TWI587324B - Manufacturing method of thermal resistance - Google Patents

Description

熱阻器之製造方法

本發明係關於一種熱阻器、電子裝置及熱阻器之製造方法。

先前，作為熱阻器，有日本專利第5375963號公報(專利文獻1)所記載者。該熱阻器具有金屬基材、直接形成於金屬基材上之熱阻器層、及形成於熱阻器層上之一對分割電極，金屬基材之厚度較熱阻器層之厚度厚。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第5375963號公報

且說，於上述先前之熱阻器中，金屬基材之厚度較熱阻器層之厚度厚，因此若熱阻器之燒成步驟中於金屬基材與熱阻器層存在收縮率之差，則有於熱阻器產生翹曲之虞。而且，若熱阻器之翹曲較大，則於後續步驟之設備(例如，特性篩選機之饋送部等)中，產生熱阻器之搬送不良。因此，設備運轉率及良率劣化，製造成本增大。

又，於將熱阻器之分割電極側安裝於安裝基板之情形時，金屬基材位於熱阻器之與安裝基板相反側之面(以下，稱為非安裝面)。如此，熱阻器之非安裝面為金屬基材，因此無法確保熱阻器之非安裝面之絕緣性。

因此，本發明之課題在於提供一種可抑制熱阻器之翹曲之產生且可確保安裝於安裝基板之熱阻器之非安裝面之絕緣性的熱阻器、電子裝置及熱阻器之製造方法。

為了解決上述課題，本發明之熱阻器具備：坯體，其包含陶瓷；第1外部電極及第2外部電極，其等相互分離地配置於上述坯體之第1面；及內部電極，其配置於上述坯體之內部且與上述第1外部電極及上述第2外部電極導通。

根據本發明之熱阻器，內部電極係配置於坯體之內部，因此即便於熱阻器之燒成步驟中於內部電極與坯體存在收縮率之差，坯體亦可將內部電極壓入而抑制熱阻器之翹曲之產生。因此，於後續步驟之設備(例如，特性篩選機之饋送部等)中，熱阻器之搬送不良得到改善。因此，設備運轉率及良率提高，製造成本降低。

又，於將熱阻器之第1、第2外部電極側安裝於安裝基板之情形時，坯體之與第1面相反側之第2面位於與安裝基板相反側之面(以下，稱為非安裝面)。內部電極係配置於坯體之內部，因此內部電極不會自坯體之第2面露出。因此，熱阻器之非安裝面為坯體，故而可確保熱阻器之非安裝面之絕緣性。

又，於一實施形態之熱阻器中，於上述坯體之與上述第1面相反側之第2面具有第1保護層。

根據上述實施形態之熱阻器，於坯體之第2面具有第1保護層，故而可利用第1保護層對強度較弱之坯體進行補強，可提高熱阻器之強度。

又，於一實施形態之熱阻器中，熱阻器之厚度為30μm以上且 100μm以下。

根據上述實施形態之熱阻器，由於熱阻器之厚度為30μm以上且100μm以下，故而可使熱阻器低背化。

又，於一實施形態之熱阻器中，於上述坯體之上述第1面上之上述第1外部電極與上述第2外部電極之間之區域具有第2保護層。

根據上述實施形態之熱阻器，於坯體之第1面上之第1外部電極與第2外部電極之間之區域具有第2保護層，因此可抑制第1外部電極及第2外部電極之遷移之產生。

又，於一實施形態之熱阻器中，上述第2保護層係設置於上述坯體之上述第1面上之除與上述第1外部電極及上述第2外部電極重疊之區域以外之整個區域。

根據上述實施形態之熱阻器，第2保護層係設置於坯體之第1面上之除與第1外部電極及第2外部電極重疊之區域以外之整個區域，因此於在第1外部電極及第2外部電極設置鍍敷層之情形時，可防止鍍敷層對坯體之第2面之腐蝕。

又，於一實施形態之電子裝置中，具備：上述熱阻器；及絕緣構件，其覆蓋上述熱阻器。

根據上述實施形態之電子裝置，由於絕緣構件覆蓋熱阻器，故而可確保熱阻器之強度及可靠性。

又，於一實施形態之熱阻器之製造方法中，具備：積層步驟，其係於厚度方向上至少依序積層第1陶瓷層、內部電極、第2陶瓷層、第1外部電極及第2外部電極而製作積層體；及燒成步驟，其係對上述積層體進行燒成而製作燒成體。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，由於在將內部電極夾持於第1陶瓷層與第2陶瓷層之間之狀態下進行燒成，故而於燒成步驟 中，即便於內部電極與坯體存在收縮率之差，坯體亦可將內部電極壓入而抑制熱阻器之翹曲之產生。因此，燒成體之翹曲之產生得到抑制，可製作無翹曲之熱阻器。

又，於一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述燒成步驟之後具備於厚度方向上對上述燒成體之一部分進行研磨之研磨步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，由於在燒成步驟之後於厚度方向上對燒成體之一部分進行研磨，故而燒成步驟前之積層體之厚度較厚，因此於燒成步驟中，可抑制燒成中之積層體之翹曲之產生。相對於此，若積層體之厚度較薄，則有因積層體之縱橫比而於燒成中之積層體產生翹曲之虞。因此，燒成體之翹曲之產生得到抑制，可製作無翹曲之熱阻器。

又，一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述積層步驟中，進而以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式於上述第2陶瓷層上積層第3陶瓷層而製作上述積層體，且於上述研磨步驟中，以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第3陶瓷層露出之方式至少對上述第3陶瓷層之一部分進行研磨。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，於積層步驟中，以覆蓋第1外部電極及第2外部電極之方式於第2陶瓷層上積層第3陶瓷層，且於研磨步驟中，以使第1外部電極及第2外部電極自第3陶瓷層露出之方式對第3陶瓷層之一部分進行研磨。如此，由於不對第1陶瓷層進行研磨，故而例如可於第1陶瓷層之與內部電極相反側貼附補強構件而加強燒成體之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體之裂紋。

又，一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述燒成步驟與上 述研磨步驟之間，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，由於在燒成步驟與研磨步驟之間具有保護步驟，故而可於第1陶瓷層之與內部電極相反側設置第1保護層而加強燒成體之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體之裂紋。

又，一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述研磨步驟中，以不使上述內部電極自上述第1陶瓷層露出之方式對上述第1陶瓷層之一部分進行研磨。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，於研磨步驟中，以不使內部電極自第1陶瓷層露出之方式對第1陶瓷層之一部分進行研磨。如此，由於僅對第1陶瓷層進行研磨，故而研磨變簡單。

又，於一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述研磨步驟之後具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，由於在研磨步驟之後具有於第1陶瓷層之與內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟，故而可提高熱阻器之強度。

又，一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述研磨步驟之後具有：保護步驟，其係於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層，且以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式於上述第2陶瓷層上設置第2保護層；及保護層研磨步驟，其係以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第2保護層露出之方式至少對上述第2保護層之一部分進行研磨。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，由於在第1陶瓷層之與內部電極相反側設置第1保護層，故而可提高熱阻器之強度。又，由於第2保護層係設置於第2陶瓷層上，故而於第1外部電極與第2外部電極之間具有第2保護層，可抑制第1外部電極及第2外部電極之遷移之產生。又，由於第2保護層係設置於第2陶瓷層上，故而於在第1外部電極及第2外部電極設置鍍敷層之情形時，可防止鍍敷層對第2陶瓷層之腐蝕。

又，於一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述研磨步驟之前，具有以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式於上述第2陶瓷層上設置第2保護層之上側保護步驟，於上述研磨步驟之後，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之下側保護步驟，且於上述下側保護步驟之後，具有以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第2保護層露出之方式，至少對上述第2保護層之一部分進行研磨之保護層研磨步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，於研磨步驟之前，以覆蓋第1外部電極及第2外部電極之方式於第2陶瓷層上設置第2保護層，故而可加強燒成體之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體之裂紋。又，由於在第1陶瓷層之與內部電極相反側設置第1保護層，故而可提高熱阻器之強度。又，由於第2保護層係設置於第2陶瓷層上，故而於第1外部電極與第2外部電極之間具有第2保護層，可抑制第1外部電極及第2外部電極之遷移之產生。又，由於第2保護層係設置於第2陶瓷層上，故而於在第1外部電極及第2外部電極設置鍍敷層之情形時，可防止鍍敷層對第2陶瓷層之腐蝕。

又，於一實施形態之熱阻器之製造方法中，其係製造複數個熱阻器之方法， 於上述積層步驟中，設置複數組與1個熱阻器之區域對應之上述內部電極、上述第1外部電極及上述第2外部電極，且於上述研磨步驟之後，具有將上述燒成體按每1個熱阻器之區域予以切斷之切斷步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，於研磨步驟之後具有將燒成體按每1個熱阻器之區域予以切斷之切斷步驟，故而藉由對切斷前之大塊之燒成體進行研磨，可提高生產性，並且可減輕研磨之負載而製作無損傷之熱阻器。

又，一實施形態之熱阻器之製造方法中，於上述燒成步驟與上述切斷步驟之間，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。

根據上述實施形態之熱阻器之製造方法，於燒成步驟與切斷步驟之間，具有於第1陶瓷層之與內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟，故而容易於切斷前之大塊之燒成體貼附第1保護層。

根據本發明之熱阻器、電子裝置及熱阻器之製造方法，可抑制熱阻器之翹曲之產生，且可確保安裝於安裝基板之熱阻器之非安裝面之絕緣性。

1‧‧‧熱阻器

1A‧‧‧熱阻器

1B‧‧‧熱阻器

1C‧‧‧熱阻器

1D‧‧‧熱阻器

10‧‧‧坯體

10a‧‧‧第1面

10b‧‧‧第2面

11‧‧‧第1陶瓷層

12‧‧‧第2陶瓷層

13‧‧‧第3陶瓷層

21‧‧‧第1外部電極

22‧‧‧第2外部電極

30‧‧‧內部電極

41‧‧‧第1保護層

42‧‧‧第2保護層

45‧‧‧鍍敷層

50‧‧‧積層體

50A‧‧‧積層體

50B‧‧‧積層體

50C‧‧‧積層體

50D‧‧‧積層體

50E‧‧‧積層體

50F‧‧‧積層體

50G‧‧‧積層體

50H‧‧‧積層體

50I‧‧‧積層體

51‧‧‧燒成體

51A‧‧‧燒成體

51B‧‧‧燒成體

51C‧‧‧燒成體

51D‧‧‧燒成體

51E‧‧‧燒成體

51F‧‧‧燒成體

51G‧‧‧燒成體

51H‧‧‧燒成體

51I‧‧‧燒成體

100‧‧‧熱阻器感測器(電子裝置)

124a‧‧‧鍍Sn層

124b‧‧‧鍍Ni層

124c‧‧‧鍍Cu層

126‧‧‧Cu箔

128‧‧‧絕緣構件

130‧‧‧絕緣性樹脂片

132‧‧‧引線

134‧‧‧絕緣性樹脂材

140‧‧‧導電性連接材

142‧‧‧絕緣性樹脂材

L‧‧‧長度方向

T‧‧‧厚度方向

T1‧‧‧熱阻器之厚度

W‧‧‧寬度方向

圖1A係表示本發明之第1實施形態之熱阻器之俯視圖。

圖1B係熱阻器之LT剖視圖。

圖2A係說明第1實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖2B係說明第1實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖2C係說明第1實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖3係第2實施形態之熱阻器之LT剖視圖。

圖4A係說明第2實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖4B係說明第2實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖4C係說明第2實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖5係第3實施形態之熱阻器之LT剖視圖。

圖6A係說明第3實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖6B係說明第3實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖6C係說明第3實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖6D係說明第3實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖7係第4實施形態之熱阻器之LT剖視圖。

圖8A係說明第4實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖8B係說明第4實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖8C係說明第4實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖8D係說明第4實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖9係第5實施形態之熱阻器之LT剖視圖。

圖10A係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10B係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10C係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10D係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10E係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10F係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖10G係說明第5實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖11A係說明第6實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖11B係說明第6實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖11C係說明第6實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖11D係說明第6實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖12A係說明第7實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖12B係說明第7實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖12C係說明第7實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖12D係說明第7實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖13A係說明第8實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖13B係說明第8實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖13C係說明第8實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖13D係說明第8實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖13E係說明第8實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖14A係說明第9實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖14B係說明第9實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖14C係說明第9實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖14D係說明第9實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖14E係說明第9實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15A係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15B係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15C係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15D係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15E係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15F係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15G係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖15H係說明第10實施形態之熱阻器之製法之說明圖。

圖16A係表示包含本發明之熱阻器之電子裝置之立體圖。

圖16B係圖16A之A-A剖視圖。

以下，藉由圖示之實施形態對本發明進行詳細說明。

(第1實施形態)

圖1A係表示本發明之第1實施形態之熱阻器之俯視圖。圖1B係熱 阻器之剖視圖。如圖1A及圖1B所示，熱阻器1具有坯體10、自坯體10之表面露出之第1外部電極21及第2外部電極22、以及配置於坯體10內部之內部電極30。

坯體10係由複數層陶瓷層所構成，複數層陶瓷層係一體地積層。陶瓷層例如包含具有負電阻溫度特性之陶瓷。即，熱阻器1為NTC(Negative Temperature Coefficient，負溫度係數)熱阻器，電阻值伴隨著溫度之上升而減少。作為陶瓷，例如可使用將Mn、Ni、Fe、Ti、Co、Al、Zn等以任意之組合適量包含之各種材料。實際上，作為陶瓷，使用上述過渡金屬元素之氧化物加以混合，但亦可將上述元素之碳酸鹽、氫氧化物等用作起始原料。

坯體10具有長度方向(L方向)、寬度方向(W方向)及厚度方向(T方向)。具體而言，坯體10係形成為大致長方體狀。坯體10具有第1面10a、及位於與第1面10a相反側之第2面10b。第1面10a及第2面10b為包含坯體10之長度方向及寬度方向之面(LW面)。

第1外部電極21及第2外部電極22自坯體10之第1面10a露出。具體而言，於坯體10之第1面10a設置有凹部，於該凹部內配置有第1、第2外部電極21、22。第1、第2外部電極21、22之T方向之上表面，與坯體10之第1面10a成為同一面。

第1外部電極21及第2外部電極22係於L方向上相互分離地配置。第1、第2外部電極21、22俯視下為矩形，但亦可為矩形以外之形狀。作為第1、第2外部電極21、22之材料，例如可使用Ag、Pd、Pt、Au等貴金屬或Cu、Ni、Al、W、Ti等賤金屬之單質、或者包含該等單質之合金。

第1、第2外部電極21、22於俯視下較坯體10之第1面10a之外形線位於內側。具體而言，於俯視下，第1、第2外部電極21、22之L方向之端面，較坯體10之L方向之端面位於內側。再者，亦可以第1、第2 外部電極21、22之L方向之端面，與坯體10之L方向之端面一致之方式進行配置。

內部電極30經由坯體10而與第1、第2外部電極21、22導通。內部電極30係形成為平板狀，內部電極30於俯視下與第1、第2外部電極21、22重疊。作為內部電極30之材料，例如與第1、第2外部電極21、22之材料相同。

熱阻器1之厚度T1相當於第1面10a與第2面10b之間之長度。熱阻器1之厚度T1為30μm以上且為100μm以下，較佳為50μm以上且為100μm以下。藉此，可使熱阻器1低背化。再者，熱阻器1之厚度亦可大於100μm。

熱阻器1之尺寸例如為JIS標準0603尺寸。所謂JIS標準0603尺寸係指(0.6±0.03)mm(L方向)×(0.3±0.03)mm(W方向)。再者，熱阻器1之尺寸亦可為JIS標準1005尺寸或JIS標準1608尺寸等其他尺寸。

其次，就熱阻器1之動作進行說明。若對第1外部電極21通電，則自第1外部電極21經由坯體10對內部電極30通電，自內部電極30經由坯體10對第2外部電極22通電。坯體10之溫度越高，則坯體10之電阻越低，電越容易流動。

其次，就上述熱阻器1之製造方法進行說明。

首先，如圖2A所示，於厚度方向(T方向)上依序積層第1陶瓷層11、內部電極30、第2陶瓷層12及第1、第2外部電極21、22，進而，以覆蓋第1、第2外部電極21、22之方式，於第2陶瓷層12上積層第3陶瓷層13來製作積層體50。將此稱為積層步驟。積層體50係以較與熱阻器1之厚度T1(參照圖1B)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指與熱阻器1之厚度T1一致之值。再者，第1、第2、第3陶瓷層11、12、13亦可分別由積層所成之複數個片狀體構成。

其後，如圖2B所示，對積層體50進行燒成而製作燒成體51。將 此稱為燒成步驟。繼而，以燒成體51之厚度成為目標值之方式，於厚度方向(T方向)對燒成體51之一部分進行研磨。將此稱為研磨步驟。於該研磨步驟中，以使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出之方式對第3陶瓷層13之一部分及第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨。圖中，以影線表示燒成體51之研磨部分。研磨部分例如係使用研磨輪沿著厚度方向T進行研磨。再者，亦可不對第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨，僅對第3陶瓷層13之一部分進行研磨，而使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出。

藉此，如圖2C所示，坯體10之上表面與第1、第2外部電極21、22之上表面成為同一面，可製作上述熱阻器1。

根據上述熱阻器1，由於內部電極30係配置於坯體10之內部，故而即便於熱阻器1之燒成步驟中於內部電極30與坯體10存在收縮率之差，坯體10亦可將內部電極30壓入而抑制熱阻器1之翹曲之產生。因此，後續步驟之設備(例如，特性篩選機之饋送部等)中，熱阻器1之搬送不良得到改善。因此，設備運轉率及良率提高，製造成本降低。

又，於將熱阻器1之第1、第2外部電極21、22側安裝於安裝基板之情形時，坯體10之與第1面10a相反側之第2面10b位於與安裝基板相反側之面(以下，稱為非安裝面)。由於內部電極30係配置於坯體10之內部，故而內部電極30不會自坯體10之第2面10b露出。因此，熱阻器1之非安裝面為坯體10，故而可確保熱阻器1之非安裝面之絕緣性。

根據上述熱阻器1之製造方法，製作較與熱阻器1之厚度T1對應之目標值厚之積層體50後，對積層體50進行燒成而製作燒成體51。如此，積層體50之厚度較厚，因此於燒成步驟中，可抑制燒成中之積層體50之翹曲之產生。相對於此，若積層體之厚度較薄，則有於燒成中之積層體產生翹曲之虞。認為其原因在於積層體之縱橫比。即，若積層體之縱橫比較大，即長度L相比於厚度T較大，為特定比率以上， 則有於積層體之燒成中產生翹曲之虞。因此，於本發明中，藉由使積層體之厚度較與熱阻器之厚度對應之目標值厚，而減小縱橫比，從而確實地抑制燒成中之積層體之翹曲之產生。

又，由於在將內部電極30夾持於第1陶瓷層11與第2陶瓷層12之間之狀態下進行燒成，故而即便於燒成步驟中，於內部電極30與坯體10存在收縮率之差，坯體10亦可將內部電極30壓入而抑制熱阻器1之翹曲之產生。因此，燒成體51之翹曲之產生得到抑制，可製作無翹曲之熱阻器1。

又，於積層步驟中，以覆蓋第1、第2外部電極21、22之方式於第2陶瓷層12上積層第3陶瓷層13，且於研磨步驟中，以使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出之方式對第3陶瓷層13之一部分進行研磨。如此，由於不對第1陶瓷層11進行研磨，例如可於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側貼附補強構件而加強燒成體51之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體51之裂紋。

(第2實施形態)

圖3係表示本發明之第2實施形態之熱阻器之剖視圖。再者，於第2實施形態中，與第1實施形態相同之符號為與第1實施形態相同之構成，因此省略其說明。

如圖3所示，第2實施形態之熱阻器1A與第1實施形態(圖1B)之熱阻器1相比，第1、第2外部電極21、22之位置不同。第2實施形態中，第1、第2外部電極21、22係配置於坯體10之第1面10a上。即，第1、第2外部電極21、22之上表面位於較第1面10a更上側。熱阻器1A之厚度T1相當於第1、第2外部電極21、22之上表面與坯體10之第2面10b之間之長度。

其次，就上述熱阻器1A之製造方法進行說明。

首先，如圖4A所示，依序積層第1陶瓷層11、內部電極30、第2 陶瓷層12及第1、第2外部電極21、22而製作積層體50A(積層步驟)。積層體50A係以較與熱阻器1A之厚度T1(參照圖3)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指與熱阻器1A之厚度T1一致之值。

其後，如圖4B所示，對積層體50A進行燒成而製作燒成體51A(燒成步驟)。繼而，以燒成體51A之厚度成為目標值之方式對燒成體51A之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51A之研磨部分。

藉此，如圖4C所示，將第1、第2外部電極21、22配置於坯體10之上表面，製作上述熱阻器1A。

根據上述熱阻器1A，具有與第1實施形態之熱阻器1相同之效果。

根據上述熱阻器1A之製造方法，具有與第1實施形態之熱阻器1之製造方法相同之效果。又，於研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。如此，僅對第1陶瓷層11進行研磨，故而研磨變得簡單。

(第3實施形態)

圖5係表示本發明之第3實施形態之熱阻器之剖視圖。再者，於第3實施形態中，與第1實施形態相同之符號為與第1實施形態相同之構成，因此省略其說明。

如圖5所示，第3實施形態之熱阻器1B與第1實施形態(圖1B)之熱阻器1相比，不同之處在於具有第1保護層41。於第3實施形態中，於坯體10之第2面10b具有第1保護層41。第1保護層41例如包含樹脂。熱阻器1B之厚度T1相當於坯體10之第1面10a與第1保護層41之下表面之間之長度。

其次，就上述熱阻器1B之製造方法進行說明。

首先，如圖6A所示，依序積層第1陶瓷層11、內部電極30、第2陶瓷層12及第1、第2外部電極21、22，進而，以覆蓋第1、第2外部電極21、22之方式於第2陶瓷層12上積層第3陶瓷層13，而製作積層體50B(積層步驟)。積層體50B係以較與熱阻器1B之厚度T1(參照圖5)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指自熱阻器1B之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖6B所示，對積層體50B進行燒成而製作燒成體51B(燒成步驟)。繼而，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(保護步驟)。第1保護層41例如包含樹脂，且係貼附於第1陶瓷層11後硬化。

其後，如圖6C所示，以燒成體51B之厚度成為目標值之方式對燒成體51B之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出之方式對第3陶瓷層13之一部分及第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51B之研磨部分。

藉此，如圖6D所示，坯體10之上表面與第1、第2外部電極21、22之上表面成為同一面，可製作上述熱阻器1B。

根據上述熱阻器1B，具有與第1實施形態之熱阻器1相同之效果。又，由於在坯體10之第2面10b具有第1保護層41，故而可利用第1保護層41對強度較弱之坯體10進行補強，可提高熱阻器1B之強度。

根據上述熱阻器1B之製造方法，具有與第1實施形態之熱阻器1之製造方法相同之效果。又，由於在燒成步驟與研磨步驟之間具有保護步驟，故而可於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41而加強燒成體51B之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體51B之裂紋。

(第4實施形態)

圖7係表示本發明之第4實施形態之熱阻器之剖視圖。再者，於第4實施形態中，與第2實施形態相同之符號為與第2實施形態相同之構成，因此省略其說明。

如圖7所示，第4實施形態之熱阻器1C與第2實施形態(圖3)之熱阻器1A相比，不同之處在於具有第1保護層41。第4實施形態中，於坯體10之第2面10b具有第1保護層41。第1保護層41例如包含樹脂。熱阻器1C之厚度T1相當於第1、第2外部電極21、22之上表面與第1保護層41之下表面之間之長度。

其次，就上述熱阻器1C之製造方法進行說明。

首先，如圖8A所示，依序積層第1陶瓷層11、內部電極30、第2陶瓷層12及第1、第2外部電極21、22而製作積層體50C(積層步驟)。積層體50C係以較與熱阻器1C之厚度T1(參照圖7)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指自熱阻器1C之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖8B所示，對積層體50C進行燒成而製作燒成體51C(燒成步驟)。繼而，以燒成體51C之厚度成為目標值之方式對燒成體51C之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51C之研磨部分。如此，如圖8C所示，製作具有目標值之厚度之燒成體51C。

繼而，如圖8D所示，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(保護步驟)。第1保護層41例如包含樹脂，且係貼附於第1陶瓷層11後硬化。藉此，製作上述熱阻器1C。

根據上述熱阻器1C，具有與第2實施形態之熱阻器1A相同之效果。又，由於在坯體10之第2面10b具有第1保護層41，故而可利用第1保護層41對強度較弱之坯體10進行補強，可提高熱阻器1C之強度。

根據上述熱阻器1C之製造方法，具有與第2實施形態之熱阻器1A之製造方法相同之效果。又，由於在研磨步驟之後，具有於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41之保護步驟，故而可提高熱阻器1C之強度。

(第5實施形態)

圖9係表示本發明之第5實施形態之熱阻器之剖視圖。再者，於第5實施形態中，與第4實施形態相同之符號為與第4實施形態相同之構成，因此省略其說明。

如圖9所示，第5實施形態之熱阻器1D與第4實施形態(圖7)之熱阻器1C相比，不同之處在於具有第2保護層42。於第5實施形態中，第2保護層42係設置於坯體10之第1面10a上之除與第1、第2外部電極21、22重疊之區域以外之整個區域。第2保護層42例如包含樹脂。於第1、第2外部電極21、22設置有鍍敷層45。鍍敷層45例如包含Ni/Sn或Ni/Cu或Cu。熱阻器1D之厚度T1相當於鍍敷層45之上表面與第1保護層41之下表面之間之長度。再者，亦可省略鍍敷層45。

其次，就上述熱阻器1D之製造方法進行說明。

首先，如圖10A所示，依序積層第1陶瓷層11、內部電極30、第2陶瓷層12及第1、第2外部電極21、22而製作積層體50D(積層步驟)。積層體50D係以較與熱阻器1D之厚度T1(參照圖9)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值大致為自熱阻器1D之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖10B所示，對積層體50D進行燒成而製作燒成體51D(燒成步驟)。繼而，以燒成體51D之厚度成為目標值之方式對燒成體51D之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51D之研磨部分。如此，如圖10C所示，製作 具有目標值之厚度之燒成體51D。

繼而，如圖10D所示，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41，且以覆蓋第1、第2外部電極21、22之方式於第2陶瓷層12上設置第2保護層42(保護步驟)。第1保護層41例如包含樹脂，且係貼附於第1陶瓷層11後硬化。第2保護層42例如包含樹脂，且係貼附於第2陶瓷層12後硬化。

其後，如圖10E所示，以使第1、第2外部電極21、22自第2保護層42露出之方式對第2保護層42之一部分及第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨(保護層研磨步驟)。圖中以影線表示該研磨部分。再者，亦可不對第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨，僅對第2保護層42之一部分進行研磨，而使第1、第2外部電極21、22自第2保護層42露出。如此，如圖10F所示，使第1、第2外部電極21、22自第2保護層42露出。

繼而，如圖10G所示，於第1、第2外部電極21、22之上表面設置鍍敷層45而製作上述熱阻器1D。

根據上述熱阻器1D，具有與第4實施形態之熱阻器1C相同之效果。又，由於第2保護層42係設置於坯體10之第1面10a上之除與第1、第2外部電極21、22重疊之區域以外之整個區域，故而於在第1、第2外部電極21、22設置鍍敷層45之情形時，可防止鍍敷層45對坯體10之第2面10b之腐蝕。又，由於在坯體10之第1面10a上之第1外部電極21與第2外部電極22之間之區域具有第2保護層42，故而可抑制第1、第2外部電極21、22之遷移之產生。

根據上述熱阻器1D之製造方法，具有與第4實施形態之熱阻器1C之製造方法相同之效果。又，由於在第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41，故而可提高熱阻器1D之強度。又，由於第2保護層42係設置於第2陶瓷層12上，故而於第1外部電極21與第2外部 電極22之間具有第2保護層42，可抑制第1、第2外部電極21、22之遷移之產生。又，由於第2保護層42係設置於第2陶瓷層12上，故而於在第1、第2外部電極21、22設置鍍敷層45之情形時，可防止鍍敷層45對第2陶瓷層12之腐蝕。

再者，亦可於燒成步驟之後且研磨步驟之前，以覆蓋第1外部電極21及第2外部電極22之方式於第2陶瓷層12上設置第2保護層42(上側保護步驟)。藉此，可於加強燒成體51D之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體51D之裂紋。於該情形時，亦於研磨步驟之後於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(下側保護步驟)。

(第6實施形態)

圖11A至圖11D係表示本發明之第6實施形態之熱阻器之製造方法之剖視圖。再者，於第6實施形態中，與第1實施形態相同之符號為與第1實施形態相同之構成，因此省略其說明。

第1實施形態(圖2A至圖2C)之熱阻器之製造方法為單個熱阻器之製造方法，但第6實施形態之熱阻器之製造方法為複數個熱阻器之製造方法。

如圖11A所示，依序積層第1陶瓷層11、複數個內部電極30、第2陶瓷層12及複數個第1、第2外部電極21、22，進而，以覆蓋複數個第1、第2外部電極21、22之方式於第2陶瓷層12上積層第3陶瓷層13而製作積層體50E(積層步驟)。此時，將第1、第2、第3陶瓷層11、12、13形成為片狀。又，設置複數組與1個熱阻器1之區域對應之內部電極30及第1、第2外部電極21、22，沿著LW面呈陣列狀地配置。一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22相當於1個熱阻器1。積層體50E係以較與熱阻器1之厚度T1(參照圖1B)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指與熱阻器1之厚度T1一致之值。

其後，如圖11B所示，對積層體50E進行燒成而製作燒成體51E(燒成步驟)。繼而，以燒成體51E之厚度成為目標值之方式對燒成體51E之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出之方式對第3陶瓷層13之一部分及第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51E之研磨部分。

繼而，如圖11C所示，將具有目標值之厚度之燒成體51E按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22(即，每1個熱阻器1之區域)予以切斷(切斷步驟)。即，複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22沿著LW面相鄰，且將該鄰接部分切斷。藉此，如圖11D所示，製作複數個熱阻器1。複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22相當於複數個熱阻器1。

根據上述熱阻器1之製造方法，具有與第1實施形態之熱阻器1之製造方法相同之效果。此處，一般於對片狀之積層體進行燒成之情形時，存在積層體之縱橫比變大(即，長度L與厚度T相比非常大)之傾向，故而容易於燒成中之積層體產生翹曲。因此，於本發明中，藉由加厚片狀之積層體50E之厚度，而減小積層體50E之縱橫比，從而抑制燒成中之積層體50E之翹曲之產生。

又，由於在研磨步驟之後具有將燒成體51E按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22予以切斷之切斷步驟，故而藉由對切斷前之大塊之燒成體51E進行研磨，可減輕研磨之負載，而可製作無損傷之熱阻器1。

(第7實施形態)

圖12A至圖12D係表示本發明之第7實施形態之熱阻器之製造方法之剖視圖。再者，於第7實施形態中，與第2實施形態相同之符號為與第2實施形態相同之構成，因此省略其說明。

第2實施形態(圖4A至圖4C)之熱阻器之製造方法為單個熱阻器之製造方法，但第7實施形態之熱阻器之製造方法為複數個熱阻器之製造方法。

如圖12A所示，依序積層第1陶瓷層11、複數個內部電極30、第2陶瓷層12及複數個第1、第2外部電極21、22而製作積層體50F(積層步驟)。此時，將第1、第2、第3陶瓷層11、12、13形成為片狀。又，設置複數組與1個熱阻器1A之區域對應之內部電極30及第1、第2外部電極21、22，沿著LW面呈陣列狀地配置。積層體50F係以較與熱阻器1A之厚度T1(參照圖3)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指與熱阻器1A之厚度T1一致之值。

其後，如圖12B所示，對積層體50F進行燒成而製作燒成體51F(燒成步驟)。繼而，以燒成體51F之厚度成為目標值之方式對燒成體51F之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51F之研磨部分。

繼而，如圖12C所示，將具有目標值之厚度之燒成體51F按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22(即，每1個熱阻器1A之區域)予以切斷(切斷步驟)。即，複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22沿著LW面相鄰，且將該鄰接部分切斷。藉此，如圖12D所示，製作複數個熱阻器1A。

根據上述熱阻器1A之製造方法，具有與第2實施形態之熱阻器1A之製造方法相同之效果。尤其，藉由加厚片狀之積層體50F之厚度而減小積層體50F之縱橫比，從而抑制燒成中之積層體50F之翹曲之產生。又，由於在研磨步驟之後具有將燒成體51F按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22予以切斷之切斷步驟，故而藉由對切斷前之大塊之燒成體51F進行研磨，可提高生產性，並且可減輕研磨之負 載而製作無損傷之熱阻器1A。

(第8實施形態)

圖13A至圖13E係表示本發明之第8實施形態之熱阻器之製造方法之剖視圖。再者，於第8實施形態中，與第3實施形態相同之符號為與第3實施形態相同之構成，因此省略其說明。

第3實施形態(圖6A至圖6D)之熱阻器之製造方法為單個熱阻器之製造方法，但第8實施形態之熱阻器之製造方法為複數個熱阻器之製造方法。

如圖13A所示，依序積層第1陶瓷層11、複數個內部電極30、第2陶瓷層12及複數個第1、第2外部電極21、22，進而，以覆蓋複數個第1、第2外部電極21、22之方式，於第2陶瓷層12上積層第3陶瓷層13來製作積層體50G(積層步驟)。此時，將第1、第2、第3陶瓷層11、12、13形成為片狀。又，設置複數組與1個熱阻器1B之區域對應之內部電極30及第1、第2外部電極21、22，沿著LW面呈陣列狀地配置。積層體50G係以較與熱阻器1B之厚度T1(參照圖5)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指自熱阻器1B之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖13B所示，對積層體50G進行燒成而製作燒成體51G(燒成步驟)。繼而，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(保護步驟)。第1保護層41係形成為片狀。第1保護層41例如包含樹脂，且於貼附於第1陶瓷層11後硬化。

其後，如圖13C所示，以燒成體51G之厚度成為目標值之方式，對燒成體51G之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以使第1、第2外部電極21、22自第3陶瓷層13露出之方式，對第3陶瓷層13之一部分及第1、第2外部電極21、22之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51G之研磨部分。

其後，如圖13D所示，將具有目標值之厚度之燒成體51G，按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22(每1個熱阻器1B之區域)予以切斷(切斷步驟)。即，複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22沿著LW面相鄰，且將該鄰接部分切斷。藉此，如圖13E所示，製作複數個熱阻器1B。

根據上述熱阻器1B之製造方法，具有與第3實施形態之熱阻器1B之製造方法相同之效果。尤其，藉由加厚片狀之積層體50G之厚度來減小積層體50G之縱橫比，可抑制燒成中積層體50G產生翹曲。又，由於在研磨步驟之後具有將燒成體51G按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22切斷之切斷步驟，故藉由對切斷前之大塊之燒成體50G進行研磨，可提高生產性，並可減低研磨之負載而製作無損傷之熱阻器1B。又，由於在切斷步驟之前具有於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41之保護步驟，故容易將第1保護層41貼附於切斷前之大塊之燒成體51G。

(第9實施形態)

圖14A至圖14E係表示本發明之第9實施形態之熱阻器之製造方法之剖視圖。再者，於第9實施形態中，與第4實施形態相同之符號為與第4實施形態相同之構成，因此省略其說明。

第4實施形態(圖8A至圖8D)之熱阻器之製造方法為單個熱阻器之製造方法，但第9實施形態之熱阻器之製造方法為複數個熱阻器之製造方法。

如圖14A所示，依序積層第1陶瓷層11、複數個內部電極30、第2陶瓷層12、及複數個第1、第2外部電極21、22來製作積層體50H(積層步驟)。此時，將第1、第2、第3陶瓷層11、12、13形成為片狀。又，設置複數組與1個熱阻器1C之區域對應之內部電極30及第1、第2外部電極21、22，沿著LW面呈陣列狀地配置。積層體50H係以較與熱阻器 1C之厚度T1(參照圖7)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值係指自熱阻器1C之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖14B所示，對積層體50H進行燒成而製作燒成體51H(燒成步驟)。繼而，以燒成體51H之厚度成為目標值之方式，對燒成體51H之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式，對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51H之研磨部分。如此，如圖14C所示，製作具有目標值之厚度之燒成體51H。

其後，如圖14D所示，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(保護步驟)。第1保護層41係形成為片狀。第1保護層41例如包含樹脂，且係於貼附於第1陶瓷層11後硬化。

其後，將設置有第1保護層41之燒成體51H按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22(即，每1個熱阻器1C之區域)予以切斷(切斷步驟)。即，複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22沿著LW面相鄰，且將該鄰接部分切斷。藉此，如圖14E所示，製作複數個熱阻器1C。

根據上述熱阻器1C之製造方法，具有與第4實施形態之熱阻器1C之製造方法相同之效果。尤其，藉由加厚片狀之積層體50H之厚度而減小積層體50H之縱橫比，從而抑制燒成中之積層體50H之翹曲之產生。又，由於在研磨步驟之後具有將燒成體51H按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22予以切斷之切斷步驟，故而藉由對切斷前之大塊之燒成體51H進行研磨，可提高生產性，並且可減輕研磨之負載而製作無損傷之熱阻器1C。又，由於在切斷步驟之前具有於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41之保護步驟，故而容易將第1保護層41貼附於切斷前之大塊之燒成體51H。

(第10實施形態)

圖15A至圖15H係表示本發明之第10實施形態之熱阻器之製造方法之剖視圖。再者，於第10實施形態中，與第5實施形態相同之符號為與第5實施形態相同之構成，因此省略其說明。

第5實施形態(圖10A至圖10G)之熱阻器之製造方法為單個熱阻器之製造方法，但第10實施形態之熱阻器之製造方法為複數個熱阻器之製造方法。

如圖15A所示，依序積層第1陶瓷層11、複數個內部電極30、第2陶瓷層12及複數個第1、第2外部電極21、22而製作積層體50I(積層步驟)。此時，將第1、第2陶瓷層11、12形成為片狀。又，設置複數組與1個熱阻器1D之區域對應之內部電極30及第1、第2外部電極21、22，沿著LW面呈陣列狀地配置。積層體50I係以較與熱阻器1D之厚度T1(參照圖9)對應之目標值厚之方式形成。此處，所謂目標值大致為自熱阻器1D之厚度T1減去第1保護層41之厚度所得之值。

其後，如圖15B所示，對積層體50I進行燒成而製作燒成體51I(燒成步驟)。繼而，以燒成體51I之厚度成為目標值之方式對燒成體51I之一部分進行研磨(研磨步驟)。於該研磨步驟中，以不使內部電極30自第1陶瓷層11露出之方式對第1陶瓷層11之一部分進行研磨。圖中以影線表示燒成體51I之研磨部分。如此，如圖15C所示，製作具有目標值之厚度之燒成體51I。

其後，如圖15D所示，於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41，且以覆蓋第1、第2外部電極21、22之方式於第2陶瓷層12上設置第2保護層42(保護步驟)。第1、第2保護層41、42係形成為片狀。第1保護層41例如包含樹脂，且係於貼附於第1陶瓷層11後硬化。第2保護層42例如包含樹脂，且係於貼附於第2陶瓷層12後硬化。

其後，如圖15E所示，以使第1、第2外部電極21、22自第2保護層42露出之方式對第2保護層42之一部分及第1、第2外部電極21、22 之一部分進行研磨(保護層研磨步驟)。圖中以影線表示該研磨部分。如此，如圖15F所示，製作使第1、第2外部電極21、22自第2保護層42露出之燒成體51I。

其後，如圖15G所示，將設置有第1、第2保護層41、42之燒成體51I按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22(即，每1個熱阻器1D之區域)予以切斷(切斷步驟)。即，複數組內部電極30及第1、第2外部電極21、22沿著LW面相鄰，且將該鄰接部分切斷。

其後，如圖15H所示，於第1、第2外部電極21、22之上表面設置鍍敷層45而製作複數個熱阻器1D。再者，於切斷步驟後設置鍍敷層45，但亦可於切斷步驟前設置鍍敷層45。

根據上述熱阻器1D之製造方法，具有與第5實施形態之熱阻器1D之製造方法相同之效果。尤其，藉由加厚片狀之積層體50I之厚度而減小積層體50I之縱橫比，從而抑制燒成中之積層體50I之翹曲之產生。又，由於在研磨步驟之後具有將燒成體51I按每一組內部電極30及第1、第2外部電極21、22予以切斷之切斷步驟，故而藉由對切斷前之大塊之燒成體51I進行研磨，可提高生產性，並且可減輕研磨之負載而製作無損傷之熱阻器1D。又，由於在切斷步驟之前具有設置第1、第2保護層41、42之保護步驟，故而容易將第1、第2保護層41、42貼附於切斷前之大塊之燒成體51I。

再者，亦可於燒成步驟之後且研磨步驟之前，以覆蓋第1外部電極21及第2外部電極22之方式於第2陶瓷層12上設置第2保護層42(上側保護步驟)。藉此，可於加強燒成體51I之強度後進行研磨步驟，可抑制研磨步驟中之燒成體51I之裂紋。於此情形時，亦於研磨步驟之後於第1陶瓷層11之與內部電極30相反側設置第1保護層41(下側保護步驟)。

(第11實施形態)

圖16A係表示包含本發明之熱阻器之電子裝置之立體圖。圖16B係圖16A之A-A剖視圖。再者，於第11實施形態中，與第1實施形態相同之符號為與第1實施形態相同之構成，因此省略其說明。

如圖16A及圖16B所示，電子裝置為熱阻器感測器100。熱阻器感測器100具有第1實施形態之熱阻器1、及覆蓋熱阻器1之絕緣構件128。圖中，熱阻器1係以第1、第2外部電極21、22朝向下側之方式配置。再者，作為熱阻器，使用第1實施形態之熱阻器，但亦可使用第2至第5實施形態之任一熱阻器。

於熱阻器1之第1、第2外部電極21、22之下表面，分別依序形成例如鍍Sn層124a、鍍Ni層124b及鍍Cu層124c作為安裝用電極。進而，於鍍Cu層124c之下表面形成Cu箔126。

絕緣構件128與熱阻器1一併被覆鍍Sn層124a、鍍Ni層124b及鍍Cu層124c。絕緣構件128例如由包含環氧樹脂之不具有可撓性之絕緣性樹脂材構成。

熱阻器感測器100例如含有包含聚醯亞胺樹脂之短條狀之具有可撓性之絕緣性樹脂片130。於絕緣性樹脂片130上，例如將包含Cu箔之直線狀之具有可撓性之2條引線132隔開間隔地形成於絕緣性樹脂片130之寬度方向。於絕緣性樹脂片130之長度方向上之中間部及2條引線132之長度方向上之中間部，例如被覆有包含聚醯亞胺樹脂之具有可撓性之絕緣性樹脂材134。

熱阻器1之第1、第2外部電極21、22之各者經由鍍Sn層124a、鍍Ni層124b、鍍Cu層124c、Cu箔126、及導電性連接材140而電性連接於引線132之一端部。導電性連接材140例如為焊料等，且配置於引線132之一端部。

Cu箔126、引線132及導電性連接材140之周圍例如被包含環氧樹脂之不具有可撓性之絕緣性樹脂材142所被覆。熱阻器1經由絕緣性樹 脂材142而接著於絕緣性樹脂片130。

根據上述熱阻器感測器100，由於絕緣構件128覆蓋熱阻器1，故而可確保熱阻器1之強度及可靠性。

再者，本發明並不限定於上述實施形態，而能夠於不脫離本發明之主旨之範圍內進行設計變更。例如，亦可將第1至第11實施形態各自之特徵點進行各種組合。

於上述實施形態中，熱阻器係設為NTC熱阻器，但亦可設為PTC(Positive Temperature Coefficient，正溫度係數)熱阻器。

於上述第5實施形態中，將第2保護層設置於坯體之第1面上之除與第1、第2外部電極重疊之區域以外之整個區域，但亦可僅設置於坯體之第1面上之第1與第2外部電極之間之區域，可抑制第1、第2外部電極之遷移之產生。

於上述實施形態中，設置有研磨步驟，但亦可省略研磨步驟。即，亦可於以成為目標值之方式製作積層體後進行燒成而製造熱阻器。

於上述第11實施形態中，將電子裝置設為於可撓性之絕緣性樹脂片設置有熱阻器之熱阻器感測器(所謂之薄膜式熱阻器感測器)，但亦可為其他熱阻器感測器，或者亦可為熱阻器被絕緣構件所覆蓋之其他電子裝置。

1‧‧‧熱阻器

10‧‧‧坯體

10a‧‧‧第1面

10b‧‧‧第2面

21‧‧‧第1外部電極

22‧‧‧第2外部電極

30‧‧‧內部電極

L‧‧‧長度方向

T‧‧‧厚度方向

T1‧‧‧熱阻器之厚度

W‧‧‧寬度方向

Claims (7)

1. 一種熱阻器之製造方法，其包括：積層步驟，其係於厚度方向上至少依序積層第1陶瓷層、內部電極、第2陶瓷層、第1外部電極及第2外部電極來製作積層體；及燒成步驟，其係對上述積層體進行燒成而製作燒成體；且於上述燒成步驟之後，具備於厚度方向對上述燒成體之一部分進行研磨之研磨步驟；於上述積層步驟中，進而以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式，於上述第2陶瓷層上積層第3陶瓷層來製作上述積層體；於上述研磨步驟中，以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第3陶瓷層露出之方式，至少對上述第3陶瓷層之一部分進行研磨。
2. 如請求項1之熱阻器之製造方法，其中於上述燒成步驟與上述研磨步驟之間，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。
3. 一種熱阻器之製造方法，其包括：積層步驟，其係於厚度方向上至少依序積層第1陶瓷層、內部電極、第2陶瓷層、第1外部電極及第2外部電極來製作積層體；及燒成步驟，其係對上述積層體進行燒成而製作燒成體；且於上述燒成步驟之後，具備於厚度方向對上述燒成體之一部分進行研磨之研磨步驟；於上述研磨步驟中，以不使上述內部電極自上述第1陶瓷層露 出之方式，對上述第1陶瓷層之一部分進行研磨。
4. 如請求項3之熱阻器之製造方法，其中於上述研磨步驟之後，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。
5. 如請求項3之熱阻器之製造方法，其中於上述研磨步驟之後，具有：保護步驟，其係於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層，且以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式，於上述第2陶瓷層上設置第2保護層；及保護層研磨步驟，其係以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第2保護層露出之方式，至少對上述第2保護層之一部分進行研磨。
6. 如請求項3之熱阻器之製造方法，其中於上述研磨步驟之前，具有以覆蓋上述第1外部電極及上述第2外部電極之方式，於上述第2陶瓷層上設置第2保護層之上側保護步驟；於上述研磨步驟之後，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之下側保護步驟；且於上述下側保護步驟之後，具有以使上述第1外部電極及上述第2外部電極自上述第2保護層露出之方式，至少對上述第2保護層之一部分進行研磨之保護層研磨步驟。
7. 一種熱阻器之製造方法，其係製造複數個熱阻器者；其包括：積層步驟，其係於厚度方向上至少依序積層第1陶瓷層、內部電極、第2陶瓷層、第1外部電極及第2外部電極來製作積層體；及燒成步驟，其係對上述積層體進行燒成而製作燒成體；且於上述燒成步驟之後，具備於厚度方向對上述燒成體之一部 分進行研磨之研磨步驟；於上述積層步驟中，設置複數組與1個熱阻器之區域對應之上述內部電極、上述第1外部電極及上述第2外部電極；於上述研磨步驟之後，具有將上述燒成體按每1個熱阻器之區域切斷之切斷步驟；於上述燒成步驟與上述切斷步驟之間，具有於上述第1陶瓷層之與上述內部電極相反側設置第1保護層之保護步驟。