JP7137344B2 - インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体 - Google Patents

インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、インプリント装置、物品の製造方法、情報処理装置、マップの編集を支援する方法及び記憶媒体に関する。
インプリント技術は、モールド（型）に形成されたパターンを基板上に供給（塗布）されたインプリント材に転写する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体を製造するリソグラフィ技術の１つとして提案されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写する。
インプリント装置においては、モールドのパターンの形状によって、基板上に供給すべきインプリント材の量（必要量）や基板上のインプリト材の広がり方が異なるため、モールドのパターンに適した状態で基板上にインプリント材を供給する必要がある。そこで、基板上の離散的な位置に液滴状のインプリント材を供給する技術が提案されている。このような技術を採用するインプリント装置では、基板上に定義される格子位置のそれぞれに対してインプリント材を供給するか否かを指定する、即ち、基板上のインプリント材の供給位置を示すマップ（塗布パターン）が用いられている。また、かかるマップに関する技術として、モールドの局所領域ごとのパターン密度情報に基づいてマップを生成する方法が米国特許出願公開第２００４／００６５９７６号に提案されている。
一方、インプリント装置では、基板上のインプリント材の供給位置を制御（変更）するものとして、上述したマップの他に、装置パラメータがある。例えば、マップで指定するインプリント材の供給間隔よりも狭い間隔で（即ち、かかる供給間隔の間の位置に）インプリント材を供給したい場合がある。このような場合、マップに従ってインプリント材を供給するだけではなく、装置パラメータを変更することで、マップが指定する供給位置とは異なる位置に、インプリント材を供給することが可能となる。このように、基板上へのインプリント材の供給は、マップをベースとして、装置パラメータでインプリント材の供給位置を微調整することで行われる。
インプリント装置において、マップに従ってインプリント材を供給する場合には、ユーザは、容易に確認が可能なマップを参照することで、基板上に供給されるインプリント材の位置（配列パターン）を把握することができる。しかしながら、マップに対して装置パラメータの変更を加える（即ち、基板上のインプリント材の供給位置を微調整する）場合には、ユーザは、基板上に供給されるインプリント材の位置を把握することが困難である。
本発明は、基板上のインプリント材の供給位置を把握するのに有利なインプリント装置を提供する。
本発明の１つの側面によれば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置が提供される。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図２は、基板上に供給すべきインプリント材の供給位置を示すマップの一例を示す図である。 図３は、基板上へのインプリント材の供給を説明するための図である。 図４は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面の一例を示す図である。 図５は、インプリント材の供給開始位置のオフセットを説明するための図である。 図６は、基板ステージの速度の比率を説明するための図である。 図７は、スキャンパスオフセットを説明するための図である。 図８Ａは、ディスペンサ列オフセットを説明するための図である。 図８Ｂは、ディスペンサ列オフセットを説明するための図である。 図９は、供給部からインプリント材を供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。 図１０は、供給部からインプリント材を供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。 図１１は、装置パラメータの複数を組み合わせた場合を説明するための図である。 図１２は、本実施形態における装置パラメータの決定工程を説明するためのフローチャートである。 図１３は、図１２のＳ１０４でマップ表示領域に表示されるマップの一例を示す図である。 図１４は、本実施形態における最終的なマップの決定工程について説明するためのフローチャートである。 図１５は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図１６は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図１７Ａは、編集画面が備える補助機能を説明するための図である。 図１８Ｂは、編集画面が備える補助機能を説明するための図である。 図１８は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図１９は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図２０は、編集画面に表示されるマップの一例を示す図である。 図２１Ａは、物品の製造方法を説明するための図である。 図２１Ｂは、物品の製造方法を説明するための図である。 図２１Ｃは、物品の製造方法を説明するための図である。 図２１Ｄは、物品の製造方法を説明するための図である。 図２１Ｅは、物品の製造方法を説明するための図である。 図２１Ｆは、物品の製造方法を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。
硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。
インプリント装置１００は、基板Ｗを保持する基板チャック１０１と、基板チャック１０１を支持して移動させる基板ステージ１０２とを有する。インプリント装置１００は、パターンＰが形成されたモールドＭを保持するモールドチャック１０３と、モールドチャック１０３を支持して移動させるモールドステージ１０４とを有する。インプリント装置１００は、基板上にインプリント材Ｒを供給する供給部Ｄと、ＣＰＵ１５１やメモリ１５２を含む情報処理装置（コンピュータ）で構成され、インプリント装置１００の各部（動作）を制御する制御部ＣＮＴとを有する。インプリント装置１００は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面（操作画面）を管理するコンソール部ＣＯＮＳと、編集画面を表示するモニタ（表示部）１１１と、キーボードやマウスなどの入力デバイス１１２とを有する。本実施形態では、インプリント材Ｒとして紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性のインプリント材を用いる場合について説明するが、インプリント材Ｒは、熱可塑性のインプリント材や熱硬化性のインプリント材であってもよい。
図２は、コンソール部ＣＯＮＳで管理されるマップＲＰの一例を示す図である。マップＲＰは、基板上にインプリント材Ｒを供給する際の座標、即ち、基板上に供給すべきインプリント材Ｒの供給位置を示し、本実施形態では、記憶部としても機能するコンソール部ＣＯＮＳに記憶されている。制御部ＣＮＴは、マップＲＰで示される基板上の供給位置にインプリント材Ｒが供給されるように、基板ステージ１０２及び供給部Ｄを制御する。具体的には、制御部ＣＮＴは、図３に示すように、マップＲＰに基づいて、基板ステージ１０２を矢印２０１の方向に移動させながら、供給部Ｄを構成する複数の吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出させる。これにより、基板上には、マップＲＰに対応するインプリント材Ｒの配列パターンが形成される。
基板上に供給されたインプリント材ＲにモールドＭを接触させる（押印する）ことによって、基板上のインプリント材ＲがモールドＭのパターンＰに充填される。モールドチャック１０３のモールド保持面とは反対側の面には、モールドＭのパターンＰの面積よりも大きな面積を有する凹部が形成される。かかる凹部は、モールドＭ及びシールガラス（不図示）によって密閉されて密閉空間（キャビティ部）を形成する。キャビティ部には、キャビティ部の圧力を調整する圧力調整部（不図示）が接続されている。基板上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させる際には、キャビティ部の圧力を上げてモールドＭを基板Ｗに対して凸形状に変形させることで、基板ＷとモールドＭとの間に気泡が挟まれることを抑制する。基板上のインプリント材ＲとモールドＭとが接触したら、キャビティ部の圧力を戻し、基板上のインプリント材ＲとモールドＭとが完全に接触するようにする。
インプリント装置１００は、モールドステージ１０４に固定されたアライメントスコープ１０５を有する。アライメントスコープ１０５は、基板Ｗ（のショット領域）に形成されたアライメントマーク（基板側マーク）１０６と、モールドＭ（のパターンＰ）に形成されたアライメントマーク（モールド側マーク）１０７とを検出する。基板側マーク１０６及びモールド側マーク１０７の検出には、２つのマークの相対的な位置を反映したモアレ信号などの干渉信号を用いることができる。また、基板側マーク１０６及びモールド側マーク１０７のそれぞれの像を検出して、２つのマークの相対位置を求めてもよい。
制御部ＣＮＴは、アライメントスコープ１０５による基板側マーク１０６及びモールド側マーク１０７の検出結果からモールドＭと基板Ｗとの相対的な位置ずれを求める。そして、制御部ＣＮＴは、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置ずれに基づいて、基板ステージ１０２やモールドステージ１０４を移動させて、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置ずれを補正する。なお、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置ずれは、シフト成分に限定されず、倍率成分や回転成分も含む。このような場合には、基板上のショット領域の形状に応じて、モールドＭのパターンＰの形状を補正すればよい。
インプリント装置１００は、紫外線を放射する光源１０８と、検出光を放射する検出光源１０９と、ミラー１１０とを有する。ミラー１１０は、ダイクロイックミラーを含み、本実施形態では、光源１０８からの紫外線を反射し、検出光源１０９からの検出光を透過させる特性を有する。基板上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させた状態において、光源１０８からの紫外線をミラー１１０で反射してインプリント材Ｒに照射することで、インプリント材Ｒを硬化させる。これにより、基板上のインプリント材ＲにモールドＭのパターンＰが転写される。
検出光源１０９からの検出光は、モールドＭを透過して基板上のショット領域を照明する光と、モールドＭ（のパターンＰ）で反射される光とに分離される。ショット領域を照明する光は、基板Ｗの表面で反射され、モールドＭで反射される光とともに撮像部ＣＡＭで検出される。撮像部ＣＡＭで検出された検出光に対応する画像をモニタ１１１に表示することで、ユーザは、インプリント処理の様子（例えば、基板上のインプリント材ＲとモールドＭとの接触状態など）を観察することができる。
図４は、ユーザインタフェースとして機能する編集画面ＤＡＥの一例を示す図である。編集画面ＤＡＥは、マップＲＰを生成及び編集するためのものであって、制御部ＣＮＴで生成され、ユーザインタフェースとして提供される。本実施形態では、制御部ＣＮＴで生成された編集画面ＤＡＥは、コンソール部ＣＯＮＳで管理され、モニタ１１１に表示される。但し、編集画面ＤＡＥは、本実施形態のように、インプリント装置１００が有する制御部ＣＮＴで生成してもよいし、インプリント装置１００の外部の情報処理装置で生成してもよい。同様に、編集画面ＤＡＥは、インプリント装置１００が有するモニタ１１１に表示してもよいし、インプリント装置１００の外部のモニタに表示してもよい。
編集画面ＤＡＥでは、インプリント装置１００に記憶されているマップＲＰに基づいて、基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整することで、装置パラメータの値の調整後のマップＲＰＭを生成することができる。マップＲＰＭ（第２マップ）とは、マップＲＰ（第１マップ）に対して、装置パラメータの値を調整する（即ち、インプリント装置１００を制御する）ことでインプリント材Ｒの供給位置の微調整が施されたマップである。換言すれば、マップＲＰＭは、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを示している。
インプリント装置１００においては、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置にインプリント材Ｒを供給するだけでは、インプリント材Ｒの供給が不十分となる場合がある。例えば、マップＲＰでは、基板Ｗの周辺の近傍のショット領域に供給されたインプリント材Ｒが、基板Ｗの周辺からの距離が短すぎるため、基板Ｗの外側にはみ出してしまう場合がある。また、マップＲＰでは、基板Ｗの周辺の近傍のショット領域に供給されたインプリント材Ｒが、基板Ｗの周辺からの距離が長すぎるため、モールドＭのパターンＰに十分に充填されず、未充填領域が発生してしまう場合もある。このような場合には、装置パラメータＭＰによって、インプリント装置１００の制御を変更することで、マップＲＰから変更されたマップであるマップＲＰＭを生成する。
編集画面ＤＡＥは、図４に示すように、マップＲＰ及びＲＰＭを表示するマップ表示領域４０１と、装置パラメータＭＰの値を調整（変更）するための調整窓を表示するパラメータ表示領域４０２とを有する。ここで、装置パラメータＭＰは、インプリント装置１００に設定されてインプリント材Ｒの供給位置を変更するためのパラメータである。このように、制御部ＣＮＴは、マップＲＰと、調整窓と、マップＲＰＭとを表示するユーザインタフェースとして、編集画面ＤＡＥを提供する。従って、制御部ＣＮＴは、その機能として、マップＲＰ及びＲＰＭをユーザインタフェースに表示する第１表示部と、調整窓をユーザインタフェースに表示する第２表示部とを含むように構成される。また、編集画面ＤＡＥは、マップ表示領域４０１に表示される内容を切り替える切替パラメータを表示するアシストエリア４０３も有する。
装置パラメータＭＰは、基板上のショット領域内においてインプリント材Ｒの供給を開始する位置や基板上にインプリント材Ｒを供給する際の基板ステージ１０２の速度を含む。また、装置パラメータＭＰは、基板上にインプリント材Ｒを供給する際の基板ステージ１０２の往路と復路との間隔や基板上にインプリント材Ｒを供給する複数のディスペンサの間の間隔も含む。更に、装置パラメータＭＰは、基板上にインプリント材Ｒを吐出する複数の吐出口の間の間隔や基板上にインプリント材Ｒを供給するタイミングも含む。このように、装置パラメータＭＰは、上述したパラメータの少なくとも１つを含む。
装置パラメータＭＰについて具体的に説明する。図５は、装置パラメータＭＰの１つであるインプリント材Ｒの供給開始位置のオフセットを説明するための図である。ここで、インプリント材Ｒの供給開始位置とは、基板上のショット領域内においてインプリント材Ｒの供給を開始する位置を意味する。図５には、Ｘ方向におけるインプリント材Ｒの供給開始位置のオフセット５０１、及び、Ｙ方向におけるインプリント材Ｒの供給開始位置のオフセット５０２が示されている。オフセット５０１及び５０２を用いることで、マップＲＰに対して、オフセット５０１及び５０２に対応する距離だけずれた位置にインプリント材Ｒを供給するためのマップＲＰＭが得られる。制御部ＣＮＴは、マップＲＰＭに基づいて、供給部Ｄからインプリント材Ｒを供給（吐出）するタイミングを制御する。
マップＲＰとマップＲＰＭとの関係は、以下の式（１）及び式（２）で表される。
Figure 0007137344000001
Figure 0007137344000002
式（１）及び式（２）において、ＲＰｘ及びＲＰｙは、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。また、ＳｔａｒｔＯｆｆｓｅｔｘ及びＳｔａｒｔＯｆｆｓｅｔｙは、装置パラメータとしてのインプリント材Ｒの供給開始位置のオフセットを示す。また、ＲＰＭｘ及びＲＰＭｙは、インプリント材Ｒの供給開始位置のオフセットの調整後のマップＲＰＭで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。
編集画面ＤＡＥでは、オフセット５０１及び５０２の設定と、設定されたオフセット５０１及び５０２から得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、オフセット５０１及び５０２の調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。
図６は、装置パラメータＭＰの１つである基板ステージ１０２の速度の比率を説明するための図である。基板ステージ１０２の速度の比率を変更することで、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置の間隔とは異なる間隔で、基板上にインプリント材Ｒを供給することができる。基板ステージ１０２の速度の比率に大きな値を設定すると、基板ステージ１０２の移動速度が速くなるため、基板上のインプリント材Ｒの供給位置の間隔は、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置の間隔よりも広くなる。一方、基板ステージ１０２の速度の比率に小さな値を設定すると、基板ステージ１０２の移動速度が遅くなるため、基板上のインプリント材Ｒの供給位置の間隔は、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置の間隔よりも狭くなる。
マップＲＰと、基板ステージ１０２の速度の比率を調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（３）で表される。
Figure 0007137344000003
式（３）において、ＲＰｘは、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示し、ＲＰＭｘは、マップＲＰＭで示されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示す。また、Ｂａｓｅｘは、マップＲＰを拡大又は縮小する際の基準位置を示し、ＳｐｅｅｄＲａｔｉｏは、基板ステージ１０２の速度の比率を示す。図６では、６０１がＲＰｘに対応し、６０２がＲＰＭｘに対応し、６０３がＢａｓｅｘに対応している。
編集画面ＤＡＥでは、基板ステージ１０２の速度の比率の設定と、設定された基板ステージ１０２の速度の比率から得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、基板ステージ１０２の速度の比率の調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、基板ステージ１０２の速度の比率を調整することで、基板ステージ１０２の移動速度を変更する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、供給部Ｄからインプリント材Ｒを供給（吐出）するタイミングを調整することで、基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更してもよい。
図７は、装置パラメータＭＰの１つであるスキャンパスオフセットを説明するための図である。供給部Ｄから基板上にインプリント材Ｒを供給する際、供給部Ｄに対して基板Ｗを往復させることで、供給部Ｄに対して基板Ｗを往復させない（即ち、往路のみ）場合よりも基板上のインプリント材Ｒの供給位置の間隔を狭くすることができる。図７において、矢印７０３は、往路で基板上に供給されるインプリント材Ｒを示している。そして、往路から復路に切り替わる際に、例えば、基板Ｗを距離７０１だけＹ方向にずらす。矢印７０４は、復路で基板上に供給されるインプリント材Ｒを示している。そして、復路から往路に切り替わる際に、基板ＷをＹ方向にずらす。矢印７０６は、往路で基板上に供給されるインプリント材Ｒを示している。距離７０１は、一般的には、隣接する往路の間隔に対応する距離（矢印７０３と矢印７０６との間の距離）の半分を用いる。一方、往路から復路に切り替わる際に、基板Ｗを距離７０２だけＹ方向にずらす（距離７０１を距離７０２に変更する）。これにより、復路では、矢印７０５で示す基板上の位置に、インプリントＲを供給することができる（基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更することができる）。この矢印７０４と矢印７０５との間の間隔（即ち、基板上にインプリント材Ｒを供給する際の基板Ｗ（基板ステージ１０２）の往路と復路との間隔）を、スキャンパスオフセットと称する。
マップＲＰと、スキャンパスオフセットを調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（４）で表される。
Figure 0007137344000004
式（４）において、ＲＰｒｙは、マップＲＰにおいて復路で供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｙ座標）を示し、ＲＰＭｒｙは、マップＲＰＭにおいて復路で供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｙ座標）を示す。スキャンパスオフセットＳｃａｎＰａｓｓＯｆｆｓｅｔに応じて、インプリント材Ｒの供給位置Ｒｐｒｙに対して、インプリント材Ｒの供給位置ＲＰＭｒｙが変更される。
編集画面ＤＡＥでは、スキャンパスオフセットの設定と、設定されたスキャンパスオフセットから得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、スキャンパスオフセットの調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、スキャンパスオフセットとして、基板ＷをＹ方向にずらしているが、基板ＷをＸ方向にずらしてもよい。
図８Ａ及び図８Ｂは、装置パラメータＭＰの１つであるディスペンサ列オフセットを説明するための図である。図８Ａ及び図８Ｂに示すように、供給部Ｄが複数のディスペンサ８０１及び８０２で構成されている場合、基板上に供給されるインプリント材Ｒは、対応するディスペンサから供給される。基板上のインプリント材Ｒの供給位置ＲＰ１は、ディスペンサ８０１から供給されるインプリント材Ｒの位置を示し、基板上のインプリント材Ｒの供給位置ＲＰ２は、ディスペンサ８０２から供給されるインプリント材Ｒの位置を示している。ディスペンサ列オフセットとは、ディスペンサ８０１とディスペンサ８０２との間の間隔のオフセットである。図８Ｂには、Ｘ方向のディスペンサ列オフセット８０３、及び、Ｙ方向のディスペンサ列オフセット８０４が示されている。ディスペンサ列オフセットを設定することで、ディスペンサ８０１の位置に対してディスペンサ８０２の位置がずれる。これにより、ディスペンサ８０１から供給される基板上のインプリント材Ｒの供給位置ＲＰＭ１に対して、ディスペンサ８０２から供給される基板上のインプリント材Ｒの供給位置ＲＰＭ２がずれる。
マップＲＰと、ディスペンサ列オフセットを調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（５）及び式（６）で表される。
Figure 0007137344000005
Figure 0007137344000006
式（５）及び式（６）において、ＲＰｘ及びＲＰｙは、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。また、ＤｉｓｐｅｎｓｅｒＬｉｎｅＯｆｆｓｅｔｘ及びＤｉｓｐｅｎｓｅｒＬｉｎｅＯｆｆｓｅｔｙは、ディスペンサ８０１とディスペンサ８０２との間のＸ方向及びＹ方向の間隔のオフセットを示す。ＲＰＭｘ及びＲＰＭｙは、ディスペンサ列オフセットの調整後のマップＲＰＭで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。
編集画面ＤＡＥでは、ディスペンサ列オフセットの設定と、設定されたディスペンサ列オフセットから得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、ディスペンサ列オフセットの調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、ディスペンサ列オフセットとして、複数のディスペンサの間の物理的な距離のオフセットを説明したが、ディスペンサごとにインプリント材Ｒを供給するタイミングを変更することで、ディスペンサ列オフセットを変更してもよい。また、供給部Ｄを構成するディスペンサの数も２つに限定されるものではない。
同様に、供給部Ｄが複数の吐出口Ｎで構成されている場合、吐出口列オフセットも装置パラメータＭＰの１つである。この場合、複数の吐出口Ｎの間の間隔のオフセットを変更することで、基板上に供給されるインプリント材Ｒの供給位置を変更することができる。ここでは、複数の吐出口Ｎの間の間隔のオフセットを、吐出口列オフセットと称する。
マップＲＰと、吐出口列オフセットを調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（７）及び式（８）で表される。
Figure 0007137344000007
Figure 0007137344000008
式（７）及び式（８）において、ＲＰｘ及びＲＰｙは、マップＲＰで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。また、ＤｉｓｃｈａｒｇｅＬｉｎｅＯｆｆｓｅｔｘ及びＤｉｓｃｈａｒｇｅＬｉｎｅＯｆｆｓｅｔｙは、複数の吐出口の間のＸ方向及びＹ方向の間隔のオフセットを示す。ＲＰＭｘ及びＲＰＭｙは、吐出口列オフセットの調整後のマップＲＰＭで示されるインプリント材Ｒの供給位置（座標）を示す。
編集画面ＤＡＥでは、吐出口列オフセットの設定と、設定された吐出口列オフセットから得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、吐出口列オフセットの調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。なお、本実施形態では、吐出口列オフセットとして、複数の吐出口の間の物理的な距離のオフセットを説明したが、吐出口ごとにインプリント材Ｒを供給するタイミングを変更することで、吐出口列オフセットを変更してもよい。
図９は、装置パラメータＭＰの１つである供給部Ｄからインプリント材Ｒを供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。基板ＷをＸ方向に移動している間に、供給部Ｄの吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出（供給）することで、図９に示すように、吐出口Ｎに対向する基板上の位置にインプリント材Ｒを供給することができる。図９には、供給部Ｄを構成する複数の吐出口Ｎのそれぞれの基板上での移動経路９０１、９０２、９０３、９０４及び９０５が示されている。また、図９には、複数の吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出するタイミングのオフセット９１１、９１２、９１３、９１４及び９１５も示されている。オフセット９１１乃至９１５を変更することで、複数の吐出口Ｎの間で基板Ｗの移動方向に対するインプリント材Ｒの供給位置を変更することができる。図９に示すように、基板上のインプリント材Ｒの供給位置９０６、９０７、９０８、９０９及び９１０のそれぞれを、基板上のインプリント材の供給位置９１６、９１７、９１８、９１９及び９２０に変更することができる。
マップＲＰと、オフセット９１１、９１２、９１３、９１４及び９１５を調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（９）で表される。
Figure 0007137344000009
式（９）において、ＲＰｎｘは、マップＲＰにおけるｎ番目の吐出口Ｎから供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示す。また、ＤｉｓｃｈａｒｇｅＴｉｍｉｎｇＯｆｆｓｅｔｎは、ｎ番目の吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出するタイミングのオフセットを示す。ＲＰＭｎｘは、マップＲＰＭにおけるｎ番目の吐出口Ｎから供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示す。
編集画面ＤＡＥでは、オフセット９１１、９１２、９１３、９１４及び９１５の設定と、設定されたオフセット９１１、９１２、９１３、９１４及び９１５から得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、オフセット９１１、９１２、９１３、９１４及び９１５の調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。
図１０は、装置パラメータＭＰの１つである供給部Ｄからインプリント材Ｒを供給するタイミングのオフセットを説明するための図である。通常は、基板ＷをＸ方向に移動している間に、供給部Ｄを構成する吐出口Ｎから一定の時間間隔でインプリント材Ｒを吐出する。これにより、図１０に示すように、基板上のインプリント材Ｒの供給位置１００２、１００３、１００４、１００５及び１００６に一定間隔でインプリント材Ｒが供給される。図１０には、インプリント材Ｒが供給される向き１００１が示されている。これに対して、吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出するタイミングのオフセット１００７、１００８及び１００９を加えることで、基板上のインプリント材Ｒの供給位置をずらすことができる。複数の吐出口Ｎのそれぞれに対してオフセット１００７、１００８及び１００９を設定することで、インプリント材Ｒを一定間隔で吐出する場合とは異なる供給位置１０１０、１０１１及び１０１２にインプリント材Ｒを供給することができる。本実施形態では、オフセット１００７、１００８及び１００９には、それぞれ異なる値が設定されている。例えば、供給位置１０１０（又は１０１２）は、オフセットを設定しない場合における供給位置１００３（又は１００６）に対して、正のＸ方向に位置する。また、供給位置１０１１は、オフセットを設定しない場合における供給位置１００５に対して、負のＸ方向に位置する。
マップＲＰと、オフセット１００７、１００８及び１００９を調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、以下の式（１０）で表される。
Figure 0007137344000010
式（１０）において、ＲＰｎｘは、マップＲＰにおけるｎ番目の吐出口Ｎから供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示す。また、ＪｅｔｔｉｎｇＴｉｍｉｎｇＯｆｆｓｅｔｎは、ｎ番目の吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出するタイミングのオフセットを示す。ＲＰＭｎｘは、マップＲＰＭにおけるｎ番目の吐出口Ｎから供給されるインプリント材Ｒの供給位置（Ｘ座標）を示す。
編集画面ＤＡＥでは、オフセット１００７、１００８及び１００９の設定と、設定されたオフセット１００７、１００８及び１００９から得られるマップＲＰＭとが表示される。従って、ユーザは、モニタ１１１に表示される編集画面ＤＡＥを介して、オフセット１００７、１００８及び１００９の調整後のマップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを容易に確認することができる。
図１１は、上述した装置パラメータＭＰの複数を組み合わせた場合を説明するための図である。図１１では、基板ステージ１０２の速度の比率とスキャンパスオフセットとを組み合わせた場合を例に説明する。図１１に示すように、基準位置１１０３を基準として基板ステージ１０２の速度の比率を変更することで、基板上のインプリント材Ｒの供給位置の間の間隔を広げることができる。例えば、基板上のインプリント材Ｒの供給位置１１０１を供給位置１１０２にずらすことができる。また、スキャンパスオフセット１１０５を設定することで、例えば、往路におけるインプリント材ＲのＹ方向の供給位置１１０４を供給位置１１０５にずらすことができる。
マップＲＰと、基板ステージ１０２の速度の比率及びスキャンパスオフセットを調整することで得られるマップＲＰＭとの関係は、式（３）と式（４）との組み合わせで表される。なお、その他の装置パラメータＭＰについても同様に組み合わせて用いることができる。
このように、編集画面ＤＡＥを介してユーザが装置パラメータＭＰの値を調整（変更）することで、基板ステージ１０２や供給部Ｄの動作が変更されるため、マップＲＰからマップＲＰＭを得ることができる。また、本実施形態では、編集画面ＤＡＥにマップＲＰＭが表示されるため、ユーザは、基板上にインプリント材Ｒを供給する前に、マップＲＰＭ、即ち、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを把握することができる。これにより、本実施形態では、マップＲＰＭを確認しながらマップＲＰを変更することが可能となるため、マップＲＰの編集効率を向上させることができる。また、基板上にインプリント材Ｒを供給する前にマップＲＰＭを確認することで、基板上の異常な位置へのインプリント材Ｒの供給を把握することが可能となり、歩留まりの向上に寄与する。一方、従来技術では、マップＲＰＭが表示されないため、実際に基板上にインプリント材Ｒを供給し、その結果を確認しなければ、基板上に実際に形成されるインプリント材Ｒの配列パターンを把握することができない。
本実施形態において、編集画面ＤＡＥで提供する装置パラメータＭＰの決定工程について説明する。図１２は、本実施形態における装置パラメータＭＰの決定工程を説明するためのフローチャートである。かかる決定工程では、装置パラメータＭＰを調整しながらマップＲＰＭを確認し、装置パラメータＭＰを決定する。
Ｓ１０１において、編集画面ＤＡＥを起動され、選択画面（不図示）から対象のマップＭＰを指定して、編集画面ＤＡＥにマップＭＰを読み込む。Ｓ１０２において、Ｓ１０１で読み込んだマップＭＰを編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。
Ｓ１０３において、編集画面ＤＡＥ（調整窓）を介してユーザがパラメータ表示領域４０２に表示されている装置パラメータＭＰの値を調整する。この際、入力デバイス１１２は、編集画面ＤＡＥを介してユーザが装置パラメータＭＰの値を入力する入力部として機能する。Ｓ１０４において、Ｓ１０３で調整された装置パラメータＭＰの値に基づいて、装置パラメータＭＰの調整後のマップであるマップＲＰＭを編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。図１３は、Ｓ１０４でマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰＭの一例を示す図である。本実施形態では、図１３に示すように、マップＭＰとマップＲＰＭとを重畳してマップ表示領域４０１に表示する。例えば、図１５に示すように、基板ステージ１０２の速度の比率を変更することで、インプリント材Ｒを供給可能な基板上の位置を定義するグリッド（格子）１５０１がグリッド１５０２に変換される。これにより、マップＲＰに対するマップＲＰＭが得られる。
Ｓ１０５において、Ｓ１０４でマップ表示領域４０１に表示されたマップＲＰＭを確認し、その妥当性、即ち、マップＲＰＭを基板上に供給すべきインプリント材Ｒの供給位置を示す最終的なマップとして決定するかどうかを判定する。マップＲＰＭを最終的なマップとして決定しない場合には、Ｓ１０３に移行して、Ｓ１０３、Ｓ１０４及びＳ１０５を繰り返す。また、マップＲＰＭを最終的なマップとして決定する場合には、Ｓ１０６に移行する。
Ｓ１０６において、Ｓ１０３で調整された装置パラメータＭＰの値を保存する。装置パラメータＭＰの値の保存は、インプリント装置１００が有している記憶装置（データベース）に反映されてもよいし、記憶装置に反映されないファイルとして保存されてもよい。
このように、本実施形態では、装置パラメータＭＰの値を調整するたびに、かかる装置パラメータＭＰの値から得られるマップＲＰＭを確認することができるため、装置パラメータＭＰを効率的に決定することができる。
本実施形態において、編集画面ＤＡＥで提供する、基板上に供給すべきインプリント材Ｒの供給位置を示す最終的なマップの決定工程について説明する。図１３は、基板上に供給すべきインプリント材Ｒの供給位置を示す最終的なマップの決定工程を説明するためのフローチャートである。かかる決定工程では、マップＲＰで示される基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更しながらマップＲＰＭを確認し、最終的なマップを決定する。
Ｓ２０１において、編集画面ＤＡＥを起動され、選択画面（不図示）から対象のマップＭＰを指定して、編集画面ＤＡＥにマップＭＰを読み込む。Ｓ２０２において、Ｓ２０１で読み込んだマップＭＰを編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。
Ｓ２０３において、編集画面ＤＡＥ（調整窓）を介してユーザがパラメータ表示領域４０２に表示されている装置パラメータＭＰの値を調整する。Ｓ２０４において、Ｓ２０３で調整された装置パラメータＭＰの値に基づいて、装置パラメータＭＰの調整後のマップであるマップＲＰＭを編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。
Ｓ２０５において、編集画面ＤＡＥ（マップ表示領域４０１）を介してユーザがＳ２０４で表示されたマップＲＰＭで示される基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更する。Ｓ２０５において、Ｓ２０４で基板上のインプリント材Ｒの供給位置が変更された（即ち、供給位置の変更を反映した）マップＲＰＭを編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。この際、インプリント材Ｒを変更後の供給位置に供給するために必要となる装置パラメータＭＰの値を求め、かかる装置パラメータＭＰの値をパラメータ表示領域４０２に表示する。
Ｓ２０７において、Ｓ２０６でマップ表示領域４０１に表示されたマップＲＰＭを確認し、その妥当性、即ち、マップＲＰＭを基板上に供給すべきインプリント材Ｒの供給位置を示す最終的なマップとして決定するかどうかを判定する。マップＲＰＭを最終的なマップとして決定しない場合には、Ｓ２０５に移行して、Ｓ２０５及びＳ２０６を繰り返す。また、マップＲＰＭを最終的なマップとして決定する場合には、Ｓ２０８に移行する。Ｓ２０８において、Ｓ２０６でマップ表示領域４０１に表示されたマップＲＰＭを最終的なマップとして保存する。
このように、本実施形態では、装置パラメータＭＰの値を調整するたびに、かかる装置パラメータＭＰの値から得られるマップＲＰＭを確認するとともに、マップＲＰＭで示される基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更することができる。従って、基板上に供給すべきインプリト材Ｒの供給位置を示す最終的なマップを効率的に決定することができる。
なお、本実施形態では、装置パラメータＭＰの値の調整後のマップＲＰＭをベースとして最終的なマップを決定しているが、これに限定されるものではない。例えば、編集画面ＤＡＥ（マップ表示領域４０１）を介してユーザがＳ２０２で表示されたマップＲＰで示される基板上のインプリント材Ｒの供給位置を変更し、それに応じて、マップＲＰＭ及び装置パラメータＭＰの値を求めてもよい。
編集画面ＤＡＥが備える補助機能について説明する。図１５は、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰ及びＲＰＭの一例を示す図である。供給部Ｄを構成する複数の吐出口Ｎの間隔や吐出口Ｎからインプリント材Ｒを吐出するタイミングに応じて、インプリント材Ｒが供給可能な基板上の位置は制約を受ける。図１５に示すように、インプリント材Ｒを供給可能な基板上の位置を定義するグリッド（の交点）１６０１は、例えば、装置パラメータＭＰの値の１つである基板ステージ１０２の速度の比率を調整することで、グリッド１６０２に変更される。また、その他の装置パラメータＭＰの値を調整する場合も同様に、グリッド１６０１は、グリッド１６０２に変更される。そこで、図１５に示すように、グリッド１６０１及び１６０２とマップＲＰ及びＲＰＭとを重畳して編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。これにより、ユーザは、インプリント材Ｒを供給可能な基板上の位置を把握しながらマップＲＰ及びＲＰＭや装置パラメータＭＰの値を効率的に決定することが可能となる。
図１６は、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰ及びＲＰＭの一例を示す図である。基板上に供給されたインプリント材Ｒは、モールドＭと接触することで広がる。ここで、基板Ｗの外周において、基板上のインプリント材ＲがモールドＭよりも外側に広がると、モールドＭからはみ出したインプリント材Ｒが異物となり、欠陥の原因となる。従って、基板上には、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域が存在する。
そこで、図１６に示すように、基板上においてインプリント材Ｒの供給を禁止する領域とマップＲＰ及びＲＰＭとを重畳して編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。基板上においてインプリント材Ｒの供給を禁止する領域は、ライン１７０５、１７０６、１７０７及び１７０８によって規定される。なお、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域の大きさは、基板Ｗの外周からのＸ方向における距離１７０１及び１７０２と、基板Ｗの外周からのＹ方向における距離１７０３及び１７０４を調整することで設定される。これにより、インプリント材Ｒの特性やプロセスの違いに応じて、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域の大きさを変更することができる。
図１６では、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域にインプリント材Ｒの供給位置が存在するマップＲＰを、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域にインプリント材Ｒの供給位置が存在するマップＲＰＭに変更している。例えば、Ｘ方向に関しては、基板ステージ１０２の速度の比率を小さくすることで、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域に存在するインプリント材Ｒの供給位置をインプリント材Ｒの供給を禁止する領域の内側にずらすことができる。また、Ｙ方向に関しては、スキャンパスオフセットを調整することで、インプリント材Ｒの供給を禁止する領域に存在するインプリント材Ｒの供給位置をインプリント材Ｒの供給を禁止する領域の内側にずらすことができる。
このように、ユーザは、基板上においてインプリント材Ｒの供給を禁止する領域を把握しながらマップＲＰ及びＲＰＭや装置パラメータＭＰの値を効率的に決定することが可能となる。また、基板上のインプリント材ＲがモールドＭよりも外側に広がることで発生する欠陥を抑制することができる。なお、本実施形態では、基板上においてインプリント材Ｒの供給を禁止する領域を矩形領域としているが、これに限定されるものではない。例えば、基板上においてインプリント材Ｒの供給を禁止する領域は、円形など曲線を含む形状であってもよい。
モールドＭのパターンＰは、図１７Ａに示すように、種々のパターンの組み合わせから構成されている。本実施形態では、モールドＭのパターンＰは、基板Ｗに形成すべき回路パターン１８０２と、モールドＭの位置合わせに用いられるマークパターン１８０４とを含む。また、モールドＭには、パターンが存在しない領域１８０３も存在する。モールドＭのパターンＰによって、基板上に供給すべきインプリント材Ｒの量や基板上のインプリント材Ｒの広がり方が異なるため、モールドＭのパターンＰに応じてインプリント材Ｒの供給を行う必要がある。
そこで、図１７Ｂに示すように、モールドＭのパターンＰの少なくとも一部とマップＲＰＭとを重畳して編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示する。これにより、モールドＭのパターンＰを確認しながら、マップＲＰＭや装置パラメータＭＰの値を効率的に決定することが可能となる。例えば、回路パターン１８０２やマークパターン１８０４が存在する領域には、インプリント材Ｒを供給し、パターンが存在しない領域１８０３には、インプリント材Ｒを供給しないように、基板上のインプリント材Ｒの供給位置を調整する。
このように、モールドＭのパターンＰに応じて、マップＲＰＭや装置パラメータＭＰの値を効率的に決定することができる。特に、マークパターン１８０４は、その溝が深いため、マークパターン１８０４の近傍に対応する基板上の領域には、インプリント材Ｒを多量に供給する必要がある。一方、パターンが存在しない領域１８０３に供給されるインプリント材Ｒは少量又はゼロでもよい。なお、図１７Ｂでは、マップＲＰＭのみを表示しているが、マップＲＰのみを表示してもよいし、マップＲＰ及びＲＰＭの両方を表示してもよい。また、マップＲＰやマップＲＰＭに重畳するモールドＭのパターンの少なくとも一部は、回路パターン１８０２、マークパターン１８０４、及び、回路パターン１８０２とマークパターン１８０４との境界部分のうちの少なくとも１つを含むとよい。
図１８は、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰ（又はＲＰＭ）の一例を示す図である。基板上に供給されるインプリント材Ｒは、図１８に示すように、供給部Ｄを構成する特定の吐出口Ｎや特定のタイミングで供給されたものである。例えば、矢印２００１の上に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、基板ステージ１０２（基板Ｗ）の往路でインプリント材Ｒが供給される位置を示す。一方、矢印２００２の上に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、基板ステージ１０２（復路Ｗ）の往路でインプリント材Ｒが供給される位置を示す。
また、供給部Ｄが２つのディスペンサで構成されている場合、範囲２０１１及び２０１３に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、１番目のディスペンサでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。一方、範囲２０１２及び２０１４に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、２番目のディスペンサでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。
また、１つのディスペンサ２つの吐出口群から構成されている場合、範囲２００３、２００５、２００７及び２００９に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、１番目の吐出口群でインプリント材Ｒが供給される位置を示す。一方、範囲２００４、２００６、２００８及び２０１０に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、２番目の吐出口群でインプリント材Ｒが供給される位置を示す。
また、１つの吐出口群が複数の吐出口Ｎから構成されている場合、範囲２０１５に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、１番目の吐出口群における１番目の吐出口Ｎでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。一方、範囲２０１６に存在する基板上のインプリントＲの供給位置は、２番目の吐出口群における２番目の吐出口Ｎでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。
また、基板ステージ１０２を移動させながら一定のタイミングで供給部Ｄからインプリント材Ｒを供給する場合、ライン２０１７の上に存在するインプリント材Ｒの供給位置は、同一のタイミングでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。同様に、ライン２０１８乃至２０２６のそれぞれの上に存在するインプリント材Ｒの供給位置は、同一のタイミングでインプリント材Ｒが供給される位置を示す。このように、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１には、基板上のインプリント材Ｒの供給位置のそれぞれについて、インプリント材Ｒの供給条件を識別可能にマップＲＰ及びＲＰＭを表示することもできる。
図１９は、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰ（又はＲＰＭ）の一例を示す図である。図１９に示すように、インプリント材Ｒの供給条件は、編集画面ＤＡＥの供給条件表示領域１９０１に表示される。例えば、供給部Ｄが２列の吐出口群で構成されている場合、供給条件表示領域１９０１には、１列目の吐出口群からインプリント材Ｒが供給されることを意味する供給条件１９０２が表示される。また、供給条件表示領域１９０１には、２列目の吐出口群からインプリント材Ｒが供給されることを意味する供給条件１９０３も表示される。
供給条件１９０２及び１９０３のそれぞれは、チェックボックスを有し、かかるチェックボックスの内容に応じて、マップ表示領域４０１に表示される内容が切り替わる。図１９では、供給条件１９０２のチェックボックスが有効化されている。従って、マップ表示領域４０１において、範囲１９０４及び１９０６に存在するインプリント材Ｒの供給位置が１列目の吐出口群でインプリント材Ｒが供給ことを識別可能に表示している。また、図１９では、供給条件１９０３のチェックボックスが有効化されている。従って、範囲１９０５及び１９０７に存在するインプリント材Ｒの供給位置は、２列目の吐出口群でインプリント材Ｒが供給されるため、かかる供給位置は、マップ表示領域４０１に表示されない。但し、図１９では、マップ表示領域４０１に表示されないことを破線で表現している。
図１９では、インプリント材Ｒの供給条件として、１つの吐出口群を例に説明した。但し、その他のインプリント材Ｒの供給条件（例えば、走査方向、個々のディスペン、個々の吐出口、インプリント材Ｒを吐出するタイミングなど）についても同様に、チェックボックスの内容に応じて、マップ表示領域４０１に表示される内容を反映すればよい。
このように、マップＲＰ及びＲＰＭのそれぞれで示されるインプリント材Ｒの供給位置のそれぞれを、複数の吐出口Ｎのうちいずれの吐出口から供給されるかを識別可能に編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示してもよい。同様に、マップＲＰ及びＲＰＭのそれぞれで示されるインプリント材Ｒの供給位置のそれぞれを、複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示してもよい。これにより、マップＲＰ及びＲＰＭや装置パラメータＭＰの値を効率的に決定することが可能となる。例えば、装置パラメータＭＰとしてスキャンパスオフセットを調整する場合には、復路で供給されるインプリント材Ｒの供給位置のみを表示することで、装置パラメータＭＰの値の調整によって変更されるインプリント材Ｒの供給位置のみを確認することができる。
図２０は、編集画面ＤＡＥのマップ表示領域４０１に表示されるマップＲＰ（又はＲＰＭ）の一例を示す図である。例えば、図２１に示すように、マップ表示領域４０１において、入力デバイス１１２を用いてモニタ１１１に表示されるアイコン２１０１を移動させて、インプリント材Ｒの供給位置のいずれかを選択する。これにより、選択されたインプリント材Ｒの供給位置についての供給条件が表示領域２１０２に表示される。例えば、アイコン２１０１で選択されているインプリント材Ｒの供給位置は、基板ステージ１０２の往路、２列目のディスペンサ、２列目の吐出口群、吐出口群における１番目の吐出口、インプリント材Ｒを吐出するタイミングが１０番目であることがわかる。
また、編集画面ＤＡＥでは、装置パラメータＭＰの値を調整する際に、かかる装置パラメータＭＰの影響を受けるインプリント材Ｒの供給位置を把握しながら装置パラメータＭＰを決定することができる。編集画面ＤＡＥは、スキャン方向に関する装置パラメータＭＰの値を調整する調整窓２１０３、ディスペンサに関する装置パラメータＭＰの値を調整する調整窓２１０４、吐出口群に関する装置パラメータＭＰの値を調整する調整窓２１０５を有する。これらの調整窓は、インプリント材Ｒの供給条件ごとに、インプリント材Ｒの供給位置をマップ表示領域４０１に表示するかどうかを切り替える表示切替パラメータ２０１６を有する。表示切替パラメータ２０１６が有効化されているか、或いは、無効化されているかによって、マップ表示領域４０１において、対応するインプリント材Ｒの供給位置が識別可能に表示される。例えば、表示切替パラメータ２０１６が有効化されている場合には、インプリント材Ｒの供給位置が実線で表示され、表示切替パラメータ２０１６が無効化されている場合には、インプリント材Ｒの供給位置が破線で表示される。
図２０では、表示領域２１０２に表示されたインプリント材Ｒの供給条件に従って、表示切替パラメータ２１０６が設定されている。例えば、調整窓２１０３では、往路の表示切替パラメータが有効化されており、調整窓２１０４では、２列目のディスペンサの表示切替パラメータが有効化されている。また、調整窓２１０５では、２列目の吐出口群の表示切替パラメータが有効化されている。従って、マップ表示領域４０１には、表示切替パラメータ２１０６に対応して、範囲２１０８及び２１０７に存在するインプリント材Ｒの供給位置のみが実線で示されている。
このように、表示領域２１０２において着目するインプリント材Ｒの供給位置の供給条件を把握することができ、表示切替パラメータ２１０６と、それに対応してマップ表示領域４０１に表示される内容を切り替えることができる。これにより、着目するインプリント材Ｒの供給位置の供給条件と、供給条件ごとの装置パラメータＭＰの影響を容易に把握することが可能となり、装置パラメータＭＰを効率的に決定することができる。
また、本実施形態では、インプリント材Ｒの供給位置の供給条件に応じた表示方法として、チェックボックスに応じた表示内容の切り替えを説明した。但し、インプリント材Ｒの供給位置の供給条件を、マップ表示領域４０１に直接表示する方法もあり、チェックボックスに応じた表示内容の切り替えに限定されるものではない。
インプリント装置１００を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。
硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図２１Ａに示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板Ｗを用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材Ｒを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材Ｒが基板上に付与された様子を示している。
図２１Ｂに示すように、インプリント用のモールドＭを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材Ｒに向け、対向させる。図２１Ｃに示すように、インプリント材Ｒが付与された基板ＷとモールドＭとを接触させ、圧力を加える。インプリント材Ｒは、モールドＭと被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールドＭを介して照射すると、インプリント材Ｒは硬化する。
図２１Ｄに示すように、インプリント材Ｒを硬化させた後、モールドＭと基板Ｗを引き離すと、基板上にインプリント材Ｒの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドＭの凹部が硬化物の凸部に、モールドＭの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材ＲにモールドＭの凹凸パターンが転写されたことになる。
図２１Ｅに示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図２１Ｆに示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
なお、上述した編集画面（インターフェース）を生成し、かかる編集画面をユーザに提供することで、基板上に供給すべきインプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法も本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (17)

  1. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記制御部は、
    前記第１マップ及び前記第２マップを前記ユーザインタフェースに表示する第１表示部と、
    前記調整窓を前記ユーザインタフェースに表示する第２表示部と、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  3. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、
    前記制御部は、前記第１マップ及び前記第２マップを前記ユーザインタフェースに表示する第１表示部と、前記調整窓を前記ユーザインタフェースに表示する第２表示部と、を含み、
    前記第１表示部は、前記第１マップと前記第２マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とするインプリント装置。
  4. 前記ユーザインタフェースを介してユーザが前記装置パラメータの値を入力するための入力部を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  5. 前記制御部は、前記ユーザインタフェースを介してユーザが前記第１マップで示される前記インプリント材の供給位置を変更することができるように前記第１マップを表示することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  6. 前記制御部は、前記モールドのパターンの少なくとも一部と前記第１マップ及び前記第２マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  7. 前記モールドのパターンの少なくとも一部は、前記基板に形成すべき回路パターン、前記モールドの位置合わせに用いられるマークパターン、及び、前記回路パターンと前記マークパターンとの境界部分のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
  8. 前記制御部は、前記基板上において前記インプリント材の供給を禁止する領域と前記第１マップ及び前記第２マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  9. 前記制御部は、前記インプリント材を供給可能な前記基板上の位置を定義するグリッドと前記第１マップ及び前記第２マップとを重畳して前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  10. 前記基板上に前記インプリント材を吐出する複数の吐出口を含み、前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部を更に有し、
    前記制御部は、前記第１マップ及び前記第２マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数の吐出口のうちいずれの吐出口から供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  11. 前記供給部は、前記複数の吐出口をそれぞれ含む複数のディスペンサを含み、
    前記制御部は、前記第１マップ及び前記第２マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
  12. 前記基板上に前記インプリント材を供給する複数のディスペンサを更に有し、
    前記制御部は、前記第１マップ及び前記第２マップのそれぞれで示される前記インプリント材の供給位置のそれぞれを、前記複数のディスペンサのうちいずれのディスペンサから供給されるかを識別可能に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  13. 前記装置パラメータは、前記基板上のショット領域内において前記インプリント材の供給を開始する位置、前記基板上に前記インプリント材を供給する際の前記基板を保持する基板ステージの速度、前記基板上に前記インプリント材を供給する際の前記基板ステージの往路と復路との間隔、前記基板上に前記インプリント材を供給する複数のディスペンサの間の間隔、前記基板上に前記インプリント材を吐出する複数の吐出口の間の間隔、前記基板上に前記インプリント材を供給するタイミングの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  14. インプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有し、
    前記インプリント装置は、モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成し、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の調整後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを提供する制御部を有し、前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする物品の製造方法。
  15. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に提供されるユーザインタフェースを生成する情報処理装置であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する制御部を有し、前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする情報処理装置。
  16. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法であって、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する第１工程と、
    前記第１工程で生成された前記ユーザインタフェースを提供する第２工程と、
    を有し、
    前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする方法。
  17. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示すマップの編集を支援する方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記憶した記憶媒体であって、
    前記方法は、
    前記基板上に供給すべき前記インプリント材の供給位置を示す第１マップと、前記インプリント装置に設定されて前記インプリント材の供給位置を変更するための装置パラメータの値を調整するための調整窓と、前記装置パラメータの値の変更後の前記インプリント材の供給位置を示す第２マップと、を表示するユーザインタフェースを生成する第１工程と、
    前記第１工程で生成された前記ユーザインタフェースを提供する第２工程と、
    を有し、
    前記第１マップと前記第２マップとを同時に前記ユーザインタフェースに表示することを特徴とする記憶媒体。
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