TWI639228B - 具改良效率特性之有機發光裝置及含其之有機發光顯示設備 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光裝置，係包含第一電極、面對第一電極之第二電極、設置於第一電極與第二電極間之磷光層、設置於磷光層與第二電極間之電子傳輸層、以及設置於磷光層與電子傳輸層間之電子控制層。一種有機發光設備包含該有機發光裝置。

Description

具改良效率特性之有機發光裝置及含其之有機發光顯示設備
相關申請案之交互參照
本申請案主張2012年2月14向韓國智慧財產局申請，韓國專利申請號為10-2012-0014825之所有權益，其揭露之所有內容整合於此作為參考。
本實施例係關於一種具改良效率特性之有機發光裝置，且特別係一種發光效率特性比照亮度改良之有機發光裝置。並且本實施例亦係關於包含改良於黑色狀態中發光效率特性之有機發光裝置之有機發光裝置設備。
有機發光裝置(OLEDs)為具有例如廣視角、高對比、短反應時間、良好之亮度及驅動電壓、以及反應快速之特性之自發光裝置且可產生多色彩影像。
於傳統之有機發光裝置中，陽極形成於基板上，且電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、及陰極依所述之順序依序形成於陽極上。就此點而言，電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層為包含有機化合物之有機薄膜層。當電壓施加於陽極與陰極間時，電洞自陽極注入經過電洞傳輸層並往發光層移動，且電 子自陰極注入經過電子傳輸層並往發光層移動。載體例如電洞與電子於發光層中再結合以產生激子，接著激子由激發態變回基態，從而產生光。
有機發光裝置中決定發光效率最重要的因子為發光材料。雖然螢光材料目前被廣泛的使用為發光材料，理論上，自電致發光機制之觀點，發展磷光材料為改良發光效率至四倍之最佳方法。
於低亮度區域，相較於使用螢光材料之有機發光裝置，使用磷光材料之有機發光裝置展現非常高之效率。特別是，因為使用磷光材料之有機發光裝置於裝置需要顯示黑色狀態之低電流流經區域具有高發光效率，可能產生有機發光顯示設備因為漏電而放出微弱綠光或紅光之現象。為了克服此問題，使用插入減慢電洞傳輸之層於電洞傳輸層與發光層間之方法或提供純金屬至電子注入層之方法。
然而，縱以上述之方法，使用磷光材料之有機發光裝置之低亮度狀態效率特性仍無法達到令人滿意之程度，從而仍有改良之空間。
本實施例提供於高亮度區域具有良好發光效率並於低亮度區域具有低發光效率之一種有機發光裝置(OLED)。
本實施例以提供包含該有機發光裝置之一種有機發光顯示設備，從而抑制於黑色狀態中放出紅光及綠光。
根據本實施例之一態樣，提供一種有機發光裝置，係包含第一電極；相對於第一電極之第二電極；設置於第一電極與第二電極間之磷光發光層；設置於磷光發光層與第二電極間之電子傳輸層；及設置於磷光發光層與電子傳 輸層間之電子控制層，其中磷光發光層包含主體材料及摻質材料，且電子控制層包含電子控制材料，其中主體材料之最高佔有分子軌域(HOMO)之能階(EHH)、主體材料之最低未佔有分子軌域(LUMO)之能階(ELH)、電子控制材料之最高佔有分子軌域(HOMO)之能階(EHC)、及電子控制材料之最低未佔有分子軌域(LUMO)之能階(ELC)滿足｜EHH-EHC｜0.3eV與｜ELH-ELC｜0.5eV之關係，其中電子控制層之厚度為約50Å至約450Å。
EHH、ELH、EHC及ELC可滿足0EHH-EHC 0.3eV及0ELH-ELC 0.5eV之關係。
電子控制材料之電子移動率可大於或等於電洞移動率。
EHC可為-5.2eV至-6.1eV之範圍內。
ELC可為-2.5eV至-3.2eV之範圍內。
電子控制材料之含量為以電子控制層之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內。
電子傳輸層與電子控制層之厚度比例於約5：1至約5：10之範圍內。
根據本實施例之其他態樣，提供一種有機發光裝置，係包含第一電極；相對於第一電極之第二電極；設置於第一電極與第二電極間之磷光發光層；設置於磷光發光層與第二電極間之電子傳輸層；設置於磷光發光層與電子傳輸層間之電子控制層；及設置於磷光發光層與第一電極間之電子阻擋層，其中磷光發光層包含主體材料及摻質材料、電子控制層包含電子控制材料、且電子阻擋層包含電子阻擋材料，其中EHH、ELH、EHC、ELC及電子阻擋材料之最低 未佔有分子軌域之能階(ELB)滿足｜EHH-EHC｜0.3eV、｜ELH-ELC｜0.5eV、與ELB>ELH之關係，其中電子控制層之厚度為約50Å至約450Å。
電子阻擋材料可包含三苯胺(triphenylamine)衍生物、咔唑(carbazole)衍生物、及螺二芴(spirobifluorene)衍生物中的至少之一。
電子阻擋層之厚度可為約10Å至約1000Å。
EHH、ELH、EHC及ELC可滿足0EHH-EHC 0.3eV及0ELH-ELC 0.5eV之關係。
電子控制材料之電子移動率可大於或等於電洞移動率。
EHC可為-5.2eV至-6.1eV之範圍內。
ELC可為-2.5eV至-3.2eV之範圍內。
電子控制材料之含量為以電子控制層之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內。
電子傳輸層與電子控制層之厚度比例於5：1至5：10之範圍內。
電子控制材料可包含由以下化學式1表示之化合物：
於化學式1中，R1至R7、Ar1至Ar3、L1至L3、a、b、及c詳細描述於實施方式中。
主體材料可包含具有電洞傳輸單元與電子傳輸單元之雙極性(bipolar)化合物。
主體材料可包含具有電洞傳輸單元與電子傳輸單元之雙極性化合物與至少具電洞傳輸單元之化合物之混合物。
磷光發光層可放出紅光或綠光。
電子傳輸層可包含由以下化學式4表示之化合物：
於化學式4中，R31至R42、Ar11至Ar12、L11至L13、p、q及r詳細描述於實施方式中。
電子傳輸層可更進一步包含選自8-羥基喹啉鋰(LiQ)及以下化合物101中的至少之一。
電子傳輸層可更進一步包含選自1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲(1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)、四氰基對苯醌二甲烷(tetracyanoquinodimethane)、蒽醌(anthraquinone)、苝醯亞胺(perylenebisimide)及四氰基對蒽醌二甲烷(tetracyanoanthraquinodimethane)中的至少之一。
電子傳輸層可更進一步包含至少一選自鋰(Li)、銫(Cs)、鈉(Na)、鉀(K)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鋇(Ba)及鐳(Ra)的金屬；金屬碳酸鹽(metal carbonate)；金屬醋酸鹽(metal acetate)；金屬苯甲酸鹽(metal benzoate)；金屬乙醯乙酸鹽(metal acetoacetate)；金屬乙醯丙酮鹽(metal acetylacetonate)；及金屬硬脂酸鹽(metal stearate)中的至少之一。
有機發光裝置可更進一步包含設置於磷光發光層與第一電極間之電洞傳輸層，其中該電洞傳輸層包含由以下化學式5表示之化合物：
於化學式5中，R50至R67、L21、及k詳細描述於實施內容中。
有機發光裝置可更進一步包含設置於電洞傳輸層與第一電極間之電洞注入層，其中該電洞注入層包含由以下化學式6表示之化合物：化學式6
於化學式6中，Ar41、Ar42、R71、及R72詳細描述於實施方式中。
根據本實施例之另一態樣，提供一種有機發光顯示設備包含，包含源極、汲極、閘極及主動層之電晶體及有機發光裝置，其中有機發光裝置之第一電極電性連接至源極或汲極。
100、200、300、400‧‧‧有機發光裝置
110、210、310、410‧‧‧基板
130、230、330、430‧‧‧第一電極
150、250、350、450‧‧‧有機層
160、260、360、460‧‧‧發光層
171、271、371、471‧‧‧電子控制層
173、273、373、473‧‧‧電子傳輸層
190、290、390、490‧‧‧第二電極
281、481‧‧‧電子阻擋層
375、475‧‧‧電子注入層
383、483‧‧‧電洞注入層
385、485‧‧‧電洞傳輸層
本實施例之以上與其他特徵及優點將透過藉參考附圖對範例實施例之詳細描述而顯而易知，其中：第1圖係為根據一實施例之有機發光裝置(OLED)100之剖面示意圖；第2圖係為根據另一實施例之有機發光裝置之剖面示意圖；第3圖係為根據實施例具有基板/第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子控制層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極結構之有機發光裝置之剖面示意圖；第4圖係為根據實施例具有基板/第一電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電子控制層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極結構之有機發光裝置之剖面示意圖； 第5圖係為描繪顯示於第3圖之有機發光裝置中之每一層之最高佔有分子軌域之能階與最低未佔有分子軌域之能階之示意圖；第6圖係為描繪顯示於第4圖之有機發光裝置中之每一層之最高佔有分子軌域之能階與最低未佔有分子軌域之能階之示意圖；第7圖係為描繪於範例1至6與比較範例1至4中製造之有機發光裝置根據亮度之效率圖表；第8圖係為描繪於範例1至6與比較範例1至4中製造之有機發光裝置根據亮度之標準化效率圖表；第9圖係為描繪於範例7至10與比較範例5至7中製造之有機發光裝置根據亮度之效率圖表；第10圖係為描繪於範例7至10與比較範例5至7中製造之有機發光裝置根據亮度之標準化效率圖表；第11圖係為描繪於範例11至14與比較範例8至10中製造之有機發光裝置根據亮度之效率圖表；以及第12圖係為描繪於範例11至14與比較範例8至10中製造之有機發光裝置根據亮度之標準化效率圖表。
本實施例將藉參照附圖而更完整地描述。當詞句「至少之一」前綴於一列元件前時，係修飾整列元件而非修飾該列中之個別元件。
第1圖係根據一實施例之有機發光裝置(OLED)100之剖面示意圖。
參照第1圖，有機發光裝置100包含基板110、形成於基板110上之第一電極130、相對於第一電極130之第二電極190及設置於第一電極130與第二電極190間之有機層150。
有機層150包含電洞與電子於其中再結合以產生激子，從而於激子自激發態變為基態時放光之發光層160、設置於發光層160與第二電極190間之電子傳輸層173及設置於發光層160與電子傳輸層173間之電子控制層171。
發光層160為包含磷光主體材料與摻質材料之磷光發光層。電子控制層173包含電子控制材料。
因為磷光主體材料及摻質材料進行發光機制時，自三重態放出光而非熱，於發光層中使用磷光主體材料及摻質材料之有機發光裝置可具有理論上相較於使用自單一激發態放光之螢光材料改良至四倍之發光效率。
於一些實施例中，主體材料之最高佔有分子軌域(HOMO)之能階(EHH)主體材料之最低未佔有分子軌域(LUMO)之能階(ELH)電子控制材料之之最高佔有分子軌域之能階(EHC)及電子控制材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELC)滿足以下關係：｜EHH-EHC｜0.3eV及｜ELH-ELC｜0.5eV
於一些實施例中，EHC有小於EHH之值且EHC與EHH間差之絕對值為0.3eV或更小。
當EHH與EHC間差之絕對值為0.3eV或更小時，於低亮度區域自發光層至電子控制層之電洞阻擋機制可被抑制。
於一些實施例中，ELH與ELC間之絕對值差為0.5eV或更小。
當ELH與ELC間差之絕對值為0.5eV或更小時，電子傳輸能力可為適當的，且驅動電壓可不過度地增加。
於一些實施例中，包含電子控制材料之電子控制層171之厚度為約50Å至約450Å。
於一些實施例中，電子控制層171用以控制電子注入至發光層160。當電子控制層171之厚度為50Å或更大時，於低亮度適當地產生降低發光效率之效果，且當厚度為450Å或更小時，抑制驅動電壓過度地增加。
有機發光裝置100具有結構係包含發光層160，其為磷光發光層，從而明顯改良發光效率，且因為於高亮度區域電子與電洞之注入與傳輸順利，有機發光裝置100具有良好之發光效率。然而，於有機發光裝置100中因為電子控制層171之存在，電洞阻擋機制於低亮度區域被抑制，減慢自電子傳輸層173至發光層160方向之電子注入與傳輸。因此，發光層160中用以產生激子之電子與電洞於低亮度區域中係不平衡的，從而減低裝置之發光效率。
於一些實施例中，EHH、ELH、EHC及ELC可滿足以下關係：0EHH-EHC 0.3eV及0ELH-ELC 0.5eV
於一些實施例中，EHC有小於EHH之值，且EHC與EHH間之差為0.3eV或更小。
因為EHC小於EHH，於高亮度因為電洞阻擋機制而可增加發光效率。然而，因為差值為0.3eV或更小，於當電洞阻擋機制被抑制之低亮度時可減低發光效率。
而且，因為ELC小於ELH，電子可順利傳輸。然而，因為ELC與ELH之差值為0.5eV或更小，可抑制驅動電壓過度地增加。
於一些實施例中，電子控制材料之電子移動率可大於或等於電洞移動率。就此點而言，於包含電子控制材料之電子控制層171中之電子流可被減慢。亦即，當於電子傳輸層173中快速移動之電子流穿過電子控制層171時被以明顯程度減慢，從而降低裝置於低亮度區域之發光效率。
於一些實施例中，EHC可為-5.2eV至-6.1eV，且ELC一些實施例中，ELC可為-2.5eV至-3.2eV。
當EHC與ELC滿足以上範圍時，於高亮度因為電洞阻擋機制，發光效率可增加，且於低亮度因為電洞阻擋機制被壓抑，發光效率可減少。
於一些實施例中，電子控制材料之含量可為以電子控制層171之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內。
電子控制層171可僅以電子控制材料或包含除了電子控制材料以外之材料所組成。然而，為了因為電子控制材料而具有改良效果之比照亮度發光效率特性，電子控制材料之含量需為足夠，從而可為以電子控制層171之總重為基礎，於重量百分比約30%或更多。
於一些實施例中，電子傳輸層173與電子控制層171之厚度比為約5：1至約5：10之範圍內。
電子傳輸層173與電子控制層171之厚度比與包含於電子傳輸層173中用以形成電子傳輸層與包含於電子控制層171等中之電子控制材料之重量比相關聯，且厚度比亦與受電子控制材料影響之多寡相關聯。當電子控制層171 之厚度滿足關於與電子傳輸層173之厚度之關係時，可適當地展現因為電子控制材料而比照亮度之發光效率控制效果。
第2圖為根據其他實施例之有機發光裝置200之結構之剖面示意圖。
參照第2圗，根據其他實施例之有機發光裝置200包含基板210、形成於基板210上之第一電極230、相對於第一電極230之第二電極290及設置於第一電極230與第二電極290間之有機層250。
有機層250包含電洞與電子於其中再結合以產生激子，從而於激子自激發態變為基態時放光之發光層260、設置於發光層260與第二電極290間之電子傳輸層273、設置於發光層260與電子傳輸層273間之電子控制層271及設置於發光層260與第一電極230間之電子阻擋層281。
發光層260包含磷光主體材料與摻質材料，電子控制層273包含電子控制材料，且電子阻擋層281包含電子阻擋材料。
於一些實施例中，EHH、ELH、EHC、ELC及電子阻擋材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELB)滿足以下所有關係：｜EHH-EHC｜0.3eV
｜ELH-ELC｜0.5eV及ELB>ELH
於一些實施例中，EHC有小於EHH之值且EHC與EHH間差之絕對值為0.3eV或更小。
當EHH與EHC間差之絕對值為0.3eV或更小時，自發光層至電子控制層之電洞阻擋機制於低亮度區域可被抑制。
於一些實施例中，ELC與ELH間差之絕對值為0.5eV或更小。
當ELC與ELH間差之絕對值為0.5eV或更小時，電子傳輸能力可為適當的，且可不過度地增加驅動電壓。
ELB高於ELH。
當ELB高於ELH時，於自發光層260至第一電極230方向之電子流移動率可被抑制。
於一些實施例中，包含電子控制材料之電子控制層271之厚度為50Å至450Å。
當電子控制層271之厚度為50Å或更大時，於低亮度適當地產生降低發光效率之效果，且當厚度為450Å或更小時，抑制驅動電壓過度地增加。
於具有此結構之有機發光裝置200中，於高亮度區域之電子與電洞之注入與傳輸係順利的，且具體而言，裝置之發光效率優良係因為電子阻擋層281抑制自第一電極230往發光層260方向之電子傳輸。
然而，於有機發光裝置200中，因為電子控制層271之存在，電洞阻擋機制於低亮度區域被抑制，從而減慢自電子傳輸層273至發光層260方向之電子之注入與傳輸。因此，於發光層260中用以產生激子之電子與電洞於低亮度區域係不平衡的，從而減低裝置之發光效率。
於一些實施例中，電子阻擋材料可為具高最低未佔有分子軌域能階之材料，例如包含但不限於三芳胺系三苯胺衍生物(triarylamine-based triphenylamine derivative)、咔唑衍生物(carbazole derivative)、或螺二芴衍生物(spirobifluorene derivative)。例如TCTA、2,2',7,7'-四[N,N-二苯基氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-TAD,2,2',7,7'-tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene)或例如以下 化合物701可用以作為電子阻擋材料、或例如Irppz或ppz2Ir(dpm)之金屬錯合物可用以作為電子阻擋材料。
於一些實施例中，電子阻擋層281之厚度可為約10Å至約1000Å。當電子阻擋層281之厚度為10Å或更大時，電子阻擋層281可得到良好的電子阻擋能力，且當厚度為1000Å或更小時，可抑制驅動電壓過度地增加。舉例而言，電子阻擋層281之厚度可為於50Å至800Å之範圍內。
EHH、ELH、EHC、及ELC可滿足以下關係：0EHH-EHC 0.3eV及0ELH-ELC 0.5eV
EHC小於EHH，且EHC與EHH間之差值為0.3eV或更小。
因為EHC小於EHH，發光效率於高亮度可因為電洞阻擋機制而提升。然而，因為差值為0.3eV或更小，於當電洞阻擋機制被抑制之低亮度時可減低發光效率。
另外，因為ELC小於ELH，電子可順利地傳輸。然而，可因為ELC與ELH間之差值為0.5eV或更小而抑制驅動電壓過度地增加。
於一些實施例中，電子控制材料之電子移動率可大於或等於電洞移動率。就此點而言，於包含電子控制材料之電子控制層271中之電子流可被減 慢。於電子傳輸層273中快速移動之電子流於穿過電子控制層271時減慢一定之程度，從而減少於低亮度區域之發光效率。
EHC可於一範圍內，例如-5.2eV至-6.1eV，且ELC可於一範圍內，例如-2.5eV至-3.2eV。
當EHC與ELC滿足以上範圍時，於高亮度因為電洞阻擋機制而可增加發光效率，且於當電洞阻擋機制被抑制之低亮度時可減低發光效率。
於一些實施例中，電子控制材料之含量可為以電子控制層271之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內。
電子控制層271可僅以電子控制材料或可包含除了電子控制材料以外之其他材料而組成。然而，為了具有比照亮度發光效率特性因為電子控制材料之改良效果，需要足夠的電子控制材料之含量，從而可為以電子控制層271之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內。
於一些實施例中，電子傳輸層273與電子控制層271之厚度比為約5：1至約5：10之範圍內。
當電子控制層271之厚度滿足關於與電子傳輸層273之厚度之關係時，可適當地展現比照亮度之發光效率因為電子控制材料之控制效果。
包含於電子控制層171或271之電子控制材料具以電子控制層171或271之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內之含量。電子控制材料為控制電子控制層171或271與發光層160或260間之最高佔有分子軌域之能階關係之材料，從而用以於高亮度區域增加電子注入與傳輸之速度並於低發光效率減少電子注入與傳輸之速度。此電子控制材料可包含由以下化學式1表示之化合物：
於化學式1中，R1至R7各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基、及經取代或未經取代之C6-C30芳基的其中之一，Ar1、Ar2、與Ar3各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基、經取代或未經取代之C2-C30雜芳基及由-N(Q1)(Q2)代表之基的其中之一，L1、L2、與L3各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30伸芳基及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一，且a、b、與c各獨立地為1至3中之一整數。於化學式1中，Ar1、Ar2、與Ar3中的至少之一為經取代或未經取代之C2-C30雜芳基。
由-N(Q1)(Q2)表示之基中，Q1與Q2各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基、 經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基及經取代或未經取代之C2-C30雜芳基的其中之一。
化學式1中，當a為0時，-(L1)a-表示一單鍵，當a為2或更大時，複數個L1可為彼此相同或不同。同樣地，當b為0時，-(L2)b-表示一單鍵，當b為2或更大時，複數個L2可為彼此相同或不同。當c為0時，-(L3)c-表示一單鍵，當c為2或更大時，複數個L3可為彼此相同或不同。
由化學式1表示之化合物具有於-5.2eV至-6.1eV範圍內之最高佔有分子軌域能階及於-2.5eV至-3.2eV範圍內最低未佔有分子軌域之能階，並包含至少一C2-C30雜芳基於化合物之分子結構中，從而具相對優良之電子移動率。
由化學式1表示之化合物係包含於電子控制層171或271內，並用以於高亮度區域加速電子之注入與傳輸且於低亮度區域減慢電子之注入與傳輸。
電子控制材料可包含至少一由以下化學式2及化學式3表示之化合物：
化學式3
於化學式2及3中，R1至R12及R21至R28各獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基(anthryl)、經取代或未經取代之菲基(phenanthrenyl)、經取代或未經取代之芘基(pyrenyl group)，Ar1、Ar2、及Ar3各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之並環戊二烯基(pentalenyl group)、經取代或未經取代之茚基(indenyl group)、經取代或未經取代之萘基(naphthyl group)、經取代或未經取代之薁基(azulenyl group)、經取代或未經取代之並環庚三烯基(heptalenyl group)、經取代或未經取代之二環戊二烯並苯基(indacenyl group)、經取代或未經取代之苊基(acenaphthyl group)、經取代或未經取代之茀基(fluorenyl group)、經取代或未經取代之螺茀基(spirofluorenyl group)、經取代或未經取代之丙烯合萘基(phenalenyl group)、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基(fluoranthenyl group)、經取代或未經取代之聯三伸苯基(triphenylenyl group)、經 取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基(chrysenyl group)、經取代或未經取代之稠四苯基(naphthacenyl group)、經取代或未經取代之苉基(picenyl group)、經取代或未經取代之苝基(perylenyl group)、經取代或未經取代之五苯基(pentaphenyl group)、經取代或未經取代之稠六苯基(hexacenyl group)、經取代或未經取代之吡咯基(pyrrolyl group)、經取代或未經取代之咪唑基(imidazolyl group)、經取代或未經取代之吡唑基(pyrazolyl group)、經取代或未經取代之吡啶基(pyridinyl group)、經取代或未經取代之聯吡啶基(bipyridinyl group)、經取代或未經取代之吡嗪基(pyrazinyl group)、經取代或未經取代之嘧啶基(pyrimidinyl group)、經取代或未經取代之噠嗪基(pyridazinyl group)、經取代或未經取代之異吲哚基(isoindolyl group)、經取代或未經取代之吲哚基(indolyl group)、經取代或未經取代之吲唑基(indazolyl group)、經取代或未經取代之嘌呤基(purinyl group)、經取代或未經取代之喹啉基(quinolinyl group)、經取代或未經取代之苯並喹啉基(benzoquinolinyl group)、經取代或未經取代之呔嗪基(phthalazinyl group)、經取代或未經取代之萘啶基(naphthyridinyl group)、經取代或未經取代之苯並吡嗪基(quinoxalinyl group)、經取代或未經取代之喹唑啉基(quinazolinyl group)、經取代或未經取代之噌啉基(cinnolinyl group)、經取代或未經取代之咔唑基(carbazolyl group)、經取代或未經取代之啡啶基(phenarthridinyl group)、經取代或未經取代之吖啶基(acridinyl group)、經取代或未經取代之啡啉基(phenanthrolinyl group)、經取代或未經取代之啡嗪基(phenazinyl group)、經取代或未經取代之苯並噁唑基(benzoxazolyl group)、經取代或未經取代之苯並咪唑基(benzoimidazolyl group)、經取代或未經取代之呋喃基(furanyl group)、經取代或未經取代之苯並呋喃基(benzofuranyl group)、經取代或未經取代之噻吩基(thienyl group)、經取代或未經取代之苯並噻吩基(benzothienyl group)、經取代或未經取代之噻唑基(thiazolyl group)、經取代或未經取代之異噻唑基(isothiazolyl group)、經取代或未經取代之苯並噻唑基(benzothiazolyl group)、經取代或未經取代之異噁唑基(isoxazolyl group)、經取代或未經取代之噁唑基(oxazolyl group)、經取代或未經取代之三唑基(triazolyl group)、經取代或未經取代之四唑基(tetrazolyl group)、經取代或未經取代之噁二唑基(oxadiazolyl group)、經取代或未經取代之三嗪基(triazinyl group)、經取代或未經取代之苯並噁唑基(benzoxazolyl group)、經取代或未經取代之二苯並呋喃基(dibenzofuranyl group)、經取代或未經取代之二苯並噻吩基(dibenzothienyl group)、及經取代或未經取代之苯並咔唑基(bezocarbazolyl group)的其中之一，L1、L2、與L3各獨立地為經取代或未經取代之伸苯基(phenylene group)、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基(pentalenylene group)、經取代或未經取代之伸茚基(indenylene group)、經取代或未經取代之伸萘基(naphthylene group)、經取代或未經取代之伸薁基(azulenylene group)、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基(heptalenylene group)、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基(indacenylene group)、經取代或未經取代之伸苊基(acenaphthylene group)、經取代或未經取代之伸茀基(fluorenylene group)、經取代或未經取代之伸丙烯合萘基(phenalenylene group)、經取代或未經取代之伸菲基(phenanthrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒽基(anthrylene group)、經取代或未經取代之伸丙二烯合茀基(fluoranthenylene group)、經取代或未經取代之伸聯三伸苯基(triphenylenylene group)、經取代或未經取代之伸芘基(pyrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒯基(chrysenylene group)、經取代或未經取代之伸稠四苯基(naphthacenylene group)、經取代或未經取代之伸苉基(picenylene group)、經取代或未經取代之伸苝基(perylenylene group)、經取代或未經取代之伸五苯基(pentaphenylene group)、經取代或未經取代之伸稠六苯基(hexacenylene group)、經取代或未經取代之伸吡咯基(pyrrolylene group)、經取代或未經取代之伸吡唑基(pyrazolylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑基(imidazolylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑啉基(imidazolinylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑吡啶基(imidazopyridinylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑嘧啶基(imidazopyrimidinylene group)、經取代或未經取代之伸吡啶基(pyridinylene group)、經取代或未經取代之伸吡嗪基(pyrazinylene group)、經取代或未經取代之伸嘧啶基(pyrimidinylene group)、經取代或未經取代之伸吲哚基(indolylene group)、經取代或未經取代之伸嘌呤基(purinylene group)、經取代或未經取代之伸喹啉基(quinolinylene group)、經取代或未經取代之伸呔嗪基(phthalazinylene group)、經取代或未經取代之伸吲哚嗪基(indolizinylene group)、經取代或未經取代之伸萘啶基(naphthyridinylene group)、經取代或未經取代之伸喹唑啉基(quinazolinylene group)、經取代或未經取代之伸噌啉基(cinnolinylene group)、經取代或未經取代之伸吲｜唑基(indazolylene group)、經取代或未經取代之伸咔唑基(carbazolylene group)、經取代或未經取代之伸啡嗪基(phenazinylene group)、經取代或未經取代之伸啡啶基(phenanthridinylene group)、經取代或未經取代之伸吡喃(pyranylene group)、經取代或未經取代伸色烯基(chromenylene group)、經取代或未經取代之伸呋喃基(furanylene group)、經取代或未經取代之伸苯並呋喃基(benzofuranylene group)、經取代或未經取代之伸噻吩基(thienylene group)、經取代或未經取代之伸苯並噻吩基(benzothienylene group)、經取代或未經取代之伸異噻唑基(isothiazolylene group)、經取代或未經取代之伸苯並咪唑基 (benzoimidazolylene group)、經取代或未經取代之伸異噁唑基(isoxazolylene group)、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基(dibenzothienylene group)、經取代或未經取代之伸二苯並呋喃基(dibenzofuranylene group)、經取代或未經取代之伸三嗪基(triazinylene group)、及經取代或未經取代之伸噁二唑基(oxadiazolylene group)的其中之一，且a、b、與c各獨立地為0至1中之一整數。
於化學式2與化學式3中，當a為0時，-(L1)a-表示一單鍵，當b為0時，-(L2)b-表示一單鍵，而當c為0時，-(L3)c-表示一單鍵。
由化學式2與化學式3表示之化合物具有於-5.2eV至-6.1eV範圍內之最高佔有分子軌域能階及於-2.5eV至-3.2eV範圍內最低未佔有分子軌域之能階。由化學式2表示之化合物包含苯並咪唑基於該化合物之分子結構中，而由化學式3表示之化合物包含吡啶基於該化合物之分子結構中，因此該些化合物具有相對優良之電子移動率。
於電子控制層171或電子控制層271中包含至少一由化學式2或化學式3表示之化合物，於高亮度區域中可加速電子的注入及傳輸，於低亮度區域中可減慢電子之注入及傳輸。
舉例而言，電子控制材料可包含以下化合物1及化合物2中的至少之一：
就此點而言，電子控制層171或電子控制層271可包含以電子控制層171或271之總重為基礎，於重量百分比約30%至約100%之範圍內之含量之化合物1、化合物2或化合物1與化合物2之混合物。
第3圖為根據實施例之具有基板310/第一電極330/電洞注入層383/電洞傳輸層385/發光層360/電子控制層371/電子傳輸層373/電子注入層375/第二電極390結構之有機發光裝置300之剖面示意圖。後文中，根據實施例，將詳細描述有激發光裝置300之結構與製造有激發光裝置300之方法。
基板310可為任何傳統上用於有機發光裝置之基板，可為具良好機械強度、熱穩定度、透明度、表面光滑、易於處理、且具防水性之玻璃基板或透明塑膠基板。
第一電極330可由沉積或濺鍍用以形成第一電極330之材料於基板310上而形成。若第一電極為陽極，用以形成第一電極之材料可為高功函數材料以利於電洞注入。第一電極330可為反射電極或透明電極。例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、二氧化錫(SnO2)及氧化鋅(ZnO)之透明導電材料可作為用以形成第一電極之材料。第一電極330可使用鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、 鈣(Ca)、銀-氧化銦錫(Ag-ITO)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等形成反射電極。第一電極330可具單層或2或以上之層之多層結構。舉例而言，第一電極330可具氧化銦錫/銀/氧化銦錫之三層結構，但不限於此。
有機層350形成於第一電極330上。有機層350可包含電洞注入層383、電洞傳輸層385、緩衝層(圖未示)、發光層360、電子控制層371、電子傳輸層373、以及電子注入層375。
電洞注入層383可藉使用真空沉積、濺射塗布、澆鑄、蘭慕爾-布羅吉(LB)方法等形成於第一電極330上。當電洞注入層383藉使用真空沉積形成時，沉積條件可根據用以形成電洞注入層之材料之化合物及所欲形成之電洞注入層383之結構與溫度特性而改變，然而真空沉積之條件可包含於約100至約500℃範圍內之沉積溫度、於約10-8至約10-3torr範圍內之壓力、及約0.01至約100Å/sec範圍內之沉積速度。當電洞注入層383藉使用濺射塗布形成時，塗布條件可根據用以形成電洞注入層之材料之化合物及所欲形成之電洞注入層383之結構與溫度特性而改變。一般而言，然而，塗布速度可為約2000至約5000rpm且塗布後執行以移除溶劑之熱處理之溫度可為約80至約200℃。
由以下化學式6表示之化合物可作為形成電洞注入層之材料，但不限於此：
於化學式6中，Ar41與Ar42各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30伸芳基及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一，R71與R72各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、聯胺、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基的其中之一。
可使用例如由以上化學式6表示之化合物或由以上化學式6表示之化合物與習知用以形成電洞注入層之材料之混合物作為形成電洞注入層之材料。
由以上化學式6表示之化合物可為以下化合物301至308的其中之一，但不限於此。
習知用以形成電洞注入層材料之範例可為N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間-甲苯-胺基)-苯基]-二苯基-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine,DNTPD)、例如銅酞菁之酞菁化合物、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯二胺(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine,NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid,Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate,PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Polyaniline/Camphor sulfonicacid,Pani/CSA)、或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)PANI/PSS)，但不限於此。
電洞注入層383之厚度可為約100Å至約10000Å之範圍內，例如約100Å至約1000Å。若電洞注入層383之厚度係於上述之範圍內，可得到良好的電洞注入能力而不必顯著地增加驅動電壓。
接著，電洞傳輸層385可藉使用真空沉積、濺射塗布、澆鑄、蘭慕爾-布羅吉(LB)方法等形成於電洞注入層383上。當電洞傳輸層385藉使用真空沉積或濺射塗布形成時，雖然沉積條件或塗布條件可根據用以形成電洞傳輸層之材料之化合物而改變，一般而言沉積條件或塗布條件可與那些用以形成電洞注入層383的相似。
可使用以下化學式5表示之化合物作為用以形成電洞傳輸層之材料，但不限於此：
於化學式5中，R50為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之聯苯基、以及經取代或未經取代之吡啶基的其中之一；L21為經取代或未經取代之C1-C30伸烷基、經取代或未經取代之C2-C30伸烯基、經取代或未經取代之C6-C30伸芳基、以及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一；R51至R67各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代 或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C1-C30烷硫基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基、經取代或未經取代之C2-C30雜芳基及由表示之-N(Q11)(Q12)之基的其中之一；且k為0至3中之一整數。
於-N(Q11)(Q12)中，Q11與Q12各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C1-C30烷氧基、C1-C30烷硫基、C3-C30環烷基、C3-C30環烯基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、C6-C30芳硫基及C2-C30雜芳基的其中之一。
於化學式5中，當k為0時，-(L21)k-表示一單鍵，當k為2或更大時，複數個L21可為彼此相同或不同。
可使用例如由以上化學式5表示之化合物或由以上化學式5表示之化合物與習知用以形成電洞傳輸層之材料之混合物作為形成電洞傳輸層之材料。
由以上化學式5表示之化合物可為以下化合物309至320的其中之一，但不限於此：
習知用以形成電洞傳輸層材料之範例可為例如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)等咔唑衍生物、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-二苯基]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、4,4',4"- 三(N-咔唑基)三苯胺(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯二胺(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine,NPB)等，但不限於此。電洞傳輸層385之厚度可為約50Å至約2000Å之範圍內，例如約100Å至約1500Å。若電洞傳輸層385之厚度係於上述之範圍內，可得到良好的電洞傳輸能力而不必顯著地增加驅動電壓。
於第一電極330上，可形成電洞注入層383與電洞傳輸層385的其中之一，而可省略另一，或電洞注入層383與電洞傳輸層385中的至少之一可以多層之形式形成。或者，具電洞注入與電洞傳輸能力之功能層(圖未示)可設置於第一電極330上，而非電洞注入層與電洞傳輸層。具電洞注入與電洞傳輸能力之功能層可以由化學式5表示之化合物、由化學式5表示之化合物與用以形成電洞傳輸層之材料之混合物、由化學式6表示之化合物及由化學式6表示之化合物與用以形成電洞注入層之材料之混合物的至少之一而形成。同時，該功能層之厚度可為約100Å至約10000Å，舉例而言，約500Å至約1000Å。當功能層之厚度係於上述之範圍內時，可得到良好的電洞注入及傳輸能力而不必顯著地增加驅動電壓。
發光層360可藉使用真空沉積、濺射塗布、澆鑄、蘭慕爾-布羅吉(LB)方法等形成於電洞傳輸層385或具電洞注入與電洞傳輸能力之功能層(圖未示)上。當發光層360藉使用真空沉積或濺射塗布形成時，雖然沉積條件或塗布條件可根據用以形成發光層360之材料之化合物而改變，一般而言，沉積條件或塗布條件可與那些用以形成電洞注入層383的相似。
具有電洞傳輸單元與電子傳輸層之二極性化合物可作為發光層360之主體材料。電洞傳輸單元係指包含具良好電洞傳輸能力之官能基之單元， 其可為例如包含茀衍生物之單元、包含咔唑衍生物之單元、包含二苯並噻吩衍生物之單元、或包含二苯並呋喃衍生物之單元。電子傳輸單元係指包含具良好電子傳輸能力之官能基之單元，其可為例如包含吡啶衍生物之單元、包含嘧啶衍生物之單元、或包含三嗪衍生物之單元。若具有電洞傳輸單元與電子傳輸層之二極性化合物用作為主體材料，當於低亮度區域之主體材料中之電子與電洞因電子控制層371而不平衡時，將可很好的產生發光效率之減低。
或者，具有電洞傳輸單元與電子傳輸單元之雙極性化合物作為發光層360之與具至少一電洞傳輸單元之化合物之混合物可作為主體材料。若具至少一電洞傳輸單元之化合物進一步加入雙極性化合物作為主體材料，當於低亮度區域之電子與電洞因為主體材料之電洞特性進一步增加而更加的不平衡時，可更進一步產生發光效率之減少。雙極性化合物與具至少一電洞傳輸單元之化合物之混合比例可為約1：1至約1：9。若雙極性化合物與具至少一電洞傳輸單元之化合物之混合比例於以上範圍中，主體材料中電子與電洞之失調可進一步增加。
舉例而言，主體材料可為以下化合物501至509的其中之一：
發光層360可圖樣化為紅色發光層、綠色發光層或藍色發光層。紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層中的至少之一可包含以下摻質(ppy=苯基吡啶(phenylpyridine))。
舉例而言，以下化合物可用作為藍色摻質，但不限於此：
舉例而言，以下化合物可用作為紅色摻質，但不限於此：
舉例而言，以下化合物可用作為綠色摻質，但不限於此：
舉例而言，包含於發光層360之摻質可為以下錯合物，但不限於此：
另外，包含於發光層360中之摻質可為以下鋨-錯合物的其中之一，但不限於此：
若發光層360包含主體材料與摻質材料，摻質材料之含量可以主體材料為100重量份為基礎，為約0.01至25重量份之範圍內，但不限於此。
發光層之厚度可為約100Å至約1000Å之範圍內，例如約200Å至約600Å。舉例而言，若發光層360之厚度係於以上範圍內，可得到良好的發光能力而不必顯著地增加驅動電壓。
接著，電子控制層371可藉使用真空沉積、濺射塗布、澆鑄等形成於發光層360上。當電子控制層371藉使用真空沉積或濺射塗布形成時，雖然沉積條件或塗布條件可根據用以形成電子控制層371之材料之化合物而改變，一般而言沉積條件或塗布條件可與那些用以形成電洞注入層383的相似。滿足上述分子軌域能階之電子控制材料可作為形成電子控制層371之材料。電子控制層371之厚度可為約50Å至約450Å之範圍內，且電子傳輸層373與電子控制層371之厚度比可選自5：1至5：10之範圍內。
電子傳輸層373係藉使用真空沉積、濺射塗布、澆鑄等形成於電子控制層371上。當電子傳輸層373藉使用真空沉積或濺射塗布形成時，雖然沉積條件或塗布條件可根據用以形成電子傳輸層373之材料之化合物而改變，一般而言沉積條件或塗布條件可與那些用以形成電洞注入層383的相似。由以下化學式4表示之用以穩定傳輸自電子注入電極注入之電子之化合物可用作為形成電子傳輸層之材料，但不限於此：
於化學式4中，R31至R42各獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之芘基，Ar11與Ar12各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之並環戊二烯基、經取代或未經取代之茚基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之薁基、經取代或未經取代之並環庚三烯基、經取代或未經取代之二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之苊基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之螺茀基、經取代或未經取代之丙烯合萘基、經 取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基、經取代或未經取代之聯三伸苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基、經取代或未經取代之稠四苯基、經取代或未經取代之苉基、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之五苯基、經取代或未經取代之稠六苯基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之聯吡啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之噠嗪基、經取代或未經取代之異吲哚基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之吲唑基、經取代或未經取代之嘌呤基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之苯並喹啉基、經取代或未經取代之呔嗪基、經取代或未經取代之萘啶基、經取代或未經取代之基、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之噌啉基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之啡啶基、經取代或未經取代之吖啶基、經取代或未經取代之啡啉基、經取代或未經取代之啡嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之苯並咪唑基、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之苯並呋喃基、經取代或未經取代之噻吩基、經取代或未經取代之苯並噻吩基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之異噻唑基、經取代或未經取代之苯並噻唑基、經取代或未經取代之異噁唑基、經取代或未經取代之噁唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之四唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之二苯並呋喃基、經取代或未經取代之二苯並噻吩基及經取代或未經取代之苯並咔唑基，L11、L12、與L13各獨立地為經取代或未經取代之伸 苯基、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基、經取代或未經取代之伸茚基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸薁基、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之伸苊基、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸丙烯合萘基、經取代或未經取代之伸菲基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之伸丙二烯合茀基、經取代或未經取代之伸聯三伸苯基、經取代或未經取代之伸芘基、經取代或未經取代之伸蒯基、經取代或未經取代之伸稠四苯基、經取代或未經取代之伸苉基、經取代或未經取代之伸苝基、經取代或未經取代之伸五苯基、經取代或未經取代之之伸稠六苯基、經取代或未經取代之伸吡咯基、經取代或未經取代之伸吡唑基、經取代或未經取代之伸咪唑基、經取代或未經取代之伸咪唑啉基、經取代或未經取代之伸咪唑吡啶基、經取代或未經取代之伸咪唑嘧啶基、經取代或未經取代之伸吡啶基、經取代或未經取代之伸吡嗪基、經取代或未經取代之伸嘧啶基、經取代或未經取代之伸吲｜哚基、經取代或未經取代之伸嘌呤基、經取代或未經取代之伸喹啉基、經取代或未經取代之伸呔嗪基、經取代或未經取代之伸吲哚嗪基、經取代或未經取代之伸萘啶基、經取代或未經取代之伸喹唑啉基、經取代或未經取代之伸噌啉基、經取代或未經取代之伸吲唑基、經取代或未經取代之伸咔唑基、經取代或未經取代之伸啡嗪基、經取代或未經取代之伸啡啶基、經取代或未經取代之伸吡喃、經取代或未經取代之伸色烯基、經取代或未經取代之伸呋喃基、經取代或未經取代之伸苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸噻吩基、經取代或未經取代之伸苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸異噻唑基、經取代或未經取代之伸苯並咪唑基、經取代或未經取代之伸異噁唑基、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基、經取代或未經 取代之伸二苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸三嗪基、及經取代或未經取代之伸噁二唑基的其中之一，且p、q、與r各獨立地為0至1中之一整數。
於化學式4中，當p、q、與r各獨立地為0時，-(L11)p-、-(L12)q-、與-(L13)r-各獨立地表示一單鍵。
舉例而言，由以上化學式4表示之化合物或由以上化學式4表示之化合物與習知用以形成電子傳輸層之材料之混合物作為形成電子傳輸層之材料。
由以上化學式4表示之化合物可為以下化合物201，但不限於此：
習之用於電子傳輸層之材料之範例可為例如喹啉衍生物之材料，特別係三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum,Alq3)、TAZ、BAlq、雙(10-羥基苯並喹啉)鈹(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate,Bebq2)、或ADN，但不限於此。
於一些實施例中，電子傳輸層373之厚度可為約50Å至約1000Å之範圍內，例如約100Å至約500Å。若電子傳輸層373之厚度係於上述之範圍內，可得到良好的電子傳輸能力而不必顯著地增加驅動電壓。
電子傳輸層373可更進一步包括含金屬化合物與由以上化學式4表示之化合物。
含金屬化合物可為鋰-錯合物。鋰-錯合物可為，例如8-羥基喹啉鋁、以下化合物101、或其相似化合物：
電子傳輸層373可更進一步包含選自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲(1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)、四氰基二甲基苯醌(tetracyanoquinodimethane)、蒽醌(anthraquinone)、苝醯亞胺(perylenebisimide)及四氰基二甲基蒽醌(tetracyanoanthraquinodimethane)與由化學式4表示之化合物的至少之一。
電子傳輸層373可更進一步包含選自至少一選自鋰(Li)、銫(Cs)、鈉(Na)、鉀(K)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、(Ba)及鐳(Ra)之金屬；金屬碳酸鹽(metal carbonate)；金屬醋酸鹽(metal acetate)；金屬苯甲酸鹽(metal benzoate)；金屬乙醯乙酸鹽(metal acetoacetate)；金屬乙酸丙酮(metal acetylacetonate)；金屬硬脂酸鹽(metal stearate)及由化學式4表示之化合物的至少之一。
若電子傳輸層373包含上述之材料與由化學式4表示之化合物，可改良電子注入與電子傳輸能力。
用以加速來自陰極之電子注入之電子注入層375可設置於電子傳輸層373，且電子注入層375之材料無特別限定。
用以形成電子注入層之材料可為習知材料，如氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)等。雖然沉積條件或塗布條件可根據用以形成電子注入層375之化合物而改變，一般而言沉積條件或塗布條件可與那些用以形成電洞注入層383的相似。
電子注入層375之厚度可為約1Å至約100Å之範圍內，例如約3Å至約90Å。若電子注入層375之厚度係於上述之範圍內，可得到良好的電子注入能力而不必顯著地增加驅動電壓。
第二電極390設置於有機層350上。第二電極390可為電子注入電極之陰極，且用以形成第二電極390之材料可為具低功函數之金屬、合金、導電化合物或其混合物。詳細舉例，以鋰、鎂、鋁、鋁-鋰、鈣、鎂-銦或鎂-銀形成為薄膜以獲得透明電極。同時，各種修改，例如為了得到頂發光裝置可能使用氧化銦錫或氧化銦鋅形成透明電極。
具有此組成之有機發光裝置300因為自電子傳輸層注入至發光層之電子流因為電子控制層371之影響而被控制，而於高亮度區域具有良好發光效率，於低亮度區域具有低發光效率。
第4圖為根據實施例具有基板410/第一電極430/電洞注入層483/電洞傳輸層485/電子阻擋層481/發光層460/電子控制層471/電子傳輸層473/電子注入層475/第二電極490結構之有機發光裝置400之剖面示意圖。
基板410、第一電極430、電洞注入層483、電洞傳輸層485、發光層460、電子控制層471、電子傳輸層473、電子注入層475及第二電極490之詳細描述可參照關於第3圖之描述。
電子阻擋層481可設置於電洞注入層483、電洞傳輸層485及具電洞傳輸能力與電洞注入能力之功能層(圖未示)的至少之一與發光層460間。電子阻擋層481可用以防止於發光層460中未與電洞結合之電子往第一電極430之方向移動。電子阻擋層481可使用電子阻擋材料形成，且電子阻擋材料可為，例如三苯胺衍生物、咔唑衍生物、或螺二茀衍生物的至少之一。
於一些實施例中，電子阻擋層481的厚度為約10Å至約1000Å之範圍內，例如約50Å至約800Å。若電子阻擋層481之厚度係於上述之範圍內，可得到良好的電子阻擋能力而不必顯著地增加驅動電壓。
具有此組成之有機發光裝置400因為自電子傳輸層473注入至發光層460之電子流因為電子控制層471與電子阻擋層481之影響而被控制，而於高亮度區域具有良好發光效率，於低亮度區域具有低發光效率。
第5圖係為描繪顯示於第3圖之有機發光裝置300中之每一層之最高佔有分子軌域之能階與最低未佔有分子軌域之能階之示意圖。
包含電子控制材料之電子控制層371之最高佔有分子軌域之能階低於包含主體材料之發光層360之最高佔有分子軌域之能階，且其間之差值約為0.3eV或更小。另外，發光層360之最低未佔有分子軌域之能階低於電子控制層371之最低未佔有分子軌域之能階，且其間之差值約為0.5eV或更小。
因為此關係，裝置之發光於高亮度區域，藉由電子控制層371阻擋來自發光層360穿過電子控制層371之電洞而增強，而裝置之發光於低亮度區域，藉由電子控制層371促進來自發光層360穿過電子控制層371之電洞移動至電子傳輸層373而減少。
第6圖描繪顯示於第4圖之有機發光裝置400中之每一層之最高佔有分子軌域之能階與最低未佔有分子軌域之能階之示意圖。
包含電子控制材料之電子控制層471之最高佔有分子軌域之能階低於包含主體材料之發光層460之最高佔有分子軌域之能階，且其間之差值約為0.3eV或更小。另外，發光層460之最低未佔有分子軌域之能階低於電子控制層471之最低未佔有分子軌域之能階，且其間之差值約為0.5eV或更小。
於一些實施例中，包含電子阻擋材料之電子阻擋層481設置於發光層460與第一電極430間，且於此範例中接近發光層460。電子阻擋層481之最低未佔有分子軌域之能階高於發光層460之最低未佔有分子軌域之能階。
因為此關係，裝置於高亮度區域之發光係藉由電子控制層471阻擋來自發光層460穿過電子控制層471之電洞且電子阻擋層481阻擋於發光層460之未與電洞結合之電子往第一電極430之方向移動而增強，且裝置於低亮度區域之發光係藉由電子控制層471促進來自發光層460穿過電子控制層471之電洞移動至電子傳輸層473而減少。
根據另一實施例之有機發光顯示設備包含，包含源極、汲極、閘極及主動層之電晶體及上述之有機發光裝置，且有機發光裝置之第一電極電性連結至源極或汲極。
電晶體之主動層可為非晶矽、結晶矽、有機半導體層或氧化半導體層。
此種有機發光裝置當於黑色狀態中時抑制紅光與綠光之發射，而可改良比照亮度發光效率特性。
此處所使用之未經取代之C1-C30烷基(或C1-C30烷基)之實例可包括具1至30個碳原子之線形或分支烷基，如甲基、乙基、丙基、異丁基、第二丁基、戊基、異戊基、或己基，而經取代之C1-C30烷基係指未經取代之C1-C30烷基其中至少一個氫經氘、鹵素原子、羥基、硝基、氰基、胺基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C6-C30芳基、C2-C30雜芳基、N(Q101)(Q102)、及-Si(Q103)(Q104)(Q105)(Q106)取代之基(其中Q101至Q106可分別獨立地選自由氫、C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C6-C30芳基及C2-C30雜芳基所組成之群組)。
此處所使用之未經取代之C1-C30烷氧基(或C1-C30烷氧基)可具有由-OA表示之化學式，就此點而言，A為如上定義之未經取代之C1-C30烷基。未經 取代之C1-C30烷氧基之實例可包括甲氧基、乙氧基、或異丙氧基。經取代之C1-C30烷氧基係指C1-C30烷氧基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C2-C30烯基(或C2-C30烯基)指具有一或多個碳-碳雙鍵在未經取代之C2-C30烷基之中央或終端之未經取代之C2-C30烯基。未經取代之C2-C30烯基之實例可包括乙烯基、丙烯基或丁烯基。經取代之C2-C30烯基係指C2-C30烯基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C2-C30炔基(或C2-C30炔基)指具有一或多個碳-碳參鍵在未經取代之C2-C30烷基之中央或終端之未經取代之C2-C30炔基。經取代之C2-C30炔基係指C2-C30炔基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C6-C30芳基指具有碳原子數量為6至30之碳環芳族系統之單價基，且未經取代之C6-C30伸芳基指具有碳原子數量為6至30之芳族碳環系統之二價基。若未經取代之C6-C30芳基及未經取代之C6-C30伸芳基包含兩個或以上的環，則該些環可彼此融合。經取代之C6-C30芳基係指C6-C30芳基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代，而經取代之C6-C30伸芳基係指C6-C30伸芳基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C2-C30雜芳基指具有含有至少一或多個選自由N、O、P與S所組成的群組之雜原子而其他環原子為碳之碳環芳族系統之單價基。未經取代之C2-C30伸雜芳基指具有有至少一或多個選自由N、O、P、與 S所組成的群組之雜原子而其他環原子為碳之碳環芳族系統之二價基。就此點而言，若C2-C30雜芳基及C2-C30伸雜芳基包含兩個或以上的環，則該些環可彼此融合。經取代之C2-C30雜芳基係指C2-C30雜芳基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代，而經取代之C2-C30伸雜芳基係指C2-C30伸雜芳基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C6-C30芳氧基指-OA2(於此，A2為上述經取代或未經取代之C6-C30芳基)，經取代之C6-C30芳氧基係指C6-C30芳氧基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
此處所使用之未經取代之C6-C30芳硫基指-SA3(於此，A3為上述經取代或未經取代之C6-C30芳基)，經取代之C6-C30芳硫基係指C6-C30芳硫基其中至少一個氫原子經任一出現於以上所描述之經取代之C1-C30烷基範例中之取代基取代。
下文中，根據一實施例之有機發光裝置將藉參照範例而詳細描述。然而，本實施例不限於以下範例。
範例1
使用由Corning Co.,Ltd製造之玻璃之三星行動顯示器(SMD)之氧化銦錫(7nm)/銀(100nm)/氧化銦錫(7nm)基板作為陽極，將其裁至50mm×50mm×0.7mm之尺寸，在異丙醇及純水中分別以超音波清洗30分鐘，暴露至紫外線及臭氧10分鐘，然後將成果安裝於真空沉積裝置中。
化合物301真空沉積於玻璃基板以形成具750Å厚度之電洞注入層，然後化合物311真空沉積於電洞注入層上以形成具1300Å厚度之電洞傳輸層。
作為主體之化合物507與作為磷光摻質之化合物401以重量比例98：2共沉積於電洞傳輸層上以形成具400Å厚度之紅色發光層。
既而，化合物1真空沉積於發光層上以形成具50Å厚度之電子控制層。
化合物201(與化合物1相同)與8-羥基喹啉鋰以重量比例1：1真空共沉積於電子控制層上以形成具100Å厚度之電子傳輸層。
8-羥基喹啉鋰真空沉積於電子傳輸層上以形成具5Å厚度之電子注入層，接著鎂及銀以重量比例10：1真空沉積於電子注入層上以形成具130Å厚度之陰極，從而製造有機發光裝置。
範例2
除了形成之電子控制層具有100Å而非50Å之厚度外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
範例3
除了形成之電子控制層具有200Å而非50Å之厚度外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
範例4
除了形成之電子控制層具有450Å而非50Å之厚度外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
範例5
除了使用以下化合物701真空沉積於電洞傳輸層與發光層間以形成具300Å厚度之電子阻擋層，且形成之電子控制層具有100Å而非50Å之厚度外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
範例6
除了使用化合物701真空沉積於電洞傳輸層與發光層間以形成具300Å厚度之電子阻擋層，且形成之電子控制層具有200Å而非50Å之厚度外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例1
除了不形成電子控制層外，以與範例1相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例2
除了不形成電子控制層外，以與範例5相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例3
除了使用以下化合物601形成具200Å厚度之層而非真空沉積化合物1以形成具200Å厚度之電子控制層外，以與範例3相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例4
除了使用化合物601形成具450Å厚度之層而非真空沉積化合物1以形成具450Å厚度之電子控制層外，以與範例4相同之方式製造之有機發光裝置。
範例7
使用由Corning Co.,Ltd製造之玻璃之三星行動顯示器(SMD)之氧化銦錫(7nm)/銀(100nm)/氧化銦錫(7nm)基板作為陽極，將其裁至50mm×50mm×0.7mm之尺寸，在異丙醇及純水中分別以超音波清洗30分鐘，暴露至紫外線及臭氧10分鐘，然後將成果安裝於真空沉積裝置中。
化合物301真空沉積於玻璃基板以形成具750Å厚度之電洞注入層，然後化合物311真空沉積於電洞注入層上以形成具1300Å厚度之電洞傳輸層。
化合物701沉積於電洞傳輸層上以形成具300Å厚度之電子阻擋層。
作為主體之化合物508與作為磷光摻質之化合物402以重量比例95：5共沉積於電洞傳輸層上以形成具400Å厚度之綠色發光層。
既而，化合物1真空沉積於發光層上以形成具50Å厚度之電子控制層。
化合物201(與化合物1相同)與8-羥基喹啉鋰以重量比例1：1真空共沉積於電子控制層上以形成具100Å厚度之電子傳輸層。
8-羥基喹啉鋰真空沉積於電子傳輸層上以形成具5Å厚度之電子注入層，然後鎂及銀以重量比例10：1真空沉積於電子注入層上以形成具130Å厚度之陰極，從而製造有機發光裝置。
範例8
除了形成之電子控制層具有100Å而非50Å之厚度外，以與範例7相同之方式製造之有機發光裝置。
範例9
除了形成之電子控制層具有200Å而非50Å之厚度外，以與範例7相同之方式製造之有機發光裝置。
範例10
除了不形成電子阻擋層且形成之電子控制層具有200Å而非50Å之厚度外，以與範例7相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例5
除了不形成電子控制層外，以與範例10相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例6
除了不形成電子控制層外，以與範例7相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例7
除了使用化合物601形成具200Å厚度之層而非真空沉積化合物1以形成具200Å厚度之電子控制層外，以與範例9相同之方式製造之有機發光裝置。
範例11
使用由Corning Co.,Ltd製造之玻璃之三星行動顯示器(SMD)之氧化銦錫(7nm)/銀(100nm)/氧化銦錫(7nm)基板作為陽極，將其裁至50mm×50mm×0.7mm之尺寸，在異丙醇及純水中分別以超音波清洗30分鐘，暴露至紫外線及臭氧10分鐘，然後將成果安裝於真空沉積裝置中。
化合物301真空沉積於玻璃基板以形成具750Å厚度之電洞注入層，然後化合物311真空沉積於電洞注入層上以形成具1300Å厚度之電洞傳輸層。
作為主體之重量比例2：8之化合物504與化合物509之混合物與作為磷光摻質之化合物402以重量比例85：15共沉積於電洞傳輸層上以形成具400Å厚度之綠色發光層。
既而，化合物1真空沉積於發光層上以形成具50Å厚度之電子控制層。
化合物201(與化合物1相同)與8-羥基喹啉鋰以重量比例1：1真空共沉積於電子控制層上以形成具100Å厚度之電子傳輸層。
8-羥基喹啉鋰真空沉積於電子傳輸層上以形成具5Å厚度之電子注入層，然後鎂及銀以重量比例10：1真空沉積於電子注入層上以形成具130Å厚度之陰極，從而製造有機發光裝置。
範例12
除了形成之電子控制層具有100Å而非50Å之厚度外，以與範例11相同之方式製造之有機發光裝置。
範例13
除了形成之電子控制層具有200Å而非50Å之厚度外，以與範例11相同之方式製造之有機發光裝置。
範例14
除了真空沉積化合物701於電洞傳輸層與發光層間以形成具300Å厚度之電子阻擋層且形成之電子控制層具有100Å而非50Å之厚度外，以與範例11相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例8
除了不形成電子控制層外，以與範例11相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例9
除了不形成電子控制層外，以與範例14相同之方式製造之有機發光裝置。
比較範例10
除了使用化合物601形成具200Å厚度之層而非真空沉積化合物1以形成具200Å厚度之電子控制層外，以與範例13相同之方式製造之有機發光裝置。
以上範例條件整合並顯示於下表1。
評估範例
當於0.1cd/m2至10,000cd/m2之範圍內改變亮度時，測量根據範例1至6及比較範例1至4製造之有機發光裝置之紅色發光效率。其結果顯示於第7圖，而標準化之結果顯示於第8圖。
參照第7圖，於低亮度中，範例1至6中製造之有機發光裝置普遍地顯示較比較範例1至4低之發光效率。
參照第7圖中圖表之標準化圖表第8圖，於約100cd/m2或更高之高亮度區域中，範例1至6中製造之有機發光裝置與比較範例1至4中製造之有機發光裝置顯示相似程度之發光效率。然而，於約1cd/m2左右之低亮度區域中，範例1至6中製造之有機發光裝置與比較範例1至4中製造之有機發光裝置相比顯示非常低之發光效率。圖表中之箭頭表示發光效率之減少。
計算S-比率(S-ratios)，且顯示結果於表2以證實範例1至6與比較範例1至4中製造之有機發光裝置改良比照亮度發光效率特性之程度。
S-比率定義為於1000cd/m2之電流效率值除於1cd/m2之電流效率值。當S-比率增加時，亮度對效率圖表之形狀接近S，其表示有機發光裝置具有相當大之傾向於高亮度區域具高發光效率且於低亮度區域具低發光效率。
參照表2，不像範例1至6中製造之有機發光裝置之S-比率皆大於1並於範例6幾乎接近2，比較範例1至4中製造之有機發光裝置之S-比率為1或更小。亦即，範例1至6中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀較範例1至4中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀接近S。
就此點而言，其可證實範例1至6中製造之有機發光裝置具有改良之比照亮度發光效率特性，當有機發光裝置於高亮度區域時展現高紅光發光效率且於低亮度區域時展現低紅光發光效率。
當於0.1cd/m2至10,000cd/m2之範圍內改變亮度時，測量根據範例7至10及比較範例5至7製造之有機發光裝置之綠色發光效率。其結果顯示於第9圖，而標準化之結果顯示於第10圖。
參照第9圖，於低亮度中，範例8至10中製造之有機發光裝置普遍地顯示較比較範例5至7低之發光效率。範例7中製造之有機發光裝置顯示與比較範例5至7相似程度之發光效率。
參照第9圖中圖表之標準化圖表第10圖，於約100cd/m2或更高之高亮度區域中，範例7至10中製造之有機發光裝置與比較範例5至7中製造之有機發光裝置顯示相似程度之發光效率。然而，於約1cd/m2左右之低亮度區域中，範例7至10中製造之有機發光裝置與比較範例5至7中製造之有機發光裝置相比顯示非常低之發光效率。圖表中之箭頭表示發光效率之減少。
計算S-比率，且顯示結果於表3以證實範例7至10與比較範例5至7中製造之有機發光裝置改良比照亮度發光效率特性之程度。
參照表3，不像範例7至10中製造之有機發光裝置之S-比率皆大於1並於範例9中為1.7或更大，比較範例5至7中製造之有機發光裝置之S-比率為1或更小。亦即，範例7至10中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀較範例5至7中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀接近S。
就此點而言，其可證實範例7至10中製造之有機發光裝置具有改良之比照亮度之發光效率特性，當有機發光裝置於高亮度區域時展現高綠光發光效率且於低亮度區域時展現低綠光發光效率。
當於0.1cd/m2至10,000cd/m2之範圍內改變亮度時，測量根據範例11至14及比較範例8至10製造之有機發光裝置之綠色發光效率。其結果顯示於第11圖，而標準化之結果顯示於第12圖。
參照第11圖，於低亮度中，範例11至14中製造之有機發光裝置普遍地顯示較比較範例8至10低之發光效率。
參照第11圖中圖表之標準化圖表第12圖，於約100cd/m2或更高之高亮度區域中，範例11至14中製造之有機發光裝置與比較範例8至10中製造之有機發光裝置顯示相似程度之發光效率。然而，於約1cd/m2左右之低亮度區域中，範例11至14中製造之有機發光裝置與比較範例8至10中製造之有機發光裝置相比顯示非常低之發光效率。圖表中之箭頭表示發光效率之減少。
計算S-比率，且顯示結果於表4以證實範例11至14與比較範例8至10中製造之有機發光裝置改良比照亮度發光效率特性之程度。
參照表4，不像範例11至14中製造之有機發光裝置之S-比率皆大於1，於範例12及範例13中為3或更大，且特別係於範例14中為5或更大。然而比較範例8至10中製造之有機發光裝置之S-比率為1或更小。即範例11至14中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀較範例8至10中製造之有機發光裝置之亮度對效率圖表之形狀接近S。
於範例11至14中之情形下製造之有機發光裝置具有明顯較其他範例大S-比率值。其被認為係因為使用了具電洞傳輸單元與電子傳輸單元之雙極性化合物之化合物504與具電洞傳輸單元之化合物之化合物509之混合物做為主體材料。
就此點而言，其可證實範例11至14中製造之有機發光裝置具有改良之比照亮度之發光效率特性，當有機發光裝置於高亮度區域時展現高綠光發光效率且於低亮度區域時展現低綠光發光效率。全彩有機發光顯示設備包含於高亮度區域具高發光效率，並於黑色狀態下紅光與綠光之發射被抑制之良好發光特性之紅色發光裝置、綠色發光裝置與藍色發光裝置。
如上所述，當有機發光裝置包含電子控制層並控制注入至發光層之電子流時，根據一實施例之有機發光裝置藉具有於高亮度區域具高發光效率且於低亮度區域具低發光效率而具有改良之比照亮度發光特性。
當有機發光裝置包含電子控制層與電子阻擋層並控制注入至發光層之電子流時，根據另一實施例之有機發光裝置藉具有於高亮度區域具高發光效率且於低亮度區域具低發光效率而具有改良之比照亮度發光特性。
根據另一實施例之有機發光顯示設備藉包含該有機發光裝置並抑制黑色狀態中之紅光與綠光之發射而具有改良之比照亮度發光效率特性。
雖然此些實施例藉參照其例示實施例而具體顯示與描述，將為習知技藝者所理解的是，於其中所為之形式與細節上之各種改變皆不脫離藉以下申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。

Claims (31)

  1. 一種有機發光裝置(OLED)，其包含：一第一電極；一第二電極，面對該第一電極；一磷光發光層，設置於該第一電極與該第二電極間；一電子傳輸層，設置於該磷光發光層與該第二電極間；以及一電子控制層，設置於該磷光發光層與該電子傳輸層間，其中該磷光發光層包含一主體材料及一摻質材料，且該電子控制層包含一電子控制材料，其中該主體材料之最高佔有分子軌域之能階(EHH)、該主體材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELH)、該電子控制材料之最高佔有分子軌域(HOMO)之能階(EHC)、及該電子控制材料之最低未佔有分子軌域(LUMO)之能階(ELC)滿足｜EHH-EHC｜=0.1eV與｜ELH-ELC｜=0.2eV之關係，其中該電子控制層之厚度為約50Å至約450Å，且其中EHH係為-5.7eV，以及其中該主體材料包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料之電子移動率大於或等於該電子控制材料之電洞移動率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中EHC係為約-5.2eV至約-6.1eV。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中ELC係為約 -2.5eV至約-3.2eV。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料之含量係以該電子控制層之總重為基礎，為約30%至約100%之重量百分比。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層與該電子控制層之厚度比例係為約5：1至約5：10。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料包含由以下化學式1表示之一化合物： 其中R1至R7各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基及經取代或未經取代之C6-C30芳基的其中之一，Ar1、Ar2、與Ar3各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基、經取代或未經取代之C2-C30雜芳基及由-N(Q1)(Q2)代表之基的其中之一，其中Ar1、Ar2、與Ar3中 的至少之一為經取代或未經取代之C2-C30雜芳基，其中Q1與Q2各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基及經取代或未經取代之C2-C30雜芳基的其中之一，L1、L2、與L3各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30伸芳基及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一，且a、b、與c各獨立地為1至3中之一整數。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料包含至少一由以下化學式2及化學式3表示之化合物： 化學式3 其中在化學式2及3中，R1至R12及R21至R28各獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基及經取代或未經取代之芘基的其中之一，Ar1、Ar2、及Ar3各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之並環戊二烯基、經取代或未經取代之茚基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之薁基、經取代或未經取代之並環庚三烯基、經取代或未經取代之二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之苊基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之螺茀基、經取代或未經取代之丙烯合萘基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基、經取代或未經取代之聯三伸苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基、經取代或未經取代之稠四苯基、經取代或未 經取代之苉基、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之五苯基、經取代或未經取代之稠六苯基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之聯吡啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之噠嗪基、經取代或未經取代之異吲哚基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之吲唑基、經取代或未經取代之嘌呤基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之苯並喹啉基、經取代或未經取代之呔嗪基、經取代或未經取代之萘啶基、經取代或未經取代之苯並吡嗪基、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之噌啉基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之啡啶基、經取代或未經取代之吖啶基、經取代或未經取代之啡啉基、經取代或未經取代之啡嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之苯並咪唑基、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之苯並呋喃基、經取代或未經取代之噻吩基、經取代或未經取代之苯並噻吩基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之異噻唑基、經取代或未經取代之苯並噻唑基、經取代或未經取代之異噁唑基、經取代或未經取代之噁唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之四唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之二苯並呋喃基、經取代或未經取代之二苯並噻吩基、及經取代或未經取代之苯並咔唑基的其中之一， L1、L2、與L3各獨立地為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基、經取代或未經取代之伸茚基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸薁基、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之伸苊基、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸丙烯合萘基、經取代或未經取代之伸菲基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之伸丙二烯合茀基、經取代或未經取代之伸聯三伸苯基、經取代或未經取代之伸芘基、經取代或未經取代之伸蒯基、經取代或未經取代之伸稠四苯基、經取代或未經取代之伸苉基、經取代或未經取代之伸苝基、經取代或未經取代之伸五苯基、經取代或未經取代之伸稠六苯基、經取代或未經取代之伸吡咯基、經取代或未經取代之伸吡唑基、經取代或未經取代之伸咪唑基、經取代或未經取代之伸咪唑啉基、經取代或未經取代之伸咪唑吡啶基、經取代或未經取代之伸咪唑嘧啶基、經取代或未經取代之伸吡啶基、經取代或未經取代之伸吡嗪基、經取代或未經取代之伸嘧啶基、經取代或未經取代之伸吲哚基、經取代或未經取代之伸嘌呤基、經取代或未經取代之伸喹啉基、經取代或未經取代之伸呔嗪基、經取代或未經取代之伸吲哚嗪基、經取代或未經取代之伸萘啶基、經取代或未經取代之伸喹唑啉基、經取代或未經取代之伸噌啉基、經取代或未經取代之伸吲唑基、經取代或未經取代之伸咔唑基、經取代或未經取代之伸啡嗪基、經取代或未經取代之伸啡啶基、經取代或未經取代之伸吡喃、經取代或未經取代伸色烯基、經取代或未經取代之伸呋喃基、 經取代或未經取代之伸苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸噻吩基、經取代或未經取代之伸苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸異噻唑基、經取代或未經取代之伸苯並咪唑基、經取代或未經取代之伸異噁唑基、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸二苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸三嗪基、及經取代或未經取代之伸噁二唑基的其中之一，且a、b、與c各獨立地為0至1中之一整數。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料包含以下化合物1及化合物2之至少其一：
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該主體材料包含具有至少一電洞傳輸單元之一化合物。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該主體材料包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物與具有至少一電洞傳輸單元之一化合物之混合物。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該磷光發光層放出紅光或綠光。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層包含由以下化學式4表示之化合物： 其中R31至R42各獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之甲基、經取代或未經取代之乙基、經取代或未經取代之丙基、經取代或未經取代之丁基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基及經取代或未經取代之芘基的其中之一，Ar11及Ar12各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之並環戊二烯基、經取代或未經取代之茚基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之薁基、經取代或未經取代之並環庚三烯基、經取代或未經取代之二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之苊基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之螺茀基、經取代或未經取代之丙烯合萘基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基、經取代或未經取代之聯三伸苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基、經取代或未經取代之稠四苯基、經取代或未經取 代之苉基、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之五苯基、經取代或未經取代之稠六苯基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之聯吡啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之噠嗪基、經取代或未經取代之異吲哚基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之吲唑基、經取代或未經取代之嘌呤基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之苯並喹啉基、經取代或未經取代之呔嗪基、經取代或未經取代之萘啶基、經取代或未經取代之苯並吡嗪基、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之噌啉基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之啡啶基、經取代或未經取代之吖啶基、經取代或未經取代之啡啉基、經取代或未經取代之啡嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之苯並咪唑基、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之苯並呋喃基、經取代或未經取代之噻吩基、經取代或未經取代之苯並噻吩基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之異噻唑基、經取代或未經取代之苯並噻唑基、經取代或未經取代之異噁唑基、經取代或未經取代之噁唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之四唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之苯並噁唑基、經取代或未經取代之二苯並呋喃基、經取代或未經取代之二苯並噻吩基、及經取代或未經取代之苯並咔唑基的其中之一， L11、L12與L13各獨立地為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基、經取代或未經取代之伸茚基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸薁基、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之伸苊基、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸丙烯合萘基、經取代或未經取代之伸菲基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之伸丙二烯合茀基、經取代或未經取代之伸聯三伸苯基、經取代或未經取代之伸芘基、經取代或未經取代之伸蒯基、經取代或未經取代之伸稠四苯基、經取代或未經取代之伸苉基、經取代或未經取代之伸苝基、經取代或未經取代之伸五苯基、經取代或未經取代之伸稠六苯基、經取代或未經取代之伸吡咯基、經取代或未經取代之伸吡唑基、經取代或未經取代之伸咪唑基、經取代或未經取代之伸咪唑啉基、經取代或未經取代之伸咪唑吡啶基、經取代或未經取代之伸咪唑嘧啶基、經取代或未經取代之伸吡啶基、經取代或未經取代之伸吡嗪基、經取代或未經取代之伸嘧啶基、經取代或未經取代之伸吲哚基、經取代或未經取代之伸嘌呤基、經取代或未經取代之伸喹啉基、經取代或未經取代之伸呔嗪基、經取代或未經取代之伸吲哚嗪基、經取代或未經取代之伸萘啶基、經取代或未經取代之伸喹唑啉基、經取代或未經取代之伸噌啉基、經取代或未經取代之伸吲唑基、經取代或未經取代之伸咔唑基、經取代或未經取代之伸啡嗪基、經取代或未經取代之伸啡啶基、經取代或未經取代之伸吡喃、經取代或未經取代伸色烯基、經取代或未經取代之伸呋喃基、 經取代或未經取代之伸苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸噻吩基、經取代或未經取代之伸苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸異噻唑基、經取代或未經取代之伸苯並咪唑基、經取代或未經取代之伸異噁唑基、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸二苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸三嗪基、及經取代或未經取代之伸噁二唑基的其中之一，且p、q及r各獨立地為0至1中之一整數。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層更包含選自8-羥基喹啉鋰(LiQ)及以下化合物101中的至少其一：
  15. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層更包含至少一選自1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲、四氰基對苯醌二甲烷、蒽醌、苝醯亞胺及四氰基對蒽醌二甲烷。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層更包含至少一選自鋰、銫、鈉、鉀、鈣、鎂、鋇及鐳之金屬；金屬碳酸鹽；金屬醋酸鹽；金屬苯甲酸鹽；金屬乙醯乙酸鹽；金屬乙醯丙酮鹽；及金屬硬脂酸鹽。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該有機發光 裝置更包含一電洞傳輸層設置於該磷光發光層與該第一電極間，其中該電洞傳輸層包含由以下化學式5表示之一化合物： 其中R50各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之吡啶基的其中之一；L21為經取代或未經取代之C1-C30伸烷基、經取代或未經取代之C2-C30伸烯基、經取代或未經取代之C6-C30伸芳基、以及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一；R51至R67各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、羧基、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C1-C30烷硫基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C3-C30環烯基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基、經取代或未經取代之C2-C30雜芳基及由表示之-N(Q11)(Q12)之基的其中之一；Q11及Q12各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、氨基、硝基、羧基、C1-C30 烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C1-C30烷氧基、C1-C30烷硫基、C3-C30環烷基、C3-C30環烯基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、C6-C30芳硫基及C2-C30雜芳基；且k為0至3中之一整數。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光裝置，其中該有機發光裝置更包含一電洞注入層設置於該電洞傳輸層與該第一電極間，其中該電洞注入層包含由化學式6表示之一化合物： 其中Ar41與Ar42各獨立地為經取代或未經取代之C6-C30伸芳基及經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基的其中之一，R71與R72各獨立地為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、聯胺、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C2-C30烯基、經取代或未經取代之C2-C30炔基、經取代或未經取代之C1-C30烷氧基、經取代或未經取代之C3-C30環烷基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C6-C30芳氧基、經取代或未經取代之C6-C30芳硫基的其中之一。
  19. 一種有機發光裝置，包含：一第一電極； 一第二電極，面對該第一電極；一磷光發光層，設置於設置於該第一電極與該第二電極間；一電子傳輸層，設置於該磷光發光層與該第二電極間；一電子控制層，設置於該磷光發光層與該電子傳輸層間；以及一電子阻擋層，設置於該磷光發光層與該第一電極間，其中該磷光發光層包含一主體材料及一摻質材料、該電子控制層包含一電子控制材料，且該電子阻擋層包含一電子阻擋材料，其中該主體材料之最高佔有分子軌域之能階(EHH)、該主體材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELH)、該電子控制材料之最高佔有分子軌域之能階(EHC)、該電子控制材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELC)及該電子阻擋材料之最低未佔有分子軌域之能階(ELB)滿足｜EHH-EHC｜=0.1eV、｜ELH-ELC｜=0.2eV與ELB>ELH之關係，其中該電子控制層之厚度為約50Å至約450Å，且其中EHH係為-5.7eV，以及其中該主體材料包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該電子阻擋材料包含三苯胺衍生物、咔唑衍生物或螺二芴衍生物。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該電子阻擋層之厚度係為約10Å至約1000Å。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料之電子移動率大於或等於該電子控制材料之電洞移動 率。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中EHC係為約-5.2eV至約-6.1eV之範圍內。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中ELC係為約-2.5eV至約-3.2eV之範圍內。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該電子控制材料之含量係以該電子控制層之總重為基礎，為約30%至約100%之重量百分比。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸層與該電子控制層之厚度比例係於約5：1至約5：10之範圍內。
  27. 一種有機發光顯示設備，包含含有一源極、一汲極、一閘極及一主動層之一電晶體、及如申請專利範圍第1項或第19項之有機發光裝置，其中該有機發光裝置之一第一電極電性連接至該源極或該汲極。
  28. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該主體材料包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物；以及該磷光發光層進一步包含具有至少一電洞傳輸單元之一化合物。
  29. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該主體材料包含具有至少一電洞傳輸單元之一化合物；以及該磷光發光層進一步包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物。
  30. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該主體材 料包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物；以及該磷光發光層進一步包含具有至少一電洞傳輸單元之一化合物。
  31. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該主體材料包含具有至少一電洞傳輸單元之一化合物；以及該磷光發光層進一步包含具有一電洞傳輸單元與一電子傳輸單元之一雙極性化合物。
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101909775B1 (ko) 2012-04-20 2018-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102098736B1 (ko) * 2012-10-19 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102096047B1 (ko) * 2012-11-05 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 신규 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101684979B1 (ko) * 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
WO2014129048A1 (ja) * 2013-02-22 2014-08-28 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
US10074806B2 (en) * 2013-08-20 2018-09-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102013111552A1 (de) * 2013-10-21 2015-04-23 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement
CN103700775B (zh) * 2013-12-31 2017-08-25 北京维信诺科技有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR20150094127A (ko) * 2014-02-10 2015-08-19 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
WO2015142036A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-24 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Electron buffering material and organic electroluminescent device comprising the same
KR20150108330A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자 버퍼 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN103887447B (zh) * 2014-04-01 2016-02-10 上海道亦化工科技有限公司 一种有机电致发光器件
JP6432149B2 (ja) * 2014-04-04 2018-12-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP6435626B2 (ja) * 2014-04-04 2018-12-12 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
US9478763B2 (en) * 2014-04-04 2016-10-25 Seiko Epson Corporation Light emitting element, light emitting device, display apparatus, and electronic equipment having a light emitting layer with host and assist dopant materials with different electron and hole transportation properties
KR102129266B1 (ko) 2014-04-30 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102244071B1 (ko) 2014-05-02 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10749118B2 (en) 2014-06-26 2020-08-18 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
KR102313358B1 (ko) * 2014-07-10 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102304718B1 (ko) * 2014-07-10 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP2991128B1 (en) * 2014-08-29 2017-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10741772B2 (en) 2014-08-29 2020-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR101803599B1 (ko) * 2014-09-12 2017-12-01 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US9705094B2 (en) 2014-11-26 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic semiconductor compound, organic thin film including same, and electronic device including the organic thin film
KR102490882B1 (ko) * 2014-12-31 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10559758B2 (en) * 2015-07-13 2020-02-11 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting diode of high efficiency
JP6340616B2 (ja) * 2015-07-28 2018-06-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、および有機ｅｌ表示パネル
JPWO2017033317A1 (ja) * 2015-08-26 2018-06-14 パイオニア株式会社 発光装置
KR102500272B1 (ko) 2015-09-16 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
TWI690516B (zh) 2015-10-27 2020-04-11 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 有機發光元件
KR102463519B1 (ko) * 2015-12-17 2022-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102384293B1 (ko) 2015-12-22 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170075122A (ko) 2015-12-22 2017-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170075114A (ko) 2015-12-22 2017-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102579752B1 (ko) 2015-12-22 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102642199B1 (ko) 2016-04-07 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102692559B1 (ko) * 2016-08-11 2024-08-08 삼성전자주식회사 다층 구조의 전자 차단층 및 p-도핑층을 포함하는 유기 발광 소자
KR102616441B1 (ko) * 2016-12-23 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US20180323393A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
US12089428B2 (en) 2017-07-03 2024-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN109427985B (zh) * 2017-08-31 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及显示装置
KR102697017B1 (ko) * 2017-09-22 2024-08-22 듀폰스페셜티머터리얼스코리아 유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102367822B1 (ko) * 2017-10-31 2022-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102500612B1 (ko) * 2017-12-22 2023-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN111902957B (zh) * 2018-03-29 2023-08-29 夏普株式会社 发光元件及发光器件
CN108586441B (zh) 2018-05-03 2020-12-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种化合物、一种有机发光显示装置
CN112534595B (zh) * 2018-11-09 2024-08-02 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR20200081626A (ko) 2018-12-27 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109860407A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 瑞声科技（南京）有限公司 一种有机发光器件及其制备方法
CN109830613A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 瑞声科技（南京）有限公司 有机发光器件及其制备方法
KR20210129999A (ko) * 2020-04-21 2021-10-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20230005838A (ko) * 2020-04-30 2023-01-10 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 유기 전계 발광소자용 재료 및 유기 전계 발광소자
CN113471379B (zh) * 2021-07-06 2023-02-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN115701229A (zh) * 2021-07-30 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置
CN115955856A (zh) * 2022-11-11 2023-04-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2192634B1 (en) 2008-12-01 2018-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002175887A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 有機ｅｌ素子
CN102386330B (zh) * 2003-04-18 2014-10-22 株式会社半导体能源研究所 喹喔啉衍生物以及使用它的有机半导体元件、电致发光元件以及电子仪器
US7374828B2 (en) * 2003-12-05 2008-05-20 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with additive
KR100573137B1 (ko) * 2004-04-02 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US8188315B2 (en) * 2004-04-02 2012-05-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device and flat panel display device comprising the same
KR101209289B1 (ko) * 2005-04-07 2012-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널과, 이를 구비한 표시 장치 및 구동 방법
US20090015150A1 (en) * 2005-07-15 2009-01-15 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
US20070252516A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
JP4985929B2 (ja) * 2006-10-31 2012-07-25 スタンレー電気株式会社 有機薄膜素子およびタンデム型光電変換素子
KR20090082778A (ko) * 2008-01-28 2009-07-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US20090191427A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Liang-Sheng Liao Phosphorescent oled having double hole-blocking layers
JP5279583B2 (ja) * 2008-12-24 2013-09-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US9150536B2 (en) * 2009-01-20 2015-10-06 Lg Chem, Ltd. Cycloalkene derivatives and organic electronic devices using the same
DE102009014513A1 (de) * 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009048791A1 (de) * 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5851683B2 (ja) * 2009-10-14 2016-02-03 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光素子及びその製造方法
DE102009053382A1 (de) * 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
WO2011076323A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Formulations comprising phase-separated functional materials
JP4620802B1 (ja) * 2010-01-20 2011-01-26 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2192634B1 (en) 2008-12-01 2018-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

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