TWI587459B - Semiconductor device - Google Patents

Description

半導體裝置

[相關申請案]

本申請案享受將日本專利申請案2014-187801號(申請日：2014年9月16日)作為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。

本發明之實施形態係關於一種半導體裝置。

於利用鑄模樹脂對半導體封裝體進行密封之情形時，必須保證半導體裝置對半導體封裝體之內部及外部之溫度變化之耐受性。近年來，越來越多地將設置於配線基板表面之表面安裝零件安裝於半導體封裝體內。於此情形時，關於半導體封裝體內之表面安裝零件，亦必須保證對溫度變化之耐受性。

於配線基板表面設置表面安裝零件之情形時，於配線基板設置用以與表面安裝零件電性連接之安裝端子、及連接於安裝端子之配線。有如下情況：若半導體封裝體內之溫度變化較大，則該配線會因配線基板上之構件彼此之線膨脹係數之不同而斷裂。配線基板上之構件多數情況下由線膨脹係數較高之材料形成，因此於表面安裝零件由線膨脹係數較低之材料形成之情形時，配線於表面安裝零件之附近斷裂之可能性較高。配線之斷裂雖然可藉由擴大配線寬度而抑制，但配線設計之自由度會因此降低。

本發明之實施形態提供一種能夠抑制基板上之配線斷裂之半導體裝置。

根據一實施形態，半導體裝置包含：基板；第1端子，其設置於上述基板上；及第2端子，其設置於上述基板上，位於上述第1端子之第1方向。上述裝置進而具備：第1配線，其設置於上述基板上，連接於上述第1端子之第1部位；及第2配線，其設置於上述基板上，連接於上述第2端子之第2部位。上述裝置進而具備：零件，其設置於上述第1及第2端子上，電性連接於上述第1及第2端子；以及密封樹脂，其覆蓋上述第1及第2端子、上述第1及第2配線、及上述零件。進而，上述第1及第2部位設置於自上述零件之與上述第1方向正交之第2方向之兩端部向上述第1方向延長之延長線所夾之範圍外，且設置於自上述零件之上述第1方向之兩端部向上述第2方向延長之延長線所夾之範圍外。

1‧‧‧配線基板

2a‧‧‧第一安裝端子

2b‧‧‧第二安裝端子

3a‧‧‧第一配線

3b‧‧‧第二配線

3c‧‧‧第三配線

3d‧‧‧第四配線

4‧‧‧阻焊劑

4a‧‧‧第一開口部

4b‧‧‧第二開口部

5‧‧‧安裝零件

6a‧‧‧第一焊料

6b‧‧‧第二焊料

7‧‧‧鑄模樹脂

8‧‧‧外殼

A₁‧‧‧第1端部

A₂‧‧‧第2端部

A₃‧‧‧第3端部

A₄‧‧‧第3端部

B₁‧‧‧第4端部

B₂‧‧‧第5端部

B₃‧‧‧第6端部

B₄‧‧‧第6端部

Ka‧‧‧第1部位

Kb‧‧‧第2部位

Kc‧‧‧第3部位

Kd‧‧‧第4部位

P₁~P₄‧‧‧區域

Q₁~Q₄‧‧‧區域

R₁‧‧‧第1區域

R₂‧‧‧第2區域

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

圖1(a)及(b)係表示第1實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

圖2(a)及(b)係表示第1實施形態之比較例之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

圖3(a)及(b)係用以對第1實施形態之半導體裝置與其比較例之半導體裝置進行比較之俯視圖。

圖4(a)及(b)係表示第1實施形態之變化例之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

圖5(a)及(b)係表示第2實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

圖6(a)及(b)係表示第2實施形態之變化例之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

圖7係表示第3實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

圖8係表示第4實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

圖9係表示第5實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

圖10係表示第6實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。

(第1實施形態)

圖1係表示第1實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。圖1(a)係表示半導體裝置之構造之俯視圖。圖1(b)係沿圖1(a)之I-I'線之剖視圖。

本實施形態之半導體裝置具備：配線基板1，其作為基板之示例；第1及第2安裝端子2a、2b，其等作為第1及第2端子之示例；第1及第2配線3a、3b；阻焊劑4，其具有第1及第2開口部4a、4b；及安裝零件5，其作為零件之示例。

本實施形態之半導體裝置進而具備第1及第2焊料6a、6b、作為密封樹脂之示例之鑄模樹脂7、及外殼8。再者，圖1(a)中，為了易於觀察圖而省略該等之圖示。

[配線基板1]

配線基板1用以安裝半導體晶片或各種零件。配線基板1之示例為絕緣基板。圖1(a)及圖1(b)表示與配線基板1之表面平行且相互垂直之X方向及Y方向、以及與配線基板1之表面垂直之Z方向。X方向與Y方向分別係第1方向與第2方向之示例。

本說明書中，將+Z方向視為上方向處理，將-Z方向視為下方向處理。例如，配線基板1與安裝零件5之位置關係被表達為配線基板1位於安裝零件5之下方。再者，-Z方向可與重力方向一致，亦可不與重力方向一致。

[安裝端子2a、2b]

第1安裝端子2a設置於配線基板1上。第2安裝端子2b設置於配線基板1上，位於第1安裝端子2a之X方向。第1及第2安裝端子2a、2b之示例係包含Cu(銅)層、Ni(鎳)層、及Au(金)層之積層膜。

第1安裝端子2a具備：第1端部A₁，其與第2安裝端子2b對向；第2端部A₂，其與第1端部A₁為相反側；及一個以上之第3端部A₃、A₄，其等位於第1端部A₁與第2端部A₂之間。本實施形態之第1安裝端子2a之形狀為長方形，本實施形態之第1安裝端子2a具備4個端部A₁~A₄。第1端部A₁與第2端部A₂沿Y方向平行地延伸。第3端部A₃、A₄沿X方向平行地延伸。再者，第1安裝端子2a之形狀亦可為長方形以外之形狀。

第2安裝端子2b具備：第4端部B₁，其與第1安裝端子2a對向；第5端部B₂，其與第4端部B₁為相反側；及一個以上之第6端部B₃、B₄，其等位於第4端部B₁與第5端部B₂之間。本實施形態之第2安裝端子2b之形狀為長方形，本實施形態之第2安裝端子2b具備4個端部B₁~B₄。第4端部B₁與第5端部B₂沿Y方向平行地延伸。第6端部B₃、B₄沿X方向平行地延伸。再者，第2安裝端子2b之形狀亦可為長方形以外之形狀。

[配線3a、3b]

第1配線3a設置於配線基板1上，連接於第1安裝端子2a之第1部位Ka。本實施形態之第1部位Ka設置於第1安裝端子2a之第3端部A₄。本實施形態之第1配線3a沿Y方向延伸。

第2配線3b設置於配線基板1上，連接於第2安裝端子2b之第2部位Kb。本實施形態之第2部位Kb設置於第2安裝端子2b之第6端部B₄。本實施形態之第2配線3b沿Y方向延伸。

第1及第2配線3a、3b之示例為Cu(銅)層。本實施形態之第1及第2配線3a、3b相互平行地延伸。又，本實施形態之第1及第2部位Ka、 Kb分別設置於第1及第2安裝端子2a、2b之相同側之端部A₄、B₄。

再者，第1及第2安裝端子2a、2b例如可藉由於第1及第2配線3a、3b之Cu層之一部分上積層Ni層與Au層而形成。

[阻焊劑4]

阻焊劑4以覆蓋第1及第2配線3a、3b之方式形成於配線基板1上。圖1(a)以交叉影線表示阻焊劑4之形成區域。

本實施形態之阻焊劑4具有NSMD(Non Solder Mask Defined，非阻焊層限定)構造。由此，第1及第2開口部4a、4b分別具有較第1及第2安裝端子2a、2b大之面積，阻焊劑4不與第1及第2安裝端子2a、2b接觸。

[安裝零件5]

安裝零件5設置於第1及第2安裝端子2a、2b上，電性連接於第1及第2安裝端子2a、2b。本實施形態之安裝零件5係使用陶瓷而形成。安裝零件5之示例係積層陶瓷電容器、或使用陶瓷之晶片電阻。安裝零件5亦可使用線膨脹係數較低之除陶瓷以外之材料而形成。

本實施形態之安裝零件5之平面形狀係具有與X方向平行之長邊及與Y方向平行之短邊之長方形。但，安裝零件5之平面形狀亦可為長方形以外之形狀。

[焊料6a、6b]

第1焊料6a設置於第1開口部4a，將第1安裝端子2a與安裝零件5電性連接。第2焊料6b設置於第2開口部4b，將第2安裝端子2b與安裝零件5電性連接。第1及第2焊料6a、6b之材料例如為Sn(錫)合金。

[鑄模樹脂7與外殼8]

鑄模樹脂7與外殼8以覆蓋第1及第2安裝端子2a、2b、第1及第2配線3a、3b、阻焊劑4、安裝零件5、第1及第2焊料6a、6b之方式形成於配線基板1上，與配線基板1一併構成半導體封裝體。鑄模樹脂7之示 例包含環氧樹脂。外殼8覆蓋鑄模樹脂7。於本實施形態中，半導體封裝體由鑄模樹脂7密封。

如此，本實施形態之安裝零件5安裝於半導體封裝體內，由鑄模樹脂7覆蓋。藉此，於本實施形態中，要求保證安裝零件5對於半導體封裝體之內部及外部之溫度變化之耐受性。

接下來，對本實施形態之第1及第2配線3a、3b之配置進行詳細說明。

圖1(a)表示配線基板1上之第1及第2區域R₁、R₂。第1區域R₁係於X方向與安裝零件5重疊之區域。第2區域R₂係於Y方向與安裝零件5重疊之區域。

本實施形態之第1及第2部位Ka、Kb設置於第1及第2部位Ka、Kb與安裝零件5在X方向不重疊、且第1及第2部位Ka、Kb與安裝零件5在Y方向不重疊之位置。即，第1及第2部位Ka、Kb設置於第1及第2區域R₁、R₂之外部。

如此，本實施形態之第1配線3a於第1及第2區域R₁、R₂之外部連接於第1安裝端子2a。同樣地，本實施形態之第2配線3b於第1及第2區域R₁、R₂之外部連接於第2安裝端子2b。

又，本實施形態之第1及第2配線3a、3b沿Y方向延伸。由此，關於本實施形態之第1配線3a，不僅接近於第1部位Ka之部分位於第1及第2區域R₁、R₂之外部，而且遠離第1部位Ka之部分亦位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。同樣地，關於本實施形態之第2配線3b，不僅接近於第2部位Kb之部分位於第1及第2區域R₁、R₂之外部，而且遠離第2部位Kb之部分亦位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。

(1)第1實施形態之比較例

圖2係表示第1實施形態之比較例之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

本比較例之第1部位Ka設置於第1安裝端子2a之第2端部A₂，位於第1區域R₁之內部。本比較例之第1配線3a沿X方向延伸。

本比較例之第2部位Kb設置於第2安裝端子2b之第5端部B₂，位於第1區域R₁之內部。本比較例之第2配線3b沿X方向延伸。

圖3係用以對第1實施形態之半導體裝置與其比較例之半導體裝置進行比較之俯視圖。圖3(a)表示比較例之半導體裝置。圖3(b)表示第1實施形態之半導體裝置。

圖3(a)及圖3(b)表示第1實施形態與比較例之半導體裝置中之應力分佈之計算結果。當安裝零件5因溫度變化而膨脹或收縮時，應力會施加於安裝端子2a、2b或配線3a、3b。一般，安裝零件5之線膨脹係數與安裝端子2a、2b或配線3a、3b之線膨脹係數之差越大，施加於安裝端子2a、2b或配線3a、3b之應力越大。

符號P₁~P₄表示有較大應力施加於安裝端子2a、2b或配線3a、3b之區域。符號Q₁~Q₄表示有更大應力施加於安裝端子2a、2b或配線3a、3b之區域。再者，於其他區域未施加應力、或者施加較區域P₁~P₄或區域Q₁~Q₄小之應力。

圖3(a)表示於第1及第2安裝端子2a、2b中有較大應力施加於安裝零件5之設置區域。又，圖3(a)表示亦有較大應力施加於安裝零件5之設置區域之X方向及Y方向之區域。認為其原因在於，第1及第2安裝端子2a、2b於X方向相互鄰接。由於第1及第2安裝端子2a、2b於X方向相互鄰接，故而會有較大應力施加於安裝零件5之X方向之區域、或與X方向垂直之Y方向之區域。

因此，若第1及第2配線3a、3b於第1及第2區域R₁、R₂之內部連接於第1及第2安裝端子2a、2b，則會有較大應力施加於第1及第2配線3a、3b。於此情形時，存在第1及第2配線3a、3b分別於第1及第2安裝端子2a、2b之附近斷裂之可能性。於圖3(a)中，於第1及第2配線3a、 3b之區域P₃、P₄(尤其區域Q₃、Q₄)施加著較大應力。

另一方面，本實施形態之第1及第2配線3a、3b於第1及第2區域R₁、R₂之外部連接於第1及第2安裝端子2a、2b。因此，於本實施形態中，如圖3(b)所示，不會有較大應力施加於第1及第2配線3a、3b。由此，根據本實施形態，可抑制第1及第2配線3a、3b斷裂。

(2)第1實施形態之變化例

圖4係表示第1實施形態之變化例之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。

本變化例之阻焊劑4具有SMD(Solder Mask Defined，阻焊層限定)構造。由此，第1及第2開口部4a、4b分別具有較第1及第2安裝端子2a、2b小之面積，阻焊劑4局部地覆蓋第1及第2安裝端子2a、2b。

如此，本實施形態既可應用於圖1(a)及圖1(b)所示之NSMD構造，亦可應用於圖4(a)及圖4(b)所示之SMD構造。於將本實施形態應用於NSMD構造之情形時，焊料6a、6b進入安裝端子2a、2b與阻焊劑4之間，因此焊料之接合強度變高。另一方面，於將本實施形態應用於SMD構造之情形時，阻焊劑4覆蓋第1及第2部位Ka、Kb，因此配線3a、3b之強度變高。

如上所述，本實施形態之第1及第2部位Ka、Kb設置於第1及第2部位Ka、Kb與安裝零件5在X方向不重疊、且第1及第2部位Ka、Kb與安裝零件5在Y方向不重疊之位置。

即，本實施形態之第1配線3a於第1及第2區域R₁、R₂之外部連接於第1安裝端子2a，本實施形態之第2配線3b於第1及第2區域R₁、R₂之外部連接於第2安裝端子2b。

由此，根據本實施形態，可降低施加於第1及第2配線3a、3b之應力，可抑制第1及第2配線3a、3b斷裂。根據本實施形態，可於不增大第1及第2配線3a、3b之配線寬度之情況下抑制第1及第2配線3a、3b斷 裂。

(第2實施形態)

圖5係表示第2實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖及剖視圖。圖5(a)係表示半導體裝置之構造之俯視圖。圖5(b)係沿圖5(a)之I-I'線之剖視圖。

本實施形態之半導體裝置除具備第1實施形態之半導體裝置之構成要素以外，進而具備第3及第4配線3c、3d。

第3配線3c設置於配線基板1上，連接於第1安裝端子2a之第3部位Kc。本實施形態之第3部位Kc與第1部位Ka同樣地設置於第1安裝端子2a之第3端部A₃、A₄。但，第1部位Ka設置於第3端部A₄，相對於此，第3部位Kc設置於與第3端部A₄對向之第3端部A₃。本實施形態之第3配線3c沿Y方向延伸，且與第1配線3a平行地延伸。

第4配線3d設置於配線基板1上，連接於第2安裝端子2b之第4部位Kd。本實施形態之第4部位Kd與第2部位Kb同樣地設置於第2安裝端子2b之第6端部B₃、B₄。但，第2部位Kb設置於第6端部B₄，相對於此，第4部位Kd設置於與第6端部B₄對向之第6端部B₃。本實施形態之第4配線3d沿Y方向延伸，且與第2配線3b平行地延伸。

本實施形態之第1至第4部位Ka~Kd設置於第1至第4部位Ka~Kd與安裝零件5在X方向不重疊、且第1至第4部位Ka~Kd與安裝零件5在Y方向不重疊之位置。即，第1至第4部位Ka~Kd設置於第1及第2區域R₁、R₂之外部。

又，本實施形態之第1至第4配線3a~3d沿Y方向延伸。由此，關於本實施形態之各第1至第4配線3a~3d，不僅接近第1至第4部位Ka~Kd之部分位於第1及第2區域R₁、R₂之外部，而且遠離第1至第4部位Ka~Kd之部分亦位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。

圖6係表示第2實施形態之變化例之半導體裝置之構造之俯視圖 及剖視圖。

圖5之阻焊劑4具有NSMD構造。另一方面，圖6之阻焊劑4具有SMD構造。如此，本實施形態既可應用於NSMD構造，亦可應用於SMD構造。

如上所述，本實施形態之第1至第4部位Ka~Kd設置於第1至第4部位Ka~Kd與安裝零件5在X方向不重疊、且第1至第4部位Ka~Kd與安裝零件5在Y方向不重疊之位置。

由此，根據本實施形態，可降低施加於第1至第4配線3a~3d之應力，可抑制第1至第4配線3a~3d斷裂。根據本實施形態，可於不增大第1至第4配線3a~3d之配線寬度之情況下抑制第1至第4配線3a~3d斷裂。

再者，本實施形態之第3及第4配線3c、3d亦可分別與配線基板1上之第3及第4安裝端子(未圖示)連接。於此情形時，能夠將第1及第2安裝端子2a、2b上之安裝零件5與第3及第4安裝端子上之安裝零件(未圖示)並聯連接。

(第3~第6實施形態)

圖7係表示第3實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

第1實施形態之第1及第2部位Ka、Kb分別設置於第1及第2安裝端子2a、2b之相同側之端部A₄、B₄。另一方面，第3實施形態之第1及第2部位Ka、Kb分別設置於第1及第2安裝端子2a、2b之不同側之端部A₄、B₃。於此情形時，能夠將第1及第2安裝端子2a、2b上之安裝零件5與第3及第4安裝端子上之安裝零件串聯連接。

圖8係表示第4實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

第4實施形態之第1及第2部位Ka、Kb與第1實施形態同樣地位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。但，第1實施形態之第1及第2配線3a、3b沿Y方向延伸，相對於此，第4實施形態之第1及第2配線3a、3b沿X 方向延伸。

再者，第4實施形態之第1及第2部位Ka、Kb亦可分別與第3實施形態同樣地設置於第1及第2安裝端子2a、2b之不同側之端部A₄、B₃。

圖9係表示第5實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

第5實施形態之第1及第2部位Ka、Kb與第1實施形態同樣地位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。但，第1實施形態之第1及第2部位Ka、Kb分別設置於第3及第6端部A₄、B₄，相對於此，第5實施形態之第1及第2部位Ka、Kb分別設置於第2及第5端部A₂、B₂。又，第4實施形態之第1及第2配線3a、3b與第4實施形態同樣地沿X方向延伸。

再者，第5實施形態之第1及第2配線3a、3b亦可分別與第1實施形態同樣地沿Y方向延伸。

圖10係表示第6實施形態之半導體裝置之構造之俯視圖。

第6實施形態之第1及第2部位Ka、Kb與第1實施形態同樣地位於第1及第2區域R₁、R₂之外部。但，第6實施形態之第1部位Ka設置於第2端部A₂與第3端部A₄之邊界部，第6實施形態之第2部位Kb設置於第5端部B₂與第6端部B₄之邊界部。又，第6實施形態之第1及第2配線3a、3b沿不與X方向及Y方向平行之方向延伸。又，第6實施形態之第1及第2配線3a、3b相互不平行地延伸。

再者，第6實施形態之第1及第2配線3a、3b亦可分別與第1~第5實施形態同樣地沿X方向或Y方向延伸。

根據第3~第6實施形態，與第1及第2實施形態同樣地可降低施加於第1及第2配線3a、3b之應力，可抑制第1及第2配線3a、3b斷裂。

再者，第1~第6實施形態之半導體裝置之構造亦可相互組合而使用。例如，第2實施形態之各配線3a~3d亦可具有與第3~第6實施形態之任一配線3a、3b相同之構造。

以上，對若干種實施形態進行了說明，但該等實施形態僅作為 示例而提出，並非意欲限定發明之範圍。本說明書中說明之新穎之裝置能以其他各種形態來實施。又，對於本說明書中說明之裝置之形態，可於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。隨附之申請專利範圍及與其均等之範圍意欲包含發明之範圍或主旨內所含之此種形態或變化例。

1‧‧‧配線基板

2a‧‧‧第一安裝端子

2b‧‧‧第二安裝端子

3a‧‧‧第一配線

3b‧‧‧第二配線

4‧‧‧阻焊劑

4a‧‧‧第一開口部

4b‧‧‧第二開口部

5‧‧‧安裝零件

6a‧‧‧第一焊料

6b‧‧‧第二焊料

7‧‧‧鑄模樹脂

8‧‧‧外殼

A₁‧‧‧第1端部

A₂‧‧‧第2端部

A₃‧‧‧第3端部

A₄‧‧‧第3端部

B₁‧‧‧第4端部

B₂‧‧‧第5端部

B₃‧‧‧第6端部

B₄‧‧‧第6端部

Ka‧‧‧第1部位

Kb‧‧‧第2部位

R₁‧‧‧第1區域

R₂‧‧‧第2區域

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

Claims (6)

1. 一種半導體裝置，其包含：基板；第1端子，其設置於上述基板上；第2端子，其設置於上述基板上，位於上述第1端子之第1方向；第1配線，其設置於上述基板上，連接於上述第1端子之第1部位；第2配線，其設置於上述基板上，連接於上述第2端子之第2部位；零件，其設置於上述第1及第2端子上，電性連接於上述第1及第2端子；及密封樹脂，其覆蓋上述第1及第2端子、上述第1及第2配線、及上述零件；且上述第1及第2部位設置於自上述零件之與上述第1方向正交之第2方向之兩端部向上述第1方向延長之延長線所夾之範圍外且自上述零件之上述第1方向之兩端部向上述第2方向延長之延長線所夾之範圍外。
2. 如請求項1之半導體裝置，其中上述第1端子包含：與上述第2端子對向之第1端部、上述第1端部之相反側之第2端部、及位於上述第1端部與上述第2端部之間之 一個以上之第3端部；上述第2端子包含：與上述第1端子對向之第4端部、上述第4端部之相反側之第5端部、及位於上述第4端部與上述第5端部之間之一個以上之第6端部；且上述第1部位設置於上述第3端部中之任一者；上述第2部位設置於上述第6端部中之任一者。
3. 如請求項1或2之半導體裝置，其中上述第1及第2配線於上述第2方向延伸。
4. 如請求項1之半導體裝置，其進而包含：第3配線，其設置於上述基板上，連接於上述第1端子之第3部位；及第4配線，其設置於上述基板上，連接於上述第2端子之第4部位；且上述第3及第4部位設置於將上述零件之上述第2方向之兩端部向上述第1方向延長之範圍外且將上述零件之上述第1方向之兩端部向上述第2方向延長之範圍外。
5. 如請求項4之半導體裝置，其中上述第1端子包含：與上述第2端子對向之第1端部、上述第1端部之相反側之第2端部、及位於上述第1端部與上述第2端部之間之一個以上之第3端部；上述第2端子包含：與上述第1端子對向之第4端部、上述第4端部之相反側之第5端部、及位於上述第4端部與上述第5端部之間之 一個以上之第6端部；上述第1及第3部位分別設置於上述第3端部中所包含之相互對向之端部之一者與另一者；且上述第2及第4部位分別設置於上述第6端部中所包含之相互對向之端部之一者與另一者。
6. 如請求項4或5之半導體裝置，其中上述第1、第2、第3、及第4配線於上述第2方向延伸。