KR102643534B1 - 임프린트 장치 및 물품의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 임프린트 재를 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와, 상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기를 계측하도록 구성된 계측부와, 상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 복수의 토출구로부터 토출된 임프린트 재의 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기에 따라, 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 변경하도록 구성된 임프린트 장치를 제공한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조방법에 관한 것이다.
몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스 등의 양산용 리소그래피 장치의 1개로서 주목받고 있다. 임프린트 장치에서는, 기판 위에 공급된 임프린트 재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트 재를 경화시키고, 경화한 임프린트 재를 몰드로부터 박리함으로써, 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 기판 위에의 임프린트 재의 공급은, 임프린트 재를 토출하는 복수의 토출구가 배열된 토출부를 사용하여, 토출부를 기판으로 상대적으로 이동시키면서 복수의 토출구로부터의 임프린트 재의 토출을 제어함으로써 행해질 수 있다.
임프린트 장치에서는, 예를 들면, 경시 변화에 의해, 토출부와 기판의 상대 기울기에 오차(목표 상대 기울기로부터의 어긋남)가 생기는 일이 있다. 이러한 토출부와 기판의 상대 기울기의 오차가 존재하면, 기판 위에 임프린트 재를 공급할 때, 임프린트 재가 토출된 후 기판 위에 도달할 때까지의 시간이 토출구마다 다르기 때문에, 기판 위에 임프린트 재를 정밀하게 공급하는 것이 곤란해질 수 있다. 일본국 특허 제5563319호 공보에는, 토출구 어레이의 각 토출구로부터의 임프린트 재의 토출 타이밍을 조정함으로써, 기판 위에서의 임프린트 재의 공급 위치의 어긋남을 보정하는 방법이 제안되어 있다.
토출부에는, 다수(예를 들면, 수백개)의 토출구가 배치되기 때문에, 일본국 특허 제5563319호 공보에 기재된 방법과 같이, 해당 다수의 토출구 각각의 임프린트 재의 토출 타이밍을 개별적으로 조정하는 것은 번잡할 수 있다.
본 발명은, 예를 들면, 용이한 방법에 의해 기판 위에 임프린트 재를 정밀하게 공급하기 위해서 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일면에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 임프린트 재를 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와, 상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기를 계측하도록 구성된 계측부와, 상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 복수의 토출구로부터 토출된 임프린트 재의 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기에 따라, 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 변경하도록 구성된 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치의 구성을 도시한 개략도이다.
도 2는 토출부를 아래쪽에서 본 도면이다.
도3a 및 도 3b는 이상 상태에 있어서의 임프린트 재의 공급 처리의 예를 나타낸 도면이다.
도4a 내지 도 4c는 변화 상태에 있어서의 임프린트 재의 공급 처리의 예를 나타낸 도면이다.
도5a 내지 도 5c는 토출부에 대하여 기판 표면이 기울어져 있는 상태에 있어서의 임프린트 재의 공급 처리의 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 임프린트 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 이상 상태에서 행해진 공급 처리에 있어서의 토출부와 기판의 이동 방향을 도시한 도면이다.
도8a 및 도8b는 변화 상태에서 행해지는 공급 처리에 있어서의 토출부와 기판의 이동 방향을 도시한 도면이다.
도9a 및 도 9b는 각도차 θ의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 토출구 간격과 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 토출구 간격과 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 12a 내지 도12f는 물품의 제조방법을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조해서 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 청구범위에 관련되는 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것으로는 한정되지 않고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합하여도 된다. 더구나, 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복한 설명은 생략한다. 이하의 실시형태에서는, 연직 방향(높이 방향)이 Z방향이고, 해당 Z방향에 수직한 평면내(높이 방향과 교차하는 평면내)에서 서로 직교하는 2개의 방향이 X방향 및 Y방향인 것으로 가정한다.
<제1실시형태>
임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트 재와 몰드를 접촉시키고, 임프린트 재에 경화용의 에너지를 주는 것에 의해, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치다. 예를 들면, 임프린트 장치는, 기판 위에 임프린트 재를 공급하고, 요철의 패턴이 형성된 몰드와 기판 위의 임프린트 재를 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트 재를 경화시킨다. 몰드와 기판의 간격을 넓혀, 경화한 임프린트 재를 몰드에서 박리함으로써, 기판 위의 임프린트 재에 몰드의 패턴을 전사할 수 있다. 이러한 일련의 처리는 "임프린트 처리"로 불리고, 기판 위의 복수의 숏 영역의 각각에 대해서 행해진다.
프린트 재에는, 경화용의 에너지가 주어지는 것에 의해 경화하는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지로 부르는 경우도 있다)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들면, 그것의 파장이 10nm 이상 1mm의 범위에서 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 빛이다.
경화성 조성물은, 빛의 조사에 의해, 또는, 가열에 의해 경화하는 조성물이다. 이들 조성물 중에서, 빛에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시재를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트 재는, 스핀코터나 슬릿 코터에 의해 기판 위에 막 형상으로 부여된다. 또는, 임프린트 재는, 액적형, 복수의 액적이 연결되어 생긴 섬 형상 또는 막 형상으로 기판 위에 부여되어도 된다. 임프린트 재의 점도(25℃)은 1mPa 이상 100mPa·s 이하이다.
[임프린트 장치의 구성]
다음에, 본발명에 따른 제1실시형태의 임프린트 장치(100)에 대해 설명한다. 도 1은, 제1실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시한 개략도다. 임프린트 장치는, 예를 들면, 몰드를 유지하는 임프린트 헤드(10)와, 기판을 유지해서 이동가능한 기판 스테이지(20)와, 경화부(30)와, 토출부(40)(디스펜서)와, 계측부(50)와, 제어부(60)를 포함할 수 있다. 제어부(60)는, 예를 들면, CPU를 갖는 컴퓨터로 구성되고, 임프린트 장치(100)의 각 부를 제어해서 임프린트 처리를 제어한다.
몰드 M은, 통상, 석영 등 자외선을 투과시키는 것이 가능한 재료로 제작된다. 몰드의 기판 측의 면에 있어서 기판측을 향해 돌출한 일부의 영역(패턴 영역)에는, 기판 위의 임프린트 재에 전사되어야 할 요철의 패턴이 형성된다. 또한, 기판 W로서는, 글래스, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그것의 표면에 기판 W과는 다른 재료로 이루어진 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판 W로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 석영 글래스이다. 또한, 임프린트 재의 부여전에, 필요에 따라, 임프린트 재와 기판의 밀착성을 향상시키기 위해서 밀착층을 배치해도 된다.
임프린트 헤드(10)는, 예를 들면, 진공력 등에 의해 몰드 M을 유지하는 몰드 척(11)과, 몰드 M과 기판 W의 간격을 변경하도록 몰드 M(몰드 척(11))을 Z방향으로 구동하도록 구성된 몰드 구동부(12)를 포함할 수 있다. 본 실시형태의 경우, 임프린트 헤드(10)는 몰드 M을 Z방향으로 구동함으로써, 몰드 M과 기판 위의 임프린트 재를 접촉시키는 접촉 처리를 행하고, 경화한 임프린트 재로부터 몰드 M을 박리하는 이형처리를 행할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 임프린트 헤드(10)에는, Z방향으로 몰드 M을 구동하는 기능을 가질 뿐만 아니라, X 및 Y 방향 및 θ방향(Z축 주위의 회전 방향)으로 몰드 M을 구동하는 기능과, 몰드 M의 틸트를 변경하는 기능으을 가져도 된다. 예를 들면, 후자의 기능에 따르면, 몰드 M과 기판 위의 임프린트 재의 접촉 처리에 있어서, 몰드 M의 패턴 영역이 기판 W가 평행하게 되도록 몰드 M의 기울기를 제어할 수 있다.
기판 스테이지(20)는, 예를 들면, 진공력 등에 의해 기판 W를 유지하는 기판 척(21)과, X 및 Y 방향으로 기판 W를 구동하는 기판 구동부(22)를 포함할 수 있다. 본 실시형태의 경우, 기판 스테이지(20)가 기판을 X 및 Y 방향으로 구동함으로써, 몰드 M에 대한 기판 W의 위치 결정, 및, 공급부에 대한 기판 W의 위치 결정을 행할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 기판 스테이지(20)에는, X 및 Y 방향으로 기판 W를 구동하는 기능에 한정되지 않고, Z방향 및 θ방향으로 기판 W를 구동하는 기능이나, 기판 W의 기울기(기울기)를 변경하는 기능이 설치되어도 된다.
경화부(30)(조사부)는, 몰드 M과 기판 위의 임프린트 재가 접촉하고 있는 상태에서, 기판 위의 임프린트 재에 몰드 M을 거쳐 빛(예를 들면, 자외선)을 조사함으로써 해당 임프린트 재를 경화시킨다.
토출부(40)는, 도 2에 나타낸 것과 같이, Y방향을 따라 복수의 토출구(41)가 배열된 토출구 어레이를 갖고, 기판 W를 향해서 복수의 토출구(41)로부터 임프린트 재를 토출한다. 도 2는, 토출부(40)를 아래쪽(-Z방향)에서 본 도면이다. 각 토출구(41)는, 토출기구로서의 피에조 소자를 포함하고, 압전 효과를 이용해서 임프린트 재를 밀어내는 것에 의해 임프린트 재 액적을 토출할 수 있다. 제어부(60)는, 피에조 소자에 인가되는 전압의 파형(이하, 구동 파형으로 부른다)과, 그 구동 파형에 따른 전압 인가타이밍을 제어할 수 있다. 본실시형태에서는, 1개의 토출구 어레이가 설치된 토출부(40)에 대해 설명하지만, 토출구 어레이의 수는 1개에 한정되지 않고, 복수의 토출구 어레이가 설치되어도 된다.
본 실시형태의 임프린트 장치(100)는, 토출부(40)와 기판 W를 상대적으로 이동시키면서, 토출부(40)의 복수의 토출구(41)의 각각으로부터 임프린트 재 액적을 토출시킴으로써, 기판 위에 임프린트 재를 공급할 수 있다. 기판 위에 대해 행해지는 임프린트 재의 공급 처리는, 기판 위의 임프린트 재의 목표 위치, 즉, 임프린트 재 액적을 공급해야 할 기판 위의 목표 위치를 나타내는 정보(배치 패턴으로도 불린다)에 근거하여 제어된다. 이러한 종류의 정보는, 몰드 M의 요철 패턴의 치수 정보, 각 토출구(41)로부터 액적으로서 토출되는 임프린트 재의 양 등에 근거하여, 몰드 M에 의해 형성된 임프린트 재의 패턴의 잔여 막두께가 목표 막두께가 되도록 사전에 생성될 수 있다. 임프린트 재의 잔여 막두께(residual layer thickness: RLT)는, 임프린트 재로 구성된 요철의 패턴의 오목부의 바닥과 기판 W 사이에 있어서의 임프린트 재의 두께이다.
이 경우, 기판 위에 행해지는 임프린트 재의 공급 처리는, 보다 많은 수의 임프린트 재 액적을 기판 위에 공급하고, 기판 위에서의 임프린트 재 액적의 밀도를 높게 하기 위해서, 토출부(40)에 대한 기판 W의 이동 방향을 바꾸어서 복수회 행해진다. 예를 들면, 1회째의 공급 처리(제1처리, 왕로)에서는, 토출부(40)에 대하여, 몰드 M으로부터 멀어지는 방향(예를 들면, -X방향)으로 기판 W를 이동시키면서, 복수의 토출구(41) 각각으로부터 임프린트 재를 토출시킨다. 1회째의 공급 처리가 종료한 후, 복수의 토출구(41)의 간격(피치)보다 좁은 거리만큼 기판 W를 Y방향(+Y방향 또는 -Y방향)으로 이동시킨다. 다음에, 2회째의 공급 처리(제2처리, 귀로)에서는, 토출부(40)에 대하여, 몰드 M에 근접하는 방향(예를 들면, +X 방향)으로 기판 W를 이동시키면서, 복수의 토출구(41)의 각각으로부터 임프린트 재를 토출시킨다. 이렇게 복수회의 공급 처리를 행함으로써, 기판 위에 공급되는 임프린트 재 액적의 밀도를 높게 할 수 있다.
계측부(50)는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 계측한다. 예를 들면, 계측부(50)는, 토출부(40)로부터의 임프린트 재의 토출 방향을 고유하게 규정가능한 토출부(40)의 기준면과, 기판 W의 면(이하, 기판 표면)의 상대적인 자세를, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기로서 계측할 수 있다. 기준면은, 복수의 토출구(41)가 배치된 토출부(40)의 밑면(이하, 토출면으로 부른다)이어도 된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 임프린트 재의 토출방향을 고유하게 규정가능하면 기준면은 토출부(40)의 측면이나 윗면이어도 된다.
본 실시형태의 계측부(50)는, 기판 표면의 높이 분포를 계측하는 제1계측부(51)와, 토출부(40)의 기준면(밑면)의 높이 분포를 계측하는 제2계측부(52)를 포함하고, 이들의 계측부의 계측 결과에 근거하여 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 계측한다. 구체적으로는, 제1계측부(51)는, 예를 들면, 분광 간섭 레이저 변위계를 포함하고, 기판 스테이지(20)에 의해 기판 W를 이동시키면서, 기판 W에 있어서의 여러 개소의 각각에 대해서 레이저 빔을 조사해서 높이(Z방향의 위치)를 구함으로써, 기판 표면의 높이 분포를 계측한다. 또한, 제2계측부(52)는, 예를 들면, 분광 간섭 레이저 변위계를 포함하고, 기판 스테이지(20)에 설치된다. 제2계측부(52)는, 기판 스테이지(20)에 의해 이동하면서, 토출면에 있어서의 복수 개소의 각각에 대해서 레이저 빔을 조사해서 높이(Z방향의 위치)를 구함으로써, 토출면의 높이 분포를 계측한다. 이에 따라, 계측부(50)는, 제1계측부(51)에서 계측된 기판 표면의 높이 분포와, 제2계측부(52)에서 계측된 토출면의 높이 분포에 근거하여, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 계측할 수 있다.
[임프린트 재의 배열 오차]
임프린트 장치(100)에서는, 예를 들면, 경시 변화에 의해, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 오차(목표 상대 기울기로부터의 어긋남)가 생기는 일이 있다. 이러한 상대 기울기의 오차가 생기면, 기판 위에 임프린트 재를 공급하는 공급 처리가 행해질 때, 임프린트 재가 토출된 후 임프린트 재가 기판 위에 도달할 때까지의 시간(체공 시간)이 토출구(41)마다 달라진다. 그 결과, 기판 위에 임프린트 재를 정밀하게 공급하는 것이 곤란해질 수 있다.
도3a 및 도3b는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 오차가 생기지 않고 있는 상태, 즉, 토출부(40)와 기판 W가 목표 상대 기울기에서 배치되어 있는 상태(이하, 이상 상태로 부른다)에서 행해지는 임프린트 재의 공급 처리의 예를 나타낸 도면이다. 목표 상대 기울기는, 예를 들면, 각 토출구(41)로부터의 임프린트 재의 토출 방향과 기판 표면이 목표 각도(예를 들면, 90도(수직))가 될 때의 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기다. 도3a는, 이상 상태에 있어서의 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 나타내는 도면이고, 도 3b는, 이상 상태에서의 공급 처리 중에 기준 방향으로 토출부(40)와 기판 W를 상대 이동시켰을 때에 기판 위에 공급되는 임프린트 재(액적)의 배열을 도시한 도면이다. 이 이상 상태에서는, 도3a에 나타낸 것과 같이, 토출구(41)와 기판 W의 거리가 복수의 토출구(41) 각각에 대해 같아지기 때문에, 각각의 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재의 체공 시간이 복수의 토출구(41)에서 같아진다. 따라서, 이상 상태에서는, 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W의 상대적인 이동 방향을, 복수의 토출구(41)의 배열 방향(±Y 방향)과 수직한 기준 방향(±X방향)으로 설정한다. 이에 따라, 도 3b에 나타낸 것과 같이, 기판 위에 규정된 임프린트 재의 목표 공급 위치(기판 위에 규정된 파선의 교점)에 따라서 임프린트 재 R(액적)을 기판 위에 배열할 수 있다.
한편, 도4a 내지 도 4c는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 오차가 생긴 상태, 즉, 토출부(40)와 기판 W가 목표 상대 기울기로부터 변화한 상태(이하, 변화 상태로 부른다)에서 행해지는 임프린트 재의 공급 처리의 예를 나타낸 도면이다. 예를 들어, 도 4a는 변화 상태에 있어서의 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 도시한 도면이다. 또한, 도 4b 및 도 4c는, 변화 상태에서 행해지는 공급 처리중에 기준 방향으로 토출부(40)와 기판 W를 상대 이동시켰을 때에 기판 위에 공급되는 임프린트 재(액적)의 배열을 도시한 도면이다. 도 4b는, 도4a에 나타내는 상태에서 -X 방향(지면 전방에서 후방을 향하는 방향)으로 기판 W를 이동시켰을 때에 기판 위에 공급되는 임프린트 재의 배치를 나타내고 있다. 또한, 도 4c는, 도4a에 나타내는 상태에서 +X방향(지면 후방으로부터 전방을 향하는 방향)으로 기판 W를 이동시켰을 때에 기판에 공급되는 임프린트 재의 배치를 나타내고 있다.
이 변화 상태에서는, 도4a에 나타낸 것과 같이, 토출구(41)와 기판 W의 거리가 토출구(41)마다 다르기 때문에, 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재의 체공 시간이 토출구(41)마다 다를 수 있다. 즉, 기판 W까지의 거리가 설계값보다 작아진 토출구(41)가, 설계 시간보다 짧은 임프린트 재의 체공 시간을 갖기 때문에, 해당하는 목표 공급 위치에 대해 기판 W의 이동 방향의 전방에 임프린트 재가 공급될 수 있다. 또한, 기판 W까지의 거리가 설계값보다 커진 토출구(41)는, 설계 시간보다 긴 임프린트 재의 체공 시간을 갖기 때문에, 해당하는 목표 공급 위치에 대하여 기판 W의 이동 방향의 후방에 임프린트 재가 공급될 수 있다.
즉, 변화 상태에서는, 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W의 상대적인 이동 방향을 기준 방향(±X 방향)으로 설정하면, 도 4b 및 도4c에 나타낸 것과 같이, 복수의 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재 액적 R의 기판 위에서의 배열 방향이 평행사변형 형상을 형성한다. 그 때문에, 목표 공급 위치(기판 위에 규정되는 파선의 교점)에 따라서 임프린트 재 R(액적)을 기판 위에 배열하는 것이 곤란해질 수 있다. 이러한 기판 위에서의 임프린트 재의 배열 방향의 변화는, 도4a 내지 도4c에 나타낸 것과 같이 기판 표면에 대하여 토출부(40)(토출면)가 기울어져 있는 경우에 한정되지 않는다. 도5a 내지 도 5c에 나타낸 것과 같이 토출부(40)(토출면)에 대하여 기판 표면이 기울어져 있는 경우에도 마찬가지로 발생할 수 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서는, 복수의 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재의 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 계측부(50)에서 계측된 상대 기울기에 따라, 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W의 상대적인 이동 방향을 변경한다. 즉, 상기한 바와 같이, 토출부(40)와 기판 W가 상대적으로 기울어지면, 복수의 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재 액적들 사이에서 체공 시간에 차이가 생기고, 이와 같은 체공 시간 차이가 복수의 토출구(41)로부터 토출된 임프린트 재 액적의 기판 위에서의 배열에 오차를 일으킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 이와 같은 임프린트 재의 기판 위에서의 배열 오차를, 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W를 상대적으로 이동시키는 방향(이동 방향)을 변경함으로써 보상한다. 이하에서, 본 실시형태의 임프린트 처리에 대해 설명한다. 이하의 설명에서는, 토출부(40)에 대하여 기판 W를 이동시키는 예에 대해 설명한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 토출부(40)와 기판 W를 상대적으로 이동시킬 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있다.
[임프린트 처리]
다음에, 본 실시형태에 따른 임프린트 처리에 대해서, 도 6을 참조하면서 설명한다. 도6은, 본 실시형태의 임프린트 처리를 나타내는 흐름도다. 도 6에 나타내는 흐름도의 각 공정은 제어부(60)에 의해 행해질 수 있다.
스텝 S11에서는, 제어부(60)는, 제2계측부(52)가 토출부(40)의 아래쪽에 배치되도록 기판 스테이지(20)를 이동시키고, 제2계측부(52)에게 토출면의 높이 분포를 계측시켜, 토출면의 기울기를 취득한다. 본 실시형태에서는 토출면의 기울기의 계측을 임프린트 처리마다 행해하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 1일 1회, 수시간에 1회, 기판을 N매 처리할 때마다 1회 등, 미리 정해진 시간 간격으로 토출면의 기울기가 행해져도 된다. 또한, 스텝 S12에서는, 제어부(60)는, 기판 W가 제1계측부(51)의 아래쪽에 배치되도록 기판 스테이지(20)를 이동시키고, 제1계측부(51)에게 기판 표면의 높이를 계측시켜, 기판 W의 기울기를 취득한다. 이들 스텝 S11 및 스텝 S12의 공정을 행함으로써, 제어부(60)는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기를 구할 수 있다.
스텝 S13에서는, 스텝 S11 및 스텝 S12에서 구해진 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 근거하여, 기판 W의 대상 숏 영역에 대하여 임프린트 재를 공급할 때의 토출부(40)와 기판 W의 이동 조건을 결정한다. 이동 조건으로서는, 예를 들면, 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W의 상대적인 이동 방향, 및, 공급 처리중에 기판 W의 회전 방향(θ 방향)의 위치를 설정할 수 있다. 이때, 이동 조건의 결정에 관한 설명은 후술한다. 스텝 S14에서는, 제어부(60)는, 스텝 S13에서 결정한 이동 조건에 근거하여 토출부(40)와 기판 W를 상대적으로 이동시키면서 토출부(40)에게 임프린트 재를 토출시킴으로써, 기판 W의 대상 숏 영역 위에 임프린트 재를 공급한다(공급 처리).
스텝 S15에서는, 제어부(60)는, 몰드 M(패턴 영역)의 아래쪽에 대상 쇼 영역이 배치되도록 기판 W를 이동시킨다. 그후, 제어부는 몰드 M과 기판 W의 간격을 좁히도록 임프린트 헤드(10)를 제어하여, 몰드 M과 기판 위의 임프린트 재를 접촉시킨다. 스텝 S16에서는, 제어부(60)는, 몰드 M의 패턴 오목부가 임프린트 재로 충분히 충전되면, 임프린트 재에 빛을 조사하도록 경화부(30)를 제어하여, 임프린트 재를 경화시킨다. 스텝 S17에서는, 제어부(60)는, 몰드 M과 기판 W의 간격을 넓히도록 임프린트 헤드(10)를 제어하여, 경화한 임프린트 재로부터 몰드 M을 박리한다. 스텝 S18에서는, 제어부(60)는, 다음에 임프린트 처리를 행해야 할 숏 영역(다음의 숏 영역)이 기판 위에 있는지 아닌지를 판단한다. 다음 숏 영역이 있는 경우에는 스텝 S14로 처리를 진행한다. 그렇지 않은 경우, 처리를 종료한다.
여기에서, 스텝 S15의 처리에 있어서의 기판 W의 이동에 대해서 보충한다. 임프린트 재가 이미 공급된 대상 숏 영역을 몰드 M(패턴 영역)의 아래쪽에 배치할 때에는, 몰드 M의 패턴 영역과 대상 숏 영역(임프린트 재의 공급 영역)의 회전 방향(θ방향)의 위치가 맞도록 기판 W의 이동(위치맞춤)을 행한다. 몰드 M의 패턴 영역 및 기판 W의 대상 숏 영역은 각각, 예를 들면, 사각형 영역일 수 있다. 이 회전 방향의 위치맞춤의 형태로서, 기판 스테이지(20)를 사용하여 기판 W의 회전 위치를 조정하는 형태를 상정하고 있지만, 임프린트 헤드(10)에 의해 몰드 M을 회전시켜서 조정함으로써 위치맞춤을 행해도 된다.
본 발명을 적용하면, 기판 W에 공급되는 임프린트 재의 배열은 평행사변형 형상으로부터 사각형 형상으로 보정된다. 스텝 S13에서 설정된 이동 조건 중에서 한개로서 기판 W의 회전 방향(θ방향)의 위치를 사용하지 않을 경우, 공급된 임프린트 재의 배열의 회전 위치가 실제 상정하고 있었던 기판 W의 회전 위치에 대하여 공급 처리중에 회전되지 않은 양만큼 회전한 상태에서 기판 위에 공급된다. 따라서, 이 경우, 스텝 S15에 있어서, 기판 위에 공급된 임프린트 재의 배열의 회전량을 상쇄하는 방향으로 기판 스테이지(20)가 기판 W를 회전시킴으로써, 몰드 M의 패턴 영역과 임프린트 재의 배열의 회전 위치를 맞출 수 있다. 이 케이스는, 예를 들면, 기판 위에 공급 목표 위치가 되는 하지층을 갖지 않는 제1 레이어 기판에 대하여 유효하다. 혹은, 하지층을 갖는 제2 레이어 기판의 경우에, 기판을 기판 스테이지에 탑재할 때에, 임프린트 재의 공급 처리시에 기판을 회전해서 공급되는 양만큼 기판을 미리 회전시켜서 탑재하면, 스텝 S13의 이동 조건에 회전 위치를 포함시킬 필요가 없다.
[이동 조건의 결정 방법]
다음에, 스텝 S13에 있어서의 이동 조건의 결정 방법에 대해서, 도 7, 도8a 및 도8b를 참조하면서 설명한다. 도7은, 이상 상태에서 행해지는 공급 처리중에 토출부(40)과 기판 W의 이동 방향을 도시한 도면이다. 또한, 도8a 및 도8b는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 오차가 존재하는 상태(변화 상태)에서 행해지는 공급 처리중에 토출부(40)와 기판 W의 이동 방향을 도시한 도면이다. 도8a는, 1회째의 공급 처리를 나타내고 있고, 도 8b는, 2회째의 공급 처리를 나타내고 있다. 도 7, 도8a 및 도 8b는, 공급 처리에 있어서의 기판 W(기판 스테이지(20))와 토출부(40)의 위치 관계를 위쪽(+Z 방향)에서 본 도면이고, 몰드 M의 위치는 파선에 의해 표시되어 있다.
상기한 바와 같이, 이상 상태(도 7)에서는, 복수의 토출구(41)로부터 토출되는 임프린트 재 액적이 같은 체공 시간을 갖는다. 그 때문에, 제어부(60)는, 공급 처리중에 기판의 이동 방향(화살표 A)을, 복수의 토출구(41)의 배열 방향(±Y 방향)과 수직한 기준 방향(-X방향)으로 결정한다. 이렇게 결정된 이동 방향에 따라 토출부(40)를 기판 W를 상대적으로 이동시키면서 공급 처리를 행함으로써, 임프린트 재의 목표 공급 위치(기판 위에 규정된 파선의 교점)에 따라 임프린트 재(액적)를 기판 위에 배열할 수 있다.
한편, 변화 상태(도8a 및 도 8b)에서는, 복수의 토출구(41)로부터 토출되는 임프린트 재 액적이 서로 다른 체공 시간을 갖는다. 그 때문에, 제어부(60)는, 계측부(50)에서 계측된 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 근거하여, 복수의 토출구(41)로부터 토출되는 임프린트 재의 기판 위에서의 배열 오차가 저감되도록, 공급 처리중에 기판의 이동 방향(화살표 B)을 결정한다. 예를 들면, 제어부(60)는, 계측부(50)에서 계측된 상대 기울기에 근거하여, 기준 방향으로 기판 W를 이동시키면서 복수의 토출구(41)로부터 임프린트 재 액적를 토출시켰을 때의 기판 위에서의 임프린트 재의 배열을 추정한다. 추정한 임프린트 재의 배열(추정 배열)과 기판 위에서의 임프린트 재의 목표 배열의 차이에 의해 규정되는 배열 오차가 저감되도록, 공급 처리중에 기판 W의 이동 방향을 결정한다. 구체적으로는, 제어부(60)는, 추정 배열의 방향과 목표 배열의 방향의 각도차 θ을 구하고, 기준 방향(X 방향)에 대하여 각도차 θ만큼 기판을 회전시켜 얻어진 방향을, 공급 처리중의 기판의 이동 방향(화살표 B)으로서 결정한다.
제어부(60)는, 1회째의 공급 처리(도8a)와 2회째의 공급 처리(도 8b)의 각각에 대해서 기판 W의 이동 방향을 결정할 수 있다. 2회째의 공급 처리에서는, 1회째의 공급 처리에 대하여, 각도차 θ의 부호를 반전시켜 얻어진 값이 사용된다. 구체적으로는, 제어부(60)는, 1회째의 공급 처리에서의 기판 W의 이동 방향을, 기준 방향에 대하여 각도차 θ만큼 기판을 회전시켜 얻어진 방향으로 결정했을 경우, 2회째의 공급 처리에서의 기판 W의 이동 방향을, 기준 방향에 대하여 각도차(-θ)만큼 기판을 회전시켜 얻어진 방향으로 결정한다.
또한, 상기한 바와 같이, 기준 방향에 대하여 각도차 θ만큼 기판을 회전시켜 얻어진 방향을 이동 방향으로서 결정했을 경우, 그 결정된 이동 방향에 따라, 기판의 회전 방향(θ방향)의 위치도 조정(변경)하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제어부(60)는, 도 8a 및 도 8b에 나타낸 것과 같이, 격자 그리드에 의해 기판 위에 규정되는 임프린트 재의 목표 공급 위치를 나타내는 정보(기판 위에 규정된 파선의 교점)에 근거하여, 기판 W의 회전 방향의 위치를 조정한다. 즉, 제어부(60)는, 해당 정보에 근거하여, 변경후의 이동 방향으로 기판 W를 이동시켰을 때에 목표 공급 위치에 임프린트 재 액적이 공급되도록, 기판 W의 회전 방향의 위치를 결정한다. 본 실시형태에서, 제어부(60)는, 이상 상태에 대하여 기판 W를 회전 방향으로 각도차 θ만큼 변경하여 얻어진 위치를, 변화 상태에 있어서의 기판 W의 회전 방향의 위치로서 결정한다.
다음에, 각도차 θ의 산출 방법에 대해서, 도9a 및 도9b를 참조하면서 설명한다. 도9a 및 도 9b는, 각도차 θ의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도9a는, +X 방향에서 토출부(40)를 보았을 때 얻어지는 모식도를 나타내고, 도 9b는, +Z 방향에서 기판 W를 보았을 때 얻어지는 모식도이다. 제어부(60)는, 토출부(40)의 토출구 어레이에 포함되는 복수의 토출구(41) 중 적어도 2개의 토출구(41)를 사용해서 각도차 θ을 산출할 수 있다. 각도차 θ의 산출에 사용되는 2개의 토출구(41)는, 가능한 한 Y 방향으로 이격되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 토출구 어레이의 양단에 위치하는 토출구(41)를 선택하는 것이 바람직하다.
도9a에 나타낸 것과 같이, 토출구(41)와 기판 W의 거리값(거리 H1)이 설계값 H0보다 작은 값 토출구 41a의 경우, 기판 위에의 임프린트 재 R1의 공급 위치가 목표 배열(목표 공급 위치)에 대하여 X1만큼 기판 W의 이동 방향의 전방으로 어긋난다. 또한, 토출구(41)와 기판 W의 거리값(거리 H2)이 설계값 H0보다 큰 토출구 41b의 경우, 기판 위에의 임프린트 재 R2의 공급 위치가, 목표 배열(목표 공급 위치)에 대하여 X2만큼 기판 W의 이동 방향의 후방으로 어긋난다. 이러한 공급 위치의 어긋남 량 X1, X2는 다음에 의해 얻어질 수 있다.
X1=(H0/Vd-H1/Vd)xVs …(1)
X2=(H0/Vd-H2/Vd)xVs …(2)
따라서, 도 9b에 나타낸 것과 같이, 임프린트 재의 추정 배열과 목표 배열의 각도차 θ을, 해당 어긋남 량 X1, X2에 근거하여 다음과 같이 구할 수 있다.
θ=arctan((｜X1｜+｜X2｜)/Y) …(3)
수학식 1 내지 3에 있어서, "Vd"는, 각 토출구(41)로부터의 임프린트 재의 토출속도를 나타내고, "Vs"는 공급 처리에 사용하는 기판 W의 이동 속도를 나타내고, "Y"는, 거리 H1을 갖는 토출구(41)a와 거리 H2을 갖는 토출구 41b의 Y 방향의 간격을 나타내고 있다. 이때, "Vs"로서는, 기판 W의 이동 속도 대신에, 토출부(40)와 기판 W의 상대적인 이동 속도를 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태의 임프린트 장치(100)는, 계측부(50)에서 계측된 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 따라, 공급 처리중에 기판 W의 이동 방향을 변경한다. 이에 따라, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기에 기인해서 생기는 기판 위에서의 임프린트 재의 배열 오차를 저감하여, 기판 위에 임프린트 재를 정밀하게 공급할 수 있다.
본 실시형태에서는, 토출부(40)와 기판 W의 상대 기울기, 및 공급 처리중에 기판 W의 이동 방향의 변경에 의해, 기판 위에 공급된 임프린트 재(액적)의 배열 피치가 설계값에 대하여 어긋나는 것이 염려된다. 그렇지만, 실제로는, 토출부(40)와 기판 W가 기울어지는 것에 의한 배열 피치의 확대가, 기판의 이동 방향의 변경에 의한 배열 피치의 축소에 의해 서로 보상(상쇄)되기 때문에, 설계값에 대한 배열 피치의 어긋남이 생기기 어렵다. 이하에서, 이 효과에 대해서 구체적인 수치를 사용하여 설명한다.
예를 들면, 도9a 및 도9b에 나타내는 예에 있어서, 토출면의 기울기 Y를 1000μrad, 가장 이격된 2개의 토출구 41a, 41b의 Y방향의 간격 Y를 40mm, 토출구(41)와 기판 W의 거리의 설계값 H0을 300㎛로 한다. 이 경우, 토출구 41a와 기판 W의 거리 H1은 280㎛, 토출구 41b와 기판 W의 거리 H2는 320㎛이 된다. 또한, 임프린트 재의 토출속도 Vd를 3000mm/sec, 기판 W의 이동 속도 Vs를 1000mm/sec로 하면, 어긋남 량 X1, X2, 및 각도차 θ는 다음과 같이 산출될 수 있다.
X1=(300㎛-280㎛)÷300mm/sx1000mm/s=6.667㎛
X2=(300㎛-320㎛)÷300mm/sx1000mm/s=-6.667㎛
θ=arctan((｜6.667㎛｜+｜-6.667㎛｜)÷40mm)=333.333μrad
즉, 임프린트 재의 공급 위치의 어긋남 량 X1, X2는 약 7㎛이고, 이들 공급 위치의 어긋남 량을 보정하기 위한 각도차 θ은 약 300μrad이 된다.
다음에, 도 10 및 도 11을 사용하여, 토출부(40)에 설치된 복수의 토출구(41)의 간격(이하, 토출구 간격으로 부른다)과, 기판 위에의 임프린트 재(액적)의 공급 위치의 간격(이하, 공급 위치 간격으로 부른다)의 관계에 대해 설명한다. 토출부(40)의 토출면과 기판 표면이 평행한 이상 상태에서는, 토출구 간격 Nintr와 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 같아진다. 그것에 대해, 토출부(40)과 기판 W가 상대적으로 기울어진 경우, 도 10에 나타낸 것과 같이, 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 토출구 간격 Nintr에 대하여 확대되는 경향이 된다. 예를 들면, 토출구 간격 Nintr를 70㎛, 기판 표면에 대한 토출부(토출면)의 기울기 각도(TiltY)를 1000μrad로 하면, 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 이하와 같이 산출된다.
Dintr=70㎛÷cos(1000μrad)=70.000035㎛
즉, 토출부(40)와 기판 W가 1000μrad만큼 상대적으로 기울어지면, 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 토출구 간격 Nintr에 대하여 0.000035㎛만큼 확대된다.
한편, 기판 W의 이동 방향을 변경했을 경우, 도 11에 나타낸 것과 같이, 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 토출구 간격 Nintr에 대하여 축소되는 경향이 된다. 예를 들면, 토출구 간격 Nintr를 70㎛, 기준 방향에 대하여 기판 W의 이동 방향을 변경한 각도(각도차) θ을 333μrad로 하면, 기판 위에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr는 이하와 같이 산출된다.
Dintr=70㎛xcos(333μrad)=69.999996㎛
즉, 기준 방향에 대하여 기판 W의 이동 방향을 333μrad만큼 변경하면, 공급 위치 간격 Dintr는 토출구 간격 Nintr에 대하여 0.000004㎛만큼 축소된다.
이와 같은 경우, 실제로 기판 위에 공급되는 임프린트 재(액적)의 간격은, 도 10에 나타낸 공급 위치 간격 Dintr와 도 11에 나타낸 공급 위치 간격 Dintr의 평균이 되기 때문에, 실제의 기판에의 임프린트 재의 공급 위치 간격 Dintr'은 이하와 같이 산출된다.
Dintr'=(70.000035㎛+69.999996㎛)÷2=70.0000115㎛
즉, 본 실시형태에 따른 방법에서 의해, 도 10에 나타낸 공급 위치 간격 Dintr와 도 11에 나타낸 공급 위치 간격 Dintr가 서로 보상하기 때문에, 설계값에 대한 배열 피치의 어긋남 량을 0.0000155㎛로 충분히 작게 할 수 있다.
<물품의 제조방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태의 물품의 제조방법은, 기판 위에 공급(도포)된 임프린트 재에 상기한 임프린트 장치(임프린트 방법)를 사용해서 패턴을 형성하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품의 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다.
임프린트 장치를 사용하여 경화된 제품의 패턴은 다양한 종류의 물품 중 적어도 일부에 대해 영구적으로, 또는 다양한 종류의 물품을 제조시에 임시로 사용된다. 물품은 전자회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전자회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리 및 MRAM 등의 휘발성 및 불휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 촬상 센서 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화된 제품의 패턴은, 상기한 물품들 중 적어도 일부의 구성요소로서 직접 사용되거나 레지스트 마스크로서 임시로 사용된다. 기판 처리 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크가 제거된다.
다음에, 물품의 상세한 제조방법에 대해 설명한다. 도 12에 나타낸 것과 같이, 기판 위에 절연체 등의 피가공재(2z)가 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 다음에, 잉크젯 방법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트 재(3z)를 도포한다. 여기에서는, 기판 위에 임프린트 재(3z)가 복수의 액적으로 도포되는 상태를 나타낸다.
도 12b에 나타낸 것과 같이, 요철 패턴을 갖는 임프린트용 몰드(4z)의 일면을 기판 위의 임프린트 재(3z)와 대향시킨다. 도 12c에 나타낸 것과 같이, 임프린트 재(3z)가 도포된 기판(1z)을 몰드(4z)와 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 틈이 임프린트 재(3z)로 채워진다. 이 상태에서, 몰드(4z)를 거쳐 경화용의 에너지로 임프린트 재(3z)를 조사하면, 임프린트 재(3z)가 경화한다.
도 12d에 나타낸 것과 같이, 임프린트 재(3z)가 경화한 후, 기판(1z)으로부터 몰드(4z)를 박리한다. 이에 따라, 임프린트 재(3z)의 경화된 제품의 패턴이 기판(1z) 위에 형성된다. 경화된 제품의 패턴에서, 몰드의 오목 부분은 경화된 제품의 볼록 부분에 대응하고, 몰드의 볼록 부분은 경화된 제품의 오목 부분에 대응한다. 즉, 몰드(4z)의 요철 패턴이 임프린트 재(3z)에 전사된다.
도 12e에 나타낸 것과 같이, 에칭 레지스트 마스크로서 경화된 제품의 패턴을 사용하여 에칭을 행하면, 경화된 제품이 존재하지 않거나 얇게 남아 있는 피가공재(2z)의 표면 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 12f에 나타낸 것과 같이, 경화된 제품의 패턴을 제거하면, 홈(5z)이 피가공재(2z)의 표면에 형성된 물품을 얻을 수 있다. 이때, 경화된 제품의 패턴이 제거된다. 그러나, 경화된 제품의 패턴을 처리하거나 제거하는 것 대신에, 예를 들어, 이것을, 예를 들어, 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성요소로서 사용해도 된다.
<기타 실시형태>
본 발명의 실시형태는, 본 발명의 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체('비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억매체'로서 더 상세히 언급해도 된다)에 기록된 컴퓨터 실행가능한 명령(예를 들어, 1개 이상의 프로그램)을 판독하여 실행하거나 및/또는 전술한 실시예(들)의 1개 이상의 기능을 수행하는 1개 이상의 회로(예를 들어, 주문형 반도체 회로(ASIC)를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터나, 예를 들면, 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체로부터 컴퓨터 실행가능한 명령을 판독하여 실행함으로써, 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 구현될 수도 있다. 컴퓨터는, 1개 이상의 중앙처리장치(CPU), 마이크로 처리장치(MPU) 또는 기타 회로를 구비하고, 별개의 컴퓨터들의 네트워크 또는 별개의 컴퓨터 프로세서들을 구비해도 된다. 컴퓨터 실행가능한 명령은, 예를 들어, 기억매체의 네트워크로부터 컴퓨터로 주어져도 된다. 기록매체는, 예를 들면, 1개 이상의 하드디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광 디스크(콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM 등), 플래시 메모리소자, 메모리 카드 등을 구비해도 된다.
본 발명은, 상기한 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실행가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.

Claims (14)

  1. 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    임프린트 재를 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와,
    상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기를 계측하도록 구성된 계측부와,
    상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기에 근거하여, 상기 상대 기울기가 생긴 상태에서 상기 복수의 토출구로부터 임프린트 재가 토출될 때 추정된 상기 기판 위의 임프린트 재의 배열을 추정 배열로서 구하고,
    상기 복수의 토출구로부터 토출된 임프린트 재에 대한 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 추정 배열에 근거하여 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 결정하도록 구성된 임프린트 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 추정 배열과 목표 배열의 차이에 의해 규정되는 상기 배열 오차가 저감되도록 상기 상대적인 이동 방향을 결정하도록 구성된 임프린트 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기와, 상기 처리에서 사용된 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 속도에 근거하여, 상기 추정 배열을 구하도록 구성된 임프린트 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기에 근거하여, 상기 복수의 토출구 중 적어도 2개의 토출구 사이에서 각각의 토출구로부터 상기 기판까지의 거리의 차이를 구하고, 구한 차이와 상기 상대적인 이동 속도에 근거하여 상기 추정 배열을 구하도록 구성된 임프린트 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 위에 임프린트 재의 목표 공급 위치를 나타내는 정보에 근거하여, 변경후의 상기 상대적인 이동 방향으로 상기 토출부와 상기 기판을 상대 이동시키는 경우에 상기 목표 공급 위치에 임프린트 재가 공급되도록, 상기 처리에 있어서 상기 기판의 회전을 조정하도록 구성된 임프린트 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 계측부는, 상기 기판의 면과, 임프린트 재의 토출 방향을 규정가능한 상기 토출부의 기준면 사이의 상대적인 자세를, 상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기로서 계측하도록 구성된 임프린트 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 기준면은, 상기 복수의 토출구가 배열된 상기 토출부의 면을 포함하는 임프린트 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 처리는, 상기 기판에 있어서의 1개의 숏 영역에 임프린트 재를 공급하기 위해 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시키는 제1처리 및 제2처리를 포함하고,
    상기 제1처리와 상기 제2처리는, 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시킬 때 상기 토출부와 상기 기판을 상대 이동시키는 방향이 서로 다르고,
    상기 제어부는 상기 제1처리 및 상기 제2처리의 각각에 대해서 상기 상대적인 이동 방향을 결정하는 임프린트 장치.
  10. 청구항 1, 3 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판 위에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하여 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품의 제조방법.

  11. 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    임프린트 재를 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와,
    상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기의 오차를 계측하도록 구성된 계측부와,
    상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 임프린트 재를 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고,
    상기 상대 기울기의 오차는, 상기 토출부의 각각의 토출구와 상기 기판 사이의 거리가 상기 복수의 토출구에서 서로 다른 상태를 발생시키고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 토출구로부터 토출된 임프린트 재에 대한 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기의 오차에 따라, 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 변경하도록 구성된 임프린트 장치.
  12. 성형 장치로서,
    기판 위에 경화성 조성물을 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와,
    상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기를 계측하도록 구성된 계측부와,
    상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 경화성 조성물을 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기에 근거하여, 상기 상대 기울기가 생긴 상태에서 상기 복수의 토출구로부터 경화성 조성물이 토출될 때 추정된 상기 기판 위의 경화성 조성물의 배열을 추정 배열로서 구하고,
    상기 복수의 토출구로부터 토출된 경화성 조성물에 대한 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 추정 배열에 근거하여 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 결정하도록 구성된 성형 장치.
  13. 성형 장치로서,
    기판 위에 경화성 조성물을 토출하도록 구성된 복수의 토출구가 배열된 토출부와,
    상기 토출부와 상기 기판 사이의 상대 기울기의 오차를 계측하도록 구성된 계측부와,
    상기 토출부와 상기 기판을 상대적으로 이동시키면서 상기 토출부에게 경화성 조성물을 토출시키는 처리를 제어하도록 구성된 제어부를 구비하고,
    상기 상대 기울기의 오차는, 상기 토출부의 각각의 토출구와 상기 기판 사이의 거리가 상기 복수의 토출구에서 서로 다른 상태를 발생시키고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 토출구로부터 토출된 경화성 조성물에 대한 상기 기판 위에서의 배열 오차를 저감하도록, 상기 계측부에 의해 계측된 상기 상대 기울기의 오차에 따라, 상기 처리에 있어서의 상기 토출부와 상기 기판의 상대적인 이동 방향을 변경하도록 구성된 성형 장치.
  14. 청구항 12 또는 13에 기재된 성형 장치를 사용하여 기판 위에 경화물을 형성하는 단계와,
    상기 경화물이 형성된 기판을 처리하여 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품의 제조방법.
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