JPH0537213A - マイクロ波結合線路 - Google Patents
マイクロ波結合線路Info
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- JPH0537213A JPH0537213A JP3187612A JP18761291A JPH0537213A JP H0537213 A JPH0537213 A JP H0537213A JP 3187612 A JP3187612 A JP 3187612A JP 18761291 A JP18761291 A JP 18761291A JP H0537213 A JPH0537213 A JP H0537213A
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- microwave
- conductor
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- coupled line
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 通信用ＭＭＩＣ等の半導体集積回路における
結合線路の小型化を図り、集積化し易くする。 【構成】 基板６上に形成された誘電体膜４、該誘電体
膜４の下部に接地導体として形成された第１の導体１、
誘電体膜４および５の内部および上部の第１の導体１と
反対側に全体的に互いに重なって形成されたストリップ
状の第２および第３の導体２，３とを有する。
結合線路の小型化を図り、集積化し易くする。 【構成】 基板６上に形成された誘電体膜４、該誘電体
膜４の下部に接地導体として形成された第１の導体１、
誘電体膜４および５の内部および上部の第１の導体１と
反対側に全体的に互いに重なって形成されたストリップ
状の第２および第３の導体２，３とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、概ね１ＧＨｚ以上の周
波数の信号を分配および合成する方向性結合器やフィル
タ等に使用されるマイクロ波結合線路に関する。
波数の信号を分配および合成する方向性結合器やフィル
タ等に使用されるマイクロ波結合線路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来のマイクロ波結合線路の断面
図である。同図において、誘電体または半導体にてなる
基板６上に接地導体１が形成され、該接地導体１上に誘
電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４上に平行
な２本のストリップ状導体２および３が形成される。上
記接地導体１およびストリップ状導体２によってマイク
ロストリップ線路Ａを構成しており、上記接地導体１お
よびストリップ状導体３によってマイクロストリップ線
路Ｂが構成している。さらに、上記ストリップ状導体２
および３を近接して形成することによりマイクロストリ
ップ線路ＡおよびＢはマイクロ波結合線路として動作す
る。
図である。同図において、誘電体または半導体にてなる
基板６上に接地導体１が形成され、該接地導体１上に誘
電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４上に平行
な２本のストリップ状導体２および３が形成される。上
記接地導体１およびストリップ状導体２によってマイク
ロストリップ線路Ａを構成しており、上記接地導体１お
よびストリップ状導体３によってマイクロストリップ線
路Ｂが構成している。さらに、上記ストリップ状導体２
および３を近接して形成することによりマイクロストリ
ップ線路ＡおよびＢはマイクロ波結合線路として動作す
る。
【０００３】しかしながら、上記マイクロ波結合線路で
は上記ストリップ状導体の間隔を極端に小さくしないと
密結合の結合線路を構成することができず、製造上困難
があった。
は上記ストリップ状導体の間隔を極端に小さくしないと
密結合の結合線路を構成することができず、製造上困難
があった。
【０００４】図１０および図１１は上記マイクロ波結合
線路の問題点を解決するために開発された従来のマイク
ロ波結合線路である。
線路の問題点を解決するために開発された従来のマイク
ロ波結合線路である。
【０００５】図１０において、誘電体または半導体にて
なる基板６の全面に接地導体１が形成され、該接地導体
１上に誘電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４
の内部に２本のストリップ状導体２および３が形成さ
れ、該誘電体膜４上の全面に接地導体８が形成される。
ここで、上記接地導体１およびストリップ状導体２によ
ってマイクロストリップ線路Ａを構成し、上記接地導体
８およびストリップ状導体３によってマイクロストリッ
プ線路Ｂを形成している。さらに、上記マイクロストリ
ップ線路ＡおよびＢを対向して構成することにより上記
マイクロストリップ線路ＡおよびＢは結合線路として動
作する。
なる基板６の全面に接地導体１が形成され、該接地導体
１上に誘電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４
の内部に２本のストリップ状導体２および３が形成さ
れ、該誘電体膜４上の全面に接地導体８が形成される。
ここで、上記接地導体１およびストリップ状導体２によ
ってマイクロストリップ線路Ａを構成し、上記接地導体
８およびストリップ状導体３によってマイクロストリッ
プ線路Ｂを形成している。さらに、上記マイクロストリ
ップ線路ＡおよびＢを対向して構成することにより上記
マイクロストリップ線路ＡおよびＢは結合線路として動
作する。
【０００６】しかしながら、図１０のマイクロ波結合線
路では接地導体が複数あり、しかも離れて形成されてい
るため集積化が困難であった。
路では接地導体が複数あり、しかも離れて形成されてい
るため集積化が困難であった。
【０００７】図１１において、誘電体または半導体にて
なる基板６の全面に接地導体１が形成され、該接地導体
１上に誘電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４
上に平行な４本のストリップ状導体２，２’，３，３’
が形成され、２と２’および３と３’はそれぞれ接続さ
れている。ここで、上記接地導体１およびストリップ状
導体２，２’によってマイクロ波線路Ａを構成してお
り、上記接地導体１およびストリップ状導体３，３’に
よってマイクロ波線路Ｂを構成している。さらに、上記
マイクロ波線路ＡおよびＢのストリップ状導体を交互に
近接して形成することにより上記マイクロ波線路Ａおよ
びＢは結合線路として動作する。これは、Ｌａｎｇｅカ
プラとして知られているものである。
なる基板６の全面に接地導体１が形成され、該接地導体
１上に誘電体膜４が形成される。さらに、該誘電体膜４
上に平行な４本のストリップ状導体２，２’，３，３’
が形成され、２と２’および３と３’はそれぞれ接続さ
れている。ここで、上記接地導体１およびストリップ状
導体２，２’によってマイクロ波線路Ａを構成してお
り、上記接地導体１およびストリップ状導体３，３’に
よってマイクロ波線路Ｂを構成している。さらに、上記
マイクロ波線路ＡおよびＢのストリップ状導体を交互に
近接して形成することにより上記マイクロ波線路Ａおよ
びＢは結合線路として動作する。これは、Ｌａｎｇｅカ
プラとして知られているものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波結合線路は、接地導体が複数あり、しかも離れて形
成されているため、集積化が困難であったり、または構
造が複雑で形状が大きく、マイクロ波ＩＣの小型化が困
難であるという問題がある。
ロ波結合線路は、接地導体が複数あり、しかも離れて形
成されているため、集積化が困難であったり、または構
造が複雑で形状が大きく、マイクロ波ＩＣの小型化が困
難であるという問題がある。
【０００９】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、通信用ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）等の半導体集
積回路における結合線路の小型化を図り、集積化し易い
マイクロ波結合線路を提供することにある。
その目的とするところは、通信用ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）等の半導体集
積回路における結合線路の小型化を図り、集積化し易い
マイクロ波結合線路を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のマイクロ波結合線路は、基板上に形成され
た誘電体膜と、該誘電体膜の上部、下部または内部に接
地導体として形成された第１の導体と、前記誘電体膜の
上部、下部または内部の前記第１の導体と同じ側または
反対側に部分的または全体的に互いに重なって形成され
るとともに、前記第１の導体との間でそれぞれマイクロ
波線路を構成し、該マイクロ波線路はマイクロ波結合線
路として作用するストリップ状の第２および第３の導体
とを有することを要旨とする。
め、本発明のマイクロ波結合線路は、基板上に形成され
た誘電体膜と、該誘電体膜の上部、下部または内部に接
地導体として形成された第１の導体と、前記誘電体膜の
上部、下部または内部の前記第１の導体と同じ側または
反対側に部分的または全体的に互いに重なって形成され
るとともに、前記第１の導体との間でそれぞれマイクロ
波線路を構成し、該マイクロ波線路はマイクロ波結合線
路として作用するストリップ状の第２および第３の導体
とを有することを要旨とする。
【００１１】
【作用】本発明のマイクロ波結合線路では、第１および
第２の導体がそれぞれマイクロ波線路Ａの接地導体およ
び中心導体として動作し、第１および第３の導体がそれ
ぞれマイクロ波線路Ｂとして動作し、該マイクロ波線路
Ａ，Ｂにマイクロ波信号を入力したとき、前記マイクロ
波線路Ａ，Ｂはマイクロ波ブロードサイド結合線路とし
て動作し、広帯域化および密結合化を容易に実現し得
る。
第２の導体がそれぞれマイクロ波線路Ａの接地導体およ
び中心導体として動作し、第１および第３の導体がそれ
ぞれマイクロ波線路Ｂとして動作し、該マイクロ波線路
Ａ，Ｂにマイクロ波信号を入力したとき、前記マイクロ
波線路Ａ，Ｂはマイクロ波ブロードサイド結合線路とし
て動作し、広帯域化および密結合化を容易に実現し得
る。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１３】図１（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第
１の実施例に係わるマイクロ波結合線路の斜視図および
図１（Ａ）のＡ−Ａ’線に取った断面図である。
１の実施例に係わるマイクロ波結合線路の斜視図および
図１（Ａ）のＡ−Ａ’線に取った断面図である。
【００１４】図１（Ａ）および（Ｂ）において、半導体
からなる基板６の全面上に接地導体１を形成する。つい
で、該接地導体１上に誘電体膜４を形成した後、該誘電
体４上に幅ｗ2 のストリップ状中心導体２を形成する。
さらに、上記誘電体膜４および中心導体２上に誘電体膜
５を形成した後、該誘電体膜５上に幅ｗ3 のストリップ
状中心導体３を形成する。
からなる基板６の全面上に接地導体１を形成する。つい
で、該接地導体１上に誘電体膜４を形成した後、該誘電
体４上に幅ｗ2 のストリップ状中心導体２を形成する。
さらに、上記誘電体膜４および中心導体２上に誘電体膜
５を形成した後、該誘電体膜５上に幅ｗ3 のストリップ
状中心導体３を形成する。
【００１５】上記ストリップ導体２および３を形成する
際、該ストリップ導体２および３の中心線を等しくし、
さらにメアンダ状に形成する。
際、該ストリップ導体２および３の中心線を等しくし、
さらにメアンダ状に形成する。
【００１６】以上のように構成されたマイクロ波結合線
路にマイクロ波信号を入力したとき、従来の結合線路と
同様、上記接地導体１と中心導体２で構成されたマイク
ロストリップ線路Ａと、上記接地導体１と中心導体３で
構成されたマイクロストリップ線路Ｂとの間で電磁界の
結合が生じ、該マイクロストリップ線路ＡおよびＢはマ
イクロ波結合線路として動作する。
路にマイクロ波信号を入力したとき、従来の結合線路と
同様、上記接地導体１と中心導体２で構成されたマイク
ロストリップ線路Ａと、上記接地導体１と中心導体３で
構成されたマイクロストリップ線路Ｂとの間で電磁界の
結合が生じ、該マイクロストリップ線路ＡおよびＢはマ
イクロ波結合線路として動作する。
【００１７】上記マイクロ波結合線路には２つの直交モ
ードが伝搬し、この時マイクロストリップ線路Ａおよび
Ｂはそれぞれ異なった特性インピーダンスをもつ。しか
しながら、上記中心導体２の幅ｗ2 および上記中心導体
３の幅ｗ3 を調節することにより上記２つの直交モード
に対する上記２つのマイクロストリップ線路ＡおよびＢ
に対する特性インピーダンスを等しくすることができ、
従来の対称結合線路における偶モード、奇モードによる
設計法を用いることができる。図８が有限要素法を用い
て計算した例である。ｗ2 ，ｗ3 を調節してほぼ所望の
インピーダンスＺ0e＝１２１Ω，Ｚ0o＝２０Ωとするこ
とができる。ここで、Ｚ0eは偶モードの特性インピーダ
ンスであり、Ｚ0oは奇モードの特性インピーダンスであ
る。なお、計算時の条件は以下のとおりである。
ードが伝搬し、この時マイクロストリップ線路Ａおよび
Ｂはそれぞれ異なった特性インピーダンスをもつ。しか
しながら、上記中心導体２の幅ｗ2 および上記中心導体
３の幅ｗ3 を調節することにより上記２つの直交モード
に対する上記２つのマイクロストリップ線路ＡおよびＢ
に対する特性インピーダンスを等しくすることができ、
従来の対称結合線路における偶モード、奇モードによる
設計法を用いることができる。図８が有限要素法を用い
て計算した例である。ｗ2 ，ｗ3 を調節してほぼ所望の
インピーダンスＺ0e＝１２１Ω，Ｚ0o＝２０Ωとするこ
とができる。ここで、Ｚ0eは偶モードの特性インピーダ
ンスであり、Ｚ0oは奇モードの特性インピーダンスであ
る。なお、計算時の条件は以下のとおりである。
【００１８】
導体２の高さｈ2 ＝６．５μｍ
導体３の高さｈ3 ＝９μｍ
導体２の幅ｗ2 ＝９μｍ
誘電体膜の比誘電率εr ＝３．３
また、本実施例のマイクロ波結合線路においては、前記
導体２および３の一部または全部を重ねて形成している
ので、マイクロ波線路ＡおよびＢで構成されるマイクロ
波結合線路を小型化することができるとともに、更にマ
イクロ波線路Ａ，Ｂで構成されるマイクロ波結合線路を
メアンダ状に形成することができ、一層小型化すること
ができる。
導体２および３の一部または全部を重ねて形成している
ので、マイクロ波線路ＡおよびＢで構成されるマイクロ
波結合線路を小型化することができるとともに、更にマ
イクロ波線路Ａ，Ｂで構成されるマイクロ波結合線路を
メアンダ状に形成することができ、一層小型化すること
ができる。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例であるマイク
ロ波結合線路の断面図であり、図２において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
ロ波結合線路の断面図であり、図２において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
【００２０】図２において、半導体基板６上に接地導体
１を形成する際、スリット１ａを設けて特性インピーダ
ンスおよび結合度を調節する。
１を形成する際、スリット１ａを設けて特性インピーダ
ンスおよび結合度を調節する。
【００２１】以上のように構成された第２の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００２２】図３は本発明の第３実施例であるマイクロ
波結合線路の断面図であり、図３において図１（Ａ）お
よび（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付して
いる。
波結合線路の断面図であり、図３において図１（Ａ）お
よび（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付して
いる。
【００２３】図３において、接地導体１および中心導体
２を形成する際、スリット１ａ，２ａを設けて特性イン
ピーダンスおよび結合度を調節する。
２を形成する際、スリット１ａ，２ａを設けて特性イン
ピーダンスおよび結合度を調節する。
【００２４】以上のように構成された第３の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００２５】図４は本発明の第４の実施例であるマイク
ロ波結合線路の断面図であり、図４において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
ロ波結合線路の断面図であり、図４において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
【００２６】図４において中心導体２および３を形成す
る際、該中心導体２および３の中心線を等しくせずに形
成することにより特性インピーダンスおよび結合度を調
節する。
る際、該中心導体２および３の中心線を等しくせずに形
成することにより特性インピーダンスおよび結合度を調
節する。
【００２７】以上のように構成された第４の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００２８】図５は本発明の第５の実施例であるマイク
ロ波結合線路の断面図であり、図５において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
ロ波結合線路の断面図であり、図５において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
【００２９】図５において中心導体２および３を形成し
た後、さらに該中心導体３上に誘電体膜７を形成する。
た後、さらに該中心導体３上に誘電体膜７を形成する。
【００３０】以上のように構成された第５の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００３１】図６は本発明の第６の実施例であるマイク
ロ波結合線路の断面図であり、図６において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
ロ波結合線路の断面図であり、図６において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
【００３２】図６において基板６上に中心導体２を形成
し、該中心導体２上に誘電体膜４を形成する。さらに、
該誘電体膜４上にスリット１ａを設けた接地導体１を形
成し、該接地導体１上に誘電体膜５を形成し、該誘電体
膜５上に中心導体３を形成する。
し、該中心導体２上に誘電体膜４を形成する。さらに、
該誘電体膜４上にスリット１ａを設けた接地導体１を形
成し、該接地導体１上に誘電体膜５を形成し、該誘電体
膜５上に中心導体３を形成する。
【００３３】以上のように構成された第６の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００３４】図７は本発明の第７の実施例であるマイク
ロ波結合線路の断面図であり、図７において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
ロ波結合線路の断面図であり、図７において図１（Ａ）
および（Ｂ）と同一のものについては同一の符号を付し
ている。
【００３５】図７において基板６上に誘電体膜４を形成
し、該誘電体膜４上に接地導体１およびストリップ状中
心導体２をコプレーナ線路状に形成する。さらに、上記
接地導体１および上記中心導体２上に誘電体膜５を形成
し、該誘電体膜５上に中心導体３を形成する。
し、該誘電体膜４上に接地導体１およびストリップ状中
心導体２をコプレーナ線路状に形成する。さらに、上記
接地導体１および上記中心導体２上に誘電体膜５を形成
し、該誘電体膜５上に中心導体３を形成する。
【００３６】以上のように構成された第７の実施例のマ
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
イクロ波結合線路は、上述の基本構成のマイクロ波結合
線路と同様の作用と効果を有する。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第２および第３の導体が部分的または全体的に互いに重
なって形成され、第１の導体との間でそれぞれマイクロ
波線路を構成し、該マイクロ波線路がマイクロ波結合線
路として作用するので、マイクロ波結合線路の占める面
積を小さくすることができ、集積化を容易に図ることが
できる。また、各導体に設けたスリットの幅を調整する
ことにより、電気的に対称な結合を行うことができる。
更に、メアンダ状に形成することにより一層の小型化を
図ることができる。
第２および第３の導体が部分的または全体的に互いに重
なって形成され、第１の導体との間でそれぞれマイクロ
波線路を構成し、該マイクロ波線路がマイクロ波結合線
路として作用するので、マイクロ波結合線路の占める面
積を小さくすることができ、集積化を容易に図ることが
できる。また、各導体に設けたスリットの幅を調整する
ことにより、電気的に対称な結合を行うことができる。
更に、メアンダ状に形成することにより一層の小型化を
図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の斜視図および断面図である。
線路の斜視図および断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図６】本発明の第６の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図７】本発明の第７の実施例に係わるマイクロ波結合
線路の断面図である。
線路の断面図である。
【図８】図１に示すマイクロ波結合線路の特性インピー
ダンスを有限要素法により計算したグラフである。
ダンスを有限要素法により計算したグラフである。
【図９】従来のマイクロ波結合線路の断面図である。
【図１０】従来の別のマイクロ波結合線路の断面図であ
る。
る。
【図１１】従来の他のマイクロ波結合線路の断面図であ
る。
る。
１ 第１の導体
２ 第２の導体
３ 第３の導体
４ 第１の誘電体膜
５ 第２の誘電体膜
６ 基板
７ 第３の誘電体膜
８ 第４の導体
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された誘電体膜と、該誘電
体膜の上部、下部または内部に接地導体として形成され
た第１の導体と、前記誘電体膜の上部、下部または内部
の前記第１の導体と同じ側または反対側に部分的または
全体的に互いに重なって形成されるとともに、前記第１
の導体との間でそれぞれマイクロ波線路を構成し、該マ
イクロ波線路はマイクロ波結合線路として作用するスト
リップ状の第２および第３の導体とを有することを特徴
とするマイクロ波結合線路。 - 【請求項２】 前記第１、第２および第３の導体が重な
る部分付近において該第１、第２および第３の導体のい
ずれかまたはすべてにスリットが形成されていることを
特徴とする請求項１記載のマイクロ波結合線路。 - 【請求項３】 前記第１および第２の導体は、結合部分
がメアンダ状に形成されていることを特徴とする請求項
１または２記載のマイクロ波結合線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03187612A JP3142010B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | マイクロ波結合線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03187612A JP3142010B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | マイクロ波結合線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537213A true JPH0537213A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3142010B2 JP3142010B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=16209157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03187612A Expired - Lifetime JP3142010B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | マイクロ波結合線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142010B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350313A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-22 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 方向性結合器 |
| KR100288831B1 (ko) * | 1992-12-28 | 2001-05-02 | 사토 히로시 | 다층 세라믹 부품 |
| US6972638B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-12-06 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Directional coupler and electronic device using the same |
| US7088201B2 (en) | 2004-08-04 | 2006-08-08 | Eudyna Devices Inc. | Three-dimensional quasi-coplanar broadside microwave coupler |
| JP2010238823A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | 差動配線体 |
| US8076993B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-12-13 | Nec Corporation | Balun circuit and integrated circuit device |
| US20130285785A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-31 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Low temperature co-fired ceramic device and a method of manufacturing thereof |
| JP2017085009A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板および高周波モジュール |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP03187612A patent/JP3142010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100288831B1 (ko) * | 1992-12-28 | 2001-05-02 | 사토 히로시 | 다층 세라믹 부품 |
| JPH06350313A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-22 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | 方向性結合器 |
| US6972638B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-12-06 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Directional coupler and electronic device using the same |
| US7088201B2 (en) | 2004-08-04 | 2006-08-08 | Eudyna Devices Inc. | Three-dimensional quasi-coplanar broadside microwave coupler |
| US8076993B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-12-13 | Nec Corporation | Balun circuit and integrated circuit device |
| JP2010238823A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | 差動配線体 |
| US20130285785A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-31 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Low temperature co-fired ceramic device and a method of manufacturing thereof |
| JP2017085009A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板および高周波モジュール |
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