TWI603055B - 量測系統與其量測方法 - Google Patents

量測系統與其量測方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI603055B
TWI603055B TW105120583A TW105120583A TWI603055B TW I603055 B TWI603055 B TW I603055B TW 105120583 A TW105120583 A TW 105120583A TW 105120583 A TW105120583 A TW 105120583A TW I603055 B TWI603055 B TW I603055B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
echo
transducer
gap
time
Prior art date
Application number
TW105120583A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201719116A (zh
Inventor
鄧君浩
林冠文
秦聖基
李雨青
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW201719116A publication Critical patent/TW201719116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI603055B publication Critical patent/TWI603055B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/44—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
    • G01B17/025—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness for measuring thickness of coating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/16—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring distance of clearance between spaced objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/04—Wave modes and trajectories
    • G01N2291/044—Internal reflections (echoes), e.g. on walls or defects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)

Description

量測系統與其量測方法
本揭示案一般係關於積體電路製造，且更特定而言係關於用於控制製造機台之一部分與工作部件之間的間隙的改良技術。
半導體積體電路(integrated circuit；IC)工業已經歷迅速增長。在IC進化過程中，功能密度(亦即單位晶片面積中之互連裝置數目)已普遍增大，同時幾何形狀尺寸(亦即可藉由使用製程而產生之最小組件(或線路))已縮小。此種按比例縮小之製程一般藉由提高生產效率及降低關連成本而提供益處。然而，此種按比例縮小亦伴隨著包括此等IC之裝置的設計及製造複雜性提高，及為了實現此等進步，需要裝置製造具有類似的發展。
僅作為一個實例，眾多製造步驟涉及與遮罩基板、半導體基板或其他工作部件緊密相鄰的製造機台之某些部分。然而，與工作部件接觸可能是災難性的。使情況更複雜的是，製造製程的改良可能有意或無意地導致機台之突出部分移動靠近工作部件。例如，流體噴頭可靠近移動工作部 件，以更佳地控制流體被施用於何處及減少氣泡、渦旋或其他流體分裂。
即使當製程未變更，向更大的半導體基板及遮罩基板之移動亦可能造成挑戰。就此而言，300mm晶圓變得常見，因為此等晶圓允許同時製造更多電路，及將來可預期有更大晶圓。同樣，遮罩尺寸正在增大以增強特徵品質。然而，此等更大工作部件件可能比更小工作部件更易於翹曲，均勻性可能更低，及可能具有更多表面不規則。此等因素中任何因素都可增大與製造機台不慎接觸的風險。更大的工作部件亦可更脆弱，由此使得接觸更為危險。
因此，儘管用於測量及控制製造機台與工作部件之間間隙的習用技術一般已足夠，但將來的改良潛力仍然存在。對機台與工作部件之間的距離具有更精確控制之機台可減少發生概率及接觸事件的嚴重程度。此外，一旦使用到位，此等控制可用以測量及控制製造製程之其他態樣。出於此等及其他原因，對測量及機台控制之額外改良可在整個製程中提供顯著改良。
本案的一態樣係於提供一種量測方法，其包括下列操作。在機台內接收基板，以界定此機台與基板之間的間隙。安置在與間隙相對的基板底表面上之換能器提供聲學信號，此信號被傳導貫穿基板。換能器亦接收來自基板頂表面之第一回聲及來自機台底表面之第二回聲，此基板頂表面 界定間隙，及此機台底表面進一步界定間隙。基於第一回聲及第二回聲測量間隙寬度。
本案的另一態樣係於提供一種量測方法，其包括下列操作。包括接收一基板，此基板上安置有材料層。提供換能器，此換能器在與材料層相對之處耦接至基板。換能器發射聲學信號，此信號被引導貫穿基板。作為響應，換能器接收來自材料層底介面的第一回聲及來自材料層頂介面之第二回聲。基於第一回聲及第二回聲決定材料層厚度。
本案的又一態樣係於提供一種量測系統，其包括卡盤、換能器以及信號處理器。卡盤可操作以固定基板以使得所夾持之晶圓界定基板與系統之間的間隙。換能器可操作以：耦接至所固定的基板；發射聲學信號貫穿基板；接收來自界定間隙之基板表面之第一回聲；接收來自進一步界定間隙系統表面之第二回聲；及提供表示第一回聲及第二回聲之信號。信號處理器可操作以接收信號及根據第一回聲及第二回聲決定與間隙關連之量測結果。
100‧‧‧清理設備
102‧‧‧基板
104‧‧‧噴嘴
106‧‧‧噴嘴
108‧‧‧卡盤
110‧‧‧電樞
112‧‧‧液體材料
114‧‧‧間隙
116‧‧‧聲學換能器
118‧‧‧信號處理器
120‧‧‧換能器層
122‧‧‧襯底材料
124‧‧‧聲學阻抗匹配層
126‧‧‧電樞
200‧‧‧方法
202‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
300‧‧‧製造機台
402‧‧‧箭頭
502‧‧‧最頂部表面
504‧‧‧最底層表面
602‧‧‧箭頭
604‧‧‧箭頭
606‧‧‧箭頭
700‧‧‧繪圖
702‧‧‧響應
704‧‧‧響應
706‧‧‧響應
708‧‧‧響應
t1‧‧‧時間
t’‧‧‧時間
t2‧‧‧時間
t3‧‧‧時間
800‧‧‧旋轉塗佈系統
802‧‧‧旋轉塗佈材料
902‧‧‧最頂部表面
1000‧‧‧方法
1002‧‧‧步驟
1004‧‧‧步驟
1006‧‧‧步驟
1008‧‧‧步驟
1010‧‧‧步驟
1012‧‧‧步驟
1014‧‧‧步驟
1016‧‧‧步驟
1018‧‧‧步驟
本揭示案最佳在閱讀附圖時根據下文之詳細描述來進行理解。需強調，依據行業中之標準實務，多個特徵並未按比例繪製及僅用於說明之目的。實際上，多個特徵之尺寸可任意增大或縮小，以使論述明晰。
第1圖是根據本揭示案之多個態樣之清理設備之橫剖面視圖； 第2圖是根據本揭示案之多個態樣的間隙量測方法之流程圖；第3圖是根據本揭示案之多個態樣執行此間隙量測方法之製造機台的橫剖面視圖；第4圖是根據本揭示案之多個態樣執行此間隙量測方法之製造機台的又一橫剖面視圖；第5圖是根據本揭示案之多個態樣執行此間隙量測方法之製造機台的又一橫剖面視圖；第6圖是根據本揭示案之多個態樣執行此間隙量測方法之製造機台的又一橫剖面視圖；第7圖是根據本揭示案之多個態樣之一換能器隨時間經過之電壓響應繪圖；第8圖是根據本揭示案之多個態樣之旋轉塗佈系統之橫剖面視圖；第9圖是根據本揭示案之多個態樣之旋轉塗佈系統之又一橫剖面視圖；以及第10圖是根據本揭示案之多個態樣的薄膜厚度測量方法之流程圖。
本揭示案一般係關於積體電路製造，且更特定而言係關於用於控制製造機台之一部分與工作部件之間的間隙的改良技術。
以下揭示內容提供眾多不同的實施例或實例以用於實施本揭示案之不同特徵。下文中描述組件及排列之特定實例以簡化本揭示案。此等組件及排列當然僅為實例，及不意欲進行限制。例如，在下文之描述中，第一特徵在第二特徵上方或之上的形成可包括其中第一特徵與第二特徵以直接接觸方式形成的實施例，以及亦可包括其中在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵與第二特徵無法直接接觸之實施例。此外，本揭示案在多個實例中可重複元件符號與/或字母。此重複用於實現簡化與明晰之目的，以及其自身並不規定所論述之多個實施例與/或配置之間的關係。
此外，本案中可使用諸如「下方」、「以下」、「下部」、「上方」、「上部」等等之空間相對術語在以便於描述，以描述如圖式中所示的一個元件或特徵與另一或更多個元件或特徵之關係。空間相對術語意欲包含在使用或操作中之裝置除圖式中繪示之定向以外的不同定向。例如，如若圖式中之裝置被翻轉倒置，則描述為位於其他元件或特徵「下方」、「以下」之元件將定向為位於此其他元件或特徵之「上方」。由此，示例性術語「以下」可包含上方以及下方之定向。或者，設備可經定向(旋轉90度或其他定向)，以及本案中使用之空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。
本揭示案係關於半導體積體電路之製造。可用於製造半導體積體電路之示例性機台藉由參考第1圖進行描述。就此而言，第1圖是根據本揭示案之多個態樣之清理 設備100之橫剖面視圖。為明確以及便於說明，圖式中一些元件已經簡化，以及圖式中一些元件已經放大繪示。
清理設備100藉由將液體與/或氣體導向基板102而清理被固定之基板102，以移除粒子以及其他污染物。清理設備100具有一部分，此部分在清理製程期間緊密鄰近基板102。例如，此部分可包括一或更多個噴嘴(例如液體噴嘴104以及氣體噴嘴106)。在眾多實施例中，噴嘴104以及106與基板102之間的間隙或距離被小心地控制，以使得噴嘴不接觸基板102。與眾多習用方法相反，如下文中更詳細之描述，清理設備100使用聲學量測以控制間隙。此技術可在不接觸任何噴嘴或正在清理的基板102表面下而於進行清理製程的同時執行。
現將更詳細地描述清理設備100之元件。清理設備100接收基板102，此基板102是將由清理設備100在其上操作之任何工作部件之實例。例如，基板102可表示光微影術遮罩，此光微影術遮罩可用於電路製造、半導體基板，與/或用於任何其他適合應用中之任何其他適合基板。在多個實例中，遮罩基板102包括鹼石灰玻璃、熔融氧化矽、熔融石英，與/或氟化鈣(CaF2)，上述各者上方安置有諸如鉻之吸光材料。反射遮罩基板102亦可包括多層反射結構。在更多實例中，半導體基板102包括元素(單元素)半導體，如具有晶態結構之鍺；化合物半導體，如矽鍺、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦，與/或銻化銦；非半導體材料；與/或上述各者之組合。基板102亦可包括形成於其 上之多個材料層。清理設備100可包括卡盤108，此卡盤可操作以固定基板102。卡盤108可使用任何機制以固定基板102，如實體夾緊、真空保持、靜電吸引，與/或其他固定機制。
清理設備100可包括一或更多個噴嘴(例如，噴嘴104與106)以及安裝在可移動電樞110上之關連供應線路。當新基板102正在被緊固時，可移動電樞110可使噴嘴離開裝載路徑以重新定位至「主」位，且一旦基板102已裝載完成，可移動電樞110可移動噴嘴經過基板102。在一些實施例中，在清理製程期間，可移動電樞110亦允許噴嘴104及106定位在基板102之任何處。噴嘴可包括液體供應噴嘴104與/或氣體輸送噴嘴106，液體供應噴嘴可操作以引導液體材料112至基板102，氣體輸送噴嘴可操作以引導氣體至基板102。適合用於施用液體材料112之液體供應噴嘴104包括Honda超音波覆液式(puddle)噴嘴，及一般超音波噴嘴、噴霧噴嘴、浸潤式微影術噴嘴等等。在清理設備100中，液體材料112可包括任一適合之清潔溶液，如IPA(異丙醇)、丙酮、水、其他溶劑與/或上述各者之組合，部分地依據基板102材料、待移除之污染物的性質，與/或其他因數而定。當然，液體材料112表示應用至基板102的任一流體。在多種實施例中，在實施本文所述之技術的過程中，液體供應噴嘴104供應液體材料112，其包含反應劑、防護劑、蝕刻劑、旋轉塗佈材料與/或其他適合材料。
類似於液體供應噴嘴104，清理設備100可在電樞110上包括一或更多個氣體輸送噴嘴106，及此等噴嘴之用途是引導空氣前往基板102表面。氣體輸送噴嘴106可在基板102上吹環境空氣，其例如可為氮、氬與/或氦之惰性氣體、處理氣體、或任一其他適合之氣體。在供應氣體之同時，可移動電樞110可使氣體輸送噴嘴106拂掠基板102之整個表面，以便驅除液體材料112、粒子與/或污染物。在清理中，由氣體輸送噴嘴106提供的氣體可經加熱以便控制基板102上的液體材料112之黏度與/或蒸發。
儘管在清理設備100未操作時，基於接觸的方法可用以測量噴嘴與基板102之間的間隙114，但在設備100實施清理之同時，液體材料112或氣體可能防礙此等技術。例如，於常見技術中，測隙規被插入間隙114中，此舉在操作期間是不可能的。事實上，即使當清理設備100不在操作中，如若在基板102存在之同時使用測隙規，有可能會對基板102造成損害。此外，在眾多實施例中，離線量測的有效性是受限的。液體材料112或氣體之力可驅使噴嘴與基板102分開，從而變更間隙114之距離。
為了克服此等及其他挑戰，清理設備100可操作以執行噴嘴與基板102之間的聲學間隙量測。為此，清理設備100包括耦接至基板102的換能器116，如壓電超聲波換能器。換能器116發射聲能，聲能穿過耦接的基板102而向外行進。在每一材料介面處，聲能之一些部分作為回聲被反射。此等回聲可由換能器116接收，並被轉換為電信號。 藉由檢驗電信號，清理設備100之信號處理器118可辨識由基板102最頂部表面產生的回聲，以及由噴嘴104與/或106之最底層表面產生的回聲。藉由分析回聲，信號處理器118決定此等表面之間的間隙114距離。
換能器116可包括任何適合之聲學發射器與/或接收器及可具有任何適合之中心頻率。例如，在各個實施例中，換能器116包括超聲波換能器，此超聲波換能器具有約5MHz與約40MHz之間的中心頻率(+/- 10%)。
換能器116可包括換能器層120，此層包含一或更多個壓電材料層、電容材料層，或其他適合材料層。為了預防信號在換能器層120邊界處發生相位相消，換能器層120可經配置以具有λ/2之整數倍數之一厚度(垂直於基板102)，其中λ是換能器116之中心頻率。換能器116亦可包括襯底材料122，此襯底材料安置在換能器層120與基板102相對的背表面。因為換能器層120可發射被引導離開基板102之能，因此襯底材料122可經配置以衰減此能或將此能反射回到基板102。可選擇阻尼襯底材料122以具有聲學阻抗，聲學阻抗類似於換能器層120之聲學阻抗，但可選擇反射性襯底材料122以具有與換能器層120之聲學阻抗不同的聲學阻抗。
換能器116亦可包括聲學阻抗匹配層124，聲學阻抗匹配層124安置在換能器層120與基板102之間以及接觸此兩者。因為換能器層120與基板102之間的聲學阻抗的突然變化能夠反射聲能以及產生回聲，因此聲學阻抗匹配層 124可用以使聲學轉變平滑。此可改良換能器116之靈敏度，以及減少由無意的回聲所引起的噪音。相應地，聲學阻抗匹配層124可在換能器層120與基板102之間具有聲學阻抗。在一實施例中，聲學阻抗匹配層124具有一聲學阻抗，此聲學阻抗大體上等於：(+/- 10%)，其中Z換能器是換能器層120之聲學阻抗，以及Z基板是基板102之聲學阻抗。為預防相位相消，聲學阻抗匹配層124可經配置以具有一厚度(垂直於基板102)，此厚度是λ/4之整數倍數，其中λ是換能器116之中心頻率。用於聲學阻抗匹配分層124之適合材料包括聚合物、陶瓷、玻璃、金屬、複合材料與/或其他適合的材料。當受測間隙114至少部分地充滿氣體(而非液體)時，因為氣體亦不趨於傳導聲能，並會產生模糊回聲，故由聲學阻抗匹配層124提供的靈敏度增加為有益的。
在一些實施例中，換能器116耦接至電樞126，並可操作以沿基板102背側移動。電樞126可用以將換能器116與待測量之噴嘴對準，及在噴嘴沿基板102移動時追蹤噴嘴。
以下將藉由參考第2-7圖描述由清理設備100或其他適合製造機台執行的聲學量測。第2圖是根據本揭示案之各態樣的間隙量測方法200之流程圖。應理解，在方法200之前、期間與之後可提供額外的步驟，且在方法200的其他實施例中，所述步驟中之一些步驟可被替換或消除。第3-6圖是根據本揭示案之多個態樣執行此間隙量測方法之 製造機台300的橫剖面視圖。在一些實例中，製造機台300是第1圖中之清理設備100，但其他適合的製造機台300將於下文中提供與描述。製造機台300包括換能器116(具有可選阻抗匹配層124)，此換能器大體上類似於第1圖的換能器。第7圖是根據本揭示案之多個態樣之圖示換能器隨時間經過之電壓響應繪圖700。為明確與便於說明，已經簡化圖式中一些元件，及圖式中一些元件已經放大繪示。
請參照第2圖之步驟202及第3圖，在製造機台300中接收並固定基板102。如先前所述，基板102是將由製造機台300操作的任何工作部件的示例，且可表示用於電路製造的光微影術遮罩、半導體基板，與/或用於任何其他適合應用中之任何其他適合基板。製造機台300具有一部分，且此部分緊密鄰近基板102。在第3圖之實例中，上述部分是液體供應噴嘴104。製造機台300啟動利用基板之處理技術，如藉由使用液體材料112進行清理。在處理技術期間的任何時間，聲學換能器116可用以測量基板102與製造機台300之間的間隙114。
請參照第2圖之步驟204，電樞126用以使聲學換能器116沿基板102背側表面移動。電樞126可對準換能器116，以使得此換能器直接位於待測量間隙114下方。在圖示實施例中，電樞126追蹤液體供應噴嘴104，以便換能器116直接留存在液體供應噴嘴104下方，及由此直接位於間隙114下方。
請參照第2圖之步驟206及第4圖，換能器116發射縱波形式或其他適合波形的聲能，此聲能從換能器116傳導貫穿基板102，如箭頭402所示。藉由使用換能器116進行量測之優勢之一是可在製造機台300操作的同時執行量測。例如，在液體供應噴嘴104正在供應液體材料112(例如清洗流體)之同時，換能器116可發射聲脈衝。液體材料112之流動不顯著影響聲能。在又一實例中，換能器116可與製造機台300之氣體供應噴嘴對準，並可在氣體供應噴嘴正在供應氣體之同時發射聲脈衝。
請參照第5圖，聲能在每一材料介面處反射，包括在基板102最頂部表面502之介面處，與位於間隙114相對側的製造機台300最底層表面504之介面處。第6圖圖示一二階回聲，此回聲由基板102的最頂部表面502反射之能引起(如箭頭602所指示)，隨後被基板102的背表面反射(如箭頭604所指示)，然後再次被基板102的最頂部表面502反射(如箭頭606所指示)。根據間隙114中之媒介，來自機台300之最底層表面504的二階回聲可能衰減過度而難以辨別。二階(與以上)回聲可得到補償，如下文所說明。
請參照第2圖之步驟208及第7圖，換能器116接收到回聲並將其轉變為電信號，此舉之實例在第7圖中圖示。就此而言，第7圖是隨時間經過的電壓繪圖，回聲在不同時間依據換能器116與產生回聲的表面之間的距離而產生特徵電壓響應(例如，響應702、704、706，及708)。在第7圖之實例中，響應702、706，及708表示由基板102 最頂部表面502產生的一階、二階，及三階回聲，及響應704表示由機台300之最底層表面504產生的一階回聲。此電信號被提供至第3圖中圖示的信號處理器118。
請參照第2圖中之步驟210，信號處理器118辨識來自間隙114一側表面的一階回聲響應。在第3-7圖之實例中，此等響應是來自基板102最頂部表面502的一階回聲之響應702，及來自機台300最底層表面504之一階回聲之響應704。將認識到，截獲響應之時間與聲學信號已行進的距離直接成正比。此意謂著接收到響應702之時間依據基板102之最頂部表面502與換能器116相距多遠而定。同樣，接收到響應704之時間依據機台300最底層表面504與換能器116相距多遠而定。
請參照第2圖之步驟212，信號處理器118決定來自基板102最頂部表面502之一階響應702與來自機台300最底層表面504的一階響應704之間的時間差。時間差歸因於聲學信號橫移越過間隙114。因此，請參照第2圖之步驟214，信號處理器118藉由以下方式測量間隙114：用時間差乘以間隙114中存在的任何材料(例如液體材料112)中之聲學信號速度，然後由於信號兩次(一次在輸出路徑及一次在返迴路徑)橫移越過間隙到達換能器116所以除以2。以另一方式：D=V*(t'-t1)/2
其中D表示間隙114距離，V是間隙114之材料中之聲學信號速度，t'是來自機台300最底層表面504的一階響應704 之時間，及t1是來自基板102最頂部表面502的一階響應702之時間。
一旦決定間隙114距離，可在不同時間與/或位置重複步驟202-214之方法，以隨著製造進展而監測間隙114。在一實施例中，在沿間隙之不同點處重複步驟202-214。請參照步驟216，信號處理器118比較多個位置處的間隙距離114之均勻性，以決定基板102最頂部表面502是否與機台300最底層表面504平行穿過間隙。此可用以偵測傾斜、基板失準、基板不規則，及其他狀況。以此方式，製造機台300決定間隙114距離，及可偵測其他校準問題，而不影響機台300之操作，及沒有與基板102接觸的風險。
在一些實例中，製造機台300是如上所述的清理設備100。然而，本案藉由參考第8圖及第9圖描述可操作以執行第2圖之方法200的另一適合製造機台。第8圖及第9圖是根據本揭示案之多個態樣之旋轉塗佈系統800之橫剖面視圖。為明確及便於說明，已經簡化圖式中一些元件，及已經放大圖式中一些元件。
旋轉塗佈系統800利用基板102旋轉以在整個表面上分配液體。液態的旋轉塗佈材料802可沉積在基板102中心，及基板102旋轉以驅動液體到達邊緣。以此方式，旋轉塗佈利用液體的離心趨勢以產生厚度顯著均勻之薄膜。此技術適合於在基板102上塗覆多種薄膜，例如其可包括光阻劑薄膜、多層光阻劑(例如三層抗蝕劑)薄膜、防反 射塗層薄膜(例如底部防反射塗層(bottom antireflective coating；BARC)薄膜)、硬質遮罩薄膜與/或其他適合之薄膜。因此，系統800可包括旋轉卡盤108，此卡盤可操作以固定及旋轉基板102。卡盤108可使用任何方法以固定基板102，如實體夾緊、真空保持、靜電吸引與/或其他夾持機制。與第1圖之基板102一樣，基板102是將由旋轉塗佈系統800操作的任何工作部件的示例，及可表示用於電路製造的光微影術遮罩、半導體基板，與/或用於任何其他適合應用中之任何其他適合基板。
旋轉塗佈系統800亦可包括安置在電樞126上之聲學(例如超聲)換能器116，大體上如第1-7圖中所述。例如，換能器116可包括換能器層120、襯底材料122，及可選的阻抗匹配層124，上述各者中每一者都大體上類似於第1-7圖中之各者。同樣，換能器116可耦接至信號處理器118，大體上如藉由參考先前圖式所述。
一旦基板102被固定，卡盤108圍繞中心軸旋轉，使得所夾持的基板102也隨之旋轉。基於應用，轉速可達到或超過3000rpm。由於湍流及旋轉不穩定性增大，對於較大晶圓的最大轉速將趨於減慢，且對於尺寸為300mm的基板102之典型最大轉速可在約800rpm與約4000rpm之間。卡盤108(及由此延伸到基板102)之轉速可在實施旋轉塗佈技術之期間改變，以便控制正在塗覆的旋轉塗佈材料802的散佈。
為了供應液體，旋轉塗佈系統800可包括安裝在可移動電樞110上的一或更多個液體供應噴嘴104及一或更多個氣體輸送噴嘴106。噴嘴104及106及電樞110可大體上類似於第1圖中之彼等各者。如第2-7圖中所述，旋轉塗佈系統800可利用聲學換能器116及信號處理器118，在旋轉塗佈材料802的塗覆期間藉由使用如第2-7圖中所述的方法200測量噴嘴與基板102之間的間隙114。
請參照第9圖，旋轉塗佈系統800亦可利用換能器116以在旋轉塗佈製程期間測量旋轉塗佈材料802之厚度與/或均勻性。為實現此目的，一般認為聲能可被任何介面反射，包括正在塗覆的旋轉塗佈材料802與周圍環境之間的介面，無論旋轉塗佈材料802是液態、半固態，還是固態皆如此。由此，可在基板102最頂部表面502處，以及在旋轉塗佈材料802之最頂部表面902處產生回聲。
用於測量薄膜厚度之方法1000將參照第10圖描述，此方法可由旋轉塗佈系統800執行。就此而言，第10圖是根據本揭示案之多個態樣的薄膜厚度量測方法1000之流程圖。應理解，在方法1000之前、期間與之後可提供額外的步驟，且在方法1000之其他實施例中，所述步驟中之一些步驟可被替換或相消。方法1000包括步驟1002-1014，此等步驟大體上分別類似於第2圖之步驟202-214。
請參照步驟1002，在旋轉塗佈系統800中接收及緊固基板102。基板102是待由旋轉塗佈系統800操作的 任何工作部件的示例，並可表示用於電路製造的光微影術遮罩、半導體基板，與/或用於任何其他適合應用中之任何其他適合基板。請參照步驟1004，電樞124用以使聲學換能器116沿基板102背側移動。電樞可直接位於旋轉塗佈材料802(或其他材料)厚度待測量之處的任何基準點下方對準換能器116。在一個實例中，電樞將換能器對準於基板102外邊緣，因為此處是旋轉塗佈材料802趨於最薄之處。
請參照步驟1006，換能器116發射諸如縱波之聲能，此聲能自換能器116被傳導貫穿基板102及貫穿旋轉塗佈材料802。此操作可在旋轉塗佈系統正在操作時執行，例如當基板102正在旋轉與/或當正在塗覆旋轉塗佈材料802之同時。聲能反射在每一材料介面處，包括基板102最頂部表面502處之介面及旋轉塗佈材料802之最頂部表面902處的介面。請參照第2圖之步驟1008及第7圖，換能器116接收到所產生的回聲及將其轉變為電信號，此電信號被提供至信號處理器118。
請參照步驟1010，信號處理器118辨識來自基板102最頂部表面502之響應，及來自旋轉塗佈材料802之最頂部表面902的響應。請參照步驟1012，信號處理器118決定來自基板102最頂部表面502之一階響應與來自旋轉塗佈材料802最頂部表面902的一階響應之間的時間差。請參照步驟1014，信號處理器118藉由以下方式測量旋轉塗佈材料802之厚度：用時間差乘以旋轉塗佈材料802中之聲學信號速度，然後由於信號兩次橫移越過間隙因此除以2。
在眾多實施例中，在整個旋轉塗佈製程中重複步驟1002-1014之方法。例如，請參照步驟1016，信號處理器118可比較在不同的位置進行的旋轉塗佈材料802之測得厚度，以決定旋轉塗佈材料802之均勻性。請參照步驟1018，信號處理器118可比較在不同時間進行的旋轉塗佈材料802之測得厚度，以決定旋轉塗佈材料802隨時間經過之流動或積聚。以此方式，旋轉塗佈系統800可實時監測旋轉塗佈薄膜的塗覆，及調節流速、旋轉速率、施加的熱能、乾燥時間，與/或其他處理參數。
清理設備100、製造機台300，及旋轉塗佈系統800僅是可執行方法200及方法1000的系統實例。此等實例是非限制性實例，且可操作以執行方法的其他系統皆為涵蓋並可提供。本案實施例可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例，或包含硬體及軟體元件之實施例的形式。此外，本揭示案之實施例可採取電腦程式產品形式，產品可由有形的電腦可用媒體或電腦可讀取媒體存取，媒體提供程式碼以由或結合電腦或任何指令執行系統使用。為進行此描述，有形的電腦可用媒體或電腦可讀取媒體可為任何可儲存程式之設備，此程式由或結合指令執行系統，設備，或裝置使用。媒體可包括非揮發性記憶體，記憶體包括磁性儲存器、固態儲存器、光儲存器、快取記憶體、隨機存取記憶體(Random Access Memory；RAM)。
由此，本揭示案提供一系統及測量製造機台與工作部件之間的間隙的方法，此方法可在製造機台正在操作 之同時執行。在一些實施例中，所提供之方法包括在機台內接收基板，以便界定此機台與基板之間的間隙。安置在與間隙相對的基板底表面上之換能器提供聲學信號，此信號被傳導貫穿基板。換能器亦接收來自基板頂表面之第一回聲及來自機台底表面之第二回聲，此基板頂表面界定間隙，及此機台底表面進一步界定間隙。基於第一回聲及第二回聲測量間隙寬度。在一些實施例中，機台底表面是噴嘴底表面，及在提供聲學信號期間，及在接收第一回聲及第二回聲期間，噴嘴在間隙中提供液體或氣體中之至少一者。
在又一些實施例中，所提供之方法包括接收一基板，此基板上安置有材料層。提供換能器，此換能器在與材料層相對之處耦接至基板。換能器發射聲學信號，此信號被引導貫穿基板。作為響應，換能器接收來自材料層底介面的第一回聲及來自材料層頂介面之第二回聲。基於第一回聲及第二回聲決定材料層厚度。在一些實施例中，換能器藉由阻抗匹配層而耦接至基板，及聲學信號被傳輸貫穿阻抗匹配層。
在又一些實施例中，所提供之系統包括卡盤，此卡盤可操作以固定基板以使得所夾持之晶圓界定基板與系統之間的間隙；包括換能器，此換能器可操作以：耦接至所固定的基板；發射聲學信號貫穿基板；接收來自界定間隙之基板表面之第一回聲；接收來自進一步界定間隙系統表面之第二回聲；及提供表示第一回聲及第二回聲之信號；及包括信號處理器，此信號處理器可操作以接收信號及根據第一 回聲及第二回聲決定與間隙關連之量測結果。在一些此類實施例中，系統進一步包括安置在換能器與基板之間的阻抗匹配層。阻抗匹配層在換能器阻抗與基板阻抗之間可具有阻抗。在一些實施例中，系統進一步包括電樞，此電樞耦接至換能器，及可操作以直接位於間隙下方對準換能器。
前述內容概括數個實施例之特徵，以便彼等熟習此項技術者可更佳地理解本揭示案之態樣。彼等熟習此項技術者應瞭解，本揭示案可易於用作設計或修正其他製程及結構之基礎，以實現與本案介紹之實施例相同的目的與/或達到與其相同的優勢。彼等熟習此項技術者亦應瞭解，此種同等構造不脫離本揭示案之精神及範疇，及可在不脫離本揭示案精神及範疇之情況下在本案中進行多種變更、取代及更動。
100‧‧‧清理設備
102‧‧‧基板
104‧‧‧噴嘴
106‧‧‧噴嘴
108‧‧‧卡盤
110‧‧‧電樞
112‧‧‧液體材料
114‧‧‧間隙
116‧‧‧聲學換能器
118‧‧‧信號處理器
120‧‧‧換能器層
122‧‧‧襯底材料
124‧‧‧聲學阻抗匹配層
126‧‧‧電樞

Claims (10)

  1. 一種量測方法，包括：在一機合內接收一基板，以界定該機台與該基板之間的一間隙；藉由一換能器提供一聲學信號，該換能器安置在該基板之一底表面上與該間隙相對之處，其中該聲學信號藉由一阻抗匹配層從該換能器被傳導至該基板，且貫穿該阻抗匹配層及該基板；藉由該換能器接收來自該基板之一頂表面之一第一回聲及來自該機台之一底表面之一第二回聲，該基板之該頂表面界定該間隙，及該機台之該底表面進一步界定該間隙；以及基於該第一回聲及該第二回聲測量該間隙之一寬度。
  2. 如請求項1所述之量測方法，其中該機台之該底表面是一噴嘴之一底表面，且其中在提供該聲學信號期間與在接收該第一回聲及該第二回聲期間，該噴嘴在該間隙中提供一液體或一氣體中之至少一者，其中該液體或該氣體中之該至少一者包括一液體清洗溶液或一旋轉塗佈材料。
  3. 如請求項1所述之量測方法，其中該間隙之該寬度的該量測包括： 基於該第一回聲及該第二回聲決定一第一時間及一第二時間，該換能器在該第一時間接收到該第一回聲，且該換能器在該第二時間接收到該第二回聲；以及基於該第一時間及該第二時間決定該間隙之該寬度，其中該間隙之該寬度是基於該第二時間與該第一時間之間的一差異，並將該差異乘以該聲學信號貫穿該間隙內一材料之一速度，然後除以2來決定。
  4. 如請求項1所述之量測方法，其中提供該聲學信號及接收該第一回聲及該第二回聲是在該間隙內與一第一位置相對之處執行的，及其中該寬度是一第一寬度，此第一寬度對應於該第一位置，該量測方法進一步包括：在該間隙內與一第二位置相對之處提供另一聲學信號；接收來自該基板之該頂表面之一第三回聲及來自該機台之該底表面之一第四回聲；基於該第三回聲及該第四回聲測量該間隙之一第二寬度，其中該第二寬度對應於該第二位置；以及基於該第一寬度及該第二寬度而決定該間隙之一均勻性。
  5. 如請求項1所述之量測方法，其中該阻抗匹配層安置在該換能器與該基板之間，並與該換能器與該基板中每一者實體接觸； 其中該阻抗匹配層具有一厚度，該厚度實質上等於該換能器之一中心頻率之四分之一的一整數倍數，且該阻抗匹配層具有一阻抗，該阻抗在該換能器之阻抗與該基板之阻抗之間。
  6. 一種量測方法，包括：接收一基板，該基板上安置有一材料層；提供一換能器，該換能器藉由一阻抗匹配層在與該材料層相對之處耦接至該基板；發射一聲學信號，該聲學信號經由該換能器貫穿該阻抗匹配層及該基板；藉由該換能器接收來自該材料層之一底介面的一第一回聲；藉由該換能器接收來自該材料層之一頂介面的一第二回聲；以及基於該第一回聲及該第二回聲決定該材料層之一厚度。
  7. 如請求項6所述之量測方法，其中決定該厚度包括：比較一第一時間與一第二時間，該第一回聲在該第一時間被接收，且該第二回聲在該第二時間被接收，其中該厚度根據以下該方程式而決定：D=V*(t'-t1)/2 其中D是該材料層之該厚度，V是該聲學信號貫穿該材料層之該速度，t1是該第一時間，且t'是該第二時間。
  8. 一種量測系統，包括：一卡盤，可操作以固定一基板，以使得被固定之該基板界定該基板與該系統之間的一間隙；一換能器，可操作以：藉由一阻抗匹配層耦接至該被固定的基板；發射一聲學信號，該聲學信號貫穿該阻抗匹配層及該基板；接收來自界定該間隙之該晶圓之一表面的一第一回聲；接收來自進一步界定該間隙之該系統之一表面的一第二回聲；以及提供一信號，該信號用以表示該第一回聲及該第二回聲；以及一信號處理器，可操作以接收該信號，及利用該第一回聲及該第二回聲決定與間隙該相關聯連之一量測結果。
  9. 如請求項8所述之量測系統，其中該阻抗匹配層安置在該換能器與該基板之間，且該阻抗匹配層具有一阻抗，該阻抗在該換能器的一阻抗與該基板的一阻抗之間。
  10. 如請求項8所述之量測系統，其中該信號處理器可操作以基於接收該第一回聲時之一時間及接收該第二回聲時之一時間決定該量測結果。
TW105120583A 2015-11-16 2016-06-29 量測系統與其量測方法 TWI603055B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/942,402 US10794872B2 (en) 2015-11-16 2015-11-16 Acoustic measurement of fabrication equipment clearance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201719116A TW201719116A (zh) 2017-06-01
TWI603055B true TWI603055B (zh) 2017-10-21

Family

ID=58640097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105120583A TWI603055B (zh) 2015-11-16 2016-06-29 量測系統與其量測方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10794872B2 (zh)
KR (1) KR101811124B1 (zh)
CN (1) CN106989701B (zh)
DE (1) DE102016100066B4 (zh)
TW (1) TWI603055B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102415678B1 (ko) * 2017-03-30 2022-07-04 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 세정 장치
CN108592833B (zh) * 2018-05-30 2021-05-25 深圳市安思科电子科技有限公司 一种测量精度高的超声波测厚设备
CN113195185A (zh) 2018-12-21 2021-07-30 国立大学法人东海国立大学机构 激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置
US11387099B2 (en) * 2020-11-18 2022-07-12 Sandisk Technologies Llc Spin coating process and apparatus with ultrasonic viscosity control
CN114577152A (zh) * 2022-02-28 2022-06-03 北京烁科精微电子装备有限公司 一种基于声波的抛光垫沟槽检测方法及其检测系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101673659A (zh) * 2008-09-10 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测测试机台测量稳定性的方法
TW201231018A (en) * 2010-10-13 2012-08-01 Maui Imaging Inc Concave ultrasound transducers and 3D arrays
TW201508594A (zh) * 2013-08-28 2015-03-01 Au Optronics Corp 感測裝置與定位方法
TW201509592A (zh) * 2013-07-24 2015-03-16 Disco Corp 裂痕厚度檢測裝置
TW201537203A (zh) * 2014-03-26 2015-10-01 Joy Technology Shen Zhen Co Ltd 距離量測裝置及距離量測方法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3220248A (en) * 1962-08-20 1965-11-30 American Mach & Foundry Ultrasonic inspection device
US3690154A (en) * 1969-07-21 1972-09-12 Atomic Energy Authority Uk Apparatus for measuring thickness
US3748895A (en) * 1971-06-01 1973-07-31 Magnaflux Corp Pulse ultrasound thickness measuring system having interrogation control
JPS5571904A (en) * 1978-11-25 1980-05-30 Japan Steel Works Ltd:The Measurement of thickness of laminate and base material of clad steel by ultrasonic wave
DE3147900A1 (de) 1981-12-03 1983-06-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München "ultraschall-winkelpruefkopf"
JPS58158512A (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd 被膜厚測定法
US4523122A (en) * 1983-03-17 1985-06-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric ultrasonic transducers having acoustic impedance-matching layers
JPS59192907A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Toppan Printing Co Ltd 厚み測定方法
US4539847A (en) * 1984-01-03 1985-09-10 Texaco Inc. Acoustic method and apparatus for measuring thickness of a coating layer on a substrate
US5271274A (en) 1991-08-14 1993-12-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thin film process monitoring techniques using acoustic waves
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
JP3348561B2 (ja) 1995-03-31 2002-11-20 日産自動車株式会社 研削加工におけるギャップ測定方法および装置
DE19533466A1 (de) * 1995-09-11 1996-09-12 Siemens Ag Ultraschallprüfkopf für die zerstörungsfreie Werkstoffprüfung
SG71082A1 (en) * 1997-01-30 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist
US5974886A (en) * 1997-09-15 1999-11-02 General Electric Company Method and apparatus for thickness determination in multilayer articles
US6548115B1 (en) * 1998-11-30 2003-04-15 Fastar, Ltd. System and method for providing coating of substrates
JP2000310522A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Tosoh Corp 二層構造金属体の厚さ測定方法
US6524774B1 (en) * 2000-08-30 2003-02-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method of controlling photoresist thickness based upon photoresist viscosity
US7130029B2 (en) * 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US7349090B2 (en) * 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6919957B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
KR100811964B1 (ko) * 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
US6355156B1 (en) * 2000-09-29 2002-03-12 General Electric Company Method of monitoring electrochemical machining process and tool assembly therefor
US6638366B2 (en) * 2001-05-15 2003-10-28 Northrop Grumman Corporation Automated spray cleaning apparatus for semiconductor wafers
US7201936B2 (en) * 2001-06-19 2007-04-10 Applied Materials, Inc. Method of feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes
JP3549523B2 (ja) * 2002-01-28 2004-08-04 松下電器産業株式会社 音響整合層、超音波送受波器およびこれらの製造方法
CA2405656A1 (en) * 2002-09-27 2004-03-27 Nigel Ashley Preston Method for determining echo distance using autocorrelation
US6951042B1 (en) * 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
US7256104B2 (en) * 2003-05-21 2007-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus
US20050172894A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Farnworth Warren M. Selective deposition system and method for initiating deposition at a defined starting surface
US20050228491A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Snyder Alan J Anti-adhesive surface treatments
US7661315B2 (en) * 2004-05-24 2010-02-16 Sonix, Inc. Method and apparatus for ultrasonic scanning of a fabrication wafer
KR100579375B1 (ko) 2004-06-08 2006-05-12 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼와 노즐 간의 간격 조정이 가능한 현상 장치 및 그방법
JP2006254360A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Mitsumi Electric Co Ltd 超音波送受信装置
JP4959721B2 (ja) 2006-01-20 2012-06-27 アクリオン テクノロジーズ インク 平らな物を処理するための音響エネルギシステム、方法及び装置
US8518628B2 (en) 2006-09-22 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface switchable photoresist
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8580117B2 (en) 2007-03-20 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufactuing Company, Ltd. System and method for replacing resist filter to reduce resist filter-induced wafer defects
TWI421933B (zh) 2007-05-16 2014-01-01 Lam Res Corp 板狀物件之超音波濕式處理的裝置與方法
DE102007049103B4 (de) * 2007-10-11 2011-03-31 Vistec Semiconductor Systems Gmbh System zum Bestimmen der lagerichtigen Position einer Maske in einer Ablage einer Koordinaten-Messmaschine
JP5221314B2 (ja) * 2007-12-26 2013-06-26 パナソニック株式会社 超音波測定方法、及び、電子部品製造方法
EP2088395A1 (en) 2008-02-08 2009-08-12 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Measurement of the thickness of a liquid layer.
WO2010009050A2 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Substrate lift pin sensor
US7973547B2 (en) * 2008-08-13 2011-07-05 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for detecting a crack in a semiconductor wafer, and a wafer chuck
US8216767B2 (en) 2009-09-08 2012-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Patterning process and chemical amplified photoresist with a photodegradable base
JP2013529941A (ja) * 2010-04-27 2013-07-25 ネステク ソシエテ アノニム 一体型超音波送受信器を有する飲料マシン
KR101776926B1 (ko) 2010-09-07 2017-09-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8323870B2 (en) 2010-11-01 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and photoresist with zipper mechanism
EP2603790B1 (de) * 2010-11-12 2016-03-30 Ev Group E. Thallner GmbH Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
US8901537B2 (en) 2010-12-21 2014-12-02 Intel Corporation Transistors with high concentration of boron doped germanium
JP5552447B2 (ja) * 2011-01-25 2014-07-16 トヨタ自動車株式会社 超音波計測方法、及び超音波計測装置
US8647796B2 (en) 2011-07-27 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoactive compound gradient photoresist
US8741551B2 (en) 2012-04-09 2014-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and composition of a dual sensitive resist
DE102012209238A1 (de) * 2012-05-31 2013-12-05 Robert Bosch Gmbh Ultraschallsensor sowie Vorrichtung und Verfahren zur Messung eines Abstands zwischen einem Fahrzeug und einem Hindernis
US9213234B2 (en) 2012-06-01 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photosensitive material and method of lithography
US9851636B2 (en) 2012-07-05 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Materials and methods for improved photoresist performance
US20140017615A1 (en) 2012-07-11 2014-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for resist coating and developing
US9256133B2 (en) 2012-07-13 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for developing process
US8703556B2 (en) 2012-08-30 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a FinFET device
US9028915B2 (en) 2012-09-04 2015-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a photoresist layer
US8906595B2 (en) 2012-11-01 2014-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for improving resist pattern peeling
US9012132B2 (en) 2013-01-02 2015-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Coating material and method for photolithography
US8936903B2 (en) 2013-03-09 2015-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photo-resist with floating acid
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9223220B2 (en) 2013-03-12 2015-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photo resist baking in lithography process
US9146469B2 (en) 2013-03-14 2015-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Middle layer composition for trilayer patterning stack
CN104952704B (zh) * 2014-03-25 2017-12-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 涂层的形成方法
JP6386769B2 (ja) * 2014-04-16 2018-09-05 株式会社荏原製作所 基板乾燥装置、制御プログラム、及び基板乾燥方法
CN104792284B (zh) * 2015-01-23 2017-06-30 浙江万里学院 一种超声波厚度测量的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101673659A (zh) * 2008-09-10 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测测试机台测量稳定性的方法
TW201231018A (en) * 2010-10-13 2012-08-01 Maui Imaging Inc Concave ultrasound transducers and 3D arrays
TW201509592A (zh) * 2013-07-24 2015-03-16 Disco Corp 裂痕厚度檢測裝置
TW201508594A (zh) * 2013-08-28 2015-03-01 Au Optronics Corp 感測裝置與定位方法
TW201537203A (zh) * 2014-03-26 2015-10-01 Joy Technology Shen Zhen Co Ltd 距離量測裝置及距離量測方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170138911A1 (en) 2017-05-18
TW201719116A (zh) 2017-06-01
US20230366857A1 (en) 2023-11-16
DE102016100066B4 (de) 2022-12-01
US20210072196A1 (en) 2021-03-11
US11709153B2 (en) 2023-07-25
DE102016100066A1 (de) 2017-05-18
US10794872B2 (en) 2020-10-06
KR20170057103A (ko) 2017-05-24
US10845342B2 (en) 2020-11-24
CN106989701A (zh) 2017-07-28
KR101811124B1 (ko) 2017-12-20
CN106989701B (zh) 2020-12-08
US20180348171A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI603055B (zh) 量測系統與其量測方法
US7252097B2 (en) System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
JP6135965B2 (ja) プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法、電極、電極の再生方法、プラズマエッチング装置、ガス導入孔の状態分布図の表示方法
US10121672B2 (en) Cutting method for cutting processing-target object and cutting apparatus that cuts processing-target object
TWI612389B (zh) 處理基板之方法及裝置
JP6531831B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP3218881B2 (ja) ウェーハ膜厚測定装置、ウェーハ膜厚測定方法およびウェーハ研磨装置
JP2018121045A (ja) 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体
TWI788383B (zh) 研磨裝置及研磨方法
JP2006198460A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP4105613B2 (ja) 基板処理装置
KR20140086846A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
TWM631544U (zh) 單晶圓處理設備
JP6615199B2 (ja) 検出方法
JP2020006286A (ja) メンテナンストレイ
TWI806604B (zh) 單晶圓處理設備、單晶圓處理方法和單晶圓處理系統
JP5892756B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
US11761929B2 (en) Sensor apparatus for lithographic measurements
JP2006084323A (ja) 隙間検査装置
JP2019067984A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR20230044204A (ko) 제조 공정 편차 결정 방법, 교정 방법, 검사 도구, 제조 시스템 및 샘플
KR20090011635A (ko) 스핀 스크러버
JP2023125257A (ja) 基板処理装置および基板検知方法
JP2011009544A (ja) 被処理体の処理方法及び被処理体の処理装置
JP2010062439A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置