TWI592082B - A printed circuit board - Google Patents

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TWI592082B
TWI592082B TW104116000A TW104116000A TWI592082B TW I592082 B TWI592082 B TW I592082B TW 104116000 A TW104116000 A TW 104116000A TW 104116000 A TW104116000 A TW 104116000A TW I592082 B TWI592082 B TW I592082B
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Naomi Komatsu
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Fujikura Ltd
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Description

印刷電路板
本發明係有關於一種印刷電路板。
已知一種軟性印刷電路(專利文獻1)，該軟性印刷電路係從一面謀求高密度化一面提高在高頻1之傳送特性的觀點，將使用環氣系熱硬化型黏合劑的黏合劑層形成於所積層的單位基板之間。
【先行專利文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開2012-243923號公報
可是，因為環氣系熱硬化性黏合材料的介電常數大，所以具有在高頻之信號傳送時的傳送特性是不充分的問題。
本發明所欲解決之課題係提供一種印刷電路板，該印刷電路板係在高頻之信號傳送時的傳送特性高，且配線密度高。
[1]本發明係藉由提供具有如下之特徵的印刷電路 板，解決該課題，包括：由液晶聚合物所構成之第1絕緣性基材；形成於該第1絕緣性基材之一側主面的第1信號線；由液晶聚合物所構成之第2絕緣性基材；沿著該第1信號線之延伸方向形成於該第2絕緣性基材之一側主面的第2信號線；以及黏合層，係使該第1絕緣性基材之一側主面與該第2絕緣性基材之一側主面黏合，並由改質聚苯醚所構成；在該第1信號線及該第2信號線所傳送之信號的頻率是2.5GHz以上而且5.0GHz以下的情況，是在沿著該第1信號線之寬度方向的端部中最遠離該第2信號線之一側端部的位置、與在沿著該第2信號線之寬度方向的端部中最接近該第1信號線之一側端部的位置之距離的偏置量比該第1信號線之電路寬度更長，是130[μm]以上而且300[μm]以下。
[2]在該發明，藉由將該偏置量作成200[μm]以 下，解決該課題。
[3]在該發明，藉由提供具有如下之特徵的印刷電 路板，解決該課題，該第1信號線係傳送第1頻率的信號；該第2信號線係傳送與第1頻率相異之第2頻率的信號。
若依據本發明，因為可一面維持傳送特性，一面使信號線間之距離變短，所以可抑制信號線間之累積間距的量。結果，可提供一種印刷電路板，該印刷電路板係在高頻之信號傳送時的傳送特性高，且配線密度高。
1‧‧‧印刷電路板
11‧‧‧第1絕緣性基材
131、132、133‧‧‧第1信號線
12‧‧‧第1接地層12
21‧‧‧第2絕緣性基材
231、232、233‧‧‧第2信號線
20‧‧‧保護層
22‧‧‧第2接地層
30‧‧‧黏合層
41、42‧‧‧覆蓋構件
TH‧‧‧貫穿孔
50‧‧‧層間導電層
第1圖係表示本發明之一實施形態之印刷電路板的剖面圖。
第2圖係用以說明第1圖所示之印刷電路板之製造方法的圖。
第3圖係用以說明本實施形態之實施例的印刷電路板之構成的圖。
第4A圖係在構造1改變偏置量S的情況之在頻率700MHz的串訊S41之量測結果的圖。
第4B圖係在構造2改變偏置量S的情況之在頻率700MHz的串訊S41之量測結果的圖。
第4C圖係在構造3改變偏置量S的情況之在頻率700MHz的串訊S41之量測結果的圖。
第4D圖係在構造4改變偏置量S的情況之在頻率700MHz的串訊S41之量測結果的圖。
第5A圖係在構造1改變偏置量S的情況之在頻率2.5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第5B圖係在構造2改變偏置量S的情況之在頻率2.5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第5C圖係在構造3改變偏置量S的情況之在頻率2.5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第5D圖係在構造4改變偏置量S的情況之在頻率2.5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第6A圖係在構造1改變偏置量S的情況之在頻率5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第6B圖係在構造2改變偏置量S的情況之在頻率5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第6C圖係在構造3改變偏置量S的情況之在頻率5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第6D圖係在構造4改變偏置量S的情況之在頻率5GHz的串訊S41之量測結果的圖。
第7A圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率700MHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7B圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率800MHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7C圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率900MHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7D圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率1.5GHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7E圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率1.7GHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7F圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率2GHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7G圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率2.5GHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
第7H圖係在構造1改變偏置量S的情況之頻率5GHz的傳送特性S31之量測結果的圖。
以下，根據圖面，說明本發明之實施形態。在本 實施形態，說明在連接裝置內部之電路間、電路與裝置間、或裝置間的傳送線路，應用本發明之印刷電路板1的例子。本實施形態之印刷電路板1係適合傳送高速信號，可進行根據LVDS、MIPI、HDMI(登錄商標)、USB等之各種規格的傳送。
第1圖係表示本實施形態之印刷電路板1的剖面 圖。如第1圖所示，本實施形態之印刷電路板1具有由第1基材10與第2基材20所積層之積層構造。在第1圖所示之例子，表示將第1基材10積層於第2基材20之上側的例子，但是亦可是相反。
第1基材10包括第1絕緣性基材11、形成於此第 1絕緣性基材11之一側主面11a(第1圖中下側)的第1信號線131、132、133(有時亦總稱為「第1信號線130」)、以及形成於第1絕緣性基材11之另一側主面(第1圖中上側)的第1接地層12。在第1圖所示之印刷電路板1，第1接地層12係藉第1保護層41所覆蓋。
第2基材20包括第2絕緣性基材21、形成於此第 2絕緣性基材21之一側主面21a(第1圖中上側)的第2信號線231、232、233(有時亦總稱為「第2信號線230」)、以及形成於第2絕緣性基材21之另一側主面(第1圖中下側)的第2接地層22。在第1圖所示之印刷電路板1，第2接地層22係藉第2保護層42所覆蓋。
第1圖所示之本實施形態的第2信號線231係沿 著第1信號線131之延伸方向所形成。本實施形態之第1信號線131的延伸方向與第2信號線231的延伸方向係大致平行。 即，第1信號線131與第2信號線231係處於並列的關係。又，第1圖所示之本實施形態的第1信號線131與第2信號線231係配置於在信號線之寬度方向錯間的位置。在本實施形態，是從沿著第1信號線131之寬度方向(第1圖中橫向方向)，最遠離第2信號線231的位置之一側端部的位置(X1)，至沿著第2信號線231之寬度方向(第1圖中橫向方向)，最接近第1信號線131的位置之一側端部的位置(X2)之距離的偏置量S係比第1信號線131的電路寬度L1更長。即，如第1圖所示，彼此被積層之第1基材10的第1信號線131與第2基材20的第2信號線231係以在其積層方向不相對向之方式配置成使寬度方向(第1圖中橫向方向)的位置錯開。換言之，沿著第1信號線131之寬度方向，最接近第2信號線231之另一側端部的位置(Y1)、與沿著第2信號線231之寬度方向，最接近第1信號線131之另一側端部的位置(Y2)的距離係大於0的值。
在第1圖所示之印刷電路板1，雖無特別限定，但是是從沿著第1信號線131的寬度方向之一側端部的位置X1至沿著第2信號線231的寬度方向之一側端部的位置X2之距離的偏置量S係300[μm]以下較佳。在第1信號線131之電路寬度L1是100[μm]以下的情況，從沿著第1信號線131之寬度方向，最接近第1信號線的位置(Y1)、至沿著第2信號線231之寬度方向，最接近第1信號線131之位置(Y2)的距離，即第1信號線131與第2信號線231之電路寬度方向的最短距離係200[μm]。又，在本實施形態，偏置量係200[μm]以下較佳。在此情況，在第1信號線131之電路寬度L1是100[μm]的情況， 從沿著第1信號線131之寬度方向，最接近第1信號線的位置(Y1)、至沿著第2信號線231之寬度方向，最接近第1信號線131之位置(Y2)的距離，即第1信號線131與第2信號線231之電路寬度方向的最短距離係100[μm]。
第1信號線131之電路寬度L1與第2信號線231之電路寬度L2係亦可是相同的值，亦可是相異的值。又，第1信號線131與第2信號線231電鍍厚度係亦可是相同的值，亦可是相異的值。在此，說明了作為第1信號線130之一例的第1信號線131、與作為第2信號線230之一例之第2信號線231的關係，但是亦可應用於在第1絕緣性基材11之一側主面11a所形成的未圖示之別的第1信號線130、與在第2絕緣性基材21之一側主面21a所形成的未圖示之別的第2信號線230的關係。本實施形態之印刷電路板1可構成為具備複數條相當於第1圖所示之第1信號線130及第2信號線230。
雖無特別限定，本實施形態之第1信號線131係傳達第1頻率之信號，第2信號線231係傳達與第1頻率相異之第2頻率的信號。最近，在智慧型手機或平板終端機信號之處理速度之高速化的要求高漲，對作為構成元件之印刷電路板1亦要求提高在高頻之傳送特性。又，因為手機之頻帶係根據各載波而異，所以要求可傳送複數種頻率的信號。在本實施形態，可具備分別獨立之複數條信號線，該信號線係藉由在各信號線確保穩定的傳送特性，傳送頻率相異的信號。在本實施形態，提供一種可在包含高頻之寬的頻帶以高的特性傳送複數種頻率之信號的印刷電路板1。
第1絕緣性基材11及第2絕緣性基材21係由包 含液晶聚合物(以下亦稱為「LCP」)之材料所構成。本實施形態之第1絕緣性基材11及第2絕緣性基材21係由液晶聚合物所構成。本實施形態之液晶聚合物係只要是在熔化狀態顯示液晶性質之樹脂，無特別限定。亦可是聚酯系液晶聚合物，亦可是醯胺系液晶聚合物。
第1信號線130及第2信號線230係由銅、銀、 金等之導電性材料所構成。一樣地，第1接地層12及第2接地層22係由銅、銀、金等之導電性材料所構成。亦可第1接地層12與第2接地層22係由相異之導電性材料所構成。
第1保護層41及第2保護層42係覆蓋層、或感 光性液狀抗蝕劑等之覆蓋材料。作為材料，可使用聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚2,6萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酯(PE)等之絕緣性材料。
黏合層30介於本實施形態的第1基材10與第2 基材20之間。黏合層30係使構成本實施形態的第1基材10之第1絕緣性基材11的一側主面11a與第2絕緣性基材21的一側主面21a黏合。第1信號線130形成於第1絕緣性基材11的一側主面11a，第2信號線230形成於第2絕緣性基材21的一側主面21a。
本實施形態之黏合層30係由包含改質聚苯醚(以 下亦稱為「m-PPE」)所構成。本實施形態之黏合層30係由改質聚苯醚所構成。改質聚苯醚係在本專利申請適當地選擇可取得者並利用之。
在本實施形態，黏合層30所使用之m-PPE係例如使苯乙烯系化合物與乙烯系化合物共聚所得之苯乙烯-乙烯系化合物共聚合體，並是藉由對聚醚醯亞胺進行加熱、熔化、混合，而被賦與熔化流動性與高耐熱性的材料。黏合劑之m-PPE係例如具備在頻率2GHz之相對介電常數為2.2~2.6及介電損耗正切為0.002~0.01、拉伸強度為30~50MPa、拉伸彈性係數為300~400MPa之物理性質。又，m-PPE具備玻璃轉變溫度為230~250℃、熱膨脹係數為100~300ppm/℃之物理性質。
雖無特別限定，在本實施形態所使用之m-PPE具備以下之物理性質。
(a)硫化條件：200℃/1hr(60分鐘)
(b)介電常數：2.4(2GHz)[空腔共振器量測]
(c)介電損耗正切：0.0029(2GHz)[空腔共振器量測]
(d)銅剝離強度：7(N/cm)[JIS C6471]
(e)拉伸強度：42(MPa)[JIS C2318]
(f)伸長：250(%)[JIS 2318]
(g)拉伸係數：325(MPa)[JIS K7113]
(h)玻璃轉變溫度：235(℃)[DMA(Dynamic Mechanical Analysis)：檢測出彈性係數之動態黏彈性量測JIS 6481]
(i)熱膨脹係數α1：110(ppm/℃)[TMA(Thermal Mechanical Analysis)：測量熱膨脹係數之熱機械分析JIS 6481]
(j)體積電阻(E15Ωcm)[JIS 2170]
(k)熱阻：370(℃)[TG-DTA(差熱-熱重量同時量測)]
(l)吸水率：比0.1小(%)[JIS 2318]
(m)氯離子：比10(ppm)小[121℃/100%RH/在經過20hr後，抽出水分並測量]
(n)鈉離子：比5(ppm)小[121℃/100%RH/在經過20hr後，抽出水分並測量]
(o)鉀離子：比5(ppm)小[121℃/100%RH/在經過20hr後，抽出水分並測量]
本實施形態之印刷電路板1係具有所謂的帶狀線構造。第1絕緣性基材11介於第1接地層12與第1信號線131(130)之間，第2絕緣性基材21介於第2接地層22與第2信號線231(230)之間。第1信號線131(130)係被經由第1絕緣性基材11之第1接地層12與經由第2絕緣性基材21之第2接地層22所夾。又，第2信號線231(230)係被經由第2絕緣性基材21之第2接地層22與經由第1絕緣性基材11之第1接地層12所夾。
雖未圖示，亦可採用所謂的共平面線構造，該共平面線構造係在形成第1信號線131(130)之第1絕緣性基材11的一側主面11a形成接地線，並在形成第2信號線231(230)之第2絕緣性基材21的一側主面21a形成接地線。
接著，根據第2圖，說明本實施形態之印刷電路板1的製造方法。
首先，如第2圖(a)所示，準備已形成第1信號線130之第1基材10、已形成第2信號線230之第2基材20、以及構成黏合層30之改質聚苯醚樹脂片30’。第1基材10係使用將銅箔形成於由例如厚度25[μm]的液晶聚合物所構成之第1 絕緣性基材11的兩主面之覆銅板(CCL：Copper Clad Laminated)所製作。雖無特別限定，本實施形態之第1基材10具有厚度12.5[μm]之電解銅箔。而且，使用減色法等一般之光微影手法，對第1絕緣性基材11之一側主面11a側之銅箔的既定區域進行蝕刻，而形成所要之第1信號線130。對第1絕緣性基材11之另一側主面側的銅箔，亦因應於需要，對銅箔的既定區域進行蝕刻，而形成接地層12。
一樣地，第2基材20係使用將銅箔形成於由例如 厚度25[μm]的液晶聚合物所構成之第2絕緣性基材21的兩主面之覆銅板(CCL：Copper Clad Laminated)所製作。雖無特別限定，本實施形態之第2基材20具有厚度12.5[μm]之電解銅箔。而且，與第1基材10一樣，使用減色法，對第2絕緣性基材21之一側主面21a側之銅箔的既定區域進行蝕刻，而形成所要之第2信號線230。對第2絕緣性基材21之另一側主面側的銅箔，亦因應於需要，對銅箔的既定區域進行蝕刻，而形成接地層22。
如第2圖(a)所示，使改質聚苯醚樹脂片30’介於第 1基材10與第2基材20之間。具體而言，具體地將改質聚苯醚樹脂片30’配置於第1絕緣性基材11之一側主面11a與第2絕緣性基材21的一側主面21a之間。而且，在使改質聚苯醚樹脂片30’介入之狀態，將第1基材10與第2基材20重疊後，進行積層堆疊，一起進行積層壓製。具體而言，使第1基材10在第2圖(a)之箭號Z1方向移動，使其接近第2基材20，並使第2基材20在箭號Z2方向移動，使其接近第1基材10。然 後，在加熱狀況下，沿著積層方向對第1基材10、改質聚苯醚樹脂片30’以及第2基材20進行熱壓。藉此，形成由改質聚苯醚所構成之黏合層30，該黏合層30係使形成第1信號線130之第1絕緣性基材11的一側主面11a、與形成第2信號線230之第2絕緣性基材21的一側主面21a黏合。
該熱壓的步驟係在加熱溫度170~190℃、加壓壓力 5~20kg/cm2、30~60分鐘、真空周圍環境下進行。順便地，構成本實施形態之黏合層30的黏合劑之m-PPE的加壓硬化溫度例如是約180℃±10℃。在本實施形態，在溫度：180℃±10℃、時間：約60分鐘之壓製條件，在真空周圍環境下進行。藉此，構成黏合層30之m-PPE的高分子被熔接，而顯示具備高耐熱性之柔軟特性。因為本實施形態之黏合層30具備柔軟特性，所以可得到軟性印刷電路板1。本實施形態之第1絕緣性基材11、第2絕緣性基材21的玻璃轉變溫度例如是300℃以上。黏合層30之加壓硬化溫度係比第1絕緣性基材11/第2絕緣性基材21之玻璃轉變溫度(300℃以上)更低。藉此，在熱壓步驟，可將在第1絕緣性基材11、第2絕緣性基材21所產生之變形等的損害抑制成最低限度。
又，在本實施形態之熱壓步驟，因為在高溫之熱 壓處理係不需要，所以可使用將聚醯亞胺系樹脂用作絕緣性基材之既有之FPC的製造設備，製作本發明之實施形態的印刷電路板1。在本實施形態之熱壓步驟，因為可使用例如蒸氣加熱型式或熱溶媒過熱油型式等之便宜的壓製裝置，所以可降低印刷電路板1之製造費用。
接著，如第2圖(c)所示，形成貫穿第1基材10與第2基材20之既定直徑的貫穿孔TH。貫穿孔TH之形成手法係無特別限定，亦可使用NC鑽頭鑽孔，亦可藉雷射處理鑽孔。
然後，如第2圖(d)所示，對第1基材10及第2基材20實施直接電鍍處理後，對貫穿孔TH進行電鍍處理。藉電鍍處理，形成層間導電層50。藉層間導電層50將第1信號線130、第2信號線230、第1接地層12以及第2接地層22以電性連接，以實現層間導電。
接著，如第2圖(e)所示，將既定電路形成於第1接地層12、第2接地層22。
如第1圖所示，形成覆蓋第1接地層12之保護層41、與覆蓋第2接地層22之保護層42，而得到第1圖所示之印刷電路板1。此外，第1接地層12、第2接地層22係因為被賦與基準電位(電源電位、接地電位)，所以第1信號線132、第2信號線232亦成為基準電位。
進而，雖省略圖示，在本實施形態，將同軸連接器組裝於印刷電路板1的表面。在本實施形態，信號之輸出入係經由表面組裝於印刷電路板1之上的同軸連接器所進行。同軸連接器係因為可使用以往之組裝線來組裝，所以不必導入新的設備，就可製作本實施形態之印刷電路板1。又，藉由在信號之輸出入使用同軸連接器，元件之拆裝變得容易。即使是因應於製品之小形化而裝入空間縮小的情況，亦可高效率地進行製品之組裝。結果，可實現作業工時之減少與處理耗費的降低。
此外，藉由使印刷電路板1之外形分支，可在全 方向產生圖案，而設計之自由度提高。印刷電路板1之外形加工係因為可藉模具或雷射進行，所以亦可維持高的尺寸精度。
本實施形態之印刷電路板1係因為第1絕緣性基材11及第2絕緣性基材21由LCP所構成，而且黏合層30由m-PPE所構成，所以可將介電常數及介電損耗正切抑制成低。頻率特性比以往之使用聚醯亞胺系的樹脂等者更優異，可實現不會損失柔軟性並能以高速傳送信號的構造。
本實施形態之印刷電路板1係藉由液晶聚合物所構成之第1、第2絕緣性基材11、21、與改質聚苯醚之黏合層30的組合，將介電常數抑制成低，而可實現在高頻之高速傳送。又，本實施形態之印刷電路板1係因為可將獨立之複數條信號線配線於構成多層基板之黏合層30的內部，所以在一片印刷電路板1可傳送頻率相異之兩種以上的信號。
進而，本實施形態之印刷電路板1係因為電路寬度方向錯開地配置第1信號線131(130)與第2信號線231(230)，所以確保第1信號線131(130)與第2接地層22的距離及第2信號線231(230)與第1接地層12的距離，而可在信號線彼此不會發生干涉下傳送信號。因此，在第1信號線131(130)及第2信號線231(230)之任一個都可執行可靠性高的信號傳送。因為使各信號線之特性阻抗匹配，亦可將各信號線之電路寬度設計成粗，所以可維持高的傳送特性。又，因為可使印刷電路板1之厚度變成不厚，所以柔軟性、彎曲特性亦不會受損。
<實施例>
以下，說明本發明之本實施形態的實施例。藉以下所說明之實施例，驗證本實施形態之印刷電路板1之串訊等的傳送特性。
作為實施例，得到第3圖所示之既定形態的印刷電路板1。如第3圖所示，本實施例之印刷電路板1具有一條第1信號線131與一條第2信號線231。將第1信號線131之線寬定義為電路寬度L1，並將第2信號線231之線寬定義為電路寬度L2。為了便於實驗，將第1信號線131之電路寬度L1與第2信號線231之電路寬度L2設為相同。將沿著第1基材10與第2基材20之積層方向之第1信號線131的厚度定義為厚度t1，一樣地，將沿著積層方向之第2信號線231的厚度定義為厚度t2。為了便於實驗，將第1信號線131的厚度t1與第2信號線231的厚度t2設為相同。
又，將從沿著第1信號線131之寬度方向，在第1信號線131之兩側的端部中最遠離第2信號線231的位置之一側端部的位置P1，至沿著第2信號線231之寬度方向，在第2信號線231之兩側的端部中最接近第1信號線131的位置之一側端部的位置P2之距離定義為偏置量S。進而，將沿著第1絕緣性基材11之主面的第1信號線131之平面(與第1絕緣性基材11未接觸之側的平面)的位置、與沿著第2絕緣性基材21之主面的第2信號線231之平面(與第2絕緣性基材21未接觸之側的平面)的位置之距離定義為導體間距離D。
在本實施例之印刷電路板1，如以下之第1表所示定義構造1、構造2、構造3以及構造4，該構造1、構造2、 構造3以及構造4係一面具有第3圖所示之基本的構造，一面將電路寬度L之設計值改變成25[μm]、50[μm]、100[μm]，而且將導體間距離D之設計值改變成30[μm]、60[μm]。
又，作為比較例，製作第1絕緣性基材11’(相當 的構成，以下相同)及第2絕緣性基材21’(相當的構成，以下相同)由聚醯亞胺所構成，黏合層30’(相當的構成，以下相同)是丙烯酸環氧系黏合劑(介電常數3.6~3.8(2GHz)、介電損耗正切0.03~0.04、銅剝離強度9N/cm、吸水率2.0%)之印刷電路板1’。本比較仃之印刷電路板1’具備與本實施例相同之該第1表的構造1、構造2、構造3以及構造4。
在第2表表示在本實施例之第1絕緣性基材11及 第2絕緣性基材21所使用之LCP薄膜、與比較例之第1絕緣性基材11’及第2絕緣性基材21’所使用之PI薄膜的物理性質。
在本實施例之黏合層30所使用之m-PPE樹脂薄膜 係介電常數2.2~2.6(2GHz)、介電損耗正切0.002~0.01、銅剝離強度7N/cm、吸水率0.2%。因為藉m-PPE樹脂薄膜構成黏合層30，所以在製作多層基板時之積層步驟可在約180℃±10℃進行壓製。因為依此方式可在比較低溫進行處理，所以可使用既有之軟性基板的製造裝置來製造。又，因為可在比較低溫進行處理，所以可抑制所製作之印刷電路板1的尺寸不均。
又，因為m-PPE樹脂薄膜係柔軟，在低壓(0.1~1 MPa)亦可對電路埋入，所以可一起進行積層堆疊處理。藉由將這種材質之m-PPE樹脂薄膜用作黏合層30，可減少製造所需之步驟數，並可減少在進行積層壓製時所使用之副資材。m-PPE樹脂薄膜具有吸濕耐性。又，因為m-PPE樹脂薄膜之介電常數小，所以藉由使其介入，提高傳送特性。
接著，對具備構造1~4之實施例及具備構造1~4 之比較例，測量改變在各頻率之偏置量S的情況之串訊S41[dB]，並比較之。在本實施形態所測量之串訊S41[dB]係表示複數條信號線中在一條信號線(傳送線路)的傳送信號洩漏至其他的信號線(傳送線路)之程度的量測值。在本實施形態，串訊S41之值低的實施例係信號之洩漏少，而被評估為顯示良好之傳送特性者。
在如下之第3表，表示在改變所傳送之信號的頻 率為700MHz之偏置量S的情況之實施例1-1~1-4及比較例1-1~1-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例1-1及比較例1-1具備構造1，實施例1-2及比較例1-2具備構造2，實施例1-3 及比較例1-3具備構造3，實施例1-4及比較例1-4具備構造4。
對具備構造1之實施例1-1及比較例1-1，在第4A 圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造2之實施例1-2及比較例1-2，在第4B圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造3之實施例1-3及比較例1-3，在第4C圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造4之實施例1-4及比較例1-4，在第4D圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。實施例係以實線表示，比較例係以虛線表示。
在如下之第4表，表示在改變所傳送之信號的頻率為800MHz之偏置量S的情況之實施例2-1~2-4及比較例2-1~2-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例2-1及比較例2-1具備構造1，實施例2-2及比較例2-2具備構造2，實施例2-3及比較例2-3具備構造3，實施例2-4及比較例2-4具備構造4。本量測結果係因為表示與700MHz相同之傾向，所以省略圖示。
[第4表]
在如下之第5表，表示在改變所傳送之信號的頻率為900MHz之偏置量S的情況之實施例3-1~3-4及比較例3-1~3-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例3-1及比較例3-1具備構造1，實施例3-2及比較例3-2具備構造2，實施例3-3及比較例3-3具備構造3，實施例3-4及比較例3-4具備構造4。本量測結果係因為表示與700MHz相同之傾向，所以省略圖示。
在如下之第6表，表示在改變所傳送之信號的頻率為1.5GHz之偏置量S的情況之實施例4-1~4-4及比較例4-1~4-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例4-1及比較例4-1具備構造1，實施例4-2及比較例4-2具備構造2，實施例4-3及比較例4-3具備構造3，實施例4-4及比較例4-4具備構造4。本量測結果係因為表示與700MHz相同之傾向，所以省略圖示。
在如下之第7表，表示在改變所傳送之信號的頻率為1.7GHz之偏置量S的情況之實施例5-1~5-4及比較例5-1~5-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例5-1及比較例5-1具備構造1，實施例5-2及比較例5-2具備構造2，實施例5-3及比較例5-3具備構造3，實施例5-4及比較例5-4具備構造4。本量測結果係因為表示與700MHz相同之傾向，所以省略圖示。
[第7表]˙1.7GHz的情況之串訊S41的量測結果
在如下之第8表，表示在改變所傳送之信號的頻率為2.0GHz之偏置量S的情況之實施例6-1~6-4及比較例6-1~6-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例6-1及比較例6-1具備構造1，實施例6-2及比較例6-2具備構造2，實施例6-3及比較例6-3具備構造3，實施例6-4及比較例6-4具備構造4。本量測結果係因為表示與700MHz相同之傾向，所以省略圖示。
在如下之第9表，表示在改變所傳送之信號的頻 率為2.5GHz之偏置量S的情況之實施例7-1~7-4及比較例7-1~7-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例7-1及比較例7-1具備構造1，實施例7-2及比較例7-2具備構造2，實施例7-3及比較例7-3具備構造3，實施例7-4及比較例7-4具備構造4。
對具備構造1之實施例7-1及比較例7-1，在第5A 圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造2之實施例7-2及比較例7-2，在第5B圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造3之實施例7-3及比較例7-3，在第5C圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造4之實施例7-4及比較例7-4，在第5D圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。實施例係以實線表示，比較例係以虛線表示。如第5A圖~第5D圖所示，所傳送之信號的頻率為2.5GHz之串訊S41的圖案係與700MHz~2.0GHz之串訊S41的圖案大致相同。
在如下之第10表，表示在改變所傳送之信號的頻 率為5.0GHz之偏置量S的情況之實施例8-1~8-4及比較例8-1~8-4之串訊S41[dB]的量測結果。實施例8-1及比較例8-1具備構造1，實施例8-2及比較例8-2具備構造2，實施例8-3及比較例8-3具備構造3，實施例8-4及比較例8-4具備構造4。
對具備構造1之實施例8-1及比較例8-1，在第6A 圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造2之實施例8-2及比較例8-2，在第6B圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造3之實施例8-3及比較例8-3，在第6C圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。對具備構造4之實施例8-4及比較例8-4，在第6D圖表示對偏置量之串訊S41的量測結果。實施例係以實線表示，比較例係以虛線表示。
如第3表至第10表、及第4A圖~第4D圖、第5A 圖~第5D圖以及第6A圖~第6D圖所示，在偏置量S為400[μm] 以下，實施例1-1~1-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例1-1~1-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例2-1~2-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例2-1~2-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例3-1~3-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例3-1~3-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例4-1~4-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例4-1~4-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例5-1~5-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例5-1~5-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例6-1~6-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例6-1~6-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例7-1~7-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例7-1~7-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。實施例8-1~8-4之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比比較例8-1~8-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。進而，在偏置量S為300[μm]以下，各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係對各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果顯示有利的差。進而，在偏置量S為200[μm]以下，各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係對各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果顯示更有利的差。
尤其，在所傳送之信號的頻率係未滿5.0GHz的情 況，在偏置量S為400[μm]以下，觀察到各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係顯示比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低之值的傾向，顯示良好的結果。一樣地，在所傳送之信號的頻率係未滿5.0GHz的情況，在偏置量S是300[μm]以下的情況，觀察到各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係顯示比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低之值的傾向。一樣地，在所傳送之信號的頻率係未滿5.0GHz的情況，在偏置量S是200[μm]以下的情況，觀察到各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係顯示比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低之值的傾向，顯示有利的差。
至少在所傳送之信號的頻率係未滿2.5GHz的情 況，在偏置量S為400[μm]以下，各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更低，而顯示良好的值。一樣地，在所傳送之信號的頻率係未滿2.5GHz的情況，在偏置量S是300[μm]以下的情況，各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係顯示比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果有利的差。一樣地，在所傳送之信號的頻率係未滿2.5GHz的情況，在偏置量S是200[μm]以下的情況，各實施例之印刷電路板1之串訊S41的量測結果係顯示比各比較例之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更有利的差。
在所傳送之信號的頻率係2.5GHz的情況，具有構 造1之本實施例7-1之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是22[μm]以上而且400[μm]以下的情況，顯示比比較例7-1之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。在所傳送之信號的頻率係2.5GHz的情況，具有構造2之本實施例7-2之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是400[μm]以下時，顯示比比較例7-2之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。在所傳送之信號的頻率係2.5GHz的情況，具有構造3之本實施例7-3之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是400[μm]以下時，顯示比比較例7-3之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。具有構造4之本實施例7-4之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是400[μm]以下時，顯示比比較例7-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。
在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，具有構造1之本實施例8-1之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是130[μm]以上而且400[μm]以下的情況，顯示比比較例8-1之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，具有構造2之本實施例8-2之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是42[μm]以上時，顯示比比較例8-2之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，具有構造3之本實施例8-3之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是20[μm]以上時，顯示比比較例8-3之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好 的值。具有構造4之本實施例8-4之印刷電路板1之串訊S41[dB]的量測結果係在偏置量S是76[μm]以上時，顯示比比較例8-4之印刷電路板1’之串訊S41的量測結果更良好的值。
其次，對在各頻率之具備構造1的實施例10-1~10-8及具備構造1的比較例10-1~10-8，測量在變更了偏置量S之情況的傳送特性S31[dB]，並比較之。在本實施形態所測量之傳送特性S31[dB]係表示所輸入之信號被輸出了多少的量測值。即，在本實施形態之傳送特性S31[dB]係表示輸入信號有多少信號流動的指標值。在本實施形態之傳送特性S31係取0~1的值。在本實施形態，將傳送特性S31之值接近1.0者(差小者)評估為顯示良好之傳送特性者。
在如下之第11表，表示所傳送之信號的頻率為700MHz~5.0GHz之傳送特性S31[dB]的量測結果。實施例10-1~實施例10-8具備構造1。比較例10-1~10-8亦一樣地具備構造1。
對所傳送之信號的頻率是700MHz之實施例10-1及比較例10-1，在第7A圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是800MHz之實施例10-2及比較例10-2，在第7B圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是900MHz之實施例10-3及比較例10-3，在第7C圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是1.5GHz之實施例10-4及比較例10-4，在第7D圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是1.7GHz之實施例10-5及比較例10-5，在第7E圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是2.0GHz之實施例10-6及比較例10-6，在第7F圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是2.5GHz之實施例10-7及比較例10-7，在第7G圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。對所傳送之信號的頻率是5.0GHz之實施例10-8及比較例10-8，在第7H圖表示對偏置量之傳送特性S31的量測結果。
實施例係以實線表示，比較例係以虛線表示。如第7A圖~第7H圖所示，各實施例之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係比比較例之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0，顯示良好的值。此外，所傳送之信號的頻率為700MHz~2.5GHz之實施例之傳送特性S31的圖案係大致相同。
如第11表、及第7A圖~第7H圖所示，在偏置量S為400[μm]以下，實施例10-1~10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-1~10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值或相同的值。進而，在偏置量S是300[μm]以下的情況，實施例10-1~10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-1~10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值或相同的值。尤其，在偏置量S是200[μm]以下的情況，實施例10-1~10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-1~10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。
在所傳送之信號的頻率係未滿5.0GHz的情況，在偏置量S為200[μm]以下，實施例10-1~10-7之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-1~10-7之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。
至少在所傳送之信號的頻率係2.5GHz以下的情況，在偏置量S是400[μm]以下的情況，實施例10-1~10-7之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例 10-1~10-7之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值或相同的值。一樣地，在所傳送之信號的頻率係2.5GHz以下的情況，在偏置量S為300[μm]以下，可確認該效果。一樣地，在所傳送之信號的頻率係2.5GHz以下的情況，在偏置量S為200[μm]以下，實施例10-1~10-7之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-1~10-7之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。
在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，在偏置量S為400[μm]以下，實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，在偏置量S為300[μm]以下，實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，在偏置量S為200[μm]以下，實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，在偏置量S為61[μm]以上，實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31的量測結果係顯示比比較例10-8之印刷電路板1’之傳送特性S31的量測結果更接近1.0的值。
在所傳送之信號的頻率係5.0GHz的情況，在偏置量S為155[μm]以上，本實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31[dB]的量測結果為0.6以上，在高頻顯示比比較例10-8 更良好的值。在偏置量S為174[μm]以上，本實施例10-8之印刷電路板1之傳送特性S31[dB]的量測結果為0.8以上，在高頻顯示比比較例10-8更良好的值。
本實施例之印刷電路板1係在構成上包括由液晶 聚合物所構成之第1絕緣性基材11、形成於第1絕緣性基材11之一側主面的第1信號線131、由液晶聚合物所構成之第2絕緣性基材21、沿著第1信號線131之延伸方向形成於第2絕緣性基材21之一側主面21a的第2信號線231、以及使第1絕緣性基材11之一側主面11a與第2絕緣性基材21之一側主面21a黏合並由改質聚苯醚所構成的黏合層30。在本構成，因為可使是從沿著第1信號線131之寬度方向，最遠離第2信號線231之一側端部的位置，至沿著第2信號線231之寬度方向，最接近第1信號線131之一側端部的位置P2之距離的偏置量S作成比第1信號線131之電路寬度L1更長，而且300[μm]以下，所以可提供一面維持傳送特性，一面可應付薄形化及小形化的印刷電路板1。尤其，在具備複數條信號線的情況，因為可使間距寬度的累積量變小，所以可提供適合薄形化及小形化的印刷電路板1。
進而，因為將偏置量作成200[μm]以下，亦可維持 傳送特性，可有助於進一步的薄形化及小形化。尤其，作為傳送高頻之信號的印刷電路板1，可縮小偏置量S。
因為可使信號線間之偏置量變小，所以設計之自 由度提高，而可應付各種配線的圖案。
因為可維持各信號線之傳送特性，所以可使各條 信號線傳送頻率相異的信號。即，可使第1信號線傳送第1頻率的信號，並使第2信號線傳送第2頻率的信號。藉這種構成，可滿足在一台機器傳送複數種頻率之信號的要求。
以上所說明之實施形態係為了易於理解本發明所 記載者，不是為了限定本發明所記載者。因此，在該實施形態所揭示之各元件係亦包含屬於本發明的技術性範圍之全部的設計變更或對等物的主旨。
1‧‧‧印刷電路板
10‧‧‧第1基材
11‧‧‧第1絕緣性基材
11a、21a‧‧‧一側主面
12‧‧‧第1接地層
20‧‧‧第2基材
21‧‧‧第2絕緣性基材
22‧‧‧第2接地層
30‧‧‧黏合層
41、42‧‧‧保護層
131(130)、132(130)、133(130)‧‧‧第1信號線
231(230)、232(230)、233(230)‧‧‧第2信號線
TH‧‧‧貫穿孔
L1、L2‧‧‧電路寬度
S‧‧‧偏置量
X1、X2‧‧‧位置

Claims (3)

  1. 一種印刷電路板，其特徵為包括：由液晶聚合物所構成之第1絕緣性基材；形成於該第1絕緣性基材之一側主面的第1信號線；由液晶聚合物所構成之第2絕緣性基材；沿著該第1信號線之延伸方向形成於該第2絕緣性基材之一側主面的第2信號線；以及黏合層，係使該第1絕緣性基材之一側主面與該第2絕緣性基材之一側主面黏合，並由改質聚苯醚所構成；在該第1信號線及該第2信號線所傳送之信號的頻率是2.5GHz以上而且5.0GHz以下的情況，是在沿著該第1信號線之寬度方向的端部中最遠離該第2信號線之一側端部的位置、與在沿著該第2信號線之寬度方向的端部中最接近該第1信號線之一側端部的位置之距離的偏置量比該第1信號線之電路寬度更長，是130μm以上而且300μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板，其中該偏置量是200μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之印刷電路板，其中該第1信號線係傳送第1頻率的信號；該第2信號線係傳送與第1頻率相異之第2頻率的信號。
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