CN106548965B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106548965B
CN106548965B CN201610605747.9A CN201610605747A CN106548965B CN 106548965 B CN106548965 B CN 106548965B CN 201610605747 A CN201610605747 A CN 201610605747A CN 106548965 B CN106548965 B CN 106548965B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
floating
receiving
unit
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610605747.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106548965A (zh
Inventor
池田文彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sikolin Group
Original Assignee
Sikolin Group
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sikolin Group filed Critical Sikolin Group
Publication of CN106548965A publication Critical patent/CN106548965A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106548965B publication Critical patent/CN106548965B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本案涉及基板处理装置及基板处理方法。在一面从使基板上浮的上浮平台搬送基板一面对搬送中的基板实施处理的基板处理装置中,通过使基板的排列处理及基板向上浮平台的移载处理合理化而缩短基板处理装置的工作时间。本发明的基板处理装置具备:上浮平台,使基板上浮;搬送机构,从上浮平台接收基板并搬送;处理机构,对通过搬送机构搬送的基板实施处理;及移载机构,将基板移载至上浮平台;且移载机构具备:接纳上浮部,使搬送而来的基板上浮并予以接纳;排列部,使通过接纳上浮部而上浮的基板排列;保持部,保持通过排列部而排列的基板;及驱动部,使保持部移动至上浮平台。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法,该基板处理装置具有使液晶显示装置用玻璃基板、半导体晶片、PDP(plasma display panel,等离子显示器面板)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、彩色滤光片用基板、记录碟片用基板、太阳电池用基板、电子纸用基板等精密电子装置用基板(以下,简称为“基板”)上浮的上浮平台,从该上浮平台搬送基板并且对搬送中的基板实施处理。
背景技术
以往,提出有如下的基板处理技术,即,在所述的精密电子装置用基板的制造步骤中,一面伴随基板的大型化而使基板上浮而搬送,一面对搬送中的基板的上表面供给处理液而对基板实施所期望的处理。例如,在日本专利特开2011-210767号公报所记载的装置中,设置有使基板上浮并予以支撑的上浮平台,搬送部从该上浮平台接收基板并向特定的搬送方向上浮搬送。而且,在利用搬送部搬送基板的过程中,将作为处理液的抗蚀剂液喷出而涂布至基板的上表面。
发明内容
[发明要解决的问题]
在所述以往装置中,与上浮平台相邻而设置有移载部,通过辊搬送而将基板移载至上浮平台。而且,在自上浮平台搬送基板之前,执行在上浮平台调整基板的水平位置及姿势的所谓排列处理。在如此构成的装置中,在执行排列处理的期间,无法进行利用搬送部搬送基板,该情况成为使处理工作时间增大的主要原因之一。
本发明是鉴于所述课题而完成的,其目的在于,在一面从使基板上浮的上浮平台搬送基板一面对搬送中的基板实施处理的基板处理装置中,通过使基板的排列处理及基板向上浮平台的移载处理合理化而缩短基板处理装置的工作时间。
[解决问题的技术手段]
本发明的一态样是一种基板处理装置,其特征在于具备:上浮平台,使基板上浮;搬送机构,从上浮平台接收基板并搬送;处理机构,对通过搬送机构而搬送的基板实施处理;及移载机构,将基板移载至上浮平台;且移载机构具备:接纳上浮部,使搬送而来的基板上浮并予以接纳;排列部,使通过接纳上浮部而上浮的基板排列;保持部,保持通过排列部而排列的基板;及驱动部,使保持部移动至上浮平台。
另外,本发明的另一态样是一种基板处理方法,其特征在于具备:移载步骤,将基板移载至使基板上浮的上浮平台上;搬送步骤,从上浮平台搬送基板;及处理步骤,对所搬送的基板实施处理;且移载步骤具有:使搬送而来的基板上浮于接纳上浮部上并予以接纳的步骤;使通过接纳上浮部而上浮的基板排列的步骤;及一面保持排列的基板的一部分,一面使基板移动至上浮平台上而交付至上浮平台的步骤。
[发明的效果]
在如此构成的发明中,在使基板上浮的状态下进行基板的排列之后,将已经排列完毕的基板在通过保持部保持的状态下移载至上浮平台。如此,基板在移载至上浮平台的时间点已经排列完毕,从而不需要于上浮平台进行排列处理。其结果,可缩短基板处理装置的工作时间。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的第1实施方式的俯视图。
图2是装备在图1的排列移载机构的局部放大立体图。
图3是表示设置在排列移载机构的排列部的构成的图。
图4是表示图1所示的基板处理装置的电气构成的框图。
图5是表示利用图1所示的基板处理装置执行的基板处理动作的流程图。
图6是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的接纳准备步骤的图。
图7是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的排列步骤的图。
图8是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的移载步骤的图。
图9是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的提升步骤的图。
图10是表示本发明的基板处理装置的第2实施方式的局部俯视图。
图11是表示本发明的基板处理装置的第3实施方式的俯视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的基板处理装置的一实施方式的俯视图。该基板处理装置1是用以对液晶显示装置用的矩形的玻璃基板9(以下,简称为“基板9”)涂布作为涂布液的抗蚀剂液(光阻)的装置。基板处理装置1具有将基板9一面支撑为水平姿势一面搬送的机构。以下,将搬送基板9的方向X称为“搬送方向”,将与搬送方向X正交的水平方向Y称为“宽度方向”。此外,为了容易理解,而根据需要将各部的尺寸或数量夸张或简化描绘。
如图1所示,基板处理装置1具备排列移载机构10、搬入侧上浮机构20、搬送机构30、涂布机构40、搬出侧上浮机构50、及控制部60,对通过输送机装置800搬送而来的基板9实施涂布处理。该输送机装置800是用以将从已执行前步骤例如加热步骤的装置搬送而来的基板9搬送至基板处理装置1的装置,该前步骤是在通过基板处理装置1实施涂布处理之前进行的。该输送机装置800具有以在宽度方向Y延伸的旋转轴810为中心而旋转的多个输送机辊820。在该输送机装置800中,6个输送机辊820分别以在宽度方向Y上等间隔地安装在以在搬送方向X上等间隔地排列的5个旋转轴810。多个输送机辊820配置在单一的固定的高度位置。而且,通过对旋转轴810赋予旋转驱动力,而使输送机辊820主动地向相同方向旋转。由此,将接触支撑在输送机辊820上的基板9以使上表面朝向上方的水平姿势搬送至基板处理装置1的排列移载机构10。
该排列移载机构10接纳从输送机装置800搬送而来的基板9,如该图的一点链线所示,使基板9在接纳位置排列为特定姿势之后,将已经排列完毕的基板9移载至搬入侧上浮机构20。在本说明书中,将如此在接纳位置对基板9定位的区域称为“基板接纳区域”。此外,关于排列移载机构10的详细的构成或动作将于下文详细叙述。
搬入侧上浮机构20具有搬入上浮平台21~23及顶出部24。在本实施方式中,搬入上浮平台21配置在排列移载机构10的搬送方向X的下游侧(X2侧)。另外,其余的搬入上浮平台22、23按照该顺序配置在搬入上浮平台21的搬送方向X的下游侧(X2侧)。另外,虽然省略于图1的图示,但是在各搬入上浮平台21~23的上表面设置有用以喷出压缩空气的多个喷射孔。另外,搬入上浮平台21~23分别经由开闭阀21V~23V而与喷射用泵70连接。而且,当根据来自控制部60的打开指令而所有开闭阀21V~23V打开时,压缩空气从喷射用泵70经由开闭阀21V~23V而供给至搬入上浮平台21~23,且朝向上方喷射。由此,基板9上浮且被支撑在设定在搬入上浮平台21~23的上方的搬送路径(图6~图9中的符号H)。此外,在本实施方式中,搬送方向X上的搬入上浮平台21~23的合计长度为基板9的约3/4左右,如图1所示,成为排列移载机构10的接纳上浮平台进入至搬入侧上浮机构20的搬送方向X的上游侧部分的结构。该接纳上浮平台将于下文详细叙述,与搬入上浮平台21~23同样地朝向上方喷射空气而使基板9上浮且被支撑在搬送路径。因此,当通过排列移载机构10而将基板9搬送至搬入侧上浮机构20时,在搬入侧上浮机构20中,基板9中搬送方向X上游侧的1/4左右从接纳上浮平台的上表面上浮且被支撑,且搬送方向X上游侧的3/4左右从搬入上浮平台21~23的上表面上浮且被支撑。
顶出部24具有当在搬入侧上浮机构20中将基板9交付至搬送机构30时,将基板9的宽度方向Y的两端部暂时顶出的功能。更详细来说,顶出部24具有在上下延伸的多个顶起销241及用以使顶起销241升降的销升降部242(图4)。在本实施方式中,在宽度方向Y的一端部侧(Y1侧),5个顶起销241的顶部以横跨排列移载机构10的接纳上浮平台(图1的符号13~16)的下游端部与搬入侧上浮机构20的搬入上浮平台21~23的状态,遍及基板9的搬送方向长度的范围以大致等间隔配置,并且在另一端部(Y2侧)5个顶起销241也与所述同样地配置。但是,任一个顶起销241均如图1所示,配置在比排列移载机构10的接纳上浮平台及搬入上浮平台21~23的宽度方向Y的两端部更靠宽度方向Y内侧。
如此配置的顶起销241是通过销升降部242根据来自控制部60的指令动作而一体地升降移动。例如,当销升降部242根据上升指令而使顶起销241上升时,不与以下说明的搬送机构30的吸附保持部31干涉而顶起销241抵接在基板9的下表面,基板9的宽度方向Y的两端部附近被顶起销241顶出。由此,能够向以下说明的搬送机构30交付基板9。另一方面,在除所述交付时以外,顶起销241下降至比基板9的搬送路径低的位置而待机。
搬送机构30具有当在基板9的上表面涂布抗蚀剂液时,将基板9向搬送方向X的下游侧(X2侧)搬送的功能。如图1所示,在搬送机构30中,从下表面侧吸附保持基板9的宽度方向Y的一端部(Y1侧)的吸附保持部31在搬送方向X设置有一对。另外,于另一端部侧(Y2侧)也设置有一对吸附保持部31。各一对吸附保持部31能够沿着形成在基台72的上表面的导轨32通过线性电动机等驱动部33(图4)而向搬送方向X移动。此外,这些吸附保持部31经由开闭阀31V(图4)而与吸附用泵73连接。因此,当开闭阀31V根据来自控制部60的吸附指令而打开时,基板9的下表面通过吸附保持部31吸附保持。
如图1所示,导轨32在搬送方向X从搬入侧上浮机构20的宽度方向Y外侧的位置延伸至搬出侧上浮机构50的宽度方向Y外侧的位置为止。因此,吸附保持部31能够在接收被顶起销241顶出的基板9并予以吸附保持之后,一面吸附保持基板9,一面将基板9从搬入侧上浮机构20经由涂布机构40搬送至搬出侧上浮机构50为止。
如图1所示,涂布机构40在搬送方向X上配置在搬入侧上浮机构20与搬出侧上浮机构50之间,且具有对通过搬送机构30在搬送方向X搬送的基板9的上表面涂布抗蚀剂液的功能。涂布机构40具有涂布上浮平台41、桥接部42、及狭缝喷嘴43。在涂布上浮平台41的上表面,虽然省略图示,但是设置有用以喷出压缩空气的多个喷射孔及用以吸引空气的多个吸引孔。这些多个喷射孔经由开闭阀411V而与喷射用泵70连接。另一方面,多个吸引孔经由开闭阀412V而与吸附用泵73连接。而且,在通过搬送机构30在搬送方向X搬送基板9的期间,由来自多个喷射孔的压缩空气的喷出所致的向上方的压力与由向多个吸引孔的吸气所致的向下方的压力作用于基板9的下表面。由此,基板9在从涂布上浮平台41的上表面稍微上浮的状态下稳定地支撑在搬送路径上。
另外,在涂布机构40中,桥接部42在宽度方向Y架设在涂布上浮平台41的上方,并且狭缝喷嘴43在使喷出口朝向下方的状态下安装在该桥接部42。该狭缝喷嘴43与未图示的抗蚀剂液供给源连接,将从抗蚀剂液供给源供给的抗蚀剂液经由在宽度方向Y延伸的狭缝状的喷出口,喷出至一面保持在搬送机构30一面搬送的基板9的上表面。
搬出侧上浮机构50与搬入侧上浮机构20同样地,具有多个搬出上浮平台51~54及顶出部55,且具有从搬送机构30接收涂布有抗蚀剂液的基板9的功能,及将该基板9从基板处理装置1搬出的功能。
搬出上浮平台51配置在涂布上浮平台41的搬送方向X的下游侧(X2侧)。另外,其余的搬出上浮平台52~54按照该顺序配置在搬出上浮平台51的搬送方向X的下游侧(X2侧)。另外,搬出上浮平台51~54分别经由开闭阀51V~54V而与喷射用泵70连接。而且,当所有开闭阀51V~54V根据来自控制部60的打开指令而打开时,压缩空气从喷射用泵70经由开闭阀51V~54V而供给至搬出上浮平台51~54,且从省略图示的喷射孔朝向上方喷射。由此,基板9从搬出上浮平台51~54仅上浮特定的搬送高度,且被支撑在该上浮位置。
顶出部55具有当在搬出侧上浮机构50从搬送机构30接收基板9时以及交付至其他装置,例如搬送机器人时,将基板9的下表面整体暂时顶出的功能。更详细来说,顶出部55具有上下延伸的多个顶起销551,及用以使顶起销551升降的销升降部552(图4)。在本实施方式中,相对于搬出上浮平台51~54整体而顶起销551配置为5×5的二维矩阵状。但是,任一个顶起销551均如图1所示,配置在比搬出上浮平台51~54的宽度方向Y的两端部更靠宽度方向Y内侧。
如此配置的顶起销551是通过销升降部552(图4)根据来自控制部60的指令动作而一体地升降移动。例如,当销升降部552根据上升指令而使顶起销551上升时,不与搬送机构30的吸附保持部31干涉而顶起销551抵接在基板9的下表面,基板9的宽度方向Y的两端部附近被顶起销551顶出。由此,能够自搬送机构30接收基板9。另外,向所述搬送机器人交付基板9也相同。另一方面,在除所述接收及交付时以外,顶起销551下降至比基板9的搬送路径低的位置而待机。
如上所述,当将基板9移载至搬入侧上浮机构20时,基板处理装置1在使基板9从搬入上浮平台21~23、41、51~54仅上浮特定高度的状态下搬送基板9,且在该搬送中将抗蚀剂液涂布在基板9的上表面。此处,为了良好地进行涂布处理,必须预先调整基板9的水平位置及姿势即进行排列处理,在本实施方式中,在排列移载机构10将从输送机装置800输送而来的基板9移载至搬入上浮平台21~23的期间,执行所述排列处理。以下,在参照图1至图4且对排列移载机构10的构成进行详细叙述之后,对基板处理装置1的动作进行说明。
图2是装备在图1的排列移载机构的局部放大立体图。在排列移载机构10中,如图1及图2所示,在基台72的表面中搬送方向X的上游侧(X1侧),且在基台72的表面中宽度方向Y的中央部,沿搬送方向X延伸设置有线性电动机等线性运动驱动部11。在该实施方式中,如图1所示,线性运动驱动部11的下游侧端部进入至搬入侧上浮机构20,且到达至搬入上浮平台21的附近为止。该线性运动驱动部11具有:固定部111,固定在基台72的表面;及可动台112,根据来自控制部60的移动指令而相对于固定部111在搬送方向X移动。此外,在该可动台112的上表面固定有中心夹盘12。
在相对于线性运动驱动部11的宽度方向Y的Y2侧,移载上浮平台13、14在基台72的上表面沿搬送方向X延伸设置,另外在相反的Y1侧,移载上浮平台15、16在基台72的上表面沿搬送方向X延伸设置。这些4个移载上浮平台13~16均从基台72的搬送方向X的上游侧端部到达搬入上浮平台21的附近,在宽度方向Y上相互分隔设置。此外,如图2所示,在本实施方式中,移载上浮平台13~16分别配置在支撑台13B~16B上。
这些移载上浮平台13~16与搬入上浮平台21~23同样地,分别经由开闭阀13V~16V(图1)而与喷射用泵70连接。而且,当开闭阀13V~16V根据来自控制部60的打开指令而打开时,压缩空气从喷射用泵70分别经由开闭阀13V~16V而供给至移载上浮平台13~16,且从省略图示的喷射孔朝向上方喷射。由此,如下文详细叙述,从输送机装置800输送而来的基板9上浮于搬送路径上并被支撑,在该支撑状态下在搬送路径上排列,进而移载至搬入侧上浮机构20。
另外,在本实施方式中,在中心夹盘12的上表面设置有多个孔(省略图示),与移载上浮平台13~16同样地,能够接受压缩空气的供给并从该孔向上方喷射空气。例如,如图1所示,通过在将中心夹盘12定位在搬送方向X的上游侧端部的状态下向上方喷射压缩空气,而能够与移载上浮平台13~16协作使从输送机装置800输送而来的基板9的上浮支撑稳定化。此外,在本实施方式中,以如下方式构成中心夹盘12,以使中心夹盘12不仅发挥喷射压缩空气而上浮支撑基板的功能,而且发挥保持被定位在接纳位置(基板接纳区域)的基板9(图1中的一点链线所示的基板9)的功能。
设置在中心夹盘12的上表面的多个孔经由开闭阀12V而连接在喷射/吸附切换部17。该喷射/吸附切换部17连接在喷射用泵70及吸附用泵73。而且,喷射/吸附切换部17根据来自控制部60的切换指令而在喷射用泵70与吸附用泵73之间切换开闭阀12V的连接目的地。例如,当在以连接喷射用泵70与开闭阀12V的方式切换喷射/吸附切换部17的状态下从控制部60对开闭阀12V赋予打开指令时,压缩空气经由喷射/吸附切换部17及开闭阀12V而被压送至中心夹盘12,其结果,从所述孔向上方喷射压缩空气。反之,当在以连接吸附用泵70与开闭阀12V的方式切换喷射/吸附切换部17的状态下从控制部60对开闭阀12V赋予打开指令,基板9与中心夹盘1之间的气体环境经由所述孔、开闭阀12V及喷射/吸附切换部17而被吸引,从而吸附基板9的下表面的一部分,更详细来说是与中心夹盘12对向的对向区域。由此,将基板9保持在中心夹盘12。
另外,在移载上浮平台13、16的X1侧端部的两侧配置有驱动辊18。在本实施方式中,驱动辊18以其顶部与搬送路径一致的方式配置,且具有接受来自辊驱动部181的驱动力而将基板9向X2方向搬送的机构。因此,从输送机装置800搬入至排列移载机构10的基板9通过驱动辊18进而向X2方向搬送,且被定位在接纳位置(图1的一点链线所示的基板位置)。此处,使用由驱动辊18所产生的搬送力进行向接纳位置送入基板9,但是也可构成为一方面代替驱动辊18而使用自由辊,一方面通过中心夹盘12执行所述送入动作。
排列移载机构10如上所述,以包围通过移载上浮平台13~16及中心夹盘12在接纳位置上浮并予以支撑的基板9的方式配置有排列部19。更具体而言,在基板9的各侧端面的外侧设置有排列部19。此外,在图1中,仅图示排列部19的一部分(相当于与基板9抵接自如的抵接部件197(图3))。
图3是表示设置在排列移载机构的排列部的构成的图。在该图中的(a)栏中记载将抵接部件定位在从上浮支撑在接纳位置的基板9离开的退避位置的状态,也就是说退避状态。另外,在该图中的(b)栏中记载将抵接部件定位在使抵接部件压抵在该基板9的侧端部而使基板9排列的排列位置的状态,也就是说排列状态。此外,在本实施方式中,如图1所示,以包围上浮支撑在接纳位置的基板9的方式配设有合计8个的排列部19,任一者均具有相同构成。
排列部19如图3所示,在排列基台191上固定有空气滑块192的气缸部。该空气滑块192根据来自控制部60的伸缩指令而使活塞部193在水平方向伸缩。在该活塞部193的前端部,安装有另一空气滑块194的气缸部。空气滑块194根据来自控制部60的伸缩指令而使活塞部195在上下方向伸缩。进而,在活塞部195的上端部固定有支架196,并且从该支架196朝向基板9突出设置有抵接部件197。在该实施方式中,排列部19配置在比基板9的搬送路径(图6~图9中的符号H)在铅垂方向上更低的位置,除了执行排列处理的时序以外,如图3中的(a)栏所示,活塞部193、195均后退至气缸部而与沿着搬送路径移动的基板9成为非干涉状态。另一方面,在执行排列处理时,从控制部60对空气滑块194赋予伸长指令,活塞部195接收该伸长指令向上方伸长而将抵接部件197定位在与搬送路径相同的高度位置。继而,从控制部60对空气滑块192赋予伸长指令,活塞部193接收该伸长指令而向基板9侧仅伸长特定量。由此,如图3中的(b)栏所示,抵接部件197与基板9的侧端部抵接。通过所有8个排列部19同步执行此种动作而将基板9的水平位置及姿势调整为预先设定的状态。
图4是表示图1所示的基板处理装置的电气构成的框图。在该基板处理装置1的控制部60设置有:CPU(Central Processing Unit,中央处理器)61,执行预先规定的处理程序而控制各部的动作;存储器62,用以存储保存通过CPU61执行的处理程序或在处理中产生的数据等;及显示部63,用以将处理的进展情况或异常的产生等根据需要报告给用户。而且,通过CPU61根据处理程序控制装置各部,而执行以下详细叙述的接纳准备步骤、接纳步骤、排列步骤、移载步骤、搬送步骤、涂布步骤等。
图5是表示利用图1所示的基板处理装置执行的基板处理动作的流程图。图6是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的接纳准备步骤的图。图7是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的排列步骤的图。图8是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的移载步骤的图。图9是示意性地表示利用图1所示的基板处理装置执行的提升步骤的图。此外,图6至图9中的阴影部分表示向上方喷射压缩空气,缎纹部分表示被吸引。另外,图6至图9中的实线箭头表示在中心夹盘12中的空气的流动,虚线箭头表示在上浮平台中的空气的流动。另外,图6至图9中的(a)栏表示俯视图,(b)栏表示(a)栏中的B-B线剖视图。
当在基板处理装置1处理基板9时,首先,在自前步骤的输送机装置800搬出基板9之前,在基板处理装置1进行接纳准备(步骤S1)。具体而言,如图6所示,将中心夹盘12向搬送方向X的上游侧(X1侧)移动,且在与输送机装置800相邻的位置定位。然后,辊驱动部181动作而使驱动辊18旋转。另外,喷射/吸附切换部17切换为“喷射状态”,并且开闭阀12V打开而将压缩空气输送至中心夹盘12,从中心夹盘12的上表面朝向上方喷射。另外,开闭阀13V~16V打开而将压缩空气输送至移载上浮平台13~16,也从各移载上浮平台13~16的上表面朝向上方喷射。此外,其他开闭阀21~23V、41V、51V~554V关闭。另外,排列部19成为退避状态(参照图3的(a)栏)。
当完成如此的基板9的接纳准备时,利用输送机装置800将基板9向方向X2搬送(步骤S2:接纳步骤)。在排列移载机构10中,将基板9一面支撑在驱动辊18一面送入至接纳位置(图6的(a)栏中的两点链线所示的基板接纳区域)。此时,对基板9的下表面吹送压缩空气而将基板9支撑在搬送路径H的高度位置。然后,当基板9到达至接纳位置时,辊驱动部181停止驱动辊18的驱动。
当完成基板9向接纳位置之接纳时,排列部19从“退避状态”移行至“排列状态”。由此,如图7所示,8个排列部19的抵接部件197抵接在基板9的侧端部而调整接纳位置的基板9的水平位置及姿势(步骤S3:排列步骤)。
继而,保持开闭阀12V打开的状态,喷射/吸附切换部17从“喷射状态”切换为“吸附状态”,对隔于中心夹盘12的上表面与基板9的下表面之间的空间的气体环境排气,利用中心夹盘12吸附并保持基板9的下表面中与中心夹盘12对向的区域(步骤S4)。继而,排列部19从“排列状态”移行至“退避状态”。由此,8个排列部19的抵接部件197从基板9的侧端部退避而能够搬送基板9。然后,如图8所示,继续从移载上浮平台13~16的上表面喷射压缩空气而从下方支撑基板9,并且维持中心夹盘12保持基板9的状态向X2方向移动。由此,基板9沿着搬送路径H稳定地朝向搬入侧上浮机构20搬送。
此处,在本实施方式中,在与移动开始同时或者稍微早的时序,开闭阀21V~23V打开而将压缩空气从搬入上浮平台21~23的上表面向上方喷射。由此,在本实施方式中,能够稳定地进行基板9向搬入侧上浮机构20的移载。
当如上所述将基板9搬送至搬入侧上浮机构20的搬入位置(图1中的两点链线所示的基板位置)为止而完成基板9的移载(步骤S5)时,继而顶起销241上升(步骤S6)。在该上升中途各顶起销241的前端部接触并支撑在搬送路径上的基板9的下表面。而且,顶起销241通过进一步的上升而将基板9提升至搬送路径H的上方(参照图9)。
其次,以4个吸附保持部31位于已提升的基板9的下方的方式,将搬送机构30向X1方向移动而定位在搬入位置(步骤S7)。继而,顶起销241下降至较搬送路径H低的位置,在搬入位置将基板9交付至吸附保持部31上(步骤S8)。然后,开闭阀31V打开而开始基板9的吸附保持(步骤S9)。
当如此将基板9保持于搬送机构30时,在将中心夹盘12的吸附解除而切换为喷射之后,搬送机构30沿着导轨32向搬送方向X的下游侧(X2侧)移动,由此将基板9向搬送方向X的下游侧(X2侧)搬送。在与该基板搬送的开始同时或稍微早的时序,开闭阀21V~23V、51V~54V打开而将压缩空气从搬入上浮平台21~23及搬出上浮平台51~54的上表面向上方喷射。另外,开闭阀411V、412V打开而喷出来自涂布上浮平台41的上表面的喷射孔的压缩空气,并且通过向多个吸引孔的吸气而使向下方的压力作用于基板9。如此,在本实施方式中,能够稳定地进行从搬入侧上浮机构20向搬出侧上浮机构50的基板9的搬送。另外,与此并行,狭缝喷嘴43朝向通过涂布上浮平台41上的基板9的上表面喷出抗蚀剂液。由此,将抗蚀剂液涂布在基板9的上表面(步骤S10:涂布步骤)。
将涂布有抗蚀剂液的基板9搬送至搬出上浮平台51~54上为止而停止。然后,开闭阀31V关闭而停止利用吸附保持部31吸附保持基板9。继而,25个顶起销551从搬出上浮平台51~54的上表面比搬送路径H更高地突出。由此,基板9被提升至比搬送路径H高的位置。然后,省略图示的搬送机器人接收支撑于多个顶起销551的基板9,且向后步骤的装置搬出(步骤S11:搬出步骤)。
如以上一样,在本实施方式中,在使通过输送机装置800搬送而来的基板9在接纳位置排列之后,将基板9一面通过保持该基板9的中心夹盘12保持一面移载至搬入侧上浮机构20。因此,移载至搬入侧上浮机构20的搬入位置的基板9已经排列完毕。因此,不需要在该搬入位置的排列处理,其结果,能够缩短基板处理装置1的工作时间。
图10是表示本发明的基板处理装置的第2实施方式的局部俯视图。该第2实施方式与第1实施方式较大的不同方面为在输送机装置800追加装备顶出部830的方面,其他构成基本上与第1实施方式相同。以下,以不同点为中心进行说明,对相同构成标注相同符号并省略说明。
顶出部830具有:多个顶起销831,在输送机辊820之间上下延伸;及销升降部(省略图示),用以使顶起销831升降。而且,在从进行前步骤的装置将基板9搬送至输送机装置800之前,销升降部动作而使所有顶起销831上升,将顶起销831的顶部定位在比输送机辊820高的位置。继而,省略图示的搬送机器人从进行前步骤的装置接收基板9,并将该基板9载置在顶起销831的顶部上。然后,销升降部使顶起销831下降而将基板9从搬送机器人交付至输送机辊820上。将这样搬送至输送机装置800的基板9在适当的时序搬送至基板处理装置1的排列移载机构10,且进行涂布处理。
图11是表示本发明的基板处理装置的第3实施方式的俯视图。第3实施方式的特征为如下方面:不经由输送机装置800,而通过省略图示的搬送机器人将已接受前步骤处理的基板9直接搬送至排列移载机构10。为了使此种搬送形态成为可能,如图11所示追加装备有顶出部110。该顶出部110具有:多个顶起销1101,在移载上浮平台13~16之间上下延伸;及销升降部(省略图示),用以使顶起销1101升降。而且,在从进行前步骤的装置将基板9搬送至排列移载机构10之前,销升降部动作而使所有顶起销1101上升,将顶起销1101的顶部定位在比移载上浮平台13~16的上表面高的位置。另外,将开闭阀13V~16V打开,从移载上浮平台13~16的上表面向上方喷射压缩空气而进行基板9的接纳准备。此外,在该阶段中,如图11所示,中心夹盘12位于搬送方向X的上游侧,此处,既可从中心夹盘12的上表面朝向上方喷射压缩空气,也可不进行压缩空气的喷射。
继而,省略图示的搬送机器人从进行前步骤的装置接收基板9,并将该基板9载置在顶起销831的顶部上。然后,销升降部使顶起销831下降而通过压缩空气上浮支撑基板9。将这样搬送至排列移载机构10的基板9在适当的时序通过排列部19排列之后,搬送至搬入侧上浮机构20而进行涂布处理。
此外,本发明并不限定于所述实施方式,只要不脱离其主旨,则能够在所述实施方式以外进行各种变更。例如,在所述实施方式中,在搬入侧上浮机构20及搬出侧上浮机构50的任一者,均将上浮平台分割为多个,但是也可将搬入侧上浮机构20及搬出侧上浮机构50中的至少一者设为如下,即,设置沿搬送方向X相连的单一的上浮平台来代替多个上浮平台。
另外,在所述实施方式中,中心夹盘12不仅能够吸附而且能够执行压缩空气的喷射,但是也能以仅进行吸附的方式构成。另外,通过中心夹盘12吸附保持基板9,但是保持方式并不限定于此,也可机械性地保持。进而,中心夹盘12的保持位置成为基板9的下表面的搬送方向上游侧端部,但是保持位置并不限定于此,也可保持基板9的一部分或全部。
另外,在所述实施方式中,任一个排列部19均利用通过2个空气滑块192、194的组合在2个方向(铅垂方向Z+相对于基板9的水平进退方向)驱动抵接部件197,而避免与基板搬送的干涉。此处,8个中以符号19a所示的排列部本来从基板9的搬送路径H偏离而配设。因此,关于排列部19a,也能以仅在相对于基板9的水平进退方向,即在宽度方向Y驱动的方式构成。这样能够通过简化排列部19a的构成而实现装置成本的降低。
进而,在所述实施方式中,作为对于基板的处理而将抗蚀剂液涂布在基板9,但是本发明的适用对象并不限定于此,也可将本发明适用于对基板实施涂布除抗蚀剂液以外的液体的基板步骤或除涂布步骤以外的处理的基板处理装置。
如以上所说明,在所述实施方式中,搬入上浮平台21~23相当于本发明的“上浮平台”的一例。另外,包含步骤S8、S9的步骤相当于本发明的“搬送步骤”及“处理步骤”的一例,作为本发明的“处理步骤”执行涂布步骤的涂布机构40相当于本发明的“处理机构”的一例。另外,包含所述步骤S2~S5的步骤相当于本发明的“移载步骤”的一例,执行这些步骤的排列移载机构10相当于本发明的“移载机构”的一例。另外,中心夹盘12相当于本发明的“保持部”的一例,线性运动驱动部11作为本发明的“驱动部”而发挥功能。另外,基板9的上表面及下表面分别相当于本发明的“一主面”及“另一主面”。另外,抗蚀剂液相当于本发明的“涂布液”的一例。
以上,如例示具体的实施方式进行了说明般,本发明也能以如下方式构成,即,例如移载机构以将基板的一主面朝向上方的水平姿势接纳基板,且保持水平姿势将基板移载至上浮平台。
另外,也能以保持部吸附并保持基板的另一主面的方式构成。
另外,也能以如下方式构成,即,保持部在进行利用接纳上浮部接纳基板及利用排列部来排列基板的期间,不进行基板的另一主面的吸附。
也能以如下方式构成,即,保持部在进行利用接纳上浮部接纳基板及利用排列部来排列基板的期间,一面位于通过接纳上浮部而上浮并接纳基板的基板接纳区域的下方位置,一面朝向基板接纳区域喷射气体,在基板的排列完成之后停止气体的喷射,继而吸附基板的另一主面。
也能以保持部吸附并保持基板的另一主面中与上浮平台为相反侧的端部的方式构成。
另外,也能以如下方式构成,即,接纳上浮部在进行接纳基板、利用排列部来排列基板及保持部向上浮平台移动的期间,朝向上方喷射气体而使基板上浮。
进而,也能以如下方式构成,即,处理机构具有喷出部,该喷出部具有在与第1方向正交的第2方向延伸的喷出口,从喷出口朝向通过搬送机构搬送的基板喷出涂布液而涂布涂布液。
本发明能够适用于从上浮平台搬送基板并且对搬送中的基板实施处理的基板处理技术之全部。
[符号的说明]
1 基板处理装置
9 基板
10 排列移载机构(移载机构)
11 线性运动驱动部
12 中心夹盘(保持部)
13~16 移载上浮平台
17 喷射/吸附切换部
18 驱动辊
19 排列部
20 搬入侧上浮机构
21~23 搬入上浮平台
24 顶出部
30 搬送机构
40 涂布机构(处理机构)

Claims (5)

1.一种基板处理装置,其特征在于具备:
上浮平台,使基板上浮;
搬送机构,从上浮平台接收基板并搬送;
处理机构,对通过所述搬送机构而搬送的基板实施处理;及
移载机构,将基板移载至所述上浮平台;且
所述移载机构具备:
接纳上浮部,使搬送而来的基板上浮并予以接纳;
排列部,使通过所述接纳上浮部而上浮的所述基板排列;
保持部,保持通过所述排列部而排列的所述基板;及
驱动部,使所述保持部移动至所述上浮平台;且
所述移载机构是在使所述基板的一主面朝向上方的水平状态下接纳所述基板,且保持所述水平状态将所述基板移载至所述上浮平台;
所述保持部吸附并保持所述基板的另一主面;且
所述保持部在进行利用所述接纳上浮部接纳所述基板及利用所述排列部来排列所述基板的期间,不进行所述基板的另一主面的吸附,且一面位于通过所述接纳上浮部使所述基板上浮并接纳所述基板的基板接纳区域的下方位置,一面朝向所述基板接纳区域喷射气体,
在所述基板的排列完成之后停止所述气体的喷射,继而吸附所述基板的另一主面。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中
所述保持部吸附并保持所述基板的另一主面中与所述上浮平台为相反侧的端部。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述接纳上浮部在进行接纳所述基板、利用所述排列部来排列所述基板及所述保持部向所述上浮平台移动的期间,朝向上方喷射气体而使所述基板上浮。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中
所述搬送机构在第1方向搬送所述基板,
所述处理机构具有喷出部,该喷出部具有在与所述第1方向正交的第2方向延伸的喷出口,从所述喷出口朝向通过所述搬送机构搬送的所述基板喷出涂布液而涂布所述涂布液。
5.一种基板处理方法,其特征在于具备:
移载步骤,将基板移载至使基板上浮的上浮平台上;
搬送步骤,从所述上浮平台搬送所述基板;及
处理步骤,对所搬送的所述基板实施处理;且
所述移载步骤具有:
使搬送而来的所述基板上浮于接纳上浮部的上方,且在使所述基板的一主面朝向上方的水平状态下接纳所述基板的第1步骤;
使通过所述接纳上浮部而上浮的所述基板排列的第2步骤;及
一面以保持部吸附并保持所排列的所述基板的另一主面,一面使所述基板保持所述水平状态移动至上浮平台上而交付至所述上浮平台的第3步骤;且
在进行所述第1步骤及所述第2步骤的期间,不进行利用所述保持部吸附所述基板的另一主面,且一面使所述保持部位于通过所述接纳上浮部使所述基板上浮并接纳所述基板的基板接纳区域的下方位置,一面从所述保持部朝向所述基板接纳区域喷射气体,
在第2步骤完成之后,停止从所述保持部喷射所述气体,继而利用所述保持部吸附所述基板的另一主面。
CN201610605747.9A 2015-09-18 2016-07-28 基板处理装置及基板处理方法 Active CN106548965B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015185644A JP6595276B2 (ja) 2015-09-18 2015-09-18 基板処理装置および基板処理方法
JP2015-185644 2015-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106548965A CN106548965A (zh) 2017-03-29
CN106548965B true CN106548965B (zh) 2019-12-24

Family

ID=58367830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610605747.9A Active CN106548965B (zh) 2015-09-18 2016-07-28 基板处理装置及基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6595276B2 (zh)
KR (1) KR101859279B1 (zh)
CN (1) CN106548965B (zh)
TW (1) TWI623476B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107973123A (zh) * 2017-12-21 2018-05-01 安徽预立兴川机器人技术股份有限公司 一种液晶面板出料装载平台对准系统
JP6861198B2 (ja) * 2018-12-12 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および塗布装置
CN109835715A (zh) * 2019-02-02 2019-06-04 威海瑞翼德机械制造有限公司 一种玻璃基板搬送装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200631075A (en) * 2005-01-24 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Stage equipment and coating processing equipment
TWI305933B (en) * 2005-03-17 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201133681A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus, changing method and transferring method
TW201412623A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Avanstrate Inc 玻璃基板之搬送裝置及玻璃基板之製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012187453A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Toray Eng Co Ltd 浮上塗布装置及び浮上塗布方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200631075A (en) * 2005-01-24 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Stage equipment and coating processing equipment
TWI305933B (en) * 2005-03-17 2009-02-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201133681A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus, changing method and transferring method
TW201412623A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Avanstrate Inc 玻璃基板之搬送裝置及玻璃基板之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106548965A (zh) 2017-03-29
TWI623476B (zh) 2018-05-11
JP2017057079A (ja) 2017-03-23
KR101859279B1 (ko) 2018-05-18
JP6595276B2 (ja) 2019-10-23
TW201720737A (zh) 2017-06-16
KR20170034303A (ko) 2017-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4896236B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP4876640B2 (ja) ワーク搬送装置およびワーク搬送方法
JP4197129B2 (ja) ワーク搬送装置
JP5152469B2 (ja) 基板搬送装置
KR101424017B1 (ko) 기판 검사 장치
JP2006253373A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム
CN106548965B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR101845090B1 (ko) 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법
JP2008212804A (ja) 基板の搬送塗布装置
JP5720186B2 (ja) ワーク移載装置
JP2009018917A (ja) 塗布装置、基板の受け渡し方法及び塗布方法
KR101891349B1 (ko) 도포 처리 장치
JP5720201B2 (ja) ワーク移載装置
KR100796052B1 (ko) 처리장치 시스템
JP5550882B2 (ja) 塗布装置
CN108525941B (zh) 涂覆装置以及涂覆方法
KR20130017443A (ko) 기판 도포 장치, 부상식 기판 반송 장치 및 부상식 기판 반송 방법
KR100766115B1 (ko) 평판 디스플레이 기판용 코팅장치
TW201325813A (zh) 處理載置台裝置及使用其之塗布處理裝置
CN111244020A (zh) 基板保持装置、基板处理装置和基板保持方法
JP5735161B1 (ja) 塗布装置及びその改良方法
KR20230097481A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6131077B2 (ja) 転写剥離装置、転写剥離方法およびパターン形成システム
KR101202456B1 (ko) 코팅 영역에서 기판을 안정적으로 이송시키기 위한 리니어 모션 가이드 구조, 및 이를 구비한 기판 이송 장치 및 코팅 장치
CN112041089A (zh) 涂布系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant