TWI598979B - 基板液體處理裝置、基板液體處理方法及記錄有基板液體處理程式的電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents
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Description
本發明，係關於一種以處理液對基板進行液體處理之基板液體處理裝置、基板液體處理方法及記錄有基板液體處理程式的電腦可讀取記錄媒體。
自以往，製造半導體零件或平面顯示器等之際，會使用基板液體處理裝置對半導體晶圓或液晶基板等基板施行清洗或蝕刻等各種處理。
基板液體處理裝置中，使用清洗液或蝕刻液等處理液對基板進行液體處理。作為處理液，大量使用例如，SC－1（Standard Clean 1）液（過氧化氫、氫氧化銨與純水之混合液）等，將複數種類之化學液以既定之混合比率（濃度）混合而產生者。
又，習知之基板液體處理裝置中，為產生既定濃度之處理液，於槽內以既定之混合比率同時供給各化學液，產生處理液。其後，為去除處理液所含有之微粒，使用設於槽之循環流路令處理液循環既定時間以上，以設於循環流路之濾器使處理液潔淨。其後，使用處理液對基板進行液體處理（參照例如，專利文獻1。）。［先前技術文獻］［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2009－172459號公報
［發明所欲解決之課題］
然而，上述習知之基板液體處理裝置中，混合化學液，產生處理液後，使處理液潔淨，其後，以處理液對基板進行液體處理，故自混合化學液（產生處理液）至使用（液體處理）為止之時間會變長。
因此，化學液（處理液）會因混合之化學液彼此之化學性反應或時間上的變化等劣化或分解，而有無法發揮作為處理液之所希望之能力之虞。 ［解決課題之手段］
在此，本發明係一種基板液體處理裝置，包含：基板液體處理部，以處理液處理基板；處理液儲存部，儲存該處理液；處理液供給部，自該處理液儲存部對該基板液體處理部供給該處理液；第1化學液供給部，對該處理液儲存部供給第1化學液；第2化學液供給部，對該處理液儲存部供給第2化學液；化學液潔淨部，使儲存於該處理液儲存部之該第1化學液或該第2化學液循環，並同時使其潔淨；及控制部，控制該處理液供給部、該第1化學液供給部、該第2化學液供給部、該化學液潔淨部；且該控制部，實行下列各程序：第1化學液供給程序，自該第1化學液供給部對該處理液儲存部供給該第1化學液；第1化學液潔淨程序，其後，以該化學液潔淨部使該第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，其後，自該第2化學液供給部對該處理液儲存部供給該第2化學液；及處理液供給程序，其後，自該處理液供給部對該基板液體處理部供給「以該第1化學液與該第2化學液混合而產生之處理液」。
且設置：加熱機構，對儲存於該處理液儲存部之該第1化學液或該第2化學液進行加熱；該控制部，在該第2化學液供給程序開始後，開始驅動該加熱機構。
且該控制部，在該第2化學液供給程序與該處理液供給程序之間，實行：處理液產生程序，將第1化學液與第2化學液加以混合以產生處理液；在該處理液產生程序之中途開始驅動該加熱機構。
且該控制部，以開始驅動該加熱機構之時點為基準，在相較於該時點第1既定時間前，實行第1化學液供給程序，且在相較於該時點第2既定時間前，實行第2化學液供給程序，在處理液於該處理液產生程序達到預定之溫度時，開始該處理液供給程序。
且該控制部，以較「該第2化學液供給程序之開始至該處理液供給程序之開始為止之間之時間」長的方式，實行該第1化學液潔淨程序。
且該處理液儲存部，具有第1及第2儲存槽，該控制部，在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，使用該第2儲存槽實行該第1化學液供給程序、第1化學液潔淨程序、第2化學液供給程序，使用該第1儲存槽之該處理液供給程序結束後，使用該第2儲存槽實行該處理液供給程序。
且該化學液潔淨部，包含：共通之第1化學液潔淨流路，連接該第1及第2儲存槽；第2化學液潔淨流路，自連接該第1及第2儲存槽之該處理液供給部分支，連接該第1及第2儲存槽；且該控制部，在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，經潔淨化之處理液於該第2化學液潔淨流路流通，且以該第1化學液潔淨流路使儲存於該第2儲存槽之第1化學液潔淨。
且該控制部，使用該第1儲存槽實行該處理液供給程序，在使用該第1儲存槽之該處理液供給程序後，實行將儲存於該第1儲存槽之處理液排出之處理液排出程序，其後，使用該第1儲存槽進行該第1化學液供給程序，在使用該第1儲存槽之該處理液供給程序之預定之時間前，使用該第1儲存槽進行該第2化學液供給程序。
本發明係一種基板液體處理方法，進行下列各程序，以該處理液對該基板進行液體處理：第1化學液供給程序，對儲存槽供給第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序後，使第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序後，對該儲存槽供給第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序後，對基板供給「以該第1化學液與該第2化學液混合成之處理液」。
且在該第2化學液供給程序開始後，開始對該第1及第2化學液進行加熱。
且在該第2化學液供給程序與該處理液供給程序之間，進行混合該第1化學液與該第2化學液而產生該處理液之處理液產生程序，在該處理液產生程序之中途開始對該處理液進行加熱。
且以開始對該處理液進行加熱之時點為基準，在相較於該時點預定之第1既定時間前，進行該第1化學液供給程序，且在相較於該時點預定之第2既定時間前，進行該第2化學液供給程序，在該處理液於該處理液產生程序達到預定之溫度時，開始該處理液供給程序。
且在較「該第2化學液供給程序之開始至該處理液供給程序之開始為止之間之時間」長的時間內，進行該第1化學液潔淨程序。
且使用第1及第2儲存槽作為該儲存槽，在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，使用該第2儲存槽進行該第1化學液供給程序、第1化學液潔淨程序、第2化學液供給程序，使用該第1儲存槽之該處理液供給程序結束後，使用該第2儲存槽進行該處理液供給程序，且進行將儲存於該第1儲存槽之處理液排出之處理液排出程序，其後，使用該第1儲存槽進行該第1化學液供給程序，在使用該第1儲存槽之下一次的處理液供給程序的預定之時間前，使用該第1儲存槽進行該第2化學液供給程序。
本發明係一種記錄有基板液體處理程式的電腦可讀取記錄媒體，令基板液體處理裝置實行基板之液體處理，其特徵在於進行下列各程序，以該處理液對該基板進行液體處理：第1化學液供給程序，對儲存槽供給第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序後，使第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序後，對該儲存槽供給第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序後，對基板供給「以該第1化學液與該第2化學液混合成之處理液」。 ［發明之效果］
依本發明，可在處理液未劣化之狀態下使其潔淨（去除微粒），可良好地對基板進行液體處理。
於以下，參照圖式同時說明關於依本發明之基板液體處理裝置、基板液體處理方法及基板液體處理程式之具體構成。
如圖1所示，基板液體處理裝置1中，於前端部形成送入送出部2。於送入送出部2，將「收納有複數片（例如，25片）基板3（在此，係半導體晶圓）之載具4」送入並送出，以沿左右排列之方式載置載具4。
且基板液體處理裝置1中，於送入送出部2之後部形成搬運部5。搬運部5中，於前側配置基板搬運裝置6，並於後側配置基板傳遞台7。此搬運部5中，在由送入送出部2載置之任一載具4與基板傳遞台7之間，使用基板搬運裝置6搬運基板3。
且基板液體處理裝置1中，於搬運部5之後部形成處理部8。處理部8中，配置「於中央沿前後延伸之基板搬運裝置9」，並於基板搬運裝置9之左右兩側，沿前後排列配置：用來對基板3進行液體處理之基板液體處理部10（基板處理裝置）。此處理部8中，在基板傳遞台7與各基板液體處理部10之間，使用基板搬運裝置9搬運基板3，使用1個或複數之基板液體處理部10對基板3進行液體處理。
此基板液體處理裝置1，具有控制部11（電腦），按照由設於控制部11之記錄媒體12記錄之各種程式進行控制。又，記錄媒體12，儲存各種設定資料或程式，以ROM或RAM等記憶體、或硬碟、CD－ROM、DVD－ROM或軟碟等碟狀記錄媒體等公知者構成。
基板液體處理部10，如圖2所示，連接用來供給處理液之處理液供給機構13。
處理液供給機構13，具有用來儲存處理液之處理液儲存部14。此處理液儲存部14，以第1儲存槽15與第2儲存槽16構成。在此，雖以2個儲存槽構成處理液儲存部14，但亦可以1個或3個以上儲存槽構成。且作為處理液，使用：二醇醚類等有機化學液（水溶液）為第1化學液，過氧化氫溶液為第2化學液，以既定濃度混合第1化學液與第2化學液之混合液。
且處理液供給機構13，包含：用來分別對處理液儲存部14供給第1化學液、第2化學液、純水之第1化學液供給部17、第2化學液供給部18、純水供給部19。第1化學液供給部17，包含：對第1儲存槽15供給第1化學液之第1化學液供給流路20，與對第2儲存槽16供給第1化學液之第1化學液供給流路21。各第1化學液供給流路20、21，隔著流量調整器24、25連接供給第1化學液之第1化學液供給源22、23。同樣地，第2化學液供給部18，亦包含：對第1儲存槽15供給第2化學液之第2化學液供給流路26，與對第2儲存槽16供給第2化學液之第2化學液供給流路27，各第2化學液供給流路26、27，隔著流量調整器30、31連接供給第2化學液之第2化學液供給源28、29。且純水供給部19，亦包含：對第1儲存槽15供給純水之純水供給流路32，與對第2儲存槽16供給純水之純水供給流路33，各純水供給流路32、33，隔著流量調整器36、37連接供給純水之純水供給源34、35。又，第1化學液供給源22、23或第2化學液供給源28、29或純水供給源34、35，可於每一儲存槽使用個別者，亦可使用1個共通者。
且處理液供給機構13，包含：用來自處理液儲存部14對基板液體處理部10供給處理液之處理液供給部38。此處理液供給部38中，第1及第2儲存槽15、16隔著流路切換器40、41連接處理液供給流路39，且處理液供給流路39隔著開合閥64、65連接第1及第2儲存槽15、16，處理液供給流路39於中途分支，隔著開合閥66、67連接基板液體處理部10。於處理液供給流路39，依序設置泵42、濾器43與加熱器44。在此，雖自處理液供給部38對2個基板液體處理部10供給處理液，但不限於此，亦可自處理液供給部38對1個或3個以上基板液體處理部10供給處理液。
且處理液供給機構13，包含：用來自基板液體處理部10回收處理液之處理液回收部45。此處理液回收部45中，1個或複數之基板液體處理部10隔著開合閥47、48連接處理液回收流路46，且處理液回收流路46於中途分支，隔著開合閥49、50連接第1及第2儲存槽15、16。
且處理液供給機構13，包含：用來去除第1化學液或第2化學液所含有之微粒等，使化學液潔淨之化學液潔淨部51。此化學液潔淨部51，包含：直接連結第1及第2儲存槽15、16之共通之第1化學液潔淨流路52，與第2化學液潔淨流路53。第2化學液潔淨流路53，係交換濾器43後等以清洗液進行濾器清洗作業時，於處理液供給流路39整體使清洗液流通，對防止污染處理液供給流路39，縮短濾器清洗作業時間相當有效之流路。第1化學液潔淨流路52中，上游部隔著流路切換器40、41分別連接第1及第2儲存槽15、16，且於中途依序設置泵54、濾器55與加熱器56，下游部分支，隔著開合閥57、58連接第1及第2儲存槽15、16。第2化學液潔淨流路53中，上游部兼作為處理液供給流路39，於中途部自處理液供給流路39分支，下游部隔著開合閥59、60連接第1及第2儲存槽15、16。雖未圖示，但在處理液供給流路39與第2化學液潔淨流路53之分支部，和與基板液體處理部之分支部之間之處理液供給流路39，亦可設置開合閥。化學液潔淨部51，以設於第1化學液潔淨流路52之濾器55，與設於第2化學液潔淨流路53之兼作為處理液供給流路39之部分之濾器43，使化學液（處理液）潔淨化。在此，雖形成直接連結第1及第2儲存槽15、16之共通之第1化學液潔淨流路52，但亦可形成分別直接連結第1儲存槽15與第2儲存槽16之各化學液潔淨流路。相較於分別在第1及第2儲存槽15、16形成化學液潔淨流路，於第1及第2儲存槽15、16形成共通之化學液潔淨流路，較可實現基板液體處理裝置1之小型化或低成本化。且設置「直接連結第1及第2儲存槽15、16之共通之第1化學液潔淨流路52，與設於第1及第2儲存槽15、16與處理液供給部38之間之第2化學液潔淨流路53，藉此，可在自一方之第1或第2儲存槽15、16對基板液體處理部10供給經潔淨化之處理液中，使經潔淨化之處理液於第2化學液潔淨流路53流通，於另一方之第1或第2儲存槽15、16同時以第1化學液潔淨流路52使化學液潔淨。
且處理液供給機構13，包含：用來拋棄處理液之處理液拋棄部61。此處理液拋棄部61中，第1及第2儲存槽15、16隔著流路切換器40、41連接排放管62、63。
基板液體處理裝置1，如以上說明而構成，控制部11按照由記錄媒體12記錄之基板液體處理程式（參照圖3。），如以下說明，控制各部，藉此，對基板3進行液體處理。
首先，基板液體處理裝置1，進行對第1儲存槽15供給第1化學液之第1化學液供給程序S1。使用此第1儲存槽15之第1化學液供給程序S1中，如圖4（a）所示，流路切換器40呈封閉狀態，且控制流量調整器24，根據預先設定之混合比率，自第1化學液供給源22對第1儲存槽15供給既定量之第1化學液。藉此，於第1儲存槽15儲存既定量之第1化學液。
其次，基板液體處理裝置1，進行使儲存於第1儲存槽15之第1化學液潔淨之第1化學液潔淨程序S2。使用此第1儲存槽15之第1化學液潔淨程序S2中，如圖4（b）所示，流路切換器40與第1化學液潔淨流路52呈連通狀態，連通第1儲存槽15之開合閥57呈開放狀態，且連通第2儲存槽16之開合閥58呈封閉狀態，驅動泵54。藉此，使儲存於第1儲存槽15之第1化學液，在第1儲存槽15與第1化學液潔淨流路52之間連續循環，以濾器55去除微粒等，藉此使其潔淨。此時，不驅動作為加熱機構之加熱器56，使第1化學液維持低溫（常溫）並循環，防止第1化學液因熱劣化。
其次，基板液體處理裝置1，進行對第1儲存槽15供給第2化學液之第2化學液供給程序S3。使用此第1儲存槽15之第2化學液供給程序S3中，如圖4（c）所示，控制流量調整器30，根據預先設定之混合比率自第2化學液供給源28對第1儲存槽15供給既定量之第2化學液。藉此，除了先儲存於第1儲存槽15之既定量之第1化學液外，更儲存既定量之第2化學液，儲存於第1儲存槽15之第1化學液與第2化學液之量，呈既定之混合比率。使用此第1儲存槽15之第2化學液供給程序S3中，在使用第1儲存槽15之第1化學液潔淨程序S2後，接著使流路切換器40與第1化學液潔淨流路52呈連通狀態，連通第1儲存槽15之開合閥57呈開放狀態，且連通第2儲存槽16之開合閥58呈封閉狀態，不驅動加熱器56而驅動泵54。藉此，第1化學液與第2化學液在低溫（常溫）下逐漸攪拌混合。
其次，基板液體處理裝置1，進行：混合儲存於第1儲存槽15之第1化學液與第2化學液，並同時對其加熱，產生既定溫度之處理液之處理液產生程序S4。使用此第1儲存槽15之處理液產生程序S4中，如圖4（d）所示，在使用第1儲存槽15之第2化學液供給程序S3後，接著使流路切換器40與第1化學液潔淨流路52呈連通狀態，連通第1儲存槽15之開合閥57呈開放狀態，且連通第2儲存槽16之開合閥58呈封閉狀態，驅動泵54。且使用第1儲存槽15之處理液產生程序S4中，開始驅動加熱器56。藉此，攪拌混合第1化學液與第2化學液，同時以加熱器56加熱，產生既定溫度之處理液。又，處理液所含有之水分或過氧化氫溶液會因加熱蒸發，故亦可控制流量調整器30、36，對第1儲存槽15供給既定量之第2化學液或純水。
其次，基板液體處理裝置1，進行自第1儲存槽15對基板液體處理部10供給處理液之處理液供給程序S5。使用此第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，如圖4（e）所示，流路切換器40與處理液供給流路39呈連通狀態，驅動泵42與作為加熱機構之加熱器44。藉此，將儲存於第1儲存槽15之處理液，以濾器43去除微粒等而潔淨化後，經由開合閥66、67對基板液體處理部10供給之。又，對各基板液體處理部10供給之流量，由設於各基板液體處理部10之流量調整器調整。使用此第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，連通第1儲存槽15之開合閥59、64呈開放狀態，且連通第2儲存槽16之開合閥60、65呈封閉狀態，一部分的處理液不供給至基板液體處理部10而回到第1儲存槽15。藉此，使儲存於第1儲存槽15之處理液，在第1儲存槽15與第2化學液潔淨流路53之間連續循環，以濾器43去除微粒等，藉此使其潔淨。且使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，設於處理液回收流路46之開合閥47、48呈開放狀態，連通第1儲存槽15之開合閥49呈開放狀態，且連通第2儲存槽16之開合閥50呈封閉狀態，自基板液體處理部10回收處理液。
如以上說明，自第1儲存槽15對各基板液體處理部10供給處理液，於各基板液體處理部10以處理液對基板3進行液體處理。對此基板3進行液體處理後，處理液所含有之水分或過氧化氫溶液即會因加熱蒸發。在此，對應處理之基板3之片數等，控制流量調整器30、36，對第1儲存槽15供給既定量之第2化學液或純水。且對基板3進行液體處理後，儲存於第1儲存槽15之處理液之處理能力即會降低或儲存量減少。在此，基板液體處理裝置1中，如以下說明，將儲存於第1儲存槽15之處理液拋棄後，於第1儲存槽15補充新穎之處理液，藉此，交換第1儲存槽15之處理液。
首先，基板液體處理裝置1，拋棄儲存於第1儲存槽15之處理液。此時，基板液體處理裝置1，在實行使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，進行對第2儲存槽16供給第1化學液之第1化學液供給程序S6。使用此第2儲存槽16之第1化學液供給程序S6之控制，與使用第1儲存槽15之第1化學液供給程序S1相同，如圖5（a）所示，自第1化學液供給源23對第2儲存槽16供給既定量之第1化學液。
其次，基板液體處理裝置1，進行使儲存於第2儲存槽16之第1化學液潔淨之第1化學液潔淨程序S7。使用此第2儲存槽16之第1化學液潔淨程序S7之控制，與使用第1儲存槽15之第1化學液潔淨程序S2相同，如圖5（b）所示，使儲存於第2儲存槽16之第1化學液，在第2儲存槽16與第1化學液潔淨流路52之間連續循環，藉此，以濾器55去除微粒等。
其次，基板液體處理裝置1，進行對第2儲存槽16供給第2化學液之第2化學液供給程序S8。使用此第2儲存槽16之第2化學液供給程序S8之控制，與使用第1儲存槽15之第2化學液供給程序S3相同，如圖5（c）所示，自第2化學液供給源29對第2儲存槽16供給既定量之第2化學液。
其次，基板液體處理裝置1，進行：將儲存於第2儲存槽16之第1化學液與第2化學液混合，並同時加熱，產生既定溫度之處理液之處理液產生程序S9。使用此第2儲存槽16之處理液產生程序S9中，其控制與使用第1儲存槽15之處理液產生程序S4相同，如圖5（d）所示，攪拌混合第1化學液與第2化學液，並同時以加熱器56加熱，產生既定溫度之處理液。
其次，基板液體處理裝置1，進行：將儲存於第1儲存槽15之處理液排出之處理液排出程序S10。使用此第1儲存槽15之處理液排出程序S10中，中止使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5之實行，如圖5（e）所示，流路切換器40與排放管62呈連通狀態，經由排放管62朝外部拋棄儲存於第1儲存槽15之處理液。藉此，第1儲存槽15中，處理液被排出，呈閒置狀態。
其次，基板液體處理裝置1，進行：自第2儲存槽16對基板液體處理部10供給處理液之處理液供給程序S11。使用此第2儲存槽16之處理液供給程序S11中，其控制與使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5相同，如圖5（f）所示，對基板液體處理部10供給儲存於第2儲存槽16之處理液。
如此，於基板液體處理裝置1，拋棄儲存於第1儲存槽15之處理液。此時，於基板液體處理裝置1，在實行使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，使用第2儲存槽16，實行第1化學液供給程序S6、第1化學液潔淨程序S7、第2化學液供給程序S8、處理液產生程序S9。因此，其後，實行使用第1儲存槽15之處理液排出程序S10後可馬上實行使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11。藉此，可縮短無法以基板液體處理裝置1之基板液體處理部10處理基板3之時間，提升基板液體處理裝置1之處理能力。
基板液體處理裝置1，將儲存於第1儲存槽15之處理液拋棄後，補充新穎之處理液。此時，基板液體處理裝置1，在實行使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11中，如圖6（a）～（d）所示，使用第1儲存槽15，進行第1化學液供給程序S12、第1化學液潔淨程序S13、第2化學液供給程序S14、處理液產生程序S15。又，使用第1儲存槽15之第1化學液供給程序S12、第1化學液潔淨程序S13、第2化學液供給程序S14、處理液產生程序S15之控制，與上述第1化學液供給程序S1、第1化學液潔淨程序S2、第2化學液供給程序S3、處理液產生程序S4相同。
其後，基板液體處理裝置1，中止使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11之實行，如圖6（e）、（f）所示，進行使用第2儲存槽16之處理液排出程序S16與使用第1儲存槽15之處理液供給程序S17。藉此，將儲存於第2儲存槽16之處理液拋棄後馬上自第1儲存槽15對基板液體處理部10供給處理液。又，使用第2儲存槽16之處理液排出程序S16、使用第1儲存槽15之處理液供給程序S17之控制，與使用第1儲存槽15之處理液排出程序S10、使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11相同。
如此，基板液體處理裝置1，在實行使用第1儲存槽15之處理液供給程序S5中，使用第2儲存槽16，實行第1化學液供給程序S6、第1化學液潔淨程序S7、第2化學液供給程序S8、處理液產生程序S9，其後，實行使用第1儲存槽15之處理液排出程序S10，其後，實行使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11，藉此，交換儲存於第2儲存槽16之處理液。且基板液體處理裝置1，在實行使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11中，使用第1儲存槽15，實行第1化學液供給程序S12、第1化學液潔淨程序S13、第2化學液供給程序S14、處理液產生程序S15，其後，實行使用第2儲存槽16之處理液排出程序S16，其後，實行使用第1儲存槽15之處理液供給程序S17，藉此，交換儲存於第1儲存槽15之處理液。
又，上述基板液體處理裝置1，連續交互進行第1儲存槽15之處理液交換與第2儲存槽16之處理液交換。此時，使用第2儲存槽16之第1化學液供給程序S6或使用第1儲存槽15之第1化學液供給程序S12之實行開始，在使用第1儲存槽15之處理液供給程序S17或使用第2儲存槽16之處理液供給程序S11之實行開始後即可。例如，亦可先人為地或自動地設定「自第1儲存槽15排出處理液之處理液排出程序S10，或自第2儲存槽16排出處理液之處理液排出程序S16之實行開始時間」，在相較於該設定時間既定時間（例如，20小時）前，開始使用第2儲存槽16之第1化學液供給程序S6或使用第1儲存槽15之第1化學液供給程序S12之實行。且亦可在相較於設定時間既定時間（例如，1小時）前，開始使用第2儲存槽16之第2化學液供給程序S8或使用第1儲存槽15之第2化學液供給程序S14之實行，其後，在相較於設定時間既定時間（例如，30分鐘）前，開始使用第2儲存槽16之處理液產生程序S9或使用第1儲存槽15之處理液產生程序S15之實行。此時，以較「第2化學液供給程序S8、S14之開始至處理液供給程序S11、S17之開始之間之時間」長的方式，進行第1化學液潔淨程序S7、S13的話，即可促進第1化學液所含有之微粒等之去除，良好地使第1化學液潔淨。又，亦可設定第1化學液供給程序之開始，俾如上述，以設定時間為基準，在相較於該設定時間既定時間前進行，設定第2化學液供給程序或處理液產生程序，俾以開始第1化學液供給程序之時間為基準，在自該第1化學液供給程序之開始起經過預先設定之一定時間後（設定時間前）進行。
如以上說明，上述基板液體處理裝置1中，對儲存槽(15、16)供給第1化學液後，使第1化學液潔淨，其後，對儲存槽(15、16)供給第2化學液，將第1化學液與第2化學液加以混合以產生處理液，故可在處理液未劣化之狀態下使其潔淨（去除微粒），良好地對基板3進行液體處理。
且上述基板液體處理裝置1中，如圖7所示，在依序進行第1化學液供給程序、第1化學液潔淨程序、第2化學液供給程序、處理液產生程序、處理液供給程序中，於開始第2化學液供給程序後（在處理液產生程序之中途）以加熱機構開始加熱。藉此，可防止第1或第2化學液因熱劣化。上述基板液體處理裝置1中，控制部11亦可進行控制，俾以藉由加熱機構開始加熱之時點為基準，在相較於該時點第1既定時間前，開始第1化學液供給程序（第1化學液之供給），並在相較於該時點第2既定時間前，開始第2化學液供給程序（第2化學液之供給），且在加熱開始後處理液達到既定之溫度時，開始處理液供給程序。此時，不僅不會過度對第1及第2化學液加熱，亦不會過度對處理液加熱，就第1化學液、第2化學液、處理液中任一者皆可防止熱造成的劣化，且可防止第1化學液與第2化學液之反應，故可更良好地對基板3進行液體處理。
又，作為處理液，只要是第1化學液與第2化學液之混合液，亦可係清洗液，亦可係蝕刻液等。且第1化學液或第2化學液，不限於1種類之有機化學液（包含水溶液。），亦可係複數種類之有機化學液之混合液。作為第1化學液，宜係含有之微粒等的量多於第2化學液之化學液，或易於因時間之經過或與第2化學液之反應等劣化之化學液。
1‧‧‧基板液體處理裝置
10‧‧‧基板液體處理部
11‧‧‧控制部
13‧‧‧處理液供給機構
14‧‧‧處理液儲存部
15‧‧‧第1儲存槽
16‧‧‧第2儲存槽
17‧‧‧第1化學液供給部
18‧‧‧第2化學液供給部
51‧‧‧化學液潔淨部
10‧‧‧基板液體處理部
11‧‧‧控制部
13‧‧‧處理液供給機構
14‧‧‧處理液儲存部
15‧‧‧第1儲存槽
16‧‧‧第2儲存槽
17‧‧‧第1化學液供給部
18‧‧‧第2化學液供給部
51‧‧‧化學液潔淨部
［圖1］係顯示基板液體處理裝置之俯視圖。［圖2］係顯示處理液供給機構之說明圖。［圖3］係顯示基板液體處理裝置之動作之流程圖。［圖4］（a）～（e）係顯示基板液體處理裝置之動作之說明圖。［圖5］（a）～（f）係顯示基板液體處理裝置之動作之說明圖。［圖6］（a）～（f）係顯示基板液體處理裝置之動作之說明圖。［圖7］係顯示基板液體處理裝置之動作之時序圖。
S1~S17‧‧‧程序
Claims (13)
- 一種基板液體處理裝置，包含：基板液體處理部，以處理液處理基板；處理液儲存部，儲存該處理液；處理液供給部，自該處理液儲存部對該基板液體處理部供給該處理液；第1化學液供給部，對該處理液儲存部供給第1化學液；第2化學液供給部，對該處理液儲存部供給第2化學液；加熱機構，對儲存於該處理液儲存部之該第1化學液或該第2化學液進行加熱；化學液潔淨部，使儲存於該處理液儲存部之該第1化學液或該第2化學液循環，並同時使其潔淨；及控制部，控制該處理液供給部、該第1化學液供給部、該第2化學液供給部與該化學液潔淨部；且該控制部，實行下列各程序：第1化學液供給程序，自該第1化學液供給部對該處理液儲存部供給該第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序之後，以該化學液潔淨部使該第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序之後，自該第2化學液供給部對該處理液儲存部供給該第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序之後，自該處理液供給部對該基板液體處理部供給「以該第1化學液與該第2化學液混合而產生之處理液」，其中，在該第2化學液供給程序開始後，開始驅動該加熱機構。
- 如申請專利範圍第1項之基板液體處理裝置，其中該控制部，在該第2化學液供給程序與該處理液供給程序之間，實行處理液產生程序，將第1化學液與第2化學液加以混合以產生處理液；在該處理液產生程序之中途開始驅動該加熱機構。
- 如申請專利範圍第2項之基板液體處理裝置，其中該控制部，以開始驅動該加熱機構之時點為基準，在相較於該時點第1既定時間前，實行第1化學液供給程序，且在相較於該時點第2既定時間前，實行第2化學液供給程序，在處理液於該處理液產生程序達到預定之溫度時，開始該處理液供給程序。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中該控制部，以較「該第2化學液供給程序之開始至該處理液供給程序之開始為止之間之時間」更長的時間，實行該第1化學液潔淨程序。
- 一種基板液體處理裝置，包含：基板液體處理部，以處理液處理基板；處理液儲存部，儲存該處理液，並且具有第1及第2儲存槽；處理液供給部，自該處理液儲存部對該基板液體處理部供給該處理液；第1化學液供給部，對該處理液儲存部供給第1化學液；第2化學液供給部，對該處理液儲存部供給第2化學液； 化學液潔淨部，使儲存於該處理液儲存部之該第1化學液或該第2化學液循環，並同時使其潔淨；及控制部，控制該處理液供給部、該第1化學液供給部、該第2化學液供給部與該化學液潔淨部；且該控制部，實行下列各程序：第1化學液供給程序，自該第1化學液供給部對該處理液儲存部供給該第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序之後，以該化學液潔淨部使該第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序之後，自該第2化學液供給部對該處理液儲存部供給該第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序之後，自該處理液供給部對該基板液體處理部供給「以該第1化學液與該第2化學液混合而產生之處理液」，其中在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，使用該第2儲存槽實行該第1化學液供給程序、第1化學液潔淨程序、第2化學液供給程序；以及在使用該第1儲存槽之該處理液供給程序結束之後，使用該第2儲存槽實行該處理液供給程序。
- 如申請專利範圍第5項之基板液體處理裝置，其中該化學液潔淨部，包含：共通之第1化學液潔淨流路，連接該第1及第2儲存槽；第2化學液潔淨流路，自連接於該第1及第2儲存槽之該處理液供給部分支，連接該第1及第2儲存槽；且 該控制部，在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，使經過潔淨化之處理液於該第2化學液潔淨流路流通，且以該第1化學液潔淨流路使儲存於該第2儲存槽之第1化學液潔淨。
- 如申請專利範圍第5項之基板液體處理裝置，其中該控制部，使用該第1儲存槽實行該處理液供給程序，在使用該第1儲存槽之該處理液供給程序後，實行將儲存於該第1儲存槽之處理液排出之處理液排出程序，其後，使用該第1儲存槽進行該第1化學液供給程序，在使用該第1儲存槽之該處理液供給程序之預定之時間前，使用該第1儲存槽進行該第2化學液供給程序。
- 一種基板液體處理方法，進行下列各程序，以該處理液對該基板進行液體處理：第1化學液供給程序，對儲存槽供給第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序後，使第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序後，對該儲存槽供給第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序後，對基板供給「以該第1化學液與該第2化學液混合成之處理液」，其中，在該第2化學液供給程序開始後，開始對該第1及第2化學液進行加熱。
- 如申請專利範圍第8項之基板液體處理方法，其中在該第2化學液供給程序與該處理液供給程序之間，進行混合該第1化學液與該第2化學液而產生該處理液之處理液產生程序，在該處理液產生程序之中途開始對該處理液進行加熱。
- 如申請專利範圍第9項之基板液體處理方法，其中以開始對該處理液進行加熱之時點為基準，在相較於該時點預定之第1既定時間前，進行該第1化學液供給程序，且在相較於該時點預定之第2既定時間前，進行該第2化學液供給程序，在該處理液於該處理液產生程序達到預定之溫度時，開始該處理液供給程序。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之基板液體處理方法，其中在較「該第2化學液供給程序之開始至該處理液供給程序之開始為止之間之時間」更長的時間內，進行該第1化學液潔淨程序。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之基板液體處理方法，其中使用第1及第2儲存槽作為該儲存槽，在使用該第1儲存槽進行該處理液供給程序之期間，使用該第2儲存槽進行該第1化學液供給程序、第1化學液潔淨程序、第2化學液供給程序，使用該第1儲存槽之該處理液供給程序結束後，使用該第2儲存槽進行該處理液供給程序，且進行將儲存於該第1儲存槽之處理液排出之處理液排出程序，其後，使用該第1儲存槽進行該第1化學液供給程序，在使用該第1儲存槽之下一次的處理液供給程序的預定之時間前，使用該第1儲存槽進行該第2化學液供給程序。
- 一種記錄有基板液體處理程式的電腦可讀取記錄媒體，該基板液體處理程式令基板液體處理裝置實行基板之液體處理，其特徵在於進行下列各程序，以該處理液對該基板進行液體處理：第1化學液供給程序，對儲存槽供給第1化學液；第1化學液潔淨程序，於該第1化學液供給程序後，使第1化學液潔淨；第2化學液供給程序，於該第1化學液潔淨程序後，對該儲存槽供給第2化學液；及處理液供給程序，於該第2化學液供給程序後，對基板供給「以該第1化學液與該第2化學液混合成之處理液」，其中，在該第2化學液供給程序開始後，開始對該第1及第2化學液進行加熱。
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