JP7137344B2 - インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体 - Google Patents

インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体に関する。
インプリント技術は、モールド(型)に形成されたパターンを基板上に供給(塗布)されたインプリント材に転写する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体を製造するリソグラフィ技術の1つとして提案されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写する。
インプリント装置においては、モールドのパターンの形状によって、基板上に供給すべきインプリント材の量(必要量)や基板上のインプリト材の広がり方が異なるため、モールドのパターンに適した状態で基板上にインプリント材を供給する必要がある。そこで、基板上の離散的な位置に液滴状のインプリント材を供給する技術が提案されている。このような技術を採用するインプリント装置では、基板上に定義される格子位置のそれぞれに対してインプリント材を供給するか否かを指定する、即ち、基板上のインプリント材の供給位置を示すマップ(塗布パターン)が用いられている。また、かかるマップに関する技術として、モールドの局所領域ごとのパターン密度情報に基づいてマップを生成する方法が米国特許出願公開第2004/0065976号に提案されている。
一方、インプリント装置では、基板上のインプリント材の供給位置を制御(変更)するものとして、上述したマップの他に、装置パラメータがある。例えば、マップで指定するインプリント材の供給間隔よりも狭い間隔で(即ち、かかる供給間隔の間の位置に)インプリント材を供給したい場合がある。このような場合、マップに従ってインプリント材を供給するだけではなく、装置パラメータを変更することで、マップが指定する供給位置とは異なる位置に、インプリント材を供給することが可能となる。このように、基板上へのインプリント材の供給は、マップをベースとして、装置パラメータでインプリント材の供給位置を微調整することで行われる。
インプリント装置において、マップに従ってインプリント材を供給する場合には、ユーザは、容易に確認が可能なマップを参照することで、基板上に供給されるインプリント材の位置(配列パターン)を把握することができる。しかしながら、マップに対して装置パラメータの変更を加える(即ち、基板上のインプリント材の供給位置を微調整する)場合には、ユーザは、基板上に供給されるインプリント材の位置を把握することが困難である。
本発明は、基板上のインプリント材の供給位置を把握するのに有利なインプリント装置を提供する。
本発明の1つの側面によれば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置が提供される。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図2は、基板上に供給すべきインプリント材の供給位置を示すマップの一例を示す図である。 図3は、基板上へのインプリント材の供給を説明するための図である。 図4は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面の一例を示す図である。 図5は、インプリント材の供給開始位置のオフセットを説明するための図である。 図6は、基板ステージの速度の比率を説明するための図である。 図7は、スキャンパスオフセットを説明するための図である。 図8Aは、ディスペンサ列オフセットを説明するための図である。 図8Bは、ディスペンサ列オフセットを説明するための図である。 図9は、供給部からインプリント材を供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。 図10は、供給部からインプリント材を供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。 図11は、装置パラメータの複数を組み合わせた場合を説明するための図である。 図12は、本実施形態における装置パラメータの決定工程を説明するためのフローチャートである。 図13は、図12のS104でマップ表示領域に表示されるマップの一例を示す図である。 図14は、本実施形態における最終的なマップの決定工程について説明するためのフローチャートである。 図15は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図16は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図17Aは、編集画面が備える補助機能を説明するための図である。 図18Bは、編集画面が備える補助機能を説明するための図である。 図18は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図19は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図20は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図21Aは、物品の製造方法を説明するための図である。 図21Bは、物品の製造方法を説明するための図である。 図21Cは、物品の製造方法を説明するための図である。 図21Dは、物品の製造方法を説明するための図である。 図21Eは、物品の製造方法を説明するための図である。 図21Fは、物品の製造方法を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。
硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。
基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。
インプリント装置100は、基板Wを保持する基板チャック101と、基板チャック101を支持して移動させる基板ステージ102とを有する。インプリント装置100は、パターンPが形成されたモールドMを保持するモールドチャック103と、モールドチャック103を支持して移動させるモールドステージ104とを有する。インプリント装置100は、基板上にインプリント材Rを供給する供給部Dと、CPU151やメモリ152を含む情報処理装置(コンピュータ)で構成され、インプリント装置100の各部(動作)を制御する制御部CNTとを有する。インプリント装置100は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面(操作画面)を管理するコンソール部CONSと、編集画面を表示するモニタ(表示部)111と、キーボードやマウスなどの入力デバイス112とを有する。本実施形態では、インプリント材Rとして紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性のインプリント材を用いる場合について説明するが、インプリント材Rは、熱可塑性のインプリント材や熱硬化性のインプリント材であってもよい。
図2は、コンソール部CONSで管理されるマップRPの一例を示す図である。マップRPは、基板上にインプリント材Rを供給する際の座標、即ち、基板上に供給すべきインプリント材Rの供給位置を示し、本実施形態では、記憶部としても機能するコンソール部CONSに記憶されている。制御部CNTは、マップRPで示される基板上の供給位置にインプリント材Rが供給されるように、基板ステージ102及び供給部Dを制御する。具体的には、制御部CNTは、図3に示すように、マップRPに基づいて、基板ステージ102を矢印201の方向に移動させながら、供給部Dを構成する複数の吐出口Nからインプリント材Rを吐出させる。これにより、基板上には、マップRPに対応するインプリント材Rの配列パターンが形成される。
基板上に供給されたインプリント材RにモールドMを接触させる(押印する)ことによって、基板上のインプリント材RがモールドMのパターンPに充填される。モールドチャック103のモールド保持面とは反対側の面には、モールドMのパターンPの面積よりも大きな面積を有する凹部が形成される。かかる凹部は、モールドM及びシールガラス(不図示)によって密閉されて密閉空間(キャビティ部)を形成する。キャビティ部には、キャビティ部の圧力を調整する圧力調整部(不図示)が接続されている。基板上のインプリント材RとモールドMとを接触させる際には、キャビティ部の圧力を上げてモールドMを基板Wに対して凸形状に変形させることで、基板WとモールドMとの間に気泡が挟まれることを抑制する。基板上のインプリント材RとモールドMとが接触したら、キャビティ部の圧力を戻し、基板上のインプリント材RとモールドMとが完全に接触するようにする。
インプリント装置100は、モールドステージ104に固定されたアライメントスコープ105を有する。アライメントスコープ105は、基板W(のショット領域)に形成されたアライメントマーク(基板側マーク)106と、モールドM(のパターンP)に形成されたアライメントマーク(モールド側マーク)107とを検出する。基板側マーク106及びモールド側マーク107の検出には、2つのマークの相対的な位置を反映したモアレ信号などの干渉信号を用いることができる。また、基板側マーク106及びモールド側マーク107のそれぞれの像を検出して、2つのマークの相対位置を求めてもよい。
制御部CNTは、アライメントスコープ105による基板側マーク106及びモールド側マーク107の検出結果からモールドMと基板Wとの相対的な位置ずれを求める。そして、制御部CNTは、モールドMと基板Wとの相対的な位置ずれに基づいて、基板ステージ102やモールドステージ104を移動させて、モールドMと基板Wとの相対的な位置ずれを補正する。なお、モールドMと基板Wとの相対的な位置ずれは、シフト成分に限定されず、倍率成分や回転成分も含む。このような場合には、基板上のショット領域の形状に応じて、モールドMのパターンPの形状を補正すればよい。
インプリント装置100は、紫外線を放射する光源108と、検出光を放射する検出光源109と、ミラー110とを有する。ミラー110は、ダイクロイックミラーを含み、本実施形態では、光源108からの紫外線を反射し、検出光源109からの検出光を透過させる特性を有する。基板上のインプリント材RとモールドMとを接触させた状態において、光源108からの紫外線をミラー110で反射してインプリント材Rに照射することで、インプリント材Rを硬化させる。これにより、基板上のインプリント材RにモールドMのパターンPが転写される。
検出光源109からの検出光は、モールドMを透過して基板上のショット領域を照明する光と、モールドM(のパターンP)で反射される光とに分離される。ショット領域を照明する光は、基板Wの表面で反射され、モールドMで反射される光とともに撮像部CAMで検出される。撮像部CAMで検出された検出光に対応する画像をモニタ111に表示することで、ユーザは、インプリント処理の様子(例えば、基板上のインプリント材RとモールドMとの接触状態など)を観察することができる。
図4は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面DAEの一例を示す図である。編集画面DAEは、マップRPを生成及び編集するためのものであって、制御部CNTで生成され、ユーザインタフェースとして提供される。本実施形態では、制御部CNTで生成された編集画面DAEは、コンソール部CONSで管理され、モニタ111に表示される。但し、編集画面DAEは、本実施形態のように、インプリント装置100が有する制御部CNTで生成してもよいし、インプリント装置100の外部の情報処理装置で生成してもよい。同様に、編集画面DAEは、インプリント装置100が有するモニタ111に表示してもよいし、インプリント装置100の外部のモニタに表示してもよい。
編集画面DAEでは、インプリント装置100に記憶されているマップRPに基づいて、基板上のインプリント材Rの供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整することで、装置パラメータの値の調整後のマップRPMを生成することができる。マップRPM(第2マップ)とは、マップRP(第1マップ)に対して、装置パラメータの値を調整する(即ち、インプリント装置100を制御する)ことでインプリント材Rの供給位置の微調整が施されたマップである。換言すれば、マップRPMは、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを示している。
インプリント装置100においては、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置にインプリント材Rを供給するだけでは、インプリント材Rの供給が不十分となる場合がある。例えば、マップRPでは、基板Wの周辺の近傍のショット領域に供給されたインプリント材Rが、基板Wの周辺からの距離が短すぎるため、基板Wの外側にはみ出してしまう場合がある。また、マップRPでは、基板Wの周辺の近傍のショット領域に供給されたインプリント材Rが、基板Wの周辺からの距離が長すぎるため、モールドMのパターンPに十分に充填されず、未充填領域が発生してしまう場合もある。このような場合には、装置パラメータMPによって、インプリント装置100の制御を変更することで、マップRPから変更されたマップであるマップRPMを生成する。
編集画面DAEは、図4に示すように、マップRP及びRPMを表示するマップ表示領域401と、装置パラメータMPの値を調整(変更)するための調整窓を表示するパラメータ表示領域402とを有する。ここで、装置パラメータMPは、インプリント装置100に設定されてインプリント材Rの供給位置を変更するためのパラメータである。このように、制御部CNTは、マップRPと、調整窓と、マップRPMとを表示するユーザインタフェースとして、編集画面DAEを提供する。従って、制御部CNTは、その機能として、マップRP及びRPMをユーザインタフェースに表示する第1表示部と、調整窓をユーザインタフェースに表示する第2表示部とを含むように構成される。また、編集画面DAEは、マップ表示領域401に表示される内容を切り替える切替パラメータを表示するアシストエリア403も有する。
装置パラメータMPは、基板上のショット領域内においてインプリント材Rの供給を開始する位置や基板上にインプリント材Rを供給する際の基板ステージ102の速度を含む。また、装置パラメータMPは、基板上にインプリント材Rを供給する際の基板ステージ102の往路と復路との間隔や基板上にインプリント材Rを供給する複数のディスペンサの間の間隔も含む。更に、装置パラメータMPは、基板上にインプリント材Rを吐出する複数の吐出口の間の間隔や基板上にインプリント材Rを供給するタイミングも含む。このように、装置パラメータMPは、上述したパラメータの少なくとも1つを含む。
装置パラメータMPについて具体的に説明する。図5は、装置パラメータMPの1つであるインプリント材Rの供給開始位置のオフセットを説明するための図である。ここで、インプリント材Rの供給開始位置とは、基板上のショット領域内においてインプリント材Rの供給を開始する位置を意味する。図5には、X方向におけるインプリント材Rの供給開始位置のオフセット501、及び、Y方向におけるインプリント材Rの供給開始位置のオフセット502が示されている。オフセット501及び502を用いることで、マップRPに対して、オフセット501及び502に対応する距離だけずれた位置にインプリント材Rを供給するためのマップRPMが得られる。制御部CNTは、マップRPMに基づいて、供給部Dからインプリント材Rを供給(吐出)するタイミングを制御する。
マップRPとマップRPMとの関係は、以下の式(1)及び式(2)で表される。
Figure 0007137344000001
Figure 0007137344000002
式(1)及び式(2)において、RPx及びRPyは、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。また、StartOffsetx及びStartOffsetyは、装置パラメータとしてのインプリント材Rの供給開始位置のオフセットを示す。また、RPMx及びRPMyは、インプリント材Rの供給開始位置のオフセットの調整後のマップRPMで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。
編集画面DAEでは、オフセット501及び502の設定と、設定されたオフセット501及び502から得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、オフセット501及び502の調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。
図6は、装置パラメータMPの1つである基板ステージ102の速度の比率を説明するための図である。基板ステージ102の速度の比率を変更することで、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置の間隔とは異なる間隔で、基板上にインプリント材Rを供給することができる。基板ステージ102の速度の比率に大きな値を設定すると、基板ステージ102の移動速度が速くなるため、基板上のインプリント材Rの供給位置の間隔は、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置の間隔よりも広くなる。一方、基板ステージ102の速度の比率に小さな値を設定すると、基板ステージ102の移動速度が遅くなるため、基板上のインプリント材Rの供給位置の間隔は、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置の間隔よりも狭くなる。
マップRPと、基板ステージ102の速度の比率を調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(3)で表される。
Figure 0007137344000003
式(3)において、RPxは、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示し、RPMxは、マップRPMで示されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示す。また、Basexは、マップRPを拡大又は縮小する際の基準位置を示し、SpeedRatioは、基板ステージ102の速度の比率を示す。図6では、601がRPxに対応し、602がRPMxに対応し、603がBasexに対応している。
編集画面DAEでは、基板ステージ102の速度の比率の設定と、設定された基板ステージ102の速度の比率から得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、基板ステージ102の速度の比率の調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、基板ステージ102の速度の比率を調整することで、基板ステージ102の移動速度を変更する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、供給部Dからインプリント材Rを供給(吐出)するタイミングを調整することで、基板上のインプリント材Rの供給位置を変更してもよい。
図7は、装置パラメータMPの1つであるスキャンパスオフセットを説明するための図である。供給部Dから基板上にインプリント材Rを供給する際、供給部Dに対して基板Wを往復させることで、供給部Dに対して基板Wを往復させない(即ち、往路のみ)場合よりも基板上のインプリント材Rの供給位置の間隔を狭くすることができる。図7において、矢印703は、往路で基板上に供給されるインプリント材Rを示している。そして、往路から復路に切り替わる際に、例えば、基板Wを距離701だけY方向にずらす。矢印704は、復路で基板上に供給されるインプリント材Rを示している。そして、復路から往路に切り替わる際に、基板WをY方向にずらす。矢印706は、往路で基板上に供給されるインプリント材Rを示している。距離701は、一般的には、隣接する往路の間隔に対応する距離(矢印703と矢印706との間の距離)の半分を用いる。一方、往路から復路に切り替わる際に、基板Wを距離702だけY方向にずらす(距離701を距離702に変更する)。これにより、復路では、矢印705で示す基板上の位置に、インプリントRを供給することができる(基板上のインプリント材Rの供給位置を変更することができる)。この矢印704と矢印705との間の間隔(即ち、基板上にインプリント材Rを供給する際の基板W(基板ステージ102)の往路と復路との間隔)を、スキャンパスオフセットと称する。
マップRPと、スキャンパスオフセットを調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(4)で表される。
Figure 0007137344000004
式(4)において、RPryは、マップRPにおいて復路で供給されるインプリント材Rの供給位置(Y座標)を示し、RPMryは、マップRPMにおいて復路で供給されるインプリント材Rの供給位置(Y座標)を示す。スキャンパスオフセットScanPassOffsetに応じて、インプリント材Rの供給位置Rpryに対して、インプリント材Rの供給位置RPMryが変更される。
編集画面DAEでは、スキャンパスオフセットの設定と、設定されたスキャンパスオフセットから得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、スキャンパスオフセットの調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、スキャンパスオフセットとして、基板WをY方向にずらしているが、基板WをX方向にずらしてもよい。
図8A及び図8Bは、装置パラメータMPの1つであるディスペンサ列オフセットを説明するための図である。図8A及び図8Bに示すように、供給部Dが複数のディスペンサ801及び802で構成されている場合、基板上に供給されるインプリント材Rは、対応するディスペンサから供給される。基板上のインプリント材Rの供給位置RP1は、ディスペンサ801から供給されるインプリント材Rの位置を示し、基板上のインプリント材Rの供給位置RP2は、ディスペンサ802から供給されるインプリント材Rの位置を示している。ディスペンサ列オフセットとは、ディスペンサ801とディスペンサ802との間の間隔のオフセットである。図8Bには、X方向のディスペンサ列オフセット803、及び、Y方向のディスペンサ列オフセット804が示されている。ディスペンサ列オフセットを設定することで、ディスペンサ801の位置に対してディスペンサ802の位置がずれる。これにより、ディスペンサ801から供給される基板上のインプリント材Rの供給位置RPM1に対して、ディスペンサ802から供給される基板上のインプリント材Rの供給位置RPM2がずれる。
マップRPと、ディスペンサ列オフセットを調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(5)及び式(6)で表される。
Figure 0007137344000005
Figure 0007137344000006
式(5)及び式(6)において、RPx及びRPyは、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。また、DispenserLineOffsetx及びDispenserLineOffsetyは、ディスペンサ801とディスペンサ802との間のX方向及びY方向の間隔のオフセットを示す。RPMx及びRPMyは、ディスペンサ列オフセットの調整後のマップRPMで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。
編集画面DAEでは、ディスペンサ列オフセットの設定と、設定されたディスペンサ列オフセットから得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、ディスペンサ列オフセットの調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、ディスペンサ列オフセットとして、複数のディスペンサの間の物理的な距離のオフセットを説明したが、ディスペンサごとにインプリント材Rを供給するタイミングを変更することで、ディスペンサ列オフセットを変更してもよい。また、供給部Dを構成するディスペンサの数も2つに限定されるものではない。
同様に、供給部Dが複数の吐出口Nで構成されている場合、吐出口列オフセットも装置パラメータMPの1つである。この場合、複数の吐出口Nの間の間隔のオフセットを変更することで、基板上に供給されるインプリント材Rの供給位置を変更することができる。ここでは、複数の吐出口Nの間の間隔のオフセットを、吐出口列オフセットと称する。
マップRPと、吐出口列オフセットを調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(7)及び式(8)で表される。
Figure 0007137344000007
Figure 0007137344000008
式(7)及び式(8)において、RPx及びRPyは、マップRPで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。また、DischargeLineOffsetx及びDischargeLineOffsetyは、複数の吐出口の間のX方向及びY方向の間隔のオフセットを示す。RPMx及びRPMyは、吐出口列オフセットの調整後のマップRPMで示されるインプリント材Rの供給位置(座標)を示す。
編集画面DAEでは、吐出口列オフセットの設定と、設定された吐出口列オフセットから得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、吐出口列オフセットの調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、吐出口列オフセットとして、複数の吐出口の間の物理的な距離のオフセットを説明したが、吐出口ごとにインプリント材Rを供給するタイミングを変更することで、吐出口列オフセットを変更してもよい。
図9は、装置パラメータMPの1つである供給部Dからインプリント材Rを供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。基板WをX方向に移動している間に、供給部Dの吐出口Nからインプリント材Rを吐出(供給)することで、図9に示すように、吐出口Nに対向する基板上の位置にインプリント材Rを供給することができる。図9には、供給部Dを構成する複数の吐出口Nのそれぞれの基板上での移動経路901、902、903、904及び905が示されている。また、図9には、複数の吐出口Nからインプリント材Rを吐出するタイミングのオフセット911、912、913、914及び915も示されている。オフセット911乃至915を変更することで、複数の吐出口Nの間で基板Wの移動方向に対するインプリント材Rの供給位置を変更することができる。図9に示すように、基板上のインプリント材Rの供給位置906、907、908、909及び910のそれぞれを、基板上のインプリント材の供給位置916、917、918、919及び920に変更することができる。
マップRPと、オフセット911、912、913、914及び915を調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(9)で表される。
Figure 0007137344000009
式(9)において、RPnxは、マップRPにおけるn番目の吐出口Nから供給されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示す。また、DischargeTimingOffsetnは、n番目の吐出口Nからインプリント材Rを吐出するタイミングのオフセットを示す。RPMnxは、マップRPMにおけるn番目の吐出口Nから供給されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示す。
編集画面DAEでは、オフセット911、912、913、914及び915の設定と、設定されたオフセット911、912、913、914及び915から得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、オフセット911、912、913、914及び915の調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。
図10は、装置パラメータMPの1つである供給部Dからインプリント材Rを供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。通常は、基板WをX方向に移動している間に、供給部Dを構成する吐出口Nから一定の時間間隔でインプリント材Rを吐出する。これにより、図10に示すように、基板上のインプリント材Rの供給位置1002、1003、1004、1005及び1006に一定間隔でインプリント材Rが供給される。図10には、インプリント材Rが供給される向き1001が示されている。これに対して、吐出口Nからインプリント材Rを吐出するタイミングのオフセット1007、1008及び1009を加えることで、基板上のインプリント材Rの供給位置をずらすことができる。複数の吐出口Nのそれぞれに対してオフセット1007、1008及び1009を設定することで、インプリント材Rを一定間隔で吐出する場合とは異なる供給位置1010、1011及び1012にインプリント材Rを供給することができる。本実施形態では、オフセット1007、1008及び1009には、それぞれ異なる値が設定されている。例えば、供給位置1010(又は1012)は、オフセットを設定しない場合における供給位置1003(又は1006)に対して、正のX方向に位置する。また、供給位置1011は、オフセットを設定しない場合における供給位置1005に対して、負のX方向に位置する。
マップRPと、オフセット1007、1008及び1009を調整することで得られるマップRPMとの関係は、以下の式(10)で表される。
Figure 0007137344000010
式(10)において、RPnxは、マップRPにおけるn番目の吐出口Nから供給されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示す。また、JettingTimingOffsetnは、n番目の吐出口Nからインプリント材Rを吐出するタイミングのオフセットを示す。RPMnxは、マップRPMにおけるn番目の吐出口Nから供給されるインプリント材Rの供給位置(X座標)を示す。
編集画面DAEでは、オフセット1007、1008及び1009の設定と、設定されたオフセット1007、1008及び1009から得られるマップRPMとが表示される。従って、ユーザは、モニタ111に表示される編集画面DAEを介して、オフセット1007、1008及び1009の調整後のマップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを容易に確認することができる。
図11は、上述した装置パラメータMPの複数を組み合わせた場合を説明するための図である。図11では、基板ステージ102の速度の比率とスキャンパスオフセットとを組み合わせた場合を例に説明する。図11に示すように、基準位置1103を基準として基板ステージ102の速度の比率を変更することで、基板上のインプリント材Rの供給位置の間の間隔を広げることができる。例えば、基板上のインプリント材Rの供給位置1101を供給位置1102にずらすことができる。また、スキャンパスオフセット1105を設定することで、例えば、往路におけるインプリント材RのY方向の供給位置1104を供給位置1105にずらすことができる。
マップRPと、基板ステージ102の速度の比率及びスキャンパスオフセットを調整することで得られるマップRPMとの関係は、式(3)と式(4)との組み合わせで表される。なお、その他の装置パラメータMPについても同様に組み合わせて用いることができる。
このように、編集画面DAEを介してユーザが装置パラメータMPの値を調整(変更)することで、基板ステージ102や供給部Dの動作が変更されるため、マップRPからマップRPMを得ることができる。また、本実施形態では、編集画面DAEにマップRPMが表示されるため、ユーザは、基板上にインプリント材Rを供給する前に、マップRPM、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを把握することができる。これにより、本実施形態では、マップRPMを確認しながらマップRPを変更することが可能となるため、マップRPの編集効率を向上させることができる。また、基板上にインプリント材Rを供給する前にマップRPMを確認することで、基板上の異常な位置へのインプリント材Rの供給を把握することが可能となり、歩留まりの向上に寄与する。一方、従来技術では、マップRPMが表示されないため、実際に基板上にインプリント材Rを供給し、その結果を確認しなければ、基板上に実際に形成されるインプリント材Rの配列パターンを把握することができない。
本実施形態において、編集画面DAEで提供する装置パラメータMPの決定工程について説明する。図12は、本実施形態における装置パラメータMPの決定工程を説明するためのフローチャートである。かかる決定工程では、装置パラメータMPを調整しながらマップRPMを確認し、装置パラメータMPを決定する。
S101において、編集画面DAEを起動され、選択画面(不図示)から対象のマップMPを指定して、編集画面DAEにマップMPを読み込む。S102において、S101で読み込んだマップMPを編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。
S103において、編集画面DAE(調整窓)を介してユーザがパラメータ表示領域402に表示されている装置パラメータMPの値を調整する。この際、入力デバイス112は、編集画面DAEを介してユーザが装置パラメータMPの値を入力する入力部として機能する。S104において、S103で調整された装置パラメータMPの値に基づいて、装置パラメータMPの調整後のマップであるマップRPMを編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。図13は、S104でマップ表示領域401に表示されるマップRPMの一例を示す図である。本実施形態では、図13に示すように、マップMPとマップRPMとを重畳してマップ表示領域401に表示する。例えば、図15に示すように、基板ステージ102の速度の比率を変更することで、インプリント材Rを供給可能な基板上の位置を定義するグリッド(格子)1501がグリッド1502に変換される。これにより、マップRPに対するマップRPMが得られる。
S105において、S104でマップ表示領域401に表示されたマップRPMを確認し、その妥当性、即ち、マップRPMを基板上に供給すべきインプリント材Rの供給位置を示す最終的なマップとして決定するかどうかを判定する。マップRPMを最終的なマップとして決定しない場合には、S103に移行して、S103、S104及びS105を繰り返す。また、マップRPMを最終的なマップとして決定する場合には、S106に移行する。
S106において、S103で調整された装置パラメータMPの値を保存する。装置パラメータMPの値の保存は、インプリント装置100が有している記憶装置(データベース)に反映されてもよいし、記憶装置に反映されないファイルとして保存されてもよい。
このように、本実施形態では、装置パラメータMPの値を調整するたびに、かかる装置パラメータMPの値から得られるマップRPMを確認することができるため、装置パラメータMPを効率的に決定することができる。
本実施形態において、編集画面DAEで提供する、基板上に供給すべきインプリント材Rの供給位置を示す最終的なマップの決定工程について説明する。図13は、基板上に供給すべきインプリント材Rの供給位置を示す最終的なマップの決定工程を説明するためのフローチャートである。かかる決定工程では、マップRPで示される基板上のインプリント材Rの供給位置を変更しながらマップRPMを確認し、最終的なマップを決定する。
S201において、編集画面DAEを起動され、選択画面(不図示)から対象のマップMPを指定して、編集画面DAEにマップMPを読み込む。S202において、S201で読み込んだマップMPを編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。
S203において、編集画面DAE(調整窓)を介してユーザがパラメータ表示領域402に表示されている装置パラメータMPの値を調整する。S204において、S203で調整された装置パラメータMPの値に基づいて、装置パラメータMPの調整後のマップであるマップRPMを編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。
S205において、編集画面DAE(マップ表示領域401)を介してユーザがS204で表示されたマップRPMで示される基板上のインプリント材Rの供給位置を変更する。S205において、S204で基板上のインプリント材Rの供給位置が変更された(即ち、供給位置の変更を反映した)マップRPMを編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。この際、インプリント材Rを変更後の供給位置に供給するために必要となる装置パラメータMPの値を求め、かかる装置パラメータMPの値をパラメータ表示領域402に表示する。
S207において、S206でマップ表示領域401に表示されたマップRPMを確認し、その妥当性、即ち、マップRPMを基板上に供給すべきインプリント材Rの供給位置を示す最終的なマップとして決定するかどうかを判定する。マップRPMを最終的なマップとして決定しない場合には、S205に移行して、S205及びS206を繰り返す。また、マップRPMを最終的なマップとして決定する場合には、S208に移行する。S208において、S206でマップ表示領域401に表示されたマップRPMを最終的なマップとして保存する。
このように、本実施形態では、装置パラメータMPの値を調整するたびに、かかる装置パラメータMPの値から得られるマップRPMを確認するとともに、マップRPMで示される基板上のインプリント材Rの供給位置を変更することができる。従って、基板上に供給すべきインプリト材Rの供給位置を示す最終的なマップを効率的に決定することができる。
なお、本実施形態では、装置パラメータMPの値の調整後のマップRPMをベースとして最終的なマップを決定しているが、これに限定されるものではない。例えば、編集画面DAE(マップ表示領域401)を介してユーザがS202で表示されたマップRPで示される基板上のインプリント材Rの供給位置を変更し、それに応じて、マップRPM及び装置パラメータMPの値を求めてもよい。
編集画面DAEが備える補助機能について説明する。図15は、編集画面DAEのマップ表示領域401に表示されるマップRP及びRPMの一例を示す図である。供給部Dを構成する複数の吐出口Nの間隔や吐出口Nからインプリント材Rを吐出するタイミングに応じて、インプリント材Rが供給可能な基板上の位置は制約を受ける。図15に示すように、インプリント材Rを供給可能な基板上の位置を定義するグリッド(の交点)1601は、例えば、装置パラメータMPの値の1つである基板ステージ102の速度の比率を調整することで、グリッド1602に変更される。また、その他の装置パラメータMPの値を調整する場合も同様に、グリッド1601は、グリッド1602に変更される。そこで、図15に示すように、グリッド1601及び1602とマップRP及びRPMとを重畳して編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。これにより、ユーザは、インプリント材Rを供給可能な基板上の位置を把握しながらマップRP及びRPMや装置パラメータMPの値を効率的に決定することが可能となる。
図16は、編集画面DAEのマップ表示領域401に表示されるマップRP及びRPMの一例を示す図である。基板上に供給されたインプリント材Rは、モールドMと接触することで広がる。ここで、基板Wの外周において、基板上のインプリント材RがモールドMよりも外側に広がると、モールドMからはみ出したインプリント材Rが異物となり、欠陥の原因となる。従って、基板上には、インプリント材Rの供給を禁止する領域が存在する。
そこで、図16に示すように、基板上においてインプリント材Rの供給を禁止する領域とマップRP及びRPMとを重畳して編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。基板上においてインプリント材Rの供給を禁止する領域は、ライン1705、1706、1707及び1708によって規定される。なお、インプリント材Rの供給を禁止する領域の大きさは、基板Wの外周からのX方向における距離1701及び1702と、基板Wの外周からのY方向における距離1703及び1704を調整することで設定される。これにより、インプリント材Rの特性やプロセスの違いに応じて、インプリント材Rの供給を禁止する領域の大きさを変更することができる。
図16では、インプリント材Rの供給を禁止する領域にインプリント材Rの供給位置が存在するマップRPを、インプリント材Rの供給を禁止する領域にインプリント材Rの供給位置が存在するマップRPMに変更している。例えば、X方向に関しては、基板ステージ102の速度の比率を小さくすることで、インプリント材Rの供給を禁止する領域に存在するインプリント材Rの供給位置をインプリント材Rの供給を禁止する領域の内側にずらすことができる。また、Y方向に関しては、スキャンパスオフセットを調整することで、インプリント材Rの供給を禁止する領域に存在するインプリント材Rの供給位置をインプリント材Rの供給を禁止する領域の内側にずらすことができる。
このように、ユーザは、基板上においてインプリント材Rの供給を禁止する領域を把握しながらマップRP及びRPMや装置パラメータMPの値を効率的に決定することが可能となる。また、基板上のインプリント材RがモールドMよりも外側に広がることで発生する欠陥を抑制することができる。なお、本実施形態では、基板上においてインプリント材Rの供給を禁止する領域を矩形領域としているが、これに限定されるものではない。例えば、基板上においてインプリント材Rの供給を禁止する領域は、円形など曲線を含む形状であってもよい。
モールドMのパターンPは、図17Aに示すように、種々のパターンの組み合わせから構成されている。本実施形態では、モールドMのパターンPは、基板Wに形成すべき回路パターン1802と、モールドMの位置合わせに用いられるマークパターン1804とを含む。また、モールドMには、パターンが存在しない領域1803も存在する。モールドMのパターンPによって、基板上に供給すべきインプリント材Rの量や基板上のインプリント材Rの広がり方が異なるため、モールドMのパターンPに応じてインプリント材Rの供給を行う必要がある。
そこで、図17Bに示すように、モールドMのパターンPの少なくとも一部とマップRPMとを重畳して編集画面DAEのマップ表示領域401に表示する。これにより、モールドMのパターンPを確認しながら、マップRPMや装置パラメータMPの値を効率的に決定することが可能となる。例えば、回路パターン1802やマークパターン1804が存在する領域には、インプリント材Rを供給し、パターンが存在しない領域1803には、インプリント材Rを供給しないように、基板上のインプリント材Rの供給位置を調整する。
このように、モールドMのパターンPに応じて、マップRPMや装置パラメータMPの値を効率的に決定することができる。特に、マークパターン1804は、その溝が深いため、マークパターン1804の近傍に対応する基板上の領域には、インプリント材Rを多量に供給する必要がある。一方、パターンが存在しない領域1803に供給されるインプリント材Rは少量又はゼロでもよい。なお、図17Bでは、マップRPMのみを表示しているが、マップRPのみを表示してもよいし、マップRP及びRPMの両方を表示してもよい。また、マップRPやマップRPMに重畳するモールドMのパターンの少なくとも一部は、回路パターン1802、マークパターン1804、及び、回路パターン1802とマークパターン1804との境界部分のうちの少なくとも1つを含むとよい。
図18は、編集画面DAEのマップ表示領域401に表示されるマップRP(又はRPM)の一例を示す図である。基板上に供給されるインプリント材Rは、図18に示すように、供給部Dを構成する特定の吐出口Nや特定のタイミングで供給されたものである。例えば、矢印2001の上に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、基板ステージ102(基板W)の往路でインプリント材Rが供給される位置を示す。一方、矢印2002の上に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、基板ステージ102(復路W)の往路でインプリント材Rが供給される位置を示す。
また、供給部Dが2つのディスペンサで構成されている場合、範囲2011及び2013に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、1番目のディスペンサでインプリント材Rが供給される位置を示す。一方、範囲2012及び2014に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、2番目のディスペンサでインプリント材Rが供給される位置を示す。
また、1つのディスペンサ2つの吐出口群から構成されている場合、範囲2003、2005、2007及び2009に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、1番目の吐出口群でインプリント材Rが供給される位置を示す。一方、範囲2004、2006、2008及び2010に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、2番目の吐出口群でインプリント材Rが供給される位置を示す。
また、1つの吐出口群が複数の吐出口Nから構成されている場合、範囲2015に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、1番目の吐出口群における1番目の吐出口Nでインプリント材Rが供給される位置を示す。一方、範囲2016に存在する基板上のインプリントRの供給位置は、2番目の吐出口群における2番目の吐出口Nでインプリント材Rが供給される位置を示す。
また、基板ステージ102を移動させながら一定のタイミングで供給部Dからインプリント材Rを供給する場合、ライン2017の上に存在するインプリント材Rの供給位置は、同一のタイミングでインプリント材Rが供給される位置を示す。同様に、ライン2018乃至2026のそれぞれの上に存在するインプリント材Rの供給位置は、同一のタイミングでインプリント材Rが供給される位置を示す。このように、編集画面DAEのマップ表示領域401には、基板上のインプリント材Rの供給位置のそれぞれについて、インプリント材Rの供給条件を識別可能にマップRP及びRPMを表示することもできる。
図19は、編集画面DAEのマップ表示領域401に表示されるマップRP(又はRPM)の一例を示す図である。図19に示すように、インプリント材Rの供給条件は、編集画面DAEの供給条件表示領域1901に表示される。例えば、供給部Dが2列の吐出口群で構成されている場合、供給条件表示領域1901には、1列目の吐出口群からインプリント材Rが供給されることを意味する供給条件1902が表示される。また、供給条件表示領域1901には、2列目の吐出口群からインプリント材Rが供給されることを意味する供給条件1903も表示される。
供給条件1902及び1903のそれぞれは、チェックボックスを有し、かかるチェックボックスの内容に応じて、マップ表示領域401に表示される内容が切り替わる。図19では、供給条件1902のチェックボックスが有効化されている。従って、マップ表示領域401において、範囲1904及び1906に存在するインプリント材Rの供給位置が1列目の吐出口群でインプリント材Rが供給ことを識別可能に表示している。また、図19では、供給条件1903のチェックボックスが有効化されている。従って、範囲1905及び1907に存在するインプリント材Rの供給位置は、2列目の吐出口群でインプリント材Rが供給されるため、かかる供給位置は、マップ表示領域401に表示されない。但し、図19では、マップ表示領域401に表示されないことを破線で表現している。
図19では、インプリント材Rの供給条件として、1つの吐出口群を例に説明した。但し、その他のインプリント材Rの供給条件(例えば、走査方向、個々のディスペン、個々の吐出口、インプリント材Rを吐出するタイミングなど)についても同様に、チェックボックスの内容に応じて、マップ表示領域401に表示される内容を反映すればよい。
このように、マップRP及びRPMのそれぞれで示されるインプリント材Rの供給位置のそれぞれを、複数の吐出口Nのうちいずれの吐出口から供給されるかを識別可能に編集画面DAEのマップ表示領域401に表示してもよい。同様に、マップRP及びRPMのそれぞれで示されるインプリント材Rの供給位置のそれぞれを、複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に編集画面DAEのマップ表示領域401に表示してもよい。これにより、マップRP及びRPMや装置パラメータMPの値を効率的に決定することが可能となる。例えば、装置パラメータMPとしてスキャンパスオフセットを調整する場合には、復路で供給されるインプリント材Rの供給位置のみを表示することで、装置パラメータMPの値の調整によって変更されるインプリント材Rの供給位置のみを確認することができる。
図20は、編集画面DAEのマップ表示領域401に表示されるマップRP(又はRPM)の一例を示す図である。例えば、図21に示すように、マップ表示領域401において、入力デバイス112を用いてモニタ111に表示されるアイコン2101を移動させて、インプリント材Rの供給位置のいずれかを選択する。これにより、選択されたインプリント材Rの供給位置についての供給条件が表示領域2102に表示される。例えば、アイコン2101で選択されているインプリント材Rの供給位置は、基板ステージ102の往路、2列目のディスペンサ、2列目の吐出口群、吐出口群における1番目の吐出口、インプリント材Rを吐出するタイミングが10番目であることがわかる。
また、編集画面DAEでは、装置パラメータMPの値を調整する際に、かかる装置パラメータMPの影響を受けるインプリント材Rの供給位置を把握しながら装置パラメータMPを決定することができる。編集画面DAEは、スキャン方向に関する装置パラメータMPの値を調整する調整窓2103、ディスペンサに関する装置パラメータMPの値を調整する調整窓2104、吐出口群に関する装置パラメータMPの値を調整する調整窓2105を有する。これらの調整窓は、インプリント材Rの供給条件ごとに、インプリント材Rの供給位置をマップ表示領域401に表示するかどうかを切り替える表示切替パラメータ2016を有する。表示切替パラメータ2016が有効化されているか、或いは、無効化されているかによって、マップ表示領域401において、対応するインプリント材Rの供給位置が識別可能に表示される。例えば、表示切替パラメータ2016が有効化されている場合には、インプリント材Rの供給位置が実線で表示され、表示切替パラメータ2016が無効化されている場合には、インプリント材Rの供給位置が破線で表示される。
図20では、表示領域2102に表示されたインプリント材Rの供給条件に従って、表示切替パラメータ2106が設定されている。例えば、調整窓2103では、往路の表示切替パラメータが有効化されており、調整窓2104では、2列目のディスペンサの表示切替パラメータが有効化されている。また、調整窓2105では、2列目の吐出口群の表示切替パラメータが有効化されている。従って、マップ表示領域401には、表示切替パラメータ2106に対応して、範囲2108及び2107に存在するインプリント材Rの供給位置のみが実線で示されている。
このように、表示領域2102において着目するインプリント材Rの供給位置の供給条件を把握することができ、表示切替パラメータ2106と、それに対応してマップ表示領域401に表示される内容を切り替えることができる。これにより、着目するインプリント材Rの供給位置の供給条件と、供給条件ごとの装置パラメータMPの影響を容易に把握することが可能となり、装置パラメータMPを効率的に決定することができる。
また、本実施形態では、インプリント材Rの供給位置の供給条件に応じた表示方法として、チェックボックスに応じた表示内容の切り替えを説明した。但し、インプリント材Rの供給位置の供給条件を、マップ表示領域401に直接表示する方法もあり、チェックボックスに応じた表示内容の切り替えに限定されるものではない。
インプリント装置100を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。
硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図21Aに示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板Wを用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材Rを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材Rが基板上に付与された様子を示している。
図21Bに示すように、インプリント用のモールドMを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材Rに向け、対向させる。図21Cに示すように、インプリント材Rが付与された基板WとモールドMとを接触させ、圧力を加える。インプリント材Rは、モールドMと被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールドMを介して照射すると、インプリント材Rは硬化する。
図21Dに示すように、インプリント材Rを硬化させた後、モールドMと基板Wを引き離すと、基板上にインプリント材Rの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドMの凹部が硬化物の凸部に、モールドMの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材RにモールドMの凹凸パターンが転写されたことになる。
図21Eに示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図21Fに示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
なお、上述した編集画面(インターフェース)を生成し、かかる編集画面をユーザに提供することで、基板上に供給すべきインプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法も本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (17)

  1. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記制御部は、
    前記第1マップ及び前記第2マップを前記ユーザインタフェースに表示する第1表示部と、
    前記調整窓を前記ユーザインタフェースに表示する第2表示部と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、
    前記制御部は、前記第1マップ及び前記第2マップを前記ユーザインタフェースに表示する第1表示部と、前記調整窓を前記ユーザインタフェースに表示する第2表示部と、を含み、
    前記第1表示部は、前記第1マップと前記第2マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置。
  4. 前記ユーザインタフェースを介してユーザが前記装置パラメータの値を入力するための入力部を更に有することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  5. 前記制御部は、前記ユーザインタフェースを介してユーザが前記第1マップで示される前記インプリント材の供給位置を変更することができるように前記第1マップを表示することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  6. 前記制御部は、前記モールドのパターンの少なくとも一部と前記第1マップ及び前記第2マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  7. 前記モールドのパターンの少なくとも一部は、前記基板に形成すべき回路パターン、前記モールドの位置合わせに用いられるマークパターン、及び、前記回路パターンと前記マークパターンとの境界部分のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
  8. 前記制御部は、前記基板上において前記インプリント材の供給を禁止する領域と前記第1マップ及び前記第2マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  9. 前記制御部は、前記インプリント材を供給可能な前記基板上の位置を定義するグリッドと前記第1マップ及び前記第2マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  10. 前記基板上に前記インプリント材を吐出する複数の吐出口を含み、前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部を更に有し、
    前記制御部は、前記第1マップ及び前記第2マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数の吐出口のうちいずれの吐出口から供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  11. 前記供給部は、前記複数の吐出口をそれぞれ含む複数のディスペンサを含み、
    前記制御部は、前記第1マップ及び前記第2マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項10に記載のインプリント装置。
  12. 前記基板上に前記インプリント材を供給する複数のディスペンサを更に有し、
    前記制御部は、前記第1マップ及び前記第2マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  13. 前記装置パラメータは、前記基板上のショット領域内において前記インプリント材の供給を開始する位置、前記基板上に前記インプリント材を供給する際の前記基板を保持する基板ステージの速度、前記基板上に前記インプリント材を供給する際の前記基板ステージの往路と復路との間隔、前記基板上に前記インプリント材を供給する複数のディスペンサの間の間隔、前記基板上に前記インプリント材を吐出する複数の吐出口の間の間隔、前記基板上に前記インプリント材を供給するタイミングの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  14. インプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有し、
    前記インプリント装置は、モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成し、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする物品の製造方法。
  15. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に提供されるユーザインタフェースを生成する情報処理装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する制御部を有し、前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする情報処理装置。
  16. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する第1工程と、
    前記第1工程で生成された前記ユーザインタフェースを提供する第2工程と、
    を有し、
    前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする方法。
  17. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記憶した記憶媒体であって、
    前記方法は、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第1マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第2マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する第1工程と、
    前記第1工程で生成された前記ユーザインタフェースを提供する第2工程と、
    を有し、
    前記第1マップと前記第2マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする記憶媒体。
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