TWI637084B - Electrolysis treatment method and electrolytic treatment device - Google Patents

Abstract

本發明之電解處理裝置係使用處理液中所包含之被處理離子進行特定之處理，且包括：直接電極及對向電極，其等係以隔著處理液之方式配置；間接電極，其使處理液中形成電場；及開關，其對間接電極，切換與電源之連接、及與直接電極或對向電極之連接；該開關將間接電極與電源連接而施加電壓，該開關將間接電極與電源之連接切斷，將該間接電極與直接電極或對向電極連接。

Description

電解處理方法及電解處理裝置

(相關申請案之相互參考)

本申請案基於2014年1月8日於日本申請之特願2014-001466而主張優先權，並將其內容引用於此。

本發明係關於一種使用處理液中所包含之被處理離子進行特定之處理的電解處理方法、及用以進行該電解處理方法的電解處理裝置。

電解製程(電解處理)係可用於鍍敷處理或蝕刻處理等各種處理中之技術。

該鍍敷處理係利用例如專利文獻1所記載之鍍敷裝置而進行。鍍敷裝置具有貯存鍍敷液之鍍敷槽，鍍敷槽之內部藉由調節板而劃分。於劃分而成之其中一區塊內配置有正極，於另一區塊內浸漬被處理體(基板)，藉由上述調節板，對正極與被處理體間之電位分佈進行調整。然後，於使被處理體浸漬於鍍敷槽內之鍍敷液中之後，將正極設定為陽、將被處理體設定為陰極而施加電壓，使該正極與被處理體間流通電流。利用該電流，使鍍敷液中之金屬離子移動至被處理體側，進而使該金屬離子於被處理體側作為鍍敷金屬析出，而進行鍍敷處理。

又，於例如專利文獻2所記載之鍍敷裝置中，當對被處理體進行鍍敷處理時，進行攪拌鍍敷槽內之鍍敷液以使之循環的操作。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-132058號公報

[專利文獻2]日本專利特開2006-348356號公報

此處，為提高鍍敷處理中之鍍敷速率，考慮到於例如專利文獻1所記載之鍍敷處理中加強電場，或如專利文獻2所記載般攪拌鍍敷液以使之循環。然而，若如前者所述加強電場，則存在亦推進水之電解之情形。於該情形時，因水之電解而產生之氫氣泡，會令被處理體中析出之鍍敷金屬中產生空隙。又，於如後者所述攪拌鍍敷液之情形時，需要設置大型攪拌機構。而且，就裝置構成方面而言，亦存在無法設置此種攪拌機構之情形。

又，於例如專利文獻1所記載之鍍敷處理中，即便於在被處理體側並未聚集充足之金屬離子之情形時，因於正極與被處理體間流通有電流，故鍍敷處理之效率亦較差。

進而，若於如上所述並未聚集充足之金屬離子之狀態下進行鍍敷處理、亦即若自到達被處理體之金屬離子依序析出，則於被處理體，鍍敷金屬不均勻地析出，從而無法均勻地進行鍍敷處理。

本發明係鑒於該方面而完成者，其目的在於：使用處理液中之被處理離子，高效地且適當地對被處理體進行特定之處理。

為了達成上述目的，本發明係一種使用處理液中所包含之被處理離子進行特定之處理的電解處理方法，其包括：配置步驟，其係以隔著上述處理液之方式，分別配置直接電極與對向電極，並且配置使該處理液中形成電場之間接電極，進而配置對上述間接電極切換與電 源之連接、及與上述直接電極或上述對向電極之連接的開關；被處理離子移動步驟，其係利用上述開關將上述間接電極與上述電源連接且施加電壓，藉此使上述處理液中之被處理離子移動至上述對向電極側；以及被處理離子處理步驟，其係利用上述開關，將上述間接電極與上述電源之連接切斷，將該間接電極與上述直接電極或上述對向電極連接，藉此使已移動至上述對向電極側之上述被處理離子氧化或還原。

根據本發明，若利用開關將間接電極與電源連接且向該間接電極施加電壓，而形成電場(靜電場)，則電荷蓄積於間接電極，被處理離子移動至對向電極側。其後，若對開關進行切換，將間接電極與直接電極或對向電極連接，則蓄積於該間接電極之電荷會移動至直接電極或對向電極，已移動至對向電極側之被處理離子之電荷被交換，使被處理離子氧化或還原。

從而，於本發明中，利用開關對電荷向間接電極之蓄積(以下，有時稱為「充電」)與電荷自間接電極之移動(以下，有時稱為「放電」)進行切換，藉此分別進行被處理離子之移動與被處理離子之氧化或還原(以下，有時稱為「氧化還原」)。若如此操作，則當於充電時使被處理離子移動之時，不進行該被處理離子之電荷交換。又，當於放電時氧化還原被處理離子之時，僅交換與蓄積於間接電極之電荷對應的被處理離子之電荷。從而，僅到達對向電極之被處理離子之電荷得到交換，故而可確實地抑制如先前般之水之電解。而且，可加強向間接電極施加電壓時之電場，可加快被處理離子之移動，從而提高電解處理之速率。

又，因可於充足之被處理離子聚集於對向電極側之狀態下進行被處理離子之氧化還原，故無需如先前般使正極與被處理體間流通大量電流，從而可高效地氧化還原被處理離子。

又，因於將被處理離子大致均勻地排列於對向電極表面之後，進行電荷交換，即電解處理，故可使電解處理中之處理狀態(分佈，profile)，例如鍍敷處理中之膜厚大致均勻。

依據另一觀點而完成之本發明係一種使用處理液中所包含之被處理離子進行特定之處理之電解處理裝置，其包括：直接電極及對向電極，其等係以隔著上述處理液之方式配置；間接電極，其使上述處理液中形成電場；及開關，其對上述間接電極，切換與電源之連接、及與上述直接電極或上述對向電極之連接；上述開關將上述間接電極與上述電源連接且施加電壓，進而上述開關將上述間接電極與上述電源之連接切斷，將該間接電極與上述直接電極或上述對向電極連接。

根據本發明，使用處理液中之被處理離子，可高效且適當地對被處理體進行特定之處理。

1‧‧‧鍍敷處理裝置

10‧‧‧鍍敷槽

20‧‧‧直接電極

21‧‧‧間接電極

22‧‧‧對向電極

23‧‧‧絕緣材料

30‧‧‧直流電源

31‧‧‧開關

40‧‧‧控制部

50‧‧‧鍍銅

60‧‧‧蝕刻處理裝置

70‧‧‧蝕刻液槽

C‧‧‧銅離子

E‧‧‧蝕刻液

H‧‧‧帶電粒子

M‧‧‧鍍敷液

N‧‧‧被處理離子

S‧‧‧硫酸離子

圖1係表示本實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖2係表示將間接電極與直流電源連接之情況的說明圖。

圖3係模式性表示充電時之電荷與離子之配置的說明圖。

圖4係表示將間接電極與直接電極連接之情況的說明圖。

圖5係模式性表示放電時之電荷與離子之配置的說明圖。

圖6係表示再次將間接電極與直流電源連接之情況的說明圖。

圖7係表示於對向電極形成有特定之鍍銅之情況的說明圖。

圖8係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖9係模式性表示另一實施形態中之、充電時之電荷與離子之配置的說明圖。

圖10係表示另一實施形態中之、將間接電極與直接電極連接之情況的說明圖。

圖11係模式性表示另一實施形態中之、放電時之電荷與離子之配置的說明圖。

圖12係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖13係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖14係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖15係表示另一實施形態之蝕刻處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖16係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

圖17係表示另一實施形態之鍍敷處理裝置之構成之概略的縱剖視圖。

以下，對本發明之實施形態進行說明。於本實施形態中，作為本發明之電解處理，對進行鍍敷處理之情形進行說明。圖1係表示作為本實施形態之電解處理裝置之鍍敷處理裝置1之構成之概略的縱剖視圖。再者，於以下之說明所使用之圖式中，為了便於理解技術，各構成元件之尺寸未必與實際尺寸對應。

鍍敷處理裝置1具有鍍敷槽10，該鍍敷槽10係於內部貯存作為處理液之鍍敷液M。作為鍍敷液M，例如可使用將硫酸銅與硫酸溶解而獲得之混合液。於該鍍敷液M中，含有銅離子作為被處理離子。

於鍍敷槽10內，配置有直接電極20、間接電極21及對向電極 22，其等浸漬於鍍敷液M中。於間接電極21上，以覆蓋該間接電極21之方式設置有絕緣材料23。

直接電極20設置於間接電極21側。直接電極20與間接電極21分別具有相同形狀，且係分隔而對向地配置。

對向電極22隔著鍍敷液M與直接電極20及間接電極21對向地配置。再者，於本實施形態中，該對向電極22係受到鍍敷處理之被處理體。

於間接電極21與對向電極22上，連接有直流電源30。間接電極21連接於直流電源30之正極側。對向電極22連接於直流電源30之負極側。

於間接電極21上設置有開關31。開關31對間接電極21與直流電源30之連接、及間接電極21與直接電極20之連接進行切換。開關31之切換係藉由控制部40而控制。

其次，對使用以如上方式構成之鍍敷處理裝置1而實施之鍍敷處理進行說明。

如圖2所示，利用開關31，將間接電極21與直流電源30(對向電極22)連接。然後，將間接電極21作為陽極、將對向電極22作為陰極而施加直流電壓，形成電場(靜電場)。若如此操作，則如圖3所示，正電荷累積於間接電極21，作為負帶電粒子之硫酸離子S聚集於間接電極21側。另一方面，負電荷累積於對向電極22，作為正帶電粒子之銅離子C移動至對向電極22側。再者，於以下之說明中存在如下情形，即，將如此利用開關31將間接電極21與直流電源30連接、而使電荷累積於間接電極21之狀態稱為「充電」。

再者，為避免直接電極20成為陰極，不將直接電極20連接於地線，而使其形成為電性浮動狀態。此種狀況下，於直接電極20、間接電極21、對向電極22之任一表面，均不進行電荷交換，故而被靜電場 吸引而來之帶電粒子排列於電極表面。

藉由開關31而實現之間接電極21與直流電源30之連接係進行至於間接電極21與對向電極22蓄積有充足之電荷、亦即充滿電為止。若如此操作，則銅離子C均勻地排列於對向電極22之表面。因於對向電極22之表面不進行銅離子C之電荷交換，且水之電解亦得到抑制，故可加強向間接電極21與對向電極22之間施加電壓時之電場。而且，可藉由該高電場加快銅離子C之移動。進而，藉由任意地控制該電場，排列於對向電極22表面之銅離子C亦被任意地控制。

其後，如圖4所示，對開關31進行切換，將間接電極21與直流電源30之連接切斷，將間接電極21與直接電極20連接。若如此操作，則如圖5所示，蓄積於間接電極21之正電荷移動至直接電極20，聚集於間接電極21側之硫酸離子S之電荷被交換，硫酸離子S氧化。隨之，排列於對向電極22之表面之銅離子C之電荷被交換，銅離子C還原。而且，如圖4所示，於對向電極22之表面析出鍍銅50。再者，於以下之說明中，存在如下情形，即，將如此利用開關31將間接電極21與直接電極20連接而使電荷自間接電極21移動的狀態稱為「放電」。

因充足之銅離子C於聚集並均勻地排列於對向電極22之表面之狀態下被還原，故而可使鍍銅50均勻地析出於對向電極22之表面。結果，鍍銅50中之結晶之密度變高，從而可形成品質較佳之鍍銅50。於先前之鍍敷步驟中，因被處理體表面之電場強度分佈而引起鍍敷膜不均勻之問題。然而，於本實施形態中，銅離子C係於均勻地排列於對向電極22之表面之狀態下被還原，故而可均勻且高品質地生成鍍敷膜。

其後，如圖6所示，對開關31進行切換，將間接電極21與直流電源30連接，而使銅離子C移動並聚集於對向電極22側。然後，若銅離子C均勻地排列於對向電極22之表面，則對開關31進行切換，將間接 電極21與直接電極20連接，而使銅離子C還原。

以此方式重複進行充電時之銅離子C之移動聚集與放電時之銅離子C之還原，藉此，如圖7所示，鍍銅50沈積成特定之膜厚。如此，鍍敷處理裝置1中之一系列鍍敷處理結束。

根據以上之實施形態，利用開關31對充電與放電進行切換，藉此分別進行銅離子C之移動與銅離子C之還原。若如此操作，則當於充電時使銅離子C移動之時，不進行該銅離子C之電荷交換。又，當於放電時還原銅離子C之時，僅交換與蓄積於間接電極21之電荷對應的銅離子C之電荷。因此，僅到達對向電極22之銅離子C之電荷得到交換，故而可確實地抑制如先前般之水之電解，可抑制鍍銅50中之空隙之產生。而且，可加強向間接電極21施加電壓時之電場，可加快銅離子C之移動，從而提高電解處理之速率。而且，無需為了提高鍍敷處理之速率，而如先前般設置用以攪拌及循環鍍敷液之大型機構，從而可使裝置構成簡易化。

又，因係於充足之電荷蓄積於間接電極21、且銅離子C均勻地排列於對向電極22之表面之狀態下，利用開關31自充電切換至放電，故可於對向電極22側聚集有充足之銅離子C之狀態下進行銅離子C之還原。因此，無需如先前般使正極與被處理體間流通大量電流，從而可高效地還原銅離子C。

又，因可使均勻地配置於對向電極22之表面之銅離子C均勻地還原，故可均勻地進行鍍敷處理，從而可使鍍銅50之膜厚均勻。而且，因係均勻地配置銅離子C，故可緊密地配置鍍銅50中之結晶。因此，可提高鍍敷處理後之被處理體之品質。

再者，亦考慮到如下方法，即，並不如本實施形態般進行藉由開關31而實施之充電與放電之切換，而是於將間接電極21與直流電源30連接而繼續充電之狀態下，以特定之時序向直接電極20與對向電極 22之間施以電場，藉此使對向電極22之表面之銅離子C還原。然而，關於將電荷蓄積於間接電極21之充電時間，可根據例如間接電極21與對向電極22之表面積、硫酸離子S與銅離子C之電泳距離、鍍敷液M中之硫酸離子S與銅離子C之濃度等可變因素而決定。即，充電時間係隨時間推移而變動，難以對該充電時間進行控制。就該方面而言，根據本實施形態，因僅交換與蓄積於間接電極21之電荷對應的銅離子C之電荷，故可高效地使銅離子C氧化。

於以上之實施形態之鍍敷處理裝置1中，直接電極20、間接電極21及對向電極22之配置及電極構造可任意地設定。於以下之圖8~圖14所示之任一實施形態中，均可享有與上述實施形態相同之效果。

例如亦可如圖8所示，直接電極20與間接電極21係介隔絕緣材料23而正背一體地配置。此處所謂之正背一體例如係指直接電極20之正面與間接電極21之背面介隔絕緣材料23而抵接，從而直接電極20與間接電極21具有一體構造。

於該情形時，若利用開關31將間接電極21與直流電源30連接，則如圖9所示，正電荷蓄積於間接電極21，硫酸離子S聚集於直接電極20(及間接電極21)。其後，若如圖10所示，對開關31進行切換，將間接電極21與直接電極20連接，則如圖11所示，蓄積於間接電極21之正電荷移動至直接電極20，聚集於直接電極20(及間接電極21)之硫酸離子S之電荷被交換，使硫酸離子S氧化。此時，硫酸離子S聚集於直接電極20上，故而促進直接電極20上之硫酸離子S之氧化反應。從而，可更高效地還原銅離子C。

又，例如亦可如圖12所示，以完全覆蓋直接電極20之方式配置間接電極21及絕緣材料23。於該情形時，間接電極21不與鍍敷液M接觸，故而可更高效地使硫酸離子S聚集於直接電極20之表面上。而且，可使蓄積於間接電極21之電荷、即聚集於直接電極20之硫酸離子 S、及移動並排列於對向電極22之銅離子C確實地電性等價。從而，可提高鍍敷處理之再現性，可更容易地對鍍銅50之膜厚進行控制。即，可藉由1次銅離子C之還原，而使鍍銅50以均勻之膜厚析出，可藉由重複複數次該銅離子C之還原而適當地控制鍍銅50之膜厚。

又，例如亦可如圖13所示，將間接電極21設置於鍍敷槽10之外部。間接電極21設置於鍍敷槽10之外側面，直接電極20設置於鍍敷槽10之內側面。鍍敷槽10係以成為電性浮動狀態之方式構成。於該情形時，間接電極21亦不與鍍敷液M接觸，故而可享有與圖12所示之實施形態相同之效果。再者，例如於鍍敷槽10為絕緣體之情形時，亦可省略設置於間接電極21之周圍的絕緣材料23。又，直接電極20、間接電極21及對向電極22之電極構造可採用各種形狀，於如圖13所示，間接電極21設置於鍍敷槽10之外部之情形時，可配合該鍍敷槽10之形狀而自由地設計間接電極21。

又，例如亦可如圖14所示，對向電極22設置於間接電極21側，直接電極20隔著鍍敷液M與對向電極22及間接電極21對向地配置。於圖示之例中，與圖13所示之實施形態同樣地，間接電極21設置於鍍敷槽10之外側面，對向電極22設置於鍍敷槽10之內側面。間接電極21連接於直流電源30之負極側，直接電極20連接於直流電源30之正極側。又，開關31係以對間接電極21與直流電源30之連接、及間接電極21與對向電極22之連接進行切換之方式設置。

於該情形時，利用開關31，將間接電極21與直流電源30連接、將間接電極21作為陰極、將直接電極20作為陽極而施加直流電壓。若如此操作，則負電荷蓄積於間接電極21，銅離子C聚集於對向電極22側。另一方面，正電荷蓄積於直接電極20，硫酸離子S聚集於直接電極20側。其後，若對開關31進行切換，將間接電極21與對向電極22連接，則蓄積於間接電極21之負電荷移動至對向電極22，排列於對向電 極22之銅離子C之電荷被交換，使銅離子C還原。此時，對向電極22中之銅離子C之電荷交換係藉由電荷自間接電極21之移動而直接進行，故而可更高效地還原銅離子C。

於以上之實施形態中，作為電解處理，已對進行鍍敷處理之情形進行了說明，但本發明可應用於例如蝕刻處理等各種電解處理。以下，作為電解處理，對進行濕式蝕刻處理之情形進行說明。

例如如圖15所示，作為電解處理裝置之蝕刻處理裝置60具有蝕刻液槽70，該蝕刻液槽70係於內部貯存作為處理液之蝕刻液E。作為蝕刻液E，例如可使用氫氟酸與異丙醇之混合液(HF/IPA，Hydrofluoric acid/Isopropyl alcohol，氫氟酸/異丙醇)或氫氟酸與乙醇之混合液等。

間接電極21連接於直流電源30之負極側，對向電極22連接於直流電源30之正極側。再者，關於蝕刻處理裝置60之其他構成，因與圖1所示之鍍敷處理裝置1之構成相同，故省略說明。

於該情形時，利用開關31，將間接電極21與直流電源30連接、將間接電極21設定為陰極、將對向電極2設定為陽極而施加直流電壓。若如此操作，則負電荷蓄積於間接電極21，正帶電粒子H聚集於間接電極21側。另一方面，正電荷蓄積於對向電極22，作為蝕刻液E中之陰離子之被處理離子N移動至對向電極22側。其後，若對開關31進行切換，將間接電極21與直接電極20連接，則蓄積於間接電極21之負電荷移動至直接電極20，聚集於間接電極21側之帶電粒子H之電荷被交換，使帶電粒子H還原。隨之，排列於對向電極22之表面之被處理離子N之電荷被交換，使被處理離子N氧化。而且，對向電極22之表面受到蝕刻。

於本實施形態中，雖存在被處理離子之氧化與還原之不同，但亦可享有與上述實施形態相同之效果。

再者，於以上之實施形態之蝕刻處理裝置60中，直接電極20、間接電極21及對向電極22之配置及電極構造亦可任意地設定。圖15所示之蝕刻處理裝置60具有與圖1所示之鍍敷處理裝置1相同的電極之配置及構造，但亦可具有與圖8~圖14所示之鍍敷處理裝置1相同的電極之配置及構造。

於以上之實施之鍍敷處理裝置1中，使用貯存於鍍敷槽10內之鍍敷液M對於對向電極22進行鍍敷處理，但亦可如圖16所示，向對向電極22之上供給鍍敷液M而進行鍍敷處理。

例如向大致平板狀之對向電極22之上表面供給鍍敷液M。鍍敷液M例如藉由表面張力而滯留於對向電極22上。於該鍍敷液M上進而配置直接電極20。於對向電極22之下表面配置間接電極21。間接電極21連接於直流電源30之負極側，直接電極20連接於直流電源30之正極側。開關31係以對間接電極21與直流電源30之連接、及間接電極21與對向電極22之連接進行切換之方式設置。

於該情形時，若利用開關31，將間接電極21與直流電源30連接，則負電荷蓄積於間接電極21，銅離子C聚集於對向電極22側。另一方面，正電荷蓄積於直接電極20，硫酸離子S聚集於直接電極20側。其後，若對開關31進行切換，將間接電極21與對向電極22連接，則蓄積於間接電極21之負電荷移動至對向電極22，排列於對向電極22之銅離子C之電荷被交換，使銅離子C還原。因此，可享有與上述實施形態相同之效果。

再者，圖16所示之實施形態中所進行之鍍敷處理亦可為半導體元件之製造步驟中之鍍敷處理。於該情形時，亦可為，對向電極22係半導體基板，間接電極21係該半導體基板之支持構件。作為支持構件，例如可使用半導體基板之支持基板、或保持半導體基板之靜電吸盤等基板保持機構等。

於上述圖16中，間接電極21設置於對向電極22之下表面，但亦可如圖17所示，使間接電極21設置於直接電極20之上表面。間接電極21連接於直流電源30之正極側，對向電極22連接於直流電源30之負極側。開關31係以對間接電極21與直流電源30之連接、及間接電極21與直接電極20之連接進行切換之方式設置。

於該情形時，若利用開關31，將間接電極21與直流電源30連接，則正電荷蓄積於間接電極21，硫酸離子S聚集於直接電極20側。另一方面，負電荷蓄積於對向電極22，銅離子C聚集於對向電極22側。其後，若對開關31進行切換，將間接電極21與直接電極20連接，則蓄積於間接電極21之正電荷移動至直接電極20，排列於對向電極22之銅離子C之電荷被交換，使銅離子C還原。因此，可享有與上述實施形態相同之效果。

再者，圖17所示之實施形態中所進行之鍍敷處理與圖16之情形同樣地，亦可為半導體元件之製造步驟中之鍍敷處理。於該情形時，亦可為，直接電極20係半導體基板，間接電極21係該半導體基板之支持構件。作為支持構件，例如可使用半導體基板之支持基板、或保持半導體基板之靜電吸盤等基板保持機構等。

再者，即便於如此將直接電極20、間接電極21及對向電極22積層而配置之情形時，亦可進行被處理離子之氧化(例如蝕刻處理)與還原(例如鍍敷處理)兩者。為了進行氧化與還原，只要使直流電源30之正極與負極之配置相反、使陽極與陰極相反而進行電解處理即可。

以上，一面參照隨附圖式，一面對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於該例。若為業者，則自然能夠於專利申請之範圍所記載之思想之範疇內，思及各種變更例或修正例，且當然應理解其等亦屬於本發明之技術範圍。本發明並不限於該例，而可採用各種態樣。

Claims (6)

1. 一種電解處理方法，其使用處理液中所包含之銅離子進行特定之處理，且包括：配置步驟，其係以隔著上述處理液之方式分別配置直接電極與對向電極，並且配置被絕緣材料覆蓋而使該處理液中形成電場之間接電極，進而配置對上述間接電極切換與電源之連接、及與上述直接電極之連接的開關；銅離子移動步驟，其係利用上述開關將上述間接電極與上述電源連接且將上述電源與上述對向電極連接而施加電壓，藉此使上述處理液中之銅離子移動至上述對向電極側；及銅離子處理步驟，其係利用上述開關將上述間接電極與上述電源之連接切斷且將該間接電極與上述直接電極連接，藉此使已移動至上述對向電極側之上述銅離子還原。
2. 如請求項1之電解處理方法，其中於上述配置步驟中，以上述間接電極不與上述處理液接觸之方式，配置上述間接電極。
3. 如請求項1之電解處理方法，其中藉由上述開關對與上述間接電極之連接進行切換之上述直接電極為半導體基板；且上述間接電極為支持該半導體基板之支持構件。
4. 一種電解處理裝置，其使用處理液中所包含之銅離子進行特定之處理，且包括：直接電極及對向電極，其等係以隔著上述處理液之方式配置；間接電極，其被絕緣材料覆蓋，使上述處理液中形成電場；及 開關，其對上述間接電極，切換與電源之連接、及與上述直接電極之連接；於上述開關將上述間接電極與上述電源連接且上述電源與上述對向電極連接之狀態，藉由上述電源施加電壓；進而上述開關將上述間接電極與上述電源之連接切斷，將該間接電極與上述直接電極連接。
5. 如請求項4之電解處理裝置，其中上述間接電極係以不與上述處理液接觸之方式配置。
6. 如請求項4之電解處理裝置，其中藉由上述開關對與上述間接電極之連接進行切換之上述直接電極為半導體基板；且上述間接電極為支持該半導體基板之支持構件。