TWI618686B - 鈦酸鋇系半導體陶瓷、鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物及溫度感測用正特性熱阻器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種室溫電阻較小、感測溫度較低、感測精度較高之溫度感測用正特性熱阻器。
半導體陶瓷1係使用如下鈦酸鋇系半導體陶瓷，其含有包含Ba、Ca、Sr及Ti之鈣鈦礦型化合物作為主成分，且進而含有R(R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中之至少1種)、Mn及Si，於將該鈦酸鋇系半導體陶瓷溶解之情形時，於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z為20≦x≦25、19≦y≦25、0.01≦z≦0.03，且於0.01≦z<0.019時，y≧-0.8x+37，於0.021<z≦0.03時，y≦-x+48。

Description

鈦酸鋇系半導體陶瓷、鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物及溫度感測用正特性熱阻器
本發明係關於一種鈦酸鋇系半導體陶瓷、鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物、溫度感測用正特性熱阻器。更詳細而言，本發明係關於一種室溫電阻較小、感測溫度較低、感測精度較高之溫度感測用正特性熱阻器以及適於製作此種溫度感測用正特性熱阻器之鈦酸鋇系半導體陶瓷、鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物。
於膝上型個人電腦或平板終端等電子機器中，正特性熱阻器(PTC熱阻器)被用作感測內部之異常發熱等之溫度感測元件。
關於正特性熱阻器，室溫(例如25℃)至居里點之電阻值大致固定，若超過居里點則電阻值急遽增加。溫度感測用之正特性熱阻器係將該性質應用於溫度感測。
關於溫度感測用之正特性熱阻器，要求室溫電阻較小、感測溫度較低、感測精度較高等特性。
要求較小之室溫電阻之原因在於：若室溫電阻較小，則可實現如下用法：將複數個正特性熱阻器串列連接，總括地監視複數個部位之異常發熱。再者，作為室溫電阻之指標，一般使用25℃下之比電阻即ρ25。
又，要求較低之感測溫度之原因在於：若感測溫度較低，則即便為稍許之異常發熱亦可感測到。或者其原因在於：於電子機器內， 能夠於遠離異常發熱受到監視之電子零件之處配置溫度感測用正特性熱阻器，於該情形時，電路配置方面之自由度提高。
進而，作為市場環境，亦可見如下變化。首先，於移動終端中，非接觸供電方式之普及日益推進，若供電時於充電台與移動終端之間存在金屬異物，則有金屬異物異常發熱而著火冒煙之虞。因此，需要更接近室溫之溫度範圍內之過熱感測。又，因移動終端之高性能化而殼體之發熱增大，為了防止使用者之低溫燒傷，需要於更低溫側進行過熱感測。根據該等原因，亦要求溫度感測用正特性熱阻器之感測溫度之低溫化。
又，要求較高之感測精度之原因在於必須防止誤動作。
再者，作為降低感測溫度之方法，已知有藉由調整原料組成而降低居里點之方法、或增大電阻-溫度特性之斜率(高α化)之方法(增大電阻-溫度特性之斜率之方法中，因稍許之溫度上升而比電阻大幅度地上升，因此亦同時發揮感測精度提高之效果)。
例如，於一般之鈦酸鋇系半導體陶瓷中，大多情況下添加稀土元素作為供體(半導體化劑)，且添加Mn作為受體(增大電阻-溫度特性之斜率之特性改善劑)。而且，對於此種鈦酸鋇系半導體陶瓷而言，為了使感測溫度低溫化，採用以Sr等置換組成之一部分而降低居里溫度之方法、或增加Mn之添加量而進一步高α化之方法。
然而，任一種方法均雖有助於感測溫度之低溫化，但存在室溫電阻(ρ25)高電阻化之弊端。因此，難以同時使感測溫度低溫化且保持室溫電阻較低。
基於此種狀況，於專利文獻1(WO2013/065441A1號公報)中揭示有同時實現感測溫度之低溫化與低室溫電阻之鈦酸鋇系半導體陶瓷。
專利文獻1所揭示之鈦酸鋇系半導體陶瓷含有：包含Ba、Ti、Sr及Ca之鈣鈦礦型化合物，Mn，及半導體化劑， 於將Ba、Sr、Ca及半導體化劑之合計含有莫耳份設為100時，對於Sr之含有莫耳份a及Ca之含有莫耳份b，設為於20.0≦a≦22.5時，12.5≦b≦17.5
於22.5≦a≦25.0時，12.5≦b≦15.0，於將Ti及Mn之合計含有莫耳份設為100時，將Mn之含有莫耳份c設為0.030≦c≦0.045。
專利文獻1之鈦酸鋇系半導體陶瓷係藉由相對較多地添加Ca，而使置換原本存在Ba原子之位點之Ca原子亦置換存在Ti原子之位點，由其電價平衡表現出受體效果而實現高α化。使用專利文獻1之鈦酸鋇系半導體陶瓷之正特性熱阻器之室溫電阻較低，且具備可用作過熱感測用之電阻-溫度特性，能夠進行室溫附近之過熱感測。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2013/065441A1號公報
然而近年來，對於溫度感測用正特性熱阻器，要求進一步之感測溫度之低溫化。即，如上所述，於移動終端中，非接觸供電方式之普及日益推進，但若供電時於充電台與移動終端之間存在金屬異物，則有金屬異物異常發熱而著火冒煙之虞。因此，需要更接近室溫之溫度範圍內之過熱感測。又，因移動終端之高性能化而殼體之發熱變大，為了防止使用者之低溫燒傷，必須於更低溫側進行過熱感測。
根據專利文獻1所揭示之技術，亦對進而實現感測溫度之低溫化之方法進行了研究，但Ca之添加與Mn之添加同樣地導致室溫電阻之高電阻化。因此，於專利文獻1所揭示之技術中，即便單純地更多地增加Ca之添加量，亦會導致室溫電阻之高電阻化，無法同時實現感測 溫度之低溫化與低室溫電阻。
本發明係為了解決上述先前問題而完成者。作為其方法，本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷藉由較專利文獻1所揭示之鈦酸鋇系半導體陶瓷更多地置換Ca之量而高α化，實現感測溫度之低溫化，並且藉由使其他組成(Sr、Mn)之量最佳化而保持低室溫電阻。
即，本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷藉由將相對於Ti含量之Ca含量、Sr含量、Mn含量設為特定範圍，而同時兼而實現感測溫度之進一步之低溫化與低室溫電阻。
具體而言，本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷含有包含Ba、Ca、Sr及Ti之鈣鈦礦型化合物作為主成分，進而含有R(R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中之至少1種)、Mn及Si，於將該鈦酸鋇系半導體陶瓷溶解之情形時，於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z為20≦x≦25、19≦y≦25、0.01≦z≦0.03，且係設為於0.01≦z<0.019時，y≧-0.8x+37，於0.021<z≦0.03時，y≦-x+48。
本發明較理想為除了以雜質之形式包含Pb之情形以外不含Pb。於該情形時，適合於近年來出於減輕環境負荷之觀點而要求之電子零件之無鉛化。
又，本發明係以藉由燒成而成為上述鈦酸鋇系半導體陶瓷之鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物作為對象。
又，本發明係以溫度感測用正特性熱阻器作為對象，上述溫度感測用正特性熱阻器具備包含上述鈦酸鋇系半導體陶瓷之陶瓷基體、及形成於該陶瓷基體之外表面上之外部電極。
本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷之室溫電阻較小。具體而言， ρ25(25℃下之比電阻)滿足ρ25≦70Ω．cm。
又，關於本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷，ρ25變為100倍時之溫度即100倍點(TR100)較低，滿足TR100≦75℃。
又，本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷之電阻-溫度特性之斜率較大。具體而言，比電阻由ρ25之10倍變為100倍時，比電阻相對於溫度之斜率α10-100滿足{(α10-100)/log(ρ25)}≧10。
使用具備此種特性之本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷的本發明之溫度感測用正特性熱阻器之室溫電阻較小，感測溫度較低，感測精度較高。
1‧‧‧半導體陶瓷
2a、2b‧‧‧外部電極
11‧‧‧半導體陶瓷層
12a、12b‧‧‧內部電極
13‧‧‧積層體
14a、14b‧‧‧外部電極
100‧‧‧實施形態之正特性熱阻器
圖1係表示實施形態之正特性熱阻器100之立體圖。
以下，對用以實施本發明之形態進行說明。
本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷含有包含Ba、Ca、Sr及Ti之鈣鈦礦型化合物作為主成分，且進而含有R(R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中之至少1種)、Mn及Si。
本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷含有包含Ba、Ca、Sr及Ti之鈣鈦礦型化合物之情況可藉由例如XRD(X-ray diffraction，X射線繞射)等方法進行確認。
Sr主要係為了使半導體陶瓷之居里點向低溫側移動而添加。
Ca主要係為了控制半導體陶瓷之粒徑並且實現高α化、增大電阻-溫度特性之斜率而添加。
R(R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中之至少1種)主要係為了使介電體(絕緣體)陶瓷半導體化而添加。
Mn主要係為了實現半導體陶瓷之高α化、增大電阻-溫度特性之斜率而添加。
Si主要係作為半導體陶瓷之燒結助劑而添加。
若將本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷溶解，並藉由例如ICP-AES(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry，感應耦合電漿原子發射光譜法)進行定量分析，則關於各元素之含有比，於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z滿足20≦x≦25
19≦y≦25
0.01≦z≦0.03，且滿足於0.01≦z<0.019時，y≧-0.8x+37，於0.021<z≦0.03時，y≦-x+48。
本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷除了以雜質之形式包含Pb之情形以外，不含Pb。
再者，關於上述各元素，可認為Sr、Ca、R主要置換存在Ba原子之位點，Mn主要置換存在Ti原子之位點。然而，可認為Ca亦置換存在Ti原子之位點。於將本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷溶解之情形時，於將Ti及Mn之合計含有莫耳份設為100時，Ba、Sr、Ca及R之合計含有莫耳份w較佳為大致90≦w≦101之範圍。再者，有於存在Ba原子之位點及存在Ti原子之位點分別含有其他元素之情形。
圖1表示本實施形態之正特性熱阻器100。其中，圖1為表示正特性熱阻器100之立體圖。
正特性熱阻器100係所謂之塊體型之正特性熱阻器。
正特性熱阻器100具備陶瓷基體1。陶瓷基體1包含上述本實施形 態之鈦酸鋇系半導體陶瓷。於本實施形態中，陶瓷基體1係由厚度2mm、直徑7.8mm之圓板形構成。然而，陶瓷基體1之形狀並不限定於此，例如亦可為矩形之板狀。
於半導體陶瓷1之外表面上形成有一對外部電極2a、2b。外部電極2a、2b係由包含Cu、Ni、Al、Cr、Ag、Ni-Cr合金、Ni-Cu等導電性材料之一層構造或多層構造所形成。於本實施形態中，包含第1層為Cr層、第2層為NiCr層、第3層為Ag層之三層構造。Cr層發揮歐姆電極之作用。於本實施形態中，將Cr層之厚度設為0.3μm，將NiCr層之厚度設為1.0μm，將Ag層之厚度為1.0μm。
其次，對本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷之製造方法之一例、及本實施形態之正特性熱阻器100之製造方法之一例進行說明。
首先，作為主成分，例如準備BaCO3、TiO2、SrCO3、CaCO3。然而，各元素之素材形態並不限定於該等。
又，作為供體(半導體化劑)，例如準備Er2O3。然而，素材形態並不限定於此。又，作為半導體化劑，亦可使用選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu中之至少1種來代替Er(Er2O3)。
又，作為其他添加物，例如準備MnCO3(電阻-溫度特性改善劑)、SiO2(燒結助劑)。然而，各元素之素材形態並不限定於該等。
其次，將上述各原料以所需比率調配，且於坩堝內與純水及粉碎球一併進行濕式粉碎混合而獲得混合物漿料。於本實施形態中，坩堝係使用聚乙烯製坩堝，粉碎球係使用氧化鋯球。
再者，所謂各原料之所需之調配比率，係指於將所製作之半導體陶瓷溶解之情形時，結果於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z成為上述關係的所需之調配比率。
其次，將所獲得之混合物漿料脫水、乾燥之後進行煅燒，獲得煅燒粉。於本實施形態中，將煅燒溫度設為1200℃。
繼而，將所獲得之煅燒粉與黏合劑進行混合而造粒，獲得造粒粒子。
然後，藉由單軸壓製將所獲得之造粒粒子成形，獲得成形體。
繼而，將所獲得之成形體配置於護套內，於大氣中進行燒成，完成本實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷。於本實施形態中，作為護套，使用主成分包含Al2O3、SiO2、ZrO之護套。又，燒成溫度係設為1380℃，燒成時間係設為2小時。
所獲得之鈦酸鋇系半導體陶瓷於溶解而進行定量分析之情形時，於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z滿足上述關係。
其次，如圖1所示，於所獲得之鈦酸鋇系半導體陶瓷1之外表面上，藉由鍍敷法、濺鍍法、塗佈燒附法等形成一對外部電極2a、2b，完成本實施形態之正特性熱阻器100。具體而言，於半導體陶瓷1之外表面(正面背面兩主面)上，藉由濺鍍法形成外部電極2a、2b之第1層之Cr層、第2層之NiCr層及第3層之Ag層。
[實驗例]
為了確認本發明之有效性而進行以下實驗。
(實驗1)
藉由上述實施形態之方法，製作組成不同之如102般之鈦酸鋇系半導體陶瓷。繼而，使用該等半導體陶瓷製作如圖1所示之所謂之塊體型正特性熱阻器而作為本實驗之試樣。
具體而言，使用表1~5所記載之如102般之半導體陶瓷，製作試樣之正特性熱阻器。
[表1]
例如，試樣1之正特性熱阻器係使用如下半導體陶瓷來製作：於溶解之情形時，相對於100莫耳份之Ti而分別包含20莫耳份之Ca、19莫耳份之Sr、0.005莫耳份之Mn、0.1莫耳份之Er。
即，試樣1之半導體陶瓷係以於溶解之情形時成為上述元素之含有比之方式調配BaCO3、TiO2、SrCO3、CaCO3、Er2O3、MnCO3等原料而製作。
再者，作為供體(半導體化劑)之Er係因變更添加量而導致半導體陶瓷之比電阻值大幅度地變動，故而為了進行同一基準下之比較，對供體量不同之各種樣品進行評價，將比電阻顯示出最小值之Er量(Er-ρmin)者作為試樣。
對於此種試樣(正特性熱阻器)，測定室溫(25℃)下之電壓施加時之電流值，求出室溫電阻(ρ25)。
又，於將各試樣置於恆溫槽中之狀態下，於20℃至250度之溫度 範圍內以10℃為單位測定比電阻，求出電阻-溫度特性。
以上之電阻測定係使用四端子法進行，算出試樣數n=5之平均值。測定裝置係使用萬用表(Agilent公司製造之334401A)。
根據以上之測定資料，對各試樣求出10倍點(TR10)、及100倍點(TR100)。所謂10倍點(TR10)係指ρ25變為10倍時之溫度。所謂100倍點(TR100)係指ρ25變為100倍時之溫度。
進而，明確電阻-溫度特性之指標、電阻-溫度係數α10-100。電阻-溫度係數α10-100係利用下述(式1)算出。
(式1)式1 α10-100=230×{log(ρ25×100)-log(ρ25×10)}/(TR100-TR10)
α10-100表示比電阻由ρ25之10倍變為100倍時的比電阻相對於溫度之斜率。α10-100越大，表示動作時之電阻相對於室溫電阻之比率即跳躍特性越大，溫度感測用正特性熱阻器為高精度。
然而，通常越為高比電阻之半導體陶瓷，α10-100亦越大，因此難以直接準確地判斷本發明之效果。
因此，對各試樣求出{α10-100/log(ρ25)}並進行比較。
表1~5中，示出各試樣之將Ti設為100莫耳份時的Ca、Sr、Mn、Er之含量(含有莫耳份)、ρ25(Ω．cm)、TR100(℃)、α10-100(%/℃)、(α10-100)/log(ρ25)。
再者，表1表示Mn之含量為0.005莫耳份之試樣，表2表示Mn之含量為0.01莫耳份之試樣，表3表示Mn之含量為0.02莫耳份之試樣，表4表示Mn之含量為0.03莫耳份之試樣，表5表示Mn之含量為0.04莫耳份之試樣。
組成之分析方法係利用ICP-AES(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)。
如上所述，作為供體(半導體化劑)之Er係因變更添加量而導致半導體陶瓷之比電阻值大幅度地變動，故而為了進行同一基準下之比較，對供體量不同之各種樣品進行評價，將比電阻顯示出最小值之Er量(Er-ρmin)者作為試樣。
再者，於因試樣為高電阻故而未測定電阻-溫度特性之項目欄中記載「-」。
本發明之目標在於在保持室溫電阻較低之狀態下實現感測溫度之進一步之低溫化。又，其目標在於較高之感測精度。因此，以室溫電阻(ρ25)之大小、TR100之高低、電阻-溫度特性之斜率之大小作為指標，將滿足以下所有目標值之試樣作為良品而視為本發明之範圍內。
ρ25≦70Ω．cm
TR100≦75℃
{α10-100/log(ρ25)}≧10
表中，試樣編號不帶※者為本發明之範圍內，帶※者為本發明之範圍外。
對於表1~5所示之各試樣，確認到以下現象。
試樣1~12之Mn量少於本發明之範圍。因此，試樣1~3、5、6、9之TR100不滿足本發明之目標值。Sr量較多之試樣4、7、8、10~12雖然TR100滿足目標值，但(α10-100)/log(ρ25)不滿足本發明之目標值。
試樣401~412由於Mn量多於本發明之範圍，因此ρ25不滿足本發明之目標值。
試樣101~104、201~204、301~304之Ca量少於本發明之範圍。因此，試樣101~103、201、202、301、302無法獲得高α化之效果，TR100不滿足目標值。Sr量較多之試樣104、203、204、303、304雖然TR100滿足目標值，但(α10-100)/log(ρ25)不滿足本發明之目標值。
試樣123~126、223~226、323~326由於Ca量多於本發明之範圍，因此ρ25不滿足本發明之目標值。
試樣105、106、111、117、205、211、217、305、311、317由於Sr量少於本發明之範圍，因此TR100不滿足本發明之目標值。
試樣110、116、122、210、216、222、310、316、321、322由於Sr量多於本發明之範圍，因此ρ25不滿足本發明之目標值。
試樣107~109、112~115、118~121、206~209、212~215、218~221、306~309、312~315、318~320之Ca、Sr、Mn、Er之含量之組合適當，同時滿足ρ25≦70Ω．cm、TR100≦75℃、{(α10-100)/log(ρ25)}≧10。
(實驗2)
實驗1之試樣106、206、306均係Ca之含量x為20莫耳份，Sr之含量y為19莫耳份。然而，Mn之含量z不同，試樣106為0.01莫耳份，試樣206為0.02莫耳份，試樣306為0.03莫耳份。
於實驗2中，首先對Ca之含量x為20莫耳份、Sr之含量y為19莫耳份且Mn之含量z為0.019莫耳份之試樣506進行追加實驗。再者，關於Er，採用比電阻顯示出最小值之Er量(Er-ρmin)。表6中示出試樣106、206、306、及試樣506之ρ25(Ω．cm)、TR100(℃)、α10-100(%/℃)、(α10-100)/log(ρ25)。
如表6所示，試樣506滿足本發明之所有目標特性。因此，本發 明中，於z=0.019時，式[y≧-0.8x+37]不適用。
又，實驗1之試樣121、221、321均係Ca之含量x為25莫耳份，Sr之含量y為25莫耳份。然而，Mn之含量z不同，試樣121為0.01莫耳份，試樣221為0.02莫耳份，試樣321為0.03莫耳份。
於實驗2中，繼而對Ca之含量x為25莫耳份、Sr之含量y為25莫耳份且Mn之含量z為0.021莫耳份之試樣521進行追加實驗。再者，關於Er，採用比電阻顯示出最小值之Er量(Er-ρmin)。表7中示出試樣121、221、321、及試樣521之ρ25(Ω．cm)、TR100(℃)、α10-100(%/℃)、(α10-100)/log(ρ25)。
如表7所示，試樣521滿足本發明之所有目標特性。因此，本發明中，於z=0.021時，式[y-x+48]不適用。
如由以上之實驗1及2之結果所表明，本發明之溫度感測用正特性熱阻器可於保持低室溫電阻之狀態下，實現感測溫度之低溫化、感測精度之提昇。又，若使用本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷，則可獲得適於此種溫度感測之正特性熱阻器。又，若使用本發明之鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物，則可獲得此種鈦酸鋇系半導體陶瓷。
以上，對實施形態之鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物、鈦酸鋇系半導體陶瓷、溫度感測用正特性熱阻器之構成及製造方法之一例、以及 用以表明本發明之有效性之實驗例進行了說明。然而，本發明並不限定於該等內容，可於本發明之主旨之範圍內進行各種變更。例如，添加至半導體陶瓷中之供體(半導體化劑)之種類或量並不限定於上述內容，即便於一般之範圍內變更亦可獲得相同之效果。
1‧‧‧半導體陶瓷
2a、2b‧‧‧外部電極
100‧‧‧實施形態之正特性熱阻器

Claims (4)

  1. 一種鈦酸鋇系半導體陶瓷，其特徵在於：其係含有包含Ba、Ca、Sr及Ti之鈣鈦礦型化合物作為主成分，且進而含有R(R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中之至少1種)、Mn及Si者，於將該鈦酸鋇系半導體陶瓷溶解之情形時，於將Ti設為100莫耳份時，Ca之含有莫耳份x、Sr之含有莫耳份y、Mn之含有莫耳份z為20≦x≦25 19≦y≦25 0.01≦z≦0.03，且於0.01≦z<0.019時，y≧-0.8x+37，於0.021<z≦0.03時，y≦-x+48。
  2. 如請求項1之鈦酸鋇系半導體陶瓷，其除了以雜質之形式包含Pb之情形以外，不含Pb。
  3. 一種鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物，其特徵在於：藉由燒成而形成如請求項1或2之鈦酸鋇系半導體陶瓷。
  4. 一種溫度感測用正特性熱阻器，其特徵在於：具備包含如請求項1或2之鈦酸鋇系半導體陶瓷之陶瓷基體、及形成於該陶瓷基體之外表面上之外部電極。
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