TW201439345A

TW201439345A - 沉積裝置及其應用之遮罩組件

Info

Publication number: TW201439345A
Application number: TW102137584A
Authority: TW
Inventors: Jeong-Won Han
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-04-09
Filing date: 2013-10-17
Publication date: 2014-10-16
Also published as: CN104099561B; KR20140122067A; KR102079170B1; CN104099561A; TWI628300B; JP2014201832A; JP6403184B2

Abstract

本發明揭露一種沉積裝置及其應用之遮罩組件，沉積裝置包括具有框架開口之遮罩框架、與遮罩框架之上表面耦合且配置以覆蓋框架開口之遮罩、以及延伸構件，延伸構件排列在框架開口之邊緣之至少一部份上且配置以從遮罩框架之上表面突出，且使得對應於框架開口之遮罩之第一部分具有垂直距離長於與遮罩框架之上表面接觸之遮罩之第二部分之垂直距離，各垂直距離從遮罩框架之上表面起測量。

Description

沉積裝置及其應用之遮罩組件

【0001】

下列說明關於一種沉積裝置以及其應用之遮罩組件。

【0002】

儘管存在許多不同類型的顯示裝置，為自發光顯示裝置之有機發光顯示裝置因為具有寬視角、優異的對比度、及高響應速度之優點而作為下一代顯示裝置受到矚目。

【0003】

有機發光顯示裝置包括介於彼此面對的電極之間之至少包括發光層的中間層。可以各種方法形成電極和中間層，且一種這樣的方法為沉積方法。

【0004】

為了製造有機發光顯示裝置，沉積方法是一種藉由透過與將在基板上之薄膜之圖樣具有相同開口圖樣之遮罩來沉積沉積材料在基板上以形成所需圖樣的薄膜之方法。

【0005】

遮罩典型地藉由焊接與遮罩框架耦合以在沉積製程中被使用。隨著沉積製程中使用之基板尺寸逐漸提升，對應的遮罩尺寸也提升(如大尺寸)。

【0006】

然而，當遮罩變成大尺寸時，在沉積製程中會發生遮罩向下下垂的問題。其結果是，可能發生陰影效應，其舉例來說可導致在沉積材料透過遮罩沉積在基板上時，薄膜圖樣具有大於或小於形成之期望薄膜圖樣之尺寸，且此可能造成在有機發光顯示裝置發光時混色或類似的問題。

【0007】

根據本發明，實施例之層面直接針對沉積裝置及其應用之遮罩組件，其藉由透過遮罩在水平方向之延伸來避免遮罩下垂，而可降低使用遮罩之沉積製程中基板之沉積劣化。

【0008】

本發明之另外態樣、標的及特徵將列於下面闡述之部份中，且此部份對於本領域具有通常知識者而言在檢示下文後將變得顯而易見，或者可從本發明之實踐而了解。

【0009】

根據本發明之實施例之態樣，提供一種沉積裝置包括：具有框架開口之遮罩框架；與遮罩框架之上表面耦合且配置以覆蓋框架開口之遮罩；及延伸構件，延伸構件排列在框架開口邊緣之至少一部份上且配置以從遮罩框架之上表面突出，且使得對應於框架開口之遮罩之第一部分具有垂直距離長於與遮罩框架之上表面接觸之遮罩之第二部分之垂直距離，各垂直距離從遮罩框架之上表面起測量。

【0010】

第一部分可在沿遮罩框架往遮罩之方向上位於第二部分上方。

【0011】

延伸構件可包括一區塊在框架開口內沿框架開口之邊緣排列。

【0012】

延伸構件可包括接觸遮罩之接觸部分，且接觸部分之剖面具有多邊形、半圓形、半橢圓形或其組合之形狀。

【0013】

遮罩可包括在第一部分及第二部分之間耦合之第三部分，延伸構件可包括接觸遮罩之第一部分之接觸部分，且間隙可形成於第一部分及第三部分接觸彼此之部分及接觸部分之側表面之間。

【0014】

框架開口可為具有四邊之矩形平面之形狀，且延伸構件可包括排列在四邊之至少一邊之區塊。

【0015】

框架開口可為具有四邊之矩形平面之形狀，延伸構件可包括劃分在四邊之至少一邊上之複數個區塊，且複數個區塊可排列以彼此接觸或彼此間隔開。

【0016】

沉積裝置可進一步包括：排列在與遮罩之上表面間隔之上部份上且配置以將基板排列在遮罩之上表面之轉移部份；及排列在與遮罩之下表面間隔之下部份上，且配置以透過遮罩供給沉積材料給基板之沉積材料供給源。

【0017】

根據本發明的實施例之另一態樣，提供一種沉積裝置包括：具有框架開口之遮罩框架；與遮罩框架之上表面耦合及覆蓋框架開口之遮罩；及延伸構件，延伸構件排列在框架開口之邊緣至少一部份之下部份或上部份中，且各別配置以移動至上部份或下部份，且使得對應於框架開口之遮罩之第一部份具有垂直距離長於與遮罩框架之上表面接觸之遮罩之第二部分之垂直距離，各垂直距離從遮罩框架之上表面起測量。

【0018】

第一部分可在沿從遮罩框架往遮罩之方向上位於第二部分上方。

【0019】

第一部分可在沿遮罩框架往遮罩之方向上位於第二部分下方。

【0020】

【0021】

延伸構件可包括接觸遮罩之接觸部分，且接觸部分之剖面可具有多邊形、半圓形、半橢圓形或其組合之形狀。

【0022】

【0023】

框架開口可為具有四邊之矩形平面形狀，且延伸構件可包括排列在四邊之至少一邊之區塊。

【0024】

框架開口可為具有四邊之矩形平面形狀，延伸構件可包括劃分在四邊之至少一邊上之複數個區塊，且複數個區塊可排列以彼此接觸或彼此間隔開。

【0025】

沉積裝置可進一步包括：排列在與遮罩之上表面間隔之上部份上且配置以將基板排列在遮罩之上表面之轉移部份；以及排列在與遮罩之下表面間隔之下部份上且配置以透過遮罩供給沉積材料給基板之沉積材料供給源。

【0026】

根據本發明實施例之一態樣，提供一種遮罩組件包括：具有框架開口之遮罩框架；及與遮罩框架之上表面耦合且覆蓋框架開口之遮罩，遮罩包括對應於框架開口之第一部份、接觸遮罩框架之上表面之第二部份及在第一部份及第二部份之間耦合且具有厚度小於第一部份及第二部份之厚度之第三部份。

【0027】

第一部分可在沿遮罩框架往遮罩之方向上位於第二部份上方。

【0028】

第一部分可在沿遮罩框架往遮罩之方向上位於第二部份下方。

【0029】

根據本發明之實施例，可達成至少以下之效應。

【0030】

根據本發明之實施例，沉積裝置可藉由將遮罩之第一部分置於離遮罩框架之上表面較遮罩之第二部分更遠以在水平方向上拉伸(或延伸)遮罩，透過在遮罩框架之框架開口之邊緣之至少一部份上排列延伸構件，使得延伸構件接觸遮罩且擠壓藉由焊接與遮罩框架耦合之遮罩之下部份。

【0031】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置可避免可為大尺寸以符合大尺寸基板之遮罩在沉積製程中下垂，且因此可避免陰影效應發生。此效應可能發生於當在沉積沉積材料在基板上時形成具有大於或小於期望薄膜圖樣的尺寸之薄膜圖樣。

【0032】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置可避免因遮罩下垂而在基板上發生沉積劣化，且在使用沉積方法製造有機發光顯示裝置之例子中，沉積裝置可解決在有機發光顯示裝置發光時的混色或類似問題。

【0033】

根據本發明的實施例，效應並不限於上面所列舉的內容，且進一步的各種效應可在本發明申請說明書中進行說明。

100、800、900、1000．．．沉積裝置

10、20．．．遮罩組件

110．．．遮罩框架

120．．．框架支架

130、930．．．遮罩

130a、930a．．．第一部份

130b、930b．．．第二部分

130c、930c．．．第三部分

140．．．轉移部分

150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g、150h、250、350、450、550、650、750、850、950、1050．．．延伸構件

160．．．沉積材料供給源

351、451、551、651．．．第一區塊

352、452、552、652．．．第二區塊

553、653．．．第三區塊

554、654．．．第四區塊

655．．．第五區塊

656．．．第六區塊

657．．．第七區塊

658．．．第八區塊

851、951．．．移動區塊

852、952．．．螺絲

853、953．．．馬達

854、954．．．馬達支撐部分

FAP．．．框架開口

MAP．．．遮罩開口

S．．．基板

C、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8．．．接觸部分

【0034】

從以下搭配附圖之詳細描述，本發明上述和其他特徵和態樣將變得更加顯而易見，其中：

【0035】

第1圖為根據本發明之例示性實施例示意性地描繪沉積裝置之剖面圖；

【0036】

第2圖為描繪第1圖中描繪之遮罩的一例之平面圖；

【0037】

第3圖為根據本發明之例示性實施例描繪第1圖中描繪之遮罩框架及延伸構件之排列之平面圖；

【0038】

第4圖為根據本發明之例示性實施例之第1圖中「A」部分之放大圖；

【0039】

第5圖至第12圖為顯示根據本發明之一些例示性實施例之第1圖中所繪之延伸構件之各種實施例的剖面圖；

【0040】

第13圖至第18圖為顯示第3圖所繪之遮罩框架及延伸構件之排列的各種實施例之平面圖；

【0041】

第19圖為根據本發明之實施例應用於沉積裝置之遮罩組件之剖面圖；

【0042】

第20圖為根據本發明之另一實施例示意性繪示沉積裝置之剖面圖；

【0043】

第21圖為根據本發明之再一實施例示意性繪出沉積裝置之剖面圖；

【0044】

第22圖為根據本發明之再一實施例示意性繪出沉積裝置之剖面圖；及

【0045】

第23圖為根據本發明之另一實施例之應用於沉積裝置之遮罩組件之剖面圖。

【0046】

本發明之實施例及特徵及其完成方法可藉由參考下文詳細說明較佳實施例及附圖而更輕易理解。然而，本發明可以許多不同方式實行且不應詮釋為限於所列之實施例。相反地，提供這些實施例以使得此揭露將更徹底及完整，且將本發明之概念完整傳達給本技術領域具有通常知識者，且本發明將僅由後附之申請專利範圍及其等效物所定義。

【0047】

其亦將理解的是，當層被提及為在另一層或基板「上」，其可為直接在其他層或基板上，或也可能存在中間層。通篇說明書中，相同的參考符號代表相同的部件。

【0048】

其將理解的是，雖然術語第一、第二、第三等可在此處被用以說明各種元件、部件、區域、層及/或部分，這些元件、部件、區域、層及/或部分不應限於這些術語。這些術語僅用以區分一元件、部件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分。因此，下文討論之第一元件、部件、區域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本發明之教示。

【0049】

下文中，本發明之較佳實施例將參考附圖詳細說明。

【0050】

第1圖為根據本發明之實施例示意性地描繪沉積裝置之剖面圖，第2圖為描繪第1圖中描繪之遮罩的一例之平面圖，且第3圖為根據本發明之實施例描繪第1圖中描繪之遮罩框架及延伸構件之排列之平面圖。

【0051】

參考第1圖，沉積裝置100為在基板S之期望位置上沉積沉積材料以形成薄膜圖樣之裝置。

【0052】

基板S可為用於顯示裝置之基板。舉例來說，基板S可為用於顯示裝置之基板，如有機發光顯示裝置、液晶顯示裝置或電漿顯示裝置。基板S可為裸基板或具有結構如薄膜及導線形成之基板。此外，基板S可為單一顯示裝置之基板或包括複數個單位晶格(unit cell)之母板，其將透過以晶格之單位作切割而為顯示基板聚集。

【0053】

沉積裝置100可安裝在沉積腔內用以沉積製程，舉例來說，氣相沉積腔，且可包括遮罩框架110、框架支架120、遮罩130、轉移部分140、延伸構件150及沉積材料供給源160。

【0054】

遮罩框架110支撐遮罩130，且可藉由焊接與遮罩130耦合。當沉積材料透過遮罩130沉積在基板S上時，遮罩框架110可形成作為不干擾沉積之結構。舉例來說，遮罩框架110可具有框架開口FAP於其中且可為帶狀。

【0055】

框架支架120支撐藉由焊接與遮罩130耦合之遮罩框架110，且安裝使得與遮罩框架110耦合之遮罩130排列在沉積腔內之製程空間中。當沉積材料透過遮罩130沉積在基板S上時，框架支架120可形成作為不干擾沉積之結構。舉例來說，遮罩框架110可形成作為可支撐框架開口FAP之外部的邊緣之結構。

【0056】

遮罩130與遮罩框架110之上表面耦合以覆蓋遮罩框架110之框架開口FAP。遮罩130可包括對應於遮罩框架110之框架開口FAP之第一部分130a、沿著從沉積材料供給源160至基板S之方向(如，從遮罩框架110至遮罩130之方向)與遮罩框架110之上表面接觸且在第一部分130a下(如，位於較下方)的第二部分130b、以及在第一部分130a與第二部分130b之間耦合(如，連接)的第三部分130c。在第一部分130a或第二部分130b與第三部分130c之間耦合的連接部分可彎曲。如第2圖中所繪，遮罩130可包括形成於對應於期望薄膜圖樣之位置之複數個遮罩開口MAP，使得透過在排列在遮罩130之上部份上之基板S上沉積沉積材料以形成期望薄膜圖樣是可能的。其中形成複數個遮罩開口MAP之遮罩130之區域可對應於遮罩框架110之框架開口FAP。舉例來說，在有機發光顯示裝置之紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層中形成紅色有機發光層之一例中，複數個遮罩開口MAP可位在對應於紅色有機發光層之圖樣之位置。第2圖描繪複數個遮罩開口MAP以狹縫狀形成。然而遮罩開口MAP可以點狀形成或可形成以包括狹縫狀及點狀。此外，第2圖描繪在遮罩130上複數個遮罩開口MAP彼此不分離，但不在此限。換言之，遮罩130可由複數個遮罩條(或分開的遮罩)構成，使得複數個遮罩開口MAP可依一方向彼此分離(如預定之方向)。

【0057】

轉移部分140排列在與遮罩130之上表面間隔之上部份上，且轉移基板S使得基板S排列與遮罩130之上表面相鄰或接觸。轉移部份140可配置以進行垂直移動。

【0058】

延伸構件150排列在框架開口FAP之邊緣之至少一部分上以從遮罩框架110之上表面突起。舉例來說，延伸構件150可沿框架開口FAP之邊緣排列於框架開口中，且可包括向遮罩框架110上表面突起之一區塊。

【0059】

當延伸構件150排列在框架開口FAP邊緣之至少一部份上時，當擠壓藉由焊接與遮罩框架110耦合之遮罩130之下部份時，延伸構件150與遮罩130接觸。此方式中，延伸構件150用於在水平方向上延伸遮罩130(如第一部分130a)，其係藉由使遮罩130之第一部份130a具有長於遮罩130之第二部分130b之垂直距離之垂直距離(從遮罩框架110之上表面起測量)，即藉由使第一部分130a在從遮罩框架110至遮罩130之方向上高於第二部分130b。因此，避免遮罩130向下下垂。雖未說明，延伸構件150可與遮罩框架110透過螺絲或類似物耦合或分離。在其中延伸構件150透過螺絲與遮罩框架110耦合之例示性實施例中，延伸構件150可與遮罩框架110透過螺絲接觸或分離。在一些實施例中，延伸構件150具有長的長度，且因此與沉積腔之內壁透過螺絲可耦合或可維持分離。與遮罩130接觸之延伸構件150之接觸部分C之細節將在之後說明。

【0060】

沉積材料供給源160排列在沉積腔之內部空間中與遮罩130之下表面間隔之下部份。沉積材料供給源160從遮罩130之下側供給沉積材料至遮罩130，使得期望薄膜圖樣透過遮罩130之遮罩開口MAP形成在基板S上。舉例來說，沉積材料供給源160可於遮罩130之方向，藉由汽化沉積材料(如預定沉積材料)供給沉積材料，例如有機發光層材料或電極材料、從遮罩130之下部份往遮罩130之方向。在此實施例中，沉積材料供給源160可以藉由用高溫加熱沉積材料而汽化沉積材料之沉積源來實施。

【0061】

在一些實施例中，沉積材料供給源160可在沉積腔中安裝為在水平方向上可移動一段距離(如預定距離)。舉例來說，用以使沉積材料供給源160在水平方向上轉移一段距離(如預定距離)之轉移單元可安裝在沉積腔內。

【0062】

接著，將詳細說明與遮罩130接觸之延伸構件150之接觸部分。延伸構件150之接觸部分之剖面可具有多邊形、半圓形、半橢圓形、或其組合之形狀。

【0063】

第4圖為根據本發明之例示性實施例之第1圖中「A」部分之放大圖。

【0064】

參考第4圖，延伸構件150之接觸部分C可具有矩形剖面。延伸構件150垂直移動以接觸及固定於第一部分130a，且擠壓遮罩130之下部份，具體來說，具寬接觸面積之第一部分130a，並因此在水平方向上可提高用以延伸第一部分130a之延伸力(extension force)，具體來說，在第二部分130b之方向上。因此，延伸構件150可避免放大以符合大尺寸之基板之遮罩130下垂，且因此可避免發生其中當沉積材料沉積在基板S上時，形成具有比期望薄膜圖樣更大或更小之尺寸的薄膜圖樣之陰影效應(shadow effect)。此例中，當第一部分130a在水平方向上延伸時，延伸構件150可將第一部分130a延伸成像第三部分130c的寬度一樣寬。

【0065】

下文中，應用於上述沉積裝置之具有各種適合形狀之接觸部分之延伸構件將更詳細地說明。

【0066】

第5圖至第12圖為顯示第1圖中所繪延伸構件之各種實施例的剖面圖。

【0067】

參考第5圖至第12圖，延伸構件150a至150h配置以在接觸部分C1至C8之側表面及遮罩130其第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分之間形成空間間隙。因此，當延伸構件150a至150h在水平方向上延伸遮罩130之第一部分130a時，具有變薄之厚度的遮罩130之第三部分130c避免被延伸構件150a至150h之隅角損傷。

【0068】

具體來說，第5圖繪出延伸構件150a包括具有三角形剖面之接觸部分C1的之一例。延伸構件150a配置以在接觸部分C1及遮罩130之第一部分130a之間具有小的接觸面積，且因此可應用於其中遮罩130具有小尺寸且遮罩130下垂並不顯著之例子中。

【0069】

第6圖繪出其中延伸構件150b包括具有六角形剖面之接觸部分C2的一例。在一個實施例中，延伸構件150b包括藉由將具有矩形剖面之接觸部分C之相對的上方兩隅角(或邊緣)皆倒角而形成的接觸部分C2。延伸構件150b具有一結構，其中接觸部分C2之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且因此藉由提升接觸部分C2及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積而提高在水平方向上延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力。

【0070】

第7圖繪出延伸構件150c包括具有五角形剖面之接觸部分C3的一例。在一個實施例中，延伸構件150c包括藉由將具有矩形剖面之接觸部分C之相對上方兩隅角(或邊緣)之其中之一，其面向遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，倒角而形成的接觸部分C3。如第6圖中延伸構件150b相同的方式，延伸構件150c具有一結構，其中接觸部分C3之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且當提升接觸部分C3及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積時，水平方向上用於延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力(如縱向拉伸力)因而提高。

【0071】

第8圖繪出其中延伸構件150d包括藉由將具有矩形剖面之接觸部分C之相對上方兩隅角(或邊緣)之其中之一，其面向遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，以直線形式倒角且將另一隅角(或邊緣)以圓形形式倒角而形成的接觸部分C4。如第6圖中延伸構件150b相同的方式，延伸構件150d也具有一結構，其中接觸部分C4之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且因此藉由提升接觸部分C4及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積而提高在水平方向上用於延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力(如縱向拉伸力)。

【0072】

第9圖繪示延伸構件150e包括具有半圓形剖面之接觸部分C5的一例。延伸構件150e具有一結構，其中接觸部分C5及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積稍大於第5圖之延伸構件150a，且可應用以在遮罩130具有小尺寸且遮罩130之下垂不明顯的一例中達到穩定接觸遮罩130。

【0073】

第10圖繪出延伸構件150f包括具有半橢圓形剖面之接觸部分C6的一例。如第6圖中延伸構件150b相同的方式，延伸構件150f也具有一結構，其中接觸部分C6之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且因此藉由提升接觸部分C6及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積而在水平方向上提高用於延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力。

【0074】

第11圖繪出其中延伸構件150g包括藉由將具有矩形剖面之接觸部分C之相對的上方隅角(或邊緣)之其中之一，其面向遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，以圓形形式倒角，且將另一隅角以直線形式倒角而形成的接觸部分C7之例子。如第6圖中延伸構件150b相同的方式，延伸構件150g也具有一結構，其中接觸部分C7之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且因此藉由提升接觸部分C7及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積提高在水平方向上用於延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力。

【0075】

第12圖繪出其中延伸構件150h包括藉由將具有矩形剖面之接觸部分C之相對的上方隅角(或邊緣)之其中之一，其面向遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，以圓形形式倒角而形成之接觸部分C8。如第7圖中延伸構件150c相同的方式，延伸構件150h也具有一結構，其中接觸部分C8之側表面未觸及遮罩130之第一部分130a與第三部分130c彼此接觸之部分，且因此藉由提升接觸部分C8及遮罩130之第一部分130a間之接觸面積而提高水平方向上用於延伸遮罩130之第一部分130a之延伸力。

【0076】

下文中，將更詳細的說明第3圖中所示遮罩框架及延伸構件之排列的各種實施例。

【0077】

第13圖至第18圖顯示為第3圖所繪之遮罩框架及延伸構件之排列的各種實施例之平面圖。

【0078】

參考第13圖至第18圖，舉例來說，在遮罩框架110之框架開口FAP為具有四邊之矩形平面之形狀之例子中，證明了延伸構件包括排列在四邊中任一邊上之區塊，且能夠控制遮罩之期望部分在水平方向上之延伸。

【0079】

第13圖繪出其中延伸構件250於遮罩框架110之框架開口FAP中以X軸方向排列在框架開口FAP邊緣之其中一邊上之例子。在遮罩130具有小尺寸且因此遮罩130下垂並不明顯之例子中，應用此延伸構件250透過與遮罩130之一邊接觸以在水平方向上精確延伸遮罩130之一邊。

【0080】

第14圖繪出一例其中延伸構件350包括第一區塊351及第二區塊352 於遮罩框架110之框架開口FAP中依X軸方向排列在框架開口FAP邊緣之兩側。在遮罩130依X軸方向下垂之此例中，延伸構件350藉由透過第一區塊351及第二區塊352以平衡的方式在x軸方向水平延伸遮罩130而避免遮罩130下垂。

【0081】

第15圖繪出一例其中延伸構件450包括第一區塊451及第二區塊452於遮罩框架110之框架開口FAP中依Y軸方向排列在框架開口FAP邊緣之兩側。在遮罩130依Y軸方向下垂之此例中，此延伸構件450可藉由透過第一區塊451及第二區塊452在Y軸方向上以平衡的方式水平延伸遮罩130而避免遮罩130下垂。

【0082】

第16圖繪出一例其中延伸構件550包括第一區塊551、第二區塊552、第三區塊553及第四區塊554在遮罩框架110之框架開口FAP中排列在框架開口FAP之四邊上。根據此例，第一區塊551、第二區塊552、第三區塊553及第四區塊554可獨立控制與遮罩130接觸及擠壓遮罩130之下部份，且因此，遮罩130依水平方向延伸之位置可依遮罩130下垂的方式(例如，位置)而多樣化的調整(或不同的設定)。

【0083】

第17圖繪出一例其中延伸構件650包括第一區塊651、第二區塊652、第三區塊653、第四區塊654、第五區塊655、第六區塊656、第七區塊657及第八區塊658，使得複數個分離區塊在遮罩框架110之框架開口FAP中排列在框架開口FAP之四邊之至少一邊上。根據此例，第一區塊651、第二區塊652、第三區塊653、第四區塊654、第五區塊655、第六區塊656、第七區塊657及第八區塊658可獨立控制與遮罩130接觸及擠壓遮罩130之下部份，且因此，遮罩130依水平方向延伸之位置可進一步詳細依遮罩130下垂的位置而多樣化的調整(或不同的設定)。

【0084】

第18圖繪出一例其中延伸構件750包括在遮罩框架110之框架開口FAP中劃分於框架開口FAP之四邊上且彼此間隔排列之複數個區塊。根據此例，複數個區塊可獨立控制與遮罩130接觸及擠壓遮罩130之下部份，且因此複數個區塊間的干擾可不會發生。

【0085】

在使用上述延伸構件150、150a至150h、250、350、450、550、650及750在水平方向上延伸遮罩130之例子中，複數個遮罩開口MAP之間距可能改變(如變得扭曲)，且考量那樣的改變(如扭曲)，複數個遮罩開口MAP在調整複數個遮罩開口MAP的間距之狀態下可初始形成在遮罩130上。此外，延伸構件150、150a至150h、250、350、450、550、650及750可控制以在水平方向上於一段範圍(如可接受範圍)內拉伸(或延伸)遮罩130，其中複數個遮罩開口MAP間之間距之改變(如扭曲)為容許的。

【0086】

如上述，根據本發明之實施例，沉積裝置100可藉由將遮罩130之第一部分130a置於離遮罩框架110之上表面較遮罩130之第二部分130b更遠以在水平方向上拉伸(或延伸)遮罩130，即，藉由將第一部分130a在從遮罩框架110至遮罩130之方向上置於高於第二部分130b。此可透過在遮罩框架110之框架開口FAP之邊緣之至少一部分上之延伸構件150之排列來達成，使得延伸構件150接觸遮罩130，且擠壓藉由焊接與遮罩框架110耦合之遮罩130之下部份。

【0087】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置100可避免為大尺寸以符合大尺寸基板S之遮罩130在沉積製程中下垂，且因此可避免陰影效應發生。此效應可能發生於當沉積沉積材料在基板S上時，因遮罩130下垂而形成具有大於或小於所期望薄膜圖樣的尺寸之薄膜圖樣。

【0088】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置100可避免因遮罩下垂而在基板S上發生沉積劣化，且在使用沉積方法製造有機發光顯示裝置之例子中，沉積裝置可解決在有機發光顯示裝置發光時的混色或相似問題。

【0089】

接著，根據本發明之實施例，將說明應用於沉積裝置100之遮罩組件。

【0090】

第19圖為根據本發明之實施例應用於沉積裝置之遮罩組件之剖面圖。

【0091】

參考第19圖，根據本發明之實施例，應用於沉積裝置100之遮罩組件10包括遮罩框架110及遮罩130。

【0092】

遮罩框架110支撐遮罩130，且藉由焊接與遮罩130耦合。當沉積材料透過遮罩130沉積在基板S上時，遮罩框架110可形成作為不干擾沉積之結構。舉例來說，遮罩框架110可具有框架開口FAP於其中，且可為帶狀。

【0093】

遮罩130與遮罩框架110之上表面耦合以覆蓋遮罩框架110之框架開口FAP。遮罩130可包括對應於遮罩框架110之框架開口FAP之第一部分130a、與遮罩框架110之上表面接觸之第二部分130b、以及在第一部分130a及第二部分130b之間耦合之第三部分130c。在此例中，因為第1圖之延伸構件150排列在框架開口FAP邊緣之至少一部份上以從遮罩框架110之上表面突出，第一部分130a可在從遮罩框架110至遮罩130之方向上位於第二部分130b上(如位於較上方)，且在第一部分130a或第二部分130b與第三部分130c之間耦合的連接部分可為彎曲的。此外，第三部分130c藉由延伸構件150可依水平方向延伸，且可具有較第一部分130a及第二部分130b薄的厚度。

【0094】

接著，根據本發明之另一實施例，將說明沉積裝置800。

【0095】

第20圖為根據本發明之另一實施例示意性繪示沉積裝置之剖面圖。

【0096】

參考第20圖，根據本發明之另一實施例，沉積裝置800可被安裝在沉積腔中，舉例來說，氣相沉積腔，且可包括遮罩框架110、框架支架120、遮罩130、轉移部份140、延伸構件850及沉積材料供給源160。

【0097】

根據本發明之實施例，除了增加延伸構件850外，沉積裝置800具有基本上與第1圖中沉積裝置100相同之配置。因此，根據本發明之實施例，針對沉積裝置800，解釋將主要地聚焦在延伸構件850上。

【0098】

延伸構件850排列在遮罩框架110之框架開口FAP之邊緣之至少一部份之下部份中，且配置為垂直移動的。延伸構件850可包括移動區塊(可被稱作區塊)851、螺絲852、馬達853及馬達支撐部分854。

【0099】

移動區塊851可向上垂直移動，且藉由接觸遮罩130及擠壓遮罩130之下部份以依水平方向拉伸(或延伸)遮罩130。移動區塊851可基本上如第3圖中延伸構件150、第13圖中延伸構件250、第14圖中延伸構件350、第15圖中延伸構件450、第16圖中延伸構件550、第17圖中延伸構件650及/或第18圖中延伸構件750相同之排列來排列。此外，移動區塊851可具有接觸部分如第4圖至第12圖中所示之延伸構件150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g或150h之接觸部分之任一或其組合基本上相同之形式。

【0100】

螺絲852與移動區塊851耦合，且藉由馬達853旋轉以上下垂直移動此移動區塊851。再一例中，螺絲852數量可與移動區塊851數量相同，且為了準確控制，螺絲852之數量可大於移動區塊851之數量。

【0101】

馬達853與螺絲852耦合，且產生動力以旋轉螺絲852。馬達853之數量可與螺絲852之數量相同。藉由分離控制部分可控制馬達853之驅動。

【0102】

馬達支撐部分854在馬達853之下部份以支撐馬達853。

【0103】

雖然第20圖繪出延伸構件850包括移動區塊851、螺絲852、馬達853及馬達支撐部分854，延伸構件850可由使用升降銷(lift pins)之移動構件或包括線性導軌及螺絲之移動構件，及/或其類似物構成。

【0104】

在使用上述延伸構件850依水平方向延伸遮罩130中，複數個遮罩開口MAP之間距可能改變(如變得扭曲)，且考量那樣的改變(如扭曲)，複數個遮罩開口MAP在調整複數個遮罩開口MAP的間距之狀態下可初始形成在遮罩130上。此外，延伸構件850可控制以在水平方向上於一段範圍(如可接受範圍)內拉伸(或延伸)遮罩130，其中複數個遮罩開口MAP間距之改變(如扭曲)為被容許的。

【0105】

如上述，根據本發明之另一實施例，沉積裝置800可藉由將遮罩130之第一部分130a置於離遮罩框架110之上表面較遮罩130之第二部分130b更遠以在水平方向上延伸遮罩130，即，藉由將第一部分130a置於在從遮罩框架110至遮罩130之方向上高於第二部分130b。此可透過排列延伸構件850在遮罩框架110之框架開口FAP之邊緣之至少一部份上之下部份中，並移動延伸構件850向上使得延伸構件850接觸遮罩130且擠壓遮罩130之下部份。

【0106】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置800可避免為大尺寸以符合大尺寸基板S之遮罩130在沉積製程中下垂，且因此可避免陰影效應發生。此效應可能發生於沉積沉積材料在基板上時，因遮罩130下垂而形成具有大於或小於期望薄膜圖樣的尺寸之薄膜圖樣。

【0107】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置800可避免因遮罩下垂而在基板S上發生沉積劣化，且在使用沉積方法製造有機發光顯示裝置之例子中，沉積裝置可解決在有機發光顯示裝置發光時的混色或相似問題。

【0108】

接著，根據本發明之再一實施例將說明沉積裝置900。

【0109】

第21圖根據本發明之再一實施例示意性繪出沉積裝置之剖面圖。

【0110】

參考第21圖，根據本發明之再一實施例，沉積裝置900可被安裝在沉積腔中，舉例來說，氣相沉積腔，且可包括遮罩框架110、框架支架120、遮罩930、轉移部份140、延伸構件950及沉積材料供給源160。

【0111】

根據本發明之實施例，除了增添遮罩930及延伸構件950外，沉積裝置900具有基本上與第1圖中沉積裝置100相同之配置。因此，根據本發明之實施例，在沉積裝置900中，解釋將主要地聚焦在遮罩930及延伸構件950上。

【0112】

遮罩930與遮罩框架110之上表面耦合以覆蓋遮罩框架110之框架開口FAP，且以第1圖之遮罩130相似之方式，遮罩930可包括對應於遮罩框架110之遮罩開口FAP之第一部分930a、與遮罩框架110上表面接觸之第二部分930b、及在第一部分930a及第二部分930b之間耦合之第三部分930c。然而，遮罩930之第一部份930a在沿著從沉積材料供給源160往基板S之方向上(如，從遮罩框架110往遮罩930之方向)位在第二部分930b下(例如，位於較下方)。

【0113】

延伸構件950排列在遮罩框架110之框架開口FAP邊緣之至少一部份中，且固定排列在遮罩930之下部份以垂直移動。延伸構件950可包括移動區塊(可被稱作區塊)951、螺絲952、馬達953及馬達支撐部分954。

【0114】

移動區塊951可垂直向下移動，且在移動區塊951固定於遮罩930之狀態下依水平方向拉伸(或延伸)遮罩930。移動區塊951可基本上如第3圖中延伸構件150、第13圖中延伸構件250、第14圖中延伸構件350、第15圖中延伸構件450、第16圖中延伸構件550、第17圖中延伸構件650及/或第18圖中延伸構件750之相同排列來排列。此外，移動區塊951可具有接觸部分如第4圖至第12圖中所示之延伸構件150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g或150h之接觸部分之其中任一或其組合之基本上相同之形式。

【0115】

在移動區塊951固定於遮罩930之下部份前，移動區塊951可排列在遮罩框架110之框架開口FAP邊緣至少一部份之下部份中。移動區塊951可向上垂直移動以固定於遮罩930之下部份，且可藉以螺絲被固定於遮罩930。

【0116】

螺絲952與移動區塊951耦合，且藉由馬達953旋轉以上下垂直移動移動區塊951。在一例中，螺絲952數量可與移動區塊951數量相同，且為了準確控制，螺絲952之數量可大於移動區塊951之數量。

【0117】

馬達953與螺絲952耦合，且產生動力以旋轉螺絲952。馬達953數量與螺絲952數量相同。藉由分離控制部分可控制馬達953之驅動。

【0118】

馬達支撐部分954在馬達953之下部份以支撐馬達953。

【0119】

雖然第21圖繪出延伸構件950包括移動區塊951、螺絲952、馬達953及馬達支撐部分954，延伸構件950可由使用升降銷之移動構件或包括線性導軌及螺絲之移動構件，及/或其類似物構成。

【0120】

在使用上述延伸構件950依水平方向延伸遮罩930之一例中，複數個遮罩開口(第2圖中之遮罩開口MAP)間之間距可能改變(如變得扭曲)，且考量那樣的改變(如扭曲)，複數個遮罩開口MAP在調整複數個遮罩開口MAP的間距之狀態下可初始形成在遮罩930上。此外，延伸構件950可控制以在水平方向上以一段範圍(如可接受範圍)內拉伸(或延伸)遮罩930，其中複數個遮罩開口MAP間距之改變(如扭曲)為被容許的。

【0121】

如上述，根據本發明之另一實施例，沉積裝置900可藉由將遮罩930之第一部分930a置於離遮罩框架110之上表面較遮罩930之第二部分930b更遠以在水平方向上拉伸遮罩930，即，藉由將第一部分930a在從遮罩框架110至遮罩930之方向上置於低於第二部分930b，在遮罩框架110之框架開口FAP之邊緣至少一部份上藉由固定地排列延伸構件950於遮罩930之下部份且向下移動延伸構件950使得延伸構件950接觸遮罩930且拉展遮罩930之下部份。

【0122】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置900可避免為大尺寸以符合大尺寸基板S之遮罩930在沉積製程中下垂，且因此可避免陰影效應發生。此效應可能發生於沉積沉積材料在基板S上時，因遮罩930下垂而形成具有大於或小於期望薄膜圖樣的尺寸之薄膜圖樣。

【0123】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置900可避免因遮罩930下垂而在基板S上發生沉積劣化，且在使用沉積方法製造有機發光顯示裝置之例子中，沉積裝置可解決在有機發光顯示裝置發光時的混色或相似問題。

【0124】

接著，根據本發明之再一實施例將說明沉積裝置1000。

【0125】

第22圖示意性繪出根據本發明之再一實施例之沉積裝置之剖面圖。

【0126】

參考第22圖，根據本發明之一實施例，沉積裝置1000可被安裝在沉積腔中，舉例來說，氣相沉積腔，且可包括遮罩框架110、框架支架120、遮罩930、轉移部份140、延伸構件1050及沉積材料供給源160。

【0127】

根據本發明之實施例，除了遮罩930及延伸構件1050外，沉積裝置1000具有基本上與第1圖中沉積裝置100相同之配置。因此，根據本發明之實施例，對於沉積裝置1000，解釋將主要地聚焦在遮罩930及延伸構件1050上。

【0128】

遮罩930與遮罩框架110之上表面耦合以覆蓋遮罩框架110之框架開口FAP，且為與第1圖之遮罩130相似的形式，遮罩930包括對應於遮罩框架110之框架開口FAP之第一部分930a、與遮罩框架110上表面接觸之第二部分930b、及在第一部分930a及第二部分930b之間耦合(如連接)之第三部分930c。然而，遮罩930之第一部份930a在沿著從沉積材料供給源160往基板S之方向上(如，從遮罩框架110往遮罩930之方向)位在第二部分930b下(例如位於較下方)。

【0129】

延伸構件1050排列在遮罩框架110之框架開口FAP邊緣之至少一部份中，且排列在遮罩930之上部份以向下移動。延伸構件1050可由可被擠壓的擠壓區塊(或可稱作區塊)所構成。

【0130】

構成延伸構件1050之擠壓區塊可垂直向下移動，且透過與遮罩930接觸並擠壓遮罩930之上部份而依水平方向拉伸(或延伸)遮罩930。延伸構件1050可基本上地如第3圖中延伸構件150、第13圖中延伸構件250、第14圖中延伸構件350、第15圖中延伸構件450、第16圖中延伸構件550、第17圖中延伸構件650及/或第18圖中延伸構件750之相同排列來排列。此外，延伸構件1050可具有接觸部分如第4圖至第12圖中所示之延伸構件150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g或150h之接觸部分之其中任一或其組合基本上相同之形式。

【0131】

雖未說明，由擠壓區塊構成之延伸構件1050可進一步包括螺絲及馬達以向下移動。

【0132】

此外，在使用上述延伸構件1050依水平方向延伸遮罩930之一例中，複數個遮罩開口(見第2圖中之遮罩開口MAP)間之間距可能改變(如變得扭曲)，且考量那樣的改變(如扭曲)，複數個遮罩開口MAP在調整複數個遮罩開口MAP間的間距之狀態下可初始形成在遮罩130上。此外，延伸構件1050可控制以在水平方向上於一段範圍(如可接受範圍)內拉伸遮罩930，其中複數個遮罩開口MAP間之間距之改變(如扭曲)為被容許的。

【0133】

如上述，根據本發明之再一實施例，沉積裝置1000可藉由將遮罩930之第一部分930a置於離遮罩框架110之上表面較遮罩930之第二部分930b更遠以在水平方向上拉伸遮罩930，亦即，藉由將第一部分930a在從遮罩框架110往遮罩930之方向上置於低於第二部分930b，藉由排列延伸構件1050於遮罩框架110之框架開口FAP邊緣之至少一部份中之遮罩930之上部份且向下移動延伸構件1050，使得延伸構件1050接觸遮罩930且擠壓遮罩930之上部份。

【0134】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置1000可避免為大尺寸以符合大尺寸基板S之遮罩930在沉積製程中下垂，且因此可避免陰影效應發生。此效應可能發生於沉積沉積材料在基板S上時，因遮罩930下垂而形成具有大於或小於期望薄膜圖樣的尺寸之薄膜圖樣。

【0135】

因此，根據本發明之實施例，沉積裝置1000可避免因遮罩930下垂而在基板S上發生沉積劣化，且在使用沉積方法製造有機發光顯示裝置之例子中，沉積裝置可解決在有機發光顯示裝置發光時的混色或相似問題。

【0136】

接著，根據本發明之另一實施例將說明應用於沉積裝置900或1000之遮罩組件。

【0137】

【0138】

參考第23圖，根據本發明之實施例，應用於沉積裝置900或1000之遮罩組件20包括遮罩框架110及遮罩930。

【0139】

遮罩框架110支撐遮罩930，且藉由焊接與遮罩930耦合。當沉積材料透過遮罩930沉積在基板S上時，遮罩框架110可形成作為不干擾沉積之結構。舉例來說，遮罩框架110可具有框架開口FAP於其中，且可為帶狀。

【0140】

遮罩930與遮罩框架110之上表面耦合以覆蓋遮罩框架110之框架開口FAP。遮罩930可包括對應於遮罩框架110之框架開口FAP之第一部分930a、與遮罩框架110上表面接觸之第二部分930b、及在第一部分930a及第二部分930b之間耦合之第三部分930c。此例中，因為第21圖或第22圖中之延伸構件950或1050垂直向下移動且依水平方向拉伸遮罩930，第一部份930a在沿著從遮罩框架110往遮罩930之方向上可在第二部分930b下(例如位在較下方)，且在第一部分930a或第二部分930b與第三部分930c之間耦合的連接部分可為彎曲的。此外，藉由延伸構件950或1050，第三部分930c可依水平方向延伸，且可具有較第一部分930a及第二部分930b薄之厚度。

【0141】

總結詳細說明，本領域具有通常知識者將理解的是，在基本上不脫離本發明之原則下可對較佳實施例進行各種變化及修改。因此，本發明之揭露實施例僅用於通用性及敘述性意義而非限制目的。相反地，本發明將由後附之申請專利範圍及其等效物所定義。

S．．．基板

100．．．沉積裝置

110．．．遮罩框架

120．．．框架支架

130．．．遮罩

130a．．．第一部份

130b．．．第二部分

130c．．．第三部分

140．．．轉移部分

150．．．延伸構件

160．．．沉積材料供給源

FAP．．．框架開口

Claims

【第1項】

一種沉積裝置，其包括：
一遮罩框架，具有一框架開口；
一遮罩，與該遮罩框架之上表面耦合且配置以覆蓋該框架開口；及
一延伸構件，排列在該框架開口之邊緣之至少一部份上且配置以從該遮罩框架之上表面突出，且使得對應於該框架開口之該遮罩之一第一部分具有垂直距離長於與該遮罩框架之上表面接觸之該遮罩之一第二部分之垂直距離，各垂直距離從該遮罩框架之上表面起測量。
【第2項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中該第一部分在沿該遮罩框架往該遮罩之方向上位於該第二部分上方。
【第3項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中該延伸構件包括一區塊在該框架開口內沿該框架開口之邊緣排列。
【第4項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中該延伸構件包括接觸該遮罩之一接觸部分，且該接觸部分之剖面具有多邊形、半圓形、半橢圓形或其組合之形狀。
【第5項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中
該遮罩包括在該第一部分及該第二部分之間耦合之一第三部分，
該延伸構件包括接觸該遮罩之該第一部分之一接觸部分，且
一間隙形成於該第一部分及該第三部分接觸彼此之一部分及該接觸部分之側表面之間。
【第6項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中該框架開口為具有四邊之一矩形平面之形狀，且
該延伸構件包括排列在該四邊之至少一邊之一區塊。
【第7項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其中該框架開口為具有四邊之一矩形平面之形狀，
該延伸構件包括劃分在該四邊之至少一邊上之複數個區塊，且
該複數個區塊排列以彼此接觸或彼此間隔開。
【第8項】

如申請專利範圍第1項所述之沉積裝置，其進一步包括：
一轉移部份，排列在與該遮罩之上表面間隔之上部份上且配置以將一基板排列在該遮罩之上表面上；及
一沉積材料供給源，排列在與該遮罩之下表面間隔之下部份上且配置以透過該遮罩供給一沉積材料給該基板。
【第9項】

一種沉積裝置，其包括：
一遮罩框架，具有一框架開口；
一遮罩，與該遮罩框架之上表面耦合且覆蓋該框架開口；及
一延伸構件，排列在該框架開口之邊緣之至少一部份之下部份或上部份中且各別配置以移動至上部份或下部份，且使得對應於該框架開口之該遮罩之一第一部份具有垂直距離長於與該遮罩框架之上表面接觸之該遮罩之一第二部分之垂直距離，各垂直距離從該遮罩框架之上表面起測量。
【第10項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該第一部分在沿該遮罩框架往該遮罩之方向上位於該第二部分上方。
【第11項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該第一部分在沿該遮罩框架往該遮罩之方向上位於該第二部分下方。
【第12項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該延伸構件包括一區塊在該框架開口內沿該框架開口之邊緣排列。
【第13項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該延伸構件包括接觸該遮罩之一接觸部分，且該接觸部分之剖面具有多邊形、半圓形、半橢圓形或其組合之形狀。
【第14項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中
該遮罩包括在該第一部分及該第二部分之間耦合之一第三部分，
該延伸構件包括接觸該遮罩之該第一部分之一接觸部分，及
一間隙形成於該第一部分及該第三部分接觸彼此之一部分及該接觸部分之側表面之間。
【第15項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該框架開口為具有四邊之一矩形平面之形狀，及
該延伸構件包括排列在該四邊之至少一邊之一區塊。
【第16項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其中該框架開口為具有四邊之一矩形平面之形狀，
該延伸構件包括劃分在該四邊之至少一邊上之複數個區塊，且
該複數個區塊排列以彼此接觸或彼此間隔開。
【第17項】

如申請專利範圍第9項所述之沉積裝置，其進一步包括：
一轉移部份，排列在與該遮罩之上表面間隔之上部份上且配置以將一基板排列在該遮罩之上表面上；及
一沉積材料供給源，排列在與該遮罩之下表面間隔之下部份上且配置以透過該遮罩供給一沉積材料給該基板。
【第18項】

一種遮罩組件，其包括：
一遮罩框架，具有一框架開口；及
一遮罩，與該遮罩框架之上表面耦合且覆蓋該框架開口，該遮罩包括對應於該框架開口之一第一部份、接觸該遮罩框架之上表面之一第二部份、以及在該第一部份及該第二部份之間耦合且具有厚度小於該第一部份及該第二部份之一第三部份。
【第19項】

如申請專利範圍第18項所述之遮罩組件，其中該第一部分在沿該遮罩框架往該遮罩之方向上位於該第二部份上方。
【第20項】

如申請專利範圍第18項所述之遮罩組件，其中該第一部分在沿該遮罩框架往該遮罩之方向上位於該第二部分下方。