JP2001345605A

JP2001345605A - 高周波回路

Info

Publication number: JP2001345605A
Application number: JP2000169311A
Authority: JP
Inventors: Hironori Fujishiro; 博記藤代
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2000-06-06
Filing date: 2000-06-06
Publication date: 2001-12-14

Abstract

(57)【要約】【課題】伝送線路と交差線路間のアイソレーションが
確保されると共に、交差線路を伝送する信号の接地導体
へのリークが抑えられる高周波回路を提供する。【解決手段】導体線路１０２とその導電体線路の両側
に接地導体１０３ａ，１０３ｂを有する高周波回路にお
いて、前記導体線路１０２を横断し、かつ前記接地導体
１０３ａ，１０３ｂを接続する少なくとも１つの第３線
路１０４ａ〜１０４ｄと、前記導体線路１０２を横断す
る少なくとも１つの第１線路１０５と、この第１線路１
０５の一端に接続され、かつ前記接地導体１０３ａ，１
０３ｂと誘電体膜によって隔てられた下地導体１０６
ａ，１０６ｂと、この下地導体１０６ａ，１０６ｂに接
続された第２線路１０７ａ，１０７ｂとを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＭＩＣ（Ｍｏｎ
ｏｌｉｔｈｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）を構成するコプレーナ線路の
構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロ波回路は、導波管をベー
スにした回路素子で構成する立体回路から、誘電体基板
上に形成した分布定数線路をベースとする平面回路と、
その基板上に装荷する半導体素子とで構成するＭＩＣ
（ＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒ
ｃｕｉｔ）へ、さらに半導体製造プロセスを用いて、Ｇ
ａＡｓ基板などの半導体基板上に分布定数線路をベース
とする平面回路と半導体素子を一括形成するＭＭＩＣへ
と開発が進められている。

【０００３】ＭＭＩＣは、それを構成する分布定数線路
の種類によって、大きくマイクロストリップライン型と
ユニプレーナ型に分けることができる。マイクロストリ
ップライン型は分布定数線路にマイクロストリップ線路
を用いるもので、基板の表面に導体線路、基板の裏面に
接地導体（グランド面）を有する。一方、ユニプレーナ
型は基板の表面に導体線路と接地導体を有するもので、
主にコプレーナ線路が分布定数線路として用いられる。

【０００４】コプレーナ線路は、線路の伝送特性が基板
の厚みにほとんど依存しないため、線路幅を自由に選ぶ
ことができ、ＭＭＩＣチップの小型化に適している。ま
た、基板の裏面研磨や、グランド面を基板表面に形成す
るためのバイヤホールの形成が不要となり、製造コスト
の低減に有利である。さらにグランド面が基板表面にあ
るため、能動素子や受動素子を寄生リアクタンス成分の
付加無しに接地することができ、ミリ波のような超高周
波帯での特性に優れている。

【０００５】コプレーナ線路の構造は、以下に示す文献
に開示されるものがある。

【０００６】モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
Ｃ）、第２章相川正義他共著、社団法人電子情
報通信学会編コロナ社図５は従来のコプレーナ線路の
上面図、図６は図５のＢ−Ｂ線断面図である。

【０００７】これらの図に示すように、半導体基板１の
上に幅Ｗの導体線路２と、この導体線路２から距離Ｓだ
け離れた位置に、導体線路と平行して接地導体３ａ，３
ｂ、さらに接地導体間を接続するエアブリッジ４ａ，４
ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅが設けられている。

【０００８】一方、図７は従来のコプレーナ線路のＴ型
分岐回路（Ｔジャンクション）を示す上面図である。こ
の図において、１１は基板、１２はＴ型導体線路、１３
ａ，１３ｂ，１３ｃは接地導体、１４ａ，１４ｂ，１４
ｃは接地導体１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間を接続するエア
ブリッジである。

【０００９】図８は従来のＸ型分岐回路（クロスジャン
クション）を示す上面図である。この図において、２１
は基板、２２はクロス型導体線路、２３ａ，２３ｂ，２
３ｃ，２３ｄは接地導体、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２
４ｄは接地導体２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ間を接
続するエアブリッジである。

【００１０】図８に示すように、導体線路によって分離
された接地導体間をつなぐためのエアブリッジが設けら
れている。

【００１１】このようにコプレーナ線路は、同一基板表
面上に形成された導体線路と接地導体によって構成され
る。また、一般に不要波の伝達を抑えるために、線路長
の長い個所や、Ｔジャンクション、クロスジャンクショ
ンなどの分岐部の接地導体間にエアブリッジが設けら
れ、導体線路によって分離された接地導体間を電気的に
接続することが行われる。但し、エアブリッジを設ける
ことによってエアブリッジ・導体線路間に寄生容量が生
じ、実効的に導体線路と接地導体間にシャント容量が付
加されるために、ＭＭＩＣの設計においては、このシャ
ント容量を考慮する必要がある。また、Ｔジャンクショ
ンやクロスジャンクションにおいては、一般にエアブリ
ッジによるシャント容量を含めた分岐部の等価回路を作
成して、ＭＭＩＣの設計に用いることが行われる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】さらに、ＭＭＩＣのパ
ターン設計においては、回路の構成上、またチップ面積
の縮小や、バイアス供給パッドの位置の制約などから、
しばしば導体線路を横切って、バイアス供給のためのＤ
Ｃ線路やＩＦ信号線路などを配置する必要がある。しか
しながら、導体線路の上に別の線路を配置すると、交差
部分で生じる寄生容量によって高周波的な結合が生じ、
線路間のアイソレーションや導体線路の伝送特性が劣化
するという問題が生じる。そのため、パターン設計の自
由度が大きく制約されるという問題があった。

【００１３】本発明は、上記問題点を除去し、伝送線路
と交差線路間のアイソレーションが確保されると共に、
交差線路を伝送する信号の接地導体へのリークが抑えら
れる高周波回路を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、〔１〕導体線路とその導電体線路の両側
に接地導体を有する高周波回路において、前記導体線路
を横断する少なくとも１つの第１線路と、この第１線路
の一端に接続され、かつ前記接地導体と誘電体膜によっ
て隔てられた下地導体と、この下地導体に接続された第
２線路とを備えたことを特徴とする。

【００１５】〔２〕導体線路とその導電体線路の両側に
接地導体を有する高周波回路において、前記導体線路を
横断し、かつ前記接地導体を接続する少なくとも１つの
第３線路と、前記導体線路を横断する少なくとも１つの
第１線路と、この第１線路の一端に接続され、かつ前記
接地導体と誘電体膜によって隔てられた下地導体と、こ
の下地導体に接続された第２線路とを備えたことを特徴
とする。

【００１６】〔３〕上記〔２〕記載の高周波回路におい
て、前記第１線路と第３線路の幅が等しく、前記第１線
路と第３線路の前記導体線路からの距離が等しいことを
特徴とする。

【００１７】〔４〕３方向に分岐した導体線路とその導
電体線路の両側に接地導体を有する高周波回路におい
て、前記導体線路を横断する少なくとも１つの第１線路
と、この第１線路の一端に接続され、かつ前記接地導体
と誘電体膜によって隔てられた下地導体と、この下地導
体に接続された第２線路とを備えたことを特徴とする。

【００１８】〔５〕３方向に分岐した導体線路とその導
電体線路の両側に接地導体を有する高周波回路におい
て、前記導体線路を横断し、かつ前記接地導体を接続す
る少なくとも１つの第３線路と、前記導体線路を横断す
る少なくとも１つの第１線路と、この第１線路の一端に
接続され、かつ前記接地導体と誘電体膜によって隔てら
れた下地導体と、この下地導体に接続された第２線路と
を備えたことを特徴とする。

【００１９】〔６〕上記〔５〕記載の高周波回路におい
て、前記第１線路と第３線路の幅が等しいとともに、前
記第１線路と第３線路の前記導体線路からの距離が等し
いことを特徴とする。

【００２０】〔７〕４方向に分岐した導体線路とその導
電体線路の両側に接地導体を有する高周波回路におい
て、前記導体線路を横断する少なくとも１つの第１線路
と、この第１線路の一端に接続され、かつ前記接地導体
と誘電体膜によって隔てられた下地導体と、この下地導
体に接続された第２線路とを備えたことを特徴とする。

【００２１】〔８〕４方向に分岐した導体線路とその導
電体線路の両側に接地導体を有する高周波回路におい
て、前記導体線路を横断し、かつ前記接地導体を接続す
る少なくとも１つの第３線路と、前記導体線路を横断す
る少なくとも１つの第１線路と、前記第１線路の一端に
接続され、かつ前記接地導体と誘電体膜によって隔てら
れた下地導体と、この下地導体に接続された第２線路と
を備えたことを特徴とする。

【００２２】

〔９〕上記〔８〕記載の高周波回路におい
て、前記第１線路と第３線路の幅が等しいとともに、前
記第１線路と第３線路の前記導体線路からの距離が等し
いことを特徴とする。

【００２３】〔１０〕上記〔１〕、〔４〕又は〔７〕記
載の高周波回路において、前記導体線路と前記第１線路
がエアブリッジをもって交差することを特徴とする。

【００２４】〔１１〕上記〔２〕、〔３〕、〔５〕、
〔６〕、〔８〕又は

〔９〕記載の高周波回路において、
前記導体線路と前記第１線路がエアブリッジをもって交
差するとともに、前記導体線路と前記第３線路がエアブ
リッジをもって交差することを特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照しながら詳細に説明する。

【００２６】図１は本発明の第１実施例を示すコプレー
ナ線路の上面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。

【００２７】半導体基板１０１の上に幅Ｗの導体線路１
０２と、導体線路１０２から距離Ｓだけ離れた位置に、
導体線路１０２と平行して接地導体１０３ａ，１０３
ｂ、さらに接地導体１０３ａ，１０３ｂ間を接続するエ
アブリッジ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ、
及びエアブリッジ線路１０５が設けられている。エアブ
リッジ線路１０５の両端は、接地導体１０３ａ，１０３
ｂと層間膜１０８によって隔てられている下地導体１０
６ａ，１０６ｂに接続され、また、下地導体１０６ａ，
１０６ｂの一端は、交差線路１０７ａ，１０７ｂに接続
されている。エアブリッジ１０４ａ，１０４ｂ，１０４
ｃ，１０４ｄ間、及びエアブリッジとエアブリッジ線路
１０５の間は、それぞれ距離Ｌだけ隔てられている。

【００２８】エアブリッジ及びエアブリッジ線路１０５
の幅Ｗ′は、例えば、１０μｍ程度とすればよい。高さ
ｈは、メッキを用いてエアブリッジ１０４ａ〜１０４ｄ
を形成した場合、通常３μｍ程度である。距離Ｌは、所
望の周波数帯域において不要波の伝送が抑圧されるよう
に設定すれば良く、例えば、７０ＧＨｚ帯においては１
波長／８である２００μｍ程度とすれば良い。

【００２９】一方、コプレーナ線路の特性インピーダン
スは、エアブリッジとエアブリッジ線路１０５によって
生じるシャント容量によって、これらを設ける前の値よ
りも低下する。例えば幅１０μｍ、高さ３μｍのエアブ
リッジの場合、１つのエアブリッジによって付加される
シャント容量は約２ｆＦとなる。このエアブリッジが２
００μｍ間隔で並んだ場合の特性インピーダンスの変化
は、約２Ωである。

【００３０】そこで、導体線路幅Ｗ及び導体線路１０２
と接地導体１０３ａ，１０３ｂの間隔Ｓは、コプレーナ
線路の特性インピーダンスが所望の値に保たれるよう
に、付加されたシャント容量分だけ、導体線路と接地導
体間の容量を下げるように設定する。例えば特性インピ
ーダンス５０Ωのコプレーナ線路を得ようとした場合、
ＷとＬをそれぞれ２０μｍとすれば良い。

【００３１】エアブリッジ線路１０５の両端が接続され
た下地導体１０６ａ，１０６ｂの面積は、下地導体１０
６ａ，１０６ｂと接地導体１０３ａ，１０３ｂが形成す
るキャパシタのインピーダンスが、コプレーナ線路を伝
送する信号の周波数（ＲＦ周波数）において、十分に小
さい値になるように設定する。また、ここでは、交差線
路１０７ａ，１０７ｂを伝送する信号をＲＦ周波数に比
べて十分に低い周波数特性を有する、例えばＤＣ信号や
ＩＦ信号であると想定し、キャパシタのインピーダンス
が、その信号の最大周波数において、十分に大きい値に
なるように設定する。

【００３２】なお、本実施例においては、接地導体間を
接続する配線をエアブリッジ構造で形成するようにした
が、交差部において導体線路の方をエアブリッジ構造と
してもよい。

【００３３】エアブリッジ１０４ａ，１０４ｂ，１０４
ｃ，１０４ｄと導体線路１０２の間に生じる寄生容量
は、エアブリッジが接地導体１０３ａ，１０３ｂと接続
されているために、等価的に導体線路と接地導体間のシ
ャント容量となる。そこで既に述べたように、予め、エ
アブリッジ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄに
よるシャント容量を補償し、所望の特性インピーダンス
が得られるように、導体線路幅Ｗ、及び導体線路１０２
と接地導体の間隔Ｓを定めておけば、ＭＭＩＣの設計に
おいて、あらわにエアブリッジの影響を考慮する必要が
ない。

【００３４】一方、エアブリッジ線路１０５が接続され
ている下地導体１０６ａ，１０６ｂは、接地導体１０３
ａ，１０３ｂとキャパシタを形成し、このキャパシタの
インピーダンスは、コプレーナ線路を伝送する信号の周
波数において、十分に小さい値となるように設定されて
いる。したがって、エアブリッジ線路１０５と導体線路
１０２間に生じる寄生容量は、ＲＦ周波数において、等
価的に導体線路１０２と接地導体１０３ａ，１０３ｂ間
のシャント容量となり、この値は、エアブリッジ１０４
ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄによるものと同一で
ある。

【００３５】したがって、エアブリッジを等間隔に設け
たコプレーナ線路の一部をエアブリッジ線路１０５に置
き換えても、コプレーナ線路の特性インピーダンスには
何ら影響を及ぼさない。

【００３６】また、このような特性は、言い換えれば、
下地導体１０６ａ，１０６ｂと接地導体１０３ａ，１０
３ｂの間のキャパシタによって、エアブリッジ線路１０
５に接続された交差線路１０７ａ，１０７ｂと導体線路
１０２がアイソレーションされていることを意味してお
り、導体線路１０２を伝送する信号が交差線路１０７
ａ，１０７ｂにリークすることはない。

【００３７】一方、交差線路１０７ａ，１０７ｂに伝送
する信号は、キャパシタのインピーダンスが、その帯域
の最大周波数においても十分に高くなるように設定され
ているため、接地導体１０３ａ，１０３ｂにはリークし
ない。さらに交差線路１０７ａ，１０７ｂに伝送する信
号の最大周波数においても、導体線路１０２とエアブリ
ッジ線路１０５の間の寄生容量のインピーダンスが十分
に高くなるため、交差線路１０７ａ，１０７ｂから導体
線路１０２へのアイソレーションも確保される。したが
って、信号はエアブリッジ線路とコプレーナ線路の交差
部でリークすることなく、交差線路１０７ａ，１０７ｂ
を伝達する。

【００３８】このように第１実施例においては、より望
ましい形態として、接地導体間をつなぐエアブリッジを
コプレーナ線路に等間隔に設け、エアブリッジによるシ
ャント容量を補償して所望の特性インピーダンスが得ら
れるように、予めコプレーナ線路の導体線路幅Ｗ、及び
導体線路と接地導体の間隔Ｓを調整することを述べた。
しかしながら、これに限ることなく、エアブリッジや
エアブリッジ線路によるシャント容量を、ＭＭＩＣの設
計段階で、等価回路として取り込むようにしても良い。
この場合、エアブリッジやエアブリッジ線路はコプレー
ナ線路の任意の場所に設けることができ、またエアブリ
ッジを設けなくても良い。

【００３９】図３は本発明の第２実施例を示すＴジャン
クションの上面図を示したものである。

【００４０】この図に示すように、半導体基板２０１の
上に幅ＷのＴ型導体線路２０２と、Ｔ型導体線路２０２
から距離Ｓだけ離れた位置に接地導体２０３ａ，２０３
ｂ，２０３ｃ、さらに接地導体２０３ａ，２０３ｂ，２
０３ｃ間を接続するエアブリッジ２０４ａ，２０４ｂ
と、下地導体２０６ａと２０６ｂを接続するエアブリッ
ジ線路２０５が設けられている。つまり、エアブリッジ
線路２０５の両端は下地導体２０６ａ，２０６ｂに接続
され、下地導体２０６ａ，２０６ｂと接地導体２０３
ａ，２０３ｂは層間膜（図示なし）によって隔てられて
いる。また、下地導体２０６ａ，２０６ｂの一端は、交
差配線２０７ａ，２０７ｂに接続されている。

【００４１】エアブリッジ線路２０５の両端が接続され
た下地導体２０６ａ，２０６ｂの面積は、下地導体２０
６ａ，２０６ｂと接地導体２０３ａ，２０３ｂが形成す
るキャパシタのインピーダンスが、コプレーナ線路を伝
送する信号の周波数（ＲＦ周波数）において、十分に小
さい値になるように、また、交差配線２０７ａ，２０７
ｂを伝送する信号の最大周波数において、十分に大きい
値になるように設定する。

【００４２】なお、第２実施例においては、接地導体間
を接続する配線をエアブリッジ構造で形成するようにし
たが、交差部において導体線路の方をエアブリッジ構造
としてもよい。

【００４３】エアブリッジ線路２０５が接続されている
下地導体２０６ａ，２０６ｂと接地導体２０３ａ，２０
３ｂとの間で形成されるキャパシタのインピーダンス
は、コプレーナ線路を伝送する信号の周波数において、
十分に小さい値となる。したがって、エアブリッジ線路
２０５とＴ型導体線路２０２の間に生じる寄生容量は、
等価的にＴ型導体線路２０２と接地導体２０３ａ，２０
３ｂの間のシャント容量で表されることになり、その値
はエアブリッジによるシャント容量の値と等しい。

【００４４】したがって、エアブリッジのみで接地導体
間を接続したＴジャンクションと、そのエアブリッジの
一部をエアブリッジ線路に置き換えたＴジャンクション
の特性は、ＲＦ周波数において等しくなる。つまり、エ
アブリッジの一部をエアブリッジ線路に置き換えても、
Ｔジャンクションの特性には何ら影響を及ぼすことがな
い。

【００４５】このような特性は、言い換えれば、エアブ
リッジ線路２０５に接続された交差配線２０７ａ，２０
７ｂとＴ型導体線路２０２が、ＲＦ周波数においてアイ
ソレーションされていることを意味しており、つまり
は、Ｔ型導体線路２０２を伝送する信号が交差線路２０
７ａ，２０７ｂにリークすることはない。

【００４６】一方、交差線路２０７ａ，２０７ｂに伝送
する信号は、キャパシタのインピーダンスがその帯域の
最大周波数においても十分に高くなるように設定されて
いるために、接地導体２０３ａ，２０３ｂにリークせ
ず、また導体線路２０５とエアブリッジ線路２０５の間
の寄生容量のインピーダンスも十分に高くなるために、
交差線路２０７ａ，２０７ｂからＴ型導体線路２０２へ
のアイソレーションも確保される。したがって、信号は
エアブリッジ線路２０５とコプレーナ線路の交差部でリ
ークすることなく、交差線路２０７ａ，２０７ｂを伝達
する。

【００４７】図４は本発明の第３実施例を示すクロスジ
ャンクションの上面図である。

【００４８】この図に示すように、半導体基板３０１の
上に幅Ｗのクロス型導体線路３０２と、クロス導体線路
３０２から距離Ｓだけ離れた位置に接地導体３０３ａ，
３０３ｂ，３０３ｃ，３０３ｄ、さらにエアブリッジ３
０４ａ，３０４ｂ，３０４ｃが接地導体間と接続され、
エアブリッジ線路３０５が下地導体３０６ａと３０６ｂ
を接続するように設けられている。つまり、エアブリッ
ジ線路３０５の両端は下地導体３０６ａ，３０６ｂに接
続され、下地導体３０６ａ，３０６ｂと接地導体３０３
ａ，３０３ｂは層間膜（図示なし）によって隔てられて
いる。また、下地導体３０６ａ，３０６ｂの一端は、交
差配線３０７ａ，３０７ｂに接続されている。

【００４９】エアブリッジ線路３０５の両端が接続され
た下地導体３０６ａ，３０６ｂの面積は、下地導体３０
６ａ，３０６ｂと接地導体３０３ａ，３０３ｂが形成す
るキャパシタのインピーダンスが、コプレーナ線路を伝
送する信号の周波数（ＲＦ周波数）において、十分に小
さい値になるように、また、交差線路３０７ａ，３０７
ｂを伝送する信号の最大周波数において、十分に大きい
値になるように設定する。

【００５０】なお、第３実施例においては、接地導体間
を接続する配線をエアブリッジ構造で形成するようにし
たが、交差部において導体線路の方をエアブリッジ構造
としてもよい。

【００５１】エアブリッジ線路３０５が接続されている
下地導体３０６ａ，３０６ｂと接地導体３０３ａ，３０
３ｂとの間で形成されるキャパシタのインピーダンス
は、コプレーナ線路を伝送する信号の周波数において、
十分に小さい値となる。

【００５２】したがって、エアブリッジ線路３０５とク
ロス型導体線路３０２の間に生じる寄生容量は、等価的
にクロス型導体線路３０２と接地導体３０３ａ，３０３
ｂの間のシャント容量で表され、その値はエアブリッジ
によるものと等しい。したがって、エアブリッジのみで
接地導体間を接続したクロスジャンクションと、そのエ
アブリッジの一部をエアブリッジ線路に置き換えたクロ
スジャンクションの特性は、ＲＦ周波数においても等し
くなる。つまり、エアブリッジの一部をエアブリッジ線
路に置き換えても、クロスジャンクションの特性に何ら
影響を及ぼすことがない。

【００５３】このような特性は、言い換えれば、エアブ
リッジ線路３０５に接続された交差線路３０７ａ，３０
７ｂとクロス型導体線路３０２が、ＲＦ周波数において
アイソレーションされていることを意味しており、クロ
ス型導体線路３０２を伝送する信号は交差線路３０７
ａ，３０７ｂにリークすることがない。

【００５４】一方、交差線路３０７ａ，３０７ｂに伝送
する信号は、キャパシタのインピーダンスが、その帯域
の最大周波数においても十分に高くなるように設定され
ているために、接地導体３０３ａ，３０３ｂにリークせ
ず、またクロス型導体線路３０２とエアブリッジ線路３
０５の間の寄生容量のインピーダンスも十分に高くなる
ために、交差線路３０７ａ，３０７ｂからクロス型導体
線路３０２へのアイソレーションも確保される。したが
って、信号はエアブリッジ線路３０５とコプレーナ線路
の交差部でリークすることなく、交差線路３０７ａ，３
０７ｂを伝達する。（利用形態）以上、第１、第２、第３実施例では、本発
明をそれぞれコプレーナ線路、コプレーナ線路のＴジャ
ンクション、コプレーナ線路のクロスジャンクションに
適用した例について述べた。しかしながら、本発明の適
用範囲はこれらに限られることなく、９０°ハイブリッ
ドや１８０°ハイブリッドなど、コプレーナ線路を用い
たエアブリッジを含む全ての回路に適用することができ
る。

【００５５】また、本発明の適用範囲はコプレーナ線路
に限られることなく、スロット線路や、スロット線路と
コプレーナ線路が共存するユニプレーナ型のＭＭＩＣな
どにも適用することができる。また、本発明の適用範囲
はＭＭＩＣに限られることなく、ＭＩＣにも適用するこ
とができる。

【００５６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００５７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。

【００５８】（Ａ）予めエアブリッジを等間隔に設けた
コプレーナ線路にエアブリッジ線路を設け、エアブリッ
ジ線路を接続した下地導体と接地導体からなるキャパシ
タのインピーダンスを、コプレーナ線路を伝送する信号
の周波数においては十分に低く、交差線路を伝送する信
号の周波数においては十分に高くなるように設定したの
で、伝送線路と交差線路間のアイソレーションが確保さ
れると共に、交差線路を伝送する信号の接地導体へのリ
ークが抑えられる。

【００５９】また、エアブリッジ線路によって付加され
るシャント容量はエアブリッジによるものと等しいた
め、コプレーナ線路の特性インピーダンスに何ら影響を
及ぼすことなく、任意の個所のエアブリッジをエアブリ
ッジ線路に置き換えることができる。

【００６０】そのため、所望の個所で導体線路を交差で
きるようになり、ＭＭＩＣのパターン設計上の自由度が
飛躍的に向上する。

【００６１】（Ｂ）Ｔジャンクションを構成するエアブ
リッジの一部をエアブリッジ線路で置き換え、エアブリ
ッジ線路を接続した下地導体と接地導体からなるキャパ
シタのインピーダンスを、コプレーナ線路を伝送する信
号の周波数において十分に低く、交差線路を伝送する信
号の周波数においては十分に高くなるように設定したの
で、伝送線路と交差線路間のアイソレーションが確保さ
れ、交差線路を伝送する信号の接地導体へのリークも起
こらない。

【００６２】また、エアブリッジ線路によって付加され
るシャント容量はエアブリッジによるものと等しいた
め、エアブリッジをエアブリッジ線路に置き換えても、
Ｔジャンクションの特性には何ら影響を及ぼすことがな
い。

【００６３】そのため、Ｔジャンクションを構成する所
望のエアブリッジをエアブリッジ線路に置き換えること
により、特性に影響を与えずに導体線路を交差できるよ
うになり、ＭＭＩＣのパターン設計上の自由度が飛躍的
に向上する。

【００６４】（Ｃ）クロスジャンクションを構成するエ
アブリッジの一部をエアブリッジ線路で置き換え、その
エアブリッジ線路を接続した下地導体と接地導体からな
るキャパシタのインピーダンスを、コプレーナ線路を伝
送する信号の周波数において十分に低く、交差線路を伝
送する信号の周波数において十分に高くなるように設定
したので、伝送線路と交差線路間のアイソレーションが
確保され、また、交差線路を伝送する信号の接地導体へ
のリークも起こらない。

【００６５】また、エアブリッジ線路によって付加され
るシャント容量はエアブリッジによるものと等しいた
め、エアブリッジをエアブリッジ線路に置き換えても、
クロスジャンクションの特性には何ら影響を及ぼすこと
がない。

【００６６】そのため、クロスジャンクションを構成す
る所望のエアブリッジをエアブリッジ線路に置き換える
ことにより、特性に影響を及ぼさずに、導体線路を交差
できるようになり、ＭＭＩＣのパターン設計上の自由度
が飛躍的に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すコプレーナ線路の上
面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】本発明の第２実施例を示すＴジャンクションの
上面図である。

【図４】本発明の第３実施例を示すクロスジャンクショ
ンの上面図である。

【図５】従来のコプレーナ線路の上面図である。

【図６】図５のＢ−Ｂ線断面図である。

【図７】従来のコプレーナ線路のＴ型分岐回路（Ｔジャ
ンクション）を示す上面図である。

【図８】従来のＸ型分岐回路（クロスジャンクション）
を示す上面図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１半導体基板１０２導体線路１０３ａ，１０３ｂ，２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃ，
３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃ，３０３ｄ接地導体１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ，２０４ａ，
２０４ｂ，３０４ａ，３０４ｂ，３０４ｃエアブリ
ッジ１０５，２０５，３０５エアブリッジ線路１０６ａ，１０６ｂ，２０６ａ，２０６ｂ，３０６ａ，
３０６ｂ下地導体１０７ａ，１０７ｂ，２０７ａ，２０７ｂ，３０７ａ，
３０７ｂ交差線路１０８層間膜２０２Ｔ型導体線路３０２クロス型導体線路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体線路と該導体線路の両側に接地導体
を有する高周波回路において、前記導体線路を横断する
少なくとも１つの第１線路と、該第１線路の一端に接続
され、かつ前記接地導体と誘電体膜によって隔てられた
下地導体と、該下地導体に接続された第２線路とを備え
たことを特徴とする高周波回路。
【請求項２】導体線路と該導体線路の両側に接地導体
を有する高周波回路において、前記導体線路を横断し、
かつ前記接地導体を接続する少なくとも１つの第３線路
と、前記導体線路を横断する少なくとも１つの第１線路
と、該第１線路の一端に接続され、かつ前記接地導体と
誘電体膜によって隔てられた下地導体と、該下地導体に
接続された第２線路とを備えたことを特徴とする高周波
回路。
【請求項３】請求項２記載の高周波回路において、前
記第１線路と第３線路の幅が等しく、前記第１線路と第
３線路の前記導体線路からの距離が等しいことを特徴と
する高周波回路。
【請求項４】３方向に分岐した導体線路と該導体線路
の両側に接地導体を有する高周波回路において、前記導
体線路を横断する少なくとも１つの第１線路と、該第１
線路の一端に接続され、かつ前記接地導体と誘電体膜に
よって隔てられた下地導体と、該下地導体に接続された
第２線路とを備えたことを特徴とする高周波回路。
【請求項５】３方向に分岐した導体線路と該導体線路
の両側に接地導体を有する高周波回路において、前記導
体線路を横断し、かつ前記接地導体を接続する少なくと
も１つの第３線路と、前記導体線路を横断する少なくと
も１つの第１線路と、該第１線路の一端に接続され、か
つ前記接地導体と誘電体膜によって隔てられた下地導体
と、該下地導体に接続された第２線路とを備えたことを
特徴とする高周波回路。
【請求項６】請求項５記載の高周波回路において、前
記第１線路と第３線路の幅が等しいとともに、前記第１
線路と第３線路の前記導体線路からの距離が等しいこと
を特徴とする高周波回路。
【請求項７】４方向に分岐した導体線路と該導体線路
の両側に接地導体を有する高周波回路において、前記導
体線路を横断する少なくとも１つの第１線路と、該第１
線路の一端に接続され、かつ前記接地導体と誘電体膜に
よって隔てられた下地導体と、該下地導体に接続された
第２線路とを備えたことを特徴とする高周波回路。
【請求項８】４方向に分岐した導体線路と該導体線路
の両側に接地導体を有する高周波回路において、前記導
体線路を横断し、かつ前記接地導体を接続する少なくと
も１つの第３線路と、前記導体線路を横断する少なくと
も１つの第１線路と、該第１線路の一端に接続され、か
つ前記接地導体と誘電体膜によって隔てられた下地導体
と、該下地導体に接続された第２線路とを備えたことを
特徴とする高周波回路。
【請求項９】請求項８記載の高周波回路において、前
記第１線路と第３線路の幅が等しいとともに、前記第１
線路と第３線路の前記導体線路からの距離が等しいこと
を特徴とする高周波回路。
【請求項１０】請求項１、４又は７記載の高周波回路
において、前記導体線路と前記第１線路がエアブリッジ
をもって交差することを特徴とする高周波回路。
【請求項１１】請求項２、３、５、６、８又は９記載
の高周波回路において、前記導体線路と前記第１線路が
エアブリッジをもって交差するとともに、前記導体線路
と前記第３線路がエアブリッジをもって交差することを
特徴とする高周波回路。