TWI600349B - 印刷佈線板及印刷佈線板之製造方法 - Google Patents

印刷佈線板及印刷佈線板之製造方法 Download PDF

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Description

印刷佈線板及印刷佈線板之製造方法
本發明係關於印刷佈線板及印刷佈線板之製造方法。
隨著電子機器之高機能化等要求，電子零件之高密度集成化、進而朝高密度安裝化等正進展，此等所使用之高密度安裝對應的印刷佈線板等較習知增加，並進行著小型薄型化、高密度化及多層化。
作為於此種印刷佈線板之基板上形成導體電路圖案的方法，已記載於例如專利文獻1中。
專利文獻1記載的方法，係記載有：首先，於雙面銅箔積層板上形成絕緣樹脂層，將此絕緣樹脂層之表面粗化後，於其表面上形成導電體層，接著，以抗蝕刻劑作為遮罩而進行蝕刻，藉此形成導電體層之圖案(導體電路圖案)。此專利文獻1中記載，藉由將該導體電路圖案之屬於基底層的絕緣樹脂層之表面粗度減小，則可防止抗蝕刻劑之殘渣殘留，抑制導電電路圖案的佈線精降低。
另外，專利文獻1記載之絕緣樹脂層之表面粗度，係藉由Ra及Rz所規定；Ra係於表示其表面凹凸之圖表中，相對於山側之中心粗度的平均粗度；Rz係表示同圖之山側粗度中較大者之5點與谷側粗度中較大者之5點的共計10點的平均粒度(以下，表示表面凹凸之圖表中，有時將相當於凹 部的部分稱為谷，將相當於凸部的部分稱為山)。
專利文獻1：日本專利特開2005-5458號公報
然而，在習知形成細微導電電路圖案的步驟中，於抑制絕緣樹脂層上之導電體層之蝕刻特性的偏差方面存在界限。例如，為了提升導電體層之蝕刻特性，要求減小導電體層的表面粗度。
然而，本發明者等人經研討，結果判明，於印刷佈線板之技術區域中一般使用之表示表面粗度的Ra及Rz，由於未正確規定表面形狀，故即使採用此等Ra及Rz作為指標，將絕緣樹脂層表面之Ra及Rz控制為較小，在製品間，形成於其上之導電體層的表面粗度仍發生偏差。例如，由於Ra及Rz屬於未表示山之寬度的指標，故僅藉由控制此等指標，則可能有基底之絕緣樹脂層之表面的山的間隔變廣，因此於導電體層產生凹陷的情形。
因此，習知技術中，有此種導電體層之蝕刻特性發生偏差的情形，而尚有改善餘地。
根據本發明，提供一種印刷佈線板之製造方法，其包含：由在至少絕緣層之一面上積層有具有載體基材之銅箔的積層板，分離上述載體基材的步驟； 於上述銅箔上，整面或選擇性地形成較上述銅箔厚的金屬層的步驟；與藉由至少對上述銅箔進行蝕刻，得到由上述銅箔及上述金屬層所構成的導電電路圖案的步驟；用以獲得上述導電電路圖案之上述步驟中，依JIS B0601進行測定時，上述絕緣層之上述一面的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
本發明者等人經研討後，結果認為，在基底之絕緣層的一面，存在山高較小、山之間隔較窄且存在銳角之山的表面形狀圖案時，形成於絕緣層之一面上的銅箔之蝕刻特性之偏差減低。
本發明者發現，將指示山之高度較小的指標、以及指示山之間隔較窄且呈銳角的指標的兩者控制為適當值，則形成於基底上之銅箔的蝕刻特性的偏差減低，故藉由採用表示山之最大高度的Rp、及表示山之尖銳度(山之間隔較窄)的Rku作為此種指標，將Rp控制為4.5μm以下、Rku控制為2.1以上，則可適當地控制絕緣層之一面的表面形狀圖案，可實現銅箔之蝕刻特性之偏差抑制，遂完成本發明。
另外，根據本發明，提供一種印刷佈線板，其具備：絕緣層；與導電電路圖案，係設於上述絕緣層之一面上，由銅箔及金屬層所構成； 依JIS B0601進行測定時，上述絕緣層之上述一面的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
由於控制成絕緣層之一面的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上，故如上述般，抑制銅箔之蝕刻特性之偏差，實現產率優越的構造。
根據本發明，可提供產率優越的印刷佈線板。
上述目的及其他目的、特徵與優點，係藉由以下所述之較佳實施形態及隨附之圖式進一步闡明。
以下，針對本發明之實施形態，使用圖式進行說明。又，所有圖式中，對同樣之構成要件均加註同樣符號，並適當省略說明。
(第1實施形態)
圖1為表示第1實施形態之印刷佈線板之製造方法之步驟順序的剖面圖。以下，針對第1實施形態之印刷佈線板之製造方法的概略進行說明後，說明此製造方法的作用效果。又，關於第1實施形態之詳細製法條件或材料等，將於第2實施形態中後述。
第1實施形態之印刷佈線板之製造方法的步驟，係包括：由在至少絕緣層102之一面30上積層有具有載體基材之銅箔(銅箔層104)的積層板(具載體箔之銅箔積層板10)，將載 體基材(載體箔層106)分離的步驟；於銅箔層104上，整面或選擇性地形成較銅箔層104厚的金屬層115的步驟；與藉由至少對銅箔層104進行蝕刻，得到由銅箔層104及金屬層115所構成的導電電路119之圖案的步驟。本製造步驟中，在得到本製造步驟之導電電路119之圖案的步驟後，依JISB0601進行測定時，絕緣層102之一面30的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
亦即，第1實施形態之印刷佈線板之製造方法的步驟，係包括以下步驟。首先，如圖1(a)所示般，準備具有載體箔之銅箔積層板10。該具有載體箔之銅張積層板10中，係於絕緣層102之雙面上貼附有銅箔層104與載體箔層106。接著，如圖1(b)所示般，由具有載體箔之銅箔積層板10將載體箔層106進行拉剝等而去除。接著，如圖1(c)所示般，於殘存之銅箔層104上形成具有既定開口圖案的抗鍍層112。於該抗鍍層112之開口圖案內及銅箔層104上，藉鍍覆處理形成鍍覆層(金屬層115)(圖1(d))。接著，如圖1(e)所示，去除抗鍍層112。藉此，可於銅箔層104上選擇性地形成既定之金屬層115的圖案。其後，如圖1(f)所示，在未被覆金屬層115之區域中，將形成於絕緣層102之一面30上的銅箔層104，藉由例如軟蝕刻予以去除。在軟蝕刻步驟中，絕緣層102之一面30的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。在此種銅箔層104之去除步驟後，藉由殘存之銅箔層104 與金屬層115，可形成導電電路119的圖案。藉由以上步驟，得到本實施形態之印刷佈線板101(圖1)。
另外，圖2為第1實施形態之印刷佈線板101中之導電電路119的擴大剖面圖。如圖2所示，本實施形態之印刷佈線板101，具備：絕緣層102；設於絕緣層102之一面30上，由銅箔層104及金屬層115所構成的導電電路119的圖案。該印刷佈線板101係特定為，在依JIS B 0601進行測定時，絕緣層102之一面30的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
以下，針對表示粗度曲線之最大山高度的Rp、表示粗度曲線之峰度(尖度，Kurtosis)的Rku，使用圖14及圖15進行說明。此等之Rp及Rku，係如下述而測得：針對絕緣層102之一面30的表面粗度，根據JIS B0601(2001年)，將截止值設為無而進行測定。本實施形態中，所謂粗度曲線，係指表示表面粗度的凹凸曲線。此粗度曲線係藉市售裝置而獲得。本實施形態中，在表示絕緣層102之表面(一面30)凹凸的圖中，谷係指相當於凹部的部分，山係使相當於凸部的部分。
所謂最大山高度，係如圖14所示，指基準長度Ir中之輪廓曲線之凸部(Zpi)的最大值。因此，減小Rp即意味著在絕緣層102之一面30中減小山之最大高度。因此，藉由減小Rp，可減小山之最小高度與最大高度的差。
另外，所謂粗度曲線之峰度Rku，係如圖15所示般，表 示絕緣層102之一面30中山之尖銳程度。因此，增大Rku即意味著在絕緣層102之一面30中使山成為銳角。因此，藉由增加Rku，可使山之寬度減小、使山間之間隔變窄。又，Rku係藉下式所算出。
於此，Ir：基準長，Z(x)：滾圓波紋度曲線，Rq：粗度曲線之平方根。
習知，本發明所屬之技術領域中，通常藉由Ra或Rz等指標規定表面粗度。(例如參照專利文獻1)。
然而，經本發明者等人研討，結果判明，此等指標並無法稱得上能充分反映出基底之表面形狀圖案。例如，由於Ra係並非直接指示山高度之最大值的指標，故即使將Ra指標控制為較小，山高度的最大值仍可能變大。而且，基底之表面圖案有可能山之最大值與最小值的差變大，而在其上所形成之銅箔表面產生高低差。另一方面，由於Ra係未表示山之寬度的指標，故僅藉由控制此等指標，仍可能有基底之絕緣樹脂層之表面的山之間隔變廣，因此於導電體層產生凹陷的情形。
如此，習知技術中，即使控制了此種指標，仍難以充分控制基底之表面形狀圖案。
因此，習知基底之表面形狀圖案，有山之高度較高、且山之間隔變廣的情形，在具有此種表面形狀之基底的表面上所形成的銅箔的表面上，由於表面形狀發生偏差，故習知技術中，難以使銅箔之蝕刻特性穩定化。
本發明者等人經檢討後，結果發現，藉由將表示基底之絕緣層102中山之最大高度的所謂Rp的參數減小，且將表示山之尖銳度(山之間隔較窄)的所謂Rku的參數增大，則使銅箔層104(設於基底上之銅箔)的蝕刻特性提升，形成良好佈線形狀的導電電路119圖案。
根據上述實驗事實，本發明者建立下述假設。亦即，在基底之絕緣層102之表面，存在山高度較小、山之間隔較窄且存在銳角之山的表面形狀圖案時，形成於絕緣層102上之銅箔層104的蝕刻特性的偏差減低。
因此，經各種實驗後，結果發現，在將指示山之高度較小的指標、以及指示山之間隔較窄且呈銳角的指標的兩者控制為適當值後，則形成於基底上之銅箔的蝕刻特性的偏差減低，故本發明者採用表示山之最大高度的Rp、以及表示山之劣銳度(山之間隔較窄)的Rku作為此種指標，藉由控制成Rp為4.5μm以下、Rku為2.1以上，則可適當控制絕緣層102之一面30的表面形狀圖案，可實現銅箔之蝕刻特性的偏差抑制，遂完成本發明。
本實施形態中，藉由形成間隔較窄且存在銳角之山的圖案 作為上述表面形狀圖案，則可使例如山之個數增加。藉此，由於絕緣層102之一面30之面積增加，故絕緣層102與銅箔層104之接觸面積亦增加。藉此，可實現絕緣層與含有銅箔層104之導電電路119間之密黏性優越的印刷佈線板101。
另外，根據本實施形態之印刷佈線板之製造方法，可抑制絕緣層102之一面30發生條紋。其機制尚不明確，但推測由於在絕緣層102之一面30上，可形成山高度及山之間隔均勻的表面形狀圖案作為上述表面形狀圖案，故絕緣層102由銅箔層104所受到的水平方向之應力的偏差變少，故可抑制於絕緣層102發生條紋。
於此，若於絕緣層102發生條紋，則為了去除條紋中之殘渣(例如蝕刻殘渣)而蝕刻過剩，有佈線形狀變得不良的情形。另一方面，若蝕刻量不足，則無法去除條紋中之殘渣，有發生連接不良之虞。又，若於絕緣層102發生條紋，則在多層佈線構造中，可能發生孔洞而使連接可靠性降低。
然而，本實施形態中，由於可如上述般抑制條紋發生，故可防止因此種條紋所造成的佈線形狀之不良、連接不良、或連接可靠性之降低。
本實施形態中，絕緣層102之一面30中Rp之上限值為4.5μm以下、較佳3.5μm以下、更佳2.5μm以下。另一方面，Rp之下限值並無特別限定，例如較佳為0.5μm以上、更佳 1.0μm以上、再更佳1.5μm以上。藉由將Rp設為上述範圍，則可減低細微佈線形成時之蝕刻殘渣等之不良，產率佳地得到印刷佈線板。再者，細微佈線電路間之絕緣可靠性優越。
另外，本實施形態中，絕緣層102之一面30中Rku之上限值並無特別限定，例如較佳為10以下、更佳8以上、再更佳6以下。另一方面，Rku之下限值為2.1以上、較佳3.0以上、更佳3.5以上。藉由將Rku設為上述範圍內，則因基底表面成為細微凹凸，故形成於其上的銅箔層104的蝕刻特性均勻。因此，亦可使銅箔層104等之導體層之側蝕刻特性均勻。又，由於接觸面積增大，故與導體層間之密黏性優越。因此，本實施形態之印刷佈線板101係耐熱性及細微佈線間之絕緣可靠性優越。
於此，針對良好之佈線形狀，使用圖2~圖4進行說明。圖4中，銅箔積層板1具有絕緣層2、銅箔層4、金屬層14。所謂良好之佈線形狀，第1係指依殘邊較習知少之特性所特定的形狀。該殘邊係如圖4所示般，於俯視時，在與金屬層14之延伸存在方向呈正交的寬度方向，在金屬層14之外側區域銅箔層4擠出形成的部分。針對是否發生該殘邊的判斷，使用圖2、圖3進行說明。如此等圖所示，例如於剖面視時，以上述寬度方向之銅箔層104(14)的最大寬度作為L1，以上述寬度方向之金屬層115(14)之最小寬度作為L2時，在L1-L2=△L大於0時，則判斷為發生殘邊。此種情 況下，在本實施形態之導電電路119中，可使△L小於習知者，較佳係L1與L2相同(圖2(a))，更佳係L1小於L2。在L1小於L2時，剖面視時之銅箔層104係具有銅箔層104之平面方向之寬度小於金屬層115之平面方向之寬度的區域(圖2(b))。由此種L1及L2所特定的導電電路119之圖案可稱為良好之佈線形狀。
另外，本實施形態之所謂良好之佈線形狀，第2係指金屬層115之形狀依維持所需形狀之特性所特定者(圖2(a)及(b))。於此所謂所需形狀，係指如設計般之形狀，例如指四角形狀等。即使在L1與L2相同、進而L1小於L2的情況，仍使銅箔層104之蝕刻特性提升，故可實現該種形狀。
另外，作為銅箔層104之剖面形狀，係如圖2(a)所示般，可為具有與金屬層115相同寬度的矩形形狀，亦可如圖2(b)所示般，為倒錐形狀。該倒錐形狀之銅箔層104，係於俯視時，由第1面(上面20)朝向第2面(下面22)，其面積可變小(其中，亦可因製造步驟中之偏差，而於側面24之一部分形成凹凸)。又，如圖5所示般，在寬度方向之剖面視時，相對於絕緣層102之垂線與側面24所形成的角θ(逆時針之角度)，例如較佳為0度以上且20度以下，更佳為1度以上且10度以下。
另外，作為其他之銅箔層104之形狀，可為圖6(a)所示之魚板(半圓)形狀，亦可為圖6(b)所示之縮頸形狀。藉由使用 此種形狀之銅箔層104，則可在導電電路119中使L1小於L2，進而相較於倒錐形狀，可將與絕緣層102間之接黏面積確保為一定以上。
另外，在本實施形態之印刷佈線板中，針對線間距(以下稱為L/S)控制性優越一事，使用圖4進行說明。
圖4所示之間距S2及間距S1，係表面相對於導電電路19、119所延伸存在的方向，呈正交方向之寬度方向中最鄰接之導電電路19、119間的距離。
於習知之印刷佈線板之製造方法中，由於銅箔層4之蝕刻特性發生偏差，而有發生銅箔層4之殘邊、或蝕刻殘留的情形。為了使此種銅箔層4經常性地離間而呈電氣分離，必須如圖4(b)所示般，充分確保間距S2。換言之，間距S2必須配合L1之變動而進行調整。在習知之印刷佈線板之製造方法中，由於此種L1/S2之控制性較低，故難以形成細微佈線。
相對於此，在本實施形態之印刷佈線板之製造方法中，由於可提升銅箔層104之蝕刻特性，故可在將金屬層115之形狀維持為所需形狀之下，控制寬度方向之銅箔層104的寬度。因此，由於可使L1成為L2以下(亦即，使殘邊消失)，故可藉由金屬層115之最小寬L2決定間距S1。該L2係如上述般，可作成為設計般之值。因此，在本實施形態之印刷佈線板之製造方法中，此種L2/S1的控制性優越。因此，由於L/S控制性優越，故可抑制連接不良，並得到可進行細微 佈線加工的印刷佈線板之製造方法。
另外，本實施形態中，將對於銅箔層104之側面24的蝕刻稱為側蝕刻。此側蝕刻時，係相對於絕緣層102之上面於水平方向上進行蝕刻。
另一方面，將對於銅箔層104上面20之蝕刻稱為縱蝕刻。此縱蝕刻時，係相對於絕緣層102之上面於垂直方向上進行蝕刻。
(第2實施形態)
以下，針對第2實施形態之印刷佈線板之製造方法進行說明。第2實施形態中，係針對第1實施形態中所省略之詳細的製造條件或材料等進行例示。
第2實施形態之印刷佈線板之製造方法，係於整面或選擇性地形成金屬層116之步驟進一步包括下述步驟的點，與第1實施形態相異：形成貫通由銅箔層104及絕緣層102所構成之銅箔積層板100的貫通孔108的步驟；於至少貫通孔108之內壁使藥液接觸的步驟；與藉由無電解鍍覆，形成將絕緣層102之上面上與背面上之銅箔層104電性連接的無電解鍍覆層110的步驟。
圖7及圖8係表示第2實施形態之印刷佈線板之製造方法的步驟順序的剖面圖。
首先，如圖7(a)所示，準備於絕緣層102之兩面貼合有載體箔層106與銅箔層104的具有載體箔之銅箔積層板10。
作為具有載體箔之銅箔積層板10，係例如於銅箔積層板100之至少一面上積層可剝離之載體箔層106。該銅箔積層板100(以下亦稱為積層板)並無特別限定，可使用例如帶有材基之具有絕緣樹脂層之絕緣層102的至少一面積層有銅箔層104者(圖中省略纖維基材)。該積層板可為單層，亦可具有多層構造。亦即，作為積層板，可僅由核層所構成，但亦可使用於核層上形成了增建層者。此種積層板可應用公知物，例如可使用將預浸體重疊複數片者等。該預浸體並無特別限定，例如可藉由於玻璃布等之基材中，使含有熱硬化性樹脂、硬化劑及填充劑等之樹脂組成物浸含等的方法而獲得。而且，作為積層板，可使用於至少單面重疊具有載體箔之極薄金屬箔並經加熱加壓成形者等。又，增建層之層間絕緣層中，可使用與核層相同的材料，亦可為基材或樹脂組成物相異。本實施形態中，絕緣層102係相當於構成核層或增建層的絕緣樹脂層。關於使用具備增建層之積層板的例子，將藉第3實施形態進行詳述。
構成本實施形態所使用之積層板以及層間絕緣層之樹脂組成物，可使用已用於作為印刷佈線板之絕緣材料的公知樹脂(以下亦稱為絕緣樹脂組成物)，通常主要使用耐熱性、耐藥品性良好的熱硬化性樹脂。上述樹脂組成物並無特別限定，較佳係至少含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物。
作為熱硬化性樹脂，可舉例如脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹 脂、順丁烯二醯亞胺化合物、聚胺基甲酸酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、具有苯并環之樹脂、雙烯丙基奈特醯亞胺化合物、乙烯基苄基樹脂、乙烯基苄基醚樹脂、苯并環丁烯樹脂、氰酸酯樹脂、環氧樹脂等。其中，硬化性樹脂較佳係玻璃轉移溫度200℃以上的組合。例如較佳係含螺環、雜環式、三羥甲基型、聯苯型、萘型、蒽型、酚醛清漆型之2或3官能以上之環氧樹脂、氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂的預聚物)、順丁二醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂、具有苯并環的樹脂。於使用環氧樹脂及/或氰酸酯樹脂時，係線膨脹變小、耐熱性明顯提升。又，若將環氧樹脂及/或氰酸酯樹脂與高填充量之填充材組合，則有難燃性、耐熱性、耐衝擊性、高剛性及電氣特性(低介電係數、低耗損因數)優越的優點。於此，耐熱性之提升可認為係起因於在上述熱硬化性樹脂之硬化反應後玻璃轉移溫度成為200℃以上、硬化後之樹脂組成物之熱分解溫度變高、於250℃以上之反應殘渣等之低分子量減低所造成。再者，難燃性之提升可認為係由於芳香族系之熱硬化性樹脂於其構造上的苯環比例較高，故該苯環容易碳化(石墨化)，產生碳化部分所造成。
上述樹脂組成物亦可在不損及本發明效果的範圍內進一步含有難燃劑，由環境方面而言，較佳為非鹵素系難燃劑。作為難燃劑，可舉例如有機磷系難燃劑、有機系含氮磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。作為有 機磷系難燃劑，可舉例如三光(股)製之HCA、HCA-HQ、HCA-NQ等之膦化合物，昭和高分子(股)製之HFB-2006M等之含磷苯并化合物，北興化學工業(股)製之PPQ，Clariant(股)製之OP930，大八化學(股)製之PX200等之磷酸酯化合物，東都化成(股)製之FX289、FX310等之含磷環氧樹脂，東都化成(股)製之ERF001等之含磷苯氧基樹脂等。作為有機系含氮磷化合物，可舉例如四國化成工業(股)製之SP670、SP703等之磷酸酯醯胺化合物，大塚化學(股)公司製之SPB100、SPE100，伏見製作所(股)製FP系列等之磷氮化合物等。作為金屬氫氧化物，可舉例如宇部Materials(股)製之UD650、UD653等之氫氧化鎂，住友化學(股)製CL310，昭和電工(股)製HP-350等之氫氧化鋁等。
作為上述樹脂組成物所使用之環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、茬型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等之芳基伸烷氧基環氧樹脂，萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂、雙萘基型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等之萘型環氧樹脂，蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環 氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷基環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可單獨使用此等中之一種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上。又，亦可將此等中之1種或2種以上、與其等之預聚物併用。
此等環氧樹脂中，較佳係芳基伸烷基型環氧樹脂。藉此，可進一步提升吸濕焊錫耐熱性及難燃性。
所謂芳基伸烷基型環氧樹脂，係指於重複單位中具有一個以上芳基伸烷基的環氧樹脂。可舉例如茬型環氧樹脂、聯苯基二亞甲基型環氧樹脂等。此等之中，較佳為聯苯基二亞甲基型環氧樹脂。聯苯基二亞甲基型環氧樹脂可由例如下述一般式(1)所示。又，作為聯苯基二亞甲基型環氧樹脂，可舉例如日本化藥(股)製之NC-3000、NC-3000L、NC-3000-FH。
由上述一般式(1)所示之聯苯基二亞甲基型環氧樹脂的平均重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n過小，則因聯苯基二亞甲基型環氧樹脂容易結晶化、對通用溶媒之溶解性較低，故有操作困難的情形。n之上限並無特別限定，較佳為10以下、特佳5以下。若n過大，則有樹脂之流動性降低、成為成形不良等 之原因的情形。
作為上述以外之環氧樹脂，較佳係具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。藉此，可進一步提升耐熱性、低熱膨脹性。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，有如萘、蒽、菲、苯四稠、、芘、聯三伸苯及四苯、其他具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型，由於使複數芳香環規則性地配列，故低熱膨脹性優越。又，由於玻璃轉移溫度亦較高，故耐熱性優越。再者，由於重複構造之分子量較大，故難燃性較習知之酚醛清漆型環氧樹脂樹脂優越，藉由與氰酸酯樹脂組合，則可改善氰酸酯樹脂之脆弱性的弱點。因此，藉由併用氰酸酯樹脂，則因玻璃轉移溫度進一步變高，故無鉛對應的安裝可靠性優越。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，係由苯酚類化合物與甲醛類化合物及縮合環芳香族烴化合物所合成之、將酚醛清漆型苯酚樹脂經環氧基化者。
苯酚類化合物並無特別限定，可舉例如苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等之甲酚類，2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等之二甲酚類，2,3,5-三甲基酚等之三甲基酚類，鄰乙基酚、間乙基酚、對乙基酚等之乙基酚類，異丙基酚、丁基酚、第三丁基酚等之 烷基酚類，鄰苯基酚、間苯基酚、對苯基酚、鄰苯二酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等之萘二醇類，間苯二酚、鄰苯二酚、氫醌、五倍子酚、氟甘胺酸等之多價酚類，烷基間苯二酚、烷基鄰苯二酚、烷基氫醌等之烷基多價酚類。此等之中，由成本面及對分解反應造成之效果而言，較佳為苯酚。
醛類化合物並無特別限定，可舉例如甲醛、對甲醛、三、乙醛、丙醛、聚氧亞甲基、三氯乙醛、六亞甲基四胺、糠醛、乙二醛、正丁基醛、己醛、烯丙基醛、苯醛、丁烯醛、丙烯醛、四氧基亞甲基、苯基乙醛、鄰甲苯甲醛、水楊醛、二羥基苯醛、三羥基苯醛、4-羥基-3-甲氧基醛對甲醛等。
縮合環芳香族烴化合物並無特別限定，可舉例如甲氧基萘、丁氧基萘等之萘衍生物，甲氧基蒽等之蒽衍生物，甲氧基菲等之菲衍生物，其他稠四苯衍生物、衍生物、芘衍生物、聯三伸苯衍生物及四苯衍生物等。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，並無特別限定，可舉例如甲氧基萘改質鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、丁氧基萘改質甲基(對)甲酚酚醛清漆環氧樹脂及甲氧基萘改質酚醛清漆環氧樹脂等。此等之中，較佳係具有下述式(2)所示之縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。又，作為具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，可舉例如DIC(股)製之HP-5000.
(式中，Ar為縮合環芳香族烴基，R彼此可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基，n、p及q為1以上之整數，又，p、q之值可於每重複單位中為相同或相異。)
(式(2)中之Ar係式(3)中之(Ar1)~(Ar4)所示的構造，式(3)中之R彼此可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基。)
再者，作為上述以外之環氧樹脂，較佳係萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂等之萘型環氧樹脂。藉此，可進一步提升耐 熱性、低熱膨脹性。又，由於萘環之π-π重疊效果較苯環高，故尤其是低熱膨脹性、低熱收縮性優越。再者，由於多環構造，故剛直效果高，由於玻璃轉移溫度特別高，故迴焊前後之熱收縮變化較小。
萘酚型環氧樹脂可由例如下述一般式(4-1)所示。又，作為萘酚型環氧樹脂，可舉例如新日鐵化學(股)製之ESN-375。
萘二醇型環氧樹脂可由例如下述式(4-2)所表示。作為萘二醇型環氧樹脂，可舉例如DIC(股)製之HP-4032D.
2官能至4官能環氧基型萘樹脂，可由例如下述式(4-3)(4-4)(4-5)所示。作為2官能至4官能環氧基型萘樹脂，可舉例如DIC(股)製之HP-4700、HP-4770。
萘醚型環氧樹脂可由例如下述一般式(4-6)所示。作為萘醚型環氧樹脂，可舉例如DIC(股)製之HP-6000。
(n表示平均1以上且6以下的數，R表示環氧丙基或碳數1以上且10以下的烴基。)
(式中，R1表示氫原子或甲基，R2分別獨立表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、芳烷基、萘基或含有環氧丙基醚基的萘基，o及m分別為0~2之整數，且o或m之至少任一者為1以上。)
上述樹脂組成物所使用之氰酸酯樹脂，可藉由例如使鹵化氰化合物與苯酚類進行反應而獲得。作為氰酸酯樹脂的具體例，可舉例如苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、甲酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂等之酚醛清漆型氰酸酯樹脂，萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、聯苯基氰酸酯樹脂、雙 酚A型氰酸酯樹脂、雙酚AD型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等之雙酚型氰酸酯樹脂等。
此等之中，較佳係含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、聯苯基氰酸酯樹脂。再者，較佳係樹脂組成物係於樹脂組成物之總固形份中含有10重量%以上的氰酸酯樹脂。藉此，可提升預浸體之耐熱性(玻璃轉移溫度、熱分解溫度)。又，可使預浸體之熱膨脹係數(尤其是預浸體厚度方向之熱膨脹係數)降低。若預浸體厚度方向之熱膨脹係數降低，則可減輕多層印刷佈線的應力應變。再者，於具有細微之層間連接部的多層印刷佈線板中，可大幅提升其連接可靠性。
作為上述樹脂組成物中所使用之酚醛清漆型氰酸酯樹脂中的較佳者，可舉例如下式(5)所示的酚醛清漆型氰酸酯樹脂。較佳係組合使用重量平均分子量為2000以上、較佳2,000~10,000、更佳2,200~3,500之式(5)所示的酚醛清漆型氰酸酯樹脂與重量平均分子量為1500以下、較佳200~1,300之式(5)所示的酚醛清漆型氰酸酯樹脂(以下，在未特別註明之下，「~」係表示包含上限值與下限值)。又，本實施形態中，重量平均分子量係藉聚苯乙烯換算之凝膠滲透層析法所測定之值。
[化8]
式(5)中，n表示0以上的整數。
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(6)所示的氰酸酯樹脂。下述一般式(6)所示之氰酸酯樹脂，係使藉由α-萘酚或β-萘酚等之萘酚類與對茬二醇、α,α’-二甲氧基對茬、1,4-二(2-羥基-2-丙基)苯等的反應而得之萘酚芳烷基樹脂與氰酸進行縮合而得者。一般式(6)之n為1以上，較佳為10以下。在n為10以下時，樹脂黏度不變高，對基材之浸含性良好，而可抑制作為積層板之性能降低。又，於合成時不易發生分子內聚合，水洗時之分液性提升，可防止產量降低。
式(6)中，R表示氫原子或甲基，R可為相同或相異，n表示1以上的整數。
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(7)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂。下述一般式(7)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂，較佳係下述一般式(7)之n為0以上且8 以下。在n為8以下時，樹脂黏度不變高，對基材之浸含性良好，可防止作為積層板的性能降低。又，藉由使用二環戊二烯型氰酸酯樹脂，則低吸濕性及耐藥品性優越。
n表示0~8之整數。
另外，樹脂組成物亦可進一步含有硬化促進劑。例如，若熱硬化性樹脂為環氧樹脂或氰酸酯樹脂，則可使用苯酚樹脂或環氧樹脂或氰酸酯樹脂的硬化促進劑。苯酚樹脂並無特別限定，可舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、芳基伸烷基型酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型苯酚樹脂，未改質之可溶酚醛苯酚樹脂、藉由桐油、亞麻仁油、核桃仁油等經改質的油改質可溶酚醛苯酚樹脂等之可溶酚醛型苯酚樹脂等。作為上述苯酚樹脂，較佳係苯酚酚醛清漆或甲苯酚醛清漆樹脂。其中，由吸濕焊錫耐熱性之觀點而言，較佳為聯苯芳烷基改質苯酚酚醛清漆樹脂。
此等之中可單獨使用1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，或可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。
上述硬化促進劑並無特別限定，可舉例如萘酸鋅、萘酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯基丙酮鈷(II)、三乙醯基丙酮鈷(III)等之有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二吖雙環[2,2,2]辛烷等之3級胺類，2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯(1,2-a)苯并咪唑等之咪唑類，苯酚、雙酚A、壬基酚等之酚化合物，醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等之有機酸，鎓鹽化合物等或其等之混合物。包括此等之中的衍生物，可單獨使用1種，亦可包括其等之衍生物而併用2種以上。
另外，上述熱硬化性樹脂中，由耐熱性的觀點而言，亦可含有順丁烯二醯亞胺化合物。順丁烯二醯亞胺化合物若為於1分子中具有1個以上順丁烯二醯亞胺基的化合物，則無特別限定。作為其具體例，可舉例如N-苯基順丁烯二醯亞胺、N-羥基苯基順丁烯二醯亞胺、雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、2,2-雙{4-(4-順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯基}丙烷、雙(3,5-二甲基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、雙(3-乙基-5-甲基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、雙(3,5-二乙基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、聚苯基甲烷順丁烯二醯亞胺、此等順丁烯二醯亞胺化合物之預聚物、或順丁烯二醯亞胺化合物與胺化合 物的預聚物等。
另外，上述熱硬化性樹脂中，由與金屬箔間之密黏性的觀點而言，亦可含有苯氧基樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂。
作為苯氧基樹脂，可舉例如具有雙酚骨架的苯氧基樹脂、具有萘骨架的苯氧基樹脂、具有聯苯骨架的苯氧基樹脂等。又，亦可使用具有複數種之此等骨架之構造的苯氧基樹脂。
此等之中，較佳係於苯氧基樹脂中使用具有聯苯骨架及雙酚S骨架的苯氧基樹脂。藉此，藉由具有聯苯骨架的剛直性，可提高苯氧基樹脂的玻璃轉移溫度，並因雙酚S骨架的存在，可提升苯氧基樹脂與金屬間之密黏性。其結果，可達到絕緣層102之耐熱性的提升，並於製造多層基板時，可提升佈線部(導電電路118)對絕緣層102的密黏性。又，較佳係於苯氧基樹脂中使用具有雙酚A骨架及雙酚F骨架的苯氧基樹脂。藉此，於製造多層基板時，可進一步提升佈線部對絕緣層102的密黏性。
作為苯氧基樹脂之市售物，可舉例如東都化成(股)製FX280及FX293，Japan Epoxy Resin(股)製YX8100、YX6954、YL6974、YL7482、YL7553、YL6794、YL7213及YL7290等。苯氧基樹脂之分子量並無特別限定，較佳係重量平均分子量為5,000~70,000者，更佳為10,000~60,000者。
在使用苯氧基樹脂時，其含量並無特別限定，較佳係樹脂組成物整體的1~40重量%，更佳為5~30重量%。
作為聚乙烯醇系樹脂的市售物，可舉例如電氣化學工業(股)製電化丁醛4000-2、5000-A、6000-C及6000-EP，積水化學工業(股)製S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列及BM系列等。特佳為玻璃轉移溫度為80℃以上者。
作為聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺之市售物，可舉例如東洋紡績(股)公司製「VYLOMAX HR11NN(註冊商標)」及「HR-16NN」、「HR15ET」、日立化成工業(股)製聚醯胺醯亞胺「KS-9300」等。可舉例如三菱瓦斯化學(股)公司製「Neopulim C-1210」、新日本理化(股)公司製之可溶性聚醯亞胺「RICACOAT SN20(註冊商標)」及「RICACOAT PN20(註冊商標)」、日本GE塑膠(股)公司製之聚醚醯亞胺「ULTEM(註冊商標)」、DIC(股)製「V8000」及「V8002」及「V8005」、日本化藥(股)製「BPAM155」等。
作為聚醚碸樹脂之市售物，可使用公知物，可舉例如住友化學公司製之PES4100P、PES4800P、PES5003P及PES5200P等。
作為聚伸苯基醚樹脂，可舉例如聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)氧化物、聚(2,6-二乙基-1,4-伸苯基)氧化物、聚(2-甲基-6-乙基-1,4-伸苯基)氧化物、聚(2-甲基-6-丙基-1,4-伸苯基)氧化物、聚(2,6-二丙基-1,4-伸苯基)氧化物、聚(2-乙基-6-丙基 -1,4-伸苯基)氧化物等。作為市售物，例如有日本G.E.塑膠公司製「Noryl PX9701(註冊商標)」(數量平均分子量Mn=14,000)、「Noryl 640-111(註冊商標)」(數量平均分子量Mn=25,000)，及旭化成公司製「SA202」(數量平均分子量Mn=20,000)等，可藉公知方法使此等低分子量化而使用。
此等之中，較佳係藉官能基使末端經改質的反應性寡聚伸苯基氧化物。藉此，由於可提升與熱硬化性樹脂間之相溶性，形成聚合物間之3維交聯構造，故機械強度優越。可舉例如日本專利特開2006-28111號公報記載的2,2’,3,3’,5,5’-六甲基聯苯基-4,4’-二醇-2,6-二甲基苯酚聚縮合物與氯甲基苯乙烯的反應生成物。
此種反應性寡聚伸苯基氧化物，可藉由公知方法進行製造。又，亦可使用市售物。例如可適合使用OPE-2st 2200(三菱瓦斯化學公司製)。
反應性寡聚伸苯基氧化物的重量平均分子量，較佳為2,000~20,000，更佳4,000~15,000。若反應性寡聚伸苯基氧化物的重量平均分子量超過20,000，則難以溶解於揮發性溶劑中。另一方面，若重量平均分子量未滿2,000，則因交聯密度過高，而對硬化物之彈性係數或可撓性造成不良影響。
本實施形態中所使用之樹脂組成物中的熱硬化性樹脂的量，係配合其目的而適當調整即可，並無特別限定，樹脂組成物之總固形份中，熱硬化性樹脂較佳為10~90重量%，更 佳20~70重量%，再更佳25~50重量%(以下，「~」在不特別明示的情況下，表示包括上限值與下限值)。
另外，於使用環氧樹脂及/或氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂時，係於上述樹脂組成物之總固形份中，環氧樹脂較佳為5~50重量%，環氧樹脂更佳為5~25重量%。又，樹脂組成物之總固形份中，氰酸酯樹脂較佳為5~50重量%，氰酸酯樹脂更佳為10~25重量%。
上述樹脂組成物中，由低熱膨脹與機械強度的觀點而言，較佳係含有無機填充材。無機填充材並無特別限定，可舉例如滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等之矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等之氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等之碳酸鹽，氫氧化鋁、水鋁土(AlO(OH))，通常稱為「類」水鋁土之水鋁土(亦即，Al2O3．xH2O，於此，x=1至2)、氫氧化鎂、氫氧化鈣等之氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等之硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、甲基硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等之硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等之氮化物，鈦酸鍶、鈦酸鋇等之鈦酸鹽等。可單獨使用此等中之一種，亦可併用2種以上。
此等之中，較佳為氫氧化鎂、氫氧化鋁、水鋁土、二氧化矽，熔融二氧化矽、滑石、燒成滑石、氧化鋁。由低熱膨脹性及絕緣可靠性的觀點而言，特佳為二氧化矽，更佳為球狀 之熔融二氧化矽。又，於耐燃性方面，較佳為氫氧化鋁。又，本實施形態中，由於使用即使是無機填充材仍容易浸含的基材，故可於上述樹脂組成物中增加無機填充材的量。在樹脂組成物中之無機填充材為高濃度時，鑽頭摩耗性雖惡化，但在無機填充材為水鋁土時，由鑽順摩耗性良好的觀點而言屬較佳。
無機填充材之粒徑並無特別限定，可使用平均粒徑為單分散的無機填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的無機填充材。再者，可併用平均粒徑為單分散及/或多分散之無機填充材的1種或2種以上。上述無機填充材之平均粒徑並無特別限定，較佳為0.1μm~5.0μm，特佳0.1μm~3.0μm。若無機填充材之粒徑未滿上述下限值，則因樹脂組成物之黏度變高，故有對預浸體製作時之作業性造成影響的情形。又，若超過上述上限值，則有樹脂組成物中發生無機填充材之沉降等現象的情形。又，平均粒徑可使用雷射繞射/散射式粒度分佈測定裝置(島津製作所製，SALD-7000等之一般機器)進行測定。
無機填充材之含量並無特別限定，較佳係於上述樹脂組成物之總固形份中為10重量%~90重量%，更佳30重量%~80重量%，再更佳50重量%~75重量%。在上述樹脂組成物中含有氰酸酯樹脂及/或其預聚物時，上述無機填充材之含量較佳係於樹脂組成物之總固形份中為50~75重量%。若無機 填充材含量超過上述上限值，則因樹脂組成物之流動性極差，故不佳；若未滿上述下限值，則由樹脂組成物所構成的絕緣層的強度不足，而不佳。
另外，本實施形態中所使用之樹脂組成物，亦可調配橡膠成分，例如，作為本實施形態中可使用之橡膠粒子的較佳例，可舉例如核殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子、聚矽氧粒子等。
核殼型橡膠粒子係具有核層與殼層的橡膠粒子，可舉例如：外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，內層之核層為由橡膠狀聚合物所構成的2層構造；或外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，中間層為由橡膠狀聚合物所構成，核層為由玻璃狀聚合物所構成的3層構造者等。玻璃狀聚合物層係例如由甲基丙烯酸甲酯之聚合物等所構成，橡膠狀聚合物層係例如由丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等所構成。作為核殼型橡膠粒子之具體例，可舉例如Stafiloid AC3832、AC3816N(商品名Ganz化成(股)製)，METABLEN KW-4426(商品名三菱螺縈(股)製)。作為交聯丙烯腈丁二烯橡膠(NBR)粒子的具體例，可舉例如XER-91(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。
作為交聯苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)粒子的具體例，可舉例如XSK-500(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。作為丙烯酸橡 膠粒子之具體例，可舉例如METABLEN W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱嫘縈(股)製)等。
聚矽氧粒子若為由有機聚矽氧烷所形成之橡膠彈性微粒子，則無特別限定，可舉例如由聚矽氧橡膠(有機聚矽氧烷交聯彈性體)本身所構成的微粒子，以及將由二維交聯主體之聚矽氧所構成之核部藉三維交聯型主體之聚矽氧所被覆的核殼構造粒子等。作為聚矽氧橡膠微粒子，可使用KMP-605、KMP-600、KMP-597、KMP-594(信越化學(股)製)、TORAYFIL E-500、TORAYFIL E-600(東麗．道康寧(股)製)等之市售物。
上述樹脂組成物中，亦可進一步含有偶合劑。偶合劑係藉由使熱硬化性樹脂無機填充材間之界面的濕潤性提升，而使樹脂及無機填充材對基材均勻地定著，用於改良耐熱性、尤其是吸濕後之焊錫耐熱性而予以調配。
上述偶合劑並無特別限定，可舉例如環氧基矽烷偶合劑、陽離子性矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、聚矽氧油型偶合劑等。藉此，可提高與無機填充材之界面間的濕潤性，藉此可更加提升耐熱性。
上述偶合劑之添加量並無特別限定，相對於無機填充材100重量份，較佳為0.05~3重量份、特佳0.1~2重量份。若含量未滿上述下限值，則因無法充分被覆無機填充材，故有提升耐熱性之效果降低的情形，若超過上述上限值，則對反 應造成影響，而有彎曲強度等降低的情形。
本實施形態所使用之樹脂組成物中，視需要亦可添加消泡劑、均平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、聚矽氧粉末等之難燃助劑、離子捕捉劑等之上述成分以外的添加物。
上述樹脂組成物中，由容易實現預浸體之低線膨脹化、高剛性化及高耐熱化的觀點而言，較佳係至少含有環氧樹脂、氰酸酯樹脂及無機填充材。其中，於樹脂組成物之固形份中，較佳係含有環氧樹脂5~50重量%、氰酸酯樹脂5~50重量%、及無機填充材10~90重量%，更佳係含有環氧樹脂5~25重量%、氰酸酯樹脂10~25重量%及無機填充材30~80重量%。
本實施形態中所使用之預浸體，係對基材浸含或塗佈樹脂組成物之清漆而成者，作為基材，可使用各種電氣絕緣材料用積層板所使用的周知物。作基材之材質的例子，可舉例如E玻璃、D玻璃、T玻璃、S玻璃或Q玻璃等之無機物纖維，聚醯亞胺、聚酯或四氟乙烯等之有機纖維，以及其等之混合物等。此等基材係具有例如織布、不織布、粗紗(roving)、切股氈、表面氈等之形狀，材質及形狀可視目標成形物的用途或性能而選擇，視需要可使用單獨或2種以上之材質及形狀。基材厚度並無特別限制，通常使用0.01~0.5mm左右者，由耐熱性或耐濕性、加工性方面而言，較佳係藉矽烷偶合劑 等經表面處理者或經機械性開處理、以及施行扁平化者。又，預浸體通常係依其樹脂含有率於乾燥後成為20~90重量%之方式將樹脂浸含或塗佈於基材上，依120~220℃之溫度加熱乾燥1~20分鐘，作成半硬化狀態(B階段狀態)而可獲得。再者，通常可藉由將該預浸體重疊1~20片，再於其兩面配置具有載體箔之極薄銅箔，依此構成進行加熱加壓而予以積層，藉此得到積層板。複數片之預浸體層的厚度雖視用途而異，通常可為0.03~2mm厚。作為積層方法，可應用通常之積層板的手法，例如使用多段壓製、多段真空壓製、連續成形、高壓釜成形機等，依通常溫度100~250℃、壓力0.2~10MPa、加熱時間0.1~5小時之條件進行積層，或使用真空層合裝置等依層合條件50~150℃、0.1~5MPa、真空壓1.0~760mmHg之條件進行層合。
本實施形態中所使用之具有載體箔之極薄銅箔(銅箔層104)，係於其極薄箔之粗化面藉由凸粒狀之電著物層(被稱為燒鍍。例如參照日本專利特開平5-029740號)之形成或氧化處理、還原處理、蝕刻等進行之粗化面處理。因此，本實施形態所使用之極薄銅箔之粗化面的表面粗度，係JIS B0601所示之10點平均粗度(Rz)的上限值較佳為5.0μm以下、更佳2.0μm以下；另一方面，下限值並無特別限定，較佳為0.1μm以上。再者，算術平均粗度(Ra)較佳為1.0μm以下、更佳0.5μm以下。
另外，本實施形態中，作為銅箔層104，係除了銅所構成之銅箔(製造步驟上不可避免地混入之混入物除外)以外，亦可為含有鎳或鋁等之添加金屬成分的銅箔(此時，銅之含量並無特別限定，相對於構成銅箔層104之總金屬成分之重量合計值，較佳為90重量%以上、更佳95重量%以上、再更佳99重量%以上。又，作為添加金屬成分，可為單獨，亦可併用複數種)。又，亦可取代銅箔層104，使用鎳箔、鋁箔等之金屬箔。
作為習知銅箔的形成方法，通常係於電極上藉鍍覆處理形成30μm左右膜厚的銅箔。然而，此形成方法中，有銅箔延續著下層金屬層(例如電極)配向性的情形，而難以作成具有所需結晶面的銅箔。又，若銅箔之膜厚較厚，例如為30μm以上時，有結晶粒朝厚度方向粗化大的傾向。
相對於此，在本實施形態之銅箔層104的形成方法中，係於電極上形成剝離層，於該剝離層上形成銅箔層104。因此，可抑制銅箔層104延續下層電極之配向性的情形。換言之，藉由適當控制與剝離層相接之銅箔層104之一面的配向性，由於銅箔層104之結晶面構成層狀，故可使一面之配向性延續至另一面。藉此，可形成具有所需配向性的銅箔層104。
銅箔層104之膜厚並無特別限定，較佳為0.1μm以上且5μm以下，更佳0.5μm以上且3μm以下。藉由將銅箔層104 之膜厚設為此範圍內，可使銅箔層104之結晶粒之粒徑一致。藉此，於銅箔層104之膜厚方向，可抑制其配向性變動。
藉由以上，可控制銅箔層104上面20之配向性，例如可使由銅箔層104下面22起至上面20，結晶面之比率(亦即配向性)相同；例如可使由XRD薄膜法所測定之面方向(200)之比率、或面方向(200)及面方位(220)之比率相同。於此所謂相同，係指容許製造步驟上的微差，例如銅箔層104下面22之面方位(200)的比率，係其上面20之面方向(200)之比率的±5%以內。因此，藉XRD薄膜法測定之銅箔層104下面22之面方位的比率，可謂是與銅箔層104上面20的比率同等。
另外，藉加熱加壓成形形成銅箔積層板100後之銅箔層104之上面20中，配位性仍維持著加熱加壓成形前之銅箔層(可剝離式之具載體箔的銅箔)的值。作為於此之加熱加壓成形條件，設為例如200℃下1小時、壓力3MPa。如此維持比率的理由尚不明確，但推測係因銅箔層104中之結晶粒之平均粒徑較小、其平均粒徑具有一定程度的一致性等。
因此，即使在後述銅箔層104之蝕刻步驟的前後，銅箔層104上面20(亦即與金屬層116(例如無電解鍍覆層110)之接觸面)之面方位(200)的比率，或面方位(200)及面方位(220)之比率可謂相同。
本實施形態之銅箔層104較佳係具有長邊之平均長度為 2μm以下的結晶粒。作為銅箔層104中之結晶粒的形狀，例如為柱狀、三角錐形狀。因此，於剖面視時，以銅箔層104之結晶粒之最大長度作為長邊。該長邊之平均長度係使用FIB-SIM(Focused Ion Beam Scanning Ion Microscope)或FIB-SEM(Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope)依約1萬~1萬2千倍之間，由縱10μm、橫10μm的剖面影像算出平均，算出合計3個之視野影像的平均值。藉此，提升銅箔層104之蝕刻特性。
另外，本實施形態之銅箔層104中，於剖面視時，長邊之平均長度為2μm以下之結晶粒所佔有的面積率，較佳為80%以上、更佳85%以上、再更佳90%以上。該面積率係對上述同樣之剖面影像的視野進行影像處理，算出合計3個視野的平均值。藉此，提升銅箔層104之蝕刻特性。
於此，說明銅箔層104所使用之可剝離式銅箔的詳細形成方法。
作為本實施形態所使用之銅箔的製造方法，並無特別限定，例如在製造具有載體之可剝離式銅箔時，係在厚10~50μm之載體箔上形成成為剝離層之金屬等的無機化合物或有機化合物層，於該剝離層上藉鍍覆處理形成銅箔。作為鍍覆處理之條件，例如在使用了硫酸銅浴時，可設為硫酸50~100g/L、銅30~100g/L、溫度20℃~80℃、電流密度0.5~100A/dm2之條件；在使用有焦磷酸銅浴時，可設為焦 磷酸鉀100~700g/L、銅10~50g/L、溫度30℃~60℃、pH8~12、電流密度1~10A/dm2之條件。又，考慮到銅箔之物性或平滑性，亦可於上述浴中添加各種添加劑。又，所謂可剝離式之金屬箔，係具有載體的金屬箔，且載體為可剝離的金屬箔。
上述剝離層係金屬物等之無機化合物或有機化合物層，若為即使受到積層時之100~300℃之間的熱處理仍可剝離者則可使用公知物。作為金屬氧化物，可使用例如鋅、鉻、鎳、銅、鉬、合金系、金屬與金屬化合物等之混合物。作為有機化合物，較佳係使用由選自含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中之1種或2種以上所構成者。
上述含氮有機化合物較佳係具有取代基之含氮有機化合物。具體而言，較佳係使用具有取代基之屬於三唑化合物的1,2,3-苯并三唑(以下稱為「BTA」)、羧基苯并三唑(以下稱為「CBTA」)、N’,N’-雙(苯并三唑基甲基)脲(以下稱為「BTD-U」)、1H-1,2,4-三唑(以下稱為「TA」)及3-胺基-1H-1,2,4-三唑(以下稱為「ATA」)等。
作為含硫有機化合物，較佳係使用巰基苯并噻唑(以下稱為「MBT」)、硫基三聚氰酸(以下稱為「TCA」)及2-苯并咪唑硫醇(以下稱為「BIT」)等。
作為羧酸，特佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
如上述，藉由提高電解密度、減薄膜厚等適當地控制製 法，則可於本實施形態之銅箔層104上面20實現所需的配向性。
另外，本實施形態所使用之銅箔層104之至少下面22(與絕緣層102之一面相接的面)，為了使銅箔層104與絕緣層102間之密黏性成為實用水準以上，亦可實施表面處理。作為對銅箔層104所使用之金屬箔的粗處理，可舉例如防銹處理、鉻酸處理、矽烷偶合處理之任一種或此等之組合等。可配合構成絕緣層102之樹脂材料，適當選擇任一之表面處理手段。
上述防銹處理可藉由例如將鎳、錫、鋅、鉻、鉬、鈷等金屬之任一者或其等之合金，藉濺鍍或電鍍、無電解鍍覆而於金屬箔上形成薄膜而實施。由成本面而言，較佳為電鍍。為了使金屬離子之析出容易，亦可添加必要量的檸檬酸鹽、酒石酸鹽、磺胺酸等之錯化劑。鍍液通常依酸性區域使用，並依室溫(例如25℃)~80℃的溫度進行。鍍覆條件係由電流密度0.1~10A/dm2，通電時間1~60秒，較佳1~30秒的範圍適當選擇。防銹處理金屬之量係視金屬種類而異，合計較佳為10~2000μg/dm2。若防銹處理過厚，則引起蝕刻阻礙與電氣特性之降低，若過薄則成為與樹脂間之剝離強度降低的要因。
另外，在構成絕緣層102之樹脂組成物中含有氰酸酯樹脂時，較佳係藉由含鎳之金屬進行防銹處理。於此組合時，耐 熱劣化試驗或耐濕劣化試驗中之剝離強度的降低較少，而屬有用。
作為上述鉻酸處理，較佳係使用含有六價鉻離子的水溶液。鉻酸處理可為單純的浸漬處理，但較佳係依陰極處理進行。較佳係依重鉻酸鈉0.1~50g/L、pH1~13、浴溫0~60℃、電流密度0.1~5A/dm2、電解時間0.1~100秒之條件進行。亦可取代重鉻酸鈉，而使用鉻酸或重鉻酸鉀。又，上述鉻酸處理較佳係於上述防銹處理上重疊實施。藉此，可使絕緣樹脂組成物層(絕緣層102)與金屬箔(銅箔層104)間之密黏性更加提升。
作為上述矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑，可使用例如3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等之胺基官能性矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷等之烯烴官能性矽烷、3-丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷等之丙烯酸官能性矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷等之甲基丙烯酸官能性矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰基官能性矽烷等。此等可單獨使用，亦可混合複數種使用。此等偶合劑可於水等之溶媒中依0.1~15g/L之濃度溶解使用，藉由將所得溶液依室溫~50℃之溫度而塗 佈或電著於金屬箔上，則使矽烷偶合劑吸黏於金屬箔。此等矽烷偶合劑係藉由與金屬箔表面之防銹處理金屬的羥基進行縮合鍵結，而於金屬箔上形成被膜。矽烷偶合處理後，藉由加熱、紫外線照射等，使此種鍵結穩定。於加熱處理中，較佳係進行例如100~200℃之溫度、2~60秒之乾燥。紫外線照射較佳係依例如波長200~400nm、200~2500mJ/cm2之範圍進行。另外，矽烷偶合處理較佳係於金屬箔最外層進行。在構成絕緣層102之絕緣樹脂組成物中含有氰酸酯樹脂時，較佳係藉胺基矽烷系的偶合劑進行處理。此組合係於耐熱劣化試驗或耐濕劣化試驗中的剝離強度降低較少，而屬有用。
另外，作為矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑，較佳係藉60~200℃、更佳80~150℃之加熱，而與構成絕緣層102之絕緣樹脂組成物進行化學反應者。藉此，上述絕緣樹脂組成物中之官能基與矽烷偶合劑的官能基進行化學反應，可得到更優越的密黏性。例如，對於含有環氧基之絕緣樹脂組成物，較佳係使用含有胺基官能性矽烷的矽烷偶合劑。其理由在於，藉由熱則環氧基與胺基容易形成牢固的化學鍵結，此鍵結對熱或水份極為穩定所致。如此，作為形成化學鍵結的組合，可例示環氧基-胺基、環氧基-環氧基、環氧基-巰基、環氧基-羥基、環氧基-羧基、環氧基-氰基、胺基-羥基、胺基-羧基、胺基-氰基等。
另外，本實施形態所使用之絕緣樹脂組成物的絕緣樹脂，較佳係使用於常溫下呈液狀的環氧樹脂，此時，由於熔融時之黏度大幅降低，故接黏界面之濕潤性提升，容易發生環氧樹脂與矽烷偶合劑的化學反應，其結果，可得到牢固的剝離強度。具體而言，較佳係環氧當量200左右之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂。
另外，在絕緣樹脂組成物含有硬化劑時，作為硬化劑，特佳係使用熱硬化型潛在性硬化劑。亦即，在絕緣樹脂組成物中之官能基與矽烷偶合劑之官能基進行化學反應的情況，較佳係依絕緣樹脂組成物中之官能基與矽烷偶合劑之官能基的反應溫度為低於使絕緣樹脂組成物之硬化反應起始之溫度的方法選擇硬化劑。藉此，絕緣樹脂組成物中之官能基與矽烷偶合劑之官能基的反應優先、選擇性地進行，金屬箔(銅箔層104)與絕緣樹脂組成物層(絕緣層102)的密黏性變高。作為對於含有環氧樹脂之絕緣樹脂組成物的熱硬化型潛在性硬化劑，可舉例如二氰二醯胺、二醯肼化合物、咪唑化合物、胺-環氧基加成物等之固體分散-加熱溶解型硬化劑或尿素化合物、鎓鹽類、三氯化硼．胺鹽類、嵌段羧酸化合物等之反應性基嵌段型硬化劑。
藉由將含有上述般之絕緣樹脂組成物之預浸體，與粗化面經細微並均勻之粗處理、且實施上述表面處理的具有載體箔之極薄銅箔，藉上述方法進行積層一體化，則形成如圖7(a) 所示的具有載體箔的銅箔積層板10。接著，如圖7(b)所示，藉由拉除該載體箔層106，則可得到於絕緣層102兩面具有銅箔層104的銅箔積層板100。此時，與載體箔層106之銅箔表面相對向的面(亦即，與銅箔接觸之表面)的Ra上限值，較佳為1.0μm以下、更佳0.4μm以下、特佳0.2μm以下。Ra之下限值並無特別限定，較佳為0.05μm以上。另一方面，其表面之Rz上限值較佳為4.0μm以下、更佳2.0μm以下、特佳1.0μm以下。Rz之下限值並無特別限定，較佳為0.1μm以上。又，並不限定於此態樣，銅箔層104若形成於絕緣層102之至少一面即可，或可形成於絕緣層102之整面或一部分。
本實施形態中，藉由減小此種載體箔表面之粗度、使塊材銅之結晶粒亦減小且均一、以及使凸粒亦減小且均勻等適當地控制製法，則可使本實施形態之絕緣層102之一面30中的Rp及Rku成為上述範圍內。
接著，如圖7(c)所示般，於銅箔積層板100，形成層間連接用之貫通孔108。形成貫通孔108的方法，可使用各種公知手段，例如，在形成孔徑為100μm以上之貫通孔108時，由生產性的觀點而言，適合使用鑽頭等的手段，在形成100μm以下之貫通孔108時，適合使用碳酸氣體或激元等之氣體雷射或YAG等之固體雷射的手段。
接著，可於至少銅箔層104上賦予觸媒核，但本實施形態 中，係於銅箔層104整面上及貫通孔108內壁面上賦予觸媒核。作為該觸媒核並無特別限定，例如可使用貴金屬離子或鉑膠體。接著，以該觸媒核作為核而形成無電解鍍覆層，但在此無電解鍍覆處理前，亦可對銅箔層104或貫通孔108之表面上，進行例如藉由藥液的去污等。作為去污處理並無特別限定，可使用利用具有有機物分解作用之氧化劑溶液等的濕式法，以及對成為對象物者直接照射氧化作用較強之活性種(電漿、自由基等)以去除有機物殘渣的電漿法等之乾式法等公知方法。作為濕式法之去污處理，具體可舉例如在施行樹脂表面之膨潤處理後，藉鹼處理進行蝕刻，接著進行中和處理的方法等。
接著，如圖7(d)所示般，在賦予觸媒核之銅箔層104上及貫通孔108內壁上，藉由無電解鍍覆處理形成薄層之無電解鍍覆層110。該無電解鍍覆層110，係將絕緣層102之上面上的銅箔層104與其下面上之銅箔層104進行電性連接。無電解鍍覆時，可使用例如含有硫酸銅、甲醛、錯化劑、氫氧化鈉等者。又，於無電解鍍覆後，較佳係施行100~250℃之加熱處理，使鍍覆被膜穩定化。由可形成能抑制氧化的被膜的觀點而言，特佳為120~180℃之加熱處理。又，無電解鍍層110之平均厚度若為可進行下述電鍍的厚度即可，例如0.1~1μm左右即足夠。又，貫通孔108之內部可填充導電糊料或絕緣糊料，亦可藉電氣圖案鍍覆進行填充。
接著，如圖7(e)所示，在設於銅箔層104上之無電解鍍覆層110上形成具有既定開口圖案的抗鍍層112。該開口圖案相當於後述之導電電路圖案。因此，抗鍍層112係設置成被覆銅箔層104上之非電路形成區域。換言之，抗鍍層112並未形成於貫通孔108上與銅箔層104上之導體電路形成區域。作為抗鍍層112並無特別限定，可使用公知材料，但可使用液狀及乾薄膜。在形成細微佈線的情況，作為抗鍍層112，較佳係使用感光性乾薄膜等。在形成抗鍍層112時，係例如於無電解鍍覆層110上積層感光性乾薄膜，對非電路形成區域進行曝光使其光硬化，將未曝光部藉顯影液進行溶解、去除。又，殘存之經硬化的感光性乾薄膜將成為抗鍍層112。抗鍍層112之厚度，較佳係設為與其後所鍍覆之導體(鍍覆層114)厚度相同程度或更厚的膜厚。
接著，如圖8(a)所示，至少於抗蝕層112之開口圖案內部且無電解鍍覆層110上，藉電鍍處理形成鍍覆層114。此時，銅箔層104係作成給電層而作用。本實施形態中，涵括絕緣層102之上面、貫通孔108之內壁及其下面，亦可連續設置鍍覆層114。作為此種電鍍，並無特別限定，可使用一般印刷佈線板所使用的公知方法，例如可使用在使其浸漬於硫酸銅等之鍍液中的狀態，對該鍍液流通電流等的方法。鍍覆層114之厚度並無特別限定，若可使用作為電路導體即可，例如較佳為1~100μm之範圍、較佳5~50μm之範圍。鍍覆層 114可為單層或具有多層構造。作為鍍覆層114之材料並無特別限定，可使用例如銅、銅合金、42合金、鎳、鐵、鉻、鎢、金、焊錫等。
接著，如圖8(b)所示般，使用鹼性剝離液或硫酸或市售之抗鍍剝離液等去除抗鍍層112。
接著，如圖8(c)所示般，將形成有鍍覆層114之區域以外的無電解鍍覆層110及銅箔層104去除。去除該銅箔層104之手法係例如使用軟蝕刻(快速蝕刻)等。藉此，可形成積層銅箔層104及金屬層116(無電解鍍覆層110及鍍覆層114)而構成的導電電路118的圖案。
作為第2實施形態之印刷佈線板200之導電電路118的剖面形狀，係如圖9所示般，除了一般的矩形形狀以外，亦可為圖9(a)所示之倒錐形狀、圖9(b)所示之魚板(半楕圓)形狀、或圖9(c)所示之縮頸形狀的任一種。
於此，針對本實施形態之軟蝕刻所使用的蝕刻液進行說明。作為蝕刻液並無特別限定，在使用習知之擴散控制型之蝕刻液時，有佈線之細微部分因液之交換變差而電路形成性惡化的傾向。因此，蝕刻液最好使用銅與蝕刻液之反應為依反應控制進行的類型，而非擴散控制型。若銅與蝕刻液之反應為反應控制，則即使擴散增強至其以上，蝕刻速度仍不改變。即使，不發生液交換較佳處與較差處間的蝕刻速度差。作為此種反應控制蝕刻液，可舉例如過氧化氫與不含鹵元素 之酸作為主成分者。由於使用過氧化氫作為氧化劑，故藉由管理其濃度，則可嚴密地控制蝕刻速度。又，若於蝕刻液中混入鹵元素，則溶解反應容易變成擴散控制。作為不含鹵素之酸，可使用硝酸、硫酸、有機酸等，而硫酸因廉價而較佳。再者，在以硫酸與過氧化氫作為主成分時，由蝕刻速度、液之穩定性方面而言，較佳係其各別濃度為5~300g/L、5~200g/L。可舉例如過硫酸銨、過硫酸鈉、過硫酸鈉系等。
如此，藉由適當選擇銅箔層104之蝕刻特性或蝕刻條件，則可得到所需形狀的導電電路118。藉由以上，可得到在絕緣層102之兩面上形成有導電電路118的印刷佈線板200。又，第2實施形態之印刷佈線板200之製造方法中，可得到與第1實施形態相同的作用效果。
尚且，如圖8(d-1)所示般，亦可依被覆絕緣層102上及導電電路118之一部分的方式形成抗焊層120。作為抗焊層120，可使用例如可含有絕緣性優越的充填材或基材之感光性樹脂、熱硬化性樹脂及熱可塑性樹脂等的耐熱性樹脂組成物。接著，在抗焊層120之設有開口部的導電電路118上，進一步形成第1鍍覆層122及第2鍍覆層124。藉此，可將金屬層116作成為2層以上的多層構造。作為此等之第1鍍覆層122及第2鍍覆層124，可採用鍍金層。作為鍍金之方法，可為習知方法而無特別限定，例如，在鍍覆層114上，進行0.1~10μm無電解鍍鎳，於進行了取代鍍金 0.01~0.5μm後，進行無電解鍍金0.1~2μm等的方法。藉由上述，可得到圖8(d-1)所示的印刷佈線板202。
另外，如圖8(d-2)所示般，亦可不形成抗焊層120，於導電電路118周圍，形成第1鍍覆層122及第2鍍覆層124。作為此等之第1鍍覆層122及第2鍍覆層124，可採用例如鍍鎳層及鍍金層的積層體。藉上述，可得到圖8(d-2)之印刷佈線板204。
另外，此種之印刷佈線板200、202及204上安裝未圖示的半導體晶片，可得到半導體裝置。
(第3實施形態)
接著說明第3實施形態之印刷佈線板的製造方法。
圖10~圖12係表示第3實施形態之印刷佈線板之製造方法的製造步驟順序的剖面圖。第3實施形態之印刷佈線板之製造方法，係例如使用第2實施形態所得之印刷佈線板200、202及204作為內層電路基板，於其內層電路基板上進一步形成增建層者。
首先，採用圖8(c)所得之印刷佈線板200作為內層電路基板。對該印刷佈線板200之內層電路(導電電路118)實施粗化處理。於此，所謂粗化處理，係指對導體電路表面實施藥液處理及電漿處理等。作為粗化處理，可使用例如利用氧化還原的黑化處理，或利用硫酸-過氧化氫系之公知粗化液的藥液處理等。藉此，可使構成絕緣層130之層間絕緣材料與 印刷佈線板200之導電電路118間的密黏性提升。又，內層電路基板亦可取代第2實施形態所得之印刷佈線板200，而無特別限定，可使用藉由鍍通孔法或增建法等積層有不含預浸體或基材之樹脂組成物層等的一般之多層印刷佈線板。成為內層電路之導體電路層，可藉習知之電路形成方法所形成。又，在多層印刷佈線板中，可藉由對成為該核層之積層體(複數積層有預浸體而得的積層體)及金屬箔積層板，進行鑽孔加工、雷射加工等而形成通孔，接著藉鍍覆等將兩面之內層電路電性連接。
接著，如圖10(a)所示般，在使導體電路表面經粗化之印刷佈線板200兩側，分別配置絕緣層103(預浸體)、及具有載體箔層107之銅箔層105(具有載體箔之極薄銅箔)。接著，如圖10(b)所示般，藉由對重疊此等的積層體進行加熱加壓處理，形成多層積層板。接著，如圖10(c)所示般，將載體箔層107剝離去除。
接著，如圖10(d)所示，去除絕緣層130及銅箔層105之一部分而形成孔109。於孔109之底面，露出導電電路118之表面一部分。作為形成該孔109的手法並無特別限定，例如可使用利用碳酸氣體或激元等之氣體雷射或YAG等之固體雷射，形成孔徑100μm以下的盲通孔的手法等。又，孔109係於圖10中，表示成非貫通孔，但亦可為貫通孔。又，在貫通孔的情況，即使是雷射照射，亦可使用鑽孔加工機而 形成。
接著，如圖11(a)所示，在上述賦予觸媒核之導電電路118上、孔109之內壁上、及銅箔層105上，形成薄層之無電解鍍覆層。無電解鍍覆層111係與上述無電解鍍覆層110同樣地形成。在該無電解鍍覆前，如上述，亦可進行藥液之去污等的去污處理。又，無電解鍍覆層110之厚度若為可進行下述電鍍的厚度即可，0.1~1μm左右即足夠。又，孔109(盲通孔)內部可填充導電糊料或絕緣糊料，亦可事先藉電氣圖案鍍覆進行填充。
接著，如圖11(b)所示，在無電解鍍覆層110上，形成相當於導體電路圖案之具有開口圖案的抗鍍層113。換言之，藉由形成抗鍍層113，而遮罩非電路形成部。作為該抗鍍層113，可使用與上述抗鍍層112相同者。抗鍍層113之厚度較佳係設為與其後鍍覆之導體電路厚度為相同程度或更厚的膜厚。
接著，如圖11(c)所示，於抗鍍層113之開口圖案內部形成鍍覆層132。此鍍覆層132可形成於孔109內部之導電電路118上，亦可形成於上述開口圖案內部之無電解鍍覆層111上。形成鍍覆層132之電鍍，可使用與上述鍍覆層114相同的手法。該鍍覆層132之厚度若可使用作為電路導體即可，較佳為例如1~100μm之範圍，更佳5~50之範圍。
接著，如圖12(a)所示般，與上述抗鍍層112同樣地，進 行抗鍍層113之剝離。接著，如圖12(b)所示般，與上述銅箔層104同樣地，將銅箔層105及無電解鍍覆層111藉軟蝕刻(快速蝕刻)而去除。藉此，可形成由銅箔層105、無電解鍍覆層111及鍍覆層132所構成的導電電路圖案。又，導電電路118上，可藉由鍍覆層132形成與導電電路118電性連接的通孔及墊。藉以上，得到印刷佈線板201。
尚且，如圖12(c-1)所示般，亦可於絕緣層130上、導電電路圖案之鍍覆層132上及墊之鍍覆層132之一部分上形成抗焊層121。作為抗焊層121，可使用與上述抗焊層120相同者。接著，在抗焊層121之設有開口部的鍍覆層132上，可進一步形成例如由鍍鎳層及鍍金層所構成的第1鍍覆層123及第2鍍覆層125。藉由以上，可得到圖12(c-1)所示的印刷佈線板203。
另外，如圖12(c-2)所示般，亦可不形成抗焊層121，在導電電路圖案之周圍及墊之周圍，形成上述第1鍍覆層123及第2鍍覆層125。藉由以上，可得到圖12(c-2)所示的印刷佈線板205。第3實施形態中，亦可得到與第1及第2實施形態相同的效果。
另外，使用圖13說明本實施形態之印刷佈線板的製造方法的變形例。
於上述第1至第3實施形態中，雖於銅箔上選擇性地形成金屬層，但本變形例中，不同的點在於係在銅箔上整面地形 成金屬層。
以下，說明本變形例之印刷佈線板的製造方法。
首先，如圖13(a)所示，準備具有載體箔之銅箔積層板10。於該具有載體箔之銅箔積層板10中，在絕緣層102之兩面貼附銅箔層104與載體箔層106。接著，如圖13(b)所示，由具有載體箔之銅箔積層板10拉除載體箔層106。接著，如圖13(c)所示般，在銅箔層104之整面上藉鍍覆處理形成金屬層115(鍍覆層)。接著，如圖13(d)所示般，在平坦形狀之金屬層115上形成具有既定開口圖案的抗鍍層112。接著，如圖13(e)所示般，藉由例如蝕刻去除該抗鍍層112之開口圖案內的金屬層115及銅箔層104。其後，如圖13(f)所示般，去除抗鍍層112。藉此，可形成由銅箔層104及金屬層115所構成的導電電路119之圖案。藉由以上步驟，可得到本變形例的印刷佈線板101。
如以上，根據本實施形態，可提供具有載體箔之極薄銅箔的細微加工、細微電路之形狀、及絕緣可靠性優越之印刷佈線板的製造方法、以及該印刷佈線板。
本實施形態之印刷佈線板之製造方法，不僅是於印刷佈線板用基板之兩面上形成導體電路層的情況，亦可應用至僅在印刷佈線板用基板之單面上形成導體電路層的情況。又，亦可應用至如圖8(c)所示般以兩面印刷佈線板作為內層電路板、第3實施形態之多層印刷佈線板的情形。因此，藉由本 實施形態之印刷佈線板之製造方法，可製造單面印刷佈線板、兩面印刷佈線板以及多層印刷佈線板的任一種。
以下，製造本發明之具有載體箔之電解銅箔、及使用該銅箔之銅箔積層板，針對本發明之印刷佈線板之製造方法的實施形態進行說明。於此，係以在載體箔中使用了電解銅箔的情況為中心進行說明。以下根據實施例及比較例詳細說明本發明，但本發明並不限定於此。
(實施例) (金屬箔1之製造)
於載體箔，在18μm厚之電解銅箔(三井金屬工業公司製，3EC-VLP，光澤面之表面粗度為Ra=0.2μm、Rz=1.5μm)之光澤面依序形成接合界面層及極薄銅箔層。作為製造條件，首先將載體箔浸漬於酸洗淨槽(稀硫酸溶液，150g/L，液溫30℃)中20秒而去除表面的油分、氧化被膜等。接著，浸漬於接合界面形成槽(羧基苯并三唑溶液，5g/L，液溫40℃，pH5)，於載體箔之光澤表面上形成接合界面層。接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，明膠濃度10ppm，氯化物離子20ppm，液溫45℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度15A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成1.5μm的塊材銅層。接著，於塊材銅層之表面，一邊浸漬於細微銅粒形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度18g/L之硫 酸溶液，液溫25℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度10A/dm2之燒鍍條件進行電解。接著，一邊浸漬於用於防止細微銅粒脫落的被鍍槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊依電流密度20A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成0.5μm的細微粗化，製造總厚2.0μm極薄銅箔。接著，浸漬於防銹處理槽(硫酸鋅溶液；硫酸濃度70g/L，鋅濃度20g/L，液溫40℃)，依電流密度15A/dm2進行電解並使用鋅進行防銹處理。於此，作為陽極電極，係設為使用了鋅板的溶解性陽極。接著，浸漬於鉻酸處理槽(鉻酸溶液；鉻酸濃度5g/L，pH11.5，液溫55℃)中4秒。最終，於乾燥處理槽中使其歷時60秒通過藉電熱器加熱至環境溫度110℃的爐內，得到具有載體箔的銅箔。又，於各槽之步驟間，係於可進行水洗之水洗槽中進行約30秒的浸漬洗淨。
(金屬箔2之製造)
於載體箔，在12μm厚之電解銅箔(古河電氣工業公司製，F2-WS，光澤面之表面粗度為Ra=0.2μm、Rz=1.2μm)之光澤面上依序形成接合界面層及極薄銅箔層。作為製造條件，首先將載體箔浸漬於酸洗淨槽(稀硫酸溶液，150g/L，液溫30℃)中20秒而去除表面的油分、氧化被膜等。接著，浸漬於接合界面形成槽(羧基苯并三唑溶液，5g/L，液溫40℃，pH5)，於載體箔之光澤表面上形成接合界面層。接著，一邊浸漬於 塊材銅之形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，明膠濃度10ppm，氯化物離子20ppm，液溫45℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度20A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成1.5μm的塊材銅層。接著，於塊材銅層之表面，一邊浸漬於細微銅粒形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度18g/L之硫酸溶液，液溫25℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度10A/dm2之燒鍍條件進行電解。接著，一邊浸漬於用於防止細微銅粒脫落的被鍍槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊依電流密度20A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成0.5μm的細微粗化，製造總厚2.0μm極薄銅箔。接著，浸漬於防銹處理槽(硫酸鋅溶液；硫酸濃度70g/L，鋅濃度20g/L，液溫40℃)，依電流密度15A/dm2進行電解並使用鋅進行防銹處理。於此，作為陽極電極，係設為使用了鋅板的溶解性陽極。接著，浸漬於鉻酸處理槽(鉻酸溶液；鉻酸濃度5g/L，pH11.5，液溫55℃)中4秒。最終，於乾燥處理槽中使其歷時60秒通過藉電熱器加熱至環境溫度110℃的爐內，得到具有載體箔的銅箔。又，於各槽之步驟間，係於可進行水洗之水洗槽中進行約30秒的浸漬洗淨。
(金屬箔3之製造)
於載體箔，在12μm厚之電解銅箔(古河電氣工業公司製， F2-WS，光澤面之表面粗度為Ra=0.2μm、Rz=1.2μm)之光澤面上依序形成接合界面層及極薄銅箔層。作為製造條件，首先將載體箔浸漬於酸洗淨槽(稀硫酸溶液，150g/L，液溫30℃)中20秒而去除表面的油分、氧化被膜等。接著，浸漬於接合界面形成槽(羧基苯并三唑溶液，5g/L，液溫40℃，pH5)，於載體箔之光澤表面上形成接合界面層。接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽1(焦磷酸銅溶液；焦磷酸鉀濃度320g/L，銅濃度80g/L，明膠濃度10ppm，pH8.5，液溫40℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度7A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽2(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度200g/L，明膠濃度10ppm，氯化物離子20ppm，液溫45℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度10A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成1.5μm的塊材銅層。接著，於塊材銅層之表面，一邊浸漬於細微銅粒形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度18g/L之硫酸溶液，液溫25℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度10A/dm2之燒鍍條件進行電解。接著，一邊浸漬於用於防止細微銅粒脫落的被鍍槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊依電流密度20A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成0.5μm的細微粗化，製造總厚2.0μm極薄銅箔。接著，浸漬 於防銹處理槽(硫酸鋅溶液；硫酸濃度70g/L，鋅濃度20g/L，液溫40℃)，依電流密度15A/dm2進行電解並使用鋅進行防銹處理。於此，作為陽極電極，係設為使用鋅板的溶解性陽極。接著，浸漬於鉻酸處理槽(鉻酸溶液；鉻酸濃度5g/L，pH11.5，液溫55℃)中4秒。最終，於乾燥處理槽中使其歷時60秒通過藉電熱器加熱至環境溫度110℃的爐內，得到具有載體箔的銅箔。又，於各槽之步驟間，係於可進行水洗之水洗槽中進行約30秒的浸漬洗淨。
(實施例1)
將作為環氧樹脂之萘改質甲酚酚醛清漆環氧樹脂(DIC公司製，HP-5000)8.5重量份、作為酚硫化劑之聯苯芳烷基型酚樹脂(明成化之股份有限公司，MEH7851-4H)8.5重量份、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂(LONZA公司製，Primaset PT-30)17重量份、球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製，SO-25R，平均粒徑0.5μm)65.5重量份、環氧基矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)0.5重量份，於甲基乙基酮中混合溶解。接著，使用高速攪拌裝置進行攪拌，調整成不揮發份70重量%，調製樹脂清漆。
將上述樹脂清漆浸含於玻璃織布(基重104g，厚87μm，日東紡製E玻璃織布，WEA-116E)中，依150℃加熱爐進行乾燥2分鐘，得到預浸體中之清漆固形份為約50重量%的預浸體。將上述預浸體重疊2片，並重疊具有載體箔之極薄 銅箔(金屬箔1)，依壓力3MPa、溫度220℃進行加熱加壓成形2小時，得到絕緣層為厚0.20mm之兩面具有銅箔的積層板。
(印刷佈線板)
將實施例所得之積層板的載體箔予以剝離去除(圖7(b))，如圖7(c)所示般，由極薄金屬箔上藉由碳酸氣體雷射(三菱電機公司製，ML605GTX3-5100U2)，開穿直徑75μm的貫通通孔，於過猛酸鉀60g/L與氫氧化鈉45g/L之水溶液中，依溫度80℃浸漬2分鐘，進行去污處理。
其後，於鉑溶液(上村工業公司製，MAT-2B/MAT-2A)中依溫度55℃浸漬5分鐘，賦予觸媒，使用上村工業公司製之THUR-CUP PEA-6A，依溫度36℃浸漬15分鐘，形成無電解鍍覆層0.7μm(圖7(d))。
於該無電解鍍覆層之表面，藉由熱輥層合器貼合厚25μm之紫外線感光性乾薄膜(旭化成公司製，SUNFORT UFG-255)，使用描畫了最小線寬/線間為20/20μm之圖案的玻璃遮罩(Topic公司製)，對準位置，藉曝光裝置(小野測器EV-0800)進行曝光，於碳酸鈉水溶液進行顯影，形成抗鍍遮罩(圖7(e))。接著，以無電解鍍覆層作為給電層電極，依3A/dm2、25分鐘進行電鍍銅(奧野製藥公司製81-HL)，形成厚約20μm的銅佈線圖案(圖8(a))。接著，使用剝離機，藉由單乙醇胺溶液(三菱氣體化學公司製R-100)，將上述抗鍍 遮罩剝離(圖8(b))。然後，將屬於給電層之無電解鍍覆層及基底銅箔(2μm)藉快速蝕刻(三菱氣體化學公司製CPE-800，液溫：30℃，噴霧器壓0.23MPa)進行處理180秒而予以去除，形成L/S=20/20μm之圖案(圖案狀蝕刻)，得到印刷佈線板(圖8(c))。
最後，如圖8(d-1)所示般，於電路表面形成抗焊層(太陽油墨公司製，PSR4000/AUS308)，將鍍鎳層(奧野製藥工業公司製，ICP NICORON GM)依溫度80℃浸漬12分鐘而形成2.5μm，接著將鍍金屬(奧野製藥工業公司製，FLASH GOLD330)依溫度80℃浸漬9分鐘而形成0.05μm，得到印刷佈線板。又，亦有如圖8(d-2)所示般，於電路表面未形成抗焊層的情形。
(實施例2)
除了將具有載體箔之極薄銅箔改變為金屬箔2以外，其餘與實施例1相同。
(實施例3)
除了將具有載體箔之極薄銅箔改變為金屬箔3以外，其餘與實施例1相同。
(實施例4)
除了將屬於給電層之無電解鍍覆層及基底銅箔(2μm)之快速蝕刻條件變更如下述以外，其餘與實施例1相同。
將屬於給電層之無電解鍍覆層及基底銅箔(2μm)藉快速蝕 刻(三菱氣體化學公司製CPE-800，液溫：30℃，噴霧器壓0.23MPa)進行處理240秒而予以去除，形成L/S=20/20μm之圖案(圖案狀蝕刻)，得到印刷佈線板。
(實施例5)
除了改變積層板所使用之樹脂組成物以外，其餘與實施例1相同。
將作為環氧樹脂之聯苯芳烷基型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-3000)11重量份、雙順丁烯二醯亞胺化合物(KI化成工業公司製，BMI-70)20重量份、4,4’-二胺基二苯基甲烷3.5重量份、氫氧化鋁(昭和電工製HP-360)65重量份、環氧基矽烷(信越化學工業公司製，KBM-403)0.5重量份，於甲基乙基酮中混合溶解。接著，使用高速攪拌裝置進行攪拌，調整成不揮發份70重量%，調製樹脂清漆。
將上述樹脂清漆浸含於玻璃織布(基重104g，厚87μm，日東紡製E玻璃織布，WEA-116E)中，依150℃加熱爐進行乾燥2分鐘，得到預浸體中之清漆固形份為約50重量%的預浸體。將上述預浸體重疊2片，並重疊具有載體箔之極薄銅箔(金屬箔1)，依壓力3MPa、溫度200℃進行加熱加壓成形1小時，得到絕緣層為厚0.20mm之兩面具有銅箔的積層板。
(比較例1) (金屬箔4之製造)
於載體箔，在35μm厚之電解銅箔(古河電氣工業公司製，F2-WS，光澤面之表面粗度為Ra=0.2μm、Rz=1.2μm)之光澤面依序形成接合界面層及極薄銅箔層。作為製造條件，首先將載體箔浸漬於酸洗淨槽(稀硫酸溶液，150g/L，液溫30℃)中20秒而去除表面的油分、氧化被膜等。接著，浸漬於接合界面形成槽(羧基苯并三唑溶液，5g/L，液溫40℃，pH5)，於載體箔之光澤表面形成接合界面層。接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度2A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成1.5μm的塊材銅層。接著，於塊材銅層之表面，一邊浸漬於細微銅粒形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度18g/L之硫酸溶液，液溫25℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度5A/dm2之燒鍍條件進行電解。接著，一邊浸漬於用於防止細微銅粒脫落的被鍍槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊依電流密度10A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成0.5μm的細微粗化，製造總厚2.0μm極薄銅箔。接著，浸漬於防銹處理槽(硫酸鋅溶液；硫酸濃度70g/L，鋅濃度20g/L，液溫40℃)，依電流密度10A/dm2進行電解並使用鋅進行防銹處理。於此，作為陽極電極，係設為使用了鋅板的溶解性陽極。接著，浸漬於鉻酸 處理槽(鉻酸溶液；鉻酸濃度5g/L，pH11.5，液溫55℃)中4秒。最終，於乾燥處理槽中使其歷時60秒通過藉電熱器加熱至環境溫度110℃的爐內，得到具有載體箔的銅箔。又，於各槽之步驟間，係於可進行水洗之水洗槽中進行約30秒的浸漬洗淨。
除了將具有載體箔之極薄銅箔改變為金屬箔4以外，其餘與實施例1相同而得到印刷佈線板。
(比較例2) (金屬箔5之製造)
於載體箔，在35μm厚之電解銅箔(古河電氣工業公司製，F2-WS，光澤面之表面粗度為Ra=0.2μm、Rz=1.2μm)之光澤面依序形成接合界面層及極薄銅箔層。作為製造條件，首先將載體箔浸漬於酸洗淨槽(稀硫酸溶液，150g/L，液溫30℃)中20秒而去除表面的油分、氧化被膜等。接著，浸漬於接合界面形成槽(羧基苯并三唑溶液，5g/L，液溫40℃，pH5)，於載體箔之光澤表面上形成接合界面層。接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽1(焦磷酸銅溶液；焦磷酸鉀濃度320g/L，銅濃度80g/L，25%氨水2ml/L，pH8.5，液溫40℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度1.5A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，接著，一邊浸漬於塊材銅之形成槽2(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度200g/L，液溫45℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置 平板的陽極電極(鉛)，依電流密度3A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成1.5μm之塊材銅層。接著，於塊材銅層之表面上，一邊浸漬於細微銅粒形成槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度100g/L，銅濃度18g/L之硫酸溶液，液溫25℃)中，一邊對載體箔之單面，平行配置平板的陽極電極(鉛)，依電流密度5A/dm2之燒鍍條件進行電解。接著，一邊浸漬於用於防止細微銅粒脫落的被鍍槽(硫酸銅溶液；硫酸濃度150g/L，銅濃度65g/L，液溫45℃)中，一邊依電流密度10A/dm2之平滑鍍覆條件進行電解，形成0.5μm的細微粗化，製造總厚2.0μm極薄銅箔。接著，浸漬於防銹處理槽(硫酸鋅溶液；硫酸濃度70g/L，鋅濃度20g/L，液溫40℃)，依電流密度15A/dm2進行電解並使用鋅進行防銹處理。於此，作為陽極電極，係設為使用了鋅板的溶解性陽極。接著，浸漬於鉻酸處理槽(鉻酸溶液；鉻酸濃度5g/L，pH11.5，液溫55℃)中4秒。最終，於乾燥處理槽中使其歷時60秒通過藉電熱器加熱至環境溫度110℃的爐內，得到具有載體箔的銅箔。又，於各槽之步驟間，係於可進行水洗之水洗槽中進行約30秒的浸漬洗淨。
除了將具有載體箔之極薄銅箔改變為金屬箔5以外，其餘與實施例1相同而得到印刷佈線板。
(評價)
使用各實施例及比較例所得之印刷佈線板，進行以下評價。將評價項目與內容一起表示，所得結果示於表1。
(評價)
使用各實施例及比較例所得之印刷佈線板，進行以下評價。將評價項目與內容一起表示，所得結果示於表1。又，將實施例1及比較例1之SEM影像示於圖16及圖17。
(1)絕緣層之表面粗度(Rp、Rku)
使用彩色3D雷射顯微鏡(KEYENCE公司製，裝置名VK-9710)，依JIS B0601：2001(無截止值)測定粗度曲線之最大山高度Rp及粗度曲線之峰度(尖度)Rku。測定係針對測定片之任意20點(20處)，依觀察視野面為100μm×100μm進行而作成平均值。又，將上述所得之積層板(圖7(a))之載體箔剝離去除、並將極薄銅箔藉氯化鉰蝕刻液進行整面蝕刻者作為樣本。
(2)快速蝕刻後之絕緣層表面的樣子、以及有無銅殘留
使用掃瞄型電子顯微鏡(日本電子公司製，裝置名：JSM-6060LV)，由從正上方觀察之SEM影像進行判定。又，將上述印刷佈線板之製造過程中佈線加工剛完成後者(圖8(c))作為樣本。
各符號係如下述。
○：絕緣層表面無條紋狀之模樣、凹坑及銅殘留
×：絕緣層表面有條紋狀之模樣、凹坑及銅殘留
(3)LS之細微加工時之薄銅箔之形狀
使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製，裝置名： JSM-6060LV)，由從正上方觀察之SEM影像進行判定。又，將上述印刷佈線板之製造過程中佈線加工剛完成後者(圖8(c))作為樣本。
各符號如下述。
○：佈線電路之絕緣層附近無殘邊
×：佈線電路之絕緣層附近有殘邊
(4)△L=L1-L2
使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製，裝置名：JSM-6060LV)，觀察佈線之剖面形狀，算出薄銅箔之最大寬作為L1、電氣圖案鍍覆之最小寬作為L2，進行計算。又，樣本係使用印刷佈線板(圖8(c))。
(5)LS20(L/S=20μm/20μm)之線間BHAST
細微佈線間之電氣絕緣可靠性，係依施加電壓10V、溫度130℃、濕度85%之條件，藉連續測定進行評價。又，樣本係使用上述實施例所得之印刷佈線板(圖12(b))。又，以絕緣電阻值成為未滿108Ω之時點作為終點。
各符號係如下述。
○：100小時以上
×：未滿100小時
本申請案係主張以2011年1月26日申請之日本申請案特願2011-14127號為基礎的優先權，將其所有揭示內容引用於此。
1‧‧‧銅箔積層板
2‧‧‧絕緣層
4‧‧‧銅箔層
10‧‧‧具有載體箔之銅箔積層板
14‧‧‧金屬層
19‧‧‧導電電路
20‧‧‧上面
22‧‧‧下面
24‧‧‧側面
30‧‧‧面
100‧‧‧銅箔積層板
101‧‧‧印刷佈線板
102‧‧‧絕緣層
104‧‧‧銅箔層
105‧‧‧銅箔層
106‧‧‧載體箔層
107‧‧‧載體箔層
108‧‧‧貫通孔
109‧‧‧孔
110‧‧‧無電解鍍覆層
111‧‧‧無電解鍍覆層
112‧‧‧抗鍍層
113‧‧‧抗鍍層
114‧‧‧鍍覆層
115‧‧‧金屬層
116‧‧‧金屬層
118‧‧‧導電電路
119‧‧‧導電電路
120‧‧‧抗焊層
121‧‧‧抗焊層
122‧‧‧第1鍍覆層
123‧‧‧第1鍍覆層
124‧‧‧第2鍍覆層
125‧‧‧第2鍍覆層
130‧‧‧絕緣層
132‧‧‧鍍覆層
200、201、202、203、204、205‧‧‧印刷佈線板
圖1為概略性表示第1實施形態之印刷佈線板之製造方法之一例的剖面圖。
圖2為概略性表示第1實施形態之印刷佈線板之一部分的剖面圖。
圖3為用於說明殘邊之概略性表示印刷佈線板的剖面圖。
圖4為用於說明第1實施形態之效果的概略性表示印刷佈線板的平面圖。
圖5為用於說明第1實施形態之佈線形狀的剖面圖。
圖6為概略性表示第1實施形態之佈線形狀之變形例的剖面圖。
圖7為概略性表示第2實施形態之印刷佈線板之製造方法之一例的剖面圖。
圖8為概略性表示第2實施形態之印刷佈線板之製造方法之一例的剖面圖。
圖9為概略性表示第2實施形態之佈線形狀之變形例的剖面圖。
圖10為概略性表示第3實施形態之印刷佈線板之製造方法之一例的剖面圖。
圖11為概略性表示第3實施形態之印刷佈線板之製造方法之一例的剖面圖。
圖12為概略性表示第3實施形態之印刷佈線板之製造方 法之一例的剖面圖。
圖13為概略性表示本實施形態之印刷佈線板之製造方法之變形例的剖面圖。
圖14為說明表示表現粗度之參數之一的Rp的概略圖。
圖15為說明表示表現粗度之參數之一的Rku的概略圖。
圖16為表示實施例及比較例之SEM影像的圖。
圖17為表示實施例及比較例之SEM影像的圖。
10‧‧‧具有載體箔之銅箔積層板
20‧‧‧上面
22‧‧‧下面
30‧‧‧面
100‧‧‧銅箔積層板
101‧‧‧印刷佈線板
102‧‧‧絕緣層
104‧‧‧銅箔層
106‧‧‧載體箔層
112‧‧‧抗鍍層
115‧‧‧金屬層
119‧‧‧導電電路

Claims (11)

  1. 一種印刷佈線板之製造方法，其包含：由在至少絕緣層之一面上積層有具有載體基材之銅箔的積層板，分離上述載體基材的步驟；於上述銅箔上，整面或選擇性地形成較上述銅箔厚的金屬層的步驟；與藉由至少對上述銅箔進行蝕刻，得到由上述銅箔及上述金屬層所構成的導電電路圖案的步驟；在得到上述導電電路圖案之上述步驟中，依JIS B0601進行測定時，上述絕緣層之上述一面的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板之製造方法，其中，與上述絕緣層之上述一面相對向的上述銅箔之表面的Ra為1.0μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板之製造方法，其中，上述銅箔係具有長邊之平均長度為2μm以下的結晶粒。
  4. 如申請專利範圍第3項之印刷佈線板之製造方法，其中，於剖面視時，上述長邊之平均長度為2μm以下的上述結晶粒所佔之面積率為80%以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板之製造方法，其中，與上述銅箔之表面相對向的上述載體基材之表面的10點平均粗度(Rz)為0.1μm以上且5.0μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板之製造方法，其中，整面或選擇性地形成上述金屬層之上述步驟，係包括：於上述銅箔上形成具有開口圖案之抗鍍層的步驟；於上述開口圖案內且上述銅箔上，藉鍍覆處理形成成為上述金屬層的鍍覆層的步驟；與去除上述抗鍍層的步驟；得到上述導電電路圖案之上述步驟，係包括對上述銅箔進行軟蝕刻的步驟。
  7. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板之製造方法，其中，在整面或選擇性地形成上述金屬層的上述步驟之前，進一步包括：在上述積層板形成貫通孔或非貫通孔的步驟；在至少上述貫通孔或非貫通孔之內壁使藥液接觸的步驟；與藉由無電解鍍覆，在至少上述銅箔上及上述貫通孔之內壁上或上述非貫通孔之內壁上形成無電解鍍覆層的步驟。
  8. 一種印刷佈線板，其具備：絕緣層；與導電電路圖案，係設於上述絕緣層之一面上，由銅箔及金屬層所構成；依JIS B0601進行測定時，上述絕緣層之上述一面的Rp為4.5μm以下，且Rku為2.1以上。
  9. 如申請專利範圍第8項之印刷佈線板，其中，上述金屬層含有2層以上的鍍覆膜。
  10. 如申請專利範圍第8項之印刷佈線板，其中，於俯視時，在將與上述導電電路圖案之延伸存在方向呈正交之寬度方向上之上述銅箔的最大寬度設為L1，將上述金屬層之最小寬度設為L2時，上述L1係與L2相同、或小於L2。
  11. 如申請專利範圍第10項之印刷佈線板，其中，於俯視時，由上述銅箔之第1面起朝向第2面，上述銅箔之面積變小。
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