JP2011011963A

JP2011011963A - セラミックス材料、及びキャパシタ

Info

Publication number: JP2011011963A
Application number: JP2009159705A
Authority: JP
Inventors: Rajesh Kumar Malhan; ラジェシュクマール丸汎; Naohiro Sugiyama; 尚宏杉山; Yuji Noguchi; 祐二野口; Masaru Miyayama; 勝宮山
Original assignee: Denso Corp; University of Tokyo NUC
Current assignee: Denso Corp; University of Tokyo NUC
Priority date: 2009-07-06
Filing date: 2009-07-06
Publication date: 2011-01-20
Anticipated expiration: 2029-07-06
Also published as: US8194392B2; US20110002083A1; DE102010031004A1; SE1050733A1; JP5330126B2; CN101941832B; CN101941832A; DE102010031004B4; SE535255C2

Abstract

【課題】誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高いセラミックス材料、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。
【解決手段】式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有するセラミックス材料。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは０を超え、１未満の実数であり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。
【選択図】図１

Description

本発明は、セラミックス材料、及びキャパシタに関する。

自動車用等、過酷な条件で用いられる集積回路として、２００〜４００℃程度の高温で作動可能なＳｉＣ集積回路が提案されている。ＳｉＣ集積回路はキャパシタ（コンデンサ）を含んでおり、そのキャパシタは、高誘電率の材料から成る誘電層を備えている。

高誘電率の材料は、以下の２種に大別される。
（１）ＳｉＯ₂系やＨｆＯ₂系に代表される高誘電率ゲート絶縁材料（以下、材料１とする）。
（２）ＢａＴｉＯ₃に代表されるペロブスカイト型酸化物（以下、材料２とする）。材料２については、Ｂａの一部をＳｒで置換し、誘電率の温度安定性を向上させることが提案されている（非特許文献１参照）。

A D Hilton and B W Ricketts, J. Phys. D: Appl. Phys., 29 (1996) 1321-1325.

材料１は、誘電率が１０〜２０程度と小さいという問題がある。また、材料２は、温度が変化すると誘電率が大きく変化してしまう（誘電率の温度安定性が低い）という問題がある。

本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高いセラミックス材料、及びそれを用いたキャパシタを提供することを目的とする。

本発明のセラミックス材料は、式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有する。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは、０を超え、１未満の実数である。また、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。

本発明のセラミックス材料は、誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高い。また、本発明のセラミックス材料は、測定周波数が変化しても、誘電率の温度依存性が変化しにくい。

本発明のセラミックス材料が上記の作用効果を奏する理由は、次のように推測される。すなわち、Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃の組成を持つペロブスカイト型誘電体に、Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃とは異なるＡ₂Ｂ₂Ｏ₃の組成を持つ材料を固溶すると、電荷不均質性と構造不均質性が導入され、これらの不均質性と外部から印加する電場が相互作用することで、高い誘電率と高い誘電率温度安定性が実現されると考えられる。

さらに、本発明のセラミックス材料は、鉛及びアルカリ金属を実質的に含んでいないので、半導体プロセスに適用しても、問題が生じにくい。なお、鉛及びアルカリ金属を実質的に含まないとは、不純物等として、本発明の作用効果を妨げない程度の微量の鉛やアルカリ金属を含んでいてもよいことを意味する。

本発明のセラミックスは、前記Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃が母構造を形成するものであることが好ましい。この場合、Ａ₂Ｂ₂Ｏ₃は、Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃から成る母構造の中に固溶する。
前記Ａ₁としては、例えば、Ｂａ²⁺、又はＢａ²⁺を含む２種以上の前記金属Ｍの組み合わせが好ましい。Ａ₁が２種以上の前記金属Ｍの組み合わせである場合、その平均価数が２となればよい。

前記Ｂ₁としては、例えば、Ｔｉ⁴⁺、又はＴｉ⁴⁺を含む２種以上の前記金属Ｍの組み合わせが好ましい。また、前記Ｂ₁としては、例えば、前記金属Ｍのうち価数が２である金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、前記金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせが好ましい。Ｂ₁が２種以上の前記金属Ｍの組み合わせである場合、その平均価数が４となればよい。

前記Ａ₂としては、例えば、Ｂｉ³⁺、又は、Ｂｉ³⁺と前記金属Ｍのうち価数が３である金属Ｍ^IIIとの組み合わせが好ましい。Ａ₂が２種以上の前記金属Ｍの組み合わせである場合、その平均価数が３となればよい。

前記Ｂ₂としては、例えば、前記金属Ｍのうち価数が２である金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、前記金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせが好ましい。Ｂ₂が２種以上の前記金属Ｍの組み合わせである場合、その平均価数が３となればよい。

前記金属Ｍ^IIとしては、例えば、Ｍｇ²⁺、Ｎｉ²⁺、及びＺｎ²⁺から成る群から選ばれる１種以上が好ましい。
前記金属Ｍ^IVとしては、例えば、Ｔｉ⁴⁺、及びＺｒ⁴⁺から成る群から選ばれる１種以上が好ましい。

前記金属Ｍ^Vとしては、例えば、Ｎｂ⁵⁺、及びＴａ⁵⁺から成る群から選ばれる１種以上が好ましい。
前記金属Ｍ^IIIとしては、例えば、Ｌａ³⁺、Ｎｄ³⁺、及びＳｍ³⁺から成る群から選ばれる１種以上が好ましい。

本発明のセラミックス材料としては、例えば、前記式（１）において、前記Ａ₁がＢａ²⁺であり、前記Ｂ₁がＴｉ⁴⁺であり、前記Ａ₂がＢｉ³⁺であり、前記Ｂ₂がＭｇ²⁺とＭｂ⁵⁺との組み合わせであり、前記ｘが０．１以上であるものが好ましい。Ｍｇ²⁺とＭｂ⁵⁺との比率は、それらの平均価数が４となるようにすればよい。

また、本発明のセラミックス材料としては、例えば、前記式（１）において、前記Ａ₁がＢａ²⁺であり、前記Ｂ₁がＴｉ⁴⁺であり、前記Ａ₂がＢｉ³⁺であり、前記Ｂ₂がＮｉ²⁺とＭｂ⁵⁺との組み合わせであり、前記ｘが０．５以上であるものが好ましい。Ｎｉ²⁺とＭｂ⁵⁺との比率は、それらの平均価数が４となるようにすればよい。

本発明のキャパシタは、上述したセラミックス材料から成る誘電層を備える。本発明のセラミックス材料は、上述した優れた特性を有しているので、そのセラミックス材料を誘電層に用いた本発明のキャパシタは、優れた性能を有する。そのキャパシタとしては、例えば、誘電層と内部電極層とが交互に積層されているものが挙げられる。内部電極層は、導電性のＮｉ合金を含むものであってもよい。このＮｉ合金は、仕事関数を適度に調整したものであることが好ましい。

式（１）におけるｘの値と誘電率との関係を表すグラフである。ｘの値が０．６である誘電率測定用サンプルについて、各温度における誘電率を、測定周波数ごとにプロットしたグラフである。ｘの値が０である誘電率測定用サンプルについて、各温度における誘電率を、測定周波数ごとにプロットしたグラフである。誘電率測定用サンプルのＸＲＤデータである。

本発明の実施形態を説明する。

１．セラミックス材料の製造
以下のようにして、式：（１−ｘ）ＢａＴｉＯ₃−ｘＢｉ（Ｍｇ_2/3Ｎｂ_1/3）Ｏ₃で表されるセラミックス材料を製造した。ここで、ｘは、セラミックス材料の全量に占めるＢｉ（Ｍｇ_2/3Ｎｂ_1/3）Ｏ₃のモル比を表す。本実施例では、Ｘが０、０．０５、０．１、０．２、０．４、０．５、０．６、０．７の場合のそれぞれについて、セラミックス材料を製造した。
（１−１）ボールミルでの混合
まず、原料であるＢａＣＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、及びＮｂ₂Ｏ₅を秤量し、ボールとともにプラスチック瓶に入れ、さらにエタノールを加えた。その後、ボールミルにかけ、各原料を混合した。なお、各原料の量は、セラミックス材料におけるＢａ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、及びＮｂの比率が、上述した式の化学量論比と一致するようにした。
（１−２）仮焼成
エバポレーションでエタノールをとばした後、アルミナるつぼにいれ、マッフル炉で仮焼成した。焼成温度は９００〜１０００℃とし、焼成時間は４時間とした。仮焼成は空気中で行った。
（１−３）ボールミルでの粉砕
仮焼成後の粉末を再度ボールミルにかけ、細かく粉砕した。なお、前記（１−１）と同様に、ボールミルにかける前に、粉末にエタノールを加えた。
（１−４）一軸加圧による成型
エバポレーションでエタノールをとばした後、周知の一軸加圧により成型を行い、ペレットとした。加圧条件は、０．５ｔｆ／ｃｍ²、５ｍｉｎとした。
（１−５）等方加圧
成型したペレットを袋に入れ、ＣＩＰ装置（冷間静水圧加圧装置）で等方加圧を行った。加圧条件は、１５０ＭＰａ、３０ｍｉｎとした。
（１−６）本焼成
ぺレットを、１０００〜１３５０℃の温度で、４時間本焼成した。本焼成は空気中で行った。
（１−７）アニール
ペレットを１１００℃の温度で７時間アニールし、セラミックス材料を完成した。アニールは空気中で行った。

なお、仮焼成条件、及び本焼成条件は、ｘの値ごとに設定した。表１に、仮焼成条件、本焼成条件、及びアニール条件を詳細に示す。また、表１に、完成したセラミック材料の相対密度を示す。

仮焼成の温度は、セラミックス材料が単相となる範囲で、なるべく低い温度とした。また、本焼成の温度は、セラミックス材料の密度が十分高くなる範囲で、なるべく低い温度とした。

２．セラミックス材料の評価
以下のようにして、前記「１」の項で製造したセラミックス材料を評価した。
（２−１）誘電率測定用サンプルの作成
まず、セラミックス材料のペレットから、０．３ｍｍ厚の薄板を切り出し、この薄板を、研磨板の上で、研磨粉を使い、指で研磨した。次に、研磨した薄板の両面に金の電極層をスパッタリングにより形成した。さらに、この電極層のそれぞれに、Ｐｔ線の一端をＡｇペーストを用いて接続し、誘電率測定用サンプルを完成した。
（２−２）誘電率の測定
誘電率測定用サンプルを赤外線ランプ炉にセットし、Ｐｔ線の他端（金の電極層に接続している端部とは反対側の端部）を測定装置（インピーダンスアナライザ）に接続し、キャパシタンスＣを測定した。そして、以下の数式から、誘電率εを計算した。なお、数式におけるＡは電極面積（薄板の面積）、ｄは電極間隔（薄板の厚み）であって、それぞれ既知の値である。具体的には、ｄは０．２〜０．３ｍｍの範囲内の値であり、Ａは、０．３ｃｍ²以下の範囲内の値である。

数式：Ｃ＝ε・Ａ／ｄ
誘電率の測定は、２５℃〜４００℃の範囲内の、複数の温度において、それぞれ行った。また、誘電率の測定は、測定周波数が１ｋＨｚ、３ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、３００ｋＨｚ、及び１ＭＨｚの各場合において、それぞれ行った。

表２に、測定周波数が１ＭＨｚの場合の、誘電率測定用サンプルの誘電率（２５℃、２００℃、３００℃、４００℃での値）、キュリー温度、誘電率の変化率、及びリーク電流の電流密度を示す。ここで、誘電率の変化率とは、２００℃における誘電率を基準としたとき、４００℃における誘電率がどれだけ変化しているかを表す値である。

表２には、ｘの値が０、０．０５、０．１、０．２、０．５、０．６、０．７の場合の測定結果をそれぞれ示している。

また、図１に、ｘの値と、測定周波数が１ＭＨｚの場合における誘電率との関係を示す。図１では、温度が２００℃の場合、３００℃の場合、４００℃の場合に分けてプロットしている。

表２及び図１から明らかなように、ｘの値が０を超える誘電率測定用サンプルは、ｘの値が０であるものに比べて、温度変化に対する誘電率の変化率が小さく、また、リーク電流が小さかった。特に、ｘの値が０．１以上の場合は、誘電率の変化率が一層小さくなった。さらに、誘電率の値自体も高かった。

図２に、ｘの値が０．６である誘電率測定用サンプルについて、各温度における誘電率を、測定周波数ごとにプロットしたグラフを示す。また、図３に、ｘの値が０である誘電率測定用サンプルについて、各温度における誘電率を、測定周波数ごとにプロットしたグラフを示す。

図２及び図３から明らかなように、ｘの値が０．６である誘電率測定用サンプルは、ｘの値が０であるものに比べて、測定周波数が変化しても、誘電率の温度依存性が変化しにくかった。
（２−３）
誘電率測定用サンプルのＸＲＤ測定を行った。その結果を図４に示す。図４から明らかなように、測定したいずれのサンプルも、単相であり、ペロブスカイト構造を有することが確認できた。

３．本実施例のセラミックス材料が奏する効果
（３−１）上述した測定結果から明らかなように、本実施例のセラミックス材料は、誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高い。
（３−２）上述した測定結果から明らかなように、本実施例のセラミックス材料は、測定周波数が変化しても、誘電率の温度依存性が変化しにくい。
（３−２）本実施例のセラミックス材料は、鉛及びアルカリ金属を実質的に含んでいないので、半導体プロセスに適用しても、問題が生じにくい。

４．セラミックス材料の用途
本実施例のセラミックス材料は、上述した優れた特性を有しているので、キャパシタの誘電層として用いることができる。そのキャパシタとしては、例えば、誘電層と内部電極層とが交互に積層されているものが挙げられる。内部電極層は、導電性のＮｉ合金を含むものであってもよい。

さらに、本実施例のセラミックス材料は、キャパシタ以外の各種電子デバイスにも用いることができる。

本実施例のセラミックス材料は、式：（１−ｘ）Ｂａ（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）Ｏ₃−ｘＢｉ（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）Ｏ₃で表される。
ここで、（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）は、価数が２である金属Ｍ^IIと価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、金属Ｍ^IIと価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせを意味する。上記の式において、Ｂａの直後に記載された（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）の平均価数は４であり、Ｂｉの直後に記載された（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）の平均価数は３である。なお、金属Ｍ^II、Ｍ^IV、Ｍ^Vは、いずれも、Ｐｂではなく、アルカリ金属でもない。

金属Ｍ^IIは、Ｍｇ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｚｎ²⁺のうちのいずれか１種、又は２種以上の組み合わせである。金属Ｍ^IVは、Ｔｉ⁴⁺、Ｚｒ⁴⁺のうちのいずれか１種、又は両者の組み合わせである。金属Ｍ^Vは、Ｎｂ⁵⁺、Ｔａ⁵⁺のうちのいずれか１種、又は両者の組み合わせである。

本実施例のセラミックス材料は、基本的には前記実施例１と同様に（ただし、原料の種類及び配合比は、製造するセラミックス材料の化学量論比に合わせて調整し）製造することができる。

本実施例のセラミックス材料も、ペロブスカイト構造を有し、前記実施例１の場合と略同様の作用効果を奏する。

本実施例のセラミックス材料は、式：（１−ｘ）ＢａＴｉＯ₃−ｘ（Ｂｉ、Ｍ^III）（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）Ｏ₃で表される。
ここで、（Ｂｉ、Ｍ^III）は、Ｂｉ³⁺と、価数が３である金属Ｍ^III（Ｂｉ³⁺を除く）との組み合わせを意味する。また、（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）は、価数が２である金属Ｍ^IIと価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、金属Ｍ^IIと価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせを意味する。上記の式において、（Ｂｉ、Ｍ^III）の直後に記載された（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）の平均価数は３である。なお、金属Ｍ^II、Ｍ^III、Ｍ^IV、Ｍ^Vは、いずれも、Ｐｂではなく、アルカリ金属でもない。

金属Ｍ^IIは、Ｍｇ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｚｎ²⁺のうちのいずれか１種、又は２種以上の組み合わせである。金属Ｍ^IIIは、希土類（ＲＥ）であって、Ｌａ³⁺、Ｎｄ³⁺、Ｓｍ³⁺のうちのいずれか１種、又は２種以上の組み合わせである。（Ｂｉ、Ｍ^III）において、金属Ｍ^IIIは、モル比で１０％以上を占める。１０％以上であることにより、誘電率の温度変化が一層小さくなる。金属Ｍ^IVは、Ｔｉ⁴⁺、Ｚｒ⁴⁺のうちのいずれか１種、又は両者の組み合わせである。金属Ｍ^Vは、Ｎｂ⁵⁺、Ｔａ⁵⁺のうちのいずれか１種、又は両者の組み合わせである。

本実施例のセラミックス材料は、式：（１−ｘ）Ｂａ（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）Ｏ₃−ｘ（Ｂｉ、Ｍ^III）（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）Ｏ₃で表される。
ここで、（Ｂｉ、Ｍ^III）は、Ｂｉ³⁺と、価数が３である金属Ｍ^III（Ｂｉ³⁺を除く）との組み合わせを意味する。また、（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）は、価数が２である金属Ｍ^IIと価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、金属Ｍ^IIと価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせを意味する。上記の式において、Ｂａの直後に記載された（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）の平均価数は４であり、（Ｂｉ、Ｍ^III）の直後に記載された（Ｍ^II、Ｍ^IV、^V）の平均価数は３である。なお、金属Ｍ^II、Ｍ^III、Ｍ^IV、Ｍ^Vは、いずれも、Ｐｂではなく、アルカリ金属でもない。

本実施例のセラミックス材料も、ペロブスカイト構造を有し、前記実施例１の場合と略同様の作用効果を奏する。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。

Claims

式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有するセラミックス材料。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは０を超え、１未満の実数であり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。
前記Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃が母構造を形成することを特徴とする請求項１記載のセラミックス材料。
前記Ａ₁は、Ｂａ²⁺、又はＢａ²⁺を含む２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックス材料。
前記Ｂ₁は、Ｔｉ⁴⁺、又はＴｉ⁴⁺を含む２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミックス材料。
前記Ｂ₁は、前記金属Ｍのうち価数が２である金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、前記金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセラミックス材料。
前記Ａ₂は、Ｂｉ³⁺、又は、Ｂｉ³⁺と前記金属Ｍのうち価数が３である金属Ｍ^IIIとの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックス材料。
前記Ｂ₂は、前記金属Ｍのうち価数が２である金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が４である金属Ｍ^IVとの組み合わせ、又は、前記金属Ｍ^IIと前記金属Ｍのうち価数が５である金属Ｍ^Vとの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のセラミックス材料。
前記金属Ｍ^IIは、Ｍｇ²⁺、Ｎｉ²⁺、及びＺｎ²⁺から成る群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項５又は７に記載のセラミックス材料。
前記金属Ｍ^IVは、Ｔｉ⁴⁺、及びＺｒ⁴⁺から成る群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項５又は７に記載のセラミックス材料。
前記金属Ｍ^Vは、Ｎｂ⁵⁺、及びＴａ⁵⁺から成る群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項５又は７に記載のセラミックス材料。
前記金属Ｍ^IIIは、Ｌａ³⁺、Ｎｄ³⁺、及びＳｍ³⁺から成る群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項６に記載のセラミックス材料。
前記Ａ₁がＢａ²⁺であり、前記Ｂ₁がＴｉ⁴⁺であり、前記Ａ₂がＢｉ³⁺であり、前記Ｂ₂がＭｇ²⁺とＭｂ⁵⁺との組み合わせであり、前記ｘが０．１以上であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のセラミックス材料。
前記Ａ₁がＢａ²⁺であり、前記Ｂ₁がＴｉ⁴⁺であり、前記Ａ₂がＢｉ³⁺であり、前記Ｂ₂がＮｉ²⁺とＭｂ⁵⁺との組み合わせであり、前記ｘが０．５以上であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のセラミックス材料。
請求項１〜１３のいずれかに記載のセラミックス材料から成る誘電層を備えるキャパシタ。
前記誘電層と内部電極層とが交互に積層されていることを特徴とする請求項１４に記載のキャパシタ。
前記内部電極層は、導電性のＮｉ合金を含むことを特徴とする請求項１５に記載のキャパシタ。