)。
模具1通常是由紫外線能透過的材料(例如石英)製成的。模具1在基底側的表面上的局部區域(圖案區域 1a)例如包括多個部分，該多個部分包括彼此相鄰的第一部分和第二部分。在第一實施例中，將描述第一部分包括由各自沿第一方向(例如Y方向)延伸的多個紋路單元所形成的三維紋路圖案並且第二部分不包括三維圖案的情況。第一部分是對在已經形成在基底4上的底層圖案上的壓印材料6成型的一部分，並且第二部分是對在基底4的切割區域上的壓印材料6成型的一部分。然而，本發明不限於此，模具1的第一部分和第二部分僅需具有不同的配置即可。作為基底4，例如，可以使用單晶矽基底或者SOI(絕緣體上的矽)基底。供給單元7(稍後描述)將壓印材料6供給到基底4的上表面(經處理之表面)上。
模具台2例如透過真空吸附力或者靜電力來保持模具1，並且與模具1一起沿Z方向移動以便使模具1的圖案區域1a和基底上的壓印材料6相互接觸或者相互分開。除了沿Z方向移動模具1的功能以外，模具台2還可具有調整模具1在X方向和Y方向及θ方向(圍繞Z軸的旋轉方向)上位置的功能、調整模具1傾斜的傾斜功能等。
基底台5例如透過真空吸附力或者靜電力來保持基底4，並且使基底4在X方向和Y方向上對準。基底台5可不僅具有沿X方向和Y方向移動基底4的功能，而且還具有沿Z方向移動基底4的功能、調整基底4在θ方向上位置的功能、調整基底4傾斜的傾斜功能等。在第一實施例的壓印設備100中，模具台2執行改變模具1與基底4之間距離的操作。然而，本發明不限於此。可以透過基底 台5或者透過模具台2和基底台5兩者來執行該操作。
在壓印處理中，硬化單元3利用光(紫外線)來照射供給到基底上的壓印材料6，以硬化壓印材料6。硬化單元3例如包括發光(紫外線)的光源，以用於硬化壓印材料6。硬化單元3還可包括光學元件，用於將光源發射的光調整成適合壓印處理的光。因為第一實施例採用了光硬化方法，所以使用發射紫外線的光源。然而，例如，當採用熱硬化方法時，替代光源，可以使用用於硬化熱硬化樹脂(作為壓印材料6)的熱源。
供給單元7可包括儲存壓印材料6的儲罐7a1和將儲存在儲罐7a中的壓印材料6供給至基底的給料器7b。給料器7b包括多個噴嘴，每個噴嘴向基底4排出壓印材料6的液滴。供給單元7透過在基底4和供給單元7相對移動的同時從每個噴嘴排出壓印材料6的液滴來將壓印材料6供給到基底上。例如，當多個噴嘴沿Y方向排列時，在基底4沿不同於多個噴嘴排列方向的一方向(例如，X方向)移動的同時執行從每個噴嘴向基底4供給壓印材料6的液滴的步驟。此時，控制單元8根據表示壓印材料6液滴在基底上配置的資訊(在下文中稱為配置資訊)來控制從每個噴嘴排出或者不排出液滴(排出時機)。例如，基於在模具1的圖案區域1a中所形成的三維圖案等的設計資訊，透過控制單元8或者外部電腦來預先產生配置資訊。在第一實施例中，將描述控制單元8產生配置資訊的情況。
壓印處理
將闡明透過第一實施例的壓印設備100所執行的壓印處理。當控制單元8控制壓印設備100的各別單元時執行壓印處理。控制單元8控制模具輸送機構(未示出)以將模具1輸送至模具台2下面的位置處，並且控制模具台2以保持模具1。如上所述，對應於設計資訊的三維圖案形成在模具1(圖案區域1a)上，並且設定用於識別模具1上所形成圖案的個體識別(ID)。控制單元8促使讀取機構(未示出)讀取模具1的個體ID，從而獲得個體ID。控制單元8基於所獲得的模具1的個體ID來獲得用於控制給料器7b多個噴嘴中每個噴嘴的配置資訊。可以基於形成於模具1上的三維圖案的設計資訊來預先地產生配置資訊，或者可以透過讀出基於個體ID地圖案的設計資訊來順序地產生配置資訊。控制單元8控制基底輸送機構(未示出)以將基底4輸送至基底台5上方的位置處，並且控制基底台5以保持基底4。將基底4如此般配置到壓印設備100內。
控制單元8控制供給單元7，以將壓印材料6供給至投射區域，模具1的圖案將要轉印到該投射區域。例如，如圖2中所示，在沿X方向移動基底4的同時，控制單元8根據所獲得的配置資訊來控制從每個噴嘴排出液滴。在將壓印材料6供給至投射區域之後，控制單元8控制基底台5，以把已經供給有壓印材料6的投射區域配置在模具 1的圖案區域1a下方。如圖3A和圖3B中所示，控制單元8控制模具台2以減小模具1與基底4之間的距離，從而使模具1與基底上的壓印材料6相互接觸。圖3A示出了在模具1與壓印材料6相互接觸之前的狀態。圖3B示出了在模具1與壓印材料6相互接觸之後的狀態。在模具1與壓印材料6相互接觸的同時，控制單元8把模具1與基底4對準。例如，控制單元8促使對準顯微鏡(未示出)檢測模具1上設置的標記和基底4上設置的標記，並且利用所檢測到的模具1的標記和基底4的標記來控制模具1與基底4的相對位置。注意，最好在模具1與壓印材料6相互接觸的同時經過預定時間，以利基底上的壓印材料6充分地填充模具1的圖案的凹部。
如圖4中所示，控制單元8控制硬化單元3以利用光(紫外線)照射與模具1接觸的壓印材料6，從而硬化壓印材料6。在壓印材料6硬化之後，控制單元8控制模具台2以增大模具1與基底4之間的距離，從而將模具1從壓印材料6分開(脫開)，如圖5中所示。這可以基於投射區域上的壓印材料6來形成圖案。對形成在基底上的多個投射區域的各者執行上述壓印處理。
液滴的配置
在壓印設備100中，由模具1所形成的圖案的殘留膜最好是均勻的。殘留膜的厚度表示基底4與圖案凹部之間的圖案厚度。然而，當模具1與壓印材料6相互接觸時， 壓印材料6可取決於模具1的各部分的配置而以不同方式擴散。在第一部分中(該第一部分中形成有紋路圖案，包括多個沿第一方向延伸的紋路單元)，例如，由於毛細作用，壓印材料6在第一方向上的擴散速度可高於平行於基底表面並且垂直於第一方向的第二方向(例如X方向)上的擴散速度。另一方面，在未形成三維圖案的第二部分中，壓印材料6沿第一方向的擴散速度和第二方向的擴散速度可彼此相等。為了改善壓印材料6的膜厚度均勻性，最好是根據模具1各部分的配置來改變供給到基底上的壓印材料6的液滴的配置。
如果模具1的多個部分中的兩相鄰部分中的液滴配置是不同的，則壓印材料6的量在所述兩個部分之間的邊界部中偏離必要的量。也就是說，如果相鄰的第一部分和第二部分中的液滴配置是不同的，則壓印材料6的量在第一部分與第二部分之間的邊界部中偏離必要的量。結果，由模具1成型的壓印材料6的殘留膜的均勻性會惡化。
為了解決此問題，在第一實施例中，控制單元8使用基底上第一區域中第一配置圖案10a的資訊來確定壓印材料6的液滴配置，透過模具1的第一部分在該第一區域中成型壓印材料6。此外，控制單元8使用基底上第二區域中第二配置圖案10b的資訊來確定壓印材料6的配置，透過模具1的第二部分在該第二區域中成型壓印材料6。第一配置圖案10a和第二配置圖案10b二者具有不同的液滴配置圖案，並且該二者例如在第一方向(Y方向)上的液 滴間隔與第二方向(X方向)上的液滴間隔之比不同。控制單元8使用第一配置圖案10a和第二配置圖案10b來確定在基底上邊界區域(基底上對應於模具邊界部的區域)中壓印材料6的液滴配置，該邊界區域包括第一區域的一部分和第二區域的一部分。透過如上所述地確定壓印材料6的液滴配置，控制單元8可以獲得配置資訊。在第一實施例中，闡明了控制單元8確定壓印材料6的液滴配置的情況。然而，本發明不限於此，而外部電腦也可以確定液滴配置。在此情況下，控制單元8從外部電腦獲得配置資訊。
配置圖案
將參照圖6和圖7來描述第一配置圖案10a和第二配置圖案10b的實例。圖6示出了第一配置圖案10a的實例。圖7示出了第二配置圖案10b的實例。
使用第一配置圖案10a來確定在基底上第一區域中的液滴配置，在該第一區域中由模具1的第一部分來成型壓印材料6。如上所述，在模具1的第一部分中形成有紋路圖案，並且壓印材料6沿第一方向的擴散速度高於沿第二方向的擴散速度。因此，如圖6中所示，第一配置圖案10a形成為使得液滴間隔在紋路單元延伸的第一方向(Y方向)上比在第二方向(X方向)上更長(間隔a<a')。
另一方面，使用第二配置圖案10b來確定在基底上第 二區域中的液滴配置，在該第二區域中由模具1的第二部分來成型壓印材料6。如上所述，在模具1的第二部分中未形成有三維圖案，並且壓印材料6在第一方向上的擴散速度等於在第二方向上的擴散速度。因此，如圖7中所示，第二配置圖案10b形成為使得在第一方向(Y方向)上的液滴間隔等於第二方向(X方向)上的液滴間隔(間隔b=間隔b')。
在基底上的邊界區域(包括第一區域的一部分和第二區域的一部分)中，使用第三配置圖案10c來確定液滴配置。圖8是示出第三配置圖案10c的實例的視圖。可以透過組合第一配置圖案10a和第二配置圖案10b來產生第三配置圖案10c。例如，控制單元8可以透過改變第一配置圖案10a和第二配置圖案10b的相對放大率以使得在基底上邊界區域中的液滴密度變為等於目標密度來產生第三配置圖案10c。也就是說，圖8中所示第三配置圖案10c中的間隔c和c'之比可等於第一配置圖案10a中間隔a與a之比。此外，圖8中所示第三配置圖案中的間隔d和d'之比可等於第二配置圖案10b中的間隔b和b'之比。
配置資訊產生方法
將描述配置資訊產生方法的實例。基於形成在模具1的圖案區域中的三維圖案的設計資訊，控制單元8將圖案區域1a劃分成多個單位部分，並且獲得各個單位部分的圖案的凹部的體積。控制單元8基於所獲得的體積和壓印 材料6的殘留膜目標值來計算出各個單位部分所需的壓印材料6的量。在該情況中，最好是預先分別獲得凹部的體積和壓印材料6的殘留膜目標值。這是因為可以簡化當改變壓印材料6的殘留膜目標值時的處理。此外，當計算各個單位部分所需的壓印材料6的量時，最好考慮壓印材料6的蒸發量。
接下來，基於設計資訊，控制單元8將模具1的圖案區域1a劃分成與配置相對應的多個部分。例如，控制單元8將模具1的圖案區域1a劃分成多個部分，包括形成有紋路圖案的第一部分和未形成三維圖案的第二部分。控制單元8將第一配置圖案10a應用於除邊界部之外第一部分中的多個單位部分中的每個單位部分，並且將第二配置圖案10b應用於除邊界部之外第二部分中的多個單位部分中的每個單位部分。此時，控制單元8最好根據各個單位部分所需壓印材料6的量來改變第一配置圖案10a或者第二配置圖案10b的放大率。控制單元8將第三配置圖案10c應用於邊界部中多個單位部分中的每個單位部分。此時，控制單元8最好根據各個單位部分所需壓印材料6的數量來改變第三配置圖案10c的放大率。如上所述，控制單元8可以透過排列配置圖案，也就是說透過將配置圖案應用於各個單位部分，來確定液滴配置，並且產生配置資訊。控制單元8可以透過使用所獲得的配置資訊控制供給單元7將壓印材料6供給到基底上來改善由模具1所成型出的壓印材料殘留膜的均勻性。
現在將參照圖9來描述透過控制單元8或者外部電腦產生配置資訊的處理程序的實例。注意，控制單元8或者外部電腦是根據用於執行處理的程式來操作的處理單元(可以是透過包括受程式控制的CPU、DSP或者FPGA而形成)。控制單元8或者外部電腦的處理一啟動，就在步驟S1中基於模具1的圖案設計資訊(幾何資訊等)來將基底上的壓印區域劃分(分類)成多個(種類之)區域。可以基於模具1的圖案特徵(例如，模具凹部的各向異性)和凹部體積的面積密度來劃分壓印區域。在步驟S2中，獲得(確定)多個區域中每一個區域的液滴配置圖案。可以基於殘留膜的厚度、模具凹部的體積(分佈)和各向異性等來獲得(確定)配置圖案。
在步驟S3中，在壓印區域內設定至少一個重疊於複數個區域之部分的邊界區域。可以基於例如邊界區域的相鄰區域的凹部體積(其面積密度)來獲得每個邊界區域的尺寸。在步驟S4中，獲得(確定)每個邊界區域的液滴配置圖案。可以透過放大並組合先前所獲得的各相鄰區域的配置圖案並且確定放大倍數(放大率)以使得液滴總量匹配邊界區域所需的量來獲得該配置圖案。如上所述，獲得(確定)壓印區域內的液滴配置圖案，從而結束控制單元8或者外部電腦的處理。
實施例的效果
將描述該實施例的效果。假設使用該模具1來執行壓 印處理，即在圖案區域1a的一半(第一部分)中形成有100nmL/S的紋路圖案並且在另一半(第二部分)中未形成有三維圖案(亦即，另一半是平的)。另外假設圖案區域1a為具有邊長10mm的正方形形狀，並且形成在第一部分中的紋路圖案的凹部的深度為60nm。產生配置資訊的結果使得當使用模具1執行壓印處理時壓印材料6的殘留膜厚度變為15nm，並且實際中如下地使用模具1來執行壓印處理。在壓印處理中，使用兩種配置資訊，亦即，第一配置資訊和第二配置資訊。第一配置資訊是透過將距離第一部分與第二部分之間邊界為±250μm的部分設定為模具1的邊界部來使用第一配置圖案10a、第二配置圖案10b和第三配置圖案10c所產生的配置資訊。第二配置資訊是在沒有設定任何邊界部的情況下僅使用第一配置圖案10a和第二配置圖案10b所產生的配置資訊。作為使用第一配置資訊來執行壓印處理的結果，在基底上包括邊界區域(在邊界區域中透過模具1的邊界部來成型壓印材料6)在內的整個區域上由模具1所成型的壓印材料殘留膜的厚度都落入15±3nm的範圍內。另一方面，作為使用第二配置資訊來執行壓印處理的結果，在基底上除邊界區域之外的區域中殘留膜厚度落入15±3nm的範圍內，但是在邊界區域中落入18±5nm的範圍內，從而損害了殘留膜的均勻性。亦即，透過使用根據該實施例的方法可能改善由模具1所成型出的壓印材料6的殘留膜的均勻性。
<物件製造方法的實施例>
根據本發明實施例製造物件的方法適合於製造諸如微裝置(例如半導體裝置)或者具有微結構的元件之類的物件。根據該實施例製造物件的方法包括透過使用上述壓印設備(方法)在基底上形成圖案的步驟(在基底上執行壓印處理的步驟)和處理在上述步驟中形成有圖案的基底的步驟。該製造方法還包括其它已知的步驟(例如，氧化、成膜、沉積、摻雜、平面化、蝕刻、除去抗蝕劑、切割、焊接和封裝)。與傳統方法相比，根據該實施例製造物件的方法在物件之性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面是有利的。
<其它實施例>
本發明的實施例也可以透過系統或者設備的電腦來實現，該電腦讀出並執行記錄在儲存媒體(也可更全面地稱為“非臨時的電腦可讀儲存媒體”)上的電腦可執行指令(例如，一個或多個程式)以執行上述一個或多個實施例中的功能，和/或該電腦包括用於執行上述一個或多個實施例中的功能的一個或多個電路(例如，專用積體電路(ASIC))；並且本發明的實施例也可以透過系統或者設備的電腦所執行的方法來實現，該電腦例如讀出並執行來自儲存媒體的電腦可執行指令以執行上述一個或多個實施例中的功能，和/或該電腦控制一個或多個電路來執行上述一個或多個實施例中的功能。電腦可包括一個或多個 處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可包括各個電腦或者各個處理器的網路，以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令例如可從網路或者儲存媒體提供給電腦。儲存媒體例如可包括硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統儲存器、光碟(例如，壓縮光碟(CD)、數位通用光碟(DVD)或者藍光光碟(BD)TM)、快閃記憶體裝置、儲存卡等中的一個或多個。
雖然已經參照示例性實施例描述了本發明，但是應當理解，本發明不限於所公開的示例性實施例。以下申請專利範圍的範圍應給予最寬泛的解釋，以便涵蓋所有變型以及等同結構和功能。

Claims (20)

  1. 一種壓印設備，其係透過使用一包括第一部分和第二部分的模具以在基底之投射區域上形成壓印材料之圖案，該第一部分和該第二部分係彼此相鄰且具有彼此不同的圖案構造，該壓印設備包含：供給裝置，構造成將該壓印材料供給到該投射區域上；以及處理器，構造成判定有關將被該供給裝置所供給為該投射區域上之液滴的該壓印材料之配置圖案，並基於該資訊以控制該供給裝置，其中該處理器係構造成：獲得基於該模具之該第一部分的該圖案構造所產生的該壓印材料之第一配置圖案、及基於該模具之該第二部分的該圖案構造所產生的該壓印材料之第二配置圖案，指明其中將由該模具所形成之該壓印材料的該圖案之厚度無法落入可容許範圍內的該模具之邊界部，在個別地採用該第一配置圖案於該模具之該第一部分以及該第二配置圖案於該模具之該第二部分的情況下，該模具之該邊界部包括該模具之該第一部分的部分及該模具之該第二部分的部分，藉由結合該第一配置圖案與該第二配置圖案以產生其將被採用於該模具之該邊界部的該壓印材料之第三配置圖案，以致其將由該模具的該邊界部所形成之該壓印材料的該圖案之該厚度落入可容許範圍內，以及基於該第一配置圖案、該第二配置圖案、及該第三配置圖案以判定有關將被該供給裝置所供給為該投射區域上之液滴的該壓印材料之該配置圖案的該資訊。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成：基於該模具之該第一部分中的該圖案構造以產生該壓印材料之該第一配置圖案，以致其將由該模具之該第一部分所形成的該壓印材料之該圖案的厚度係落入可容許範圍內，以及基於該模具之該第二部分中的該圖案構造以產生該壓印材料之該第二配置圖案，以致其將由該模具之該第二部分所形成的該壓印材料之該圖案的厚度係落入可容許範圍內。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成基於有關該第一部分之該圖案構造及該第二部分之該圖案構造的設計資訊以個別地產生該第一配置圖案及該第二配置圖案。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成藉由結合第一中間圖案與第二中間圖案來產生該第三配置圖案，該第一中間圖案係藉由改變第一方向上之間隔及第二方向上之間隔而同時維持介於該第一方向上之該間隔及該第二方向上之該間隔相對於該第一配置圖案中之該壓印材料的配置位置之間的比來判定，該第二中間圖案係藉由改變該第一方向上之間隔及該第二方向上之間隔而同時維持介於該第一方向上之該間隔及該第二方向上之該間隔相對於該第二配置圖案中之該壓印材料的配置位置之間的比來判定，且該第一方向係垂直於該第二方向。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成產生該第三配置圖案以使得其將依據該第三配置圖案而被供給到該基底上之該壓印材料密度變為等於目標密度。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，在該第一配置圖案與該第二配置圖案之至少一者中，該壓印材料之配置位置在第一方向上的間隔不同於該壓印材料之配置位置在垂直於該第一方向的第二方向上的間隔。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的壓印設備，其中，在該第一配置圖案與該第二配置圖案之至少一者中，在該第一方向上的該間隔與在該第二方向上的該間隔隨該模具圖案的各向異性而彼此不同。
  8. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成基於該模具的凹部的體積和將要形成在該基底上的該壓印材料之圖案的目標殘留層厚度來產生該第一配置圖案和該第二配置圖案。
  9. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成基於該第一部分中之凹部的體積分佈來產生該第一配置圖案、以及基於該第二部分中之凹部的體積分佈來產生該第二配置圖案。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成基於透過放大該第一配置圖案和該第二配置圖案中的該壓印材料之配置位置的間隔所獲得的資訊來產生該第三配置圖案。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成基於透過以第一放大率放大該第一配置圖案中的該壓印材料之配置位置的間隔所獲得的資訊、和透過以第二放大率放大該第二配置圖案中的該壓印材料之配置位置的間隔所獲得的資訊來產生該第三配置圖案，該第一放大率與該第二放大率係彼此不同。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中，該處理器構造成產生該第三配置圖案，以使得其透過使用該模具而形成於該基底上之該壓印材料的該圖案之殘留層厚度是均勻的。
  13. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中該模具之該第一部分的該圖案構造包括延伸於預定方向之凹部，以及該模具之該第二部分的該圖案構造包括三維圖案。
  14. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中該處理器構造成判定有關將被該供給裝置所供給為該投射區域上之液滴的該壓印材料之該配置圖案，以致其該第一配置圖案被採用於除了該模具之該第一部分中的該邊界部以外的部分，該第二配置圖案被採用於除了該模具之該第二部分中的該邊界部以外的部分，以及該第三配置圖案被採用於該模具之該邊界部。
  15. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中該處理器構造成：將該模具之指定邊界部劃分成多個分部；以及針對該些多個分部之各者產生該第三配置圖案，以致其將由該些多個分部之各者所形成的該壓印材料之該圖案的該厚度係落入可容許範圍內。
  16. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印設備，其中該第一部分具有用以將該壓印材料成型於一區域上之該圖案構造，其中底層圖案已於該區域上被形成於該投射區域之中，而該第二部分具有用以將該壓印材料成型於該投射區域之中的切割區域上之該圖案構造。
  17. 一種製造物件的方法，該方法包含：使用依據申請專利範圍第1至16項中任一項所述的壓印設備在基底上形成圖案；以及處理已形成有該圖案的該基底來製造出該物件。
  18. 一種壓印方法，其係透過使用一包括第一部分和第二部分的模具以在基底之投射區域上形成壓印材料之圖案，該第一部分和該第二部分係彼此相鄰且具有彼此不同的圖案構造，該壓印方法包含：獲得基於該模具之該第一部分的該圖案構造而產生之該壓印材料的第一配置圖案、及基於該模具之該第二部分的該圖案構造而產生之該壓印材料的第二配置圖案，指明其中將由該模具所形成之該壓印材料的該圖案之厚度無法落入可容許範圍內的該模具之邊界部，在個別地採用該第一配置圖案於該模具之該第一部分以及該第二配置圖案於該模具之該第二部分的情況下，該模具之該邊界部包括該模具之該第一部分的部分及該模具之該第二部分的部分，藉由結合該第一配置圖案與該第二配置圖案以產生其將被採用於該模具之該邊界部的該壓印材料之第三配置圖案，以致其將由該模具的該邊界部所形成之該壓印材料的該圖案之該厚度落入可容許範圍內，基於該第一配置圖案、該第二配置圖案、及該第三配置圖案以判定有關將被供給為該投射區域上之液滴的該壓印材料之該配置圖案的該資訊，以及基於該判定的資訊以供給該壓印材料至該投射區域上。
  19. 一種獲得將被供給為基底之投射區域上的液滴之壓印材料的配置圖案資訊以用於透過使用一包括第一部分和第二部分的模具而在該投射區域上形成該壓印材料之圖案的方法，該第一部分和該第二部分係彼此相鄰且具有彼此不同的圖案構造，該方法包含：獲得基於該模具之該第一部分的該圖案構造而產生之該壓印材料的第一配置圖案、及基於該模具之該第二部分的該圖案構造而產生之該壓印材料的第二配置圖案，指明其中將由該模具所形成之該壓印材料的該圖案之厚度無法落入可容許範圍內的該模具之邊界部，在個別地採用該第一配置圖案於該模具之該第一部分以及該第二配置圖案於該模具之該第二部分的情況下，該模具之該邊界部包括該模具之該第一部分的部分及該模具之該第二部分的部分，藉由結合該第一配置圖案與該第二配置圖案以產生其將被採用於該模具之該邊界部的該壓印材料之第三配置圖案，以致其將由該模具的該邊界部所形成之該壓印材料的該圖案之該厚度落入可容許範圍內，以及基於該第一配置圖案、該第二配置圖案、及該第三配置圖案以判定有關將被供給為該投射區域上之液滴的該壓印材料之該配置圖案的該資訊。
  20. 一種用以致使電腦執行根據申請專利範圍第19項之方法的程式。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7022615B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-18 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法
JP7112249B2 (ja) * 2018-05-23 2022-08-03 キヤノン株式会社 データ生成方法、パターン形成方法、インプリント装置および物品製造方法
JP7134717B2 (ja) * 2018-05-31 2022-09-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
US11762295B2 (en) 2020-10-28 2023-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
JP2022161336A (ja) * 2021-04-08 2022-10-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、決定方法、およびプログラム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070141271A1 (en) * 2004-09-23 2007-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for controlling distribution of fluid components on a body
TW200730325A (en) * 2005-12-08 2007-08-16 Molecular Imprints Inc Method and system for double-sided patterning of substrates
US20070228593A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
TW201206687A (en) * 2010-06-17 2012-02-16 Canon Kk Imprinting method and imprinting apparatus, sample shot extraction method, and article manufacturing method using same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602005022874D1 (de) * 2004-06-03 2010-09-23 Molecular Imprints Inc Fluidausgabe und tropfenausgabe nach bedarf für die herstellung im nanobereich
JP4819577B2 (ja) * 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
JP4908369B2 (ja) * 2007-10-02 2012-04-04 株式会社東芝 インプリント方法及びインプリントシステム
EP2280813B1 (en) * 2008-04-18 2017-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Imprint patterning of irregular surface
JP2010266829A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Three M Innovative Properties Co 光学部材およびこれを用いたデバイス
JP5460541B2 (ja) 2010-03-30 2014-04-02 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法、液滴配置パターン作成方法および基板の加工方法
JP2013161893A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Fujifilm Corp ナノインプリント用のモールド、並びにそれを用いたナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法
JP6135119B2 (ja) * 2012-12-19 2017-05-31 大日本印刷株式会社 インプリント方法、インプリント樹脂滴下位置決定方法及びインプリント装置
US9651862B2 (en) * 2013-07-12 2017-05-16 Canon Nanotechnologies, Inc. Drop pattern generation for imprint lithography with directionally-patterned templates
JP6300459B2 (ja) * 2013-07-12 2018-03-28 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070141271A1 (en) * 2004-09-23 2007-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for controlling distribution of fluid components on a body
TW200730325A (en) * 2005-12-08 2007-08-16 Molecular Imprints Inc Method and system for double-sided patterning of substrates
US20070228593A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
TW201206687A (en) * 2010-06-17 2012-02-16 Canon Kk Imprinting method and imprinting apparatus, sample shot extraction method, and article manufacturing method using same

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