JP2022032293A - 配線体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線体の幅を増やすことなく、電力供給線の電流容量を増やすことができる配線体およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の配線体１は、第１の主面および第２の主面を有するコア絶縁基材１１と、第１の主面に設けられ、配線体１の長手方向に延びる信号線ＬＳおよび電力供給線ＬＶａと、第２の主面に設けられ、配線体１の長手方向に延び、コア絶縁基材１１に設けられたスルーホールＴＨにより電力供給線ＬＶａに電気的に接続された電力供給線ＬＶｂと、信号線ＬＳおよび電力供給線ＬＶａを埋設するように第１の主面に積層された第１の誘電体層と、第１の誘電体層の上に設けられたグランド層２２ａと、電力供給線ＬＶｂを埋設するように第２の主面に積層された第２の誘電体層と、第２の誘電体層の上に設けられ、グランド層２２ａとともに少なくとも信号線ＬＳを挟むグランド層３２ａとを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、配線体およびその製造方法、より詳しくは、信号線および電力供給線を有する配線体、およびその製造方法に関する。

近年、スマートフォン、ノートパソコン、デジタルカメラ、ゲーム機などの電子機器においては、小型化および高速化の進展に伴い、情報処理量が急増している。このため、信号速度はますます高速化する傾向にある。スマートフォン等の携帯通信端末は、２０１９年から次世代通信規格５Ｇへの移行が始まっている。５Ｇでは、通信端末が送受信する信号の周波数は数ＧＨｚから２０～３０ＧＨｚになる。さらに２０２２年頃には、信号周波数は５０ＧＨｚ程度にまで高まる見込みである。信号周波数の増加に応じて信号の伝送損失が大きくなることから、信号線（伝送線路）が設けられる配線体には、伝送損失を低減することが求められている。

また、電子機器の小型化、高密度化に伴い、配線体には信号線だけでなく、電子機器の電源から供給される電力をプロセッサ等の電子部品に供給するための電力供給線（電源ライン）が設けられることがある。特にスマートフォン等の携帯端末の場合、配線体の幅方向の寸法に対して厳しい制約が課せられる。その一方、電子機器の高速化に伴って消費電力が増加するため、より大きな電源容量が必要となる。

なお、特許文献１および特許文献２には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路が記載されている。

国際公開２０１４－００２７８５号パンフレット 国際公開２０１４－１５７０３１号パンフレット

上記のように配線体には電流容量を増やすことが求められるものの、配線体の幅に対する制約により、電力供給線の幅を増やすことが難しい。このため、所要の電流容量を確保することが困難であるという課題があった。

本発明は、上述の技術的認識に基づいてなされたものであり、配線体の幅を増やすことなく、電力供給線の電流容量を増やすことができる配線体およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る配線体は、
信号および電力を伝送するための配線体であって、
第１の主面および、前記第１の主面の反対側の第２の主面を有するコア絶縁基材と、
前記第１の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる信号線と、
前記第１の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる第１の電力供給線と、
前記第２の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる第２の電力供給線であって、前記コア絶縁基材に設けられた層間接続手段により前記第１の電力供給線に電気的に接続された第２の電力供給線と、
前記信号線および前記第１の電力供給線を埋設するように前記第１の主面に積層された第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上に設けられた第１のグランド層と、
前記第２の電力供給線を埋設するように前記第２の主面に積層された第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の上に設けられ、前記第１のグランド層とともに少なくとも前記信号線を挟む第２のグランド層と、
を備えることを特徴とする。

また、前記配線体において、
前記第１の電力供給線は、前記信号線よりも厚いようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第１の電力供給線は、前記第１の主面に設けられた金属箔と、前記金属箔の上に形成されためっき層から構成され、前記信号線は前記第１の主面に設けられた金属箔から構成されるようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第２の電力供給線は、前記信号線よりも厚いようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第１のグランド層は、前記コア絶縁基材の前記第１の主面の法線方向から見たときに、前記第１の電力供給線および前記第２の電力供給線を実質的に覆うようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第２のグランド層は、前記コア絶縁基材の前記第２の主面の法線方向から見たときに、前記第１の電力供給線および前記第２の電力供給線を実質的に覆うようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記信号線の端部の上に、受けランドが局所的に設けられており、
前記受けランドと、前記第１の誘電体層の上に設けられたパッドとが、フィルドビアにより電気的に接続されているようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記コア絶縁基材は、液晶ポリマーからなるようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第１の誘電体層は、前記信号線および前記第１の電力供給線を埋設するように前記第１の主面に積層された第１の接着剤層と、前記第１の接着剤層の上に積層された第１の絶縁基材とを有し、
前記第２の誘電体層は、前記第２の電力供給線を埋設するように前記第２の主面に積層された第２の接着剤層と、前記第２の接着剤層の上に積層された第２の絶縁基材とを有するようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第１の絶縁基材および／または前記第２の絶縁基材は、液晶ポリマーからなるようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記コア絶縁基材、前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層のうち少なくともいずれか１つについて、１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．０～３．５であり、誘電正接が０．００１～０．００５であるようにしてもよい。

また、前記配線体において、
前記第１の誘電体層の上に設けられ、フィルドビアを介して前記信号線に電気的に接続された第１のパッドと、
前記第１の誘電体層の上に設けられ、フィルドビアを介して前記第１の電力供給線に電気的に接続された第２のパッドと、
前記第１のパッドにはんだ接続された第１の端子と、前記第２のパッドにはんだ接続された第２の端子とを有する部品と、
をさらに備えてもよい。

本発明に係る配線体の製造方法は、
信号および電力を伝送するための配線体を製造する方法であって、
第１の主面、および前記第１の主面と反対側の第２の主面を有する第１の絶縁基材と、前記第１の主面に設けられた第１の金属箔と、前記第２の主面に設けられた第２の金属箔とを有する両面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記両面金属箔張積層板に第１の導通用孔を形成する工程と、
少なくとも、電力供給線となる部分における前記第１および第２の金属箔の上、および前記第１の導通用孔の内壁にめっき層を形成する工程と、
前記第１の金属箔、前記第２の金属箔および前記めっき層をエッチング除去して信号線および電力供給線を形成し、それにより、両面コア基板を得る工程と、
第３の主面、および前記第３の主面と反対側の第４の主面を有する第２の絶縁基材と、前記第３の主面に設けられた第３の金属箔とを有する第１の片面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第４の主面に第１の接着剤層を積層し、前記第１の接着剤層の上に第１の保護フィルムを積層する工程と、
前記第１の保護フィルムの所定箇所にレーザ光を照射することにより、前記第１の保護フィルム、前記第１の接着剤層および前記第２の絶縁基材を除去して、底面に前記第３の金属箔が露出した有底の第２の導通用孔を形成する工程と、
前記第２の導通用孔内に第１の導電ペーストを充填し、それにより、第１の片面基板を得る工程と、
第５の主面、および前記第５の主面と反対側の第６の主面を有する第３の絶縁基材と、前記第６の主面に設けられた第４の金属箔とを有する第２の片面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第５の主面に第２の接着剤層を積層し、前記第２の接着剤層の上に第２の保護フィルムを積層する工程と、
前記第２の保護フィルムの所定箇所にレーザ光を照射することにより、前記第２の保護フィルム、前記第２の接着剤層および前記第３の絶縁基材を除去して、底面に前記第４の金属箔が露出した有底の第３の導通用孔を形成する工程と、
前記第３の導通用孔内に第２の導電ペーストを充填し、それにより、第２の片面基板を得る工程と、
前記第１の片面基板の前記第１の接着剤層から前記第１の保護フィルムを剥離し、前記第２の片面基板の前記第２の接着剤層から前記第２の保護フィルムを剥離する工程と、
前記第１の片面基板の前記第１の接着剤層を前記両面コア基板の一方の主面に対向させ、前記第２の片面基板の前記第２の接着剤層を前記両面コア基板の他方の主面に対向させて、前記第１の片面基板、前記第２の片面基板および前記両面コア基板間の位置合わせを行った後、前記第１の片面基板および前記第２の片面基板で前記両面コア基板を挟み込むように積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱および加圧して一体化する工程と、
を備えることを特徴とする。

また、前記配線体の製造方法において、
前記めっき層を形成する工程において、前記信号線となる部分にはめっき層を形成しないようにしてもよい。

また、前記配線体の製造方法において、
前記両面コア基板をロールトゥロール工法により作製するようにしてもよい。

本発明によれば、配線体の幅を増やすことなく、電力供給線の電流容量を増やすことができる配線体およびその製造方法を提供することができる。

実施形態に係る配線体の平面模式図である。 実施形態に係る配線体の内部に設けられた複数本の配線の一部を示す平面図である。 実施形態に係る配線体の端部における幅方向の一部断面図である。 実施形態に係る配線体の信号線に沿う長手方向の一部断面図である。 実施形態に係る両面コア基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ａに続く、実施形態に係る両面コア基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施形態に係る上側ビルドアップ用の片面基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図６Ａに続く、実施形態に係る上側ビルドアップ用の片面基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施形態に係る下側ビルドアップ用の片面基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図７Ａに続く、実施形態に係る下側ビルドアップ用の片面基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施形態に係る配線体の積層工程を説明するための工程断面図である。 （１）はソルダーレジスト層が形成された実施形態に係る配線体の一部断面図であり、（２）はコネクタ部品が実装された実施形態に係る配線体の一部断面図である。 実施形態の変型例に係る両面コア基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１０Ａに続く、変型例に係る両面コア基板の製造方法を説明するための工程断面図である。

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付している。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係（縦横比）、各層の厚みの比率等は現実のものと必ずしも一致しない。

＜配線体１＞
まず、図１および図２を参照して、本実施形態に係る配線体１の概略的な構成について説明する。図１は配線体１の平面模式図であり、図２は配線体１の内部に設けられた複数本の配線の一部を示す平面図である。なお、図１において、Ｘ方向は配線体１の長手方向であり、Ｙ方向は配線体１の幅方向である。

配線体１は、信号および電力を伝送するための配線体であって、スマートフォン、タブレット端末等の情報処理端末の筐体内に設けられる。たとえば、配線体１は、無線信号を送受信するＲＦモジュールと、信号処理チップ等が実装されたメイン基板とを電気的に接続するために用いられる。

図１に示すように、配線体１の内部には、電力供給線ＬＶ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧが配線体１の長手方向に延びるように設けられている。

電力供給線ＬＶは、電力を伝送するための配線である。後ほど詳しく説明するが、この電力供給線ＬＶは、配線体１のコア基材（後述の絶縁基材１１）の上面および下面にそれぞれ形成された導電層をスルーホール等の層間接続手段で電気的に接続したものとして構成されている。これにより、配線体１の幅に対する制約下においても、電力供給線の実質的な厚みを増やすことができ、所要の電流容量を確保することができる。

信号線ＬＳは、高速信号を伝送するための配線である。後ほど詳しく説明するが、この信号線ＬＳは、電力供給線ＬＶよりも薄く形成されており、線幅が高精度に制御されている。そのため、インピーダンス整合性に優れている。

グランド配線ＬＧは、信号線ＬＳの電位を安定化させるために設けられている。本実施形態では、図２に示すように、グランド配線ＬＧが信号線ＬＳの両側に設けられている。

図１に示すように、配線体１の両端部には、コネクタ等の部品（図示せず）を実装するための複数のパッドＰ１～Ｐ６が設けられている。パッドＰ１とパッドＰ２は、電力供給線ＬＶにより電気的に接続されている。パッドＰ３とパッドＰ４は、グランド配線ＬＧにより電気的に接続されている。パッドＰ５とパッドＰ６は、信号線ＬＳにより電気的に接続されている。

なお、図１は本実施形態に係る配線体１を模式的に簡略化した図であり、各種配線およびパッドの数や配置はこれに限られない。たとえば、配線体１に複数本の信号線ＬＳが設けられてよいし、電力供給線ＬＶも複数本設けられてよい。パッドは、複数本の信号線ＬＳに応じた数だけ設けられてもよい。

また、図２に示すように、信号線ＬＳはグランド配線ＬＧに挟まれるように配置されてもよい。信号線ＬＳと同様に、電力供給線ＬＶはグランド配線ＬＧに挟まれるように配置されてもよい。

また、信号線ＬＳは、シングルエンドの伝送線路に限られず、差動線路として設けられてもよい。この場合、２本の信号線がグランド配線ＬＧを挟まずに並走するように設けられる。また、一対の差動線路がグランド配線ＬＧを隔てて複数組設けられてもよい。その他、シングルエンドの伝送線路と差動線路とが混在して設けられてもよい。

また、各配線の平面形状は図２に示すような直線状に限らない。たとえば、特開２０１９－１０６５０８号公報に記載されているような形状であってもよい。

次に、図３および図４の断面図を参照して、配線体１の内部構造について詳しく説明する。図３は、配線体１の端部における幅方向の一部断面図である。図４は、配線体１の信号線に沿う長手方向の一部断面図である。

配線体１は、絶縁基材（コア絶縁基材）１１と、この絶縁基材１１に設けられた各種配線（信号線ＬＳ、電力供給線ＬＶおよびグランド配線ＬＧ）と、絶縁基材１１の上面に形成された接着剤層２３と、この接着剤層２３上に積層された絶縁基材２１と、この絶縁基材２１の上に設けられた導体部（グランド層２２ａ，パッド２２ｂ，２２ｃ）と、絶縁基材１１の下面に積層された接着剤層３３と、この接着剤層３３に積層された絶縁基材３１と、絶縁基材３１の上に設けられた導体部（グランド層３２ａ，パッド３２ｂ）と、層間接続手段（スルーホールＴＨ、フィルドビア２５ｃ，３５ｃ）と、ソルダーレジスト層２６，３６と、を備えている。以下、各構成要素について詳しく説明する。

絶縁基材１１は、配線体１のコア基材であり、たとえば可撓性を有する絶縁樹脂フィルムからなる。この絶縁基材１１の材料は、高速信号の伝送損失を低減する観点から、比誘電率および誘電正接（ｔａｎδ）が小さい絶縁材料を用いることが望ましく、たとえば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）である。なお、絶縁基材１１の材料は、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＦＥ等）などであってもよい。

なお、絶縁基材１１の厚みは、配線体に要求される伝送特性や可撓性に応じて決定されてよい。たとえば、絶縁基材１１の厚みは２５～１００μｍである。

電力供給線ＬＶは、電力供給線ＬＶａ（第１の電力供給線）および電力供給線ＬＶｂ（第２の電力供給線）を有する。電力供給線ＬＶａは、絶縁基材１１の上面に設けられ、配線体１の長手方向に延びるように形成されている。電力供給線ＬＶｂは、絶縁基材１１の下面に設けられ、配線体１の長手方向に延びるように形成されている。電力供給線ＬＶａと電力供給線ＬＶｂは、絶縁基材１１に形成されたスルーホールＴＨにより電気的に接続されている。

電力供給線ＬＶａは、図３に示すように、２層の導体膜（金属箔１２とめっき層１４）から構成されており、一層の導体膜からなる信号線ＬＳよりも厚い。同様に、電力供給線ＬＶｂは、２層の導体膜（金属箔１３とめっき層１４）から構成されている。なお、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂが２層の導体膜であることは必須でなく、少なくともいずれか一方が金属箔のみから構成されてもよい。

電力供給線ＬＶａは、フィルドビア２５ｃを介してパッド２２ｂに電気的に接続されている。同様に、電力供給線ＬＶｂは、フィルドビア３５ｃを介してパッド３２ｂに電気的に接続されている。パッド２２ｂは、配線体１に実装される部品の端子（図示せず）とはんだ接続される。このパッド２２ｂは、絶縁基材２１の上に設けられ、フィルドビア２５ｃを介して電力供給線ＬＶに電気的に接続されている。なお、本実施形態では、パッド３２ｂは使用しないため、ソルダーレジスト層３６で被覆されている。

なお、絶縁基材１１の主面の法線方向から見たときに、電力供給線ＬＶａと電力供給線ＬＶｂは互いに少なくとも一部が重なるように形成されている。本実施形態では、電力供給線ＬＶａと電力供給線ＬＶｂは完全に重なるように形成されている。

信号線ＬＳは、前述のように、絶縁基材１１の上面に形成されている。図４に示すように、信号線ＬＳは、フィルドビア２５ｃを介して、絶縁基材２１上に設けられたパッド２２ｃに電気的に接続されている。パッド２２ｃは、配線体１に実装される部品の端子（図示せず）とはんだ接続される。このパッド２２ｃは、絶縁基材２１の上に設けられ、フィルドビア２５ｃを介して信号線ＬＳに電気的に接続されている。

図４に示すように、信号線ＬＳの端部とフィルドビア２５ｃの間には、めっき層１４が受けランドとして局所的に設けられている。これにより、めっき層１４の厚さ分だけフィルドビア２５ｃの長さを短くすることができる。その結果、層間接続に対する信頼性を向上させることができる。特に、絶縁基材２１が熱膨張係数の大きい材料（液晶ポリマー等）からなる場合に効果的である。

グランド配線ＬＧは、図３に示すように、本実施形態では、絶縁基材１１の上面および下面にそれぞれ形成されている。各グランド配線ＬＧは、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂと同様に、２層の導体膜から構成されている。このため、めっき層１４の厚さ分だけフィルドビア２５ｃの長さを短くすることができ、層間接続に対する信頼性を向上させることができる。

なお、絶縁基材１１の上面に形成されたグランド配線ＬＧと、絶縁基材１１の下面に形成されたグランド配線ＬＧは、電力供給線ＬＶａと電力供給線ＬＶｂのようにスルーホール等の層間接続手段により電気的に接続されてもよい。なお、絶縁基材１１の下面側のグランド配線ＬＧは省略される場合もある。

接着剤層２３は、図３に示すように、信号線ＬＳ、電力供給線ＬＶａ、および絶縁基材１１の上面に形成されたグランド配線ＬＧを埋設するように絶縁基材１１の上面に積層されている。

接着剤層３３は、電力供給線ＬＶｂ、および絶縁基材１１の下面に形成されたグランド配線ＬＧを埋設するように絶縁基材１１の下面に積層されている。

なお、接着剤層２３，３３の材料としては、熱硬化性を有し、十分な接着強度を確保できるものを用いる。たとえば、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリイミド等を主成分とする接着剤を用いる。

また、絶縁基材１１の誘電特性と同等もしくはそれ以上の誘電特性を有する接着剤を用いてもよい。これにより、配線体１の伝送特性を向上させることができる。

絶縁基材２１は、図３に示すように、接着剤層２３に積層されている。この絶縁基材２１は接着剤層２３とともに、各配線とグランド層間の誘電体層（第１の誘電体層）を構成する。絶縁基材３１は、接着剤層３３に積層されている。この絶縁基材３１は接着剤層３３とともに、各配線とグランド層間の誘電体層（第２の誘電体層）を構成する。

絶縁基材２１，３１の材料は、高速信号の伝送損失を低減する観点から、比誘電率および誘電正接が小さい絶縁材料を用いることが望ましく、たとえば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）である。なお、絶縁基材２１，３１の材料は、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＦＥ等）などであってもよい。

第１および第２の誘電体層は、伝送損失の観点からは厚い方が望ましいが、機器への組み込みや層間接続の信頼性の観点からは薄いほうが望ましい。これら両方の観点を考慮して、第１および第２の誘電体層の厚みは、たとえば、液晶ポリマーからなる絶縁基材２１，３１については各々２５～１００μｍの範囲内とし、接着剤層２３，３３については各々２５～７５μｍの範囲内とする。ここでは、第１および第２の誘電体層は、５０μｍ厚のＬＣＰ樹脂層を５０μｍ厚の接着材で貼り合わせた構造としている。

なお、絶縁基材２１と絶縁基材３１の厚みは同じである必要はなく、信号線ＬＳが配線体１の断面中央付近に配置されるように、絶縁基材３１を絶縁基材２１よりも薄く（たとえば２５μｍ厚）としてもよい。

グランド層２２ａは、絶縁基材２１の上に設けられている。このグランド層２２ａは、フィルドビア２５ｃを介して、絶縁基材１１の上側のグランド配線ＬＧに電気的に接続されている。

グランド層３２ａは、絶縁基材３１の上に設けられている。このグランド層３２ａは、フィルドビア３５ｃを介して、絶縁基材１１の下側のグランド配線ＬＧに電気的に接続されている。

図３に示すように、グランド層３２ａは、グランド層２２ａとともに信号線ＬＳを挟むように設けられている。これにより、３層ストリップライン構造が形成されている。

なお、グランド層２２ａおよび／またはグランド層３２ａは、絶縁基材１１の主面の法線方向から見たときに、電力供給線ＬＶａおよび電力供給線ＬＶｂを実質的に覆うようにしてもよい。ここで、「実質的に覆う」とは、パッド２２ｂ，３２ｂの周囲の開口部分を除いて覆うことを意味している。このように電力供給線ＬＶをグランド層２２ａの内側に配置することで、電力供給線ＬＶから放射されるノイズを効果的に遮蔽することができる。その結果、配線体１から漏洩する電磁波ノイズを低減することができる。

なお、絶縁基材１１，２１，３１、および接着剤層２３，３３の各層のうち少なくともいずれか一つについて、１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．０～３．５であり、誘電正接が０．００１～０．００５であることが伝送特性を確保する観点から望ましい。これらの値は、ＪＩＳ Ｃ ２１３８：２００７において規定された方法で測定された値である。

また、本実施形態に係る配線体１では、絶縁基材２１と接着剤層２３が第１の誘電体層を構成し、絶縁基材３１と接着剤層３３が第２の誘電体層を構成したが、第１および第２の誘電体層の構成はこれに限られず、２層以上の絶縁基材や２層以上の接着剤層を含むものとして構成されてもよい。この際、誘電体層中に配線が設けられてもよい。たとえば、フィルドビア２５ｃに電気的に接続された配線（電力供給線として機能する）が設けられてもよい。

また、本実施形態に係る配線体１では、絶縁基材１１の上面に信号線ＬＳが設けられていたが、絶縁基材１１の下面にも信号線（図示せず）が設けられてもよい。この場合、配線体１を平面視したときに絶縁基材１１の上面の信号線ＬＳを重ならないように信号線が設けられる。

以上説明したように、本実施形態に係る配線体１では、電力供給線ＬＶが電力供給線ＬＶａと電力供給線ＬＶｂの２本から構成されるため、配線体１の幅に対する制約の下においても、電力供給線の実質的な厚みを増やすことができ、所要の電流容量を確保することができる。また、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂは２層の導体膜から構成されているため、さらに大きな電流容量を確保することができる。

さらに、本実施形態に係る配線体１では、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂは２層の導体膜から構成されるものの、信号線ＬＳは１層の導体膜から構成されているため信号線ＬＳ厚みが電力供給線ＬＶよりも薄いことから、線幅のばらつきが抑えられている。よって、特性インピーダンス整合を容易に図ることができる。

さらに、本実施形態に係る配線体１では、配線体１を平面視したときにグランド層２２ａ，３２ａが電力供給線ＬＶを実質的に覆うように設けられているため、電力供給線ＬＶから放射されるノイズを効果的に遮蔽することができる。

上記のように、本実施形態に係る配線体では、限られた外形サイズで所要の電流容量を確保するために、２本の電力供給線ＬＶａおよびＬＶｂが両面コア基板１００に設けられる。電力供給線からの放射ノイズを低減するために、両面コア基板１００に設けられ、グランド層２２ａおよび３２ａで実質的に覆われた電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂのみで電源ラインが構成される。

＜配線体１の製造方法＞
上述した配線体１の製造方法について、図５Ａ～図９の工程団面図を参照しつつ説明する。

まず、図５Ａおよび図５Ｂを参照して、両面コア基板の製造方法を説明する。

図５Ａ（１）に示すように、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の上面に設けられた金属箔１２と、絶縁基材１１の下面に設けられた金属箔１３とを有する両面金属箔張積層板１０を用意し、この両面金属箔張積層板１０の所定の位置に導通用孔Ｈ１を形成する。

絶縁基材１１は、たとえば２５μｍ厚の液晶ポリマーフィルムである。なお、絶縁基材１１が複数の絶縁層が積層されたものであってもよい。この際、絶縁基材１１中に他の配線が設けられてもよい。

金属箔１２，１３は、たとえば１８μｍ厚の銅箔である。このように金属箔１２，１３として比較的厚い金属箔を用いることで、電力供給線ＬＶの電流容量を確保し易くすることができる。金属箔１２，１３は、銅以外の金属（銀、アルミニウムなど）からなるものでもよい。

本実施形態では、導通用孔Ｈ１は、レーザ加工、またはＮＣドリル等による機械加工により、両面金属箔張積層板１０を厚さ方向に貫通する貫通孔として形成される。なお、導通用孔Ｈ１は貫通孔に限られず、底面に金属箔１２または金属箔１３が露出した有底の導通用孔であってもよい。

次に、図５Ａ（２）に示すように、両面金属箔張積層板１０の所定の位置にめっき用のレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、後段の工程で信号線ＬＳが形成される領域を被覆し、電力供給線ＬＶが形成される領域は被覆しないように形成される。

次に、図５Ａ（３）に示すように、レジストＲ１が形成された両面金属箔張積層板１０に対して、導電化処理を行い、パネルめっきを行う。本工程は、たとえば電解銅めっきにより行う。これにより、レジストＲ１で被覆されていない金属箔１２，１３の上にめっき層１４が形成される。また、導通用孔Ｈ１の内壁にもめっき層１４が形成され、金属箔１２と金属箔１３が電気的に接続される。めっき層１４の厚みは、たとえば１５μｍである。

次に、図５Ａ（４）に示すように、レジストＲ１を除去する。信号線ＬＳが形成される領域にはめっき層１４が形成されず、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂやグランド配線ＬＧが形成される領域にめっき層１４が形成されている。

次に、図５Ｂ（１）に示すように、両面金属箔張積層板１０の所定の位置にエッチング用のレジストＲ２を形成する。レジストＲ２は、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧが形成される部分を被覆するように形成される。

次に、図５Ｂ（２）に示すように、レジストＲ２で被覆されていない金属箔１２，１３およびめっき層１４をエッチング除去する。エッチング処理の際、信号線ＬＳとなる部分は、めっき層１４が形成されておらず、金属箔１２のみであるため、サイドエッチングの影響を抑制し、高い寸法加工精度で信号線を形成することができる。

一方、線幅に対して高い精度が要求されない電力供給線ＬＶとグランド配線ＬＧについては、金属箔１２，１３の上にめっき層１４が形成された部分（２層構成の部分）をエッチングして形成される。受けランドとして形成されためっき層１４の厚みの分だけフィルドビア２５ｃ，３５ｃの長さを短くすることができるため、層間接続の信頼性を向上させることができる。さらに、電力供給線ＬＶについては、線幅を抑えつつ、電流容量を増やすことができる。

その後、図５Ｂ（３）に示すように、レジストＲ２を除去する。ここまでの工程で、両面コア基板１００が得られる。両面コア基板１００には、スルーホールＴＨを有する電力供給線ＬＶ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧが形成されている。

上記の両面コア基板１００の製造工程は、いわゆるロールトゥロール工法で行うことが可能である。この場合、高い生産性で両面コア基板１００を作製することができる。

なお、上記の方法では、層間接続手段としてスルーホールＴＨを形成したが、これに限らず、有底の導通用孔に導電ペーストを充填したフィルドビアを形成してもよい。

次に、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、片面基板（上側）の製造方法を説明する。

図６Ａ（１）に示すように、絶縁基材２１と、絶縁基材２１の上面に設けられた金属箔２２とを有する片面金属箔張積層板２０（第１の片面金属箔張積層板）を用意する。絶縁基材２１は、たとえば２５μｍ厚の液晶ポリマーフィルムである。金属箔２２は、たとえば１２μｍ厚の銅箔である。なお、金属箔２２は、銅以外の金属（銀、アルミニウムなど）からなるものでもよい。

次に、図６Ａ（２）に示すように、公知のファブリケーション手法により片面金属箔張積層板２０の金属箔２２をパターニングして、グランド層２２ａおよびパッド２２ｂを形成する。なお、図示しないが、前述の信号線用のパッド２２ｃも本工程で形成される。

次に、図６Ａ（３）に示すように、絶縁基材２１の上に接着剤層２３を形成し、接着剤層２３の上に保護フィルム２４を形成する。接着剤層２３の厚さは、たとえば５０μｍであり、保護フィルム２４の厚さは、たとえば１５μｍである。

接着剤層２３の材料として、液晶ポリマーフィルム等の絶縁基材２１との接着強度が確保できるものを使用する。絶縁基材２１の誘電特性と同等以下の誘電特性を有する接着剤を用いてもよい。

保護フィルム２４としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるものを用いる。

なお、保護フィルム２４の厚さは、後述の導電ペースト２５の飛び出し量を規定することになる。保護フィルム２４が厚すぎる場合は、導電ペースト２５の突出量が大きくなりすぎて、後述の積層工程において接着剤層２３により凹凸を吸収しきれないおそれがある。他方、保護フィルム２４が薄すぎる場合、導電ペースト２５の突出量が小さくなりすぎて、導電ペースト２５と両面コア基板１００の配線間の接続信頼性を十分に確保できないおそれがある。これらの点を考慮して、保護フィルム２４の厚さは、たとえば１５±１０μｍの範囲内としてもよい。

また、保護フィルム２４の片面に接着剤層２３が塗布された接着剤層付き保護フィルム（図示せず）を用いてもよい。この場合、接着剤層付き保護フィルムを片面金属箔張積層板２０の絶縁基材２１側に貼り合わせることで、図６Ａ（３）に示す状態を得る。

次に、図６Ｂ（１）に示すように、保護フィルム２４の所定箇所にレーザ光を照射することにより、保護フィルム２４、接着剤層２３および絶縁基材２１を除去して、底面に金属箔（グランド層２２ａ、パッド２２ｂ，２２ｃ）が露出した有底の導通用孔Ｈ２を形成する。導通用孔Ｈ２の径は、たとえばφ１５０μｍ～２００μｍである。炭酸ガスレーザを用いる場合は、ビーム径を上記の径としてレーザ加工を行う。

本工程では、まず、レーザパルスを照射して導通用孔Ｈ２を穿孔する。レーザ加工には、たとえば、三菱電機（株）製の炭酸ガスレーザ加工機（ＭＬ６０５ＧＴＸIII-５１００Ｕ２）用い、所定のアパーチャー等でビーム径を１５０μｍとし、パルス幅を１０μＳｅｃ、１パルスあたりのエネルギーを５ｍＪとし、１箇所あたり５ショットのパルスを照射して導通用孔Ｈ２を穿孔する。穿孔後、デスミア処理を行い、絶縁基材２１と金属箔間の境界における樹脂残渣や、金属箔の裏面処理膜（Ｎｉ／Ｃｒ膜等）を除去する。

次に、図６Ｂ（２）に示すように、導通用孔Ｈ２内に導電ペースト２５を充填する。より詳しくは、スクリーン印刷等の印刷手法により、保護フィルム２４を印刷マスクとして導通用孔Ｈ２内に導電ペースト２５を充填する。ここで、導電ペースト２５は、ペースト状の熱硬化性樹脂である樹脂バインダーに金属粒子を分散させたものである。

なお、本工程では、導通用孔Ｈ２内にエアボイドが混入することを防止するために、真空環境下で導電ペースト２５の印刷を行うことが好ましい。たとえば、スクリーン印刷用の真空印刷機を用いることが好ましい。これにより、導電ペーストの印刷中に導通用孔Ｈ２内にボイドが発生したとしても、真空状態を解放する時に大気圧により当該ボイドは押し潰されて消失する。

上記の工程を経て図６Ｂ（２）に示す片面基板２００が得られる。

次に、図７Ａおよび図７Ｂを参照して、片面基板（下側）の製造方法を説明する。

図７Ａ（１）に示すように、絶縁基材３１と、絶縁基材３１の上面に設けられた金属箔３２とを有する片面金属箔張積層板３０（第２の片面金属箔張積層板）を用意する。絶縁基材３１の材料および厚みは、前述の絶縁基材２１と同様である。また、金属箔３２の材料および厚みは、前述の金属箔２２と同様である。

次に、図７Ａ（２）に示すように、公知のファブリケーション手法により片面金属箔張積層板３０の金属箔３２をパターニングして、グランド層３２ａおよびパッド３２ｂを形成する。

次に、図７Ａ（３）に示すように、絶縁基材３１の上に接着剤層３３を形成し、接着剤層３３の上に保護フィルム３４を形成する。保護フィルム３４の片面に接着剤層３３が塗布された接着剤層付き保護フィルム（図示せず）を用いてもよい。この場合、接着剤層付き保護フィルムを片面金属箔張積層板３０の絶縁基材３１側に貼り合わせることで、図７Ａ（３）に示す状態を得る。

接着剤層３３の厚さは、たとえば５０μｍであり、保護フィルム３４の厚さは、たとえば１５μｍである。接着剤層３３の材料および厚さは、前述の接着剤層２３と同様である。また、保護フィルム３４の材料および厚さは、前述の保護フィルム２４と同様である。

次に、図７Ｂ（１）に示すように、保護フィルム３４の所定箇所にレーザ光を照射することにより、保護フィルム３４、接着剤層３３および絶縁基材３１を除去して、底面に金属箔（グランド層３２ａ、パッド３２ｂ）が露出した有底の導通用孔Ｈ３を形成する。導通用孔Ｈ３の径は、たとえばφ１５０μｍ～２００μｍである。本工程の詳細は、前述の導通用孔Ｈ２の場合と同様である。

次に、図７Ｂ（２）に示すように、導通用孔Ｈ３内に導電ペースト３５を充填する。本工程の詳細は、前述の導電ペースト２５の場合と同様である。

上記の工程を経て図７Ｂ（２）に示す片面基板３００が得られる。

次に、両面コア基板１００の上下に片面基板２００および片面基板３００を位置合わせして積層し、加熱・加圧により一体化する。詳しい工程は以下の通りである。

まず、図８に示すように、片面基板２００の接着剤層２３から保護フィルム２４を剥離する。これにより、導通用孔Ｈ２に充填された導電ペースト２５は保護フィルム２４の厚みに相当する量だけ接着剤層２３から飛び出る。同様に、片面基板３００の接着剤層３３から保護フィルム３４を剥離する。これにより、導通用孔Ｈ３に充填された導電ペースト３５は保護フィルム３４の厚みに相当する量だけ接着剤層３３から飛び出る。

次に、図８に示すように、片面基板２００の接着剤層２３を両面コア基板１００の上面に対向させ、片面基板３００の接着剤層３３を両面コア基板の下面に対向させて、両面コア基板１００、片面基板２００および片面基板３００間の位置合わせを行う。

詳しくは、接着剤層２３から飛び出た導電ペースト２５が電力供給線ＬＶ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧに各々当接するように、片面基板２００を両面コア基板１００に対して位置合わせする。また、接着剤層３３から飛び出た導電ペースト３５が電力供給線ＬＶおよびグランド配線ＬＧに各々当接するように、片面基板３００を両面コア基板１００に対して位置合わせする。

上記のように位置合わせを行った後、両面コア基板１００、片面基板２００および片面基板３００を積層し、積層体を形成する。すなわち、片面基板２００および片面基板３００で両面コア基板１００を挟み込むように積層して積層体を形成する。

その後、真空プレス装置または真空ラミネータ装置を用いて、積層体を加熱および加圧して一体化する（一体化工程）。本工程では、導電ペースト２５，３５の金属結合と、接着剤層２３，３３の硬化が同時に進行する。

一体化工程では、たとえば、積層体を２００℃程度に加熱するとともに、数ＭＰａ程度の圧力で加圧する。絶縁基材１１，２１，３１が液晶ポリマーからなる場合、加熱温度は液晶ポリマーの軟化温度に比べて十分に（たとえば５０℃以上）低く設定することが好ましい。

真空プレス装置を用いる場合、たとえば、上記の加熱・加圧条件で３０分～６０分程度、積層体を保持する。これにより、接着剤層２３，３３の熱硬化、および導電ペースト２５，３５のバインダー樹脂の熱硬化が完了する。

真空ラミネータ装置を用いる場合、加熱・加圧時間は数分程度であり、その終了時点で熱硬化反応は未だ完了していない。このため、真空ラミネータ装置からオーブン装置に積層体を移送し、ポストキュア処理を行う。ポストキュア処理では、たとえば、２００℃前後の温度で６０分程度、積層体を加熱する。これにより、接着剤層２３，３３の熱硬化、および導電ペースト２５，３５のバインダー樹脂の熱硬化が完了する。

真空プレス装置および真空ラミネータ装置のいずれを用いた場合も、所定温度での加熱により、導電ペースト２５，３５に含まれる金属粒子が互いに金属結合するとともに、めっき層１４と金属結合する。これにより、図９に示すように、層間接続用のフィルドビア２５ｃ，３５ｃが形成される。さらに、この加熱により、導電ペースト２５，３５に含まれる樹脂バインダーの熱硬化反応、および接着剤層２３，３３の熱硬化反応がいずれも実質的に終了する。

なお、一体化工程において、積層プロセス温度（たとえば２００℃程度）の加熱により、導電ペースト２５，３５に含まれる金属粒子同士が金属結合するためには、金属粒子の融点が積層プロセス温度以下であることが好ましい。このような低融点金属として、たとえば、Ｉｎ、ＳｎＩｎ、ＳｎＢｉが挙げられる。よって、導電ペースト２５，３５としては、これらの低融点金属のいずれかからなる金属粒子を含むものを用いることが好ましい。

また、金属箔２２，３２が銅箔であり、めっき層１４が銅めっき層である場合には、導電ペースト２５，３５としては、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金からなる金属粒子を含む導電ペーストを用いることが好ましい。これにより、積層プロセス温度（たとえば２００℃程度）の加熱により、導電ペースト２５，３５に含まれる金属粒子が銅と合金層を形成して金属結合する。

一体化工程の後、外側に露出した導電層の表面処理を行った後、図９（１）に示すように、表面保護膜としてソルダーレジスト層２６，３６を形成する。ソルダーレジスト層２６には、パッド２２ａｐ，２２ｂ，２２ｃが露出するように開口部が設けられている。なお、パッド３２ｂが使用される場合は、パッド３２ｂが露出するようにソルダーレジスト層３６に開口部が設けられる。

その後、図９（２）に示すように、コネクタ部品５００を配線体１に実装する。コネクタ部品５００は端子５０１および端子５０２を有する。なお、コネクタ部品５００は、信号線ＬＳ用のパッド２２ｃに電気的に接続される端子（図示せず）してもよい。

端子５０１は、電力供給線ＬＶ用のパッド２２ｂにはんだ２７を介して電気的に接続される。端子５０２は、グランド配線ＬＧ用のパッド２２ａｐにはんだ２７を介して電気的に接続される。パッド２２ａｐは、グランド層２２ａの一部であり、ソルダーレジスト層２６の開口部に露出している。このパッド２２ａｐは、絶縁基材２１の上に設けられ、フィルドビア２５ｃを介してグランド配線ＬＧに電気的に接続されている。

以上の工程を経て、コネクタ付き配線体１０００が得られる。

なお、金属箔２２，３２のパターニング（グランド層２２ａ，３２ａおよびパッド２２ｂ，２２ｃ，３２ｂの形成）は、一体化工程の後に行ってもよい。

また、上記の製造方法では、電力供給線となる部分等にめっき層を形成した後にエッチング処理を行って各種配線を形成したが、反対に、エッチング処理を先に行って各種配線を形成した後に電力供給線等の必要な部分にのみ、部分めっきにより、めっき層を形成してもよい。

また、層間接続手段として、フィルドビア２５ｃ，３５ｃを形成したが、これに限られず、絶縁基材２１，３１がポリイミド等の熱膨張係数の比較的小さい材料からなる場合には、層間接続手段としてスルーホールを形成してもよい。

また、電力供給線ＬＶに接続するフィルドビア３５ｃは、パッド３２ｂを使用しない場合は省略してもよい。

また、配線体１に実装される部品はコネクタ部品に限られず、他の部品（チップ等）であってもよい。

＜両面コア基板の変型例＞
最後に、図１０Ａおよび図１０Ｂの工程断面図を参照して、両面コア基板の変型例について説明する。本変型例では、信号線ＬＳにもめっき層を形成する。

図１０Ａ（１）に示すように、両面金属箔張積層板１０を用意し、この両面金属箔張積層板１０の所定の位置に導通用孔Ｈ１を形成する。

次に、図１０Ａ（２）に示すように、両面金属箔張積層板１０に対して、めっき処理を施す（パネルめっき）。本工程は、たとえば電解銅めっきにより行う。これにより、金属箔１２，１３の上、および導通用孔Ｈ１の内壁にめっき層１５が形成される。

次に、図１０Ａ（３）に示すように、両面金属箔張積層板１０の所定の位置にエッチング用のレジストＲ３を形成する。レジストＲ３は、電力供給線ＬＶａ，ＬＶｂ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧが形成される部分を被覆するように形成される。

次に、図１０Ｂ（１）に示すように、レジストＲ３で被覆されていない金属箔１２，１３およびめっき層１４をエッチング除去する。その後、図１０Ｂ（２）に示すように、レジストＲ３を除去する。ここまでの工程で、本変型例に係る両面コア基板１００Ａが得られる。この両面コア基板１００Ａには、スルーホールＴＨを有する電力供給線ＬＶ、信号線ＬＳおよびグランド配線ＬＧが形成されており、信号線ＬＳの厚みは電力供給線ＬＶを同じである。

信号線ＬＳの線幅に対する要求が比較的緩い場合は、本変型例による方法で両面コア基板を作製してもよい。工程数が少ない分だけ生産効率を向上させることができる。

上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した実施形態に限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１ 配線体
１０ 両面金属箔張積層板
１１ 絶縁基材
１２，１３ 金属箔
１４，１５ めっき層
２０，３０ 片面金属箔張積層板
２１，３１ 絶縁基材
２２，３２ 金属箔
２２ａ，３２ａ グランド層
２２ａｐ，２２ｂ，２２ｃ，３２ｂ パッド
２３，３３ 接着剤層
２４，３４ 保護フィルム
２５，３５ 導電ペースト
２５ｃ，３５ｃ フィルドビア
２６，３６ ソルダーレジスト層
２７ はんだ
１００，１００Ａ 両面コア基板
２００，３００ 片面基板
５００ コネクタ部品
５０１，５０２ 端子
１０００ コネクタ付き配線体
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３ 導通用孔
ＬＧ グランド配線
ＬＳ 信号線
ＬＶ 電力供給線
ＬＶａ，ＬＶｂ 電力供給線
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６ パッド
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ レジスト

Claims (15)

1. 信号および電力を伝送するための配線体であって、
   第１の主面および、前記第１の主面の反対側の第２の主面を有するコア絶縁基材と、
   前記第１の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる信号線と、
   前記第１の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる第１の電力供給線と、
   前記第２の主面に設けられ、前記配線体の長手方向に延びる第２の電力供給線であって、前記コア絶縁基材に設けられた層間接続手段により前記第１の電力供給線に電気的に接続された第２の電力供給線と、
   前記信号線および前記第１の電力供給線を埋設するように前記第１の主面に積層された第１の誘電体層と、
   前記第１の誘電体層の上に設けられた第１のグランド層と、
   前記第２の電力供給線を埋設するように前記第２の主面に積層された第２の誘電体層と、
   前記第２の誘電体層の上に設けられ、前記第１のグランド層とともに少なくとも前記信号線を挟む第２のグランド層と、
   を備えることを特徴とする配線体。
2. 前記第１の電力供給線は、前記信号線よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の配線体。
3. 前記第１の電力供給線は、前記第１の主面に設けられた金属箔と、前記金属箔の上に形成されためっき層から構成され、前記信号線は前記第１の主面に設けられた金属箔から構成されることを特徴とする請求項２に記載の配線体。
4. 前記第２の電力供給線は、前記信号線よりも厚いことを特徴とする請求項２に記載の配線体。
5. 前記第１のグランド層は、前記コア絶縁基材の前記第１の主面の法線方向から見たときに、前記第１の電力供給線および前記第２の電力供給線を実質的に覆うことを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の配線体。
6. 前記第２のグランド層は、前記コア絶縁基材の前記第２の主面の法線方向から見たときに、前記第１の電力供給線および前記第２の電力供給線を実質的に覆うことを特徴とする請求項５に記載の配線体。
7. 前記信号線の端部の上に、受けランドが局所的に設けられており、
   前記受けランドと、前記第１の誘電体層の上に設けられたパッドとが、フィルドビアにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の配線体。
8. 前記コア絶縁基材は、液晶ポリマーからなることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の配線体。
9. 前記第１の誘電体層は、前記信号線および前記第１の電力供給線を埋設するように前記第１の主面に積層された第１の接着剤層と、前記第１の接着剤層の上に積層された第１の絶縁基材とを有し、
   前記第２の誘電体層は、前記第２の電力供給線を埋設するように前記第２の主面に積層された第２の接着剤層と、前記第２の接着剤層の上に積層された第２の絶縁基材とを有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の配線体。
10. 前記第１の絶縁基材および／または前記第２の絶縁基材は、液晶ポリマーからなることを特徴とする請求項９に記載の配線体。
11. 前記コア絶縁基材、前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層のうち少なくともいずれか１つについて、１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．０～３．５であり、誘電正接が０．００１～０．００５であることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の配線体。
12. 前記第１の誘電体層の上に設けられ、フィルドビアを介して前記信号線に電気的に接続された第１のパッドと、
    前記第１の誘電体層の上に設けられ、フィルドビアを介して前記第１の電力供給線に電気的に接続された第２のパッドと、
    前記第１のパッドにはんだ接続された第１の端子と、前記第２のパッドにはんだ接続された第２の端子とを有する部品と、
    をさらに備える請求項１～１１のいずれかに記載の配線体。
13. 信号および電力を伝送するための配線体を製造する方法であって、
    第１の主面、および前記第１の主面と反対側の第２の主面を有する第１の絶縁基材と、前記第１の主面に設けられた第１の金属箔と、前記第２の主面に設けられた第２の金属箔とを有する両面金属箔張積層板を用意する工程と、
    前記両面金属箔張積層板に第１の導通用孔を形成する工程と、
    少なくとも、電力供給線となる部分における前記第１および第２の金属箔の上、および前記第１の導通用孔の内壁にめっき層を形成する工程と、
    前記第１の金属箔、前記第２の金属箔および前記めっき層をエッチング除去して信号線および電力供給線を形成し、それにより、両面コア基板を得る工程と、
    第３の主面、および前記第３の主面と反対側の第４の主面を有する第２の絶縁基材と、前記第３の主面に設けられた第３の金属箔とを有する第１の片面金属箔張積層板を用意する工程と、
    前記第４の主面に第１の接着剤層を積層し、前記第１の接着剤層の上に第１の保護フィルムを積層する工程と、
    前記第１の保護フィルムの所定箇所にレーザ光を照射することにより、前記第１の保護フィルム、前記第１の接着剤層および前記第２の絶縁基材を除去して、底面に前記第３の金属箔が露出した有底の第２の導通用孔を形成する工程と、
    前記第２の導通用孔内に第１の導電ペーストを充填し、それにより、第１の片面基板を得る工程と、
    第５の主面、および前記第５の主面と反対側の第６の主面を有する第３の絶縁基材と、前記第６の主面に設けられた第４の金属箔とを有する第２の片面金属箔張積層板を用意する工程と、
    前記第５の主面に第２の接着剤層を積層し、前記第２の接着剤層の上に第２の保護フィルムを積層する工程と、
    前記第２の保護フィルムの所定箇所にレーザ光を照射することにより、前記第２の保護フィルム、前記第２の接着剤層および前記第３の絶縁基材を除去して、底面に前記第４の金属箔が露出した有底の第３の導通用孔を形成する工程と、
    前記第３の導通用孔内に第２の導電ペーストを充填し、それにより、第２の片面基板を得る工程と、
    前記第１の片面基板の前記第１の接着剤層から前記第１の保護フィルムを剥離し、前記第２の片面基板の前記第２の接着剤層から前記第２の保護フィルムを剥離する工程と、
    前記第１の片面基板の前記第１の接着剤層を前記両面コア基板の一方の主面に対向させ、前記第２の片面基板の前記第２の接着剤層を前記両面コア基板の他方の主面に対向させて、前記第１の片面基板、前記第２の片面基板および前記両面コア基板間の位置合わせを行った後、前記第１の片面基板および前記第２の片面基板で前記両面コア基板を挟み込むように積層して積層体を形成する工程と、
    前記積層体を加熱および加圧して一体化する工程と、
    を備えることを特徴とする配線体の製造方法。
14. 前記めっき層を形成する工程において、前記信号線となる部分にはめっき層を形成しないことを特徴とする請求項１３に記載の配線体の製造方法。
15. 前記両面コア基板をロールトゥロール工法により作製することを特徴とする請求項１３または１４に記載の配線体の製造方法。

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