TWI617592B - 包含具有碳與碳之多重鍵之樹脂之鈍化膜形成用組成物 - Google Patents

包含具有碳與碳之多重鍵之樹脂之鈍化膜形成用組成物 Download PDF

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Abstract

本發明之課題為，提供同時使電氣絕緣性、耐熱性、耐溶劑性、乾回蝕特性成立之鈍化膜。
解決方法為含有，含有下述式(i)： (式中，T0表示磺醯基、氟伸烷基、環狀伸烷基、具有取代基之伸芳基，或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸烷基之組合)之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有式(2-A)、式(2-B)或其雙方之構造的基之聚合物的鈍化膜形成用組成物。
-C≡C- 式(2-A)
聚合物可含有下述式(1)： 之單位構造。

Description

包含具有碳與碳之多重鍵之樹脂之鈍化膜形成用組成物
本發明係有關絕緣膜。更詳細為，有關形成IC薄片等之半導體製品及光學系製品等之層合物之過程中，保護使用TSV(Through Silicon Via)技術形成的晶片裏面之電極用的鈍化膜。
近年來隨著行動電話及IC卡等之電子機器的高機能化、小型化，而要求降低起因於半導體裝置之高積體化、實裝面積之小面積化、配線間距離之縮小化的配線電阻。針對其方法曾檢討以縱方向堆積半導體元件間之堆疊構造。
堆疊構造之製作方法一例如，將形成半導體元件之晶片薄化後，使用各向異性乾蝕等之技術設置貫通孔(Through Silicon Via，TSV技術)，再將銅等之導電材料填入該貫通孔而於裏面形成電極後，於形成電極之晶片裏面形成鈍化膜，再與另一形成半導體元件之薄片或晶片表 面進行電氣接合之步驟。
上述步驟中，要求形成於晶片裏面之絕緣膜為，具有防止電流洩漏或導電材料移動等之電氣絕緣性、為了使鈍化膜形成後之電極部開口用之光微影步驟中具有耐溶劑及良好乾回蝕性、電極接合步驟有耐熱性等。
又已知之鈍化膜如，苯并環丁烯樹脂、聚醯亞胺、全芳香族聚醚等。
但苯并環丁烯樹脂為，光微影過程中乾回蝕時需使用氟系氣體，而會損害電極及晶片。又200℃程度之固化溫度無法充分進行交聯反應，故無法得到良好之耐溶劑性。
另外聚醯亞胺會有成膜溫度係300℃以上之高溫，及固化時因膜收縮而發生殘留應力故而損害薄化之晶片的問題。
又全芳香族聚醚會有無熱交聯部位而缺乏耐溶劑性，及樹脂之軟化點而於電極接合時熔融樹脂之問題。
曾揭示玻璃基板含浸聚矽氧樹脂所得之無機系絕緣基板上，形成含有30體積%至45體積%之聚醚酮樹脂粉末與熱硬化性樹脂之底塗膜的厚膜技術用基板(專利文獻1)。
又曾揭示含有具有由聚醯亞胺形成之主鏈且末端持有具有碳與碳之三鍵的官能基之聚合物的，可撓性印刷配線基板用之接著劑等之被覆物(專利文獻2)。
曾揭示含有，具有含具有苯基、尿素、醯胺基等，及碳與碳之三鍵的官能基之主鏈的聚合物之接著劑組成物等 之被覆物(專利文獻3)。
曾揭示含有，含具有磺酸基之聚醚醚碸、聚醚醚酮之聚合物的接著劑組成物等之被覆物(專利文獻4)。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]特開2009-070875號公報
[專利文獻2]國際公開第2006-137369號報告
[專利文獻3]特開2010-065097號公報
[專利文獻4]特開2005-264008號公報
發明之概要
有鑑於上述問題點，本發明之目的為，提供可同時使電氣絕緣性、耐熱性、耐溶劑性、乾回蝕特性成立之鈍化膜形成用組成物。
本發明之第1觀點為一種鈍化膜形成用組成物，其為含有，含有下述式(1)： (式中，T0表示磺醯基、氟伸烷基、環狀伸烷基或具有取代基之伸芳基或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸烷基之組合)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有式(2-A)所表示之構造、式(2-B)所表示之構造或該等雙方之構造的基之聚合物，
第2觀點為一種鈍化膜形成用組成物，其為含有，含有下述式(1)： (式中，L1表示可具有取代基之伸芳基或可具有取代基之伸芳基與磺醯基、羰基、酯基、醯胺基、亞磺醯基(Sulfinyl)或磺醯胺基(Sulfonamide)之組合，T1表示氟伸烷基、環狀伸烷基或具有取代基之伸芳基，或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸芳基之組合，或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基與環狀伸烷基之組合)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有下述式(2-A)所表示之構造、下述式(2-B)所表示之構造或該等雙方之構造的基之聚合物，
第3觀點如第1觀點或第2觀點所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述伸芳基為伸苯基、伸萘基或伸蒽基。
第4觀點如第1觀點至第3觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述聚合物為具有一種單位構造之單獨聚合物，第5觀點如第1觀點至第3觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述聚合物為具有至少二種單位構造之共聚物，第6觀點如第2觀點至第5觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中含有L1為下述式(3)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為下述式(4)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，或該等單位構造之組合的聚合物， (式中，R1、R2及R3各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基、或該等基之組合，L2表示磺醯基、碳醯 基、酯基、醯胺基、亞磺醯基，或磺醯胺基，n1、n2、n3各自表示0至4之整數)，第7觀點如第2觀點至第6觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中含有T1表示下述式(5)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，T1為下述式(6)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，或該等單位構造之組合的聚合物， (式中，R4、R5及R6各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，T2表示氟伸烷基、環狀伸烷基，或該等基之組合，n4、n5及n6各自表示0至4之整數)，第8觀點如第6觀點所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述(3)中，R1為至少含有氰基之基，n1表示1至4之整數，第9觀點如第6觀點所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述式(4)中，L2表示磺醯基、或碳醯基，第10觀點如第1觀點至第9觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中含有，另含有式(7)： (式中，L3表示下述式(3)或式(4)： (式中，R1、R2及R3各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、碳基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，L2表示磺醯基、碳醯基、酯基、醯胺基、亞磺醯基，或磺醯胺基，n1、n2、n3各自表示0至4之整數)，T3表示伸烷基、磺醯基、羰基、可具有取代基之碳原子數6至30之伸芳基，或該等基之組合)所表示之單位構造的聚合物，第11觀點如第1觀點至第10觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中前述伸芳基為伸苯基、伸萘基或伸蒽基，第12觀點如第10觀點或第11觀點所記載之鈍化膜形成用組成物，其中T3表示式(8)： (式中，R7及R8各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氟基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，n7及n8各自表示0至4之整數，T4表示伸烷基、磺醯基、碳醯基、可具有取代基之碳原子數6至30之伸芳基，或該等基之組合)所表示之基，第13觀點如第6觀點至第11觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中具有三級碳原子之基為叔丁基，第14觀點如第1觀點至第12觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中聚合物之重量平均分子量為500至5,000,000，第15觀點如第1觀點至第14觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物，其中另含有溶劑，第16觀點為一種鈍化膜，其為將如第1觀點至第15觀點中任何1項所記載之鈍化膜形成用組成物塗佈於基板後焙燒所得，第17觀點如第16觀點所記載之鈍化膜，其為作為保護形成於晶片之IC電路用之膜用，及第18觀點如第16觀點所記載之鈍化膜，其為作為保護形成於晶片裏面之電極用之膜用。
本發明藉由含有上述所記載之聚醚醚酮、聚醚醚碸、聚醚醚伸芳酯等之聚醚構造的聚合物之組成物，適用為鈍化膜形成用組成物時，可形成能達成符合電氣絕緣性、耐熱性、耐溶劑性及乾回蝕特性之性能的絕緣膜。
實施發明之形態
本發明之鈍化膜形成用組成物為含有，含有上述式(i)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有上述式(2-A)所表示之構造、上述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造的基之聚合物。
本發明之鈍化膜形成用組成物為含有，含有上述式(i)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有上述式(2-A)所表示之構造、上述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造的基之聚合物與溶劑，另含含有任意成分用之附加性樹脂、安定劑、著色劑、表面活性劑等。
本發明之鈍化膜形成用組成物為含有，含有上述式(1)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或主鏈具有至少一個具有上述式(2-A)所表示之構造、上述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造的基之聚合物。
上述鈍化膜形成用組成物為含有，含有上述式(1)所表示之單位構造的聚合物中，該聚合物之末端、支鏈或 主鏈具有至少一個具有上述式(2-A)所表示之構造、上述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造的基之聚合物與溶劑，另可含有任意成分用之附加性樹脂、安定劑、著色劑、表面活性劑等。
本發明所使用之聚合物為，如後述般聚合物中(末端或支鏈)所含之羥基與胺基轉換為由具有上述式(2-A)所表示之構造、上述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造的基所形成之含有多重鍵之有機基之物，可使用該轉換率為100%之聚合物，但考量電氣物性、相對於溶劑之溶解性及密合性等，該轉換率如30至99%、60至99%或70至95%之範圍。
本發明之鈍化膜形成用組成物之固體成分為0.1至80質量%，較佳為1至60質量%。固體成分係以由該鈍化膜形成用組成物去除溶劑後殘部之比例表示。固體成分中含有上述式(1)所表示之單位構造的聚合物所佔比例可為30至100質量%，較佳為50至100質量%。
本發明所使用之聚合物較佳為熱硬化性樹脂。
上述式(2-A)所表示之構造為碳與碳之三鍵，又上述式(2-B)所表示之構造為碳與碳之雙鍵。該等為，聚合物之末端及支鏈係以下述構造【化10】-C≡CH -CH=CH2存在，聚合物之主鏈中係以上述式(2-A)所表示之構造，或上述式(2-B)所表示之構造存在， 推斷該碳與碳之三鍵係藉由加熱(例如400℃以上)進行二聚化或三聚化反應，形成連續之不飽和鍵(例如二烯構造)或芳香族環構造，而使聚合物分子相互間交聯。
又，推斷碳與碳之雙鍵也係藉由加熱進行二聚化反應，而因環化形成交聯構造。
本發明所使用的上述聚合物之分子量為重量平均分子量500至5,000,000，較佳為1,000至1,000,000，較佳為1,000至100,000。
前述式(i)中，T0表示磺醯基、氟伸烷基、環狀伸烷基、或具有取代基之伸芳基，或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸烷基之組合。
前述式(1)中，L1表示可具有取代基之伸芳基、或可具有取代基之伸芳基與磺醯基或羰基之組合，T1表示氟伸芳基、環狀伸烷基或具有取代基之伸芳基，或可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸烷基之組合。
具有取代基之伸芳基如，後述具有取代基之伸芳基。
可具有取代基之伸芳基與氟伸烷基或環狀伸烷基之組合係指，取代或非取代之伸芳基與氟伸烷基之組合，或取代或非取代之伸芳基與環狀伸烷基之組合。
伸芳基如，伸苯基、萘基或蒽基等，但較佳為使用伸苯基或萘基。
上述氟伸烷基如碳原子數1至10之氟伸烷基，該等氟伸烷基可使用完全氟化(全氟化)之基，或部分氟化( 單氟化、二氟化等)之伸烷基。其具體例如，氟伸甲基、氟伸乙基、氟-n-伸丙基、氟異伸丙基、氟丙烷-2,2-二基、氟-n-伸丁基、氟異伸丁基、氟-s-伸丁基、氟-t-伸丁基等。其中如全氟丙烷-2,2-基等之碳原子數1至4之氟伸烷基。
環狀伸烷基如，碳原子數3至30之環狀伸烷基，例如，環伸丙基、環伸丁基、環伸己基、1-甲基-環伸戊基、2-甲基-環伸戊基、3-甲基-環伸戊基、1-乙基-環伸丁基、2-乙基-環伸丁基、3-乙基-環伸丁基、1,2-二甲基-環伸丁基、1,3-二甲基-環伸丁基、2,2-二甲基-環伸丁基、2,3-二甲基-環伸丁基、2,4-二甲基-環伸丁基、3,3-二甲基-環伸丁基、1-n-丙基-環伸丙基、2-n-丙基-環伸丙基、1-i-丙基-環伸丙基、2-i-丙基-環伸丙基、1,2,2-三甲基-環伸丙基、1,2,3-三甲基-環伸丙基、2,2,3-三甲基-環伸丙基、1-乙基-2-甲基-環伸丙基、2-乙基-1-甲基-環伸丙基、2-乙基-2-甲基-環伸丙基及2-乙基-3-甲基-環伸丙基等。又，可使用由金剛烷、降冰片烯所衍生之2價有機基。
本發明所使用的含有前述式(1)所表示之單位構造的聚合物中，L1、T1可單獨使用一種上述所定義之官能基，或複數種組合使用。
本發明所使用的上述聚合物可使用由一種重覆單位構造所形成之單獨聚合物，或使用重覆單位構造為二種或以上之共聚物。
本發明中，L1為上述式(3)及/或式(4) 所表示之基，可含有含有上述式(1)之單位構造的聚合物。
即，本發明之鈍化膜形成用組成物可含有，含有L1為上述式(3)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為上述式(4)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，或該等單位構造之組合的聚合物。
式(3)、(4)中，R1、R2及R3各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基、或該等基之組合，L2表示磺醯基、碳醯基、酯基、醯胺基、亞磺醯基，或磺醯胺基，n1、n2、n3各自表示0至4之整數。
前述碳原子數1至10之烷基如，甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、i-丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、1-甲基-n-丁基、2-甲基-n-丁基、3-甲基-n-丁基、1,1-二甲基-n-丙基、1,2-二甲基-n-丙基、2,2-二甲基-n-丙基、1-乙基-n-丙基、n-己基、1-甲基-n-戊基、2-甲基-n-戊基、3-甲基-n-戊基、4-甲基-n-戊基、1,1-二甲基-n-丁基、1,2-二甲基-n-丁基、1,3-二甲基-n-丁基、2,2-二甲基-n-丁基、2,3-二甲基-n-丁基、3,3-二甲基-n-丁基、1-乙基-n-丁基、2-乙基-n-丁基、1,1,2-三甲基-n-丙基、1,2,2-三甲基-n-丙基、1-乙基-1-甲基-n-丙基、1-乙基-2-甲基-n-丙基等。
前述碳原子數1至4之氟烷基可使用完全氟 化(全氟化)之基，或部分氟化(單氟化、二氟化等)之烷基。其具體例如，氟甲基、氟乙基、氟-n-丙基、氟異丙基、氟-n-丁基、氟異丁基、氟-s-丁基、氟-t-丁基等。
前述醯基如碳原子數2至10之醯基，例如甲基碳醯基、乙基碳醯基、n-丙基碳醯基、i-丙基碳醯基、環丙基碳醯基、n-丁基碳醯基、i-丁基碳醯基、s-丁基碳醯基、t-丁基碳醯基、環丁基碳醯基、1-甲基-環丙基碳醯基、2-甲基-環丙基碳醯基、n-戊基碳醯基、1-甲基-n-丁基碳醯基、2-甲基-n-丁基碳醯基、3-甲基-n-丁基碳醯基、1,1-二甲基-n-丙基碳醯基、1,2-二甲基-n-丙基碳醯基、2,2-二甲基-n-丙基碳醯基、1-乙基-n-丙基碳醯基、環戊基碳醯基、1-甲基-環丁基碳醯基、2-甲基-環丁基碳醯基、3-甲基-環丁基碳醯基、1,2-二甲基-環丙基碳醯基、2,3-二甲基-環丙基碳醯基、1-乙基-環丙基碳醯基、2-乙基-環丙基碳醯基、n-己基碳醯基、1-甲基-n-戊基碳醯基、2-甲基-n-戊基碳醯基、3-甲基-n-戊基碳醯基、4-甲基-n-戊基碳醯基、1,1-二甲基-n-丁基碳醯基、1,2-二甲基-n-丁基碳醯基、1,3-二甲基-n-丁基碳醯基、2,2-二甲基-n-丁基碳醯基、2,3-二甲基-n-丁基碳醯基、3,3-二甲基-n-丁基碳醯基、1-乙基-n-丁基碳醯基、2-乙基-n-丁基碳醯基、1,1,2-三甲基-n-丙基碳醯基等。
前述醯氧基如碳原子數2至10之醯氧基，例如，甲基碳醯氧基、乙基碳醯氧基、n-丙基碳醯氧基、i-丙基碳醯氧基、環丙基碳醯氧基、n-丁基碳醯氧基、i-丁 基碳醯氧基、s-丁基碳醯氧基、t-丁基碳醯氧基、環丁基碳醯氧基、1-甲基-環丙基碳醯氧基、2-甲基-環丙基碳醯氧基、n-戊基碳醯氧基、1-甲基-n-丁基碳醯氧基、2-甲基-n-丁基碳醯氧基、3-甲基-n-丁基碳醯氧基、1,1-二甲基-n-丙基碳醯氧基、1,2-二甲基-n-丙基碳醯氧基、2,2-二甲基-n-丙基碳醯氧基、1-乙基-n-丙基碳醯氧基、環戊基碳醯氧基、1-甲基-環丁基碳醯氧基、2-甲基-環丁基碳醯氧基、3-甲基-環丁基碳醯氧基、1,2-二甲基-環丙基碳醯氧基、2,3-二甲基-環丙基碳醯氧基、1-乙基-環丙基碳醯氧基、2-乙基-環丙基碳醯氧基、n-己基碳醯氧基、1-甲基-n-戊基碳醯氧基、2-甲基-n-戊基碳醯氧基、3-甲基-n-戊基碳醯氧基、4-甲基-n-戊基碳醯氧基、1,1-二甲基-n-丁基碳醯氧基、1,2-二甲基-n-丁基碳醯氧基、1,3-二甲基-n-丁基碳醯氧基、2,2-二甲基-n-丁基碳醯氧基、2,3-二甲基-n-丁基碳醯氧基、3,3-二甲基-n-丁基碳醯氧基、1-乙基-n-丁基碳醯氧基、2-乙基-n-丁基碳醯氧基、1,1,2-三甲基-n-丙基碳醯氧基等。
本發明中具有三級碳原子之基為，具有三級碳原子之官能基。該官能基係取代碳原子之氫原子而生成四級碳。該鍵結於三級碳原子之碳原子的有機基如，甲基、乙基、丙基等之烷基、或苯基等之芳基，較佳為使用甲基，又以使用具有三個甲基之叔丁基為佳。
環狀烷基如，碳原子數3至30之環狀烷基，例如，環丙基、環丁基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲 基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-n-丙基-環丙基、2-n-丙基-環丙基、1-i-丙基-環丙基、2-i-丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基及2-乙基-3-甲基-環丙基等。又，可使用金剛烷、降冰片烯所衍生之1價有機基。
上述取代基如，碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，該等基之具體例如上述列舉之物。
可使用式(3)中，R1為至少含有氰基，n1為1至4之整數的構造。
可使用式(4)中，L2為磺醯基或碳醯基之構造。
本發明所使用之聚合物可為不同於上述L1之選擇、或含有上述L1之選擇的同時，含有T1為上述式(5)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、T1為上述式(6)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，或該等單位構造之組合的聚合物。
即，可使用含有L1為式(3)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為式(4)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、T1為式(5)所表示之基的上述 式(1)所表示之單位構造、T1為式(6)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為式(3)所表示之基且T1為式(5)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為式(3)所表示之基且T1為式(6)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為式(4)所表示之基且T1為式(5)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造、L1為式(4)所表示之基且T1為式(6)所表示之基的上述式(1)所表示之單位構造，或該等之組合的聚合物。
式(5)、(6)中R4、R5及R6各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基、或該等基之組合，n4、n5及n6各自表示0至4之整數。T2表示氟伸烷基、環狀伸烷基，或該等基之組合。
碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、醯基、醯氧基、具有三級碳原子之基，及環狀烷基可使用上述例示。
又氟伸烷基及環狀伸烷基可使用上述例示，其可單獨使用，或組合使用。
本發明可使用除了式(1)所表示之單位構造，另含有上述式(7)所表示之單位構造的共聚物。
式(7)中，L3表示上述式(3)或式(4)所表示之基，T3表示伸烷基、磺醯基、碳醯基、可具有取代 基之碳原子數6至30之伸芳基，或該等基之組合。該等伸芳基、伸烷基可使用上述例示。
式(7)之伸芳基可使用取代或非取代之伸苯基或伸萘基。式(7)中，上述伸芳基如碳原子數1至10之伸烷基，該等伸烷基如伸甲基、伸乙基、伸丙基、異伸丙基、丙烷-2,2-二基、伸丁基、異伸丁基、伸丁基、仲丁基等。其中如丙烷-2,2-二基等之碳原子數1至4之伸烷基等。
式(7)中T3可使用式(8)所表示之基。式(8)中，R7及R8各自表碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基、或該等基之組合，n7及n8各自表示0至4之整數。T4表示伸烷基、磺醯基、碳醯基、可具有取代基之碳原子數6至30之伸芳基、或該等基之組合。上述烷基、碳原子數1至4之氟烷基、醯基、醯氧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基、伸烷基、及伸芳基可使用上述例示。
本發明所使用之聚合物所含有的單位構造如下述式(1-1)至(1-45)所表示之單位構造。
合成含有上述式(i)或上述式(1)所表示之單位構造的聚合物時，過程中可將羥基導入末端，或將具有羥基之官能基導入支鏈。
又，藉由該羥基與單鹵化炔烴(例如，鹵素為氟、氯、溴、碘)，或單鹵化鏈烯(例如，鹵素為氟、氯、溴、碘)等反應，而藉由脫鹵化氫反應於末端或支鏈形成碳-碳之三鍵(炔烴)、或碳-碳之雙鍵(鏈烯)。
又，藉由末端或支鏈具有羥基之聚合物，與二鹵化炔烴(例如，鹵素為氟、氯、溴、碘)，或二鹵化鏈烯(例如，鹵素為氟、氯、溴、碘)等反應，而藉由脫鹵化氫反應於分子主鏈中形成碳-碳之三鍵(炔烴)、或碳-碳之雙鍵(鏈烯)所形成。
又，聚合物中(末端或支鏈)含有胺基時，當然可藉 由相同之反應而形成上述多重鍵。
本發明之鈍化膜形成用組成物可形成旋轉塗佈用溶解於有機溶劑所得之塗佈液形態。其可為聚合物溶解於有機溶劑，而使溶液黏度為0.001至5,000Pa．s之黏度範圍的具有旋塗性之塗佈液。
上述有機溶劑可為，其他半導體步驟用之溶劑無特別限定，較佳為使用環己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇或二丙二醇單乙酸酯之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等之多價醇類及其衍生物；二噁烷等之環式醚類；及乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類。其可單獨使用，或二種以上混合使用。
本實施形態之鈍化膜形成用組成物中，無損本發明本質之特性之範圍內，可另添加混合性之添加劑，例如改良塗佈性能用之表面活性劑，或附加性樹脂、安定劑、著色劑等之慣用的添加劑。
表面活性劑如，聚環氧乙烷月桂醚、聚環氧乙烷硬脂醚、聚環氧乙烷十六烷醚、聚環氧乙烷油醚等之聚環氧乙烷烷醚類；聚環氧乙烷辛基苯酚醚、聚環氧乙烷壬基苯酚醚等之聚環氧乙烷烷基芳基醚類；聚環氧乙烷-聚環氧丙烷嵌段共聚物類；山梨糖醇酐月桂酸酯、山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、山梨糖酐單硬脂酸酯、山梨糖醇酐單油 酸酯、山梨糖醇酐三油酸酯、山梨糖醇酐三硬脂酸酯等之山梨糖醇酐脂肪酸酯類；聚環氧乙烷山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚環氧乙烷山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚環氧乙烷山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚環氧乙烷山梨糖醇酐三油酸酯、聚環氧乙烷山梨糖醇酐三硬脂酸酯等之聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯類等之非離子系表面活性劑；耶佛特(登記商標)EF301、EF303、EF352(傑姆可(股)製)、美凱范(登記商標)F171、F173、R30(DIC(股)製)、佛洛拉FC430、FC431(住友3M(股)製)、艾薩西(登記商標)AG710、薩佛隆(登記商標)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(股)製)等之氟系表面活性劑；及有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)。該等表面活性劑可單獨添加，或二種以上組合添加。添加量於固體成分中例如為0.01質量%至10質量%。
附加性樹脂(聚合物)可使用聚酯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、丙烯酸基聚合物、甲基丙烯酸基聚合物、聚乙烯醚、苯酚酚醛清漆、萘酚酚醛清漆、聚醚、聚醯胺、及聚碳酸酯等之加聚聚合物或縮聚聚合物。其中又以使用具有苯環、萘環、蒽環、三嗪環、喹啉環、及喹喔啉環等之芳香環構造的聚合物為佳。
該類附加性樹脂(聚合物)如，以苄基丙烯酸酯、苄基甲基丙烯酸酯、苯基丙烯酸酯、萘基丙烯酸酯、蒽基甲基丙烯酸酯、蒽基甲基甲基丙烯酸酯、苯乙烯、羥基苯乙 烯、苄基乙烯醚、及N-苯基馬來醯亞胺等之加聚性單位為其構造單位的加聚合物、或苯酚酚醛清漆、及萘酚酚醛清漆等之縮聚聚合物。
又，附加性樹脂(聚合物)可使用不具有芳香環構造之聚合物。該類聚合物如，僅以烷基丙烯酸酯、烷基甲基丙烯酸酯、乙烯醚、烷基乙烯醚、丙烯腈、馬來醯亞胺、N-烷基馬來醯亞胺、及馬來酸酐等之不具有芳香環構造的加聚性單位為其構造單位之加聚聚合物。
所使用之附加性樹脂(聚合物)為加聚聚合物時，該聚合物可為單獨聚合物或共聚物。製造加聚聚合物時係使用加聚性單體。該類加聚性單體如，丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯醯胺化合物、甲基丙烯醯胺化合物、乙烯化合物、苯乙烯化合物、馬來醯亞胺化合物、馬來酸酐、及丙烯腈等。
丙烯酸酯化合物如，甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、正己基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、苯基丙烯酸酯、蒽基甲基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯、3-氯-2-羥基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2,2,2-三氟乙基丙烯酸酯、2,2,2-三氯乙基丙烯酸酯、2-溴乙基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯、2-甲氧基乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、2-甲基-2-金剛基丙烯酸酯、5-丙烯醯氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧-6-內酯、3-丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷，及縮水甘油基丙烯酸酯等。
甲基丙烯酸酯化合物如，甲基甲基丙烯酸酯、乙基甲基丙烯酸酯、正己基甲基丙烯酸酯、異丙基甲基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、苄基甲基丙烯酸酯、苯基甲基丙烯酸酯、蒽基甲基甲基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、2,2,2-三氟乙基甲基丙烯酸酯、2,2,2-三氯乙基甲基丙烯酸酯、2-溴乙基甲基丙烯酸酯、4-羥基丁基甲基丙烯酸酯、2-甲氧基乙基甲基丙烯酸酯、四氫糠基甲基丙烯酸酯、2-甲基-2-金剛基甲基丙烯酸酯、5-甲基丙烯醯氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧-6-內酯、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、縮水甘油基甲基丙烯酸酯、2-苯基乙基甲基丙烯酸酯、羥基苯基甲基丙烯酸酯，及溴苯基甲基丙烯酸酯等。
丙烯醯胺化合物如，丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N-苄基丙烯醯胺、N-苯基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺，及N-蒽基丙烯醯胺等。
甲基丙烯醯胺化合物如，甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、N-苄基甲基丙烯醯胺、N-苯基甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺，及N-蒽基丙烯醯胺等。
乙烯化合物如，乙烯醇、2-羥基乙基乙烯醚、甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、苄基乙烯醚、乙烯基乙酸、乙烯基三甲氧基矽烷、2-氯乙基乙烯醚、2-甲氧基乙基乙烯醚、乙烯基萘，及乙烯基蒽等。
苯乙烯化合物如，苯乙烯、羥基苯乙烯、氯 苯乙烯、溴苯乙烯、甲氧基苯乙烯、氰基苯乙烯，及乙醯苯乙烯等。
馬來醯亞胺化合物如，馬來醯亞胺、N-甲基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苄基馬來醯亞胺，及N-羥基乙基馬來醯亞胺等。
本發明之鈍化膜形成用組成物使用附加性樹脂(聚合物)時，該附加性樹脂之分子量中重量平均分子量如1,000至1,000,000、或3,000至300,000、或5,000至200,000、或10,000至100,000。
本發明之鈍化膜形成用組成物含有附加性樹脂(聚合物)時，其含量於固體成分中如0至40質量%、或0至20質量%、或1至19質量%。
本發明中，使用旋塗機等之裝置將鈍化膜形成用組成物旋塗於基板上所得的鈍化膜之厚度較佳為0.1μm以上200μm以下。該厚度太薄時將無法追隨表面凹凸可能使膜發生空隙，太厚時可能發生裂化。更佳為1μm至50μm。
又，基板塗佈後可以100至350℃、100至300℃、或100至250℃之溫度，焙燒0.5分鐘至180分鐘、0.5分鐘至40分鐘、或0.5分鐘至5分鐘。
由此所得之鈍化膜也為本發明之對象。
本發明之鈍化膜適用為，保護形成於晶片之IC電路用之膜、或保護形成於晶片裏面之電極用之膜。
下面將舉實施例、比較例更具體說明本發明 ，但本發明非限定於該等。
實施例
下面所記載之合成例所得的高分子化合物之GPC分析為，使用下述裝置，測定條件如下所述。
裝置：一體高速GPC系列HL-8220GPC東索股份公司
管柱：KF-G，KF804L
管柱溫度：40℃
溶劑：THF
流量：1.0mL/分
標準試料：聚苯乙烯
檢波器：RI
合成例1
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶中將4,4’-二氟二苯甲酮9.27g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷9.16g、1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯8.66g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮81.27g後，加入碳酸鉀20.73g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後，將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啉酮39.73g之炔丙基溴化物50.56g及碳 酸鉀20.73g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基與胺基反應。
結束反應後，以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，其後使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其次將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得得粉體乾燥12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-16)所表示之化合物)之GPC分析，結果以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為14,700，末端苯酚基及胺基相對於含有三鍵之有機基的反應率為86%。
合成例2
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶中將4,4’-二氯二苯基碸54.56g與2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷67.25g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮753.46g後，加入碳酸鉀28.88g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其次將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗 吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得之粉體乾燥12小時。
將所得之粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得之溶液為酸性，使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得之粉體乾燥12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-1)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為19,000。
合成例3
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮40.37g與2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷69.11g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮558.56g後，加入碳酸鉀76.71g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水： 甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得之粉體乾燥12小時。
將所得之粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得溶液為酸性，再使用石蕊試紙確認酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得粉體乾燥12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-2)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為15,000。
合成例4
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮25.83g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷50.43g與2,2’-雙(4-羥基-3,5-二羥基甲基苯基)丙烷2.75g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮504.22g後，加入碳酸鉀21.82g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，再使用 石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得粉體乾燥12小時。
將所得之粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-酸鹽：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得溶液為酸性，再以石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得粉體乾燥12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-3)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為22,000。
合成例5
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氯二苯基碸43.07g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷50.43g與2,2’-雙(4-羥基-3,5-二羥基甲基苯基)丙烷2.75g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮590.40g後，加入碳酸鉀21.82g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，再以石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得粉體乾燥12小時。
將所得之粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使得溶液為酸性，再以石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機將所得粉體乾燥12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-4)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為26,000。
合成例6
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,4-氟苯甲腈10.43g與2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷26.54g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮204.22g後，加入碳酸鉀31.10g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，再使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得之溶液為酸性，再使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-5)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為7,000。
合成例7
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,5-氟苯甲腈10.76g與2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷26.54g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮204.22g後，加入碳酸鉀31.10g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，再使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液為酸性，再使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-6)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為12,000。
合成例8
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,6-氟苯甲腈10.76g與2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷26.54g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮204.22g後，加入碳酸鉀31.10g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小 時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液成為酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得溶液成為酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-7)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為11,000。
合成例9
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氯二苯基碸25.84g與2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷26.54g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮204.22g 後，加入碳酸鉀31.10g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，加入碳酸鉀12.44g與炔丙基溴化物22.54g後，80℃下反應20小時。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液成為酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-8)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為40,000。
合成例10
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,4’-二氯苯并三氟化物10.21g與2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷9.16g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷8.41g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮204.22g後，加入碳酸20.73g，再以氮取代系內。以190℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，加入炔丙基溴化物14.14g後，80℃下反應20小時。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入 1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液成為酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-14)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為40,000。
合成例11
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將雙(4-氟苯基)碸10.81g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷9.16g與1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷6.71g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮80.01g後，加入碳酸鉀20.73g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮43.31g之烯丙基溴化物66.54g及碳酸鉀20.73g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後 以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相對於式(1-36)所表化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為13,400，末端苯酚基及胺基之反應率為88%。
合成例12
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮37.09g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷36.63g與1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯34.65g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮325.10g後，加入碳酸鉀82.93g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮156.76g之烯丙基溴化物193.57g及碳酸鉀138.21g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-37)所表示之 化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為13,900，末端苯酚基及胺基之反應率為88%。
合成例13
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮9.27g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷9.16g與1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯8.66g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮81.27g後，加入碳酸鉀20.73g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮39.73g之炔丙基溴化物12.64g及碳酸鉀20.73g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-16)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯算下之重量平均分子量為14,700，末端苯酚基及胺基之反應率為52 %。
合成例14
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,4-二氟苯甲腈6.61g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷9.16g與1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯8.66g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮73.28g後，加入碳酸鉀20.73g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮27.96g之炔丙基溴化物14.13g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性溶液。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-17)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為12,700，末端苯酚基及胺基之反應率為50%。
合成例15
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,6-二氟苯甲腈20.86g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷54.91g與2,2’-雙(4-羥基-3,5-二羥基甲基苯基)丙烷1.16g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮489.50g後，加入碳酸鉀20.93g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與炔丙基溴化物1.69g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽鹽：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得溶液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-18)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為18,000。
合成例16
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮29.05g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷50.43g與2,2’-雙(4-羥基-3,5-二羥基甲基苯基)丙烷1.06g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮519.13g後，加入碳酸鉀21.82g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入碳酸鉀2.16g與烯丙基溴化物1.97g，再以回流條件反應20小時。以桐山漏斗吸引過濾所得之反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得溶液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-40)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量 平均分子量為27,000。
合成例17
於備有攪拌機、溫度計、戴氏冷凝器之三口燒瓶內將2,6-二氟苯甲腈20.44g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷50.44g與2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷1.12g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮528.50g後，加入碳酸鉀63.43g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮53.53g之炔丙基溴化物17.84g、碘化鉀6.02g及碳酸鉀22.80g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽鹽：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-20)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為23,000。
合成例18
於備有攪拌機、溫度計、廸姆羅冷卻管之三口燒瓶內 將4,4’-二氟二苯甲酮20.67g、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷33.62g與2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷1.92g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮361.12g後，加入碳酸鉀20.67g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。
以桐山漏斗吸引過濾反應溶液後，加入1N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯烷酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
將所得粉體10g溶解於四氫呋喃100g後，加入三乙基胺0.45g再冷卻至0℃，其次以10分鐘滴入溶解於四氫呋喃10g之丙烯酸氯化物0.36g。其後自然升溫反應20小時。將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-42)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為ND。
合成例19
於備有攪拌機、溫度計、廸姆羅冷卻管之三口燒瓶內 將4,4’-二氟二苯甲酮74.19g、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷73.25g與4,4’-二羥基二苯基碸50.05g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮592.48g後，加入碳酸鉀165.85g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮223.67g之炔丙基溴化物104.68g及碳酸鉀165.85g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-43)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為16,000，末端苯酚基及胺基相對於含有三鍵之有機基的反應率為79%。
合成例20
於備有攪拌機、溫度計、廸姆羅冷卻管之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮18.55g、3,3’-二胺基-4,4’-二羥基二苯基碸14.02g與1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯 17.32g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮149.67g後，加入碳酸鉀41.46g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮56.43g之炔丙基溴化物26.17g及碳酸鉀41.46g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-44)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為6,600，末端苯酚基及胺基相對於含有三鍵之有機基的反應率為52%。
合成例21
於備有攪拌機、溫度計、廸姆羅冷卻管之三口燒瓶內將4,4’-二氟二苯甲酮18.55g、1,3-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)苯16.22g與1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯17.32g溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮149.67g後，加入碳酸鉀41.46g，再以氮取代系內。以160℃之油浴反應20小 時。結束反應後將系內溫度冷卻至80℃，再加入溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮56.43g之炔丙基溴化物26.17g及碳酸鉀41.46g，80℃下攪拌20小時，使聚合物末端之苯酚基及胺基反應。
結束反應後以桐山漏斗吸引過濾反應溶液，再加入2N-鹽酸：1-甲基-2-吡咯啶酮=1：9之溶液使所得濾液至酸性，且使用石蕊試紙確認溶液為酸性條件。其後將所得之溶液滴入水：甲醇=1：9之混合液中，進行再沈澱。滴入後以布氏漏斗吸引過濾，再依序以甲醇3次、水2次、甲醇3次進行洗淨，使用減壓乾燥機乾燥所得粉體12小時。
進行所得高分子化合物(相當於式(1-45)所表示之化合物)之GPC分析，結果標準聚苯乙烯換算下之重量平均分子量為28,000，末端苯酚基及胺基相對於含有三鍵之有機基的反應率為84%。
<調製鈍化膜形成用組成物> 實施例1
將上述合成例1所得之高分子化合物50g溶解於環己酮93g後，使用孔徑1.0μm之聚苯乙烯製微濾器過濾，調製固體成分含量為35質量%之鈍化膜形成用組成物。
實施例2
將上述合成例19所得之高分子化合物50g溶解於環己酮93g後，使用孔徑1.0μm之聚苯乙烯製微濾器過濾，調製固體成分含量為35質量%之鈍化膜形成用組成物。
實施例3
將上述合成例20所得之高分子化合物50g溶解於環己酮93g後，使用孔徑1.0μm之聚苯乙烯製微濾器過濾，調製固體成分含量為35質量%之鈍化膜形成用組成物。
實施例4
將上述合成例21所得之高分子化合物50g溶解於環己酮93g後，使用孔徑1.0μm之聚苯乙烯製微濾器過濾，調製固體成分含量為35質量%之鈍化膜形成用組成物。
比較例1
準備苯并環丁烯樹脂溶液之CYCLOTENE 3022-35(達烏化學公司製)作為鈍化膜形成用組成物。
比較例2
準備聚醯亞胺先驅物溶液之聚(均苯四酸二酐-co-4,4’-氧基二苯胺)醯胺酸溶液(Pyre-ML RC-5019，固體 成分含量為16質量%之1-甲基-2-吡咯烷酮溶液，西固曼日本(股))50g作為鈍化膜形成用組成物。
比較例3
將聚碸(西固曼(股))50g溶解於1-甲基-2-吡咯烷酮200g後，使用孔徑1.0μm之聚苯乙烯製微濾器過濾，調製鈍化膜形成用組成物用的固體成分含量為25質量%之芳香族聚酯的聚碸溶液。
<評估鈍化膜>
各自對由實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物而得的鈍化膜，評估耐溶劑性、耐熱性、密合力、乾蝕性、電氣特性。
<耐溶劑性>
使用旋塗機各自將實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物塗佈矽晶片上，200℃下進行30分鐘固化，形成鈍化膜。以23℃下浸漬於1-甲基-2-吡咯烷酮中1分鐘後之殘膜率評估所形成之膜的耐溶劑性。
<耐熱性評估>
使用旋塗機各自將實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物塗佈於矽晶片上，200℃下進行30分鐘固化，形成鈍化膜。由使用TG-DTA(普魯卡股份公 司製，TG/DAT2010SR)以10℃/分升溫後，以減量3質量%時之溫度評估所形成之膜的耐熱性。又，將該晶片置於加熱至260℃之熱板上，評估接觸鑷子之膜有無黏著性。
<密合性評估>
使用旋塗機各以塗佈條件1500rpm、30秒之條件將實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物塗佈於矽晶片上，200℃下進行30分鐘固化，形成鈍化膜。對所形成之膜實施棋盤格子試驗(JIS K5400)，由晶片上殘留之格子數評估密合性。
<O2乾蝕性評估>
使用旋塗機各自將實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物塗佈於矽晶片上，200℃下進行30分鐘固化，形成鈍化膜。使用反應性離子蝕刻裝置(薩姆可(股)製，RIE-10NR)以氧流量50sccm、壓力12Pa、RF輸出250W之條件進行2分鐘蝕刻，由每1分鐘減少之膜厚量評估所形成之膜的蝕刻性。
<電氣特性評估>
將溶劑加入實施例1至4及比較例1至3所得之鈍化膜形成用組成物中，製作使用旋塗機於矽晶片上形成鈍化膜時膜厚為1μm般之稀釋溶液。使用旋塗機將所製作之 稀釋溶液塗佈於矽晶片上，200℃下進行30分鐘固化形成鈍化膜，使用水銀認證(Four Dimensions公司製，CVmap92-B)測定施加2MV/cm之電壓時之漏洩電流及電容率(換算為比電容率)評估該膜之電氣特性。
實施例1至4及比較例1至3之評估結果如表1所示。
如表1所示，確認由本發明所得之鈍化膜的耐溶劑性、耐熱性、密合性、O2乾蝕性、電氣特性均具有良好之值。
又由使用合成例2至合成例18所得之聚合物的鈍化膜形成用組成物而得之鈍化膜，也可得與實施例1至4相同之結果。
至於比較例1之苯并環丁烯樹脂於200℃下 30分鐘之低溫且短時間之固化條件下無法得到充分之耐溶劑性，且O2乾蝕性也低。
比較例2之聚醯亞胺樹脂因無法充分進行醯亞胺化，故伴隨著吸濕及進行醯亞胺化時之脫水會明顯減熱重量，且電氣特性極差。另外會用熱收縮所提高之內部應力而無法得到與晶片之密合性。
比較例3之芳香族聚醚因無熱交聯基，故完全無法得到耐溶劑性，且260℃下膜會熔融。
產業上利用可能性
由本發明之鈍化膜形成用組成物所得之鈍化膜可利用優良之耐溶劑性、耐熱性、密合性、O2乾蝕性、電氣特性等之特性，使用於保護形成於晶片上之IC電路用之膜、保護形成於晶片裏面之電極用之膜等。

Claims (13)

  1. 一種鈍化膜形成用組成物，其特徵為包含聚合物，該聚合物含有下述式(1)所表示之單位構造，或此等構造單位之組合，且該聚合物之末端、支鏈、或主鏈具有至少一個具有下述式(2-A)所表示之構造、下述式(2-B)所表示之構造，或該等雙方之構造之基； 式(1)中，L1表示下述式(3)所示之基或下述式(4)所示之基，T1表示下述式(5)所示之基或下述式(6)所示之基； 式(3)及(4)中，R1、R2及R3各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，L2表示磺醯基、碳醯基、酯基、醯胺基、亞磺醯基，或磺醯胺基，n1、n2、n3各自表示0至4之整數； 式(5)及(6)中，R4、R5及R6各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，T2表示氟伸烷基、環狀伸烷基，或該等基之組合，n4、n5及n6各自表示0至4之整數；但，(3)至(6)中，R1至R6之任意至少一個為至少含有氰基之基；-C≡C- 式(2-A)
  2. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中前述聚合物為具有1種單位構造之單獨聚合物。
  3. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中前述聚合物為具有至少二種單位構造之共聚物。
  4. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中前述式(3)中，R1為至少含有氰基之基，n1表示1至4之整數。
  5. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中前述式(4)中，L2表示磺醯基，或碳醯基 (carbonyl)。
  6. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中含有另含有式(7)所表示之單位構造的聚合物； 式中，L3表示下述式(3)或式(4)： (式中，R1、R2及R3各自表示碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，L2表示磺醯基、碳醯基、酯基、醯胺基、亞磺醯基，或磺醯胺基，n1、n2、n3各自表示0至4之整數)，T3表示伸烷基、磺醯基、碳醯基、可具有取代基之碳原子數6至30之伸芳基，或該等基之組合。
  7. 如申請專利範圍第6項之鈍化膜形成用組成物，其中T3表示式(8)所表示之基； 式中，R7及R8各自表示碳原子數1至10之烷 基、碳原子數1至4之氟烷基、羥基、烯丙基、烯丙氧基、胺基、氰基、硝基、醯基、醯氧基、羧基、具有三級碳原子之基、環狀烷基，或該等基之組合，n7及n8各自表示0至4之整數，T4表示伸烷基、磺醯基、碳醯基、可具有取代基之碳原子數6至30之伸芳基，或該等基之組合。
  8. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中具有三級碳原子之基為叔丁基。
  9. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中聚合物之重量平均分子量為500至5,000,000。
  10. 如申請專利範圍第1項之鈍化膜形成用組成物，其中另含有溶劑。
  11. 一種鈍化膜，其為將如申請專利範圍第1項至第10項中任何一項之鈍化膜形成用組成物塗佈於基板後焙燒所得。
  12. 如申請專利範圍第11項之鈍化膜，其中作為保護形成於晶片上之IC電路用之膜用。
  13. 如申請專利範圍第11項之鈍化膜，其係使用作為保護形成於晶片裏面之電極用之膜。
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