TWI628304B - 利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法 - Google Patents

利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI628304B
TWI628304B TW103120683A TW103120683A TWI628304B TW I628304 B TWI628304 B TW I628304B TW 103120683 A TW103120683 A TW 103120683A TW 103120683 A TW103120683 A TW 103120683A TW I628304 B TWI628304 B TW I628304B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mask
frame
position controller
frame position
driving force
Prior art date
Application number
TW103120683A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201510264A (zh
Inventor
韓政洹
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201510264A publication Critical patent/TW201510264A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628304B publication Critical patent/TWI628304B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture

Abstract

一種對準一遮罩總成之方法包含：提供一遮罩總成，該遮罩總成包含一遮罩及一遮罩框架；以及藉由獨立地移動該遮罩框架之一下部及該遮罩框架之一上部之至少一個位置，來調整該遮罩框架。

Description

利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法
本發明之實施例之態樣係關於一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法。
作為平板顯示器，液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)及有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示器已為人們所習知。平板顯示器包含一具有一預定圖案之金屬層，且在為有機發光二極體顯示器之情形中，對每一畫素形成具有該預定圖案之一有機發光層。可應用一種利用一遮罩來形成該金屬層及該有機發光層之沈積方法。
隨著平板顯示器之尺寸增大，遮罩會導致遮罩之一圖案開口不均勻以及畫素位置精確度(pixel position accuracy；PPA)降低。
此背景技術部分中所揭露之上述資訊僅用於增強對本發明背景之理解，因此，其可包含不形成在本國中對於此項技術中之通常知識者而言所習知之先前技術之資訊。
根據本發明之實施例之態樣，一沈積裝置控制施加至一遮罩 之張力之減小及增大，並防止或實質上防止遮罩框架之扭轉，且提供一種利用該沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法。
根據本發明之實施例之一態樣，提供一種利用一沈積裝置之 一遮罩總成之對準方法，該沈積裝置包含在一薄膜(例如一有機發光層或一金屬層)之一沈積製程中所使用之一薄膜沈積遮罩總成。
根據本發明之一或多個實例性實施例，一種利用一沈積裝置 而對準一遮罩總成之方法包含：提供一遮罩總成，該遮罩總成包含一遮罩及一遮罩框架；以及藉由獨立地移動該遮罩框架之一下部及該遮罩框架之一上部之至少一個位置，來調整該遮罩框架。
在調整該遮罩框架時，可利用一下部框架位置控制器及一上 部框架位置控制器均等地移動該遮罩框架之該上部及該下部，以增大或減小施加至該遮罩之一張力，該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器係安裝至一用於固定該遮罩總成之遮罩台。
在調整該遮罩框架時，可利用一下部框架位置控制器及一上 部框架位置控制器使該遮罩框架之該上部之一位置移動得遠於該遮罩框架之該下部之一位置，以控制該遮罩框架之一扭轉，該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器係安裝至一用於固定該遮罩總成之遮罩台。
該下部框架位置控制器可連接至該遮罩台之一下部，且該上 部框架位置控制器可連接至該遮罩台之一上部。
該下部框架位置控制器可包含：一下部支撐件；一下部驅動 器，安裝至該下部支撐件並用以產生一第一驅動力；以及一下部驅動力傳 遞單元，連接至該下部驅動器，以利用該第一驅動力控制該遮罩框架之該下部之該位置，且該上部框架位置控制器可包含：一上部支撐件；一上部驅動器，安裝至該上部支撐件並用以產生一第二驅動力；以及一上部驅動力傳遞單元，連接至該上部驅動器，以利用該第二驅動力控制該遮罩框架之該上部之該位置。
該下部驅動器及該上部驅動器可包含馬達，且該下部驅動力 傳遞單元及該上部驅動力傳遞單元可包含螺紋部(screw-thread portion)。該方法可更包含：安裝一防塵器至該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器。
該下部框架位置控制器或該上部框架位置控制器至少其中 之一可設置有複數個，該複數個之一數目不同於該下部框架位置控制器或該上部框架位置控制器其中之另一者之一數目。
根據本發明之實施例之一態樣，該沈積裝置安裝該下部框架 位置控制器及該上部框架位置控制器，該下部框架位置控制器連接於該遮罩台之下，該上部框架位置控制器則連接於該遮罩台上，俾可利用該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器來移動該遮罩框架之該上部及該下部，進而可使該遮罩框架之該上部之該位置移動得遠於該遮罩框架之該下部之該位置。藉此，在被張力扭轉之該遮罩框架中，可消除或減小扭轉。 藉此，可補償或減小由遮罩框架之扭轉變形而導致之該遮罩與該基板之間增大之間隔。
根據本發明之實施例之另一態樣，可減小該遮罩與該基板間 之間隔，俾可最小化或減小因該遮罩所覆蓋之阻擋區域之增大而在沈積製程中造成之缺陷。
1‧‧‧沈積腔室
10‧‧‧沈積源
20‧‧‧遮罩
20a‧‧‧圖案開口
30‧‧‧遮罩框架
30a‧‧‧框架上表面
31‧‧‧下部
32‧‧‧上部
40‧‧‧遮罩台
40a‧‧‧台凹槽
40b‧‧‧帶螺紋凹槽
41‧‧‧下部
42‧‧‧上部
50‧‧‧框架位置控制器
50’‧‧‧框架位置控制器
50”‧‧‧框架位置控制器
51‧‧‧下部框架位置控制器
52‧‧‧上部框架位置控制器
60‧‧‧防塵器
70‧‧‧固定構件
100‧‧‧基板
501‧‧‧支撐件
502‧‧‧驅動器
503‧‧‧驅動力傳遞單元
511‧‧‧下部支撐件
512‧‧‧下部驅動器
513‧‧‧下部驅動力傳遞單元
521‧‧‧上部支撐件
522‧‧‧上部驅動器
523‧‧‧上部驅動力傳遞單元
5131‧‧‧端部
5132‧‧‧端部
5231‧‧‧端部
5232‧‧‧端部
d‧‧‧間隔或間距
h‧‧‧預定高度
L‧‧‧長度
W‧‧‧寬度
第1圖係為根據本發明一實例性實施例之一沈積裝置之俯視圖；第2圖係為第1圖之沈積裝置之側視圖；第3圖及第4圖係為依序顯示根據本發明一實例性實施例之一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法之視圖，該對準方法係作為一種藉由消除一遮罩框架之扭轉而對準該遮罩總成之方法；第5圖及第6圖係為依序顯示根據本發明一實例性實施例之一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法之視圖，該對準方法係作為一種經由一遮罩框架之一水平方向移動而對準該遮罩總成之方法；第7圖係為根據本發明另一實例性實施例之一沈積裝置之俯視圖；第8圖係為根據本發明另一實例性實施例之一沈積裝置之俯視圖。
以下參照其中顯示本發明之某些實例性實施例之附圖來更充分地闡述本發明。如熟習此項技術者應知，可以各種不同方式對所述之實施例進行潤飾，此皆不背離本發明之精神或範圍。因此，圖式及說明應被視為例示性的而非限制性的。
在說明書中，除非明確地進行相反之闡述，否則用語「包含(comprise)」及其變型(例如「comprises」或「comprising」)應被理解成暗指包含所述元件但不排除任何其他元件。此外，應理解，當闡述一元件(例如一層、膜、區域或基板)係位於另一元件「上」時，該元件可直接 位於該另一元件上，抑或亦可存在中間元件。相反，當闡述一元件「直接」位於另一元件「上」時，則應理解為不存在中間元件。此外，在說明書中，應理解，用語「在...上方」意指位於該目標部分之上方或下方，而並非僅意指位於以一重力方向為基準之該目標部分之上側上。
第1圖係為根據本發明之一實例性實施例之一沈積裝置之俯視圖；以及第2圖係為第1圖之沈積裝置之側視圖。
如第1圖及第2圖所示，根據本發明一實例性實施例之一沈積裝置包含一沈積腔室1、一沈積源10、一遮罩20、一遮罩框架30、至少一個遮罩台40、至少一個框架位置控制器50以及一固定構件70，該固定構件70用以固定框架位置控制器50至沈積腔室1。
當在沈積腔室1中執行一沈積製程時，沈積腔室1保持真空。
沈積源10被安裝於沈積腔室1之內部，並噴出一沈積材料。在一個實施例中，沈積源10藉由利用一加熱構件來加熱一填充有該沈積材料之沈積容器而向上噴出該沈積材料。在一個實施例中，可於沈積腔室1中設置有複數個沈積源10。
遮罩20與沈積源10間隔開，俾使沈積材料以一預定圖案被沈積。在一個實施例中，遮罩20係為一具有一長度(L)及一寬度(W)以及複數個圖案開口20a之薄金屬四邊形板。該等圖案開口20a被形成為具有一相同於欲被沈積之一薄膜之形狀。因此，在沈積製程中，沈積材料穿過圖案開口20a，並被沈積於基板100上，進而形成具有一所期望形狀及圖案之一薄膜(例如，一金屬層、一有機發光層等)。
遮罩20係位於沈積源10之上方，且在一個實施例中，基板100 係位於遮罩20之上方並與遮罩20間隔開一間距(例如，一預定間距)(d)。
遮罩框架30支撐遮罩20，並具有一大於遮罩20之尺寸之形狀(例如，一方形形狀)，且遮罩20例如藉由焊接而被固定至遮罩框架30。
在一個實施例中，遮罩框架30具有四個邊緣，該四個邊緣形成一四邊形框架形狀，且該四個邊緣分別包含一框架上表面30a，該框架上表面30a接觸遮罩20。遮罩框架30自框架上表面30a沿一向下方向延伸，並具有一預定高度(h)，因此，較接近框架上表面30a之端部係為遮罩框架30之一上部32，而較遠離框架上表面30a之端部係為遮罩框架30之一下部31。
在一個實施例中，在延伸遮罩20之一狀態中，藉由焊接遮罩20至遮罩框架30上而完成一遮罩總成。在沈積裝置中，遮罩框架30可係由一個固定體製造而成，同時具有高的加工精確度。因此，在一個實施例中，在遮罩20經延伸及焊接之後，可能不會增大或減小施加至遮罩20之張力。如上所述，因施加至遮罩20之一張力可能不會增大或減小，故在遮罩20之拉伸製程以及於遮罩框架30上之焊接製程中需要很多時間和工作量，且若異常地執行遮罩20之拉伸製程及焊接製程，則所用之遮罩20必須被廢棄。此外，當利用遮罩及遮罩框架來執行沈積製程時，可產生遮罩中之開口之尺寸之不均勻性以及畫素位置精度之下降，且在此種情形中，可使在遮罩框架30上延伸並焊接之遮罩與欲被廢棄之遮罩框架分離。根據本發明之一實施例，為避免遮罩20廢棄，遮罩框架30能夠增大或減小施加至遮罩20上之張力。然而，在一種藉由對遮罩框架之一個完整邊緣利用一相同之移動量來增大或減小張力之方法中，當需要遮罩作出一局部變化時，該方法不對應於此種情形，且儘管可增大或減小該張力，然而可能無法避免遮罩框架30之扭轉。
亦即，遮罩之一中心部可藉由遮罩20之重量而下垂，藉此防 止或實質上防止遮罩20之圖案開口20a發生變化，遮罩20藉由在遮罩20之二側沿相反之方向延伸之狀態下進行焊接而附著至遮罩框架30，俾當觀察遮罩框架30之橫截面時，在遮罩框架30中會產生一扭力，該扭力使遮罩框架30被扭轉。因此，遮罩框架30係為傾斜的且遮罩框架30之四個邊緣之上部32較其下部31更為接近，俾使遮罩框架30被扭轉。
藉此，在沈積裝置中利用遮罩總成之情形中，遮罩框架30 之張力使遮罩20位於一低於預定位置之位置處，因此相較於一預定值，欲由沈積材料沈積而成之基板與遮罩20間之間隔增大。如上所述，當該基板與遮罩20間之間隔增大時，由遮罩20覆蓋之一阻擋區域增大，因而沈積材料在寬於沈積區域之位置處而被沈積，進而在沈積製程中產生一缺陷。遮罩台40包含一台凹槽40a，遮罩框架30被固定至該台凹槽40a，以固定遮罩框架30之四個邊緣。遮罩框架30被插入至欲被固定至遮罩台40之台凹槽40a。 可將一或多個遮罩台40安裝至遮罩框架30之一個邊緣。
至少一個框架位置控制器50控制遮罩框架30之位置。框架位 置控制器50包含一下部框架位置控制器51及一上部框架位置控制器52，該下部框架位置控制器51連接至遮罩台40之一下部41，該上部框架位置控制器52則連接至遮罩台40之一上部42。
在一個實施例中，下部框架位置控制器51包含：一下部支撐 件511；一下部驅動器512，安裝至下部支撐件511並用以產生一驅動力；以及一下部驅動力傳遞單元513，連接至下部驅動器512，以利用該驅動力控制遮罩框架30之位置。
在一個實施例中，下部支撐件511可係為一具有一六面體形 狀之框架，且下部驅動器512被安裝並固定於下部支撐件511中。下部驅動力傳遞單元513之一個端部5131連接至下部驅動器512，且下部驅動力傳遞單元513之另一端部5132被耦合至在遮罩台40之下部41中形成之一帶螺紋凹槽40b。
在一個實施例中，上部框架位置控制器52包含：一上部支撐 件521；一上部驅動器522，安裝至上部支撐件521並用以產生一驅動力；以及一上部驅動力傳遞單元523，連接至上部驅動器522，以利用該驅動力控制遮罩框架30之位置。
在一個實施例中，上部支撐件521可係為一具有一六面體形 狀之框架，且上部驅動器522被安裝並固定於上部支撐件521中。上部驅動力傳遞單元523之一個端部5231連接至上部驅動器522，且上部驅動力傳遞單元523之另一端部5232被耦合至在遮罩台40之上部42中形成之帶螺紋凹槽40b。
下部驅動器512及上部驅動器522可係為馬達，且下部驅動力 傳遞單元513及上部驅動力傳遞單元523可係為螺紋部。
藉由利用上部驅動器522旋轉上部驅動力傳遞單元523之螺 紋部，可使附著至上部驅動力傳遞單元523之遮罩台40之上部42朝沈積腔室1之側移動，且藉由利用下部驅動器512旋轉下部驅動力傳遞單元513之螺紋部，可使附著至下部驅動力傳遞單元513之遮罩台40之下部41朝遮罩20之中心處移動。
如上所述，藉由利用下部框架位置控制器51及上部框架位置 控制器52來獨立地移動遮罩框架30之上部32及下部31之位置，可控制遮罩 框架30之上部32之位置，以使該位置不同於遮罩框架30之下部31之位置。因此，因施加至遮罩框架30之上部32及下部31之張力不平衡而發生扭轉之遮罩框架30之張力可得到控制，以達到均勻或實質上均勻。
藉此，可補償因遮罩框架30之張力變形而造成的遮罩20與基板100間之間隔或間距(d)之增大。
此外，可利用下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器52而均等地移動遮罩框架30之上部32及下部31之位置。
藉由利用上部驅動器522旋轉上部驅動力傳遞單元523，可使附著至上部驅動力傳遞單元523之遮罩台40之上部42朝沈積腔室1之側移動，且藉由利用下部驅動器512旋轉下部驅動力傳遞單元513，可使附著至下部驅動力傳遞單元513之遮罩台40之下部41像上部42一樣朝沈積腔室1之側移動。此外，藉由利用上部驅動器522旋轉上部驅動力傳遞單元523，可使附著至上部驅動力傳遞單元523之遮罩台40之上部42朝遮罩20之中心處移動，且藉由利用下部驅動器512旋轉下部驅動力傳遞單元513，可使附著至下部驅動力傳遞單元513之遮罩台40之下部41像上部42一樣朝遮罩20之中心處移動。
在此種情形中，一水平方向力可被施加至遮罩框架30，俾可控制對被延伸並被焊接至遮罩框架30之遮罩20施加之張力，進而控制遮罩20之圖案開口20a之位置。
如上所述，可利用下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器52來額外地增大或減小施加至遮罩20之張力，俾可減少遮罩20與遮罩框架30間之初始拉伸及焊接製程所需之時間及工作量。
此外，若遮罩20與遮罩框架30間之初始拉伸及焊接製程並非 係以所需精確度來執行，則並不使遮罩20自遮罩框架30分離並廢棄之，而是可利用下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器52來增大或減小施加至遮罩20之張力，並可將遮罩20之精確度調整至所需值，且可控制遮罩20之圖案開口之尺寸及均勻性以及畫素位置精確度(PPA)，進而最小化或減小所廢棄之遮罩之數目，且會減少遮罩更換之時間，藉此增加沈積裝置之連續處理時間，進而提高生產率。
在一個實施例中，下部框架位置控制器51及上部框架位置控 制器52分別安裝有防塵器60，該等防塵器60分別自下部支撐件511及上部支撐件521延伸並覆蓋下部控制器512及下部驅動力傳遞單元513、以及上部驅動器522及上部驅動力傳遞單元523。防塵器60防止或實質上防止粒子(例如在下部驅動器512、上部驅動器522、下部驅動力傳遞單元513及上部驅動力傳遞單元523中所產生之灰塵)沈降於基板100上。在一個實施例中，作為一用於將下部驅動器512、上部驅動器522、下部驅動力傳遞單元513及上部驅動力傳遞單元523與外界屏蔽開之結構，防塵器60可包含一O形環或一波紋管閥。
以下，參照第3圖至第6圖來闡述根據本發明一實例性實施例 之一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法。
第3圖及第4圖係為依序顯示根據本發明一實例性實施例之 一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法之視圖，該對準方法作為一種藉由消除一遮罩框架之扭轉而對準該遮罩總成之方法；第5圖及第6圖係為依序顯示根據本發明一實例性實施例之一種利用一沈積裝置對準一遮罩總成之對準方法之視圖，該對準方法作為一種經由一遮罩框架之一水平 方向移動而對準該遮罩總成之方法。
如第3圖所示，在施加至遮罩20之張力使遮罩框架30扭轉之 狀態中，如第4圖所示，藉由利用下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器52，使遮罩框架30之上部32移動得遠於下部31，藉此消除遮罩框架30之張力。
此外，如第5圖所示，藉由利用下部框架位置控制器51及上 部框架位置控制器52，均等地移動遮罩框架30之下部31及上部32之位置，以增大施加至遮罩20之張力，抑或如第6圖所示，以減小施加至遮罩20之張力。
在一個實例性實施例中，係對遮罩框架30之一個邊緣安裝複 數個下部框架位置控制器及上部框架位置控制器。然而，在另一實例性實施例中，可對遮罩框架30之一個邊緣安裝一個下部框架位置控制器及一個上部框架位置控制器。
第7圖係為根據本發明另一實例性實施例之一沈積裝置之俯 視圖。
除下部框架位置控制器及上部框架位置控制器之數目外，第 7圖所示之實例性實施例係實質上相同於第1圖及第2圖所示之一實例性實施例，故對相同之組件不再予以贅述。
如第7圖所示，根據本發明另一實例性實施例用於固定沈積 裝置之遮罩框架30之遮罩台40係被逐一安裝至遮罩框架30之每一邊緣。此外，將一個框架位置控制器50’係連接至被安裝至每一邊緣之遮罩台40。該框架位置控制器50’包含：一支撐件501；一驅動器502，安裝至支撐件501 並用以產生一驅動力；以及一驅動力傳遞單元503，連接至驅動器502並用以利用該驅動力控制遮罩框架30之位置。
如上所述，藉由將框架位置控制器50’逐一安裝至遮罩台40 並進而安裝至遮罩框架30之每一邊緣，可輕易地控制施加至遮罩20的增大或減小之張力。
儘管圖示中未示出，然而在如第7圖所示之實例性實施例 中，下部框架位置控制器與上部框架位置控制器之數目可相同。亦即，在第7圖中，所示之框架位置控制器50’係為上部框架位置控制器，且亦包含下部框架位置控制器以對應於上部框架位置控制器。然而，在另一實施例中，下部框架位置控制器之數目與上部框架位置控制器之數目可係為不同的，如下所述。
第8圖係為根據本發明另一實例性實施例之一沈積裝置之俯 視圖。
除下部框架位置控制器與上部框架位置控制器具有一不同 數目外，第8圖所示之實例性實施例係實質上相同於第1圖及第2圖所示之實例性實施例，故對相同之組件不再予以贅述。
如第8圖所示，根據本發明另一實例性實施例之一沈積裝置 之一框架位置控制器50”包含下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器50’，該下部框架位置控制器51連接至遮罩台40之一下部，該上部框架位置控制器50’連接至遮罩台40之一上部。
下部框架位置控制器51之數目與上部框架位置控制器50’之 數目可係為不同的。在第8圖中，下部框架位置控制器51之數目係為二個， 且上部框架位置控制器50’之數目係為一個。
如上所述，藉由使下部框架位置控制器51及上部框架位置控制器50’之數目不同，可更易於控制遮罩框架30之扭轉。
儘管已結合某些目前被視為實用之實例性實施例闡述了本發明，然而應理解，本發明並非限制於所揭露之實施例，相反，本發明旨在涵蓋包含於隨附專利申請範圍及其等效範圍之精神及範圍內之各種潤飾及等效設置。

Claims (8)

  1. 一種對準一遮罩總成之方法，該方法包含：提供一遮罩總成，該遮罩總成包含一遮罩及一遮罩框架；以及藉由獨立地移動該遮罩框架之一下部之一位置及該遮罩框架之一上部之一位置，來調整該遮罩框架，其中，該遮罩框架之該下部之該位置及該遮罩框架之該上部之該位置係位於該遮罩框架之一周圍之相同處。
  2. 如請求項1所述之方法，其中在調整該遮罩框架時，利用一下部框架位置控制器及一上部框架位置控制器均等地移動該遮罩框架之該上部及該下部，以增大或減小施加至該遮罩之一張力，該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器係安裝至一用於固定該遮罩總成之遮罩台(mask stage)。
  3. 如請求項1所述之方法，其中在調整該遮罩框架時，利用一下部框架位置控制器及一上部框架位置控制器使該遮罩框架之該上部之該位置移動得遠於該遮罩框架之該下部之該位置，以控制該遮罩框架之一扭轉，該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器係安裝至一用於固定該遮罩總成之遮罩台。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該下部框架位置控制器連接至該遮罩台之一下部，且該上部框架位置控制器連接至該遮罩台之一上部。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該下部框架位置控制器包含：一下部支撐件； 一下部驅動器，安裝至該下部支撐件並用以產生一第一驅動力；以及一下部驅動力傳遞單元，連接至該下部驅動器，以利用該第一驅動力控制該遮罩框架之該下部之該位置，以及其中該上部框架位置控制器包含：一上部支撐件；一上部驅動器，安裝至該上部支撐件並用以產生一第二驅動力；以及一上部驅動力傳遞單元，連接至該上部驅動器，以利用該第二驅動力控制該遮罩框架之該上部之該位置。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該下部驅動器及該上部驅動器包含馬達，且該下部驅動力傳遞單元及該上部驅動力傳遞單元包含螺紋部(screw-thread portions)。
  7. 如請求項4所述之方法，更包含：安裝一防塵器至該下部框架位置控制器及該上部框架位置控制器。
  8. 如請求項4所述之方法，其中該下部框架位置控制器或該上部框架位置控制器至少其中之一係設置有複數個，該複數個之一數目不同於該下部框架位置控制器或該上部框架位置控制器其中之另一者之一數目。
TW103120683A 2013-09-11 2014-06-16 利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法 TWI628304B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2013-0109367 2013-09-11
KR1020130109367A KR102201107B1 (ko) 2013-09-11 2013-09-11 증착 장치 및 이를 이용한 마스크 조립체의 정렬 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201510264A TW201510264A (zh) 2015-03-16
TWI628304B true TWI628304B (zh) 2018-07-01

Family

ID=52624110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120683A TWI628304B (zh) 2013-09-11 2014-06-16 利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9496525B2 (zh)
KR (1) KR102201107B1 (zh)
CN (1) CN104419891B (zh)
TW (1) TWI628304B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
CN105887010B (zh) * 2016-05-13 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜集成框架及蒸镀设备
CN105810853B (zh) * 2016-05-19 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 对抗力施加装置、掩膜制造装置及相应方法
CN106681100B (zh) * 2017-01-10 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板的制备方法、掩膜板和蒸镀系统
CN107618256B (zh) * 2017-10-27 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 掩膜组件及丝网印刷设备
CN110699638A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 云谷（固安）科技有限公司 掩膜版的张网设备和张网方法
KR102461247B1 (ko) * 2020-12-29 2022-11-01 (주)세우인코퍼레이션 Oled용 마스크 제조 장치, oled용 마스크 프레임 제조방법 및 oled 마스크 제조용 마스크 프레임 장착 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534969A (en) * 1993-06-02 1996-07-09 Sanei Giken Co., Ltd. Alignment method and apparatus in an exposing process
US5809831A (en) * 1995-10-03 1998-09-22 Smc Kabushiki Kaisha Electric actuator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100647576B1 (ko) 2002-03-16 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 텐션 마스크 프레임 조립체의 제조방법 및 그 제조장치
CN2627008Y (zh) * 2003-07-11 2004-07-21 上海航天上大欧德科技有限公司 真空镀膜的线状掩膜具
KR20070063307A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 주성엔지니어링(주) 마스크 어셈블리
US7763114B2 (en) * 2005-12-28 2010-07-27 3M Innovative Properties Company Rotatable aperture mask assembly and deposition system
KR100941311B1 (ko) 2008-04-21 2010-02-11 순천향대학교 산학협력단 유기 ｅｌ용 새도우 마스크
TWI401832B (zh) 2008-12-15 2013-07-11 Hitachi High Tech Corp Organic electroluminescent light making device, film forming apparatus and film forming method, liquid crystal display substrate manufacturing apparatus, and calibration apparatus and calibration method
KR101232181B1 (ko) * 2010-02-03 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
CN102618821A (zh) * 2012-04-09 2012-08-01 友达光电股份有限公司 用于沉积制程的遮罩张紧机的遮罩框架组
CN202913045U (zh) * 2012-09-07 2013-05-01 昆山允升吉光电科技有限公司 一种掩模框架及其对应的掩模组件
CN203159697U (zh) * 2013-03-01 2013-08-28 昆山允升吉光电科技有限公司 一种掩模框架及其对应的掩模组件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534969A (en) * 1993-06-02 1996-07-09 Sanei Giken Co., Ltd. Alignment method and apparatus in an exposing process
US5809831A (en) * 1995-10-03 1998-09-22 Smc Kabushiki Kaisha Electric actuator

Also Published As

Publication number Publication date
US9496525B2 (en) 2016-11-15
CN104419891B (zh) 2018-11-16
CN104419891A (zh) 2015-03-18
US20150068023A1 (en) 2015-03-12
KR102201107B1 (ko) 2021-01-11
TW201510264A (zh) 2015-03-16
KR20150030104A (ko) 2015-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI628304B (zh) 利用沈積裝置之遮罩總成之對準方法
TWI612169B (zh) 用於薄膜蒸氣沉積的遮罩組件及其製造方法
TWI623808B (zh) 用於製造平面顯示器之沉積遮罩組件之設備
TWI400584B (zh) 用以製造垂直沉積遮罩的方法和裝置
TWI603906B (zh) 基板裝載裝置
US9567663B2 (en) Manufacturing apparatus and method of mask assembly
JP2011512310A (ja) 超クリーンルーム内において弱衝撃性の板を運搬及び回転するための方法及び装置
TW201439345A (zh) 沉積裝置及其應用之遮罩組件
WO2019099985A1 (en) Sub-displays and methods for fabricating tiled displays from sub-displays
KR20140127438A (ko) 기판 흡착 장치
TW201425052A (zh) 網罩
JP2020084329A (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
TW201515773A (zh) 對稱去角基板的方法及設備
TWI623738B (zh) 真空吸平裝置及含其的料片檢測設備及料片移載設備
KR102153046B1 (ko) 기판 고정 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
CN108231644B (zh) 掩膜对准装置用基板升降装置
KR20060107378A (ko) 도포 장치 및 포토 마스크 블랭크의 제조 방법
US10906754B2 (en) Apparatus and method for manufacturing liquid crystal panel
KR102045441B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
KR102302901B1 (ko) 디스플레이 사이드 레이저 패턴설비의 스테이지 백업구조
TW201422091A (zh) 頂朝下式基板印刷裝置及基板印刷方法
JP2014071206A (ja) プロキシミティ露光装置
KR102552738B1 (ko) 회전 가능한 마그넷 부재를 포함하는 얼라인 장치 및 그 제어 방법
KR101827282B1 (ko) 기판 스테이지 구동챔버 및 이를 포함하는 기판 처리장치
KR102500583B1 (ko) 기판 처리 시스템에 사용되는 진동 플레이트의 레벨 조절 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템