JP3185837B2 - 高周波線路 - Google Patents
高周波線路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば１ＧHz以上の高
周波信号を伝送するための高周波線路に関する。
周波信号を伝送するための高周波線路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２３は、従来の高周波線路として用い
られているコプレーナ線路の断面構成を示す。
られているコプレーナ線路の断面構成を示す。
【０００３】図において、誘電体または半導体の基板１
上に、接地導体３ａ，３ｂと、その間に中心導体２が形
成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ
とによりコプレーナ線路が構成される。このコプレーナ
線路に高周波信号を入力したとき、中心導体２と接地導
体３ａ，３ｂとの間に電磁界が生じ、この電磁界が中心
導体２の幅方向と直交する長さ方向に伝搬する。なお、
基板１と中心導体２および接地導体３ａ，３ｂとの間
に、パッシベーション膜などの誘電体が形成される場合
も同様である。
上に、接地導体３ａ，３ｂと、その間に中心導体２が形
成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ
とによりコプレーナ線路が構成される。このコプレーナ
線路に高周波信号を入力したとき、中心導体２と接地導
体３ａ，３ｂとの間に電磁界が生じ、この電磁界が中心
導体２の幅方向と直交する長さ方向に伝搬する。なお、
基板１と中心導体２および接地導体３ａ，３ｂとの間
に、パッシベーション膜などの誘電体が形成される場合
も同様である。
【０００４】コプレーナ線路の特性インピーダンスは、
中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ
のギャップｓとの比によって決定される。それは、一定
の特性インピーダンスに対してほぼ比例関係にあり、中
心導体２の幅ｗを小さくすればギャップｓが小さくな
る。これにより、コプレーナ線路は、中心導体２の幅ｗ
を小さくすれば全体の形状を小さくでき、高周波集積回
路の小型化を図ることができる。
中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ
のギャップｓとの比によって決定される。それは、一定
の特性インピーダンスに対してほぼ比例関係にあり、中
心導体２の幅ｗを小さくすればギャップｓが小さくな
る。これにより、コプレーナ線路は、中心導体２の幅ｗ
を小さくすれば全体の形状を小さくでき、高周波集積回
路の小型化を図ることができる。
【０００５】図２４は、集積回路用の小型・高周波線路
として提案されている薄膜マイクロストリップ（ＴＦＭ
Ｓ）線路の断面構成を示す（T. Tokumitsu, et al., "V
erysmall MMIC's using a thin film microstrip lin
e",電子情報通信学会技術報告書, MW89-35)。
として提案されている薄膜マイクロストリップ（ＴＦＭ
Ｓ）線路の断面構成を示す（T. Tokumitsu, et al., "V
erysmall MMIC's using a thin film microstrip lin
e",電子情報通信学会技術報告書, MW89-35)。
【０００６】図において、誘電体または半導体の基板１
上に接地導体４が形成され、この接地導体４上に誘電体
膜５が形成される。さらに、誘電体膜５上に、幅ｗのス
トリップ導体６が形成される。このストリップ導体６と
接地導体４とによりＴＦＭＳ線路が構成される。なお、
基板１と接地導体４との間に誘電体が形成される場合も
同様である。このＴＦＭＳ線路に高周波信号を入力した
とき、ストリップ導体６と接地導体４との間に電磁界が
生じ、この電磁界がストリップ導体６の幅方向と直交す
る長さ方向に伝搬する。
上に接地導体４が形成され、この接地導体４上に誘電体
膜５が形成される。さらに、誘電体膜５上に、幅ｗのス
トリップ導体６が形成される。このストリップ導体６と
接地導体４とによりＴＦＭＳ線路が構成される。なお、
基板１と接地導体４との間に誘電体が形成される場合も
同様である。このＴＦＭＳ線路に高周波信号を入力した
とき、ストリップ導体６と接地導体４との間に電磁界が
生じ、この電磁界がストリップ導体６の幅方向と直交す
る長さ方向に伝搬する。
【０００７】ＴＦＭＳ線路の特性インピーダンスは、ス
トリップ導体６の幅ｗと、誘電体膜５の厚さｈとの比に
よって決定される。ＴＦＭＳ線路は誘電体膜５の厚さｈ
が薄いので、ストリップ導体６の幅ｗを小さくすること
ができ、小型化が容易である。また、ストリップ導体６
と接地導体４との間に生じる電磁界は、誘電体膜５の厚
さｈが薄いのでストリップ導体６の幅方向への広がりは
少ない。したがって、並行に配置したＴＦＭＳ線路の間
隔を誘電体膜５の厚さｈの２倍程度に設定すれば、互い
に十分なアイソレーション（＜−20dB）をとることがで
きるので、ＴＦＭＳ線路は高周波集積回路の小型化に有
効である。
トリップ導体６の幅ｗと、誘電体膜５の厚さｈとの比に
よって決定される。ＴＦＭＳ線路は誘電体膜５の厚さｈ
が薄いので、ストリップ導体６の幅ｗを小さくすること
ができ、小型化が容易である。また、ストリップ導体６
と接地導体４との間に生じる電磁界は、誘電体膜５の厚
さｈが薄いのでストリップ導体６の幅方向への広がりは
少ない。したがって、並行に配置したＴＦＭＳ線路の間
隔を誘電体膜５の厚さｈの２倍程度に設定すれば、互い
に十分なアイソレーション（＜−20dB）をとることがで
きるので、ＴＦＭＳ線路は高周波集積回路の小型化に有
効である。
【０００８】なお、図２４に示すＴＦＭＳ線路に対し
て、ストリップ導体と接地導体の位置を反転させたイン
バース型のＴＦＭＳ線路（T. Tokumitsu, et al.,"Mult
ilayerMMIC using a 3μｍ×Ｎ-layer dielectric film
stracture",IEICE,vol.E75-C,No.6,June,1992) につい
ても同様のことが言える。
て、ストリップ導体と接地導体の位置を反転させたイン
バース型のＴＦＭＳ線路（T. Tokumitsu, et al.,"Mult
ilayerMMIC using a 3μｍ×Ｎ-layer dielectric film
stracture",IEICE,vol.E75-C,No.6,June,1992) につい
ても同様のことが言える。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】コプレーナ線路は、中
心導体２と接地導体３ａ，３ｂが基板１上の同一平面に
形成されている。したがって、図２５に示すように複数
の能動素子１０を接続する際には能動素子１０のまわり
にコプレーナ線路を配線する必要があり、回路設計上の
制約が大きかった。また、コプレーナ線路と並行してマ
イクロストリップ線路、トリプレート線路、その他の高
周波線路を集積して配置することが困難であった。
心導体２と接地導体３ａ，３ｂが基板１上の同一平面に
形成されている。したがって、図２５に示すように複数
の能動素子１０を接続する際には能動素子１０のまわり
にコプレーナ線路を配線する必要があり、回路設計上の
制約が大きかった。また、コプレーナ線路と並行してマ
イクロストリップ線路、トリプレート線路、その他の高
周波線路を集積して配置することが困難であった。
【００１０】さらに、コプレーナ線路の中心導体２と接
地導体３ａ，３ｂとの間に生じる電磁界は、中心導体２
および接地導体３ａ，３ｂの厚さが薄いので中心導体２
の幅方向に広がる。したがって、並行に配置したコプレ
ーナ線路間のアイソレーションを十分にとるには、ある
程度の線路間隔が必要となり回路の高集積化には限界が
あった。
地導体３ａ，３ｂとの間に生じる電磁界は、中心導体２
および接地導体３ａ，３ｂの厚さが薄いので中心導体２
の幅方向に広がる。したがって、並行に配置したコプレ
ーナ線路間のアイソレーションを十分にとるには、ある
程度の線路間隔が必要となり回路の高集積化には限界が
あった。
【００１１】一方、ＴＦＭＳ線路は、信号線であるスト
リップ導体６が基板面から離れて形成されているので、
図２６に示すように能動素子１０の直上にストリップ導
体６を配線することが可能である。しかし、この場合に
は能動素子１０が存在する部分にＴＦＭＳ線路の不連続
が生じ、さらに伝送電磁界が能動素子１０と干渉して回
路特性が劣化する問題があった。
リップ導体６が基板面から離れて形成されているので、
図２６に示すように能動素子１０の直上にストリップ導
体６を配線することが可能である。しかし、この場合に
は能動素子１０が存在する部分にＴＦＭＳ線路の不連続
が生じ、さらに伝送電磁界が能動素子１０と干渉して回
路特性が劣化する問題があった。
【００１２】また、コプレーナ線路の特性インピーダン
スは中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接地導体３ａ，
３ｂのギャップｓの比（ｗ／ｓ）で決まり、ＴＦＭＳ線
路の特性インピーダンスはストリップ導体６の幅ｗと誘
電体膜５の厚さｈの比（ｗ／ｈ）で決まる。したがっ
て、これらの高周波線路の特性インピーダンスを変える
ためには、高周波線路の平面寸法を変える必要があっ
た。
スは中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接地導体３ａ，
３ｂのギャップｓの比（ｗ／ｓ）で決まり、ＴＦＭＳ線
路の特性インピーダンスはストリップ導体６の幅ｗと誘
電体膜５の厚さｈの比（ｗ／ｈ）で決まる。したがっ
て、これらの高周波線路の特性インピーダンスを変える
ためには、高周波線路の平面寸法を変える必要があっ
た。
【００１３】本発明は、上述したコプレーナ線路および
ＴＦＭＳ線路の問題点を解決し、高集積化に適した高周
波線路を提供することを目的とする。
ＴＦＭＳ線路の問題点を解決し、高集積化に適した高周
波線路を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波線路は、
コプレーナ線路の接地導体となる第１の導体および第２
の導体の厚さが、コプレーナ線路の中心導体となる第３
の導体の厚さより厚く、第３の導体を基板から所定の距
離だけ離して形成する。
コプレーナ線路の接地導体となる第１の導体および第２
の導体の厚さが、コプレーナ線路の中心導体となる第３
の導体の厚さより厚く、第３の導体を基板から所定の距
離だけ離して形成する。
【００１５】このとき、基板と第３の導体との間に誘電
体を介在させてもよい。また、第１の導体と第２の導体
との間の一部または全部に誘電体を配置してもよい。
体を介在させてもよい。また、第１の導体と第２の導体
との間の一部または全部に誘電体を配置してもよい。
【００１６】また、第１の導体または第２の導体を境
に、第３の導体と反対側にマイクロストリップ線路また
はトリプレート線路を形成する。
に、第３の導体と反対側にマイクロストリップ線路また
はトリプレート線路を形成する。
【００１７】
【作用】本発明の高周波線路の特性インピーダンスは、 中心導体の幅ｗと、中心導体と接地導体のギャップ
ｓとの比 中心導体の厚さｔ１ 基板と中心導体の距離ｈ 中心導体周りの誘電率 その他 によって決定される。したがって、ｗ，ｓを一定として
も、中心導体の厚さｔ１あるいは基板と中心導体の距離
ｈを変えることにより、特性インピーダンスを変えるこ
とができる。すなわち、本発明の高周波線路は、平面寸
法を変えることなく特性インピーダンスを変えることが
できる。また、コプレーナ線路を構成する接地導体を厚
くすることにより、中心導体の厚さおよび基板との距離
の自由度が高くなるので、特性インピーダンスの設定範
囲を広げることができる。また、接地導体間の一部また
は全部に誘電体を配置し、中心導体周りの誘電率を変化
させることにより、平面寸法を変えることなく特性イン
ピーダンスを変えることができる。
ｓとの比 中心導体の厚さｔ１ 基板と中心導体の距離ｈ 中心導体周りの誘電率 その他 によって決定される。したがって、ｗ，ｓを一定として
も、中心導体の厚さｔ１あるいは基板と中心導体の距離
ｈを変えることにより、特性インピーダンスを変えるこ
とができる。すなわち、本発明の高周波線路は、平面寸
法を変えることなく特性インピーダンスを変えることが
できる。また、コプレーナ線路を構成する接地導体を厚
くすることにより、中心導体の厚さおよび基板との距離
の自由度が高くなるので、特性インピーダンスの設定範
囲を広げることができる。また、接地導体間の一部また
は全部に誘電体を配置し、中心導体周りの誘電率を変化
させることにより、平面寸法を変えることなく特性イン
ピーダンスを変えることができる。
【００１８】また、コプレーナ線路を構成する接地導体
を厚くすることにより、電磁界の伝搬方向と直交する方
向への電磁界の遮蔽効果が生じるので、並列配置される
高周波線路間のアイソレーションを大きくすることがで
きる。また、接地導体の外側にマイクロストリップ線路
またはトリプレート線路を形成することができる。
を厚くすることにより、電磁界の伝搬方向と直交する方
向への電磁界の遮蔽効果が生じるので、並列配置される
高周波線路間のアイソレーションを大きくすることがで
きる。また、接地導体の外側にマイクロストリップ線路
またはトリプレート線路を形成することができる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の第１実施例の構成を示す。
(1) は斜視図であり、(2) は (1)におけるＡ−Ａ′断面
構成を示す図である。なお、本実施例では、従来構成と
機能的に同一のものは、同一符号を付している。
(1) は斜視図であり、(2) は (1)におけるＡ−Ａ′断面
構成を示す図である。なお、本実施例では、従来構成と
機能的に同一のものは、同一符号を付している。
【００２０】図において、誘電体または半導体の基板１
上に、厚さｔの接地導体３ａ，３ｂと、その間に厚さｈ
の誘電体膜７が形成され、誘電体膜７上に接地導体３
ａ，３ｂとのギャップｓの位置に幅ｗ，厚さｔ１のスト
リップ形状の中心導体２が形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が
構成される。
上に、厚さｔの接地導体３ａ，３ｂと、その間に厚さｈ
の誘電体膜７が形成され、誘電体膜７上に接地導体３
ａ，３ｂとのギャップｓの位置に幅ｗ，厚さｔ１のスト
リップ形状の中心導体２が形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が
構成される。
【００２１】本実施例のコプレーナ線路に高周波信号を
入力したとき、従来のコプレーナ線路と同様に、中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂとの間に電磁界が生じ、この
電磁界が中心導体２の幅方向と直交する長さ方向に伝搬
する。なお、基板１と接地導体３ａ，３ｂおよび誘電体
膜７との間に、パッシベーション膜などの誘電体が形成
される場合も同様である。
入力したとき、従来のコプレーナ線路と同様に、中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂとの間に電磁界が生じ、この
電磁界が中心導体２の幅方向と直交する長さ方向に伝搬
する。なお、基板１と接地導体３ａ，３ｂおよび誘電体
膜７との間に、パッシベーション膜などの誘電体が形成
される場合も同様である。
【００２２】ここで、本実施例のコプレーナ線路におい
て、接地導体３ａ，３ｂの厚さｔ（μｍ）に対する特性
インピーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算し
た結果を図２に示す。計算条件は、 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、接地導体３ａ，３ｂの厚さｔ
に対してほぼ一定であることがわかる。すなわち、接地
導体３ａ，３ｂの厚さｔを厚くしても、ほぼ所定の特性
インピーダンスを維持することができる。
て、接地導体３ａ，３ｂの厚さｔ（μｍ）に対する特性
インピーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算し
た結果を図２に示す。計算条件は、 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、接地導体３ａ，３ｂの厚さｔ
に対してほぼ一定であることがわかる。すなわち、接地
導体３ａ，３ｂの厚さｔを厚くしても、ほぼ所定の特性
インピーダンスを維持することができる。
【００２３】ところで、接地導体３ａ，３ｂの厚さｔを
厚くすれば、電磁界の伝搬方向と直交する方向への電磁
界の遮蔽効果が生じるので、並列配置される高周波線路
間のアイソレーションを大きくすることができる。これ
により、本実施例のコプレーナ線路は、従来のものに比
べて並列配置する際の線路間隔を狭くすることができ、
回路の小型化および高集積化が容易になる。
厚くすれば、電磁界の伝搬方向と直交する方向への電磁
界の遮蔽効果が生じるので、並列配置される高周波線路
間のアイソレーションを大きくすることができる。これ
により、本実施例のコプレーナ線路は、従来のものに比
べて並列配置する際の線路間隔を狭くすることができ、
回路の小型化および高集積化が容易になる。
【００２４】次に、本実施例のコプレーナ線路におい
て、中心導体２の厚さｔ１（μｍ）に対する特性インピ
ーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果
を図３に示す。計算条件は、 接地導体３ａ，３ｂの厚さ ｔ＝20μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、中心導体２の厚さｔ１に応じ
て変化することがわかる。
て、中心導体２の厚さｔ１（μｍ）に対する特性インピ
ーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果
を図３に示す。計算条件は、 接地導体３ａ，３ｂの厚さ ｔ＝20μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、中心導体２の厚さｔ１に応じ
て変化することがわかる。
【００２５】次に、本実施例のコプレーナ線路におい
て、誘電体膜７の厚さｈ（μｍ）に対する特性インピー
ダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果を
図４に示す。計算条件は、 接地導体３ａ，３ｂの厚さ ｔ＝20μｍ 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、誘電体膜７の厚さｈに応じて
変化することがわかる。
て、誘電体膜７の厚さｈ（μｍ）に対する特性インピー
ダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果を
図４に示す。計算条件は、 接地導体３ａ，３ｂの厚さ ｔ＝20μｍ 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、本実施例のコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、誘電体膜７の厚さｈに応じて
変化することがわかる。
【００２６】また、本実施例のコプレーナ線路の特性イ
ンピーダンスは、従来と同様に中心導体２の幅ｗと、中
心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓとの比（ｗ
／ｓ）に応じても変化する。すなわち、一定の特性イン
ピーダンスに対してｗとｓはほぼ比例関係にあり、ｗを
小さくすればｓが小さくなる。
ンピーダンスは、従来と同様に中心導体２の幅ｗと、中
心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓとの比（ｗ
／ｓ）に応じても変化する。すなわち、一定の特性イン
ピーダンスに対してｗとｓはほぼ比例関係にあり、ｗを
小さくすればｓが小さくなる。
【００２７】このように、本実施例のコプレーナ線路の
特性インピーダンスは、中心導体２の幅ｗと、中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓとの比（ｗ／
ｓ）、中心導体２の厚さｔ１、誘電体膜７の厚さ
（基板１と中心導体２の距離）ｈによって主に決定され
る。したがって、中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接
地導体３ａ，３ｂのギャップｓを一定としても、中心導
体２の厚さｔ１あるいは誘電体膜７の厚さｈを変えるこ
とにより、特性インピーダンスを変えることができる。
すなわち、本実施例の構成では、平面寸法を変えること
なく特性インピーダンスを変えることができる。なお、
本実施例の構成では中心導体２上に誘電体膜を形成しな
いので、中心導体２の厚さｔ1 を厚くすることが容易で
あり、高周波線路の電流容量を大きくすることができる
利点がある。
特性インピーダンスは、中心導体２の幅ｗと、中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓとの比（ｗ／
ｓ）、中心導体２の厚さｔ１、誘電体膜７の厚さ
（基板１と中心導体２の距離）ｈによって主に決定され
る。したがって、中心導体２の幅ｗと、中心導体２と接
地導体３ａ，３ｂのギャップｓを一定としても、中心導
体２の厚さｔ１あるいは誘電体膜７の厚さｈを変えるこ
とにより、特性インピーダンスを変えることができる。
すなわち、本実施例の構成では、平面寸法を変えること
なく特性インピーダンスを変えることができる。なお、
本実施例の構成では中心導体２上に誘電体膜を形成しな
いので、中心導体２の厚さｔ1 を厚くすることが容易で
あり、高周波線路の電流容量を大きくすることができる
利点がある。
【００２８】図５は、本発明の第２実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
３ｂと、その間に誘電体膜７が形成され、誘電体膜７上
にストリップ形状の中心導体２が形成される。さらに、
接地導体３ａ，３ｂ間の中心導体２および誘電体膜７の
上に誘電体膜８が形成される。このような中心導体２と
接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が構成され
る。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
３ｂと、その間に誘電体膜７が形成され、誘電体膜７上
にストリップ形状の中心導体２が形成される。さらに、
接地導体３ａ，３ｂ間の中心導体２および誘電体膜７の
上に誘電体膜８が形成される。このような中心導体２と
接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が構成され
る。
【００２９】本実施例のコプレーナ線路は、接地導体３
ａ，３ｂ間の全部に誘電体膜７，８を形成した構成であ
るが、高周波線路としての機能は第１実施例と同様であ
る。ここで、第２実施例のコプレーナ線路において、接
地導体３ａ，３ｂの厚さｔ（μｍ）に対する特性インピ
ーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果
を図６に示す。計算条件は、 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜８の厚さ ｈ1＝ｔμｍ，ｔ−５μｍ 誘電体膜７，８の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、第２実施例のコプレーナ線
路の特性インピーダンスは、接地導体３ａ，３ｂの厚さ
ｔに応じて多少変化する。ただし、この特性インピーダ
ンスは第１実施例の場合（図３，図４）と同様に、中心
導体２の厚さｔ１および誘電体膜７の厚さｈによっても
変化するので、それらを同時に変化させれば接地導体３
ａ，３ｂの厚さｔに対してほぼ一定にすることができ
る。
ａ，３ｂ間の全部に誘電体膜７，８を形成した構成であ
るが、高周波線路としての機能は第１実施例と同様であ
る。ここで、第２実施例のコプレーナ線路において、接
地導体３ａ，３ｂの厚さｔ（μｍ）に対する特性インピ
ーダンスＺ0 （Ω）を有限要素法を用いて計算した結果
を図６に示す。計算条件は、 中心導体２の厚さ ｔ1＝ 1μｍ 中心導体２の幅 ｗ＝30μｍ 中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ ｓ＝25μｍ 誘電体膜７の厚さ ｈ＝ 0μｍ， 5μｍ 誘電体膜８の厚さ ｈ1＝ｔμｍ，ｔ−５μｍ 誘電体膜７，８の比誘電率 εr＝ 3.3 基板１の比誘電率 εr＝12.3 計算周波数 ｆ＝10ＧHz である。この計算によれば、第２実施例のコプレーナ線
路の特性インピーダンスは、接地導体３ａ，３ｂの厚さ
ｔに応じて多少変化する。ただし、この特性インピーダ
ンスは第１実施例の場合（図３，図４）と同様に、中心
導体２の厚さｔ１および誘電体膜７の厚さｈによっても
変化するので、それらを同時に変化させれば接地導体３
ａ，３ｂの厚さｔに対してほぼ一定にすることができ
る。
【００３０】図７は、本発明の第３実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂが形成され、その間にエアブリッジ構造の中心導体２
が形成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，
３ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂが形成され、その間にエアブリッジ構造の中心導体２
が形成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，
３ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
【００３１】本実施例のコプレーナ線路は、第１実施例
における誘電体膜７または第２実施例における誘電体膜
７，８を空気で置き換えた構成であるが、高周波線路と
しての機能は各実施例と同様である。なお、中心導体２
の周りを空気にすることにより、高周波信号の伝送ロス
を小さくすることができる。
における誘電体膜７または第２実施例における誘電体膜
７，８を空気で置き換えた構成であるが、高周波線路と
しての機能は各実施例と同様である。なお、中心導体２
の周りを空気にすることにより、高周波信号の伝送ロス
を小さくすることができる。
【００３２】以上示した各実施例において、中心導体２
と接地導体３ａ，３ｂとの間に生じた電磁界は、図８に
示す電気力線のように分布する。なお、図８に示す矢印
の向きおよび密度が電気力線の向きおよび強度を表す。
したがって、中心導体２と基板１の距離を十分に離せ
ば、図９に示すように中心導体２の直下に能動素子１０
やその他の受動素子（抵抗器，キャパシタ等）を配置し
ても電磁界分布が乱されることない。すなわち、高周波
線路と能動素子等が干渉することがないので、高周波線
路を能動素子等の真上に配線することが可能となり、回
路設計の自由度を大きくすることができ、高集積化が可
能となる。
と接地導体３ａ，３ｂとの間に生じた電磁界は、図８に
示す電気力線のように分布する。なお、図８に示す矢印
の向きおよび密度が電気力線の向きおよび強度を表す。
したがって、中心導体２と基板１の距離を十分に離せ
ば、図９に示すように中心導体２の直下に能動素子１０
やその他の受動素子（抵抗器，キャパシタ等）を配置し
ても電磁界分布が乱されることない。すなわち、高周波
線路と能動素子等が干渉することがないので、高周波線
路を能動素子等の真上に配線することが可能となり、回
路設計の自由度を大きくすることができ、高集積化が可
能となる。
【００３３】図１０は、本発明の第４実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
３ｂと、その間の一部に誘電体膜７が形成され、誘電体
膜７上に中心導体２が形成され、さらに中心導体２上に
誘電体膜８が形成される。このような中心導体２と接地
導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
３ｂと、その間の一部に誘電体膜７が形成され、誘電体
膜７上に中心導体２が形成され、さらに中心導体２上に
誘電体膜８が形成される。このような中心導体２と接地
導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
【００３４】本実施例のコプレーナ線路は、図５に示す
第２実施例が接地導体３ａ，３ｂ間の全部に誘電体膜
７，８を形成したのに対して、接地導体３ａ，３ｂ間の
一部に誘電体膜７，８を形成したものである。すなわ
ち、第２実施例における接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体
膜７，８の一部を空気で置き換えたものに相当する。し
たがって、高周波線路としての機能は第２実施例と同様
であるが、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ
ｓの電気的寸法が変化する。このような構成にすれば、
第２実施例の平面寸法を変えることなく特性インピーダ
ンスを変えることができ、回路設計の自由度を高めるこ
とができる。第３実施例に対する関係においても同様の
ことが言える。
第２実施例が接地導体３ａ，３ｂ間の全部に誘電体膜
７，８を形成したのに対して、接地導体３ａ，３ｂ間の
一部に誘電体膜７，８を形成したものである。すなわ
ち、第２実施例における接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体
膜７，８の一部を空気で置き換えたものに相当する。し
たがって、高周波線路としての機能は第２実施例と同様
であるが、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップ
ｓの電気的寸法が変化する。このような構成にすれば、
第２実施例の平面寸法を変えることなく特性インピーダ
ンスを変えることができ、回路設計の自由度を高めるこ
とができる。第３実施例に対する関係においても同様の
ことが言える。
【００３５】図１１は、本発明の第５実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂが形成され、その間にエアブリッジ構造の中心導体２
が形成される。また、接地導体３ａ，３ｂ間の一部に誘
電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂが形成される。このよう
な中心導体２と接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ
線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂが形成され、その間にエアブリッジ構造の中心導体２
が形成される。また、接地導体３ａ，３ｂ間の一部に誘
電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂが形成される。このよう
な中心導体２と接地導体３ａ，３ｂとによりコプレーナ
線路が構成される。
【００３６】本実施例のコプレーナ線路は、図１０に示
す第４実施例と同様に、接地導体３ａ，３ｂ間の一部に
誘電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂを形成したものである
が、第４実施例とは中心導体２をエアブリッジ構造とし
ているところが異なる。これは、図７に示す第３実施例
における中心導体２と接地導体３ａ，３ｂとの間の空気
の一部を誘電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂで置き換えた
ものに相当する。したがって、高周波線路としての機能
は第３実施例と同様であり、さらに第４実施例と同様に
中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓの電気的
寸法を変化させることができる。このような構成にすれ
ば、第３実施例の平面寸法を変えることなく特性インピ
ーダンスを変えることができ、回路設計の自由度を高め
ることができる。
す第４実施例と同様に、接地導体３ａ，３ｂ間の一部に
誘電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂを形成したものである
が、第４実施例とは中心導体２をエアブリッジ構造とし
ているところが異なる。これは、図７に示す第３実施例
における中心導体２と接地導体３ａ，３ｂとの間の空気
の一部を誘電体膜７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂで置き換えた
ものに相当する。したがって、高周波線路としての機能
は第３実施例と同様であり、さらに第４実施例と同様に
中心導体２と接地導体３ａ，３ｂのギャップｓの電気的
寸法を変化させることができる。このような構成にすれ
ば、第３実施例の平面寸法を変えることなく特性インピ
ーダンスを変えることができ、回路設計の自由度を高め
ることができる。
【００３７】図１２は、本発明の第６実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
４ａおよび接地導体３ｂ，４ｂがそれぞれＬ字状に形成
される。接地導体３ａ，３ｂ間の基板１上および接地導
体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が形成され、接地導体３
ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導体
２が形成される。さらに、中心導体２および誘電体膜７
の上に誘電体膜８が形成される。このような中心導体２
と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとによりコプレーナ
線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に、接地導体３ａ，
４ａおよび接地導体３ｂ，４ｂがそれぞれＬ字状に形成
される。接地導体３ａ，３ｂ間の基板１上および接地導
体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が形成され、接地導体３
ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導体
２が形成される。さらに、中心導体２および誘電体膜７
の上に誘電体膜８が形成される。このような中心導体２
と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとによりコプレーナ
線路が構成される。
【００３８】本実施例のコプレーナ線路は、図５に示す
第２実施例の接地導体３ａ，３ｂの形状をＬ字型にした
だけであり、高周波線路としての機能は第２実施例と同
様である。しかし、接地導体４ａまたは接地導体４ｂの
領域において、中心導体２と並列に誘電体膜７または誘
電体膜８上にストリップ導体を形成すると、このストリ
ップ導体と接地導体４ａまたは接地導体４ｂによってマ
イクロストリップ線路を構成することができる。たとえ
ば、図１３に示す第７実施例のように、接地導体４ｂの
領域の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、
ストリップ導体６と接地導体３ｂ，４ｂによるマイクロ
ストリップ線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂに
よるコプレーナ線路を並列に配置することができる。こ
れにより、小さなスペースでコプレーナ線路とマイクロ
ストリップ線路の混在および接続を容易にすることがで
きる。
第２実施例の接地導体３ａ，３ｂの形状をＬ字型にした
だけであり、高周波線路としての機能は第２実施例と同
様である。しかし、接地導体４ａまたは接地導体４ｂの
領域において、中心導体２と並列に誘電体膜７または誘
電体膜８上にストリップ導体を形成すると、このストリ
ップ導体と接地導体４ａまたは接地導体４ｂによってマ
イクロストリップ線路を構成することができる。たとえ
ば、図１３に示す第７実施例のように、接地導体４ｂの
領域の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、
ストリップ導体６と接地導体３ｂ，４ｂによるマイクロ
ストリップ線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂに
よるコプレーナ線路を並列に配置することができる。こ
れにより、小さなスペースでコプレーナ線路とマイクロ
ストリップ線路の混在および接続を容易にすることがで
きる。
【００３９】図１４は、本発明の第８実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体４ａ，４
ｂが形成され、この接地導体４ａ，４ｂ上に接地導体３
ａ，３ｂが形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間
の基板１上および接地導体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が
形成され、接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にスト
リップ形状の中心導体２が形成される。さらに、中心導
体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成される。
このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４
ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体４ａ，４
ｂが形成され、この接地導体４ａ，４ｂ上に接地導体３
ａ，３ｂが形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間
の基板１上および接地導体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が
形成され、接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にスト
リップ形状の中心導体２が形成される。さらに、中心導
体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成される。
このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４
ｂとによりコプレーナ線路が構成される。
【００４０】本実施例のコプレーナ線路は、図１２に示
す第６実施例において、接地導体４ａ，４ｂを中心導体
２の下方まで延長させた構成であり、接地導体４ａ，４
ｂを接続してもよい。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中
心導体２のギャップｓに対して、誘電体膜７の厚さｈが
十分に大きいものとする。したがって、高周波線路とし
ての機能は第６実施例と同様であるが、第６実施例に比
べて基板１に漏れる電磁界が遮蔽されるので、隣接する
高周波線路とのアイソレーションをよくすることができ
る。
す第６実施例において、接地導体４ａ，４ｂを中心導体
２の下方まで延長させた構成であり、接地導体４ａ，４
ｂを接続してもよい。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中
心導体２のギャップｓに対して、誘電体膜７の厚さｈが
十分に大きいものとする。したがって、高周波線路とし
ての機能は第６実施例と同様であるが、第６実施例に比
べて基板１に漏れる電磁界が遮蔽されるので、隣接する
高周波線路とのアイソレーションをよくすることができ
る。
【００４１】図１５は、本発明の第９実施例の構成を示
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導体３
ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導体
２が形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間の中心
導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成され
る。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの上
に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプレ
ーナ線路が構成される。
す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示し、
機能的に同一のものは同一符号を付している。図におい
て、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３ａ，３
ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導体３
ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導体
２が形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間の中心
導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成され
る。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの上
に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心導
体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプレ
ーナ線路が構成される。
【００４２】本実施例のコプレーナ線路は、高周波線路
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ｃまたは接地導体４ｄの領域において、中心
導体２と並列に基板１または誘電体膜７上にストリップ
導体を形成すると、このストリップ導体と接地導体４ｃ
または接地導体４ｄによって、インバース型のマイクロ
ストリップ線路を構成することができる。たとえば、図
１６に示す第１０実施例のように、接地導体４ｄの領域
の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、スト
リップ導体６と接地導体３ｂ，４ｄによるインバース型
のマイクロストリップ線路と、中心導体２と接地導体３
ａ，３ｂによるコプレーナ線路を並列に配置することが
できる。これにより、小さなスペースでコプレーナ線路
とインバース型のマイクロストリップ線路の混在および
接続を容易にすることができる。
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ｃまたは接地導体４ｄの領域において、中心
導体２と並列に基板１または誘電体膜７上にストリップ
導体を形成すると、このストリップ導体と接地導体４ｃ
または接地導体４ｄによって、インバース型のマイクロ
ストリップ線路を構成することができる。たとえば、図
１６に示す第１０実施例のように、接地導体４ｄの領域
の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、スト
リップ導体６と接地導体３ｂ，４ｄによるインバース型
のマイクロストリップ線路と、中心導体２と接地導体３
ａ，３ｂによるコプレーナ線路を並列に配置することが
できる。これにより、小さなスペースでコプレーナ線路
とインバース型のマイクロストリップ線路の混在および
接続を容易にすることができる。
【００４３】また、図１３および図１６に示す構成を組
み合わせれば、コプレーナ線路と、通常のマイクロスト
リップ線路と、インバース型のマイクロストリップ線路
の混在および接続にも対応することができる。
み合わせれば、コプレーナ線路と、通常のマイクロスト
リップ線路と、インバース型のマイクロストリップ線路
の混在および接続にも対応することができる。
【００４４】図１７は、本発明の第１１実施例の構成を
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，３ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導
体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心
導体２が形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間の
中心導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成さ
れる。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの
上に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプ
レーナ線路が構成される。
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，３ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導
体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心
導体２が形成される。さらに、接地導体３ａ，３ｂ間の
中心導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成さ
れる。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの
上に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプ
レーナ線路が構成される。
【００４５】本実施例のコプレーナ線路は、図１５に示
す第９実施例において、接地導体４ｃ，４ｄを中心導体
２の上方まで延長させた構成であり、接地導体４ｃ，４
ｄを接続してもよい。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中
心導体２のギャップｓに対して、誘電体膜８の厚さｈ１
が十分に大きいものとする。したがって、高周波線路と
しての機能は第９実施例と同様であるが、第９実施例に
比べて上面に漏れる電磁界が遮蔽されるので、隣接する
高周波線路とのアイソレーションをよくすることができ
る。
す第９実施例において、接地導体４ｃ，４ｄを中心導体
２の上方まで延長させた構成であり、接地導体４ｃ，４
ｄを接続してもよい。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中
心導体２のギャップｓに対して、誘電体膜８の厚さｈ１
が十分に大きいものとする。したがって、高周波線路と
しての機能は第９実施例と同様であるが、第９実施例に
比べて上面に漏れる電磁界が遮蔽されるので、隣接する
高周波線路とのアイソレーションをよくすることができ
る。
【００４６】図１８は、本発明の第１２実施例の構成を
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，３ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導
体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心
導体２が形成される。また、誘電体膜７上で中心導体２
と反対側に、接地導体３ａ，３ｂに接続される接地導体
４ｅ，４ｆが形成される。さらに、中心導体２、接地導
体４ｅ，４ｆおよび誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成
される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ，
４ｅ，４ｆとによりコプレーナ線路が構成される。
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，３ｂと、誘電体膜７が形成される。さらに、接地導
体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心
導体２が形成される。また、誘電体膜７上で中心導体２
と反対側に、接地導体３ａ，３ｂに接続される接地導体
４ｅ，４ｆが形成される。さらに、中心導体２、接地導
体４ｅ，４ｆおよび誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成
される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３ｂ，
４ｅ，４ｆとによりコプレーナ線路が構成される。
【００４７】本実施例のコプレーナ線路は、高周波線路
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ｅまたは接地導体４ｆの領域において、中心
導体２と並列に基板１または誘電体膜８上にストリップ
導体を形成すると、このストリップ導体と接地導体４ｅ
または接地導体４ｆによって、マイクロストリップ線路
を構成することができる。たとえば、図１９に示す第１
３実施例のように、接地導体４ｆの領域の基板１および
誘電体膜８上にストリップ導体６ａ，６ｂを形成する
と、ストリップ導体６ｂと接地導体３ｂ，４ｆによるマ
イクロストリップ線路と、ストリップ導体６ａと接地導
体３ｂ，４ｆによるインバース型のマイクロストリップ
線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂによるコプレ
ーナ線路を並列に配置することができる。これにより、
小さなスペースでコプレーナ線路と、通常のマイクロス
トリップ線路と、インバース型のマイクロストリップ線
路の混在および接続を容易にすることができる。
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ｅまたは接地導体４ｆの領域において、中心
導体２と並列に基板１または誘電体膜８上にストリップ
導体を形成すると、このストリップ導体と接地導体４ｅ
または接地導体４ｆによって、マイクロストリップ線路
を構成することができる。たとえば、図１９に示す第１
３実施例のように、接地導体４ｆの領域の基板１および
誘電体膜８上にストリップ導体６ａ，６ｂを形成する
と、ストリップ導体６ｂと接地導体３ｂ，４ｆによるマ
イクロストリップ線路と、ストリップ導体６ａと接地導
体３ｂ，４ｆによるインバース型のマイクロストリップ
線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂによるコプレ
ーナ線路を並列に配置することができる。これにより、
小さなスペースでコプレーナ線路と、通常のマイクロス
トリップ線路と、インバース型のマイクロストリップ線
路の混在および接続を容易にすることができる。
【００４８】図２０は、本発明の第１４実施例の構成を
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，４ａおよび接地導体３ｂ，４ｂがそれぞれＬ字状に
形成される。接地導体３ａ，３ｂ間の基板１上および接
地導体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が形成され、接地導体
３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導
体２が形成される。さらに、中心導体２および誘電体膜
７の上に誘電体膜８が形成される。さらに、誘電体膜８
および接地導体３ａ，３ｂの上に接地導体４ｃ，４ｄが
形成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３
ｂ，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプレーナ線路が
構成される。
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体３
ａ，４ａおよび接地導体３ｂ，４ｂがそれぞれＬ字状に
形成される。接地導体３ａ，３ｂ間の基板１上および接
地導体４ａ，４ｂ上に誘電体膜７が形成され、接地導体
３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上にストリップ形状の中心導
体２が形成される。さらに、中心導体２および誘電体膜
７の上に誘電体膜８が形成される。さらに、誘電体膜８
および接地導体３ａ，３ｂの上に接地導体４ｃ，４ｄが
形成される。このような中心導体２と接地導体３ａ，３
ｂ，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとによりコプレーナ線路が
構成される。
【００４９】本実施例のコプレーナ線路は、高周波線路
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ａ，４ｃ間または接地導体４ｂ，４ｄ間にス
トリップ導体を形成すると、このストリップ導体と接地
導体４ａ，４ｃまたは接地導体４ｂ，４ｄによって、ト
リプレート線路を構成することができる。たとえば、図
２１に示す第１５実施例のように、接地導体４ｂ，４ｄ
間の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、ス
トリップ導体６と接地導体３ｂ，４ｂ，４ｄによるトリ
プレート線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂによ
るコプレーナ線路を並列に配置することができる。これ
により、小さなスペースでコプレーナ線路と、トリプレ
ート線路の混在および接続を容易にすることができる。
としての機能は第２実施例その他と同様である。また、
接地導体４ａ，４ｃ間または接地導体４ｂ，４ｄ間にス
トリップ導体を形成すると、このストリップ導体と接地
導体４ａ，４ｃまたは接地導体４ｂ，４ｄによって、ト
リプレート線路を構成することができる。たとえば、図
２１に示す第１５実施例のように、接地導体４ｂ，４ｄ
間の誘電体膜７上にストリップ導体６を形成すると、ス
トリップ導体６と接地導体３ｂ，４ｂ，４ｄによるトリ
プレート線路と、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂによ
るコプレーナ線路を並列に配置することができる。これ
により、小さなスペースでコプレーナ線路と、トリプレ
ート線路の混在および接続を容易にすることができる。
【００５０】図２２は、本発明の第１６実施例の構成を
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体４
ａ，４ｂが形成され、この接地導体４ａ，４ｂ上に接地
導体３ａ，３ｂが形成される。さらに、接地導体３ａ，
３ｂ間の基板１上および接地導体４ａ，４ｂ上に誘電体
膜７が形成され、接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上
にストリップ形状の中心導体２が形成される。さらに、
中心導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成さ
れる。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの
上に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
とによりコプレーナ線路が構成される。
示す。なお、本図は図１(2) に対応する断面構成を示
し、機能的に同一のものは同一符号を付している。図に
おいて、誘電体または半導体の基板１上に接地導体４
ａ，４ｂが形成され、この接地導体４ａ，４ｂ上に接地
導体３ａ，３ｂが形成される。さらに、接地導体３ａ，
３ｂ間の基板１上および接地導体４ａ，４ｂ上に誘電体
膜７が形成され、接地導体３ａ，３ｂ間の誘電体膜７上
にストリップ形状の中心導体２が形成される。さらに、
中心導体２および誘電体膜７の上に誘電体膜８が形成さ
れる。さらに、誘電体膜８および接地導体３ａ，３ｂの
上に接地導体４ｃ，４ｄが形成される。このような中心
導体２と接地導体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
とによりコプレーナ線路が構成される。
【００５１】本実施例のコプレーナ線路は、図２０に示
す第１４実施例において、接地導体４ａ，４ｂを中心導
体２の下方まで、接地導体４ｃ，４ｄを中心導体２の上
方までそれぞれ延長させた構成であり、接地導体４ａ，
４ｂおよび接地導体４ｃ，４ｄをそれぞれ接続してもよ
い。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中心導体２のギャッ
プｓに対して、誘電体膜７，８の厚さｈ，ｈ１が十分に
大きいものとする。したがって、高周波線路としての機
能は第１４実施例と同様であるが、第１４実施例に比べ
て基板１および上面に漏れる電磁界が遮蔽されるので、
隣接する高周波線路とのアイソレーションをよくするこ
とができる。
す第１４実施例において、接地導体４ａ，４ｂを中心導
体２の下方まで、接地導体４ｃ，４ｄを中心導体２の上
方までそれぞれ延長させた構成であり、接地導体４ａ，
４ｂおよび接地導体４ｃ，４ｄをそれぞれ接続してもよ
い。ただし、接地導体３ａ，３ｂと中心導体２のギャッ
プｓに対して、誘電体膜７，８の厚さｈ，ｈ１が十分に
大きいものとする。したがって、高周波線路としての機
能は第１４実施例と同様であるが、第１４実施例に比べ
て基板１および上面に漏れる電磁界が遮蔽されるので、
隣接する高周波線路とのアイソレーションをよくするこ
とができる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波線
路は、コプレーナ線路を構成する接地導体を厚くするこ
とにより、中心導体の厚さ、基板と中心導体の距離、接
地導体間の誘電率、その他を比較的自由に調整して特性
インピーダンスを設定することができる。すなわち、平
面寸法を変えることなく特性インピーダンスを変えるこ
とができ、回路設計の自由度を大きくすることができ
る。
路は、コプレーナ線路を構成する接地導体を厚くするこ
とにより、中心導体の厚さ、基板と中心導体の距離、接
地導体間の誘電率、その他を比較的自由に調整して特性
インピーダンスを設定することができる。すなわち、平
面寸法を変えることなく特性インピーダンスを変えるこ
とができ、回路設計の自由度を大きくすることができ
る。
【００５３】また、接地導体を厚くすることにより、電
磁界の伝搬方向と直交する方向への電磁界の遮蔽効果が
生じるので、並列配置される高周波線路間のアイソレー
ションを大きくすることができる。これにより、本発明
の高周波線路は、従来のものに比べて並列配置する際の
線路間隔を狭くすることができ、回路の小型化および高
集積化が容易になる。
磁界の伝搬方向と直交する方向への電磁界の遮蔽効果が
生じるので、並列配置される高周波線路間のアイソレー
ションを大きくすることができる。これにより、本発明
の高周波線路は、従来のものに比べて並列配置する際の
線路間隔を狭くすることができ、回路の小型化および高
集積化が容易になる。
【００５４】また、接地導体を厚くすることにより、接
地導体と中心導体のギャップに比べて、中心導体と基板
との距離を十分に確保することができる。これにより、
基板上に能動素子等を形成しても、その真上に本発明の
高周波線路を配線することが可能となり、回路の小型化
および高集積化が容易になる。
地導体と中心導体のギャップに比べて、中心導体と基板
との距離を十分に確保することができる。これにより、
基板上に能動素子等を形成しても、その真上に本発明の
高周波線路を配線することが可能となり、回路の小型化
および高集積化が容易になる。
【００５５】また、接地導体の形状にも自由度が増すの
で、マイクロストリップ線路やトリプレート線路等の異
なった種類の高周波線路とコプレーナ線路との並列配置
や接続を可能にすることができる。
で、マイクロストリップ線路やトリプレート線路等の異
なった種類の高周波線路とコプレーナ線路との並列配置
や接続を可能にすることができる。
【図１】本発明の第１実施例の構成を示す図。
【図２】接地導体３ａ，３ｂの厚さｔに対する特性イン
ピーダンスＺ0 を示す図。
ピーダンスＺ0 を示す図。
【図３】中心導体２の厚さｔ１に対する特性インピーダ
ンスＺ0 を示す図。
ンスＺ0 を示す図。
【図４】誘電体膜７の厚さｈに対する特性インピーダン
スＺ0 を示す図。
スＺ0 を示す図。
【図５】本発明の第２実施例の構成を示す図。
【図６】接地導体３ａ，３ｂの厚さｔに対する特性イン
ピーダンスＺ0 を示す図。
ピーダンスＺ0 を示す図。
【図７】本発明の第３実施例の構成を示す図。
【図８】本発明の高周波線路の電磁界分布を示す図。
【図９】本発明の高周波線路の能動素子の配置例を示す
図。
図。
【図１０】本発明の第４実施例の構成を示す図。
【図１１】本発明の第５実施例の構成を示す図。
【図１２】本発明の第６実施例の構成を示す図。
【図１３】本発明の第７実施例の構成を示す図。
【図１４】本発明の第８実施例の構成を示す図。
【図１５】本発明の第９実施例の構成を示す図。
【図１６】本発明の第１０実施例の構成を示す図。
【図１７】本発明の第１１実施例の構成を示す図。
【図１８】本発明の第１２実施例の構成を示す図。
【図１９】本発明の第１３実施例の構成を示す図。
【図２０】本発明の第１４実施例の構成を示す図。
【図２１】本発明の第１５実施例の構成を示す図。
【図２２】本発明の第１６実施例の構成を示す図。
【図２３】従来のコプレーナ線路の構成を示す図。
【図２４】従来の薄膜マイクロストリップ（ＴＦＭＳ）
線路の構成を示す図。
線路の構成を示す図。
【図２５】従来のコプレーナ線路による２つの能動素子
の接続例を示す図。
の接続例を示す図。
【図２６】従来の薄膜マイクロストリップ（ＴＦＭＳ）
線路と能動素子との関係を示す図。
線路と能動素子との関係を示す図。
１ 基板 ２ 中心導体 ３，４ 接地導体 ５，７，８ 誘電体膜 ６ ストリップ導体 １０ 能動素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 健二郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−275862（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−22004（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/02 H01P 3/08 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体または半導体の基板上に、コプレ
ーナ線路の接地導体となる第１の導体および第２の導体
と、その間にコプレーナ線路の中心導体となる第３の導
体が形成された高周波線路において、 前記第１の導体および第２の導体の厚さが前記第３の導
体の厚さより厚い構成であり、前記第３の導体が前記基
板から所定の距離だけ離して形成された構成であること
を特徴とする高周波線路。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波線路において、 基板と第３の導体との間に誘電体を介在させた構成であ
ることを特徴とする高周波線路。 - 【請求項３】 請求項１に記載の高周波線路において、 第１の導体と第２の導体との間の一部に誘電体を配置し
た構成であることを特徴とする高周波線路。 - 【請求項４】 請求項１に記載の高周波線路において、 第１の導体と第２の導体との間の全部に誘電体を配置し
た構成であることを特徴とする高周波線路。 - 【請求項５】 請求項１に記載の高周波線路において、 第１の導体または第２の導体を境に、第３の導体と反対
側にマイクロストリップ線路を形成した構成であること
を特徴とする高周波線路。 - 【請求項６】 請求項１に記載の高周波線路において、 第１の導体または第２の導体を境に、第３の導体と反対
側にトリプレート線路を形成した構成であることを特徴
とする高周波線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02268994A JP3185837B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 高周波線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02268994A JP3185837B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 高周波線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235811A JPH07235811A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3185837B2 true JP3185837B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=12089848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02268994A Expired - Lifetime JP3185837B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 高周波線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185837B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473686B (zh) * | 2009-09-29 | 2014-07-30 | 京瓷株式会社 | 元件收纳用封装及安装结构体 |
| JP5697669B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2015-04-08 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用部品、電子モジュールおよび電子装置 |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP02268994A patent/JP3185837B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07235811A (ja) | 1995-09-05 |
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