CN204257793U - 高频信号线路 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于提供一种能够抑制低频噪声的产生，且还能够实现薄型化的高频信号线路。信号线路(20)设置于电介质片材(18)的表面。接地导体(22)设置于电介质片材(18)的表面，从电介质片材(18)的法线方向俯视时，接地导体(22)在与信号线路(20)延伸的方向正交的正交方向上存在于信号线路(20)的两侧。绝缘体层(30)设置在信号线路(20)上。从电介质片材(18)的法线方向俯视时，桥接部(30)与接地导体(22)和信号线路(20)相重合，通过设置于绝缘体层(32)上，来与信号线路(20)绝缘。

Description

高频信号线路

技术领域

本实用新型涉及高频信号线路，更具体而言，涉及高频信号传输所使用的高频信号线路。

背景技术

作为现有高频信号线路，已知有例如专利文献1所记载的信号线路。图12是专利文献1所记载的高频信号线路500的分解图。

高频信号线路500包括电介质坯体502、信号线506以及接地导体508、510。电介质坯体502由电介质片材504a～504c层叠而构成。信号线506设置于电介质片材504b的表面。接地导体508、510分别设置于电介质片材504a、504c的表面。

接地导体508上，沿着信号线506设置有多个开口520。由此，多个开口520和多个桥接部522交替与信号线506相重合。在上述那样构成的高频信号线路500中，在开口520与信号线506重合的区域中的信号线506的特性阻抗要低于桥接部522与信号线506重合的区域中的信号线506的特性阻抗。因此，信号线506的特性阻抗周期性地变动。其结果是，在高频信号线路500中，产生以桥接部522的间隔左右的长度为半波长的较高频率的驻波，而难以产生以高频信号线路500的全长左右的长度为半波长的低频驻波。因此，在高频信号线路500中，抑制了低频噪声的产生。

然而，在高频信号线路500中，需要3层电介质片材504a～504c。因此，要求高频信号线路500的进一步薄型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本注册实用新型第3173143号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

因此，本实用新型的目的在于提供一种能够抑制低频噪声的产生、且还能够实现薄型化的高频信号线路。

解决技术问题所采用的技术方案

本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括：电介质层，该电介质层具有第1主面和第2主面；信号线路，该信号线路设置于所述第1主面；第1接地导体，该第1接地导体设置于所述第1主面或所述第2主面，从所述电介质层的法线方向俯视时，在与所述信号线路延伸的方向正交的正交方向上存在于该信号线路的两侧；多个绝缘体层，该多个绝缘体层是从所述电介质层的法线方向俯视时与该电介质层的一部分重合的绝缘体层，并设置在所述信号线路上；以及多个桥接导体，该多个桥接导体是从所述电介质层的法线方向俯视时，与所述第1接地导体和所述信号线路相重合的多个桥接导体，通过设置在所述绝缘体层上来与该信号线路绝缘。

实用新型效果

根据本实用新型，能够抑制低频噪声的产生，且还能够实现薄型化。

附图说明

图1是一实施方式所涉及的高频信号线路的外观立体图。

图2是一实施方式所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图3是一实施方式所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图4是一实施方式所涉及的高频信号线路的俯视图。

图5是高频信号线路的连接器的外观立体图和剖面结构图。

图6是变形例1所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图7是变形例2所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图8是变形例3所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图9是变形例4所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图10是变形例5所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图11是变形例6所涉及的高频信号线路的俯视图。

图12是专利文献1所记载的高频信号线路的分解图。

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的实施方式所涉及的高频信号线路进行说明。

(高频信号线路的结构)

以下，参照附图对本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是一实施方式所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2和图3是一实施方式所涉及的高频信号线路10的分解立体图。图4是一实施方式所涉及的高频信号线路10的俯视图。在图1至图4中，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为x轴方向，将与x轴方向及z轴方向正交的方向定义为y轴方向。

如图1至图3所示，高频信号线路10包括：主体12、信号线路20、接地导体22、24、桥接导体30、绝缘体层32、连接器100a、100b及过孔导体b1～b6。

从z轴方向俯视时，主体12沿x轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。如图2所示，主体12是从z轴方向的正方向侧到负方向侧对保护层14、电介质片材18及保护层15依次层叠来构成的挠性层叠体。以下，将主体12的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将主体12的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。

线路部12a在x轴方向上延伸。连接部12b连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧的端部，且呈矩形。连接部12c连接至线路部12a的x轴方向的正方向侧的端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度与线路部12a的y轴方向的宽度相等。因此，从z轴方向俯视时，主体12呈在x轴方向上延伸的长方形。

从z轴方向俯视时，电介质片材18沿x轴方向延伸，且其形状与主体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂构成。电介质片材18层叠后的厚度为例如200μm。以下，将电介质片材18的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将电介质片材18的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。

电介质片材18由线路部18a和连接部18b、18c构成。线路部18a构成线路部12a。连接部18b构成连接部12b。连接部18c构成连接部12c。

如图2所示，信号线路20是设置于电介质片材18表面的线状导体，在x轴方向上延伸。信号线路20的x轴方向的负方向侧的端部位于连接部18b的表面中央。同样地，信号线路20的x轴方向的正方向侧的端部位于连接部18c的表面中央。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。信号线路20的x轴方向的负方向侧的端部和信号线路20的x轴方向的正方向侧的端部分别用作外部端子。下面，将信号线路20的x轴方向的负方向侧的端部和信号线路20的x轴方向的正方向侧的端部称为外部端子16a、16b。在外部端子16a、16b的表面实施了镀金。

接地导体22(第1接地导体)如图2和图3所示，设置于设有信号线路20的电介质片材18的表面，从z轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，接地导体22呈包围信号线路20的周围的长方形的框状。由此，从z轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，接地导体22存在于y轴方向(与信号线路20延伸的方向正交的方向)上信号线路20的两侧。接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。

接地导体22如图2和图3所示，由线路部22a、22b，端子部22c、22d和突起部23a、23b构成。线路部22a设置于线路部18a表面的信号线路20的y轴方向的正方向侧，在x轴方向上延伸。线路部22b设置于线路部18a表面的信号线路20的y轴方向的负方向侧，在x轴方向上延伸。

多个突起部23a设置为从线路部22a向y轴方向的负方向侧突出，在x轴方向上等间隔进行排列。其中，突起部23a不与信号线路20相连接。

多个突起部23b设置为从线路部22b向y轴方向的正方向侧突出，在x轴方向上等间隔进行排列。其中，突起部23b不与信号线路20相连接。

如图2所示，端子部22c设置于连接部18b的表面，且呈包围外部端子16a的U字形。端子部22c连接至线路部22a、22b的x轴方向的负方向侧的端部。端子部22d设置于连接部18c的表面，且呈包围外部端子16b的U字形。端子部22d连接至线路部22a、22b的x轴方向的正方向侧的端部。

接地导体24(第2接地导体)如图2和图3所示，设置于电介质片材18的背面，从z轴方向(主体12的法线方向)俯视时，呈与信号线路20重合的长方形形状。接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。

如图2所示，接地导体24由线路部24a及端子部24b、24c构成。线路部24a设置于线路部18a的背面，在x轴方向上延伸。线路部24a是未设有开口部的实心导体。由此，从z轴方向俯视时，线路部24a与信号线路20相重合。

端子部24b设置于连接部18b的背面，呈矩形。端子部24b与线路部24a的x轴方向的负方向侧的端部相连接。端子导体24c设置于线路部18c的背面，呈矩形。端子部24c与线路部24a的x轴方向的正方向侧的端部相连接。

多个绝缘体层32设置为在信号线路20的z轴方向的正方向侧沿x轴方向等间隔进行排列，呈长方形形状。绝缘体层32设置在与突起部23a、23b相对应的位置，与电介质片材18的一部分相重合，而不与其整个面重合。绝缘体层32的厚度例如为10μm。绝缘体层32例如通过印刷抗蚀剂材料来形成。

从z轴方向俯视时，多个桥接导体30与接地导体22和信号线路20相重合，通过设置于各绝缘体层32上，从而与信号线路20绝缘。桥接导体30的y轴方向的两端与接地导体22相连接。桥接导体30例如通过印刷Ag等导电性糊料来形成。

更详细而言，桥接导体30如图2和图3所示，呈H形，具有电容部30a和连接部30b、30c。电容部30a是沿y轴方向延伸的线状导体，从z轴方向俯视时，通过与信号线路20相交，从而与信号线路20重合。其中，在电容部30a与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。

连接部30b连接至电容部30a的y轴方向的正方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部30b与线路部22a和突起部23a重合，从而与突起部23a和线路部22a相连接。

连接部30c连接至电容部30a的y轴方向的负方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部30c与线路部22b和突起部23b重合，从而与突起部23b和线路部22b相连接。

如上所述，多个桥接导体30和多个绝缘体层32沿信号线路20等间隔进行排列。桥接导体30和绝缘体层32的间隔比信号线路20中传输的高频信号的1/2波长要短。

这里，如图4所示，将信号线路20与桥接导体30相重合的区域设为区域A1。将区域A1以外的区域设为区域A2。区域A1中信号线路20的线宽W1小于区域A2中信号线路20的线宽W2。由此，信号线路20的线宽周期性变动。

过孔导体b1沿z轴方向贯通电介质片材18的线路部18a，在比信号线路20更靠y轴方向的正方向侧，在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个。从z轴方向俯视时，过孔导体b1的z轴方向的正方向侧的端部与桥接导体30的连接部30b相重合。过孔导体b1与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b2沿z轴方向贯通电介质片材18的线路部18a，在比信号线路20更靠y轴方向的负方向侧，在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个。从z轴方向俯视时，过孔导体b2的z轴方向的正方向侧的端部与桥接导体30的连接部30c相重合。过孔导体b2与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b3沿z轴方向贯通电介质片材18的连接部18b，设置于比外部端子16a更靠近y轴方向的正方向侧的位置。过孔导体b3与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b4沿z轴方向贯通电介质片材18的连接部18b，设置于比外部端子16a更靠近y轴方向的负方向侧的位置。过孔导体b4与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b5沿z轴方向贯通电介质片材18的连接部18c，设置于比外部端子16b更靠近y轴方向的正方向侧的位置。过孔导体b5与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b6沿z轴方向贯通电介质片材18的连接部18c，设置于比外部端子16b更靠近y轴方向的负方向侧的位置。过孔导体b6与接地导体22和接地导体24相连接。

过孔导体b1～b6由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。另外，也可使用在贯通孔的内周面形成有镀敷等导体层的通孔来替代过孔导体b1～b6。

如上所述，在信号线路20、接地导体24和桥接导体30中，信号线路20与桥接导体30的z轴方向上的间隔要小于信号线路20与接地导体24的z轴方向上的间隔。具体而言，信号线路20与桥接导体30的z轴方向上的间隔与绝缘体层32的厚度大致相等，例如为10μm。另一方面，信号线路20与接地导体24的z轴方向上的间隔与电介质片材18的厚度大致相等，例如为200μm。即，电介质片材18的厚度设计为大于绝缘体层32的厚度。此外，接地导体22、24的y轴方向的宽度例如约为800μm。

保护层14覆盖电介质片材18的大致整个表面。由此，保护层14覆盖信号线路20、接地导体22、桥接导体30和绝缘体层32。保护层14例如由抗蚀剂材料等挠性树脂构成。

此外，如图2所示，保护层14由线路部14a及连接部14b、14c构成。线路部14a覆盖线路部18a的大致整个表面，从而覆盖线路部22a。

连接部14b与线路部14a的x轴方向的负方向侧的端部相连接，并覆盖连接部18b的表面。其中，在连接部14b设有开口Ha～Hd。开口Ha是设置于连接部14b大致中央处的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha露出至外部。此外，开口Hb是设置在开口Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设置在开口Ha的x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口Hd是设置在开口Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22c经由开口Hb～Hd露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。

连接部14c与线路部14a的x轴方向的正方向侧的端部相连接，并覆盖连接部18c的表面。其中，在连接部14c设有开口He～Hh。开口He是设置于连接部14c大致中央处的矩形开口。外部端子16b经由开口He露出至外部。此外，开口Hf是设置在开口He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设置在开口He的x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设置在开口He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22d经由开口Hf～Hh露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。

保护层15覆盖电介质片材18的大致整个背面。由此，保护层15覆盖接地导体24。保护层15例如由抗蚀剂材料等挠性树脂构成。

连接器100a、100b分别安装在连接部12b、12c的表面上，且与信号线路20和接地导体22、24电连接。连接器100a、100b的结构相同，因此，以下以连接器100b的结构为例进行说明。图5是高频信号线路10的连接器100b的外观立体图及剖面结构图。

如图1及图5所示，连接器100b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108、及外部导体110构成。连接器主体102呈矩形板上连结有圆筒的形状，由树脂等绝缘材料制成。

在连接器主体102的z轴方向的负方向侧的表面上，在与外部端子16b相对的位置处设置有外部端子104。在连接器主体102的z轴方向的负方向侧的表面上，在与经由开口Hf～Hh露出的端子部22d相对应的位置设置有外部端子106。

中心导体108设置在连接器主体102的圆筒的中心，并与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置于连接器主体102的圆筒的内周面，并与外部端子106相连接。外部导体110是保持接地电位的接地端子。

具有如上结构的连接器100b按外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子部22d相连接的方式来安装在连接部12c的表面上。由此，信号线路20与中心导体108进行电连接。此外，接地导体22、24与外部导体110进行电连接。

在如上述那样构成的高频信号线路10中，区域A1中的信号线路20的特性阻抗Z1和区域A2中的信号线路20的特性阻抗Z2不同。更详细而言，区域A1中的信号线路20与桥接导体30相重合。因此，在区域A1中，在信号线路20与桥接导体30之间形成电容。另一方面，区域A2中的信号线路20与桥接导体30不重合。因此，在区域A2中，在信号线路20与桥接导体30之间未形成电容。因此，区域A1中的信号线路20的特性阻抗Z1要小于区域A2中的信号线路20的特性阻抗Z2。特性阻抗Z1例如为30Ω，特性阻抗Z2例如为70Ω。此外，信号线路20整体的特性阻抗例如为50Ω。

此外，在高频信号线路10中，信号线路20两端(即，外部端子16a、16b)的特性阻抗Z3的大小在特性阻抗Z1与特性阻抗Z2之间。

(高频信号线路的制造方法)

下面，参照图2对高频信号线路10的制造方法进行说明。以下，以制作一个高频信号线路10的情况为例进行说明，但实际上，通过将大尺寸的电介质片材进行层叠及切割，能同时制作多个高频信号线路10。

首先，准备电介质片材18，该电介质片材18由在表面和背面的整个面上形成有铜箔的热可塑性树脂形成。通过对电介质片材18的铜箔表面和背面实施例如镀锌来防止生锈，由此对其进行平滑化。铜箔的厚度为10μm～20μm。

接着，利用光刻工序，在电介质片材18的表面形成图2所示的信号线路20和接地导体22，并在电介质片材18的背面形成图2所示的接地导体24。具体而言，在电介质片材18的表面侧的铜箔上印刷与图2所示的信号线路20和接地导体22相同形状的抗蚀剂，并且在电介质片材18的背面侧的铜箔上印刷与图2所示的接地导体24相同形状的抗蚀剂。接着，对铜箔实施蚀刻处理，从而去除未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。然而，去除抗蚀剂。由此，在电介质片材18的表面形成图2所示那样的信号线路20和接地导体22，在电介质片材18的背面形成接地导体24。

接着，对电介质片材18上要形成过孔导体b1～b6的位置，从背面侧照射激光束，形成贯通孔。然后，向形成于电介质片材18的贯通孔填充导电性糊料。

接着，通过在电介质片材18的表面丝网印刷树脂(抗蚀剂)糊料，从而在信号线路20上形成绝缘体层32。在绝缘体层32干燥后，通过在电介质片材18的表面丝网印刷Ag糊料，从而在绝缘体层32上形成桥接导体30。然后，对桥接导体30进行干燥。

最后，通过涂布树脂(抗蚀剂)糊料，在电介质片材18的表面和背面形成保护层14、15。

(效果)

根据具有以上结构的高频信号线路10，能抑制低频噪声的产生。更详细而言，在高频信号线路10中，从z轴方向俯视时，桥接导体30与接地导体22和信号线路20相重合，通过设置在绝缘体层32上，从而与信号线路20绝缘。因此，在区域A1中的信号线路20与桥接导体30之间形成电容。另一方面，区域A2中的信号线路20与桥接导体30不重合。因此，在区域A2中，在信号线路20与桥接导体30之间未形成电容。因此，区域A1中的信号线路20的特性阻抗Z1要小于区域A2中的信号线路20的特性阻抗Z2。由此，信号线路20的特性阻抗在特性阻抗Z1与特性阻抗Z2之间周期性波动。其结果是，在信号线路20中，在桥接导体30间产生较短波长(即高频)的驻波。另一方面，在外部端子16a、16b之间难以产生较长波长(即低频)的驻波。由此，在高频信号线路10中，低频噪声的产生得以抑制。

另外，在高频信号线路10中，会因桥接导体30间产生的驻波而产生高频噪声。这里，通过将桥接导体30间的距离设计得足够短，从而能将噪声的频率设定在信号线路20所传输的高频信号的频带外。因此，桥接导体30沿信号线路20以比信号线路20所传输的高频信号的1/2波长的一半要短的间隔来进行设置即可。

此外，高频信号线路10中，信号线路20两端的特性阻抗Z3的大小在区域A1中的信号线路20的特性阻抗Z1与区域A2中的信号线路20的特性阻抗Z2之间。由此，在信号线路20中，桥接导体30间容易产生短波长的驻波，在信号线路20的两端之间难以产生长波长的驻波。其结果是，在高频信号线路10中，更有效地抑制了低频噪声的产生。

此外，在高频信号线路10中，能够力图实现主体12的薄型化。更详细而言，在专利文献1所记载的高频信号线路500中，需要3层电介质片材504a～504c。而在高频信号线路10中，桥接导体30隔着绝缘体层32设置在信号线路20上。因此，在高频信号线路10中，不需要用于形成桥接导体30的电介质片材18。因此，高频信号线路10中，仅使用1层电介质片材18足以。并且，绝缘体层32不覆盖电介质片材18的整个面。其结果是，能力图实现主体12的薄型化。若实现了高频信号线路10的薄型化，则能容易地对高频信号线路10进行弯曲。

此外，在高频信号线路10中，区域A1中的信号线路20的线宽W1小于区域A2中的信号线路20的线宽W2。因此，能够抑制区域A1中的信号线路20与桥接导体30之间所形成的电容不会变得过大。

此外，在高频信号线路10中，通过减小信号线路20与线路部22a、22b之间的间隙的宽度，易于使从信号线路20发出的电力线被接地导体22吸收。其结果是，抑制了从信号线路20辐射噪声的情况。

此外，在高频信号线路10中，无需降低区域A2中的信号线路20的特性阻抗Z2，就能力图降低信号线路20的高频电阻。更详细而言，为了降低信号线路20的高频电阻，可考虑增大信号线路20的线宽。然而，若增大区域A1中的信号线路20的线宽W1，则信号线路20与桥接导体30之间所形成的电容变大。从而导致区域A1中的信号线路20的特性阻抗Z1变得过小。

因此，在高频信号线路10中，区域A2中的信号线路20的线宽W2设为大于区域A1中的信号线路20的线宽W1。在区域A2中，信号线路20与桥接导体30不重合。并且，信号线路20不与接地导体22相对。因此，在区域A2中，信号线路20与桥接导体30之间未形成电容，信号线路20与接地导体22之间仅形成微小的电容。因此，即使增大区域A2中的信号线路20的线宽W2，信号线路20与接地导体22之间所形成的电容的增加量也很小。其结果是，在高频信号线路10中，无需降低信号线路20的特性阻抗Z2，就能力图降低信号线路20的高频电阻。

此外，根据高频信号线路10，能抑制磁通从高频信号线路10泄漏。更详细而言，若信号线路20中流过电流i1(参照图4)，则产生以信号线路20为中心轴环绕信号线路20的磁通。若这样的磁通泄漏到高频信号线路10外，则其它电路的信号线有可能与信号线路20进行磁场耦合。其结果是，在高频信号线路10中，难以获得所希望的特性。

因此，在高频信号线路10中，信号线路20被接地导体22包围。由此，使得信号线路20与接地导体22相接近。若信号线路20中流过电流i1，则接地导体22中流过与该电流i1反向的反馈电流i2。由此，信号线路20周围的磁通环绕方向与接地导体22周围的磁通环绕方向相反。在该情况下，信号线路20与接地导体22之间的间隙中，磁通互相增强，相反，在比接地导体22更靠y轴方向的正方向侧和负方向侧的区域(即，高频信号线路10外的区域)中，磁通互相抵消。其结果是，能抑制磁通泄漏到高频信号线路10之外。

(变形例1)

下面，参照附图，对变形例1所涉及的高频信号线路10a进行说明。图6是变形例1所涉及的高频信号线路10a的分解立体图。

高频信号线路10a与高频信号线路10的不同点在于未设置接地导体24。由于未设置接地导体24，因此就不需要过孔导体b1～b6和保护层15。对于其它的结构，由于与高频信号线路10相同，因此省略说明。

根据高频信号线路10a，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路10a中，由于未设置接地导体24和保护层15，因此在实现主体12的薄型化的同时，还能够使得高频信号线路10a易于弯曲。

(变形例2)

下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路10b进行说明。图7是变形例2所涉及的高频信号线路10b的分解立体图。

高频信号线路10b与高频信号线路10的不同点在于未设置线路部22a、22b。因此，高频信号线路10b中，接地导体24(第1接地导体)设置于设有信号线路20的电介质片材18的背面，从z轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，存在于y轴方向(与信号线路20延伸的方向正交的方向)的信号线路20的两侧。此外，从z轴方向俯视时，桥接导体30与接地导体24相重合，通过过孔导体b1、b2与接地导体24相连接。

根据高频信号线路10b，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路10b中，由于未设置线路部22a、22b，因此在实现主体12的薄型化的同时，还能够使得高频信号线路10b易于弯曲。

(变形例3)

下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路10c进行说明。图8是变形例3所涉及的高频信号线路10c的分解立体图。

高频信号线路10c与高频信号线路10的不同点在于，突起部23a、23b的线宽随着与线路部22a、22b接近而变粗。由此，在区域A1和区域A2的边界附近，信号线路20与线路部22a、22b之间的间隙的宽度逐渐增加或逐渐减小。由此，对于信号线路20周围所产生的磁通、即通过信号线路20和线路部22a、22b之间的间隙的磁通在区域A1与区域A2的边界附近逐渐增加或逐渐减小。即，抑制了区域A1与区域A2的边界附近磁场能量的大幅变动。其结果是，抑制了在区域A1与区域A2的边界附近产生高频信号的反射。

另外，突起部23a、23b的线宽随着与线路部22a、22b接近而连续地增加，但突起部23a、23b的线宽也可以阶梯性地增加。

(变形例4)

下面，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号传输线路10d进行说明。图9是变形例4所涉及的高频信号线路10d的分解立体图。

高频信号线路10d与高频信号线路10a的不同点在于，还具备桥接导体40。更详细而言，从z轴方向俯视时，多个桥接导体40设置于电介质片材18的背面，与接地导体22和信号线路20相重合。桥接导体40的y轴方向的两端与接地导体22相连接。桥接导体40例如通过印刷Ag等导电性糊料来形成。

更详细而言，桥接导体40如图9所示，呈H形，具有电容部40a和连接部40b、40c。电容部40a是沿y轴方向延伸的线状导体，从z轴方向俯视时，通过与信号线路20相交，从而与信号线路20相重合。其中，由于在电容部40a与信号线路20之间存在有绝缘体片材18，因此形成有电容。

连接部40b连接至电容部40a的y轴方向的正方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部40b与线路部22a和突起部23a相重合。过孔导体b1将连接部40b与接地导体22相连。

连接部40c连接至电容部40a的y轴方向的负方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部40c与线路部22b和突起部23b相重合。过孔导体b2将连接部40c与接地导体22相连。

根据高频信号线路10d，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路10d的区域A1中，信号线路20和桥接导体30、40构成带状线结构。因此，根据高频信号线路10d，区域A1中噪声的产生得以抑制。

(变形例5)

下面，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号线路10e进行说明。图10是变形例5所涉及的高频信号线路10e的分解立体图。

高频信号线路10e与高频信号线路10b的不同点在于，桥接导体30的形状以及未设置过孔导体b1、b2。更详细而言，在高频信号线路10e中，未设置过孔导体b1、b2。因此，桥接导体30的连接部30b、30c不直接与接地导体24相连接。

因此，高频信号线路10e的连接部30b、30c的面积要大于高频信号线路10b的连接部30b、30c的面积。由此，连接部30b、30c与接地导体24之间形成的电容变大，连接部30b、30c与接地导体24电连接。其结果是，桥接导体30的电位接近于接地电位。即，高频信号线路10e的桥接导体30起到与高频信号线路10b的桥接导体30相同的作用。

根据高频信号线路10e，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。

(变形例6)

下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路10f进行说明。图11是变形例6所涉及的高频信号线路10f的俯视图。

高频信号线路10f与高频信号线路10的不同点在于，高频信号线路10中的桥接导体30被切断成桥接导体31、33。

更详细而言，桥接导体31如图11所示，呈T形，具有电容部31a和连接部31b。电容部31a是沿y轴方向延伸的线状导体，从z轴方向俯视时，与信号线路20相重合。其中，由于在电容部31a与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。

连接部31b连接至电容部31a的y轴方向的正方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部31b与线路部22a和突起部23a相重合。过孔导体b1将连接部31b与接地导体22相连。

桥接导体33如图11所示，呈T形，具有电容部33a和连接部33b。电容部33a是沿y轴方向延伸的线状导体，从z轴方向俯视时，与信号线路20相重合。其中，桥接导体33不与桥接导体31相连接。此外，由于在电容部33a与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。

连接部33b连接至电容部33a的y轴方向的负方向侧的端部，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，连接部33b与线路部22b和突起部23b相重合。过孔导体b2将连接部33b与接地导体22相连。

根据高频信号线路10f，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，通过调整桥接导体31与桥接导体33之间的间隔，也能改变区域A1中的特性阻抗。

(其它实施方式)

本实用新型所涉及的高频信号线路不限于上述高频信号线路10、10a～10f，在其宗旨范围内能进行变更。

另外，也可以将高频信号线路10、10a～10f的结构进行组合来使用。

工业上的实用性

本实用新型对高频信号线路是有用的，尤其在能抑制低频噪声的产生、并力图实现薄型化这一方面较为优异。

标号说明

A1、A2 区域

10、10a～10f 高频信号线路

12 主体

14、15 保护层

18 电介质片材

20 信号线路

22、24 接地导体

30、31、33、40 桥接导体

Claims (10)

1.一种高频信号线路，其特征在于，包括：

电介质层，该电介质层具有第1主面和第2主面；

信号线路，该信号线路设置于所述第1主面；

第1接地导体，该第1接地导体设置于所述第1主面或所述第2主面，从所述电介质层的法线方向俯视时，在与所述信号线路延伸的方向正交的正交方向上存在于该信号线路的两侧；

多个绝缘体层，该多个绝缘体层是从所述电介质层的法线方向俯视时与该电介质层的一部分重合的绝缘体层，设置在所述信号线路上；以及

多个桥接导体，该多个桥接导体是从所述电介质层的法线方向俯视时，与所述第1接地导体和所述信号线路相重合的多个桥接导体，通过设置在所述绝缘体层上来与该信号线路绝缘。

2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于，

所述多个桥接导体沿着该信号线路以比在所述信号线路中传输的高频信号的1/2波长要短的间隔进行设置。

3.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第1接地导体设置于所述第1主面。

4.如权利要求3所述的高频信号线路，其特征在于，

还包括第2接地导体，该第2接地导体设置于所述第2主面，且从所述电介质层的法线方向俯视时，该第2接地导体与所述信号线路相重合。

5.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第1接地导体设置于所述第2主面。

6.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述桥接导体与所述第1接地导体相连接。

7.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

从所述电介质层的法线方向俯视时，所述桥接导体与所述信号线路相交。

8.如权利要求7所述的高频信号线路，其特征在于，

所述桥接导体的两端与所述第1接地导体相连接。

9.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述信号线路与所述桥接导体相重合的第1区域中该信号线路的线宽要小于 该第1区域以外的第2区域中该信号线路的线宽。

10.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述信号线路与所述桥接导体相重合的第1区域中该信号线路的特性阻抗要小于该第1区域以外的第2区域中该信号线路的特性阻抗。