TWI603365B - Charged particle beam drawing device and drawing data creation method - Google Patents

Charged particle beam drawing device and drawing data creation method Download PDF

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TWI603365B
TWI603365B TW105106515A TW105106515A TWI603365B TW I603365 B TWI603365 B TW I603365B TW 105106515 A TW105106515 A TW 105106515A TW 105106515 A TW105106515 A TW 105106515A TW I603365 B TWI603365 B TW I603365B
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Shigehiro Hara
Kenichi Yasui
Hiroshi Yamashita
Yasuo Kato
Saori Gomi
Shinji Sakamoto
Takao Tamura
Hideo Tsuchiya
Noriaki Nakayamada
Hironobu Matsumoto
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Description

帶電粒子束描繪裝置及描繪資料作成方法
本發明有關帶電粒子束描繪裝置及描繪資料作成方法。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體裝置要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體裝置形成期望的電路圖樣，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖樣(光罩，或特別是用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣，係藉由電子束描繪裝置來描繪，運用所謂的電子束微影技術。
當進行電子束描繪時，首先會設計半導體積體電路的佈局，並生成佈局資料(設計資料)。然後，將佈局資料變換為描繪資料，輸入至電子束描繪裝置。電子束描繪裝置依據描繪資料進行描繪。
電子束描繪中，有引發尺寸變動之各種現象，例如鄰近效應(proximity effect)的影響半徑為10μm程度，霧化效應(fogging effect)或負載效應(loading effect)的 影響半徑為數mm程度。在描繪裝置的內部，為了抑制該些影響所造成之尺寸變動，會即時地進行劑量修正演算。
就引發尺寸變動之現象而言，已知有影響半徑為300nm~400nm程度這樣極短的EUV光罩特有之鄰近效應。當考量此影響而進行劑量修正演算的情形下，必須將描繪區域以例如50nm~100nm程度做網目分割，並對分割出的每個小區域進行演算，因此修正計算的處理時間會變得龐大。要在描繪裝置的內部即時地進行這樣的演算係有困難，因此較佳是在外部事先算出修正量，並將作成的修正資訊輸入至描繪裝置。
但，對映圖(map)形式的修正資訊之資料量大，無法有效率地進行資料傳送。此外，由1個資料檔案所構成之修正資訊，不適合平行分散式處理(parallel distributed processing)，無法有效率地進行資料處理。
本發明之實施形態，在於提供一種帶電粒子束描繪裝置及描繪資料作成方法，可提升帶有用來抑制由影響半徑小的現象所引起的圖樣尺寸變動之修正資訊的描繪資料的處理效率。
一實施形態之帶電粒子束描繪裝置，具備：描繪部，藉由帶電粒子束在基板上的描繪區域描繪圖樣；及控制部，其被輸入附階層化修正對映圖描繪資料，對描繪資料進行資料變換處理而生成擊發資料，從階層化修正對映圖 讀出和描繪對象區域的區塊相對應之分割對映圖而算出劑量，依據前述擊發資料及算出的劑量來控制前述描繪部；其中，該附階層化修正對映圖描繪資料，係帶有具有複數個檔案之階層化修正對映圖，該複數個檔案是含有分割前述描繪區域而成的區塊單位的劑量資訊之分割對映圖以次圖框單位被檔案化。
200‧‧‧修正/變換裝置
201‧‧‧修正部
202‧‧‧分配部
204‧‧‧檔案作成部
220‧‧‧控制部
230‧‧‧描繪部
240‧‧‧電子鏡筒
241‧‧‧電子槍
242‧‧‧照明透鏡
243‧‧‧第1孔徑
244‧‧‧投影透鏡
245‧‧‧偏向器
246‧‧‧第2孔徑
247‧‧‧對物透鏡
248‧‧‧偏向器
250‧‧‧XY平台
260‧‧‧電子束
270‧‧‧光罩基板
10‧‧‧對映圖區域
21~27‧‧‧分割對映圖
圖1為第1實施形態之資料變換方法說明流程圖。
圖2為第1實施形態之電子束描繪系統的概略構成圖。
圖3為第1實施形態之修正/變換裝置的方塊圖。
圖4為資料的階層構造之一例示意圖。
圖5為次圖框及區塊之例示意圖。
圖6為1個區塊中含有1個分割對映圖之例示意圖。
圖7為1個區塊中含有2個分割對映圖之例示意圖。
圖8為1個區塊中含有網目尺寸相異的複數個分割對映圖之例示意圖。
圖9為階層化修正對映圖的資料結構示意圖。
圖10(a)及(b)為對映圖區域的位移示意圖。
圖11(a)及(b)為網目值定義順序示意圖。
圖12為次圖框及區塊之例示意圖。
圖13為階層化修正對映圖之例示意圖。
圖14為對應於同一晶片的修正對映圖為鄰接之狀態 示意圖。
圖15為修正對映圖的分割例示意圖。
圖16為將晶片以2個區塊分割之例示意圖。
圖17為因應區塊來將修正對映圖分割之例示意圖。
圖18(a)及(b)為第2實施形態之階層化修正對映圖說明圖。
圖19為鄰接的2個晶片的修正對映圖示意圖。
圖20為將晶片以2個區塊分割之例示意圖。
圖21為因應區塊來將修正對映圖分割之例示意圖。
圖22為因應區塊來將修正對映圖分割之例示意圖。
圖23(a)及(b)為第3實施形態之階層化修正對映圖說明圖。
圖24(a)及(b)為第3實施形態之階層化修正對映圖說明圖。
圖25為第3實施形態之描繪資料的資料結構示意圖。
以下，依據圖面說明本發明之實施形態。
〔第1實施形態〕
圖1為將帶有描繪資料而用來抑制由影響半徑小的現象所起的圖樣尺寸變動之劑量資訊予以變換為階層性的格式之資料並予以輸出之資料變換方法說明流程圖。如圖1 所示，此方法具備：設計資料D1及修正條件參數之輸入工程(步驟S102)、帶有由1檔案所構成之對映圖形式的劑量資訊(修正對映圖)之描繪資料之作成工程(步驟S104)、將修正對映圖分割而分配至各區塊之工程(步驟S106)、將分割出的修正對映圖(分割對映圖)以次圖框單位予以檔案化之工程(步驟S108)、將帶有階層構造的修正對映圖描繪資料予以輸出之工程(步驟S110)。
圖2為電子束描繪系統的概略構成圖。如圖2所示，電子束描繪系統，具備修正/變換裝置200、以及具有控制部220及描繪部230之描繪裝置。
描繪部230，具有電子鏡筒240、XY平台250、電子槍241、照明透鏡242、第1孔徑243、投影透鏡244、偏向器245、第2孔徑246、對物透鏡247、偏向器248。
修正/變換裝置200，利用設計資料D1及修正條件參數，生成附階層化修正對映圖描繪資料D2。設計資料D1，為基於半導體積體電路的佈局之佈局資料，將其變換為可輸入至描繪裝置來生成描繪資料。修正對映圖依修正條件參數而設定，由1檔案所構成。階層化修正對映圖，為將此修正對映圖分割，令其帶有階層構造之物。
控制部220，對描繪資料進行複數段的資料變換處理，生成裝置固有的擊發資料。此外，控制部220，利用階層化修正對映圖，算出每個規定尺寸的網目區域之劑量。控制部220，依據擊發資料、及算出的劑量來控制描繪部230，對作為描繪對象之光罩基板270描繪期望的圖 形圖樣。
從電子槍241放出之電子束260，會藉由照明透鏡242而對帶有矩形的孔之第1孔徑243全體做照明。此處，係將電子束260先成形為矩形。接著，通過第1孔徑243的第1孔徑像之電子束260，會藉由投影透鏡244而被投影至第2孔徑246上。第2孔徑246上的第1孔徑像的位置，係藉由偏向器245而受到控制，而能夠令其射束形狀及尺寸變化。然後，通過了第2孔徑246的第2孔徑像之電子束260，會藉由對物透鏡247而合焦，藉由偏向器248而受到偏向，照射至配置成可移動之XY平台250上的光罩基板270的期望位置。
圖3為修正/變換裝置200的概略構成圖。修正/變換裝置200具備：修正部201，利用設計資料D1及修正條件參數來作成修正對映圖，並且將設計資料變換為描繪資料；及分配部202，將修正對映圖分配至各區塊；及檔案作成部204，將分配至各區塊的分割對映圖以次圖框單位予以檔案化，令修正對映圖帶有和描繪資料同樣的階層構造，作成附階層化修正對映圖描繪資料D2。圖4為資料的階層構造之一例示意圖。
佈局資料中，是在晶片上配置複數個格，然後在各格配置圖形。修正部201，將佈局資料(設計資料)變換為定義有圖形的形狀及位置之描繪資料。描繪資料中，如圖4所示，描繪區域，是被階層化成晶片之層、將晶片區域向著和描繪面平行之某方向(例如y方向)以短冊狀分割 而成之圖框之層、將圖框區域分割成規定大小的區域而成之次圖框之層、將次圖框區域分割成規定大小的區域而成之區塊之層、上述格之層、以及作為構成格的圖樣之圖形之層這樣一連串的複數個內部構成單位各者。
修正對映圖，例如對應於格而被設定有劑量資訊，對應於1個區塊或區塊的一部分之劑量資訊便成為分割對映圖。分割對映圖被網目分割，並被定義有劑量資訊(劑量或劑量調變率)以作為網目值。
修正對映圖，具有用來抑制由影響半徑為1μm以下，例如300nm~400nm程度這樣極短的EUV光罩特有的鄰近效應所造成的尺寸變動之劑量資訊。因此，將分割對映圖做網目分割之網目尺寸，為影響半徑的1/10程度，例如為30nm~100nm程度。
修正對映圖中，如圖5所示，藉由複數個次圖框來定義對映圖區域10，各次圖框由複數個區塊所構成。圖5所示例子中，對映圖區域10具有4個次圖框(0，0)(0，1)(1，0)(1，1)。各次圖框具有8個區塊(0，0)(0，1)(0，2)(0，3)(1，0)(1，1)(1，2)(1，3)。
在各區塊可含有分割對映圖。圖6揭示1個區塊中含有1個分割對映圖之例，圖7揭示1個區塊中含有2個分割對映圖之例。另，亦可有不含有分割對映圖之區塊。
如圖8所示，1個區塊中含有之複數個分割對映圖，亦可為網目尺寸相異者。
分配部202，將修正對映圖以次圖框及區塊予以分割，將分割對映圖分配至各區塊。檔案作成部204，將對應於各區塊之分割對映圖以次圖框單位予以檔案化，作成附階層化修正對映圖描繪資料D2。例如，圖5所示例子中，從對映圖區域10作成4個檔案。
圖9揭示階層化修正對映圖的資料結構。階層化修正對映圖，具有設定資料、區塊指標、及修正資料。區塊指標及修正資料，以次圖框單位被檔案化。設定資料中，定義著位址單元、對映圖區域尺寸、區塊尺寸、次圖框尺寸、及位移(offset)。
階層化修正對映圖中含有之(幾何的)尺寸及(位移值等的)座標之資訊，係被定義成為設定資料中定義之位址單元的整數倍。例如，當位址單元為1nm時，若對映圖的X方向的區域尺寸為2mm，則設定資料的對映圖區域尺寸X，會定義2×1000×1000/1=2000000這樣的值。對映圖區域尺寸X、對映圖區域尺寸Y，表示對映圖區域10的x方向、y方向之尺寸。區塊尺寸X、區塊尺寸Y，表示1個區塊的x方向、y方向之尺寸。次圖框尺寸X、次圖框尺寸Y，表示1個次圖框的x方向、y方向之尺寸。圖5所示例子中，次圖框尺寸X成為區塊尺寸X的2倍，次圖框尺寸Y成為區塊尺寸Y的4倍。
位移PX、PY，表示從原點觀看時之對映圖區域10的x方向、y方向之位移。如圖10(a)、(b)所示，原點為晶片原點或光罩原點。
階層化修正對映圖的修正資料中，含有區塊索引、分割對映圖索引及分割對映圖資料。區塊索引於每個區塊中定義，表示次圖框內的區塊之ID、及所包含之分割對映圖的數量。接續著區塊索引，對於該區塊中含有之每個分割對映圖，存儲有分割對映圖索引及分割對映圖資料。
分割對映圖索引中，含有對映圖種別、網目尺寸、網目數、位移、網目值定義資料長度、網目值定義順序旗標、及壓縮型態識別旗標。例如，對映圖種別中記述著劑量對映圖。網目尺寸X、網目尺寸Y，表示分割對映圖中的x方向、y方向之網目尺寸。藉由對每個區塊定義網目尺寸之資訊，便如圖8所示，可在1區塊配置網目尺寸相異之分割對映圖。
網目數X、網目數Y，表示分割對映圖內的x方向、y方向之網目數。位移X、位移Y，表示和區塊的基準點(例如左下頂點)相距之x方向、y方向之位移。網目值定義資料長度，表示網目值之資料長度。
網目值定義順序旗標，表示分割對映圖中的網目值的定義順序。例如，當網目值定義順序旗標為0的情形下，如圖11(a)所示般表示網目值係朝x方向受到定義。當網目值定義順序旗標為1的情形下，如圖11(b)所示般表示網目值係朝y方向受到定義。
壓縮型態識別旗標，接續著分割對映圖索引，表示分割對映圖資料是否受到壓縮。例如，當壓縮型態識別旗標為0的情形下，表示分割對映圖資料為非壓縮，當壓縮型 態識別旗標為1的情形下，表示分割對映圖資料受到壓縮。檔案作成部204，當分割對映圖資料的資料尺寸為規定值以上的情形下將分割對映圖資料壓縮，並對壓縮型態識別旗標設定1。
非壓縮的分割對映圖資料中，含有對映圖資料長度及對映圖資料。受到壓縮的分割對映圖資料中，含有壓縮對映圖資料長度、非壓縮對映圖資料長度、及壓縮對映圖資料。對映圖資料，具有分割對映圖之網目值(劑量或劑量調變率)。分割對映圖資料受到填充(padding)處理。
如圖9所示，修正資料中，和1個次圖框中含有的複數個區塊相對應之區塊索引、分割對映圖索引及分割對映圖資料係接連地並列。例如，和圖5所示之次圖框(0，0)相對應之階層化修正對映圖中，係依區塊(0，0)、區塊(0，1)、區塊(0，2)、區塊(0，3)、區塊(1，0)、區塊(1，1)、區塊(1，2)、區塊(1，3)的順序，並列著區塊索引以及區塊中含有的每個分割對映圖的分割對映圖索引及分割對映圖資料。
區塊指標，含有1個次圖框中含有之各區塊的區塊ID、及示意相對應的修正資料的開始位置之資訊。藉由參照區塊指標，便能容易地存取期望的區塊的修正資料。
利用圖12及圖13所示具體例，進一步說明階層化修正對映圖。圖12表示次圖框的一例，該次圖框訂為由區塊(0，0)、區塊(0，1)、區塊(1，0)、區塊(1，1)的4個區塊所構成之物。
區塊(0，0)中含有分割對映圖21、22。區塊(0，1)中含有分割對映圖23。區塊(1，0)中含有分割對映圖24、25。區塊(1，1)中含有分割對映圖26、27。
圖13表示針對圖12所示次圖框之階層化修正對映圖。區塊指標，表示區塊(0，0)、區塊(0，1)、區塊(1，0)、區塊(1，1)的修正資料的開始位置。
接續著區塊(0，0)的區塊索引，存儲有分割對映圖21的分割對映圖索引、分割對映圖21的分割對映圖資料、分割對映圖22的分割對映圖索引、分割對映圖22的分割對映圖資料。又，存儲有區塊(0，1)的區塊索引、分割對映圖23的分割對映圖索引、及分割對映圖23的分割對映圖資料。接著，存儲有區塊(1，0)的區塊索引、分割對映圖24的分割對映圖索引、分割對映圖24的分割對映圖資料、分割對映圖25的分割對映圖索引、分割對映圖25的分割對映圖資料。再接著，存儲有區塊(1，1)的區塊索引、分割對映圖26的分割對映圖索引、分割對映圖26的分割對映圖資料、分割對映圖27的分割對映圖索引、分割對映圖27的分割對映圖資料。
例如，區塊(0，0)的區塊索引，揭示所包含之分割對映圖為2個。分割對映圖21的分割對映圖索引區域中，含有分割對映圖21的網目尺寸、網目數、與區塊(0，0)的原點相距之位移等。分割對映圖21的分割對映圖資料區域中，以壓縮或非壓縮的狀態存儲有分割對映圖21的網目值。區塊指標及修正資料，以次圖框單位被 檔案化。
本實施形態中，是將帶有對映圖形式的劑量資訊之修正對映圖，於每個次圖框予以檔案化而變換為使其帶有階層構造，以便以複數個檔案來表現修正對映圖。亦即，附階層化修正對映圖描繪資料D2中，階層化修正對映圖係和描繪資料帶有同樣的階層構造，於對應於描繪資料之每個區劃被檔案化。因此，在描繪裝置的控制部220中的演算處理中，只要存取對應於演算對象的區域之階層化修正對映圖的檔案即可。例如，控制部220，檢索有演算對象區域存在之圖框，接著檢索次圖框，再來檢索區塊，讀入依附在區塊中的對映圖。相較於修正對映圖全體由1檔案所構成的情形而言，會減低演算處理所必要的記憶體容量，將處理速度高速化，能使資料處理效率提升。
此外，於每個分割對映圖帶有分割對映圖索引，並定義網目尺寸等，因此能夠將相異網目尺寸的分割對映圖併用。因應必要的精度能夠改變網目尺寸，因此能夠維持精度，同時減低階層化修正對映圖的資料量。
上述實施形態中，亦可藉由設計工具而從設計資料D1及修正條件參數來作成並輸出由1檔案所構成之帶有修正對映圖的附修正對映圖描繪資料，而修正/變換裝置200從該附修正對映圖描繪資料來作成附階層化修正對映圖描繪資料D2。
〔第2實施形態〕
圖14揭示對應於同一晶片的修正對映圖為鄰接之狀態。圖14的晶片A的修正對映圖的網目數，於x方向及y方向分別訂為6個。
左右的晶片A，其左右兩端部的周邊環境相異，因此網目值相異。具體而言，左側的晶片A的右端與右側的晶片A的左端會互相影響，因此在左側晶片A的網目m00~m05、及右側晶片A的網目m’00~m’05其網目值會相異。同樣地，在左側晶片A的網目m50~m55、及右側晶片A的網目m’50~m’55其網目值會相異。因此，無法將2個晶片A以1種類的修正對映圖來表現。當針對2個晶片A各者帶有晶片全體的修正對映圖的情形下，資料量會變大。
鑑此，本實施形態中，如圖15所示，將晶片A的修正對映圖分割成左端部、中央部、右端部。將左側晶片A的左端部訂為對映圖O1L、中央部訂為對映圖C、右端部訂為對映圖O1R。將右側晶片A的左端部訂為對映圖O2L、中央部訂為對映圖C、右端部訂為對映圖O2R。在左右的晶片A其修正值相異者為左右兩端部，中央部為相同對映圖。
又，如圖16所示，設想晶片A由2個區塊B00、B10所構成之情形。在此情形下，如圖17所示，晶片A的中央部的對映圖C被分割成對映圖CL及對映圖CR。
當定義這樣的修正對映圖時，會在分割對映圖索引追加作業疊對(job deck)鏈接碼(link code)。例如，如 圖18(a)所示，訂定在區塊B00、B10中定義之對映圖與鏈接碼。然後，在分割對映圖索引記述如圖18(b)所示般之作業疊對。
如此一來，如圖14所示，當同一晶片在光罩上配置複數個，而因周邊環境差異造成僅在晶片交界區域有兩者的對映圖資料相異的情形下，便不必重覆持有晶片中央部的對映圖資料，能夠減低階層化修正對映圖的資料量。
〔第3實施形態〕
上述第1實施形態中，說明了含有用來抑制由影響半徑小的現象所引起的圖樣尺寸變動的劑量資訊之修正對映圖，但亦可做成更將影響半徑大的現象也納入考量之修正資訊。
如圖19所示，設想晶片A與晶片B為鄰接之情形。將晶片A的修正對映圖訂為對映圖MA、晶片B的修正對映圖訂為對映圖MB。晶片A中，忽視鄰接的晶片B的影響，因此僅在中央部進行對影響半徑小的現象及影響半徑大的現象之劑量修正。同樣地，晶片B中，忽視鄰接的晶片A的影響，因此僅在中央部進行對影響半徑小的現象及影響半徑大的現象之劑量修正。
晶片A、晶片B的其他區域，不進行對影響半徑大的現象之劑量修正，僅進行對影響半徑小的現象之劑量修正。該些區域中對影響半徑大的現象之劑量修正，是在描繪裝置內進行。
導入修正碼，以表示進行了對影響半徑小的現象及影響半徑大的現象之劑量修正。將晶片A的中央部訂為修正碼指定區域，將該區域的對映圖訂為對映圖CCA。將晶片B的中央部訂為修正碼指定區域，將該區域的對映圖訂為對映圖CCB。對映圖CCA、對映圖CCB的格式和分割對映圖訂為相同。
又，如圖20所示，設想晶片A由2個區塊BA00、BA10所構成，晶片B由2個區塊BB00、BB10所構成之情形。在此情形下，如圖21所示，對映圖MA被分割成對映圖MA00、MA10，對映圖MB被分割成對映圖MB00、MB10。此外，如圖22所示，修正碼指定區域的對映圖CCA被分割成對映圖CCA1、CCA2，對映圖CCB被分割成對映圖CCB1、CCB2。
若將圖21、圖22組合，則晶片A如圖23(a)般表現，如圖23(b)般定義對映圖。晶片B如圖24(a)般表現，如圖24(b)般定義對映圖。對映圖CCA1、CCA2、CCB1、CCB2，在分割對映圖索引的對映圖種別(參照圖9)中會記述“修正碼指定框”。
像這樣，藉由定義修正碼指定區域，描繪裝置中，便能判別以外部裝置計算出對影響半徑大的現象之劑量修正之區域。針對能夠忽視來自鄰接晶片的影響之晶片中央部，係以外部裝置事先進行對影響半徑小的現象及影響半徑大的現象之劑量修正，藉此會削減描繪裝置內的計算量，能夠使處理效率提升。
〔第4實施形態〕
如上述第1實施形態中說明般，階層化修正對映圖與描繪資料帶有同樣的階層構造。因此，亦可定義對於和描繪資料(格配置資訊檔案)的各區塊先頭相對應之修正對映圖資料的指標，並令其從該處鏈接至階層化修正對映圖的相對應之區塊的修正資料。
圖25揭示描繪資料的資料結構一例。描繪資料，具有格配置資訊檔案、鏈接資訊檔案、及格圖樣資料檔案。圖25揭示在4個區塊(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)中配置有格CA、CB、CC的至少其中1者的情形下之描繪資料。
格配置資訊檔案中，於每個區塊區域，含有用來配置複數個構成要素圖樣亦即格CA、CB、CC的其中一者之配置資訊。格配置資訊，是以示意格的基準點的配置位置之座標等來表示。此處，接續著格配置資訊檔案的檔案標頭，存儲有區塊(0，0)標頭、對區塊(0，0)的修正對映圖資料之指標、配置於區塊(0，0)內之格配置資訊L1、格配置資訊L2、區塊(0，1)標頭、對區塊(0，1)的修正對映圖資料之指標、配置於區塊(0，1)內之格配置資訊L3、格配置資訊L4、區塊(1，0)標頭、對區塊(1，0)的修正對映圖資料之指標、配置於區塊(1，0)內之格配置資訊L5、格配置資訊L6、區塊(1，1)標頭、對區塊(1，1)的修正對映圖資料之指標、配 置於區塊(1，1)內之格配置資訊L7。
各格配置資訊Ln中，含有格配置座標、及鏈接資訊索引。藉由該些資料，格配置資訊檔案中，能夠掌握表示配置於各區塊的格的位置之座標、及用來令其鏈接至後述格圖樣資訊之資訊。
格圖樣資料檔案中，含有格CA、CB、CC之圖樣資訊。此處，示意格CA的圖樣資料之格圖樣資料CA、示意格CB的圖樣資料之格圖樣資料CB、示意格CC的圖樣資料之格圖樣資料CC係依序各存儲1次。
鏈接資訊檔案中，含有令格配置資訊與格圖樣資訊鏈接之鏈接資訊。例如，從格配置資訊L1經由鏈接資訊k1而參照格圖樣資料CA。像這樣，將格配置資訊與格圖樣資料作成為個別的檔案，藉此便不必在每個配置位置持有圖樣資料，因此能夠謀求描繪資料的資料量減低。
本實施形態中，如圖25所示，接續著格配置資訊檔案的各區塊的標頭，存儲有對相對應之區塊的修正對映圖之指標。藉由參照此指標，會從描繪資料直接鏈接至階層化修正對映圖的相對應區塊。如此一來，在描繪裝置內的演算處理中，能夠容易地存取描繪資料及階層化修正對映圖的各自相對應之區塊的資料，能夠使資料處理效率進一步提升。
圖25所示之描繪資料，是藉由未圖示之描繪資料作成裝置而從設計資料作成。描繪資料作成裝置，依據設計資料將描繪區域分割成複數個區塊，對分割出的每個區 塊，作成格配置資訊檔案，該格配置資訊檔案含有用來配置複數個格的其中一者之配置資訊及示意階層化修正對映圖內的相對應區塊的分割對映圖索引的存儲位置之指標。
描繪資料作成裝置，依據設計資料來作成含有格的圖樣資料之格圖樣資料檔案。此外，描繪資料作成裝置，依據設計資料來作成含有令格配置資訊與格圖樣資料鏈接的鏈接資訊之鏈接資訊檔案。又，描繪資料作成裝置，作成並輸出具有格配置資訊檔案、格圖樣資料檔案、及鏈接資訊檔案之描繪資料。
上述實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係說明了運用了電子束之構成，但帶電粒子束不限於電子束，亦可為離子束等其他帶電粒子束。
上述實施形態中說明的修正/變換裝置200的至少一部分，可由電子電路等硬體來構成，亦可由軟體來構成。當由軟體構成的情形下，亦可將實現變換裝置200的至少一部分功能之程式存放於記錄媒體，並令含有電子電路等之電腦讀入以執行。記錄媒體，不限定於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。
此外，亦可將實現修正/變換裝置200的至少一部分功能之程式，透過網際網路等通訊線路(亦包含無線通訊)來發佈。又，亦可將同程式加密、或施以調變、或在壓縮的狀態下透過網際網路等有線線路或無線線路，或是存放於記錄媒體來發佈。
另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階 段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。

Claims (5)

  1. 一種帶電粒子束描繪裝置，具備：描繪部，藉由帶電粒子束在基板上的描繪區域描繪圖樣；及控制部，其被輸入附階層化修正對映圖描繪資料，對描繪資料進行資料變換處理而生成擊發資料，從階層化修正對映圖讀出和描繪對象區域的區塊相對應之分割對映圖而算出劑量，依據前述擊發資料及算出的劑量來控制前述描繪部；其中，該附階層化修正對映圖描繪資料，係帶有具有複數個檔案之階層化修正對映圖，該複數個檔案是含有分割前述描繪區域而成的區塊單位的劑量資訊之分割對映圖以次圖框單位被檔案化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述階層化修正對映圖中，含有各區塊中包含的分割對映圖的網目尺寸及網目數的資訊之分割對映圖索引、及含有各網目中的劑量資訊之分割對映圖資料，是於每個分割對映圖被定義而以次圖框單位被檔案化，各檔案，具有示意檔案內的各區塊的分割對映圖索引的存儲位置之區塊指標。
  3. 一種帶電粒子束描繪裝置的描繪資料作成方法，係輸入在晶片區域中定義有含有至少1個圖形的複數個格之設計資料、及修正條件參數，將前述設計資料變換為定義有圖形的形狀及位置之描 繪資料，利用前述設計資料及前述修正條件參數，求出用來修正鄰近效應之劑量資訊，將描繪區域分割成複數個次圖框，將前述次圖框分割成複數個區塊，對各區塊分配含有前述劑量資訊之分割對映圖，將各區塊中含有之分割對映圖的網目尺寸、網目數、及各網目中的劑量資訊以次圖框單位予以檔案化，輸出附階層化修正對映圖描繪資料，該附階層化修正對映圖描繪資料含有具有和複數個次圖框相對應的複數個檔案之階層化修正對映圖、及前述描繪資料。
  4. 一種帶電粒子束描繪裝置的描繪資料作成方法，為被輸入至帶電粒子束描繪裝置之具有用來修正鄰近效應的劑量資訊之描繪資料的作成方法，係輸入附修正對映圖描繪資料，該附修正對映圖描繪資料帶有含有和描繪區域相對應的劑量資訊之修正對映圖，將描繪區域分割成複數個次圖框，將前述次圖框分割成複數個區塊，將分割前述修正對映圖而成之分割對映圖分配至各區塊，將各區塊中含有之分割對映圖的網目尺寸、網目數、及各網目中的劑量資訊以次圖框單位予以檔案化，輸出附階層化修正對映圖描繪資料，該附階層化修正對映圖描繪資料帶有具有和複數個次圖框相對應的複數個 檔案之階層化修正對映圖。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之描繪資料作成方法，其中，輸入在晶片區域中定義有含有至少1個圖形的複數個格之設計資料、及修正條件參數，將前述設計資料變換為定義有圖形的形狀及位置之描繪資料，利用前述設計資料及前述修正條件參數，求出用來修正鄰近效應之劑量資訊，利用含有和描繪區域相對應的劑量資訊之修正對映圖及前述描繪資料來作成前述附修正對映圖描繪資料。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184605A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法
JP6493049B2 (ja) * 2015-07-16 2019-04-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6679933B2 (ja) * 2016-01-05 2020-04-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法
JP6662248B2 (ja) 2016-09-01 2020-03-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム
JP7210991B2 (ja) * 2018-10-11 2023-01-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
CN112818632B (zh) * 2021-01-28 2024-02-02 上海华力微电子有限公司 芯片的图形密度的分析方法、装置及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200845087A (en) * 2007-02-22 2008-11-16 D2S Inc Method and system for improvement of dose correction for particle beam writers
TW200931476A (en) * 2007-09-05 2009-07-16 Nuflare Technology Inc Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method
CN102466984A (zh) * 2010-11-10 2012-05-23 Asml荷兰有限公司 源、掩模和投影光学装置的优化
TW201250394A (en) * 2011-02-28 2012-12-16 D2S Inc Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
TW201506531A (zh) * 2013-03-27 2015-02-16 Nuflare Technology Inc 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束之照射量調變係數之取得方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892237A (en) * 1996-03-15 1999-04-06 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure method and apparatus
JP3512946B2 (ja) * 1996-04-26 2004-03-31 株式会社東芝 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JP3466900B2 (ja) 1998-01-19 2003-11-17 株式会社東芝 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JPH11329948A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Nikon Corp 電子ビーム転写方法
US6424879B1 (en) * 1999-04-13 2002-07-23 Applied Materials, Inc. System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate
US6373071B1 (en) * 1999-06-30 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Real-time prediction of proximity resist heating and correction of raster scan electron beam lithography
US6720565B2 (en) * 1999-06-30 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Real-time prediction of and correction of proximity resist heating in raster scan particle beam lithography
US6420717B1 (en) * 2000-04-11 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for real-time correction of resist heating in lithography
US6379851B1 (en) * 2000-07-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Methods to predict and correct resist heating during lithography
JP4098502B2 (ja) 2001-07-30 2008-06-11 株式会社東芝 マスクの製造方法とｌｓｉの製造方法
JP2003077790A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置における補正データチェック方法および装置
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
US7186486B2 (en) * 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
JP4630082B2 (ja) 2005-02-10 2011-02-09 株式会社リコー 画像処理装置、画像形成装置、描画命令情報生成方法、描画命令情報生成プログラム、描画命令情報生成プログラムを記録した記録媒体
JP2007043078A (ja) * 2005-07-04 2007-02-15 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
JP4989158B2 (ja) 2005-09-07 2012-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
US7498591B2 (en) * 2005-09-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Critical dimension effects correction in raster pattern generator
JP4476975B2 (ja) 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4773224B2 (ja) 2006-02-14 2011-09-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP4976071B2 (ja) 2006-02-21 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US8355036B2 (en) * 2006-03-28 2013-01-15 Nuflare Technology, Inc. Recording system, recording apparatus, and record control signal generating apparatus using an exposure beam
JP5008477B2 (ja) * 2007-06-27 2012-08-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法
JP5069052B2 (ja) 2007-07-30 2012-11-07 日本電子株式会社 ドーズ補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2009218474A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Jeol Ltd ビーム位置ドリフト抑制方法、ビーム寸法ドリフト抑制方法及び荷電粒子ビーム描画装置。
JPWO2009136441A1 (ja) * 2008-05-09 2011-09-01 株式会社アドバンテスト 電子線描画装置及び電子線描画方法
US8062813B2 (en) * 2008-09-01 2011-11-22 D2S, Inc. Method for design and manufacture of a reticle using a two-dimensional dosage map and charged particle beam lithography
JP5243898B2 (ja) * 2008-09-19 2013-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5530688B2 (ja) * 2009-09-18 2014-06-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法
JP5525798B2 (ja) 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
US8227774B2 (en) * 2010-01-07 2012-07-24 International Business Machines Corporation Method and system for feature function aware priority printing
JP5636238B2 (ja) * 2010-09-22 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5601989B2 (ja) * 2010-11-19 2014-10-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
WO2013063489A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Kla-Tencor Corporation Heat removal from substrates in vacuum
JP5894856B2 (ja) * 2012-05-22 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2015050439A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 株式会社東芝 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法
JP2016184605A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200845087A (en) * 2007-02-22 2008-11-16 D2S Inc Method and system for improvement of dose correction for particle beam writers
TW200931476A (en) * 2007-09-05 2009-07-16 Nuflare Technology Inc Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method
CN102466984A (zh) * 2010-11-10 2012-05-23 Asml荷兰有限公司 源、掩模和投影光学装置的优化
TW201250394A (en) * 2011-02-28 2012-12-16 D2S Inc Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
TW201506531A (zh) * 2013-03-27 2015-02-16 Nuflare Technology Inc 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束之照射量調變係數之取得方法

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