TWI640555B - 用於製造偏光膜的方法和系統 - Google Patents

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Abstract

一種用於製造偏光膜的系統，包括複數個處理設備。該些處理設備用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜。該些處理設備包含一處理槽，處理槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子。該槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得偏光膜前驅物在通過該處理槽時，槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。

Description

用於製造偏光膜的方法和系統
本發明是關於製造方法和系統。本發明特別是關於用於製造偏光膜的方法和系統。
偏光板為一種廣泛應用於液晶顯示器的光學元件。隨著液晶顯示器的發展，對於液晶顯示器連帶著其中的元件的品質要求越來越高。偏光板通常是藉由在偏光膜上貼合保護膜而形成。其中，偏光膜可藉由使可撓性的偏光膜前驅物通過多個處理設備而得。處理設備例如是處理槽，其中的槽液條件會對偏光膜的品質產生影響，因此，須以適當的方式將槽液的變化控制在一定範圍內。舉例來說，一般會針對需要的處理槽投入各種平衡用的藥劑，並且定時更換槽液。
根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的系統。該系統包括複數個處理設備。該些處理設備用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜。該些處理設備包含一處理槽，處理槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子。該槽液位 於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得偏光膜前驅物在通過該處理槽時，槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。
根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的系統。該系統包括複數個處理設備。處理設備用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜。該些處理設備包括一處理槽。該系統更包括一外部桶槽，與處理槽連通。外部桶槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子。該槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。
根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的方法。該方法包括使一偏光膜前驅物通過複數個處理設備，以形成一偏光膜。該些處理設備包括一處理槽，處理槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子。該方法更包括控制該槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得偏光膜前驅物在通過處理槽時，槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或使槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例方案和實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
10‧‧‧偏光膜前驅物
10’‧‧‧偏光膜
21‧‧‧膨潤槽
22‧‧‧染色槽
23‧‧‧交聯槽
24‧‧‧補色槽
25‧‧‧洗淨槽
26‧‧‧乾燥爐
30‧‧‧處理空間
31‧‧‧輥
32‧‧‧光源
33‧‧‧氣氛控制設備
34‧‧‧氣體通入口
35‧‧‧氣體排出口
40‧‧‧外部桶槽
43‧‧‧氣氛控制設備
44‧‧‧氣體通入口
45‧‧‧氣體排出口
132‧‧‧光源
141‧‧‧容器
142‧‧‧樣品
232‧‧‧光源
233‧‧‧塞子
234‧‧‧管子
235‧‧‧管子
241‧‧‧容器
242‧‧‧樣品
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
d3‧‧‧距離
P1‧‧‧控制氣壓
P2‧‧‧環境氣壓
V1‧‧‧第一體積
V2‧‧‧第二體積
第1圖為根據實施方案之一用於製造偏光膜的系統的一部分的示意圖。
第2圖為根據實施方案之一用於製造偏光膜的系統的一部分的示意圖。
第3圖為一用於實施例和比較例的實驗配置的示意圖。
第4圖為另一用於實施例和比較例的實驗配置的示意圖。
以下將配合所附圖式對於根據實施方案的系統和方法進行詳細說明，以提供對於根據實施方案的系統和方法更進清楚的理解。可以明白的是，所附圖式與其相關的說明只是作為列舉解釋用途，並非用於限制本發明。此外可以預期的是，一實施方案或實施例中的元件、條件和特徵，能夠被有利地納入於另一實施方案或實施例中，然而並未對此作進一步的列舉。
根據實施方案的一種用於製造偏光膜的系統，包括複數個處理設備。該些處理設備用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜。該些處理設備中包含至少一處理槽，處理槽中具有一槽液，該槽液中含有的某些離子在槽液中易發生自發性氧化還原反應，而產生會對所形成的偏光膜的品質造成負面影響的產物。舉例來說，某些處理槽中的碘離子(I-)，例如交聯槽和/或補色槽中的碘離子，即會自發性地氧化成碘分子(I2)，其會對於製造出來的偏光膜的品質造成負面影響，例如是對偏光膜的光學性質造成影響。根據實施方案，這樣的至少一處理槽的槽液位 於一照光環境和一氣氛環境之至少一者中，使得偏光膜前驅物在通過處理槽時，槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。舉例來說，這樣的環境控制甚至可以只在例如停止系統(比如為了維護或更換槽液)時停止。在一些實施方案中，除了必須對處理槽進行監控或人工處理等需要光源的情況下，該處理槽可不被光照射，處於黑暗中。在一些實施方案中，照光環境係在波長550nm~780nm的光之中。在一些實施方案中，非氧化性氣氛為氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛。根據一些實施方案，非氧化氣氛通入處理槽的通氣量可為5L/min~100L/min，較佳地為5L/min~10L/min。氣氛環境的一控制氣壓可大於系統在該處理槽以外的部份的一環境氣壓。舉例來說，該控制氣壓和該環境氣壓的壓差可為1Pa(帕)~30Pa。在一些實施方案中，處理槽中的氣氛環境具有一第一體積，處理槽中的槽液具有一第二體積，第一體積除以第二體積的比例可介於0.01和0.5之間，較佳地介於0.01和0.05之間。在一些實施方案中，可在該處理槽中配合使用一還原劑。還原劑可為重量百分比為10%的水溶液。還原劑通入槽液的流量可為0.1L/min~1L/min。
與其對應，根據實施方案的一種用於製造偏光膜的方法，包括使一偏光膜前驅物通過複數個處理設備，以形成一偏光膜。該些處理設備中包含至少一處理槽，處理槽中具有一槽液，該槽液中含有前述自發性反應的離子，例如碘離子。根據實施方 案，該方法更包括控制該槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得偏光膜前驅物在通過處理槽時，槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或使槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。舉例來說，這樣的環境控制甚至可以只在例如停止系統(比如為了維護或更換槽液)時停止。在一些實施方案中，除了必須對該處理槽進行監控或人工處理等需要光源的情況下，可盡可能地減少該處理槽被光照射的時間，甚至令其在使用時處於黑暗中。在一些實施方案中，在偏光膜前驅物通過該處理槽時，使該槽液接受波長為550nm~780nm的光照射。在一些實施方案中，在偏光膜前驅物通過該處理槽時，使槽液處於氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛下。可使非氧化性氣氛的一控制氣壓大於系統在該處理槽以外的部份的一環境氣壓。舉例來說，該控制氣壓和該環境氣壓的壓差可為1Pa~30Pa。在一些實施方案中，可定時監控該處理槽的槽液中的碘離子含量，在碘離子含量等於大於0.5mM時，將一還原劑投入槽液中或更換槽液。
請參照第1圖，其為根據實施方案之一用於製造偏光膜的系統的示意圖。除了前述提及的染色槽和交聯槽外，第1圖還示出其他用於製造偏光膜的處理設備。具體來說，在第1圖中，系統的處理設備被繪示成包括一膨潤槽21、一染色槽22、一交聯槽23、一補色槽24、一洗淨槽25、以及一乾燥爐26。系統中的所有處理設備皆可選擇性地增加、減少、重複配置、或進行其他調整。舉例來說，在一種系統中，可包括複數個染色槽22。在 一種系統中，可包括複數個交聯槽23。在一種系統中，可省略補色槽24。如第1圖所示，系統的處理設備可設置在一處理空間30中，處理空間30例如但不限於為一處理室或一處理房間。一偏光膜前驅物10，藉由系統的複數個輥31的傳送，依序通過各個處理設備(21~26)，而形成偏光膜10’。偏光膜10’可將光線由非偏極光轉換為偏極光，其例如是由吸附配向之二色性色素之聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜或由液晶材料摻附具吸收染料分子所形成。
用於形成偏光膜10’的偏光膜前驅物10，可包括聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)或其他適合的材料。舉例來說，偏光膜前驅物10可為PVA的薄膜。聚乙烯醇可藉由皂化聚乙酸乙烯酯而形成。根據一些實施方案，聚乙烯醇的皂化度可為85莫耳%~100莫耳%。根據一些實施方案，聚乙酸乙烯酯可為乙酸乙烯酯的單聚物、或者乙酸乙烯酯以及乙酸乙烯的共聚合物和其他能與乙酸乙烯進行共聚合的其它單體的共聚物。在一些實施方案中，聚乙烯醇經過改質，例如是經醛類改質的聚乙烯甲醛(polyvinylformal)、聚乙烯醇縮乙酸、聚乙烯乙醛、或聚乙烯丁醛(polyvinylbutyral)等等。在一些實施方案中，偏光膜前驅物10的厚度約為1μm(微米)~200μm。
偏光膜前驅物10可先經由輥31引導至膨潤槽21，以對於偏光膜前驅物10進行一膨潤處理。膨潤處理可去除偏光膜前驅物10表面的異物以及偏光膜前驅物10中的可塑劑，並且有助 於後續的染色處理和交聯處理的進行。膨潤槽21中的槽液主要為純水，其與偏光膜前驅物10反應。在一些實施方案中，膨潤處理的溫度為10℃~50℃，膨潤處理的時間則為5秒~300秒。
根據一些實施方案，可使用經過延伸的偏光膜前驅物10。根據另一些實施方案，可在用於製造偏光膜的系統中對於偏光膜前驅物10進行一延伸處理。延伸處理可在通過膨潤槽21、和/或後續染色槽22、交聯槽23時進行。舉例來說，可使得設置在膨潤槽21入口的輥31與設置在膨潤槽21出口的輥31存在周速差，進行單軸延伸處理。
偏光膜前驅物10接著經由輥31引導至染色槽22，以對於偏光膜前驅物10進行一染色處理。染色槽22中的槽液含有一染色劑。染色劑可使用二色性色素、或其它適合的水溶性二色素染料。在一些實施方案中，染色劑包含碘和碘化鉀。舉例來說，染色劑可為包含0.003重量份~0.2重量份的碘及3重量份~30重量份的碘化鉀的水溶液。在一些實施方案中，染色處理的溫度為10℃~50℃，染色處理的時間則為10秒~600秒。為了使染色處理的效果更好，槽液中可包括其它添加物。舉例來說，在一些實施方案中，額外添加硼酸。
偏光膜前驅物10接著經由輥31引導至交聯槽23，以對於偏光膜前驅物10進行一交聯處理。交聯槽23中的槽液含有一交聯劑。交聯劑可使用硼酸。交聯槽23中的槽液可更含有一光學調整劑。改變光學調整劑的濃度可調整偏光膜色相。光學調整 劑可使用碘化鉀、碘化鋅、或其組合。在一些實施方案中，槽液為水溶液，其中包含1重量份~10重量份的硼酸、及1重量份~30重量份的碘化鉀。在一些實施方案中，交聯處理的溫度可為10℃~70℃，交聯處理的時間則為1秒~600秒。在一些實施方案中，交聯處理在酸性環境下進行，pH值例如是2~5。因此，交聯槽的槽液可更含有一酸鹼值調整劑。酸鹼值調整劑可使用過氯酸、氫碘酸、氫溴酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、甲酸、抗壞血酸、和/或乙酸。在一些實施方案中，由於使用前述的碘系光學調整劑，其在槽液中形成的碘離子(I-)，在交聯處理所使用的酸性環境下會自發性地氧化成碘分子(I2)，為了維持和控制碘離子、碘分子的濃度，交聯槽的槽液可更含有一還原劑。還原劑可使用硫酸鹽、硫代硫酸鹽、二硫亞磺酸鹽、亞硫酸鹽、亞硫酸、亞硝酸鹽、鐵鹽、和/或錫鹽。
選擇性地，在一些實施方案中，偏光膜前驅物10接著經由輥31引導至補色槽24，以對於偏光膜前驅物10進行一補色處理。補色處理進一步地調整偏光膜前驅物10，以達成偏光膜10’所需的色相。補色槽24中的槽液可與交聯槽23中的槽液有類似甚至相同的構成。在一些實施方案中，補色處理的溫度為10℃~70℃，補色處理的時間則為1秒~15分鐘。
偏光膜前驅物10接著經由輥31引導至洗淨槽25，以對於偏光膜前驅物10進行一洗淨處理。洗淨處理可藉由浸泡於水中、以水噴流進行噴霧、或前述方式的組合來進行。在一些實 施方案中，洗淨處理的溫度為2℃~45℃，洗淨處理的時間則為2秒~120秒。
經過洗淨處理的偏光膜前驅物10可接著經由輥31引導至乾燥爐26，以對於偏光膜前驅物10進行一乾燥處理，乾燥處理後即為偏光膜10’。在一些實施方案中，乾燥處理的溫度為35℃~105℃，乾燥處理的時間則為10秒~300秒。
在這樣的系統中，所述照光和氣氛受到控制的至少一處理槽，可包括交聯槽23及/或補色槽24。另外，雖然第1圖未繪示，在一些實施方案中，也可包括染色槽22。舉例來說，可對於一染色槽22、一交聯槽23、一補色槽24、或複數個交聯槽23(例如三個交聯槽23)、或所有染色槽22、交聯槽23和補色槽24進行控制。這可依照需求進行調整。亦即，槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中的至少一處理槽，可選自於由一染色槽、一交聯槽及一補色槽所組成的群組。就照光的控制方面來說，根據一些實施方案，如第1圖所示，系統可包括一或更多個光源32，光源32照射所有的處理設備。光源32存在的目的在於，即使是自動化製程，但為了進行系統的監控、或者人工協助操作處理等目的，仍需要能夠提供可見光的光源32。然而，為了配合槽液中含有自發性反應的離子的至少一處理槽(23、24)所進行的照光的控制，根據實施方案的光源32所發出波長不小於等於430nm且更佳地為550nm~780nm的光，以製造所述照光環境。舉例來說，可選擇諸如發出500nm(青光)、550nm(綠光)、和610nm(紅光) 之類的單一波長的光源32。又舉例來說，也可選擇發出一個頻段之波長的光源32，只要其發出的光不包括波長小於等於430nm的頻段。在一些實施方案中，光源32的照度可為150~1000流明，例如是400~700流明。在一些實施方案中，光源32的數量可為20~60個，例如是30~40個。在一些實施方案中，光源32距離槽液的垂直高度d3可為2~10公尺。根據另一些實施方案，也可以將要控制的至少一處理槽(23、24)與其它處理設備(21、22、25、26)進行光學上的隔離，單獨地控制該處理槽，使得至少在偏光膜前驅物通過該處理槽時，處理槽中的槽液不被波長小於等於430nm的光照射。舉例來說，在偏光膜前驅物通過該處理槽時，可使處理槽處於黑暗中。或者，為了進行系統的監控、或者人工協助操作處理等目的，特別提供該處理槽一光源，該光源發出的光的波長不小於等於430nm，更佳地為550nm~780nm。
就氣氛的控制方面來說，根據一些實施方案，如第1圖所示，系統可包括一氣氛控制設備33，氣氛控制設備33使得該至少一處理槽(23、24)中的槽液處於所述氣氛環境下。如第1圖所示，氣氛控制設備33例如是一桶槽蓋。桶槽蓋包括氣體通入口34。桶槽蓋並提供一氣體排出口。舉例來說，該桶槽蓋和該至少一處理槽(23、24)在偏光膜前驅物10進出處理槽的位置形成氣體排出口35。根據一些實施方案，氣氛控制設備33使得處理槽中的槽液處於氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛下，其中，惰性氣體氣氛例如是氦氣氣氛、氖氣氣氛、氬氣氣氛、氪氣氣氛、氙氣氣氛、 和/或氡氣氣氛。在一些實施方案中，氣體氣氛較佳地選用氮氣氣氛或氬氣氣氛。在一些實施方案中，該氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛的一控制氣壓P1可大於系統在該至少一處理槽以外的部份的一環境氣壓P2。如此一來，由於控制氣壓P1和環境氣壓P2的壓差，在偏光膜前驅物10進出該至少一處理槽的位置，即使未進行密封，也會自然地形成氣體排出口35，使得該至少一處理槽(23、24)中的槽液處於非氧化性氣氛下，而不會受到包括氧化性氣體的環境氣氛(例如空氣)所影響。根據一些實施方案，控制氣壓P1和環境氣壓P2的壓差可為1Pa~30Pa。亦即，P1-P2=1~30Pa。在一些實施方案中，非氧化氣氛通入處理槽的通氣量為5L/min~100L/min，例如是5L/min~10L/min。在一些實施方案中，處理槽中的氣氛環境具有一第一體積V1，處理槽中的槽液具有一第二體積V2，第一體積V1除以第二體積V2的比例介於0.01和0.5之間，例如介於0.01和0.05之間。在一些實施方案中，一個桶槽蓋對應一個處理槽。在另一些實施方案中，一個桶槽蓋可對應複數個處理槽，例如只使用一個桶槽蓋即覆蓋所有需要控制氣氛的處理槽。
藉由照光和氣氛的控制，可大幅抑制前述自發性反應的離子的反應，例如是使其反應速度趨緩，從而可減少相關投入劑的使用、和/或延長槽液更換的時間。舉例來說，在一些實施方案中，對於交聯槽23(和補色槽24)的槽液中的碘離子含量進行定時監控，在碘離子含量等於大於設定值(例如0.5mM)時，將一還原劑投入槽液中或更換槽液(例如槽液本身已含有還原劑但仍 有超標情況發生)。在一些實施方案中，當交聯槽23(和補色槽24)的槽液中的碘離子含量等於大於0.5mM時，即可發現偏光膜10’的品質受到明顯影響，因此將其作為前述設定值。如果交聯槽23(和補色槽24)受到照光和氣氛的控制，在一方面來說，可減少還原劑的用量，減輕還原劑的陰離子在槽液中累積而對於偏光膜10’的品質造成影響的情況。此外，也可以省略或減少活性碳的使用。另一方面來說，可能延長槽液更換的時間，減少系統需停止的時間，可提高產量或加快製造速度。
在一些實施方案中，系統可更包括一或更多個外部桶槽，其分別對應地與一或更多個如前所述之包含槽液的處理設備(包括但不限於膨潤槽21、染色槽22、交聯槽23、補色槽24、洗淨槽25)連通。如此一來，可進行槽液的提供和回收。在一些實施方案中，還可在槽液交換的過程進行過濾等處理。其中，與前述希望受到控制的至少一處理槽(染色槽22、交聯槽23、補色槽24)所連通的外部桶槽，由於具有相同之槽液，也可採用類似的方式加以控制。如第2圖所示，一外部桶槽40係設置在處理空間30之外，其與染色槽22、交聯槽23、補色槽24之任一者連通。外部桶槽40中具有一槽液，槽液中含有碘離子。該槽液位於一照光環境和一氣氛環境至少一者中，使得槽液所處的照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中，且/或槽液所處的氣氛環境為非氧化性氣氛。根據一些實施方案，可採用與前述任一實施方案所述之對於處理槽的控制方式，來控制外部桶槽40。舉例來說，如第2 圖所示，可使用例如是一桶槽蓋的氣氛控制設備43，藉由桶槽蓋的氣體通入口44通入氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛，並藉由在桶槽蓋與外部桶槽40之間保留間隙提供氣體排出口45。並且，可使得氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛的一控制氣壓大於外部桶槽40外的一環境氣壓，例如具有類似於前述之控制氣壓P1和環境氣壓P2之間的關係。
以下提供具體實施例和比較例，以協助對於照光和氣氛的控制能提供的好處能有更清楚的理解。
[樣品準備]
將60克純水、2.5克硼酸、7.2克碘化鉀和0.1克硫酸均勻混合，攪拌至無沉澱物，作為模擬交聯槽/補色槽中的槽液的樣品。
[照光控制實驗]
[實驗配置]
照光控制實驗的實驗配置如第3圖所示，在容器141中置入如前述方式製備的樣品142，整體暴露在空氣中。以光源132進行照射，光源132和樣品142的距離d1為25公分。對於實施例1~3和比較例1~3，分別使用波長為610nm的紅光光源、波長為550nm的綠光光源、波長為500nm的青光光源、波長為430nm的藍光光源、波長為340nm的紫外光光源和波長為280nm的紫外光光源，照度皆為700流明。在進行照射前和照射一小時後分別取出樣品142，使用紫外光/可見光光譜儀(UV-2450， Shimadzu)，量測設定在吸收波長350nm的碘的最大吸收峰，藉此測定樣品142的碘分子濃度(mM)。
[結果討論]
照光控制實驗的實驗結果如表1所列。從表1的比較例1~3可以看出，當照射的光的波長為430nm或更低時，在一個小時以內即需要進行還原劑的投入或槽液的更換。相對於此，如實施例1~3使用波長不小於等於430nm的光進行照射時，至少在以一個小時為間隔進行監控的情況下，槽液中的碘離子含量不會在未注意到時即超過設定值(例如0.5mM)而影響所形成的偏光膜的品質。從表1的實施例1~2更可以看出，使用波長為550nm~780nm的範圍內的光源時，可將交聯槽/補色槽的調整/替換時間延長至二倍以上。
[氣氛控制實驗]
[實驗配置]
氣氛控制實驗的實驗配置如第4圖所示，在容器241中置入如前述方式製備的樣品242，容器241藉由塞子233進行密封，並插入延伸至樣品242的管子234作為氣體通入口，插入不碰到樣品242的管子235作為氣體排出口。對於實施例4~5和比較例4~5，在置入樣品242之後，使用塞子233並構成密閉空間，對其進行抽真空，再藉由管子234分別通入氬氣、氮氣、氧氣、空氣，氣體流量為300cc/min。以光源232進行照射，其中光源232和樣品242的距離d2為30公分。使用白光光源，照度為700流明。在進行照射前和照射一天後分別取出樣品242，使用紫外光/可見光光譜儀(UV-2450，Shimadzu)，量測設定在吸收波長350nm的碘的最大吸收峰，藉此測定樣品242的碘分子濃度(mM)。
[結果討論]
照光控制實驗的實驗結果如表2所列。比較表2的實施例4~5和比較例4~5可以看出，使用非氧化性氣體和包括氧化性氣體的氧氣和空氣，碘分子的增加濃度可相差至一個數量級。因此，將交聯槽/補色槽的槽液控制在非氧化性氣體下，可大幅延長調整/替換時間。
綜上所述，雖然本發明已以實施方案揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (16)

  1. 一種用於製造偏光膜的系統，包括：複數個處理設備，用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜；其中，該些處理設備包含一處理槽，該處理槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子，該槽液位於一照光環境中，使得該偏光膜前驅物在通過該處理槽時，該槽液所處的該照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中；其中，該些處理設備包括一膨潤槽、一染色槽、一交聯槽、一補色槽、一洗淨槽、以及一乾燥爐，且該處理槽選自於由一染色槽、一交聯槽及一補色槽所組成的群組。
  2. 一種用於製造偏光膜的系統，包括：複數個處理設備，用於對一偏光膜前驅物進行處理，以形成一偏光膜，該些處理設備包括一處理槽；以及一外部桶槽，與該處理槽連通，該外部桶槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子，該槽液位於一照光環境中，使得該槽液所處的該照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中；其中，該些處理設備包括一膨潤槽、一染色槽、一交聯槽、一補色槽、一洗淨槽、以及一乾燥爐，且該處理槽選自於由一染色槽、一交聯槽及一補色槽所組成的群組。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之系統，其中，該照光環境係在波長550nm~780nm的光之中。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之系統，其中，該槽液位於一非氧化性氣氛為氮氣氣氛和/或惰性氣體氣氛之氣氛環境中。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之系統，其中，該氣氛環境的一控制氣壓大於一環境氣壓，或該氣氛環境的通氣量為5L/min~100L/min。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之系統，其中，該控制氣壓和該環境氣壓的壓差為1Pa~30Pa。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之系統，包括一或更多個光源，該光源發出波長為550nm~780nm的光以製造該照光環境，或該光源的照度為150~1000流明，或該一或更多個光源的數量為20~60個，或該光源距離該槽液的垂直高度為2~10公尺。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之系統，該氣氛環境具有一第一體積，該槽液具有一第二體積，該第一體積除以該第二體積的比例介於0.01和0.5之間。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之系統，包括一桶槽蓋，該桶槽蓋包括氣體通入口，該桶槽蓋並提供氣體排出口。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之系統，其中，該槽液更含有一還原劑，該還原劑為重量百分比為10%的水溶液，且該還原劑通入該槽液的流量為0.1L/min~1L/min。
  11. 一種用於製造偏光膜的方法，包括：使一偏光膜前驅物通過複數個處理設備，以形成一偏光膜，其中，該些處理設備包含一處理槽，該處理槽中具有一槽液，該槽液中含有碘離子；以及控制該槽液位於一照光環境中，使得該偏光膜前驅物在通過該處理槽時，該槽液所處的該照光環境係在波長不小於等於430nm的光之中；其中，該些處理設備包括一膨潤槽、一染色槽、一交聯槽、一補色槽、一洗淨槽、以及一乾燥爐，且該處理槽選自於由一染色槽、一交聯槽及一補色槽所組成的群組。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中，在該偏光膜前驅物通過該處理槽時，使該槽液接受波長為550nm~780nm的光照射。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中，在該偏光膜前驅物通過該處理槽時，使該槽液處於氮氣氣氛或惰性氣體氣氛下。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中，使該氮氣氣氛或惰性氣體氣氛的一控制氣壓大於該系統在該處理槽以外的部份的一環境氣壓。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，該控制氣壓和該環境氣壓的壓差為1Pa~30Pa。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括：定時監控該一處理槽的該槽液中的碘離子含量，在該碘離子含量等於大於0.5mM時，將一還原劑投入該槽液中或更換該槽液。
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