TWI624902B - Modification method of electrostatic fixture and plasma processing device - Google Patents
Modification method of electrostatic fixture and plasma processing device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI624902B TWI624902B TW102145487A TW102145487A TWI624902B TW I624902 B TWI624902 B TW I624902B TW 102145487 A TW102145487 A TW 102145487A TW 102145487 A TW102145487 A TW 102145487A TW I624902 B TWI624902 B TW I624902B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gas
- electrostatic chuck
- wafer
- modifying
- plasma
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 281
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 136
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 6
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 173
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 42
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 42
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005426 magnetic field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
提供一種靜電夾具之改質方法及電漿處理裝置，係可控制靜電夾具表面之氟化。
提供一種靜電夾具之改質方法，係將被處理體靜電吸附的靜電夾具之改質方法，係包含有：在載置有表面經氟化後之該靜電夾具的腔室內，供給含氫H與氧O的氣體之氣體供給步驟；以及藉由高頻電力來將該所供給之氣體電漿化，並藉由將該靜電夾具暴露於電漿來將該靜電夾具表面改質之改質步驟。
Description
本發明係關於一種靜電夾具之改質方法及電漿處理裝置
藉由電漿的作用來蝕刻晶圓時，反應生成物會沉積至腔室之壁面。在沉積之反應生成物的厚度達到既定厚度以上時，其一部分會剝落而變成顆粒進而有對蝕刻處理造成不良影響的情況。於是，在每一個既定期間會進行用以去除沉積於腔室內的反應生成物之清潔處理，或是用以整頓腔室內氛圍之處理。
近年，為了降低成本大多係不使用清潔用之晶圓而進行乾式清潔之無晶圓乾洗(Waferless Dry Cleaning：以下，稱WLDC)(例如參照專利文獻1)。在進行時，由於為無晶圓之處理，故會使得靜電夾具暴露於電漿。
特別是，在蝕刻矽系膜的處理中，為了去除沉積於腔室壁面之矽系反應生成物，會使用SF6氣體與O2氣體之混合氣體或是CF4氣體與O2氣體之混合氣體來進行WLDC。在靜電夾具暴露於此般氟系氣體所生成之電漿時，靜電夾具的表面會慢慢地氟化。例如，在靜電夾具的表面以Y2O3的火焰噴塗皮膜來加以形成的情況，靜電夾具的表面會氟化，而改質為YF。YF係較Y2O3的體積阻抗率要低。也就是說，靜電夾具之表面被改質為YF時，其表面相較於Y2O3時電流會較容易流通。其結果，在靜電夾具之表面為Y2O3的狀態中，相對於以庫倫力將晶圓靜電吸附，在該表面為YF時，會成為也藉由強森-拉貝克力(Johnson-Rahbek effect)來吸附晶圓之方式而使得吸附力增加。藉此，在將晶圓從靜電夾具脫離時施加在支撐銷之扭矩(以下，
稱為銷扭矩)會慢慢地增加，而使得晶圓難以從靜電夾具剝離，並在脫離時晶圓會彈起而造成破損或破裂。
於是，為了不讓晶圓發生破損或破裂，遂隨著靜電夾具的吸附力增大而進行調整晶圓脫離時的除電條件。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特表2008-519431號公報
然而，隨著靜電夾具的吸附力增大而調整晶圓脫離時的除電條件時，除了在晶圓脫離時的除電時間會變長，還會因為需要有重複調整作業，而有所謂的產量下降而生產性低落的課題。
對於上述課題，因為只要可抑制靜電夾具的表面氟化，也就可抑制靜電夾具的吸附力增加，故晶圓脫離時的除電時間便不會變長，且上述之調整作業亦不需要，進而可維持生產性。
在此，本發明一實施形態中，目的係在於提拱一種可抑制靜電夾具表面之氟化的靜電夾具之改質方法及電漿處理裝置。
為了解決上述課題，根據本發明之一樣態提供一種靜電夾具之改質方法，係將被處理體靜電吸附的靜電夾具之改質方法，包含有：在載置有表面經氟化後之該靜電夾具的腔室內，供給含氫H與氧O的氣體之氣體供給步驟；以及藉由高頻電力來將該所供給之氣體電漿化，並藉由將該靜電夾具暴露於電漿來將該靜電夾具表面改質之改質步驟。
可進一步地包含有在該改質步驟前或後，實行含氟F系氣體之氣體的無晶圓乾洗之清潔步驟。
該氣體供給步驟中所供給之氣體可為溴化氫(HBr)氣體與氧氣(O2)氣體。
該氣體供給步驟中所供給之氧氣對溴化氫氣體的流量比可為1/99~1/49之範圍。
在該改質步驟中藉由該腔室的附近設置之磁場產生機構所產生之磁場的磁通量密度可較該清潔步驟中藉由該磁場產生機構所產生之磁場的磁通量密度要高。
該靜電夾具可由氧化釔(Y2O3)所形成，並氟化該表面。
藉由該氣體供給步驟中所供給之氫H來將該靜電夾具表面之氟F與氫H鍵結，而藉由該氣體供給步驟中所供給之氧O可氧化該靜電夾具的表面。
改質步驟可依每批來加以實行。
又，為了解決上述課題，根據本發明之其他樣態，係提供一種電漿處理裝置，其具有：腔室，係在內部對被處理體實施所欲之處理；靜電夾具，係配置於該腔室內，並將被處理體靜電吸附；氣體供給源，係供給氣體至該腔室內；以及控制部，係以從該氣體供給源供給含氫H與氧O的氣體之方式來加以控制，並以將該所供給之氣體藉由高頻電力來電漿化，而藉由將該靜電夾具暴露於電漿來改質該靜電夾具經氟化後之表面的方式來加以控制。
根據本發明，便可提供一種可抑制靜電夾具的表面之氟化的靜電夾具之改質方法及電漿處理裝置。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧腔室
12‧‧‧載置台(下部電極)
28‧‧‧排氣裝置
32‧‧‧高頻電源
34‧‧‧匹配器
38‧‧‧噴淋頭(上部電極)
40‧‧‧靜電夾具
52‧‧‧導熱氣體供給源
62‧‧‧氣體供給源
66‧‧‧永久磁鐵
71‧‧‧冷卻元件
81‧‧‧支撐銷
84‧‧‧馬達
100‧‧‧控制部
圖1係一實施形態相關之電漿處理裝置的全體構成圖。
圖2係顯示相對於RF層積時間之晶圓脫離時的銷扭矩之圖式。
圖3係顯示一實施形態相關之晶圓脫離時的銷扭矩因開放大氣而變化之圖式。
圖4係顯示一實施形態相關之晶圓脫離時因有無填充N2而變化的圖式。
圖5係顯示不實行一實施形態相關之改質步驟時的晶圓脫離之銷扭矩的圖式。
圖6係顯示實行一實施形態相關之改質步驟時的晶圓脫離之銷扭矩的圖式。
圖7係顯示一實施形態相關之改質步驟的O2氣體比率及磁場依存之圖式。
圖8係顯示一實施形態相關之改質步驟的效果之圖式。
圖9係顯示將一實施形態相關之改質步驟依每批來加以實行時之效果的圖式。
圖10係顯示將一實施形態相關之改質步驟依每批來加以實行時之效果的圖式。
圖11係顯示一實施形態相關之改質步驟的時間依存之圖式。
圖12係顯示一實施形態相關之改質步驟的扭矩改善之機制的圖式。
圖13係顯示一實施形態相關之改質步驟的氣體比率依存之表。
以下，就用以實施本發明之形態參照圖式來加以說明。另外，本說明書及圖式中，就實質上相同的構成係藉由附加相同的符號來省略重複之說明。
本實施形態中，係就可抑制在晶圓處理之間所進行之WLDC的靜電夾具表面之氟化的靜電夾具之改質方法，及可實行該改質方法之電漿處理裝置來加以說明。以下中，係先就一實施形態相關之電漿處理裝置的全體構成來加以說明後，再就一實施形態相關之靜電夾具之改質方法來加以說明。
[電漿處理裝置的全體構成]
首先，就本發明一實施形態相關之電漿處理裝置的全體構成，參照圖1來加以說明。
圖1所示之電漿處理裝置1係具有例如鋁或是不銹鋼等金屬製的圓筒形腔室(腔室10)。腔室10係接地。腔室10內係實行蝕刻處理等之電漿處理。
腔室10內係設置有載置作為被處理體的半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W)之載置台12。載置台12係例如由鋁所構成，並透過絕緣性的筒狀保持部14而以從腔室10之底部朝垂直上方延伸的筒狀支撐部16來加以支撐。筒狀保持部14的上面係配置有將載置台12的上面環狀地圍繞，例如由石英所構成之聚焦環18。
腔室10的內側壁與筒狀支撐部16的外側壁間係形成有排氣路徑20。
排氣路徑20係安裝有隔板22。排氣路徑20的底部係設置有排氣口24，並透過排氣管26來連接於排氣裝置。排氣裝置28係具有未圖示之真空泵，而將腔室10內減壓至既定之真空度為止。腔室10的側壁係安裝有在晶圓W搬入或是搬出時進行開閉的閘閥30。
載置台12係透過供電棒36及匹配器34來電連接電漿生成用之高頻電源32。高頻電源32係施加例如60MHz之高頻電力至載置台12。如此一來，載置台12亦便具有作為下部電極之機能。腔室10之頂部係設置有作為接地電位之上部電極的噴淋頭38。來自高頻電源32之電漿生成用的高頻電力係電容性地施加至載置台12與噴淋頭38之間。
載置台12的上面係設置有用以將晶圓W以靜電吸附力所保持之靜電夾具40。靜電夾具40係將由導電膜所構成之薄板狀夾具電極40a夾置於一對介電構件之介電層部40b，40c之間者。直流電壓源45係透過開關43來連接至夾具電極40a。
藉由開啟直流電壓源42朝夾具電極40a之電壓，來以庫倫力(靜電力)將晶圓W吸附保持在靜電夾具40。在關閉朝夾具電極40a之電壓的情況，係以開關43來使得夾具電極40a成為接地之狀態。
導熱氣體供給源52係從氣體供給通路54來將He氣體或Ar氣體等導熱氣體供給至靜電夾具40上的晶圓W內面。噴淋頭38係具有電極板56與電極支撐體58。電極板56係具有多數氣體通氣孔56a。電極支撐體58係可裝卸地自如地支撐電極板56。電極支撐體58的內部係設置有緩衝室60。緩衝室60的氣體導入口60a係透過氣體供給配管64來連結有氣體供給源62。藉由相關之構成，來從噴淋頭38供給所欲氣體至腔室10內。
載置台12的內部為了與外部未圖示之搬送臂之間進行晶圓W之搬送係設置有複數(例如3根)讓晶圓W升降之支撐銷81。複數支撐銷81係藉由透過連結構件82所傳遞之馬達84的動力來上下動作。貫穿腔室10底部之支撐銷81的貫孔係設有底部波紋管83，而保持腔室10內的氣密。
腔室10的周圍係上下2段地配置有環狀或是同心圓狀地延伸之永久磁鐵66，而在腔室10產生垂直磁場。永久磁鐵66係可上下地移動。藉由將
永久磁鐵66上下地移動，可改變晶圓上的磁場強度。永久磁鐵66係配設在腔室10的附近之磁場產生機構的一範例。
腔室10內，噴淋頭38與載置台12之間的電漿生成空間係藉由高頻電源32來形成垂直方向的RF電場，並藉由高頻的放電來在載置台12的表面附近生成高密度的電漿。
載置台12的內部係設置有冷媒管70。冷媒管70係透過配管72、73來從冷卻元件71循環供給有既定溫度的冷媒。又，靜電夾具40的內部係埋設有加熱器75。加熱器75係從未圖示之交流電源來施加所欲之交流電壓。藉由冷卻元件71之冷卻與加熱器75之加熱來使得靜電夾具40上的晶圓W處理溫度調整至所欲的溫度。
控制部100係控制安裝於電漿處理裝置1的各部分，例如氣體供給源62、排氣裝置28、加熱器75、直流電壓源45、開關43、匹配器34、高頻電源32、導熱氣體供給源52、馬達84以及冷卻元件71。控制部100亦連接有主電腦(未圖示)等。
控制部100係具有未圖示之CPU(Central Process Unit)、ROM(Read only Memory)以及RAM(Random Access Memory)，而CPU係依照容納於該等記憶區域之各種指令來實行電漿處理。指令係記載有對於程序條件之裝置的控制情報之程序時間、處理室內溫度(上部電極溫度、處理室的側壁溫度以及ESC溫度等)、壓力(氣體的排氣)、高頻電力以及電壓、各種程序氣體流量以及導熱氣體流量等。
相關構成的電漿處理裝置1中，欲進行蝕刻處理係先將閘閥30開啟而將搬送臂上所保持之晶圓W搬入腔室10內。接著，藉由從靜電夾具40的表面所突出之支撐銷81來從搬送臂抬升晶圓W，而讓晶圓W保持在支撐銷81上。接著，藉由該搬送臂朝腔室10的外部退開，而讓支撐銷81下降以收納於靜電夾具40內來讓晶圓W載置於靜電夾具40上。
晶圓W搬入後，關閉閘閥30，並從氣體供給源62以既定的流量導入蝕刻氣體至腔室10內，而藉由排氣裝置28將腔室10內的壓力減壓至設定值。進一步地，從高頻電源32施加既定功率的高頻電力至載置台12。又，
從直流電壓源42施加電壓至靜電夾具40的夾具電極40a，而將晶圓W吸附保持在靜電夾具40上。從噴淋頭38噴淋狀地導入的蝕刻氣體係藉由高頻電力來電漿化。藉由所生成之電漿中的自由基或是離子來蝕刻晶圓W的主面。
電漿蝕刻結束後，從靜電夾具40讓晶圓脫離時，係停止導熱氣體的供給，並將非活性氣體朝處理室內導入而一邊維持處理室內為既定的壓力，一邊將與在電漿處理中朝夾具電極40a所施加之電壓為正負相反之電壓朝夾具電極40a施加後，停止電壓的施加。藉由該處理，來進行去除存在於靜電夾具40及晶圓W的電荷之除電處理。該狀態中，讓支撐銷81上升而將晶圓W從靜電夾具40抬升，並讓晶圓W從靜電夾具脫離。開啟閘閥30而搬入搬送臂至腔室10內後，讓支撐銷81下降而讓晶圓W保持在搬送臂上。接著，該搬送臂會朝腔室10的外部退開，而下一個晶圓W會藉由搬送臂來搬入腔室10內。藉由重複該處理來連續處理晶圓W。以上，已就本實施形態相關之電漿處理裝置1的全體構成來加以說明。
[靜電夾具的吸附力變化]
接著，就靜電夾具的吸附力經過時間的變化，參照圖2來加以說明。圖2之橫軸係顯示施加於電漿處理裝置的下部電極(載置台12)之高頻電力(RF)的積算時間，縱軸係顯示晶圓脫離時的銷扭矩(%)。晶圓脫離時的銷扭矩(%)係表示晶圓脫離時所需要的負荷而將支撐銷馬達的額定扭矩作為100%者。
先就本實驗的程序條件來加以說明。本實驗係將在基板上形成有矽氧化膜之晶圓作為擬晶圓來使用而進行電漿處理。電漿處理後，係使用CF4(四氟甲烷)氣體與O2(氧氣)氣體之混合氣體來進行WLDC。也就是說，每處理一片晶圓就進行一次WLDC。又，適當地進行用以整頓腔室內的氛圍之處理。另外，WLDC及用以整頓腔室內的氛圍的處理係含氟F系氣體的無晶圓乾洗之一範例。
在WLDC或是用以整頓腔室內的氛圍之處理時，會使得靜電夾具的表面暴露於氟F系氣體所生成之電漿，而使得其表面慢慢地被氟化。如圖2
所示，至某種程度為止因為靜電夾具表面的氟化程度較低，故可維持晶圓脫離時的銷扭矩(在讓晶圓從靜電夾具脫離時，被施加在圖1的支撐銷81之扭矩)在較低的狀態。但是，得知在靜電夾具表面氟化程度變高時，圖2中RF的積算時間從30小時前後的時點過後會隨著時間推移而使得銷扭矩上升。
藉此，在RF的積算時間超過30小時時，RF的積算時間越長，則用以將晶圓從靜電夾具上剝離之除電時間也會越長，而使得產量下降。又，在晶圓脫離時的銷扭矩變大時，晶圓會彈起而有破損或是破裂的可能性也會變高。
相對於此，只要可抑制晶圓脫離時的銷扭矩上升，就可防止產量的低落，並消除在脫離時晶圓會有破損或是破裂。
圖3中，在WLDC(1)所示的區間，係重複進行擬晶圓處理→WLDC→擬晶圓處理。藉此來氟化靜電夾具的表面。RF積算時間在200h的時點中，由於晶圓脫離時的銷扭矩變大，而使得晶圓的破損或是破裂的可能性變高，故會成為無法再以相同的程序條件來處理晶圓的狀態。因此，為了維護便將電漿處理裝置1開放於大氣。其結果，便會使得晶圓脫離時的銷扭矩下降至接近於靜電夾具為新品時的扭矩。
在此，在圖3的WLDC(2)所示的區間內，係再次重複進行擬晶圓處理→WLDC→擬晶圓處理，並在RF積算時間在390h的時點再將電漿處裡裝置1開放於大氣。其結果，會使得晶圓脫離時的銷扭矩下降至接近於靜電夾具在新品時的扭矩。
由於如此般地將電漿處理裝置1內開放於大氣會使得扭矩暫時下降，故發明者便猜測到(1)高壓(大氣壓)狀態，或是(2)大氣中的水分(H2O，H，O)的至少一者會對扭矩的下降有影響。
於是，首先，為了驗證(1)高壓狀態(大氣壓)是否會對銷扭矩的下降有影響，係將腔室10內填充N2而成為高壓狀態(大氣壓)，並就這樣放置10分鐘。其結果如圖4所示。圖4的橫軸係晶圓片數，縱軸係晶圓脫離時的銷扭矩。圖4之B係顯示相對於腔室10內填充N2而成為高壓狀態(大氣壓)
的情況之5片晶圓的晶圓脫離時之銷扭矩。圖4之A係顯示相對於腔室10內未填充N2的情況(低壓狀態的情況)之5片晶圓的銷扭矩。在將該等比較之後，即便將腔室內填充N2而成為高壓狀態(大氣壓)，銷扭矩也不會下降，反而有些許上升。從以上的結果，得到在將電漿處理裝置1內開放於大氣時的腔室內壓力的變化係不會對銷扭矩的下降有影響之結論。從以上，便推測到開放於大氣之銷扭矩的下降係與(2)大氣中的水分有某種形式的關聯。
[改質步驟]
於是，接著為了調查大氣中水分的關聯，便就實行在晶圓處理期間之既定時點使用包含氫H與氧O之氣體的電漿處理之情況與未使用之情況來進行實驗，並考察實驗結果的差異。另外，以下中，亦將藉由高頻電力將包含氫H與氧O之氣體電漿化，並藉由將靜電夾具暴露於電漿來改質靜電夾具的表面之電漿處理步驟稱為改質步驟。
(氣體種類)
圖5係依每片晶圓處理所使用CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行WLDC，並未實行改質步驟的情況之實驗結果。此時的WLDC之程序條件如下。
<WLDC程序條件>
●壓力 400mT(53.3Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力750W偏壓用高頻電力0W
●磁場 56高斯(5.6-2T)
●氣體種類及氣體比 CF4氣體/O2氣體，CF4氣體：O2氣體=1：1
●處理時間 25秒
圖5的橫軸係顯示晶圓片數，縱軸係顯示晶圓脫離時的銷扭矩(%)。以最初的5片(第1至5片)之晶圓脫離時的銷扭矩成為12~17%程度之方式來調整晶圓脫離時的除電時間。
在此，係顯示在處理每一片晶圓實行WLDC的情況，晶圓脫離時的銷扭矩會以怎樣的方式來推移。藉此，20片的晶圓之任一片脫離時的銷扭矩
大約為13%~15%的程度。
相對於此，圖6中，係就最初5片(第1~5片)之晶圓依每個晶圓處理來實行WLDC。就接下來的5片(第6~10片)之晶圓實行依每個晶圓處理以CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行WLDC之清潔步驟(第1步驟)與使用包含氫H及氧O之氣體的改質步驟(第2步驟)之2步驟。就最後的10片(第11~20片)，再次依每個晶圓處理以CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行WLDC，但不進行改質步驟。圖6(a)之改質步驟中係使用HBr(溴化氫)氣體與O2氣體之混合氣體。圖6(b)之改質步驟中係使用CHF3(三氟甲烷)氣體與O2氣體之混合氣體。
此時之WLDC的程序條件係與圖5之WLDC程序條件相同。又，第6~10片之改質步驟的程序條件如下。
<改質步驟程序條件：HBr氣體+O2氣體的情況>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力450W偏壓用高頻電力0W
●磁場 320高斯(3.2-1T)
●氣體種類及氣體比 HBr氣體/O2氣體，HBr氣體：O2氣體=49：1
●處理時間 10秒
<改質步驟程序條件：CHF3氣體+Ar氣體+O2氣體的情況>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 320高斯
●氣體種類及氣體比 CHF3氣體/Ar氣體/O2氣體，CHF3氣體：Ar氣體：O2氣體=24：25：1
●處理時間 10秒
另外，在上述氣體種類包含Ar氣體的情況，係用以依照本程序時的其他條件來確保全體的氣體流量，而只要可確保基於其他條件之全體的氣體流量，亦可不包含Ar氣體。
藉此，藉由圖6(a)之改質步驟(HBr氣體/O2氣體)的實行，就第6~10片的晶圓，銷扭矩係從15%朝5%緩緩地下降。就從第11片的晶圓，即便僅
實行WLDC而未實行改質步驟，亦可讓晶圓脫離時的銷扭矩維持在5%程度(參照圖6(a)之C)。
又，藉由圖6(b)之改質步驟(CHF3氣體/O2氣體)的實行，就第6~10片的晶圓，銷扭矩係下降至5%(參照圖6(b)之D)。就從第11片的晶圓，在僅實行WLDC而未實行改質步驟時，晶圓脫離時的銷扭矩係從5%緩緩地上升至10~15%程度。
如上述，藉由WLDC的實行來慢慢地氟化靜電夾具的表面時，會對應於此而使得晶圓脫離時的銷扭矩上升。然而，已知在既定時點實行改質步驟處理時，銷扭矩會從15%下降至5%。藉此，證明了使用含氫H與氧O的氣體之改質步驟會抑制晶圓脫離時的銷扭矩的上升。
又，在本實驗之改質步驟使用HBr的情況，與使用CHxFy系氣體的情況中，扭矩改善效果的顯現方式有所差異。如圖6(b)所示，於改質步驟使用CHF3氣體與O2氣體之混合氣體的情況對扭矩改善為速效性，晶圓脫離時的銷扭矩會馬上下降。但是，已知在停止改質步驟後晶圓脫離時的銷扭矩會上升，而難以維持改質步驟的效果。另一方面，如圖6(a)所示，於改質步驟使用HBr氣體與O2氣體之混合氣體的情況，對扭矩改善並無CHxFy系氣體般的速效性。但是，該情況，已知即便停止改質步驟，晶圓脫離時的銷扭矩亦不會上升，而讓改質步驟的效果具有持續性。藉此，得知於改質步驟使用HBr氣體之方面，係較使用CHxFy系氣體會讓實行WLDC與改質步驟之2步驟的次數減少，而提升產量，並使得生產性上升，故較佳。
(氣體比/磁場)
接著，進行於改質步驟使用HBr氣體時之關於HBr氣體與O2氣體的比例及磁場效果的實驗。參照圖7並就實驗結果來進行考察。圖7(a)係與圖6(a)為相同圖式，並以容易與圖7(b)比較之方式來顯示圖式。圖7(a)及圖7(b)中，與圖6的情況相同，係就最初的5片(第1~5片)晶圓，在每個晶圓處理來實行WLDC。就接著的5片(第6~10片)的晶圓，係實行在每個晶圓處理以CF4氣體與O2氣體的混合氣體來實行WLDC之清潔步驟(第1步驟)與使用HBr與O2氣體之混合氣體的改質步驟(第2步驟)。就最後的10片(第11~20
片)的晶圓，係再次在每個晶圓處理實行WLDC，但不進行改質步驟。此時的WLDC之程序條件，係與該圖5及圖6的情況相同。另一方面，改質步驟的程序條件在圖7(a)的情況與圖7(b)的情況係如下般而有所差異。
<改質步驟程序條件：圖7(a)的情況>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力450W偏壓用高頻電力0W
●磁場 320高斯
●氣體種類及氣體比 HBr氣體/O2氣體，HBr氣體：O2氣體=49：1
●處理時間 10秒
<改質步驟程序條件：圖7(b)的情況>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力450W偏壓用高頻電力0W
●磁場 454高斯(4.54-1T)
●氣體種類及氣體比 HBr氣體/O2氣體，HBr氣體：O2氣體=99：1
●處理時間 10秒
本實驗的改質步驟中，在圖7(a)之O2氣體對HBr氣體比例較高，且磁場在較小的情況，與圖7(b)之O2氣體對HBr氣體比例較低，且在磁場較大的情況中，扭矩改善效果的顯現方式會有所差異。如圖7(b)所示，改質步驟中O2氣體對HBr氣體比例較低，且磁場較大的情況會較圖7(a)的情況要有速效性，晶圓脫離時的銷扭矩會迅速的下降(參照圖7(b)之E)。又，得知即便停止改質步驟，晶圓脫離時的銷扭矩也不會上升，而使得改質步驟的效果具有持續性(參照圖7(b)之E)。
從以上，得知改質步驟中磁場較高的一方會更加提高改質步驟的效果。磁場越高，則靜電夾具上的電漿密度越低。藉此，應可更精度良好地控制晶圓上的電漿密度，而可提高改質步驟的效果。另外，在改質步驟藉由永久磁鐵66所產生的磁場之磁通量只要是可較在改質步驟前或後所實行之清潔步驟藉由永久磁鐵66所產生的磁場之磁通量要高即可。
又，得知改質步驟中O2氣體對HBr氣體比例較低的一方會對改質步驟
的效果具有速效性及持續性。就其理由會使用圖12而在後續來加以說明。
如此般，改質步驟中O2氣體對HBr氣體比例較低，且施加較高的磁場時，便會得到對晶圓脫離時的銷扭矩的下降之速效性，而即便停止改質步驟亦可維持低扭矩，並可提升產量及生產性。
[在批次處理結束時點所實行之改質步驟]
在每個晶圓處理進行清潔步驟及改質步驟時，每個晶圓的產量會下降，而降低生產性。於是，便進行藉由在1批處理結束時的時點進行改質步驟是否會讓產量不會降低並一邊維持生產性，一邊得到該銷扭矩之減低效果的實驗。其實驗結果如圖8所示。
第1~5片的晶圓係在每個晶圓處理僅進行WLDC來作為程序條件。以第5片的晶圓處理結束之虛線部分來結束1批次。藉此，以該時點來進行WLDC，以及使用HBr氣體與O2氣體之改質步驟的2步驟。
圖8虛線部分所示之批次結束以外之批次結束時點中，係僅進行WLDC，而未實行改質步驟。又，任1批次中亦依每個晶圓處理來進行WLDC。
圖8(a)及圖8(b)中係以WLDC→改質步驟之順序來進行處理，圖8(c)及圖8(d)中係以改質步驟→WLDC之順序來進行處理。又，圖8(a)及圖8(c)所進行之改質步驟的處理時間係10秒，圖8(b)及圖8(d)所進行之改質步驟的處理時間係30秒。WLDC的處理時間係在任何情況皆為25秒。此處之WLDC之程序條件及改質步驟的程序條件如下。
其他的程序條件：
<WLDC程序條件>
●壓力 400mT(53.3Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力750W偏壓用高頻電力0W
●磁場 56高斯(5.6-2T)
●氣體種類及氣體比 CF4氣體/O2氣體，CF4氣體：O2氣體=1：1
●處理時間 25秒
<改質步驟程序條件>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力450W偏壓用高頻電力0W
●磁場 454高斯(4.54-1T)
●氣體種類及氣體比 HBr氣體/O2氣體，HBr氣體：O2氣體=99：1
在圖8批次結束時點進行之改質步驟中，如圖8(a)及圖8(c)所示，相較於將處理時間設定在10秒時，如圖8(b)及圖8(d)所示，在將改質步驟的處理時間設為30秒時，可更顯著地得到讓銷扭矩下降的效果。
就圖8(b)與圖8(d)所示之銷扭矩的下降傾向之差異來加以考察。在圖8(b)之進行25秒WLDC→進行30秒改質步驟(HBr氣體+O2氣體)的情況，係可在其後之40片的晶圓處理中讓晶圓脫離時的銷扭矩持續在較低的狀態。也就是說，得知改質步驟實行後，在40片左右的製品晶圓之處理中，可以通常的除電條件來從靜電夾具剝離晶圓。
相對於此，在圖8(d)之進行30秒改質步驟(HBr氣體及O2氣體)→進行25秒WLDC的情況，也可在其後之40片的晶圓處理中讓晶圓脫離時的銷扭矩降低。但是，該情況之扭矩的改善效果，與圖8(b)的情況相比會較低。其理由係在使用CF4氣體與O2氣體之WLDC的實行前會有些許時間的空檔。由於在該空檔會降低腔室內組件之溫度，故靜電夾具的溫度也跟著下降，而使得靜電夾具表面的改質相較於圖8(d)的改質步驟之情況會無法順利進行。從以上，以圖8(b)之WLDC→改質步驟的順序來進行處理時，相較於以圖8(d)之改質步驟→WLDC的順序來進行處理，可得到晶圓脫離時的扭矩改善效果會提高的結論。
從以上，得知在批次結束時點所進行之改質步驟中，得知相較於進行10秒改質步驟，進行30秒會有更好的效果。又，在批次結束時點所進行之改質步驟中，得知不論以WLDC→改質步驟的順序來進行處理，還是以改質步驟→WLDC的順序來進行處理晶圓脫離時的銷扭矩都會下降。但是，亦得知最好以WLDC→改質步驟的順序來進行處理以進行靜電夾具表面的改質。
[每批的改質步驟]
接著，就依每批所實行改質步驟的情況，參照圖9來加以說明。在此，係依每批晶圓處理以CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行WLDC。又，在各批第一片的晶圓處理前使用CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行25秒WLDC後，再使用HBr氣體與O2氣體之混合氣體來實行10秒改質步驟。在此，各批係處理25片的晶圓。
該實驗結果示於圖9。圖9係顯示第1批、第2批、第6批以及第12批中之25片的晶圓脫離時的銷扭矩。藉此，得知批數越增加，則晶圓脫離時的銷扭矩會越下降。
圖10亦同樣地顯示就依每批來實行改質步驟情況的實驗結果。於此，係依每個晶圓處理以CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行WLDC。又，在每批第一片的晶圓處理前使用HBr氣體與O2氣體之混合氣體來實行10秒改質步驟後，再使用CF4氣體與O2氣體之混合氣體來實行25秒WLDC。各批係處理25片的晶圓。
圖10係顯示第1批、第2批、第6批以及第14批中之25片的晶圓脫離時的銷扭矩。藉此，亦得知批數越增加，則晶圓脫離時的銷扭矩會越下降。
從以上的結果，得知依每批只要進行10秒改質步驟，即便將改質步驟在WLDC後或是前任一者當中來實行，還是可較低地維持晶圓脫離時的銷扭矩。
另外，將實行改質步驟於WLDC之後的情況，與實行改質步驟於WLDC之前的情況來加以比較，晶圓脫離時的銷扭矩會較低。但是，即便在實行改質步驟於WLDC之前的情況中，只要增加批數，就可使得晶圓脫離時的銷扭矩下降至與實行改質步驟於WLDC之後的情況相同程度。
圖11亦同樣地顯示就依每批來實行改質步驟的情況之實驗結果。在此，係對於圖9所示之依每批來實行改質步驟的情況之程序條件，僅在改質步驟的處理時間縮短為5秒的這點有所差異。
圖11係顯示第1批以及第2批中之25片晶圓脫離時的銷扭矩。藉此，亦得知批數越增加，則晶圓脫離時的銷扭矩會越下降。但是，改質步驟的
時間為5秒的情況，相較於改質步驟的時間為10秒的情況，會較難以得到晶圓脫離時的銷扭矩較低的效果。
依實行每1片的晶圓處理來實行改質步驟時，可得到較高的扭矩改善效果。然而，產量會下降，並讓生產性過於低落，而非良策。因此，最好是在數片~數十片的晶圓處理後，亦即依每批來實行本實施形態相關之改質步驟。藉此，便不會對生產性有大的影響，且可抑制晶圓脫離時的銷扭矩的上升。
以上，根據本實施形態相關之改質方法，於晶圓處理的期間使用氟系之氣體來進行無晶圓乾洗的情況，藉由在好的時點進行改質步驟，便可抑制靜電夾具的吸附力的與時變化。藉此，便可讓晶圓脫離時的銷扭矩下降，並防止晶圓彈起而有破損或是破裂，進而防止產量的下降。其結果，便可維持有較高的生產性。
[改質步驟的機制]
接著，就本實施形態相關之改質步驟的機制，參照圖12來加以說明。如圖12(a)所示，在靜電夾具為新品時，靜電夾具的表面係以藉由火焰噴塗所形成之氧化釔(Y2O3)的皮膜來加以覆蓋。靜電夾具的表面為Y2O3的狀態中，靜電夾具係以庫倫力來靜電吸附晶圓。
例如，蝕刻矽系膜之晶圓處理中，矽系反應生成物會沉積於腔室的壁面。為了去除該沉積物，會在每個晶圓處理使用由包含有CF4氣體等氟系氣體所生成之電漿來進行WLDC等清潔處理。因為該等處理係無晶圓處理，故在清潔處理中，靜電夾具會暴露於氟系電漿，並如圖12(b)所示般，其表面會慢慢地氟化，而從Y2O3改質為YF。YF之容積阻抗率係較Y2O3要低。藉此，靜電夾具的表面改質為YF後，亦會以強森-拉貝克力來吸附晶圓之方式而使得吸附力增加。藉此，晶圓脫離時的銷扭矩會上升，並使得晶圓不容易從靜電夾具剝離，依情況而對晶圓會產生有破損或是破裂。
在此，如圖12(c)所示，本實施形態相關之靜電夾具的改質方法中，在晶圓處理的期間係實行使用從HBr氣體與O2氣體之混合氣體所生成之電漿的改質步驟。改質步驟中，係讓電漿中的H成分(H離子或H自由基)與靜
電夾具表面的YF層反應而從YF層讓F被移除而成為HF。F被移除之靜電夾具的表面會填充有電漿中之O成分。藉由以上的反應，改質步驟中之靜電夾具表面的F濃度會減少，而表面應會從YF接近於Y2O3之狀態。藉由將此般所氟化之靜電夾具的表面以改質步驟來加以氧化，而接近於Y2O3之狀態，便可再度提高靜電夾具表面的體積阻抗率。藉此，靜電夾具便會成為以庫倫力來靜電吸附晶圓的狀態，並可減低晶圓脫離時的銷扭矩。
但是，實行改質步驟後，如圖12(d)所示般，依每批晶圓處理來反覆實行WLDC時，靜電夾具的表面會再度氟化，而減低體積阻抗率，並藉由強森-拉貝克力來增加吸附力。藉此，晶圓脫離時的銷扭矩會再度上升。從而，最好是在晶圓處理期間的既定時點再次實行改質步驟。藉由以上所說明之改質步驟的扭矩改善之機制，應可抑制晶圓脫離時的銷扭矩之上升，並可讓靜電夾具原本的庫倫力之晶圓吸附機能持續。
(氣體比的最佳化)
如前述，改質步驟中O2氣體對HBr氣體的比率越低越好。於是，就O2氣體對HBr氣體的比率之最佳化來進行更進一步的實驗。該實驗結果示於圖13。圖13係以4種模式來顯示O2氣體對HBr氣體的比率。具體而言，係就HBr/O2比(1)、HBr/O2比(2)、HBr/O2比(3)以及純HBr氣體之4種模式的比率來顯示WLDC→改質步驟後之晶圓脫離時的銷扭矩。各模式之WLDC以及改質步驟的各程序條件如下。
<WLDC的程序條件>
●壓力 400mT(53.3Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力750W偏壓用高頻電力0W
●磁場 56高斯
●氣體種類及氣體比 CF4氣體/O2氣體，CF4氣體：O2氣體=1：1
●處理時間 25秒
<改質步驟程序條件：HBr/O2比(1)的情況>
●壓力 300mT(40.0Pa)
●高頻電力 電漿用高頻電力450W偏壓用高頻電力0W
●磁場 320高斯
●氣體種類及氣體比 HBr氣體/O2氣體，HBr氣體：O2氣體=1：1
●處理時間 10秒
<改質步驟程序條件：HBr/O2比(2)的情況>
●僅相對於HBr/O2比(1)的氣體比，變更為HBr氣體：O2氣體=49：1
<改質步驟程序條件：HBr/O2比(3)的情況>
●僅相對於HBr/O2比(1)的氣體比，變更為HBr氣體：O2氣體=99：1
<改質步驟程序條件：純HBr的情況>
●僅相對於HBr/O2比(1)的氣體比，變更為HBr氣體：O2氣體=100：0
根據圖13的實驗結果，HBr/O2比(1)的O2氣體對HBr氣體的流量比為1的情況，在改質步驟後的晶圓處理中，晶圓脫離時的銷扭矩係幾乎不會降低。
另一方面，HBr/O2比(2)的O2氣體對HBr氣體的流量比為1/49的情況，晶圓脫離時的銷扭矩係減低至5.5%。又，HBr/O2比(3)的O2氣體對HBr氣體的流量比為1/99的情況，晶圓脫離時的銷扭矩係減低至4.3%。
另外，純HBr的情況，在改質步驟後之晶圓處理中，晶圓脫離時的銷扭矩幾乎不會降低。
基於以上結果，來推測改質步驟中在O2氣體對HBr氣體的比例較低時，晶圓脫離時的銷扭矩降低之速效性及持續性較高的理由。在O2氣體對HBr氣體的比例較高時，電漿中的H成分與O成分的反應會優先於電漿中的H成分與靜電夾具表面的YF層的反應，而生成H2O。藉此，便會消耗電漿中的H離子或是H自由基。因此，便難以促進電漿中的H離子或是H自由基與靜電夾具表面的YF層之反應。其結果，便無法從靜電夾具表面的YF移除F，而成為表面的F濃度為較高的狀態。因此，靜電夾具表面的體積阻抗率便不會上升，而使得晶圓脫離時的銷扭矩應不會下降。
相對於此，改質步驟中在O2氣體對HBr氣體的比例較低時，電漿中的H離子或是H自由基會與靜電夾具表面的YF層反應而促進從YF層移除F反應。移除F的靜電夾具的表面係填充有O成分，而使得靜電夾具的表面
接近於Y2O3之狀態。藉此，便會提升靜電夾具表面的體積阻抗率，而降低晶圓脫離時的銷扭矩。
另一方面，改質步驟中在純含有HBr氣體而未含有O2氣體的情況，便無法得到讓晶圓脫離時的銷扭矩降低的效果。其理由，係即便電漿中的H離子或是自由基會與靜電夾具表面的YF層反應而從YF層移除F，由於電漿中不存在有O成分，故O不會被填充於靜電夾具的表面。因此，由於靜電夾具的表面無法成為Y2O3的狀態，故靜電夾具表面的體積阻抗率便不會上升，而使得晶圓脫離時的銷扭矩應不會下降。從以上，改質步驟中便有必要讓氣體包含有HBr氣體與O2氣體。
又，如前述，O2氣體對HBr氣體的比例變高時，會難以得到晶圓脫離時的銷扭矩之改善效果。因此，為了提高讓晶圓脫離時的銷扭矩下降之效果的速效性與持續性，O2氣體對HBr氣體的流量比，係基於HBr/O2比(2)及HBr/O2比(3)而在1/99~1/49的範圍較佳。進一步地，可推論出即便在該範圍中，O2氣體對HBr氣體的比率是越低越好。
以上，雖然已藉由實施例來說明靜電夾具的改質方法及電漿處理裝置，但本發明不限於上述實施例，而可在本發明的範圍內進行各種的變形及改良。又，可以不矛盾於上述實施例及變形例的範圍來加以組合。
例如，上述實施形態中，改質步驟中所使用之氣體係含H氣體及含O氣體之混合氣體。然而，本發明相關之靜電夾具的改質方法及電漿處理裝置中，改質步驟所使用之氣體係只要包含含H氣體與含O氣體，則亦可為包含有含H氣體與含O氣體以外之氣體。
又，改質步驟中所使用的氣體不限於必須為包含有含H氣體與含O氣體之混合氣體，亦可為包含有含CHF氣體與含O氣體之混合氣體。可舉出CH2F2氣體或是CHF3氣體等，來作為含CHF氣體之一範例。
可使用包含有由電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupling Plasma)產生機構、感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupling Plasma)產生機構、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)產生機構以及輻形槽孔天線(Radical Line Slot Antenna)所生成之微波電漿或是SPA(Slot Plane Antenna)
電漿之微波激發表面波電漿產生機構或是電子迴旋加速共振電漿(ECR：Electron Cyclotron resonance Plasama)產生機構等，來作為產生本發明相關之電漿的機構。
本發明中被施予處理之被處理體不限於在上述實施形態之說明中所使用的晶圓(半導體)，例如，亦可為平面顯示器(Flat Panel Display)用之大型基板、EL元件或是太陽能電池用之基板。
Claims (10)
- 一種靜電夾具之改質方法，係將被處理體靜電吸附的靜電夾具之改質方法，係包含有：在載置有表面經氟化後之該靜電夾具的腔室內，供給含氫H與氧O的氣體之氣體供給步驟；以及藉由高頻電力來將該所供給之氣體電漿化，並藉由將該靜電夾具暴露於電漿來將該靜電夾具表面改質之改質步驟。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具之改質方法，其更包含有在該改質步驟前或後，實行含氟F系氣體之氣體的無晶圓乾洗之清潔步驟。
- 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾具之改質方法，其中該氣體供給步驟中所供給之氣體係溴化氫(HBr)氣體與氧氣(O2)。
- 如申請專利範圍第3項之靜電夾具之改質方法，其中該氣體供給步驟中所供給之氧氣對溴化氫氣體的流量比為1/99~1/49之範圍。
- 如申請專利範圍第2項之靜電夾具之改質方法，其中在該改質步驟中藉由該腔室的附近設置之磁場產生機構所產生之磁場的磁通量密度係較該清洗步驟中藉由該磁場產生機構所產生之磁場的磁通量密度要高。
- 如申請專利範圍第4項之靜電夾具之改質方法，其中在該改質步驟中藉由該腔室的附近設置之磁場產生機構所產生之磁場的磁通量密度係較該清洗步驟中藉由該磁場產生機構所產生 之磁場的磁通量密度要高。
- 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾具之改質方法，其中該靜電夾具係由氧化釔(Y2O3)所形成，並氟化該表面。
- 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾具之改質方法，其係藉由該氣體供給步驟中所供給之氫H來將該靜電夾具表面之氟F與氫H鍵結，而藉由該氣體供給步驟中所供給之氧O來氧化該靜電夾具的表面。
- 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾具之改質方法，其中該改質步驟係依每批來加以實行。
- 一種電漿處理裝置，係具有：腔室，係在內部對被處理體實施所欲之處理；靜電夾具，係配置於該腔室內，並將被處理體靜電吸附；氣體供給源，係供給氣體至該腔室內；以及控制部，係以從該氣體供給源供給含氫H與氧O的氣體之方式來加以控制，並以將該所供給之氣體藉由高頻電力來電漿化，而藉由將該靜電夾具暴露於電漿來改質該靜電夾具經氟化後之表面的方式來加以控制。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012271789A JP6071514B2 (ja) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 静電チャックの改質方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201432846A TW201432846A (zh) | 2014-08-16 |
| TWI624902B true TWI624902B (zh) | 2018-05-21 |
Family
ID=50879633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102145487A TWI624902B (zh) | 2012-12-12 | 2013-12-11 | Modification method of electrostatic fixture and plasma processing device |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9558919B2 (zh) |
| JP (1) | JP6071514B2 (zh) |
| KR (1) | KR102188404B1 (zh) |
| TW (1) | TWI624902B (zh) |
Families Citing this family (172)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| JP6275610B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US9558819B1 (en) * | 2015-08-13 | 2017-01-31 | Arm Ltd. | Method, system and device for non-volatile memory device operation |
| JP2017045849A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | シーズニング方法およびエッチング方法 |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| CN109015458B (zh) * | 2018-08-02 | 2020-04-17 | 繁昌县长城铸造厂（普通合伙） | 一种闸阀转孔固定装置 |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| US11666952B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Condition selectable backside gas |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US11626271B2 (en) | 2020-06-18 | 2023-04-11 | Tokyo Electron Limited | Surface fluorination remediation for aluminium oxide electrostatic chucks |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201202685A (en) * | 2003-04-24 | 2012-01-16 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200412B1 (en) * | 1996-02-16 | 2001-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection |
| JP2001335937A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法 |
| JP2003243360A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US6780787B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-08-24 | Lam Research Corporation | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components |
| JP3657942B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2005-06-08 | 沖電気工業株式会社 | 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US7226869B2 (en) | 2004-10-29 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Methods for protecting silicon or silicon carbide electrode surfaces from morphological modification during plasma etch processing |
| JP4645167B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。 |
| JP2006332204A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toto Ltd | 静電チャック |
| US7968205B2 (en) * | 2005-10-21 | 2011-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Corrosion resistant multilayer member |
| JP4992389B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20080106842A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-08 | Tokyo Electron Limited | Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US20100098875A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Andreas Fischer | Pre-coating and wafer-less auto-cleaning system and method |
| JP5390846B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 |
| JP5364514B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2013-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | チャンバ内クリーニング方法 |
| KR101125430B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2012-03-28 | 주식회사 디엠에스 | 피처리물의 디척킹과 함께 반응 챔버 내부 및 정전 척의 드라이 클리닝을 실행하는 플라즈마 반응기의 피처리물 디척킹 장치 및 방법 |
| WO2011150311A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Praxair Technology, Inc. | Substrate supports for semiconductor applications |
| US9533332B2 (en) * | 2011-10-06 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for in-situ chamber clean utilized in an etching processing chamber |
| JP6034156B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-12-12 JP JP2012271789A patent/JP6071514B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-06 KR KR1020130151358A patent/KR102188404B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-09 US US14/100,235 patent/US9558919B2/en active Active
- 2013-12-11 TW TW102145487A patent/TWI624902B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201202685A (en) * | 2003-04-24 | 2012-01-16 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9558919B2 (en) | 2017-01-31 |
| KR20140076495A (ko) | 2014-06-20 |
| US20140158154A1 (en) | 2014-06-12 |
| TW201432846A (zh) | 2014-08-16 |
| JP2014116566A (ja) | 2014-06-26 |
| KR102188404B1 (ko) | 2020-12-08 |
| JP6071514B2 (ja) | 2017-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI624902B (zh) | Modification method of electrostatic fixture and plasma processing device | |
| US9972503B2 (en) | Etching method | |
| JP6035117B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
| US20100224587A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium | |
| EP2911187A1 (en) | Etching method | |
| US20170221720A1 (en) | Apparatus and method for treating substrates | |
| US9530666B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| KR20210042939A (ko) | 전자빔 매개 플라즈마 에칭 및 증착 공정을 위한 장치 및 공정 | |
| US20090221148A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium | |
| KR101720670B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체 | |
| US8609549B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium | |
| JP7138418B2 (ja) | 脱離制御方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP6132497B2 (ja) | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 | |
| US9147556B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| US20180122620A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR102538188B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 세정 방법 | |
| US20230335409A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| US9922841B2 (en) | Plasma processing method | |
| EP3046139A1 (en) | Etching method | |
| KR20210035073A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR20160003624A (ko) | 에칭 방법 | |
| WO2022249964A1 (ja) | クリーニング方法およびプラズマ処理方法 | |
| US20240014039A1 (en) | Carbon hardmask opening using boron nitride mask | |
| KR20210067890A (ko) | 플라스마 처리 장치에서의 적재대의 클리닝 방법 및 플라스마 처리 장치 | |
| JP2022036719A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |