TWI606997B - 陽離子亞碸中間體、聚芳硫醚單體、以及聚芳硫 醚的製備方法 - Google Patents

陽離子亞碸中間體、聚芳硫醚單體、以及聚芳硫 醚的製備方法 Download PDF

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Description

陽離子亞碸中間體、聚芳硫醚單體、以及聚芳硫 醚的製備方法
本揭露關於一種陽離子亞碸中間體、聚芳硫醚單體、以及聚芳硫醚的製備方法。
聚芳硫醚(polyarylene sulfide、PAS)，例如：聚苯硫醚(polyphenylene sulfide、PPS)，具有良好的耐熱性、耐化性、以及機械強度性，且與金屬相比具有較低的密度，因此可廣泛運用在電子以及汽車工業之輕量化產品上。此外，聚芳硫醚在紡絲纖維濾材、連接器、塗佈材料、以及電子元件的製程中亦具有極佳的應用性。在傳統聚芳硫醚的製備技術上，係通過將對二氯苯(p-dichlorobenzene)作為單體與硫化鈉(sodium sulfide)進行反應所形成。由於上述程製係為含鹵製程，在製備聚芳硫醚大量的鹼金屬鹵化物(副產物)存在於所得之聚芳硫醚中，因此需對聚芳硫醚作進一步的純化。然而，對聚芳硫醚進行純化以移除鹵化物，不但會使聚芳硫醚的製備成本提高，由於鹵化物不易完全由聚芳硫醚中移除，導致聚芳硫醚性質劣化。
JP 07-304872A揭露可將茴香硫醚(thioanisole)在酸性 環境(acidic condition)與甲基苯基亞碸(methylphenyl sulfoxide)反應，並進行親電子取代反應機制(electrophilic substitution mechanism)，以製備出用來合成聚苯硫醚(polyphenylene sulfide、PPS)之單體陽離子中間體(monomeric cationic intermediate)(包含一鋶基(sulfonium group))。該陽離子中間體可進行去甲基化，以得到中性的二硫醚(dithioether)化合物。上述反應之反應式(I)如下所示：
接著，在進行反應式(I)後，利用溴(Br2)以及碳酸氫鉀(KHCO3)對該中性的二硫醚(dithioether)化合物進行氧化，得到可用來合成聚苯硫醚(polyphenylene sulfide、PPS)的單體(具有亞碸基(sulfoxide group))。接著，將該單體在一酸存在下反應得到聚鋶鹽中間體(polysulfonium intermediate)；隨後，對聚鋶鹽中間體進行去甲基化，得到中性的聚芳硫醚。上述反應之反應式(II)如下所示：
然而，利用鹵素(例如Br2)來進行氧化反應，會產生許多無法回收的含鹵副產物，除了造成環境汙染，亦導致需要以額外的步驟對所得之聚芳硫醚進行純化，導致成本提高，對於聚芳硫醚的製備係不利的。因此，業界需要一種新的方法製備用來合成聚芳硫醚的單體，以避免鹵素(例如Br2)的使用。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種聚芳硫醚單體的製備方法，在該聚芳硫醚單體的製備方法中係不使用鹵素(halogen)。此外，根據本揭露實施例，本揭露利用選擇性氧化製程來製備聚芳硫醚單體，以避免在製備過程中由於不同的氧化態(oxidation states)形成碸(sulfones)及亞碸(sulfoxides)類副產物。
根據本揭露一實施例，本揭露提供一種陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)的製備方法，其中該陽離子亞碸中間體具有式(I)所示結構： ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基，且Ar1以及Ar2係相同或不同。該陽離子亞碸中間體的製備方法包含：將過氧化氫與(i)具有式(II)所示結構的化合物或具有R’SO3H結構的磺酸(sulfonic acid)，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH，以及(ii)具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)，以獲得該陽離子亞碸中間體
，其中R係取代或未取代C1-6烷基；以及，其中Ar1以及Ar2之定義如上，而YΘ係一陰離子。
根據本揭露另一實施例，本揭露提供一種聚芳硫醚單體(polyarylene sulfide monomer)的製備方法，其中該聚芳硫醚單體具有式(VII)所示結構 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基且Ar1以及Ar2係相同或不同。該聚芳硫醚單體(polyarylene sulfide monomer)的製備方法包含上述陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)的製備方法；以及對該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)進行去甲基化，得到具有式(VII)所示結構的聚芳硫醚單體。
根據本揭露又一實施例，本揭露提供一種聚芳硫醚的製備方法，其中該聚芳硫醚具有式(VIII)所示結構 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基，且Ar1以及Ar2係相同或不同，以及n係1至1000之整數。該聚芳硫醚的製備方法包含聚合上述聚芳硫醚單體。
第1圖係本揭露實施例所製備而得之甲基苯基[4-(甲硫基)苯基]高氯酸鋶鹽(methylphenyl[4-(methylthio)phenyl]sulfonium perchlorate)其核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜。
第2圖係本揭露實施例所製備而得之甲基4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl 4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)其核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜。
第3圖係本揭露實施例所製備而得之甲基苯基[4-(甲硫基)聯苯]高氯酸鋶鹽(methyl phenyl[4-(methylthio)biphenyl]sulfonium perchlorate)其核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜。
第4圖係本揭露實施例所製備而得之甲基苯基[4-(甲硫基)聯苯]高氯酸鋶鹽(methyl phenyl[4-(methylthio)biphenyl]sulfonium perchlorate)其利用液相色譜-串聯質譜法(liquid chromatography-mass spectrometry、LC-MS)所量測而得之圖譜。
第5圖係本揭露實施例所製備而得之甲基4-(苯硫基)聯苯亞碸(methyl 4-(phenylthio)biphenyl sulfoxide)其核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜。
第6圖係本揭露實施例所製備而得之甲基4-(苯硫基)聯苯亞碸(methyl 4-(phenylthio)biphenyl sulfoxide)其利用液相色譜-串聯質譜法(liquid chromatography-mass spectrometry、LC-MS)所量測而得之圖譜。
第7圖係本揭露實施例所得之聚苯硫醚的差示掃描量熱法(differential scanning calorimetry、DSC)圖譜。
第8圖係本揭露實施例所製備而得之甲基4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl 4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜。
根據本揭露實施例，本揭露提供一種陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)的製備方法，其中該陽離子亞碸中間體具有式(I)所示結構： 其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基。Ar1以及Ar2係相同或不同，例如苯撐基(phenylene group)、聯苯撐基(biphenylene group)、萘撐基(naphthylene group)、噻吩撐基(thienylene group)、甲苯撐基(tolylene group)、甲苄撐基(xylylene group)、吲哚撐基(indolylene group)、四氫萘撐基(tetrahydronaphthylene group)、菲撐基(phenanthrenylene group)、伸聯苯撐基(biphenylenylene group)、茚撐基(indenylene group)、蒽撐基(anthracenylene group)、或芴撐基(fluorenylene group)。本揭露所述芳香基可為單環、兩稠環(two fused rings)、或三稠環(three fused rings)。舉例來說，該芳香基可為苯基(phenyl group)、或聯苯基(biphenyl group)。
該陽離子亞碸中間體的製備方法包含：將過氧化氫與(i)具有式(II)所示結構的化合物或具有R’SO3H結構的磺酸(其中R’係 -CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH)，以及(ii)具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)，以獲得該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)
，其中R係取代或未取代C1-6烷基；以及，其中Ar1以及Ar2之定義如上，而Y係一陰離子。根據本揭露實施例，YΘ可例如為HSO4 -、CH3SO3 -、PhSO3 -(C6H5SO3 -)、p-tolSO3 -(CH3C6H4SO3 -)、或CF3SO3-。
根據本揭露實施例，該陽離子亞碸中間體的製備方法可包含將過氧化氫與具有式(II)所示結構的化合物反應，得到具有式(III-A)所示結構的化合物 ，其中R係取代或未取代C1-6烷基；以及將具有式(III-A)所示結構的化合物與具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體反應。
根據本揭露實施例，該陽離子亞碸中間體的製備方法可包含將過氧化氫與磺酸(sulfonic acid)(結構為R’SO3H)反應，得到具有式(III-B)所示結構的化合物 ，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH；以及將具有式(III-B)所示結構的化合物與具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體反應。
根據本揭露實施例，該過氧化氫與該具有式(II)所示結構的化合物之莫耳比可為2：1至4：1。根據本揭露實施例，該過氧化氫與該磺酸(sulfonic acid、R’SO3H)的莫耳比可為2：1至4：1。
根據本揭露實施例，R可為甲基。此外，R可為直鍵C1-6烷基、或R可為環烷基。
根據本揭露實施例，該具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體可先與該具有式(II)所示結構的化合物混合，然後再添加過氧化氫。
根據本揭露實施例，該上述反應可在10至40℃(例如20至25℃)下持續60至120分鐘(例如80至90分鐘)。
該陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)的製備方式可包含將具有式(V)所示結構的化合物與具有式(VI)所示結構的化合物在酸性環境(acidic condition)下反應
，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基。Ar1以及Ar2可為相同或不同，例如苯撐基(phenylene group)、聯苯撐基(biphenylene group)、 萘撐基(naphthylene group)、噻吩撐基(thienylene group)、甲苯撐基(tolylene group)、甲苄撐基(xylylene group)、吲哚撐基(indolylene group)、四氫萘撐基(tetrahydronaphthylene group)、菲撐基(phenanthrenylene group)、伸聯苯撐基(biphenylenylene group)、茚撐基(indenylene group)、蒽撐基(anthracenylene group)、或芴撐基(fluorenylene group)。根據本揭露實施例，Ar1以及Ar2可為苯撐基(phenylene group)或聯苯撐基(biphenylene group)，具有式(V)所示結構的化合物可為茴香硫醚(thioanisole)或1-甲基硫烷基-4-苯基苯(1-methylsulfanyl-4-phenylbenzen)，而具有式(VI)所示結構的化合物可為甲基苯基亞碸(methyl phenyl sulfoxide)。根據本揭露實施例，該酸性環境可為藉由加入磺酸(結構為R’SO3H，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH)所形成。換言之，該酸性環境(acidic condition)可藉由加入甲磺酸(methanesulfonic acid)、苯磺酸(benzenesulfonic acid)、對甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)、硫酸(sulfuric acid)、或三氟甲磺酸(trifluoromethane sulfonic acid)所形成。根據本揭露實施例，可將相同莫耳數的茴香硫醚(thioanisole)以及甲基苯基亞碸(methyl phenyl sulfoxide)混合並在酸性環境(acidic condition)下反應，反應溫度可介於0至25℃，反應壓力可為0.5-1.5atm(例如1atm)。根據本揭露實施例，具有式(V)所示結構的化合物以及具有式(VI)所示結構的化合物可在0℃混合，並在加入酸後逐漸升溫至室溫(例如18至25℃)。根據本揭露實施例，上述反應可持續10至30小時(例如20小時)。
以下反應式係用以說明將具有式(II)所示結構的化合物 與過氧化氫及陽離子硫醚中間體反應的反應機制：
以下反應式係用以說明將磺酸(sulfonic acid、R’SO3H)與過氧化氫及陽離子硫醚中間體反應的反應機制：
根據本揭露實施例，本揭露提供一種聚芳硫醚單體的製備方法，其中該聚芳硫醚單體具有式(VII)所示結構 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基。Ar1以及Ar2係相同或不同，例如苯撐基(phenylene group)、聯苯撐基(biphenylene group)、萘撐基(naphthylene group)、噻吩撐基(thienylene group)、甲苯撐基(tolylene group)、甲苄撐基(xylylene group)、吲哚撐基(indolylene group)、四氫萘撐基(tetrahydronaphthylene group)、菲撐基(phenanthrenylene group)、伸聯苯撐基(biphenylenylene group)、茚 撐基(indenylene group)、蒽撐基(anthracenylene group)、或芴撐基(fluorenylene group)。本揭露所述芳香基可為單環、兩稠環(two fused rings)、或三稠環(three fused rings)。舉例來說，該芳香基可為苯基(phenyl group)、或聯苯基(biphenyl group)。該聚芳硫醚單體可為甲基4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl 4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)。在該聚芳硫醚單體的製備方法中係不使用鹵素(halogen)。
根據本揭露實施例，該聚芳硫醚單體的製備方法的第一步驟係製備上述之陽離子亞碸中間體。
在上述步驟後，該聚芳硫醚單體的製備方法可包含對該陽離子亞碸中間體進行去甲基化，得到具有式(VII)所示結構的該聚芳硫醚單體。
高效親核劑(nucleophile)可用來對具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體進行去甲基化。該親核劑可例如為胺、醯胺、吡啶、或鹵化物，而該去甲基化反應之溫度可約為20-150℃，反應壓力為0.5-1.5atm(例如1atm)。根據本揭露實施例，該去甲基化反應之時間可持續20分鐘至6小時。
上述聚芳硫醚單體的製備方法之反應式如下：
根據本揭露實施例，本揭露提供一種聚芳硫醚的製備方法，其中該聚芳硫醚具有式(VIII)所示結構 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基。Ar1以及Ar2係相同或不同，例如苯撐基(phenylene group)、聯苯撐基(biphenylene group)、萘撐基(naphthylene group)、噻吩撐基(thienylene group)、甲苯撐基(tolylene group)、甲苄撐基(xylylene group)、吲哚撐基(indolylene group)、四氫萘撐基(tetrahydronaphthylene group)、菲撐基(phenanthrenylene group)、伸聯苯撐基(biphenylenylene group)、茚撐基(indenylene group)、蒽撐基(anthracenylene group)、或芴撐基(fluorenylene group)。本揭露所述芳香基可為單環、兩稠環(two fused rings)、或三稠環(three fused rings)。舉例來說，該芳香基可為苯基。該聚芳硫醚可為聚苯硫醚。
n係1至1000之整數、或2至1000之整數。
上述聚芳硫醚係藉由聚合上述聚芳硫醚單體所得，而該聚芳硫醚單體係依據上述聚芳硫醚單體的製備方法所製得。
根據本揭露實施例，可將相同莫耳數的茴香硫醚(thioanisole)以及甲基苯基亞碸(methyl phenyl sulfoxide)混合並在酸性環境(acidic condition)下反應，反應溫度可介於0至25℃，反應壓力可為0.5-1.5atm(例如1atm)。根據本揭露實施例，該酸性環境(acidic condition)可為藉由加入磺酸(結構為R’SO3H，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH)所形成。換言之，該酸性環境(acidic condition)可藉由加入甲磺酸(methanesulfonic acid)、苯磺酸 (benzenesulfonic acid)、對甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)、硫酸(sulfuric acid)、或三氟甲磺酸(trifluoromethane sulfonic acid)所形成。
在上述步驟後，可對該陽離子亞碸中間體進行去甲基化，得到具有式(VII)所示結構之聚芳硫醚單體。高效親核劑(nucleophile)可用來對具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體進行去甲基化。該親核劑可例如為胺、醯胺、吡啶、或鹵化物，而該去甲基化反應之溫度可約為20-150℃，反應壓力為0.5-1.5atm(例如1atm)。根據本揭露實施例，該去甲基化反應之時間可持續20分鐘至6小時。
根據本揭露實施例，可將該聚芳硫醚單體與一酸進行反應，得到具有式(IX)所示結構之聚鋶鹽中間體(polysulfonium intermediate) ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代芳香基。Ar1以及Ar2係相同或不同，例如苯撐基(phenylene group)、聯苯撐基(biphenylene group)、萘撐基(naphthylene group)、噻吩撐基(thienylene group)、甲苯撐基(tolylene group)、甲苄撐基(xylylene group)、吲哚撐基(indolylene group)、四氫萘撐基(tetrahydronaphthylene group)、菲撐基(phenanthrenylene group)、伸聯苯撐基(biphenylenylene group)、茚撐基(indenylene group)、蒽撐基(anthracenylene group)、或芴撐基(fluorenylene group)。本揭露所述芳香基可為單環、兩稠環(two fused rings)、或三稠環(three fused rings)。舉例來說，該芳香基可為苯基。
n係1至1000之整數、或2至1000之整數。
YΘ係陰離子，例如HSO4 -、CH3SO3 -、PhSO3 -(C6H5SO3 -)、p-tolSO3 -(CH3C6H4SO3 -)、或CF3SO3-。
上述反應所使用的酸可例如具有R’SO3H結構的磺酸，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH。
換言之，該酸可為甲磺酸(methanesulfonic acid)、苯磺酸(benzenesulfonic acid)、對甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)、硫酸(sulfuric acid)、或三氟甲磺酸(trifluoromethane sulfonic acid)所形成。
根據本揭露實施例，該聚芳硫醚單體以及該酸可在0℃下持續反應約30分鐘至1小時。接著，該反應之溫度可提升至室溫(約18-25℃)並持續反應10-30小時(例如約20小時)。
在上述步驟後，可對具有式(IX)所示結構之聚鋶鹽中間體進行去甲基化，得到具有式(VIII)所示結構之聚芳硫醚。該聚鋶鹽中間體可利用一親核劑進行去甲基化可。該親核劑可為氫氯酸(HCl)水液溶、氫溴酸(HBr)水溶液、氫碘酸(HI)水溶液、胺、醯胺、或吡啶。在此，用來進行去甲基化的酸其酸度可強於用來製備該聚鋶鹽中間體的酸的酸度。
該聚鋶鹽中間體(polysulfonium intermediate)亦可在一有機溶劑中進行去甲基化。該有機溶劑可擇自由水、酮類(ketones)溶劑、腈類(nitriles)溶劑、碸類(sulfones)溶劑、以及醯胺類(amides)溶劑所組成之族群之至少一者。在本揭露一實施例中，該有機溶劑可為混有水的溶劑。在本揭露另一實施例中，該有機溶劑可為混有水及丙 酮的溶劑。
高效親核劑(nucleophile)可用來對具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體進行去甲基化。該親核劑可例如為胺、醯胺、吡啶、或鹵化物，而該去甲基化反應之溫度可約為20-150℃，反應壓力為0.5-1.5atm(例如1atm)。根據本揭露實施例，上述去甲基化反應之時間可持續4-72小時。根據本揭露實施例，該去甲基化反應之時間可持續20-24小時，而反應溫度約介於室溫至100℃，其中該室溫係指約18-25℃。
上述聚芳硫醚的製備方法之反應式如下：
本揭露一實施例所述反應式如下所示。將茴香硫醚(thioanisole)與甲基苯基亞碸(methylphenyl sulfoxide)在酸性環境(acidic condition)下進行反應，得到具有鋶基(sulfonium group)的陽離子中間體。接著，適量的氧化劑被用來選擇性氧化硫醚基(thioether group)而非該鋶基(sulfonium group)，如反應式(III)所示。接著，在進行去甲基化後得到該聚芳硫醚單體。最後，對該聚芳硫醚單體進行聚合，如反應式(IV)所示
反應式(IV)
根據本揭露實施例，上述氧化步驟之反應機制如以下反應式所示，其中該陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)係被乙酸過氧化物(acetic peroxide)氧化，得到陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)。該乙酸過氧化物(acetic peroxide)可由混合過氧化氫及乙酸(acetic acid)所得。
該乙酸過氧化物(acetic peroxide)可由混合過氧化氫及乙酸(acetic acid)所製備而得。所得之乙酸過氧化物可接著被用來氧化陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)。該甲基以及磺酸基(sulfonic group)上的正電荷提供立體以及電阻礙(steric and electric hindrance)以對該硫醚基(thioether group)進行選擇性氧化。換言之，該鋶基(sulfonium group)上的正電荷以及一立體障礙基團(即烷基)可避免該鋶基(sulfonium group)被一或一以上的氧化劑氧化。
適合的氧化劑可選擇性氧化該硫醚基(thioether group)而不會氧化該鋶基(sulfonium group)，以獲得聚芳硫醚單體的中間體。接著，該聚芳硫醚單體可藉由對該鋶基(sulfonium group)進行去甲基化而被製備。
相反的，習知方法並未利用選擇性氧化，這是因為習知方法所使用的氧化劑(例如鹵素(halogen))與本揭露不同。然而，習知使用鹵素的氧化方式可能會造成該鋶基(sulfonium group)的氧化。被避免習知方法所造成的問題，本揭露實施例所述的氧化方法係不使用鹵素。
此外，與習知方法不同，本揭露所述實施例係在進行去甲基化的步驟之前，先進行氧化步驟。相反的，習知方法則是在去甲基化步驟後才進行氧化步驟。
為了讓本揭露之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例，作詳細說明如下：
實施例：
甲基苯基[4-(甲硫基)苯基]高氯酸鋶鹽(methylphenyl[4-(methylthio)phenyl]sulfonium perchlorate)的製備
將2.9毫升之茴香硫醚(thioanisole)以及3.5克之甲基苯基亞碸(methylphenyl sulfoxide)混合，並與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶(double-necked round-bottom flask)，降溫至0℃。接著，50毫升之甲磺酸(methanesulfonic acid)逐滴加入該燒瓶中，然後將燒瓶溫度提升至室溫。持續反應20小時後，將所得之粗產物倒入100毫升之HClO4溶液中(濃度為70%)，並攪拌1小時。用水及二氯甲烷(dichloromethane)萃取後，得到硫醚鋶中間體(thioether sulfonium intermediate)，產率為90%。該硫醚鋶中間體的核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜如第1圖所示，而第1圖所示之核磁共振圖譜資料如下：1H NMR(400MHz，ppm，CDCl3)：2.5(-CH3，s)、3.7(S-CH3，s)、7.4(phenyl，2H，d)7.6(phenyl，3H，t)、7.7-7.8(phenyl，4H，m)。
利用甲基苯基[4-(甲硫基)苯基]高氯酸鋶鹽(methylphenyl[4-(methylthio)phenyl]sulfonium perchlorate)製備聚苯硫醚單體
將1克之甲基苯基[4-(甲硫基)苯基]高氯酸鋶鹽以及3毫升之冰醋酸(glacial acetic acid)混合，並與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶(double-necked round-bottom flask)。接著，將上述混合物在20℃(水浴)下攪拌，並逐滴加入0.9毫升之過氧化氫溶液(濃度為30%)。接著，持續反應80分鐘。反應結束後，利用水及有機溶劑對該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)進行萃取，得到0.97克之中間體。接著，將該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)溶解於10毫升之乙腈，並逐滴加入30毫升之氯化鉀溶液(濃度為10%)。所得之混合物迴流6小時。接著，以水及二氯甲烷(dichloromethane)萃取三次，得到0.63克之聚苯硫醚單體，產率為88%。該聚苯硫醚單體的核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜如第2圖所示，而第2圖所示之核磁共振圖譜資料如下：1H NMR(400MHz，ppm，CDCl3)：2.73(-CH3，s)，7.35-7.56(phenyl，9H，m)。
甲基苯基[4-(甲硫基)聯苯]高氯酸鋶鹽(methyl phenyl[4-(methylthio)biphenyl]sulfonium perchlorate)的製備
將1克之1-甲基硫烷基-4-苯基苯(1-methylsulfanyl-4-phenylbenzen)以及0.7克之甲基苯基亞碸(methylphenyl sulfoxide)混合，並與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶(double-necked round-bottom flask)，降溫至0℃。接著，10毫升之甲磺酸(methanesulfonic acid)逐滴加入該燒瓶中，然後將燒瓶溫度提升至室溫。持續反應20小時後，將所得之棕色粗產物倒入40毫升之HClO4溶液中(濃度為70%)，並攪拌1小時。用水及二氯甲烷(dichloromethane)萃取後，得到硫醚鋶中間體(thioether sulfonium intermediate)，產率為92%。該硫醚鋶中間體的核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜如第3圖所示，而第4圖係為該硫醚鋶中間體以液相色譜-串聯質譜法(liquid chromatography-mass spectrometry、LC-MS)所量測而得之圖譜，m/z為323。第3圖所示之核磁共振圖譜資料如下：1H NMR(400MHz，ppm，CDCl3)：2.48(-CH3，s)，3.67(sulfonium-CH3，s)，7.40-7.94(aromatic H，13H，m)。
利用甲基苯基[4-(甲硫基)聯苯]高氯酸鋶鹽(methyl phenyl[4-(methylthio)biphenyl]sulfonium perchlorate)製備聚芳硫醚單體
將1.9克之甲基苯基[4-(甲硫基)聯苯]高氯酸鋶鹽以及30毫升之冰醋酸(glacial acetic acid)混合，並與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶(double-necked round-bottom flask)。接著，將上述混合物在20℃(水浴)下攪拌，並逐滴加入2.02毫升之過氧化氫溶液(濃度為30%)。接著，持續反應90分鐘。反應結束後，利用水及有機溶劑對該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)進行萃取，得到該中間體。接著，將該陽離子亞碸中間體溶解於10毫升之4-甲基吡啶(4-picoline)。反應30分鐘後，再迴流20分鐘。接著，以水及二氯甲烷(dichloromethane)萃取三次，得到1克之聚芳硫醚單體，產率為69%。該聚芳硫醚單體的核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜如第5圖所示，而第5圖所示之核磁共振圖譜資料如下：1H NMR(400MHz，ppm，CDCl3)：2.72(-CH3，s)，7.38-7.63(aromatic H，13H，m)。第6圖係為該聚芳硫醚單體以液相色譜-串聯質譜法(liquid chromatography-mass spectrometry、LC-MS)所量測而得之圖譜，質譜分析如下：325(M+H+)、347(M+Na+)、以及671(2*M+Na+)。
聚苯硫醚的製備
將1克之甲基-4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl-4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶，並降溫至0℃。接著，將5毫升之三氟甲磺酸 (trifluoromethane sulfonic acid)在0℃下逐滴加入該雙口圓底燒瓶中，接著在0.5-1小時內緩慢提昇該燒瓶溫度至室溫。反應20小時後，將粗產物以100毫升之冰水清洗數次，並在真空下抽乾，得到一1.4克之白色聚陽離子中間體。
將0.95克之聚陽離子中間體與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶。接著，逐滴加入10毫升4-甲基吡啶(4-picoline)。反應1小時後，將溫度提升至100℃，並持續反應20小時。以200毫升之10%甲醇溶液中和過量的4-甲基吡啶(4-picoline)，得到0.37克之聚苯硫醚，產率為70%。根據第7圖所示聚苯硫醚的差示掃描量熱法(differential scanning calorimetry、DSC)圖譜可知，所得之聚苯硫醚其熔點(melting point、Tm)為280℃。
製備聚苯硫醚單體：甲基4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl 4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)
將2.66毫升之茴香硫醚(thioanisole)以及3克之甲基苯基亞碸(methylphenyl sulfoxide)混合，並與一攪拌子(stirrer)一起置入一雙口圓底燒瓶(double-necked round-bottom flask)，降溫至0℃。接著，3毫升之硫酸(濃度為97%)逐滴加入該燒瓶中，然後將燒瓶溫度升溫至室溫。持續反應20小時後，加入30毫升之水以及2.44克之過氧化氫(濃 度為30%)於該燒瓶中，並在室溫下反應4小時。接著，加入45毫升氨水(濃度為30%)於該燒瓶中，並在室溫下反應4小時。接著，以水及乙酸乙酯進行萃取，得到甲基4-(苯硫基)苯基亞碸(methyl 4-(phenylthio)phenyl sulfoxide)，產率為90.6%。該聚苯硫醚單體的核磁共振(nuclear magnetic resonance、NMR)圖譜如第8圖所示，而第8圖所示之核磁共振圖譜資料如下：1H NMR(400MHz，ppm，CDCl3)：2.73(-CH3，s)，7.35-7.56(phenyl，9H，m)。
雖然本揭露已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何本技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

  1. 一種陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)的製備方法，其中該陽離子亞碸中間體具有式(I)所示結構： ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代苯基或聯苯基，且Ar1以及Ar2係相同或不同，包含：將過氧化氫與(i)具有式(II)所示結構的化合物或具有R’SO3H結構的磺酸(sulfonic acid)，其中R’係-CH3、-CF3、苯基(-C6H5)、甲苯基(-C6H4CH3)、或-OH，以及(ii)具有式(IV)所示結構的陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate)，以獲得該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate) 其中R係取代或未取代C1-6烷基；以及其中Ar1以及Ar2之定義如上，而YΘ係一陰離子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中該陽離子硫醚中間體(cationic thioether intermediate) 的製備方法包含：將具有式(V)所示結構的化合物與具有式(VI)所示結構的化合物在酸性環境(acidic condition)下反應 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代苯基或聯苯基，且Ar1以及Ar2係相同或不同。
  3. 如申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中Ar1以及Ar2係苯基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中R係甲基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中該過氧化氫與該具有式(II)所示結構的化合物之莫耳比係2：1至4：1。
  6. 如申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中該過氧化氫與該磺酸(sulfonic acid)的莫耳比係2：1至4：1。
  7. 如申請專利範圍第2項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中具有式(V)所示結構的化合物係茴香硫醚(thioanisole)或1-甲基硫烷基-4-苯基苯 (1-methylsulfanyl-4-phenylbenzen)。
  8. 如申請專利範圍第2項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中具有式(VI)所示結構的化合物係甲基苯基亞碸(methyl phenyl sulfoxide)。
  9. 如申請專利範圍第2項所述陽離子亞碸中間體的製備方法，其中該酸性環境係藉由加入甲磺酸(methanesulfonic acid)、苯磺酸(benzenesulfonic acid)、對甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)、硫酸(sulfuric acid)、或三氟甲磺酸(trifluoromethane sulfonic acid)所形成。
  10. 一種聚芳硫醚單體的製備方法，其中該聚芳硫醚單體具有式(VII)所示結構 ，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代苯基或聯苯基，且Ar1以及Ar2係相同或不同，包含：申請專利範圍第1項所述陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)的製備方法；以及對該陽離子亞碸中間體(cationic sulfoxide intermediate)進行去甲基化，得到該聚芳硫醚單體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述聚芳硫醚單體的製備方法，其中該方法不使用鹵素。
  12. 一種聚芳硫醚的製備方法，其中該聚芳硫醚具有式(VIII)所示結構，包含： 聚合由申請專利範圍第10項所述製備方法所得之聚芳硫醚單體，其中Ar1以及Ar2係取代或未取代苯基或聯苯基，且Ar1以及Ar2係相同或不同，以及n係1至1000之整數。
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