JP7036022B2 - セラミック電子部品用誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体磁器組成物及び当該誘電体磁器組成物を誘電体層として用いるセラミック電子部品に関する。

近年、自動車のエンジンルーム周辺等の過酷な温度環境に搭載される機器向けに、１５０℃を超える高温環境で作動する電子部品の要求が年々高まっている。特に、近年の自動車市場では、安全性および環境性能の向上をねらいとして各機能の電子制御化が急速に進んでおり、電子機器の搭載率が増加している。なかでもエンジンルーム内に搭載される電子機器は過酷な温度環境にさらされるため、電子部品においては高い信頼性に加えて高い耐熱性が求められている。

従来、このような要求を満たすコンデンサ等のセラミック電子部品としては、その誘電体層にジルコン酸カルシウムなどの常誘電性を示す磁器組成物（常誘電体）が用いられてきた。しかしながら、常誘電体から構成される誘電体層を有する電子部品は、磁器組成物の比誘電率が低く、高容量のコンデンサを得ることができない。

代表的なセラミックスコンデンサ用磁器組成物として知られているチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）は、高い比誘電率を持つが、強誘電転移温度と呼ばれる特性温度において比誘電率がピークを持ち、１２０℃以上になると特性が急速に低下する。

そのため、高温環境（例えば、１５０℃以上）であっても、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物の開発が求められていた。

また、近年、セラミック電子部品においては、内部電極の材質としてニッケルや銅などの卑金属を用いることが多い。卑金属を内部電極層として用いる場合、誘電体層と内部電極とを同時焼成するため、焼成中に当該卑金属が酸化しないよう、誘電体層を構成する磁器組成物を含めて還元雰囲気下で焼成される。

非特許文献１には、一般式Ｍ^２+ _６Ｍ^４+ _２Ｎｂ_８Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造の誘電体磁器組成物が記載されている。この非特許文献１においては、実験試料（サンプル）を得るために、磁器組成物原料を混合した後、これを１０００℃前後で１５時間、焼成し、得られた物を粉砕及び乾燥させて成形した後、更に１２５０～１３５０℃で５～６時間、焼結させている。

また、特許文献１～１１でも、種々のタングステンブロンズ構造の誘電体磁器組成物の検討が行われている。

Ｍａｔ. Ｒｅｓ. Ｂｕｌｌ.，Ｖｏｌ． ２７（１９９２），ｐｐ. ６７７-６８４ ; Ｒ. Ｒ. Ｎｅｕｒｇａｏｎｋａｒ，Ｊ. Ｇ. Ｎｅｌｓｏｎ ａｎｄ Ｊ. Ｒ. Ｏｌｉｖｅｒ

特開２００２－２１１９７５号公報 特開２００７－１９７２７７号公報 特開平１１－０４３３７０公報 特開２０００－１６９２１５公報 特開２００８－１８９４８７公報 国際公開ＷＯ０８／１０２６０８号パンフレット 国際公開ＷＯ０６／１１４９１４号パンフレット 特開２０１３－１８０９０６公報 特開２０１３－１８０９０７公報 特開２０１３－１８０９０８公報 特開２０１２－１６９６３５公報

ところが、非特許文献１では、タングステンブロンズ構造の誘電体磁器組成物そのものの特性について、学術的な観点から検討が行われている一方、その応用（アプリケーション）については何ら考慮されていない。すなわち、非特許文献１においては、誘電体磁器組成物は、通常の環境雰囲気下である実験室内で焼成されているが、本発明者等が、前記一般式で示されるタングステンブロンズ構造の誘電体磁器組成物について詳細な検討を行った結果、特定の添加成分と共に、近年、誘電体磁器組成物に対して要求される還元雰囲気下で焼成及び焼結を行った場合には、非特許文献１の報告とは全く特性の異なる誘電体磁器組成物が得られることが分かった。

また、特許文献１～１１においてもタングステンブロンズ構造の誘電体磁器組成物について検討が行われているが、何れも「還元雰囲気下で焼成可能である」、「十分に高い比誘電率が得られる」、「幅広い温度領域での誘電特性が良好である」、「誘電損失が小さい」といった作用効果を同時に奏し得るものは得られていない。

従って、本発明の目的は、還元雰囲気下で焼成が可能であり、比誘電率が高く、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の誘電体層として用いた場合に、高温環境下、例えば、１５０～２００℃といった条件下においても静電容量の変化が少なく、２５℃及び２００℃における誘電損失が小さい誘電体磁器組成物、及びこれを誘電体層として用いるセラミック電子部品を提供することにある。

上記課題は、以下の本発明により解決される。
すなわち、本発明（１）は、第一成分と第二成分とからなり、
第一成分が、下記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対する含有割合が、ＣａＯ換算で０～３５．８５ｍｏｌ％のＣａの酸化物と、ＳｒＯ換算で０～４７．１２ｍｏｌ％のＳｒの酸化物と、ＢａＯ換算で０～５１．２２ｍｏｌ％のＢａの酸化物と、ＴｉＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＴｉの酸化物と、ＺｒＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＺｒの酸化物と、ＳｎＯ_２換算で０～２．６０ｍｏｌ％のＳｎの酸化物と、Ｎｂ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＮｂの酸化物と、Ｔａ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＴａの酸化物と、Ｖ_２Ｏ_５換算で０～２．６５ｍｏｌ％のＶの酸化物と、からなり、
該第一成分は、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物及びＢａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｔｉの酸化物及びＺｒの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｎｂの酸化物及びＴａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、を必須成分として含有し、且つ、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＣａＯ換算のＣａの酸化物、ＳｒＯ換算のＳｒの酸化物及びＢａＯ換算のＢａの酸化物の合計の含有割合が４８．７２～５１．２２ｍｏｌ％であり、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒ酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計の含有割合が１５．９７～１７．３６ｍｏｌ％であり、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａ酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計の含有割合が３１．４２～３５．３１ｍｏｌ％であり、
第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（２）は、前記の酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算の前記Ｍｎの酸化物の含有割合が、３．５質量％以下であることを特徴とする（１）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（３）は、第一成分と第二成分とからなり、
第一成分として、下記一般式（１）：
Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ （１）
（式（１）中、Ａは、一般式（２）：Ｂａ_{１－ｘ－ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ（２）（式（２）中、０≦ｘ≦０．９２０、０≦ｙ≦０．７００である。）で表される。Ｍ^１は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｍ^２は、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる少なくとも１種である。５．７０≦ａ≦６．３０、１．９０≦ｂ≦２．１０、７．２０≦ｃ≦８．８０、２７．４５≦ｄ≦３２．５０である。）
で表される化合物（但し、Ｓｎを含有する場合は、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ _２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有割合が１５ｍｏｌ％以下であり、Ｖを含有する場合は、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有割合が７．５ｍｏｌ％以下である。）を含有し、
第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（４）は、前記一般式（１）で表される化合物の質量に対するＭｎＯ換算の前記Ｍｎの酸化物の含有割合が、３．５質量％以下であることを特徴とする（３）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（５）は、第一成分と第二成分とからなり、
下記一般式（３）：
α・Ｃａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－β・Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－γ・Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３ （３）
（式（３）中、η１、η２及びη３は、それぞれ独立して５．７０～６．３０の範囲内の値である。θ１、θ２及びθ３は、それぞれ独立して０．９５～１．０５の範囲内の値である。φ１、φ２及びφ３は、それぞれ独立して０．９０～１．１０の範囲内の値である。ω１、ω２及びω３はそれぞれ独立して２７．４５～３２．５０の範囲内の値である。Ｍ^３は、一般式（４）：Ｔｉ_２-ρ-σＺｒ_ρＳｎ_σ（４）（式（４）中、０≦ρ≦２．０、０≦σ≦０．３である。）で表される。Ｍ^４は、一般式（５）：Ｎｂ_８-π-ψＴａ_πＶ _ψ（５）（式（５）中、０≦π≦８．０、０≦ψ≦０．６である。）で表される。α、β及びγは、α＋β＋γ＝１．００を満たす。）
で表され、３元組成図上の任意の点を（α，β，γ）と表すときに、点Ａ＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ＝（０．７０，０．３０，０．００）、点Ｃ＝（０．７０，０．００，０．３０）、点Ｄ＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｅ＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物を第一成分として含有し、
第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（６）は、前記３元組成図上の点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅを結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対するＭｎＯ換算の前記Ｍｎの酸化物の含有割合が、３．５質量％以下であることを特徴とする（５）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（７）は、前記第一成分が、前記３元組成図において、点Ａ’＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ’＝（０．６０，０．４０，０．００）、点Ｃ’＝（０．７０，０．２０，０．１０）、点Ｄ’＝（０．７０，０．１０，０．２０）、点Ｅ’＝（０．５５，０．００，０．４５）、点Ｆ’＝（０．４０，０．００，０．６０）、点Ｇ’＝（０．１０，０．１０，０．８０）、点Ｈ’＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｉ’＝（０．００，０．４０，０．６０）、点Ｊ’＝（０．２０，０．４０，０．４０）、点Ｋ’＝（０．００，０．７０，０．３０）、点Ｌ’＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物であることを特徴とする（５）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（８）は、第二成分として、Ｍｎの酸化物及びＤの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）を含有することを特徴とする（１）～（７）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（９）は、タングステンブロンズ型結晶相を含有することを特徴とする（１）～（８）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１０）は、２５℃における比誘電率が１００以上であることを特徴とする（１）～（９）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１１）は、２５℃における比誘電率が２００以上であることを特徴とする（１０）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１２）は、２５℃における比誘電率が３００以上であることを特徴とする（１１）の誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１３）は、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲において－５０％～５０％の範囲内であることを特徴とする（１）～（１２）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１４）は、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲において－３３％～２２％の範囲内であることを特徴とする（１）～（１３）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１５）は、２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であり且つ２００℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であることを特徴とする（１）～（１４）いずれかの誘電体磁器組成物を提供するものである。

また、本発明（１６）は、（１）～（１５）いずれかの誘電体磁器組成物で形成されている誘電体層と、導電成分として卑金属を含む電極層と、を含むことを特徴とするセラミック電子部品を提供するものである。

また、本発明（１７）は、前記卑金属がニッケル及び銅から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする（１６）のセラミック電子部品を提供するものである。

また、本発明（１８）は、前記誘電体層と前記電極層が複数積層されていることを特徴とする（１６）又は（１７）いずれかのセラミック電子部品を提供するものである。

本発明によれば、還元雰囲気下で焼成が可能であり、比誘電率が高く、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の誘電体層として用いた場合に、１５０～２００℃の高温条件下においても静電容量の変化が少なく、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で－５０％～５０％の範囲内（以下、±５０％以内と記すことがある。）であり、２５℃及び２００℃における誘電損失が小さい誘電体磁器組成物、及びこれを誘電体層として用いるセラミック電子部品を提供することができる。

本発明に係る誘電体磁器組成物の好適な組成範囲を示す三角図である。 本発明に係る誘電体磁器組成物の更に好適な組成範囲を示す三角図である。 試料８のＳＥＭ像（１０，０００倍）である。 試料１５のＳＥＭ像（１０，０００倍）である。 試料６６のＳＥＭ像（１０，０００倍）である。 試料８、１５及び６６の静電容量変化率の推移を示すグラフである。 試料１５及び７８の静電容量変化率の推移を示すグラフである。 セラミックコンデンサを図解的に示した断面図である。 試料１５のＸ線回折測定の結果である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。なお、本発明において数値範囲の表記“○～△”は、特に断らない限り、○及び△の数値を含むものとする。

（セラミックコンデンサ１）
図８に示すセラミックコンデンサ１は、全体として直方体形状の積層体１０を備えている。積層体１０は、積層された複数の誘電体層３と、誘電体層３の異なる界面に沿って形成される複数の内部電極２ａ、２ｂにより構成される。内部電極２ａ、２ｂは、積層体１０内において交互に配置され、それぞれ積層体１０の異なる端部で外部電極４と電気的に接合している。外部電極４の上には、必要に応じてニッケル、銅、ニッケル－銅合金などからなる第１のめっき層や、その上に更に半田、錫などからなる第２のめっき層が形成されても良い。

このように、複数の内部電極２ａ、２ｂは、積層体１０の積層方向に互いに重なり合った状態で形成されることにより、隣り合う内部電極２ａ、２ｂとの間で電荷を蓄える。また内部電極２ａ、２ｂと外部電極４とが電気的に接続されることにより、当該電荷が取り出される。

（内部電極２ａ、２ｂ）
本発明において内部電極２ａ、２ｂには、導電成分として卑金属が用いられる。導電成分としての卑金属としては、ニッケル、銅、アルミニウムなどの純金属の他、当該金属成分を含む合金や混合物あるいは複合物であっても良い。そして、導電成分としての卑金属として、特に好ましくは、ニッケル及び銅から選ばれる１種である。また、本発明の作用効果を阻害しないのであれば、内部電極２ａ、２ｂには、卑金属以外の導電成分や後出の共材などが含まれていてもよい。

内部電極２ａ、２ｂは、如何なる手法で形成されても良く、一例としては、当該卑金属を含む金属粉末をバインダ成分と共に混練することにより得られる導電ペーストを用いて形成する方法が挙げられる。導電ペーストを用いる場合は、内部電極２ａ、２ｂの形成方法としては、スクリーン印刷のような印刷法により形成することが、特に好ましい。なお、当該導電ペーストには、金属粉末の焼結を制御するための所謂共材として、後述する本発明の誘電体磁器組成物と同じ成分の誘電体磁器組成物粉末を含んでも良い。また、内部電極２ａ、２ｂは、その他、インクジェット法、蒸着法、めっき法など、公知の手法によっても形成される。

（誘電体層３）
誘電体層３は、後述する本発明の誘電体磁器組成物で構成されることによって、高い比誘電率を維持しつつ、幅広い温度領域、特に２００℃前後の高温領域においても静電容量の変化が小さく、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で±５０％以内となり、２５℃及び２００℃における誘電損失（ｔａｎδ）が共に１０％以下となる。しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、耐還元性に優れており、内部電極の導電成分として卑金属を用い、還元雰囲気下で同時焼成する場合であっても、還元され難く、半導体化しない。

（誘電体磁器組成物）
本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と第二成分とからなり、
第一成分が、下記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対する含有割合が、ＣａＯ換算で０～３５．８５ｍｏｌ％のＣａの酸化物と、ＳｒＯ換算で０～４７．１２ｍｏｌ％のＳｒの酸化物と、ＢａＯ換算で０～５１．２２ｍｏｌ％のＢａの酸化物と、ＴｉＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＴｉの酸化物と、ＺｒＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＺｒの酸化物と、ＳｎＯ_２換算で０～２．６０ｍｏｌ％のＳｎの酸化物と、Ｎｂ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＮｂの酸化物と、Ｔａ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＴａの酸化物と、Ｖ_２Ｏ_５換算で０～２．６５ｍｏｌ％のＶの酸化物と、からなり、
該第一成分は、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物及びＢａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｔｉの酸化物及びＺｒの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｎｂの酸化物及びＴａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、を必須成分として含有し、且つ、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＣａＯ換算のＣａの酸化物、ＳｒＯ換算のＳｒの酸化物及びＢａＯ換算のＢａの酸化物の合計の含有割合が４８．７２～５１．２２ｍｏｌ％であり、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒ酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計の含有割合が１５．９７～１７．３６ｍｏｌ％であり、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａ酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計の含有割合が３１．４２～３５．３１ｍｏｌ％であり、
第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と、第二成分と、からなる。なお、本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物において、誘電体磁器組成物中に含まれる酸化物の内、第一成分として含まれる酸化物以外は全て第二成分として含まれる。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物に係る第一成分は、必須成分としての、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物及びＢａの酸化物から選ばれる１種以上と、Ｔｉの酸化物及びＺｒの酸化物から選ばれる１種以上と、Ｎｂの酸化物及びＴａの酸化物から選ばれる１種以上と、任意成分としての、Ｓｎの酸化物及びＶの酸化物から選ばれる１種以上と、からなる。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物において、第一成分に占める各酸化物の含有量であるが、下記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対する含有割合で、ＣａＯ換算のＣａの酸化物の含有量が０～３５．８５ｍｏｌ％であり、ＳｒＯ換算のＳｒの酸化物の含有量が０～４７．１２ｍｏｌ％であり、ＢａＯ換算のＢａの酸化物の含有量が０～５１．２２ｍｏｌ％であり、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物の含有量が０～１７．３６ｍｏｌ％であり、ＺｒＯ_２換算のＺｒの酸化物の含有量が０～１７．３６ｍｏｌ％であり、ＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有量が０～２．６０ｍｏｌ％であり、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物の含有量が０～３５．３２ｍｏｌ％であり、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物の含有量が０～３５．３２ｍｏｌ％であり、Ｖ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有量が０～２．６５ｍｏｌ％である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物では、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＣａＯ換算のＣａの酸化物、ＳｒＯ換算のＳｒの酸化物及びＢａＯ換算のＢａの酸化物の合計の含有割合は、４８．７２～５１．２２ｍｏｌ％、好ましくは４９．３７～５０．６２ｍｏｌ％である。

また、本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物では、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計の含有割合は、１５．９７～１７．３６ｍｏｌ％であり、好ましくは１６．３２～１７．０１ｍｏｌ％である。また、第一成分がＳｎを含有する場合は、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ _２換算のＳｎの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有割合が１５ｍｏｌ％以下である。

また、本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物では、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＮｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計の含有割合は、３１．４２～３５．３１ｍｏｌ％であり、好ましくは３２．２０～３４．４３ｍｏｌ％である。また、第一成分がＶを含有する場合は、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ _２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有割合が７．５ｍｏｌ％以下である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を含有する。つまり、本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、必須の第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有する。本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分としてＭｎの酸化物を含有することにより、Ｍｎの酸化物が含まれていない場合に比べ、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の誘電体層として用いた場合に、１５０～２００℃の高温条件下においても静電容量の変化が少なく、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で±５０％以内となり、２５℃及び２００℃における誘電損失（以下、単にｔａｎδと記すことがある。）が小さくなる。

第二成分としてのＭｎの酸化物の含有量であるが、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物の含有割合は、０質量％を超えており、好ましくは０質量％を超え且つ３．５質量％以下、特に好ましくは０．００５～２．０質量％、更に好ましくは０．０１～１．５質量％である。Ｍｎの酸化物の含有量が、上記範囲を超えると、高温下で誘電損失が増大し易くなったり、静電容量変化が増大し易くなったりする場合がある。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、必須成分のＭｎの酸化物を含有するが、それに加えて、任意にＭｎの酸化物以外の酸化物を含有することができる。第二成分は、耐還元性やその他の特性を改善するために、本発明の誘電体磁器組成物に添加される。上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対する第二成分の酸化物換算の合計質量の割合は、好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは０．１～５．５質量％である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物が含有する第二成分の任意成分としては、Ｄの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）が好ましく、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物が特に好ましい。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分として、Ｍｎの酸化物とＤの酸化物を含有する場合のＭｎの酸化物とＤの酸化物の合計含有量であるが、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物及びＤの酸化物の合計質量の割合は、好ましくは６質量％以下、特に好ましくは０．１～２．５質量％である。なお、上記Ｄの酸化物の質量は、ＬｉについてはＬｉ_２Ｏに、ＭｇについてはＭｇＯに、ＳｉについてはＳｉＯ_２に、ＣｒについてはＣｒ_２Ｏ_３に、ＡｌについてはＡｌ_２Ｏ_３に、ＦｅについてはＦｅ_２Ｏ_３に、ＣｏについてはＣｏＯに、ＮｉについてはＮｉＯに、ＣｕについてはＣｕＯに、ＺｎについてはＺｎＯに、ＧａについてはＧａ_２Ｏ_３に、ＧｅについてはＧｅＯ_２に、ＩｎについてはＩｎ_２Ｏ_３に、ＷについてはＷＯ_３に、ＭｏについてはＭｏＯ_３に、ＹについてはＹ_２Ｏ_３に、ＨｆについてはＨｆＯ_２に、ＬａについてはＬａ_２Ｏ_３に、ＣｅについてはＣｅＯ_２に、ＰｒについてはＰｒ_６Ｏ_１１に、ＮｄについてはＮｄ_２Ｏ_３に、ＳｍについてはＳｍ_２Ｏ_３に、ＥｕについてはＥｕ_２Ｏ_３に、ＧｄについてはＧｄ_２Ｏ_３に、ＴｂについてはＴｂ_４Ｏ_７に、ＤｙについてはＤｙ_２Ｏ_３に、ＨｏについてはＨｏ_２Ｏ_３に、ＥｒについてはＥｒ_２Ｏ_３に、ＴｍについてはＴｍ_２Ｏ_３に、ＹｂについてはＹｂ_２Ｏ_３に、ＬｕについてはＬｕ_２Ｏ_３に換算した値である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物は、Ｘ線回折等の結晶構造解析を行った場合に、タングステンブロンズ型結晶相の存在を示すことが好ましい。本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物の平均グレインサイズは、好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と第二成分とからなり、
第一成分として、下記一般式（１）：
Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ （１）
（式（１）中、Ａは、一般式（２）：Ｂａ_{１－ｘ－ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ（２）（式（２）中、０≦ｘ≦０．９２０、０≦ｙ≦０．７００である。）で表される。Ｍ^１は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｍ^２は、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる少なくとも１種である。５．７０≦ａ≦６．３０、１．９０≦ｂ≦２．１０、７．２０≦ｃ≦８．８０、２７．４５≦ｄ≦３２．５０である。）
で表される化合物（但し、Ｓｎを含有する場合は、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ _２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有割合が１５ｍｏｌ％以下であり、Ｖを含有する場合は、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有割合が７．５ｍｏｌ％以下である。）を含有し、
第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と、第二成分と、からなる。なお、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物において、誘電体磁器組成物中に含まれる酸化物の内、第一成分として含まれる酸化物以外は全て第二成分として含まれる。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物において、第一成分は、下記一般式（１）：
Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ （１）
で表される化合物である。

一般式（１）中、Ａは、一般式（２）：Ｂａ_{１－ｘ－ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ（２）（式（２）中、０≦ｘ≦０．９２０、０≦ｙ≦０．７００である。）で表される。つまり、Ａは、Ｂａ単体であっても、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａのうちのいずれか２種の組み合わせ（Ｃａ及びＳｒ、Ｃａ及びＢａ、Ｓｒ及びＢａ）であっても、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａの組み合わせであってもよい。

一般式（１）中、Ｍ^１は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎから選ばれる少なくとも１種である。但し、Ｍ^１は、Ｔｉ及びＺｒから選ばれる１種以上が必須である。つまり、Ｍ^１は、Ｔｉ単独、Ｚｒ単独、Ｔｉ及びＳｎの組み合わせ、Ｚｒ及びＳｎの組み合わせ、Ｔｉ及びＺｒの組み合わせ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎの組み合わせである。

一般式（１）中、Ｍ^２は、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる少なくとも１種である。但し、Ｍ^２は、Ｎｂ及びＴａから選ばれる１種以上が必須である。つまり、Ｍ^２は、Ｎｂ単独、Ｔａ単独、Ｎｂ及びＶの組み合わせ、Ｔａ及びＶの組み合わせ、Ｎｂ及びＴａの組み合わせ、Ｎｂ、Ｔａ及びＶの組み合わせである。

一般式（１）中、ａは、５．７０≦ａ≦６．３０の範囲であり、ｂは、１．９０≦ｂ≦２．１０の範囲であり、ｃは、７．２０≦ｃ≦８．８０の範囲であり、ｄは、２７．４５≦ｄ≦３２．５０である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物が、Ｓｎを含有する場合は、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有割合が１５ｍｏｌ％以下である。また、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物が、Ｖを含有する場合は、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有割合が７．５ｍｏｌ％以下である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を含有する。つまり、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、必須の第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有する。本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分としてＭｎの酸化物を含有することにより、Ｍｎの酸化物が含まれていない場合に比べ、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の誘電体層として用いた場合に、１５０～２００℃の高温条件下においても静電容量の変化が少なく、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で±５０％以内となり、２５℃及び２００℃における誘電損失が小さくなる。

第二成分としてのＭｎの酸化物の含有量であるが、一般式（１）（Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ _ｄ（１））で表される化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物の含有割合は、０質量％を超えており、好ましくは０質量％を超え且つ３．５質量％以下、特に好ましくは０．００５～２．０質量％、更に好ましくは０．０１～１．５質量％である。Ｍｎの酸化物の含有量が、上記範囲を超えると、高温下で誘電損失が増大し易くなったり、静電容量変化が増大し易くなったりする場合がある。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、必須成分のＭｎの酸化物を含有するが、それに加えて、任意にＭｎの酸化物以外の酸化物を含有することができる。第二成分は、耐還元性やその他の特性を改善するために、本発明の誘電体磁器組成物に添加される。一般式（１）（Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ（１））で表される化合物の質量に対する第二成分の酸化物換算の合計質量の割合は、好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは０．１～５．５質量％である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物が含有する第二成分の任意成分としては、Ｄの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）が好ましく、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物が特に好ましい。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分として、Ｍｎの酸化物とＤの酸化物を含有する場合のＭｎの酸化物とＤの酸化物の合計含有量であるが、一般式（１）（Ａ _ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ（１））で表される化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物及びＤの酸化物の合計質量の割合は、好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは０．１～５．５質量％である。なお、上記Ｄの酸化物の質量は、ＬｉについてはＬｉ_２Ｏに、ＭｇについてはＭｇＯに、ＳｉについてはＳｉＯ_２に、ＣｒについてはＣｒ_２Ｏ_３に、ＡｌについてはＡｌ_２Ｏ_３に、ＦｅについてはＦｅ_２Ｏ_３に、ＣｏについてはＣｏＯに、ＮｉについてはＮｉＯに、ＣｕについてはＣｕＯに、ＺｎについてはＺｎＯに、ＧａについてはＧａ_２Ｏ_３に、ＧｅについてはＧｅＯ_２に、ＩｎについてはＩｎ_２Ｏ_３に、ＷについてはＷＯ_３に、ＭｏについてはＭｏＯ_３に、ＹについてはＹ_２Ｏ_３に、ＨｆについてはＨｆＯ_２に、ＬａについてはＬａ_２Ｏ_３に、ＣｅについてはＣｅＯ_２に、ＰｒについてはＰｒ _６Ｏ_１１に、ＮｄについてはＮｄ_２Ｏ_３に、ＳｍについてはＳｍ_２Ｏ_３に、ＥｕについてはＥｕ_２Ｏ_３に、ＧｄについてはＧｄ_２Ｏ_３に、ＴｂについてはＴｂ_４Ｏ_７に、ＤｙについてはＤｙ_２Ｏ_３に、ＨｏについてはＨｏ_２Ｏ_３に、ＥｒについてはＥｒ_２Ｏ_３に、ＴｍについてはＴｍ_２Ｏ_３に、ＹｂについてはＹｂ_２Ｏ_３に、ＬｕについてはＬｕ_２Ｏ_３に換算した値である。

本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物は、Ｘ線回折等の結晶構造解析を行った場合に、タングステンブロンズ型結晶相の存在を示し、その平均グレインサイズは、好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と第二成分とからなり、
下記一般式（３）：
α・Ｃａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－β・Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－γ・Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３ （３）
（式（３）中、η１、η２及びη３は、それぞれ独立して５．７０～６．３０の範囲内の値である。θ１、θ２及びθ３は、それぞれ独立して０．９５～１．０５の範囲内の値である。φ１、φ２及びφ３は、それぞれ独立して０．９０～１．１０の範囲内の値である。ω１、ω２及びω３はそれぞれ独立して２７．４５～３２．５０の範囲内の値である。Ｍ^３は、一般式（４）：Ｔｉ_２-ρ-σＺｒ_ρＳｎ_σ（４）（式（４）中、０≦ρ≦２．０、０≦σ≦０．３である。）で表される。Ｍ^４は、一般式（５）：Ｎｂ_８-π-ψＴａ_πＶ _ψ（５）（式（５）中、０≦π≦８．０、０≦ψ≦０．６である。）で表される。α、β及びγは、α＋β＋γ＝１．００を満たす。）
で表され、３元組成図上の任意の点を（α，β，γ）と表すときに、点Ａ＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ＝（０．７０，０．３０，０．００）、点Ｃ＝（０．７０，０．００，０．３０）、点Ｄ＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｅ＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物を第一成分として含有し、
第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有すること、
を特徴とする誘電体磁器組成物である。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分と、第二成分と、からなる。なお、本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物において、誘電体磁器組成物中に含まれる酸化物の内、第一成分として含まれる酸化物以外は全て第二成分として含まれる。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、第一成分が、図１に示すＣａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３の３元組成図上の点を（α，β，γ）で表すときに（但し、α、β及びγは、α＋β＋γ＝１．００を満たす。）、点Ａ＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ＝（０．７０，０．３０，０．００）、点Ｃ＝（０．７０，０．００，０．３０）、点Ｄ＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｅ＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物（以下、図１に示す３元組成図上の点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅを結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物と記載することもある。）である。第一成分の組成が上記範囲内にあることにより、２５℃における比誘電率が１００以上となり、強誘電性を示す。

また、本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、好ましくは第一成分が、図２に示すＣａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３の３元組成図上において、点Ａ’＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ’＝（０．６０，０．４０，０．００）、点Ｃ’＝（０．７０，０．２０，０．１０）、点Ｄ’＝（０．７０，０．１０，０．２０）、点Ｅ’＝（０．５５，０．００，０．４５）、点Ｆ’＝（０．４０，０．００，０．６０）、点Ｇ’＝（０．１０，０．１０，０．８０）、点Ｈ’＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｉ’＝（０．００，０．４０，０．６０）、点Ｊ’＝（０．２０，０．４０，０．４０）、点Ｋ’＝（０．００，０．７０，０．３０）、点Ｌ’＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物（以下、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物と記載することもある。）である。第一成分の組成が上記範囲内にあることにより、２５℃において２００以上の比誘電率が得られやすく、強誘電性を示す。なお、図２に示す「Ｃａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ _ω２－Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３」の３元組成図は、図１に示す「Ｃａ_η１Ｍ^３ _{θ １}Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３」の３元組成図と同じである。

但し、本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物に係る「Ｃａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_{ω １}－Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３」の３元組成図において、η１、η２及びη３は、それぞれ独立して５．７０～６．３０の範囲内の値である。θ１、θ２及びθ３は、それぞれ独立して０．９５～１．０５の範囲内の値である。φ１、φ２及びφ３は、それぞれ独立して０．９０～１．１０の範囲内の値である。ω１、ω２及びω３はそれぞれ独立して２７．４５～３２．５０の範囲内の値である。Ｍ^３は、一般式（４）：Ｔｉ_２-ρ-σＺｒ_ρＳｎ_σ（４）（式（４）中、０≦ρ≦２．０、０≦σ≦０．３である。）で表される。Ｍ^４は、一般式（５）：Ｎｂ_８-π-ψＴａ_πＶ_ψ（５）（式（５）中、０≦π≦８．０、０≦ψ≦０．６である。）で表される。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を含有する。つまり、本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、必須の第二成分として、Ｍｎの酸化物を含有する。本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分としてＭｎの酸化物を含有することにより、Ｍｎの酸化物が含まれていない場合に比べ、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の誘電体層として用いた場合に、１５０～２００℃の高温条件下においても静電容量の変化が少なく、静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で±５０％以内となり、２５℃及び２００℃における誘電損失が小さくなる。

第二成分としてのＭｎの酸化物の含有量であるが、図１に示す３元組成図上の点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅを結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物の含有割合（第一成分が、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の場合は、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物の含有割合）は、０質量％を超えており、好ましくは０質量％を超え且つ３．５質量％以下、特に好ましくは０．００５～２．０質量％、更に好ましくは０．０１～１．５質量％である。Ｍｎの酸化物の含有量が、上記範囲を超えると、高温下で誘電損失が増大し易くなったり、静電容量変化が増大し易くなったりする場合がある。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、第二成分として、必須成分のＭｎの酸化物を含有するが、それに加えて、任意にＭｎの酸化物以外の酸化物を含有することができる。第二成分は、耐還元性やその他の特性を改善するために、本発明の誘電体磁器組成物に添加される。図１に示す３元組成図上の点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅを結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対する第二成分の酸化物換算の合計質量の割合（第一成分が、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の場合は、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対する第二成分の酸化物換算の合計質量の割合）は、好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは０．１～５．５質量％である。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物が含有する第二成分の任意成分としては、Ｄの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）が好ましく、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物が特に好ましい。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物が、第二成分として、Ｍｎの酸化物とＤの酸化物を含有する場合のＭｎの酸化物とＤの酸化物の合計含有量であるが、図１に示す３元組成図上の点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅを結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物及びＤの酸化物の合計質量の割合（第一成分が、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の場合は、図２に示す３元組成図上の点Ａ’、点Ｂ’、点Ｃ’、点Ｄ’、点Ｅ’、点Ｆ’、点Ｇ’、点Ｈ’、点Ｉ’、点Ｊ’、点Ｋ’、点Ｌ’を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物の質量に対するＭｎＯ換算のＭｎの酸化物及びＤの酸化物の合計質量の割合）は、好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは０．１～５．５質量％である。なお、上記Ｄの酸化物の質量は、ＬｉについてはＬｉ_２Ｏに、ＭｇについてはＭｇＯに、ＳｉについてはＳｉＯ _２に、ＣｒについてはＣｒ_２Ｏ_３に、ＡｌについてはＡｌ_２Ｏ_３に、ＦｅについてはＦｅ _２Ｏ_３に、ＣｏについてはＣｏＯに、ＮｉについてはＮｉＯに、ＣｕについてはＣｕＯに、ＺｎについてはＺｎＯに、ＧａについてはＧａ_２Ｏ_３に、ＧｅについてはＧｅＯ_２に、ＩｎについてはＩｎ_２Ｏ_３に、ＷについてはＷＯ_３に、ＭｏについてはＭｏＯ_３に、ＹについてはＹ_２Ｏ_３に、ＨｆについてはＨｆＯ_２に、ＬaについてはＬａ_２Ｏ_３に、ＣｅについてはＣｅＯ_２に、ＰｒについてはＰｒ_６Ｏ_１１に、ＮｄについてはＮｄ_２Ｏ_３に、ＳｍについてはＳｍ_２Ｏ_３に、ＥｕについてはＥｕ_２Ｏ_３に、ＧｄについてはＧｄ_２Ｏ_３に、ＴｂについてはＴｂ_４Ｏ_７に、ＤｙについてはＤｙ_２Ｏ_３に、ＨｏについてはＨｏ_２Ｏ _３に、ＥｒについてはＥｒ_２Ｏ_３に、ＴｍについてはＴｍ_２Ｏ_３に、ＹｂについてはＹｂ _２Ｏ_３に、ＬｕについてはＬｕ_２Ｏ_３に換算した値である。

本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、Ｘ線回折等の結晶構造解析を行った場合に、タングステンブロンズ型結晶相の存在を示し、その平均グレインサイズは、好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物及び本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、２５℃における比誘電率は高ければ高いほど好ましく、１００以上、好ましくは２００以上であり、組成によっては、３００以上、更には４００以上、更には５００以上のものある。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物及び本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物の静電容量変化率は、－５５℃～２００℃の温度範囲において、±５０％以内であり、好ましくは－３３％～２２％の範囲内である。なお、本発明において、静電容量変化率とは、後述する方法により得られる値である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物及び本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物では、２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であり且つ２００℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であり、高周波特性が良好である。

本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物及び本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物は、還元雰囲気下で焼成が可能である。

（外部電極４）
外部電極４は、通常、積層体１０を同時焼成した後の端部に外部電極用導電ペーストを付与し、これを焼き付けることによって形成されるが、本発明はこれに限られるものではなく、熱硬化型樹脂や熱可塑性樹脂を含むペーストを用いて加熱処理して外部電極４が形成されても良い。外部電極用導電ペーストに使用される導電成分は、特に限定されず、例えば、ニッケル、銅、銀、パラジウム、白金、金などの純金属の他、当該金属成分を含む合金や混合物又は複合物であっても良い。また、その他、必要に応じて導電ペーストにはガラスフリットが添加されることもある。また、外部電極４は積層体１０と共に同時に焼成される場合もある。

（セラミックコンデンサ１の製造方法）
セラミックコンデンサ１は、本発明の第一の形態の誘電体磁器組成物、本発明の第二の形態の誘電体磁器組成物又は本発明の第三の形態の誘電体磁器組成物を用いる他は、公知の方法により製造される。以下、その一例を説明する。

先ず、誘電体層３を形成するための出発原料を準備する。出発原料の一例としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｖ_２Ｏ_５などの酸化物粉末、及び焼成により当該酸化物粉末が生成される炭酸塩、硝酸塩などが挙げられる。

これらの出発原料を、目的とする組成になるよう秤量し、混合して、得られた混合物を空気中において７００～９００℃程度の温度で３～６時間程度仮焼する。次いで、得られた生成物を微粉砕して、得られた誘電体原料を第一成分用原料とする。

また、Ｍｎ源としてＭｎＯやＭｎＣＯ_３などのＭｎ化合物の粉末と、その他、必要に応じて添加されるＬｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌa、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕなどを含む化合物を第二成分用原料として準備する。

次いで、これらの第一成分用原料と第二成分用原料を、適宜のバインダ成分中で混練及び分散し、誘電体ペースト又は誘電体スラリーを調製する。なお、誘電体ペースト又は誘電体スラリーには、必要に応じて、可塑剤等の添加物が含まれても良い。

次いで、得られた誘電体ペースト又は誘電体スラリーをシート状に成形し、次いで、得られたグリーンシートの表面に前述の内部電極用の導電ペーストを用いて導体パターンを形成する。これを所定回数繰り返して積層し、圧着して未焼成の積層体（以下、グリーンチップという）を得る。

次いで、グリーンチップに対して、必要に応じて脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理条件は、特に限定されず、例えば、保持温度１８０～４００℃で１～３時間の加熱処理が挙げられる。

次いで、グリーンチップを、還元雰囲気下において、１１５０～１３５０℃程度で焼成し、焼成済の積層体１０（以下、焼結体１０という）を得る。

その後、焼結体１０に対して、必要に応じて再酸化処理（以下、アニールという）を行う。アニール条件は当業界において広く用いられている公知の条件で良いが、例えば、アニール時の酸素分圧を焼成時の酸素分圧よりも高い酸素分圧とし、保持温度は１１００℃以下とすることが好ましい。

上記のようにして得られた焼結体１０に対し、端面研磨を施した後、外部電極用導電ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成し、必要に応じて外部電極４の表面に前述のめっき層を形成する。

こうして得られたセラミックコンデンサ１は、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に適用される。

例えば、上記ではセラミックコンデンサについて説明したが、インダクタやアクチュエータなど、他のセラミック電子部品についても同様に実施することができる。

以下、本発明を具体的な実験例に基づき説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、以下において記載する誘電体磁器組成物の組成は、原料組成（仕込組成）や結晶構造分析によって推定されるものであり、本明細書中においても同様である。

（実施例１及び比較例１）
（１）誘電体磁器組成物試料１～９０の作製
第一成分の出発原料として、ＣａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ _２、ＳｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｖ_２Ｏ_５の各粉末を、酸化物換算で表１、表３及び表５に示す比率になるよう秤量し、ボールミルで純水を用いて２０時間湿式混合した。
次に、得られた各混合物を１００℃で乾燥した後、大気中、７５０～９００℃で３時間仮焼し、再び同様にボールミルで細かく粉砕し、第一成分用誘電体原料とした。
また、第二成分として、ＭｎＣＯ_３を１８．２ｍｇ、ＭｇＯを３２ｍｇ、ＳｉＯ_２を５８．６ｍｇ、Ｙ_２Ｏ_３を８９．５ｍｇずつ秤量し、これらを混合したものを準備し、第二成分用原料とした。但し、試料４３では上記第二成分用原料の内、ＳｉＯ_２を除いたＭｎＣＯ_３、ＭｇＯ及びＹ_２Ｏ_３の３成分のみとした。試料４４では第二成分用原料としてＭｇＯを除いたＭｎＣＯ_３、ＳｉＯ_２及びＹ_２Ｏ_３の３成分のみとした。試料４５ではＹ_２Ｏ_３を除いたＭｎＣＯ_３、ＭｇＯ及びＳｉＯ_２の３成分のみとした。試料７８及び７９ではＭｎＣＯ_３を除いたＭｇＯ、ＳｉＯ_２及びＹ_２Ｏ_３の３成分のみとした。また、試料４１では、上記第二成分用原料の内、ＭｎＣＯ_３の量を０．４０４ｍｇに変更し、試料４２ではＭｎＣＯ_３の量を０．１９８ｇに変更し、試料８０ではＭｎＣＯ_３の量を２．０５５ｇに変更した。
また、ポリビニルアルコール濃度が６質量％となるように、イオン交換水とポリビニルアルコールを容器に投入し、９０℃で１時間混合して、ポリビニルアルコール水溶液を準備した。
そして、各第一成分用誘電体原料２５gと上記量の第二成分用原料とを混合し、これらの混合物に対し、ポリビニルアルコール水溶液の濃度が１０質量％となるように、原料混合物にポリビニルアルコール水溶液を添加し、乳鉢中で混合及び造粒して造粒粉を作製した。
更に得られた造粒粉を直径１４．０ｍｍの金型に投入して、１ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力でプレス成形することによって、円板状のグリーン成形体を得た。
次いで、得られたグリーン成形体を還元性雰囲気中で焼成することによって、焼結体を作製した。この際の焼成では、昇温速度を３００℃／ｈｒ、保持温度を１１５０～１３００℃、保持時間を２時間とした。雰囲気ガスは加湿した水素／窒素混合ガス（水素濃度０．５％）とし、加湿にはウェッター（ウェッター温度３５℃）を用いた。

次いで、得られた焼結体に対して、焼結体の２つの主面に直径８ｍｍのＩｎ－Ｇａ電極を塗布することにより、試料１～９０にそれぞれ対応する円板状のセラミックコンデンサを得た。

（２）誘電体磁器組成物試料１～９０の分析
上述のようにして得られた試料１～９０に対応する円板状のセラミックコンデンサに対して、以下に示す方法により、グレインサイズ、結晶相、比誘電率、静電容量変化率及び誘電損失（ｔａｎδ）をそれぞれ分析した。その結果を表２、表４及び表６に示す。

＜グレインサイズ＞
各コンデンサの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察し、無作為に抽出した２０個の結晶粒子の粒界から求めた円相当径の平均値をグレインサイズとした。なお、図３～図５は、それぞれ、試料８、１５及び６６のＳＥＭ像である。

＜結晶相＞
Ｘ線回折測定により、結晶相の特定を行った。代表例として試料１５のＸ線回折測定の結果を図９に示す。図中の下段はリファレンスのタングステンブロンズ型結晶相であり、試料１５がタングステンブロンズ型結晶相を含有することを確認できた。その他の試料を含めたＸ線回折測定結果を表２、表４及び表６に示す。なお、表中の符号“Ｔ”はタングステンブロンズ型結晶相の存在を確認できたことを示す。

＜比誘電率＞
各コンデンサに対し、基準温度２５℃において、ＬＣＲメータ（アジレント・テクノロジー社製４２８４Ａ）を用いて、周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖ_ｒｍｓとして静電容量Ｃを測定した。その後、焼結体の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Ｃとに基づいて比誘電率を算出した。また基準温度２００℃においても同様にして比誘電率を算出した。
なお、比誘電率は高い方が好ましく、２５℃において１００以上であれば良好とした。

＜静電容量変化率＞
比誘電率の測定と同様な条件（アジレント・テクノロジー社製４２８４Ａ、周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖ_ｒｍｓ）で、－５５℃から２００℃の温度領域における各温度ｔの静電容量Ｃ_ｔを測定した。そして、基準となる２５℃の静電容量Ｃ_２５から、静電容量変化率＝（（Ｃ_ｔ－Ｃ_２５）／Ｃ_２５）×１００（％）（以下、静電容量変化率をΔＣ_ｔ／Ｃ _２５と記すことがある。）を算出した。
なお、静電容量変化率は０に近い方が好ましく、±５０％以内であれば良好とした。
また、試料８、１５及び６６について、－５５℃から２００℃までの静電容量変化率の推移を、図６に記した。なお、図中の符号“×”は試料８、“○”は試料１５、“△”は試料６６の静電容量変化率である。更に、試料１５及び７８について、－５５℃から２００℃までの静電容量変化率の推移を、図７に記した。図中の符号“○”は試料１５、“×”は試料７８の静電容量変化率である。

＜誘電損失（ｔａｎδ）＞
各コンデンサ試料について、ＬＣＲメータ（アジレント・テクノロジー社製４２８４Ａ）を用いて、周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖ_ｒｍｓとしてｔａｎδを測定した。ｔａｎδは２５℃及び２００℃において、共に１０％以下であれば良好とした。

＊第一成分の酸化物換算組成は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計ｍｏｌ数に対する各酸化物の表中に記載する酸化物換算のｍｏｌ％である。
＊Ｍｎ酸化物の含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎ酸化物の質量％であり、また、第二成分の酸化物の合計含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対する第二成分の酸化物の合計の質量％である。

＊第一成分の酸化物換算組成は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計ｍｏｌ数に対する各酸化物の表中に記載する酸化物換算のｍｏｌ％である。
＊Ｍｎ酸化物の含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎ酸化物の質量％であり、また、第二成分の酸化物の合計含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対する第二成分の酸化物の合計の質量％である。

＊第一成分の酸化物換算組成は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計ｍｏｌ数に対する各酸化物の表中に記載する酸化物換算のｍｏｌ％である。
＊Ｍｎ酸化物の含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎ酸化物の質量％であり、また、第二成分の酸化物の合計含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対する第二成分の酸化物の合計の質量％である。

（３）評価
以上の分析結果から、図１の線分Ａ－Ｂ－Ｃ－Ｄ－Ｅにより囲まれる範囲内にある試料は、２５℃における比誘電率が１００以上であった。すなわち、本発明の誘電体磁器組成物は、強誘電性を有していることが確認できた。また、図１の線分Ａ－Ｂ－Ｃ－Ｄ－Ｅにより囲まれる範囲内にある試料は、静電容量の変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲で±５０％以内であり、２５℃及び２００℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下である。
更に、図２の線分点Ａ’－点Ｂ’－点Ｃ’－点Ｄ’－点Ｅ’－点Ｆ’－点Ｇ’－点Ｈ’－点Ｉ’－点Ｊ’－点Ｋ’－点Ｌ’により囲まれる範囲内にある試料は、２５℃における比誘電率が２００以上であった。
中でも試料番号５、８、１２、１５、１７、１８、２３～２５、２７、２９～３６、３８、４１、４３～４５は、比誘電率が５００以上を示しており、特に好ましい。
また、試料番号１～４、７～１３、１６～１８、２３～２８、３８～４０、４６、４７、４９～６２、８７～９０は、－５５℃から２００℃の温度領域における静電容量変化率ΔＣ_ｔ／Ｃ_２５が－３３％～＋２２％を示し、特に温度特性が優れている。

これらに対し、本発明の範囲外の試料番号６５～８６では、比誘電率、静電容量変化率及びｔａｎδのうちの１以上の性能に関して良好な特性が得られなかった。
また、図６に示される通り、本発明の誘電体磁器組成物（試料８、１５）を用いた場合には、静電容量変化率は－５５℃から２００℃の温度範囲において－３０％～３０％の範囲内にあるが、本発明の範囲外である試料６６は１５０℃を越えたあたりから静電容量変化率が急激に増加していることが分かる。
また、試料１５と試料７８は、第二成分としてのＭｎの酸化物の有無のみが異なる試料であるが、図７に示される通り、両者の特性が大きく異なっていることが分かる。

（実施例２）
上述した第一成分原料を酸化物換算で表７に示す組成になるよう秤量し、更に、第二成分原料としてＭｎＣＯ_３及びＳｉＯ_２を酸化物換算で表７に示す組成になるよう秤量した以外は実施例１と同様にして試料９１～１０７を作製し、それぞれの試料に対応する円板状のセラミックコンデンサを得た。
その後、実施例１と同様に、グレインサイズ、結晶相、比誘電率、静電容量変化率及び誘電損失（ｔａｎδ）を測定し、その結果を表８に示した。
これらの結果から、酸化物換算の第一成分の合計質量に対し、第二成分としてのＭｎＯ換算のＭｎ含有量が３．５質量％以下の試料では、比誘電率、静電容量変化率及びｔａｎδについて良好な結果が得られていることが分かる。

＊第一成分の酸化物換算組成は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計ｍｏｌ数に対する各酸化物の表中に記載する酸化物換算のｍｏｌ％である。
＊Ｍｎ酸化物の含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対するＭｎＯ換算のＭｎ酸化物の質量％であり、また、第二成分の酸化物の合計含有量は、第一成分の各酸化物成分の表中に記載する酸化物換算の合計質量に対する第二成分の酸化物の合計の質量％である。

なお、上記した例では、単板型のセラミックコンデンサについて評価を行ったが、誘電体層と内部電極とが積層された積層型のセラミックコンデンサについても、同様の結果を得ることができる。

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 誘電体層
３ 内部電極層
４ 外部電極
１０ 積層体

Claims (13)

1. 第一成分の仮焼物と第二成分の混合物の焼結体であり、
   第一成分が、下記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対する含有割合が、ＣａＯ換算で０～３５．８５ｍｏｌ％のＣａの酸化物と、ＳｒＯ換算で０～４７．１２ｍｏｌ％のＳｒの酸化物と、ＢａＯ換算で０～５１．２２ｍｏｌ％のＢａの酸化物と、ＴｉＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＴｉの酸化物と、ＺｒＯ_２換算で０～１７．３６ｍｏｌ％のＺｒの酸化物と、ＳｎＯ_２換算で０～２．６０ｍｏｌ％のＳｎの酸化物と、Ｎｂ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＮｂの酸化物と、Ｔａ_２Ｏ_５換算で０～３５．３２ｍｏｌ％のＴａの酸化物と、Ｖ_２Ｏ_５換算で０～２．６５ｍｏｌ％のＶの酸化物と、からなり、
   該第一成分は、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物及びＢａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｔｉの酸化物及びＺｒの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、Ｎｂの酸化物及びＴａの酸化物から選ばれる少なくとも１種と、を必須成分として含有し、且つ、上記の酸化物に換算したときの第一成分の合計ｍｏｌ数に対するＣａＯ換算のＣａの酸化物、ＳｒＯ換算のＳｒの酸化物及びＢａＯ換算のＢａの酸化物の合計の含有割合が４８．７２～５１．２２ｍｏｌ％であり、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒ酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計の含有割合が１５．９７～１７．３６ｍｏｌ％であり、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａ酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計の含有割合が３１．４２～３５．３１ｍｏｌ％であり、
   第二成分として、Ｍｎの酸化物及びＤの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）を含有し、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対する該第二成分の酸化物の含有割合が、１０質量％以下であり、
   該第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算の含有割合で、０．００５～３．５質量％含有し、且つ、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物及びＹの酸化物から選ばれる少なくとも１種を含有し、
   タングステンブロンズ型結晶相を含有すること、
   を特徴とするセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
2. 第一成分の仮焼物と第二成分の混合物の焼結体であり、
   第一成分として、下記一般式（１）：
   Ａ_ａＭ^１ _ｂＭ^２ _ｃＯ_ｄ （１）
   （式（１）中、Ａは、一般式（２）：Ｂａ_{１－ｘ－ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ（２）（式（２）中、０≦ｘ≦０．９２０、０≦ｙ≦０．７００である。）で表される。Ｍ^１は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｍ^２は、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる少なくとも１種である。５．７０≦ａ≦６．３０、１．９０≦ｂ≦２．１０、７．２０≦ｃ≦８．８０、２７．４５≦ｄ≦３２．５０である。）
   で表される化合物（但し、Ｓｎを含有する場合は、ＴｉＯ_２換算のＴｉの酸化物、ＺｒＯ_２換算のＺｒの酸化物及びＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＳｎＯ_２換算のＳｎの酸化物の含有割合が１５ｍｏｌ％以下であり、Ｖを含有する場合は、Ｎｂ_２Ｏ_５換算のＮｂの酸化物、Ｔａ_２Ｏ_５換算のＴａの酸化物及びＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の合計ｍｏｌ数に対するＶ_２Ｏ_５換算のＶの酸化物の含有割合が７．５ｍｏｌ％以下である。）を含有し、
   第二成分として、Ｍｎの酸化物及びＤの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）を含有し、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対する該第二成分の酸化物の含有割合が、１０質量％以下であり、
   該第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算の含有割合で、０．００５～３．５質量％含有し、且つ、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物及びＹの酸化物から選ばれる少なくとも１種を含有し、
   タングステンブロンズ型結晶相を含有すること、
   を特徴とするセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
3. 第一成分の仮焼物と第二成分の混合物の焼結体であり、
   下記一般式（３）：
   α・Ｃａ_η１Ｍ^３ _θ１Ｍ^４ _φ１Ｏ_ω１－β・Ｓｒ_η２Ｍ^３ _θ２Ｍ^４ _φ２Ｏ_ω２－γ・Ｂａ_η３Ｍ^３ _θ３Ｍ^４ _φ３Ｏ_ω３ （３）
   （式（３）中、η１、η２及びη３は、それぞれ独立して５．７０～６．３０の範囲内の値である。θ１、θ２及びθ３は、それぞれ独立して０．９５～１．０５の範囲内の値である。φ１、φ２及びφ３は、それぞれ独立して０．９０～１．１０の範囲内の値である。ω１、ω２及びω３はそれぞれ独立して２７．４５～３２．５０の範囲内の値である。Ｍ^３は、一般式（４）：Ｔｉ_２-ρ-σＺｒ_ρＳｎ_σ（４）（式（４）中、０≦ρ≦２．０、０≦σ≦０．３である。）で表される。Ｍ^４は、一般式（５）：Ｎｂ_８-π-ψＴａ_πＶ_ψ（５）（式（５）中、０≦π≦８．０、０≦ψ≦０．６である。）で表される。α、β及びγは、α＋β＋γ＝１．００を満たす。）
   で表され、３元組成図上の任意の点を（α，β，γ）と表すときに、点Ａ＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ＝（０．７０，０．３０，０．００）、点Ｃ＝（０．７０，０．００，０．３０）、点Ｄ＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｅ＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物を第一成分として含有し、
   第二成分として、Ｍｎの酸化物及びＤの酸化物（Ｄは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種である。）を含有し、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対する該第二成分の酸化物の含有割合が、１０質量％以下であり、
   該第二成分として、少なくともＭｎの酸化物を、前記酸化物に換算したときの第一成分の合計質量に対するＭｎＯ換算の含有割合で、０．００５～３．５質量％含有し、且つ、Ｍｇの酸化物、Ｓｉの酸化物及びＹの酸化物から選ばれる少なくとも１種を含有し、
   タングステンブロンズ型結晶相を含有すること、
   を特徴とするセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
4. 前記第一成分が、前記３元組成図において、点Ａ’＝（０．０５，０．９５，０．００）、点Ｂ’＝（０．６０，０．４０，０．００）、点Ｃ’＝（０．７０，０．２０，０．１０）、点Ｄ’＝（０．７０，０．１０，０．２０）、点Ｅ’＝（０．５５，０．００，０．４５）、点Ｆ’＝（０．４０，０．００，０．６０）、点Ｇ’＝（０．１０，０．１０，０．８０）、点Ｈ’＝（０．００，０．００，１．００）、点Ｉ’＝（０．００，０．４０，０．６０）、点Ｊ’＝（０．２０，０．４０，０．４０）、点Ｋ’＝（０．００，０．７０，０．３０）、点Ｌ’＝（０．００，０．９０，０．１０）を結ぶ線分で囲まれる範囲内にある化合物であることを特徴とする請求項３記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
5. ２５℃における比誘電率が１００以上であることを特徴とする請求項１～４いずれか１項記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
6. ２５℃における比誘電率が２００以上であることを特徴とする請求項５記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
7. ２５℃における比誘電率が３００以上であることを特徴とする請求項６記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
8. 静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲において－５０％～５０％の範囲内であることを特徴とする請求項１～７いずれか１項記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
9. 静電容量変化率が－５５℃～２００℃の温度範囲において－３３％～２２％の範囲内であることを特徴とする請求項８記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
10. ２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であり且つ２００℃における誘電損失（ｔａｎδ）が１０％以下であることを特徴とする請求項１～９いずれか１項記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物。
11. 請求項１～１０いずれか１項記載のセラミック電子部品用誘電体磁器組成物で形成されている誘電体層と、導電成分として卑金属を含む電極層と、を含むことを特徴とするセラミック電子部品。
12. 前記卑金属がニッケル及び銅から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１１記載のセラミック電子部品。
13. 前記誘電体層と前記電極層が複数積層されていることを特徴とする請求項１２記載のセラミック電子部品。

Images