TWI618145B - 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 - Google Patents
電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI618145B TWI618145B TW103122141A TW103122141A TWI618145B TW I618145 B TWI618145 B TW I618145B TW 103122141 A TW103122141 A TW 103122141A TW 103122141 A TW103122141 A TW 103122141A TW I618145 B TWI618145 B TW I618145B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- flow rate
- gas
- film
- cos
- plasma
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H10P50/242—
-
- H10P50/283—
-
- H10P50/285—
-
- H10P50/287—
-
- H10P50/71—
-
- H10P50/73—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-137118 | 2013-06-28 | ||
| JP2013137118A JP6185305B2 (ja) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201515102A TW201515102A (zh) | 2015-04-16 |
| TWI618145B true TWI618145B (zh) | 2018-03-11 |
Family
ID=50981431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103122141A TWI618145B (zh) | 2013-06-28 | 2014-06-26 | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9324569B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2819151B1 (enExample) |
| JP (1) | JP6185305B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102245901B1 (enExample) |
| CN (1) | CN104253036B (enExample) |
| TW (1) | TWI618145B (enExample) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6817692B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2021-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP6748354B2 (ja) | 2015-09-18 | 2020-09-02 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法及びドライエッチング剤 |
| US10546756B2 (en) * | 2016-11-29 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Method for generating vertical profiles in organic layer etches |
| JP6833657B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板をプラズマエッチングする方法 |
| CN108550578B (zh) * | 2018-03-26 | 2020-10-02 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器制造方法 |
| JP7022651B2 (ja) | 2018-05-28 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
| US11532484B2 (en) | 2018-10-26 | 2022-12-20 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP7195113B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び基板処理装置 |
| US11264249B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-03-01 | Mattson Technology, Inc. | Carbon containing hardmask removal process using sulfur containing process gas |
| JP7493400B2 (ja) | 2019-09-13 | 2024-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム |
| US11476123B2 (en) | 2019-09-13 | 2022-10-18 | Tokyo Electron Limited | Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system |
| JP7336365B2 (ja) | 2019-11-19 | 2023-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
| US11443954B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-09-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling a shape of a pattern over a substrate |
| WO2021166674A1 (ja) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
| WO2021171458A1 (ja) | 2020-02-27 | 2021-09-02 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
| KR102873060B1 (ko) | 2021-04-23 | 2025-10-16 | 삼성전자주식회사 | 하드 마스크 구조체를 포함하는 반도체 소자 |
| JP2023082809A (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2025089101A1 (ja) * | 2023-10-24 | 2025-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291208A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0903777A4 (en) * | 1997-01-21 | 2005-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | PATTERN MOLDING |
| JP2000077386A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
| JP2001168084A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR20090069122A (ko) * | 2007-12-24 | 2009-06-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 제조방법 |
| US8133819B2 (en) * | 2008-02-21 | 2012-03-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching carbonaceous layers with sulfur-based etchants |
| JP2010041028A (ja) | 2008-07-11 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| KR20100031962A (ko) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 삼성전자주식회사 | 카본계막 식각 방법 및 이를 이용한 콘택홀 형성방법 |
| JP5528244B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法および記憶媒体 |
| JP5642001B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| FR3000603B1 (fr) * | 2012-12-28 | 2016-11-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure anisotrope |
-
2013
- 2013-06-28 JP JP2013137118A patent/JP6185305B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-26 TW TW103122141A patent/TWI618145B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-06-26 US US14/316,082 patent/US9324569B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-26 EP EP14174609.9A patent/EP2819151B1/en not_active Not-in-force
- 2014-06-27 CN CN201410301711.2A patent/CN104253036B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-27 KR KR1020140079591A patent/KR102245901B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291208A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104253036B (zh) | 2017-11-28 |
| EP2819151B1 (en) | 2020-08-05 |
| EP2819151A1 (en) | 2014-12-31 |
| KR20150002525A (ko) | 2015-01-07 |
| US9324569B2 (en) | 2016-04-26 |
| KR102245901B1 (ko) | 2021-04-29 |
| CN104253036A (zh) | 2014-12-31 |
| US20150004795A1 (en) | 2015-01-01 |
| TW201515102A (zh) | 2015-04-16 |
| JP2015012178A (ja) | 2015-01-19 |
| JP6185305B2 (ja) | 2017-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI618145B (zh) | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 | |
| US9177823B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| CN109755123B (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
| US7977390B2 (en) | Method for plasma etching performance enhancement | |
| CN105914144B (zh) | 蚀刻方法 | |
| US10290476B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| TW201810429A (zh) | 蝕刻處理方法 | |
| CN101521158A (zh) | 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 | |
| US12051595B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP6017928B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
| KR101858324B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
| CN101106086A (zh) | 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质 | |
| KR20100004891A (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 제어 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| TW201818465A (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| TWI713486B (zh) | 蝕刻方法(二) | |
| TW202004902A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP2020088174A (ja) | エッチング方法及び基板処理装置 | |
| US20230343598A1 (en) | Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer | |
| JP7195113B2 (ja) | 処理方法及び基板処理装置 | |
| TWI822918B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| JP7573501B2 (ja) | 基板上の保護膜の膜厚を制御する方法及び装置 | |
| CN112437973A (zh) | 等离子处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |