TWI623476B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明於一面自使基板上浮之上浮載台搬送基板一面對搬送中之基板實施處理之基板處理裝置中,藉由使基板之對齊處理及基板向上浮載台之移載處理適切化而縮短基板處理裝置之工作時間。
本發明之基板處理裝置具備:上浮載台,其使基板上浮;搬送機構,其自上浮載台接收基板並搬送;處理機構,其對由搬送機構搬送之基板實施處理;及移載機構,其將基板移載至上浮載台;且移載機構具備:接納上浮部,其使搬送而來之基板上浮並予以接納;對齊部,其使藉由接納上浮部而上浮之基板對齊;保持部,其保持藉由對齊部而對齊之基板;及驅動部,其使保持部移動至上浮載台。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法,該基板處理裝置具有使液晶顯示裝置用玻璃基板、半導體晶圓、PDP(plasma display panel,電漿顯示器面板)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄碟片用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板(以下,簡稱為「基板」)上浮之上浮載台,自該上浮載台搬送基板並且對搬送中之基板實施處理。
先前,提出有如下之基板處理技術,即,於上述之精密電子裝置用基板之製造步驟中,一面伴隨基板之大型化而使基板上浮而搬送,一面對搬送中之基板之上表面供給處理液而對基板實施所期望之處理。例如,於日本專利特開2011-210767號公報所記載之裝置中,設置有使基板上浮並予以支持之上浮載台,搬送部自該上浮載台接收基板並向特定之搬送方向上浮搬送。而且,於利用搬送部搬送基板之過程中,將作為處理液之抗蝕劑液噴出而塗佈至基板之上表面。
於上述先前裝置中,與上浮載台相鄰而設置有移載部,藉由輥搬送而將基板移載至上浮載台。而且,於自上浮載台搬送基板之前,執行於上浮載台調整基板之水平位置及姿勢之所謂對齊處理。於如此 構成之裝置中,於執行對齊處理之期間,無法進行利用搬送部搬送基板,該情況成為使處理工作時間增大之主要原因之一。
本發明係鑒於上述課題而完成者,其目的在於,於一面自使基板上浮之上浮載台搬送基板一面對搬送中之基板實施處理之基板處理裝置中,藉由使基板之對齊處理及基板向上浮載台之移載處理適切化而縮短基板處理裝置之工作時間。
本發明之一態樣係一種基板處理裝置,其特徵在於具備:上浮載台,其使基板上浮;搬送機構,其自上浮載台接收基板並搬送;處理機構,其對藉由搬送機構而搬送之基板實施處理;及移載機構,其將基板移載至上浮載台;且移載機構具備:接納上浮部,其使搬送而來之基板上浮並予以接納;對齊部,其使藉由接納上浮部而上浮之基板對齊;保持部,其保持藉由對齊部而對齊之基板;及驅動部,其使保持部移動至上浮載台。
又,本發明之另一態樣係一種基板處理方法,其特徵在於具備:移載步驟,其將基板移載至使基板上浮之上浮載台上;搬送步驟,其自上浮載台搬送基板;及處理步驟,其對所搬送之基板實施處理;且移載步驟具有:使搬送而來之基板上浮於接納上浮部上並予以接納之步驟;使藉由接納上浮部而上浮之基板對齊之步驟;及一面保持對齊之基板之一部分,一面使基板移動至上浮載台上而交付至上浮載台之步驟。
於如此構成之發明中,於使基板上浮之狀態下進行基板之對齊之後,將已經對齊完畢之基板於藉由保持部保持之狀態下移載至上浮載台。如此,基板於移載至上浮載台之時間點已經對齊完畢,從而不需要於上浮載台進行對齊處理。其結果,可縮短基板處理裝置之工作時間。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧對齊移載機構
11‧‧‧線性運動驅動部
12‧‧‧中心夾盤(保持部)
12V~16V、21V~23V、31V、51V~54V、411V、412V‧‧‧開閉閥
13~16‧‧‧移載上浮載台
13B~16B‧‧‧支持台
17‧‧‧噴射/吸附切換部
18‧‧‧驅動輥
19、19a‧‧‧對齊部
20‧‧‧搬入側上浮機構
21~23‧‧‧搬入上浮載台
24、55‧‧‧頂出部
30‧‧‧搬送機構
31‧‧‧吸附保持部
32‧‧‧導軌
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧塗佈機構(處理機構)
41‧‧‧塗佈上浮載台
42‧‧‧橋接部
43‧‧‧狹縫噴嘴
50‧‧‧搬出側上浮機構
51~54‧‧‧搬出上浮載台
60‧‧‧控制部
61‧‧‧CPU
62‧‧‧記憶體
63‧‧‧顯示部
70‧‧‧噴射用泵
72‧‧‧基台
73‧‧‧吸附用泵
111‧‧‧固定部
181‧‧‧輥驅動部
191‧‧‧對齊基台
192‧‧‧空氣滑塊
193‧‧‧活塞部
194‧‧‧空氣滑塊
195‧‧‧活塞部
196‧‧‧支架
197‧‧‧抵接部件
241、551‧‧‧頂起銷
242、552‧‧‧銷升降部
800‧‧‧輸送機裝置
810‧‧‧旋轉軸
820‧‧‧輸送機輥
830‧‧‧頂出部
831‧‧‧頂起銷
X‧‧‧搬送方向
Y‧‧‧水平方向、寬度方向
圖1係表示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之俯視圖。
圖2係裝備於圖1之對齊移載機構之局部放大立體圖。
圖3係表示設置於對齊移載機構之對齊部之構成之圖。
圖4係表示圖1所示之基板處理裝置之電氣構成之方塊圖。
圖5係表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之基板處理動作之流程圖。
圖6係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之接納準備步驟之圖。
圖7係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之對齊步驟之圖。
圖8係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之移載步驟之圖。
圖9係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之提昇步驟之圖。
圖10係表示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之局部俯視圖。
圖11係表示本發明之基板處理裝置之第3實施形態之俯視圖。
圖1係表示本發明之基板處理裝置之一實施形態之俯視圖。該基板處理裝置1係用以對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板9(以下,簡稱為「基板9」)塗佈作為塗佈液之抗蝕劑液(光阻)之裝置。基板處理裝置1具有將基板9一面支持為水平姿勢一面搬送之機構。以下,將搬送基板9之方向X稱為「搬送方向」,將與搬送方向X正交之水平方向Y稱為「寬度方向」。再者,為了容易理解,而根據需要將各部之尺寸或數量誇張或簡化描繪。
如圖1所示,基板處理裝置1具備對齊移載機構10、搬入側上浮 機構20、搬送機構30、塗佈機構40、搬出側上浮機構50、及控制部60,對藉由輸送機裝置800搬送而來之基板9實施塗佈處理。該輸送機裝置800係用以將自已執行前步驟例如加熱步驟之裝置搬送而來之基板9搬送至基板處理裝置1之裝置,該前步驟係於藉由基板處理裝置1實施塗佈處理之前進行。該輸送機裝置800具有以於寬度方向Y延伸之旋轉軸810為中心而旋轉之複數個輸送機輥820。於該輸送機裝置800中,6個輸送機輥820分別以於寬度方向Y上等間隔地安裝於以於搬送方向X上等間隔地對齊之5個旋轉軸810。複數個輸送機輥820配置於單一之固定之高度位置。而且,藉由對旋轉軸810賦予旋轉驅動力,而使輸送機輥820主動地向相同方向旋轉。藉此,將接觸支持於輸送機輥820上之基板9以使上表面朝向上方之水平姿勢搬送至基板處理裝置1之對齊移載機構10。
該對齊移載機構10接納自輸送機裝置800搬送而來之基板9,如該圖之一點鏈線所示,使基板9於接納位置對齊為特定姿勢之後,將已經對齊完畢之基板9移載至搬入側上浮機構20。於本說明書中,將如此於接納位置對基板9定位之區域稱為「基板接納區域」。再者,關於對齊移載機構10之詳細之構成或動作將於下文詳細敍述。
搬入側上浮機構20具有搬入上浮載台21~23及頂出部24。於本實施形態中,搬入上浮載台21配置於對齊移載機構10之搬送方向X之下游側(X2側)。又,其餘之搬入上浮載台22、23按照該順序配置於搬入上浮載台21之搬送方向X之下游側(X2側)。又,雖然省略於圖1之圖示,但是於各搬入上浮載台21~23之上表面設置有用以噴出壓縮空氣之複數個噴射孔。又,搬入上浮載台21~23分別經由開閉閥21V~23V而與噴射用泵70連接。而且,當根據來自控制部60之打開指令而所有開閉閥21V~23V打開時,壓縮空氣自噴射用泵70經由開閉閥21V~23V而供給至搬入上浮載台21~23,且朝向上方噴射。藉此,基板 9上浮且被支持於設定於搬入上浮載台21~23之上方之搬送路徑(圖6~圖9中之符號H)。再者,於本實施形態中,搬送方向X上之搬入上浮載台21~23之合計長度為基板9之約3/4左右,如圖1所示,成為對齊移載機構10之接納上浮載台進入至搬入側上浮機構20之搬送方向X之上游側部分之構造。該接納上浮載台將於下文詳細敍述,與搬入上浮載台21~23同樣地朝向上方噴射空氣而使基板9上浮且被支持於搬送路徑。因此,當藉由對齊移載機構10而將基板9搬送至搬入側上浮機構20時,於搬入側上浮機構20中,基板9中搬送方向X上游側之1/4左右自接納上浮載台之上表面上浮且被支持,且搬送方向X上游側之3/4左右自搬入上浮載台21~23之上表面上浮且被支持。
頂出部24具有當於搬入側上浮機構20中將基板9交付至搬送機構30時,將基板9之寬度方向Y之兩端部暫時頂出之功能。更詳細而言,頂出部24具有於上下延伸之複數個頂起銷241及用以使頂起銷241升降之銷升降部242(圖4)。於本實施形態中,於寬度方向Y之一端部側(Y1側),5個頂起銷241之頂部以橫跨對齊移載機構10之接納上浮載台(圖1之符號13~16)之下游端部與搬入側上浮機構20之搬入上浮載台21~23之狀態,遍及基板9之搬送方向長度之範圍以大致等間隔配置,並且於另一端部(Y2側)5個頂起銷241亦與上述同樣地配置。但是,任一個頂起銷241均如圖1所示,配置於較對齊移載機構10之接納上浮載台及搬入上浮載台21~23之寬度方向Y之兩端部更靠寬度方向Y內側。
如此配置之頂起銷241係藉由銷升降部242根據來自控制部60之指令動作而一體地升降移動。例如,當銷升降部242根據上升指令而使頂起銷241上升時,不與以下說明之搬送機構30之吸附保持部31干涉而頂起銷241抵接於基板9之下表面,基板9之寬度方向Y之兩端部附近被頂起銷241頂出。藉此,能夠向以下說明之搬送機構30交付基 板9。另一方面,於除上述交付時以外,頂起銷241下降至較基板9之搬送路徑更低之位置而待機。
搬送機構30具有當於基板9之上表面塗佈抗蝕劑液時,將基板9向搬送方向X之下游側(X2側)搬送之功能。如圖1所示,於搬送機構30中,自下表面側吸附保持基板9之寬度方向Y之一端部(Y1側)之吸附保持部31於搬送方向X設置有一對。又,於另一端部側(Y2側)亦設置有一對吸附保持部31。各一對吸附保持部31能夠沿著形成於基台72之上表面之導軌32藉由線性馬達等驅動部33(圖4)而向搬送方向X移動。再者,該等吸附保持部31經由開閉閥31V(圖4)而與吸附用泵73連接。因此,當開閉閥31V根據來自控制部60之吸附指令而打開時,基板9之下表面藉由吸附保持部31吸附保持。
如圖1所示,導軌32於搬送方向X自搬入側上浮機構20之寬度方向Y外側之位置延伸至搬出側上浮機構50之寬度方向Y外側之位置。 因此,吸附保持部31能夠於接收被頂起銷241頂出之基板9並予以吸附保持之後,一面吸附保持基板9,一面將基板9自搬入側上浮機構20經由塗佈機構40搬送至搬出側上浮機構50。
如圖1所示,塗佈機構40於搬送方向X上配置於搬入側上浮機構20與搬出側上浮機構50之間,且具有對藉由搬送機構30於搬送方向X搬送之基板9之上表面塗佈抗蝕劑液之功能。塗佈機構40具有塗佈上浮載台41、橋接部42、及狹縫噴嘴43。於塗佈上浮載台41之上表面,雖然省略圖示,但是設置有用以噴出壓縮空氣之複數個噴射孔及用以吸引空氣之複數個吸引孔。該等複數個噴射孔經由開閉閥411V而與噴射用泵70連接。另一方面,複數個吸引孔經由開閉閥412V而與吸附用泵73連接。而且,於藉由搬送機構30於搬送方向X搬送基板9之期間,由來自複數個噴射孔之壓縮空氣之噴出所致之向上方之壓力與由朝複數個吸引孔之吸氣所致之向下方之壓力作用於基板9之下表 面。藉此,基板9於自塗佈上浮載台41之上表面稍微上浮之狀態下穩定地支持於搬送路徑上。
又,於塗佈機構40中,橋接部42於寬度方向Y架設於塗佈上浮載台41之上方,並且狹縫噴嘴43於使噴出口朝向下方之狀態下安裝於該橋接部42。該狹縫噴嘴43與未圖示之抗蝕劑液供給源連接,將自抗蝕劑液供給源供給之抗蝕劑液經由於寬度方向Y延伸之狹縫狀之噴出口,噴出至一面保持於搬送機構30一面搬送之基板9之上表面。
搬出側上浮機構50與搬入側上浮機構20同樣地,具有複數個搬出上浮載台51~54及頂出部55,且具有自搬送機構30接收塗佈有抗蝕劑液之基板9之功能、及將該基板9自基板處理裝置1搬出之功能。
搬出上浮載台51配置於塗佈上浮載台41之搬送方向X之下游側(X2側)。又,其餘之搬出上浮載台52~54按照該順序配置於搬出上浮載台51之搬送方向X之下游側(X2側)。又,搬出上浮載台51~54分別經由開閉閥51V~54V而與噴射用泵70連接。而且,當所有開閉閥51V~54V根據來自控制部60之打開指令而打開時,壓縮空氣自噴射用泵70經由開閉閥51V~54V而供給至搬出上浮載台51~54,且自省略圖示之噴射孔朝向上方噴射。藉此,基板9自搬出上浮載台51~54上浮特定之搬送高度,且被支持於該上浮位置。
頂出部55具有當於搬出側上浮機構50自搬送機構30接收基板9時以及交付至其他裝置,例如搬送機器人時,將基板9之下表面整體暫時頂起之功能。更詳細而言,頂出部55具有上下延伸之複數個頂起銷551,及用以使頂起銷551升降之銷升降部552(圖4)。於本實施形態中,相對於搬出上浮載台51~54整體而頂起銷551配置為5×5之二維矩陣狀。但是,任一個頂起銷551均如圖1所示,配置於較搬出上浮載台51~54之寬度方向Y之兩端部更靠寬度方向Y內側。
如此配置之頂起銷551係藉由銷升降部552(圖4)根據來自控制部 60之指令動作而一體地升降移動。例如,當銷升降部552根據上升指令而使頂起銷551上升時,不與搬送機構30之吸附保持部31干涉而頂起銷551抵接於基板9之下表面,基板9之寬度方向Y之兩端部附近被頂起銷551頂出。藉此,能夠自搬送機構30接收基板9。又,向上述搬送機器人交付基板9亦相同。另一方面,於除上述接收及交付時以外,頂起銷551下降至較基板9之搬送路徑更低之位置而待機。
如上所述,當將基板9移載至搬入側上浮機構20時,基板處理裝置1於使基板9自搬入上浮載台21~23、41、51~54上浮特定高度之狀態下搬送基板9,且於該搬送中將抗蝕劑液塗佈於基板9之上表面。此處,為了良好地進行塗佈處理,必須預先調整基板9之水平位置及姿勢即進行對齊處理,於本實施形態中,於對齊移載機構10將自輸送機裝置800輸送而來之基板9移載至搬入上浮載台21~23之期間,執行上述對齊處理。以下,於參照圖1至圖4且對對齊移載機構10之構成進行詳細敍述之後,對基板處理裝置1之動作進行說明。
圖2係裝備於圖1之對齊移載機構之局部放大立體圖。於對齊移載機構10中,如圖1及圖2所示,於基台72之表面中搬送方向X之上游側(X1側),且於基台72之表面中寬度方向Y之中央部,沿搬送方向X延伸設置有線性馬達等線性運動驅動部11。於該實施形態中,如圖1所示,線性運動驅動部11之下游側端部進入至搬入側上浮機構20,且到達至搬入上浮載台21之附近為止。該線性運動驅動部11具有:固定部111,其固定於基台72之表面;及可動台112,其根據來自控制部60之移動指令而相對於固定部111於搬送方向X移動。再者,於該可動台112之上表面固定有中心夾盤12。
於相對於線性運動驅動部11之寬度方向Y之Y2側,移載上浮載台13、14於基台72之上表面沿搬送方向X延伸設置,又於相反之Y1側,移載上浮載台15、16於基台72之上表面沿搬送方向X延伸設置。該等 4個移載上浮載台13~16均自基台72之搬送方向X之上游側端部到達搬入上浮載台21之附近,於寬度方向Y上相互分隔設置。再者,如圖2所示,於本實施形態中,移載上浮載台13~16分別配置於支持台13B~16B上。
該等移載上浮載台13~16與搬入上浮載台21~23同樣地,分別經由開閉閥13V~16V(圖1)而與噴射用泵70連接。而且,當開閉閥13V~16V根據來自控制部60之打開指令而打開時,壓縮空氣自噴射用泵70分別經由開閉閥13V~16V而供給至移載上浮載台13~16,且自省略圖示之噴射孔朝向上方噴射。藉此,如下文詳細敍述,自輸送機裝置800輸送而來之基板9上浮於搬送路徑上並被支持,於該支持狀態下於搬送路徑上對齊,進而移載至搬入側上浮機構20。
又,於本實施形態中,於中心夾盤12之上表面設置有複數個孔(省略圖示),與移載上浮載台13~16同樣地,能夠接受壓縮空氣之供給並自該孔向上方噴射空氣。例如,如圖1所示,藉由於將中心夾盤12定位於搬送方向X之上游側端部之狀態下向上方噴射壓縮空氣,而能夠與移載上浮載台13~16協作使自輸送機裝置800輸送而來之基板9之上浮支持穩定化。再者,於本實施形態中,以如下方式構成中心夾盤12,以使中心夾盤12不僅發揮噴射壓縮空氣而上浮支持基板之功能,而且發揮保持被定位於接納位置(基板接納區域)之基板9(圖1中之一點鏈線所示之基板9)之功能。
設置於中心夾盤12之上表面之複數個孔經由開閉閥12V而連接於噴射/吸附切換部17。該噴射/吸附切換部17連接於噴射用泵70及吸附用泵73。而且,噴射/吸附切換部17根據來自控制部60之切換指令而於噴射用泵70與吸附用泵73之間切換開閉閥12V之連接目的地。例如,當於以連接噴射用泵70與開閉閥12V之方式切換噴射/吸附切換部17之狀態下自控制部60對開閉閥12V賦予打開指令時,壓縮空氣經由 噴射/吸附切換部17及開閉閥12V而被壓送至中心夾盤12,其結果,自上述孔向上方噴射壓縮空氣。反之,當於以連接吸附用泵70與開閉閥12V之方式切換噴射/吸附切換部17之狀態下自控制部60對開閉閥12V賦予打開指令,基板9與中心夾盤12之間之氣體環境經由上述孔、開閉閥12V及噴射/吸附切換部17而被吸引,從而吸附基板9之下表面之一部分,更詳細而言係與中心夾盤12對向之對向區域。藉此,將基板9保持於中心夾盤12。
又,於移載上浮載台13、16之X1側端部之兩側配置有驅動輥18。於本實施形態中,驅動輥18以其頂部與搬送路徑一致之方式配置,且具有接受來自輥驅動部181之驅動力而將基板9向X2方向搬送之機構。因此,自輸送機裝置800搬入至對齊移載機構10之基板9藉由驅動輥18進而向X2方向搬送,且被定位於接納位置(圖1之一點鏈線所示之基板位置)。此處,使用由驅動輥18所產生之搬送力進行向接納位置送入基板9,但是亦可構成為一方面代替驅動輥18而使用自由輥,一方面藉由中心夾盤12執行上述送入動作。
對齊移載機構10如上所述,以包圍藉由移載上浮載台13~16及中心夾盤12於接納位置上浮並予以支持之基板9之方式配置有對齊部19。更具體而言,於基板9之各側端面之外側設置有對齊部19。再者,於圖1中,僅圖示對齊部19之一部分(相當於與基板9抵接自如之抵接部件197(圖3))。
圖3係表示設置於對齊移載機構之對齊部之構成之圖。於該圖中之(a)欄中記載有將抵接部件定位於自上浮支持於接納位置之基板9離開之退避位置之狀態,即退避狀態。又,於該圖中之(b)欄中記載有將抵接部件定位於使抵接部件壓抵於該基板9之側端部而使基板9對齊之對齊位置之狀態,即對齊狀態。再者,於本實施形態中,如圖1所示,以包圍上浮支持於接納位置之基板9之方式配設有合計8個之對齊 部19,任一者均具有相同構成。
對齊部19如圖3所示,於對齊基台191上固定有空氣滑塊192之氣缸部。該空氣滑塊192根據來自控制部60之伸縮指令而使活塞部193於水平方向伸縮。於該活塞部193之前端部,安裝有另一空氣滑塊194之氣缸部。空氣滑塊194根據來自控制部60之伸縮指令而使活塞部195於上下方向伸縮。進而,於活塞部195之上端部固定有支架196,並且自該支架196朝向基板9突出設置有抵接部件197。於該實施形態中,對齊部19配置於較基板9之搬送路徑(圖6~圖9中之符號H)於鉛垂方向上更低之位置,除了執行對齊處理之時序以外,如圖3中之(a)欄所示,活塞部193、195均後退至氣缸部而與沿著搬送路徑移動之基板9成為非干涉狀態。另一方面,於執行對齊處理時,自控制部60對空氣滑塊194賦予伸長指令,活塞部195接收該伸長指令向上方伸長而將抵接部件197定位於與搬送路徑相同之高度位置。繼而,自控制部60對空氣滑塊192賦予伸長指令,活塞部193接收該伸長指令而向基板9側僅伸長特定量。藉此,如圖3中之(b)欄所示,抵接部件197與基板9之側端部抵接。藉由所有8個對齊部19同步執行此種動作而將基板9之水平位置及姿勢調整為預先設定之狀態。
圖4係表示圖1所示之基板處理裝置之電氣構成之方塊圖。於該基板處理裝置1之控制部60設置有:CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)61,其執行預先規定之處理程式而控制各部之動作;記憶體62,其用以記憶保存藉由CPU61執行之處理程式或於處理中產生之資料等;及顯示部63,其用以將處理之進展情況或異常之發生等根據需要報告給使用者。而且,藉由CPU61根據處理程式控制裝置各部,而執行以下詳細敍述之接納準備步驟、接納步驟、對齊步驟、移載步驟、搬送步驟、塗佈步驟等。
圖5係表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之基板處理動作之 流程圖。圖6係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之接納準備步驟之圖。圖7係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之對齊步驟之圖。圖8係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之移載步驟之圖。圖9係模式性地表示利用圖1所示之基板處理裝置執行之提昇步驟之圖。再者,圖6至圖9中之陰影部分表示向上方噴射壓縮空氣,緞紋部分表示被吸引。又,圖6至圖9中之實線箭頭表示於中心夾盤12處之空氣之流動,虛線箭頭表示於上浮載台處之空氣之流動。又,圖6至圖9中之(a)欄表示俯視圖,(b)欄表示(a)欄中之B-B線剖視圖。
當於基板處理裝置1處理基板9時,首先,於自前步驟之輸送機裝置800搬出基板9之前,於基板處理裝置1進行接納準備(步驟S1)。 具體而言,如圖6所示,將中心夾盤12向搬送方向X之上游側(X1側)移動,且於與輸送機裝置800相鄰之位置定位。然後,輥驅動部181作動而使驅動輥18旋轉。又,噴射/吸附切換部17切換為「噴射狀態」,並且開閉閥12V打開而將壓縮空氣輸送至中心夾盤12,自中心夾盤12之上表面朝向上方噴射。而且,開閉閥13V~16V打開而將壓縮空氣輸送至移載上浮載台13~16,亦自各移載上浮載台13~16之上表面朝向上方噴射。再者,其他開閉閥21~23V、41V、51V~554V關閉。 又,對齊部19成為退避狀態(參照圖3之(a)欄)。
當完成如此之基板9之接納準備時,利用輸送機裝置800將基板9向方向X2搬送(步驟S2:接納步驟)。於對齊移載機構10中,將基板9一面支持於驅動輥18一面送入至接納位置(圖6之(a)欄中之兩點鏈線所示之基板接納區域)。此時,對基板9之下表面吹送壓縮空氣而將基板9支持於搬送路徑H之高度位置。然後,當基板9到達至接納位置時,輥驅動部181停止驅動輥18之驅動。
當完成基板9向接納位置之接納時,對齊部19自「退避狀態」移 行至「對齊狀態」。藉此,如圖7所示,8個對齊部19之抵接部件197抵接於基板9之側端部而調整接納位置之基板9之水平位置及姿勢(步驟S3:對齊步驟)。
繼而,保持開閉閥12V打開之狀態下,噴射/吸附切換部17自「噴射狀態」切換為「吸附狀態」,對隔於中心夾盤12之上表面與基板9之下表面之間之空間之氣體環境排氣,利用中心夾盤12吸附並保持基板9之下表面中與中心夾盤12對向之區域(步驟S4)。繼而,對齊部19自「對齊狀態」移行至「退避狀態」。藉此,8個對齊部19之抵接部件197自基板9之側端部退避而能夠搬送基板9。然後,如圖8所示,繼續自移載上浮載台13~16之上表面噴射壓縮空氣而自下方支持基板9,並且於中心夾盤12保持基板9之狀態下向X2方向移動。藉此,基板9沿著搬送路徑H穩定地朝向搬入側上浮機構20搬送。
此處,於本實施形態中,於與移動開始同時或者稍微早之時序,開閉閥21V~23V打開而將壓縮空氣自搬入上浮載台21~23之上表面向上方噴射。藉此,於本實施形態中,能夠穩定地進行基板9向搬入側上浮機構20之移載。
當如上所述將基板9搬送至搬入側上浮機構20之搬入位置(圖1中之兩點鏈線所示之基板位置)為止而完成基板9之移載(步驟S5)時,繼而頂起銷241上升(步驟S6)。於該上升中途各頂起銷241之前端部接觸並支持於搬送路徑上之基板9之下表面。而且,頂起銷241藉由進一步之上升而將基板9提昇至搬送路徑H之上方(參照圖9)。
其次,以4個吸附保持部31位於已提昇之基板9之下方之方式,將搬送機構30向X1方向移動而定位於搬入位置(步驟S7)。繼而,頂起銷241下降至較搬送路徑H低之位置,於搬入位置將基板9交付至吸附保持部31上(步驟S8)。然後,開閉閥31V打開而開始基板9之吸附保持(步驟S9)。
當如此將基板9保持於搬送機構30時,於將中心夾盤12之吸附解除而切換為噴射之後,搬送機構30沿著導軌32向搬送方向X之下游側(X2側)移動,藉此將基板9向搬送方向X之下游側(X2側)搬送。於與該基板搬送之開始同時或稍微早之時序,開閉閥21V~23V、51V~54V打開而將壓縮空氣自搬入上浮載台21~23及搬出上浮載台51~54之上表面向上方噴射。又,開閉閥411V、412V打開而噴出來自塗佈上浮載台41之上表面之噴射孔之壓縮空氣,並且藉由向複數個吸引孔之吸氣而使向下方之壓力作用於基板9。如此,於本實施形態中,能夠穩定地進行自搬入側上浮機構20向搬出側上浮機構50之基板9之搬送。 又,與此並行,狹縫噴嘴43朝向藉由塗佈上浮載台41上之基板9之上表面噴出抗蝕劑液。藉此,將抗蝕劑液塗佈於基板9之上表面(步驟S10:塗佈步驟)。
將塗佈有抗蝕劑液之基板9搬送至搬出上浮載台51~54上為止而停止。然後,開閉閥31V關閉而停止利用吸附保持部31吸附保持基板9。繼而,25個頂起銷551自搬出上浮載台51~54之上表面較搬送路徑H更高地突出。藉此,基板9被提昇至較搬送路徑H更高之位置。然後,省略圖示之搬送機器人接收支持於複數個頂起銷551之基板9,且向後步驟之裝置搬出(步驟S11:搬出步驟)。
如以上般,於本實施形態中,於使藉由輸送機裝置800搬送而來之基板9於接納位置對齊之後,將基板9一面藉由保持該基板9之中心夾盤12保持一面移載至搬入側上浮機構20。因此,移載至搬入側上浮機構20之搬入位置之基板9已經對齊完畢。因此,不需要於該搬入位置之對齊處理,其結果,能夠縮短基板處理裝置1之工作時間。
圖10係表示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之局部俯視圖。該第2實施形態與第1實施形態較大之不同方面為於輸送機裝置800追加裝備有頂出部830之方面,其他構成基本上與第1實施形態相 同。以下,以不同點為中心進行說明,對相同構成標註相同符號並省略說明。
頂出部830具有:複數個頂起銷831,其等於輸送機輥820之間上下延伸;及銷升降部(省略圖示),其用以使頂起銷831升降。而且,於自進行前步驟之裝置將基板9搬送至輸送機裝置800之前,銷升降部動作而使所有頂起銷831上升,將頂起銷831之頂部定位於較輸送機輥820更高之位置。繼而,省略圖示之搬送機器人自進行前步驟之裝置接收基板9,並將該基板9載置於頂起銷831之頂部上。然後,銷升降部使頂起銷831下降而將基板9自搬送機器人交付至輸送機輥820上。 將如此搬送至輸送機裝置800之基板9於適當之時序搬送至基板處理裝置1之對齊移載機構10,且進行塗佈處理。
圖11係表示本發明之基板處理裝置之第3實施形態之俯視圖。第3實施形態之特徵為如下方面:不經由輸送機裝置800,而藉由省略圖示之搬送機器人將已接受前步驟處理之基板9直接搬送至對齊移載機構10。為了使此種搬送形態成為可能,如圖11所示追加裝備有頂出部110。該頂出部110具有:複數個頂起銷1101,其等於移載上浮載台13~16之間上下延伸;及銷升降部(省略圖示),其用以使頂起銷1101升降。而且,於自進行前步驟之裝置將基板9搬送至對齊移載機構10之前,銷升降部動作而使所有頂起銷1101上升,將頂起銷1101之頂部定位於較移載上浮載台13~16之上表面更高之位置。又,將開閉閥13V~16V打開,自移載上浮載台13~16之上表面向上方噴射壓縮空氣而進行基板9之接納準備。再者,於該階段中,如圖11所示,中心夾盤12位於搬送方向X之上游側,此處,既可自中心夾盤12之上表面朝向上方噴射壓縮空氣,亦可不進行壓縮空氣之噴射。
繼而,省略圖示之搬送機器人自進行前步驟之裝置接收基板9,並將該基板9載置於頂起銷831之頂部上。然後,銷升降部使頂起銷 831下降而藉由壓縮空氣上浮支持基板9。將如此搬送至對齊移載機構10之基板9於適當之時序藉由對齊部19對齊之後,搬送至搬入側上浮機構20而進行塗佈處理。
再者,本發明並不限定於上述實施形態,只要不脫離其主旨,則能夠於上述實施形態以外進行各種變更。例如,於上述實施形態中,於搬入側上浮機構20及搬出側上浮機構50之任一者,均將上浮載台分割為複數個,但是亦可將搬入側上浮機構20及搬出側上浮機構50中之至少一者設為如下,即,設置沿搬送方向X相連之單一之上浮載台來代替複數個上浮載台。
又,於上述實施形態中,中心夾盤12不僅能夠吸附而且能夠執行壓縮空氣之噴射,但是亦可以僅進行吸附之方式構成。又,藉由中心夾盤12吸附保持基板9,但是保持方式並不限定於此,亦可機械性地保持。進而,中心夾盤12之保持位置成為基板9之下表面之搬送方向上游側端部,但是保持位置並不限定於此,亦可保持基板9之一部分或全部。
又,於上述實施形態中,任一個對齊部19均利用藉由2個空氣滑塊192、194之組合於2個方向(鉛垂方向Z+相對於基板9之水平進退方向)驅動抵接部件197,而避免與基板搬送之干涉。此處,8個中以符號19a所示之對齊部本來自基板9之搬送路徑H偏離而配設。因此,關於對齊部19a,亦能以僅於相對於基板9之水平進退方向,即於寬度方向Y驅動之方式構成。如此可藉由簡化對齊部19a之構成而實現裝置成本之降低。
進而,於上述實施形態中,作為對於基板之處理而將抗蝕劑液塗佈於基板9,但是本發明之適用對象並不限定於此,亦可將本發明適用於對基板實施塗佈除抗蝕劑液以外之液體之基板步驟或除塗佈步驟以外之處理之基板處理裝置。
如以上所說明,於上述實施形態中,搬入上浮載台21~23相當於本發明之「上浮載台」之一例。又,包含步驟S8、S9之步驟相當於本發明之「搬送步驟」及「處理步驟」之一例,作為本發明之「處理步驟」執行塗佈步驟之塗佈機構40相當於本發明之「處理機構」之一例。又,包含上述步驟S2~S5之步驟相當於本發明之「移載步驟」之一例,執行該等步驟之對齊移載機構10相當於本發明之「移載機構」之一例。又,中心夾盤12相當於本發明之「保持部」之一例,線性運動驅動部11作為本發明之「驅動部」而發揮功能。又,基板9之上表面及下表面分別相當於本發明之「一主面」及「另一主面」。又,抗蝕劑液相當於本發明之「塗佈液」之一例。
以上,如例示具體之實施形態進行了說明般,本發明亦可以如下方式構成,即,例如移載機構以將基板之一主面朝向上方之水平姿勢接納基板,且保持水平姿勢將基板移載至上浮載台。
又,亦可以保持部吸附並保持基板之另一主面之方式構成。
又,亦可以如下方式構成,即,保持部於進行利用接納上浮部接納基板及利用對齊部來對齊基板之期間,不進行基板之另一主面之吸附。
亦可以如下方式構成,即,保持部於進行利用接納上浮部接納基板及利用對齊部來對齊基板之期間,一面位於藉由接納上浮部而上浮並接納基板之基板接納區域之下方位置,一面朝向基板接納區域噴射氣體,於基板之對齊完成之後停止氣體之噴射,繼而吸附基板之另一主面。
亦可以保持部吸附並保持基板之另一主面中與上浮載台為相反側之端部之方式構成。
又,亦可以如下方式構成,即,接納上浮部於進行接納基板、利用對齊部來對齊基板及保持部向上浮載台移動之期間,朝向上方噴 射氣體而使基板上浮。
進而,亦可以如下方式構成,即,處理機構具有噴出部,該噴出部具有於與第1方向正交之第2方向延伸之噴出口,自噴出口朝向藉由搬送機構搬送之基板噴出塗佈液而塗佈塗佈液。
本發明可適用於自上浮載台搬送基板並且對搬送中之基板實施處理之基板處理技術之全部。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置,其特徵在於具備:上浮載台,其使基板上浮;搬送機構,其自上浮載台接收基板並搬送;處理機構,其對藉由上述搬送機構而搬送之基板實施處理;及移載機構,其將基板移載至上述上浮載台;且上述移載機構具備:接納上浮部,其使搬送而來之基板上浮並予以接納;對齊部,其使藉由上述接納上浮部而上浮之上述基板對齊;保持部,其保持藉由上述對齊部而對齊之上述基板;及驅動部,其使上述保持部移動至上述上浮載台。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述移載機構係於使上述基板之一主面朝向上方之水平狀態下接納上述基板,且於保持上述水平狀態下將上述基板移載至上述上浮載台。
  3. 如請求項2之基板處理裝置,其中上述保持部吸附並保持上述基板之另一主面。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述保持部於進行利用上述接納上浮部接納上述基板及利用上述對齊部來對齊上述基板之期間,不進行上述基板之另一主面之吸附。
  5. 如請求項4之基板處理裝置,其中上述保持部於進行利用上述接納上浮部接納上述基板及利用上述對齊部對齊上述基板之期間,一面位於藉由上述接納上浮部而上浮並接納上述基板之基板接納區域之下方位置,一面朝向上述基板接納區域噴射氣體,於上述基板之對齊完成之後停止上述氣體之噴射,繼而吸附上述基板之另一主面。
  6. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置,其中上述保持部吸附並保持上述基板之另一主面中與上述上浮載台為相反側之端部。
  7. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置,其中上述接納上浮部於進行接納上述基板、利用上述對齊部來對齊上述基板及上述保持部向上述上浮載台移動之期間,朝向上方噴射氣體而使上述基板上浮。
  8. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置,其中上述搬送機構於第1方向搬送上述基板,上述處理機構具有噴出部,該噴出部具有於與上述第1方向正交之第2方向延伸之噴出口,自上述噴出口朝向由上述搬送機構搬送之上述基板噴出塗佈液而塗佈上述塗佈液。
  9. 一種基板處理方法,其特徵在於具備:移載步驟,其將基板移載至使基板上浮之上浮載台上;搬送步驟,其自上述上浮載台搬送上述基板;及處理步驟,其對所搬送之上述基板實施處理;且上述移載步驟具有:使搬送而來之上述基板上浮於接納上浮部之上方並予以接納之步驟;使藉由上述接納上浮部而上浮之上述基板對齊之步驟;及一面保持所對齊之上述基板之一部分,一面使上述基板移動至上浮載台上而交付至上述上浮載台之步驟。
TW105122451A 2015-09-18 2016-07-15 基板處理裝置及基板處理方法 TWI623476B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107973123A (zh) * 2017-12-21 2018-05-01 安徽预立兴川机器人技术股份有限公司 一种液晶面板出料装载平台对准系统
JP6861198B2 (ja) * 2018-12-12 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および塗布装置
CN109835715A (zh) * 2019-02-02 2019-06-04 威海瑞翼德机械制造有限公司 一种玻璃基板搬送装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200631075A (en) * 2005-01-24 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Stage equipment and coating processing equipment
TWI305933B (en) * 2005-03-17 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201133681A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus, changing method and transferring method
TW201412623A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Avanstrate Inc 玻璃基板之搬送裝置及玻璃基板之製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012187453A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Toray Eng Co Ltd 浮上塗布装置及び浮上塗布方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200631075A (en) * 2005-01-24 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Stage equipment and coating processing equipment
TWI305933B (en) * 2005-03-17 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201133681A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus, changing method and transferring method
TW201412623A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Avanstrate Inc 玻璃基板之搬送裝置及玻璃基板之製造方法

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