TWI585224B - 用於沉積薄膜之設備與方法 - Google Patents

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TWI585224B
TWI585224B TW101151154A TW101151154A TWI585224B TW I585224 B TWI585224 B TW I585224B TW 101151154 A TW101151154 A TW 101151154A TW 101151154 A TW101151154 A TW 101151154A TW I585224 B TWI585224 B TW I585224B
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Description

用於沉積薄膜之設備與方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年1月20日於韓國智慧財產局提出之申請案，案號10-2012-0006547之優先權效益，其全部內容將併於此作為參照。
於此描述的本發明概念係關於一種基板處理設備，且更具體地，係關於一種能沉積薄膜之設備。
於顯示裝置中，有機發光顯示裝置可使用有機發光元件，且可具有如廣視角、良好對比、快速反應速度及其相似之優點。為此，有機發光顯示裝置可做為下一代顯示裝置而受好評。
本發明提供一種改良的薄膜沉積設備。
本發明概念之例示性實施例提供一種薄膜沉積設備，其包含：基板支撐單元，係支撐基板；沉積源，係汽化沉積材料以供應沉積材料之蒸氣至基板之表面上；以及沉積源位移單元，係移動沉積源以使沉積源相對基板支撐單元位移。
於例示性實施例中，沉積源包含：汽化室，亦即，於其中沉積材料汽化以產生沉積材料之蒸氣的汽化室；噴嘴單元，具有輸出孔， 沉積材料之蒸氣係透過其而輸出至基板；蒸氣供應單元，連接汽化室及噴嘴單元且供應沉積材料之蒸氣至噴嘴單元；以及光線照射單元，係位於噴嘴單元之側邊且照射光以硬化沉積材料已沉積之基板之區域。
於例示性實施例中，基板支撐單元支撐基板於基板處於上-下方向之狀態。沉積源位移單元於於基板之上部及下部之間上-下方向位移沉積源，且光線照射單元係位於噴嘴單元之上側邊及下側邊之至少其一。
於例示性實施例中，基板支撐單元支撐基板以使欲沉積沉積材料之表面係直接朝下。噴嘴單元供應沉積材料之蒸氣至設置於基板支撐單元之下側邊之基板。光線照射單元係位於沿著沉積源之位移方向之噴嘴單元前面及後面之至少其一。
於例示性實施例中，光線照射單元照射紫外光。
於例示性實施例中，汽化室包含：容置室，具有內部空間；噴霧噴嘴，係與容置室結合且霧化液化沉積材料至容置室之內部空間；以及第一加熱器，圍繞容置室且加熱容置室之內部空間。
於例示性實施例中，汽化室更包含連接容置室及蒸氣供應單元且具有小於容置室之內徑之第一直徑之傳輸噴嘴。蒸氣供應單元包含具有第一區域、第二區域及第三區域之供應噴嘴。第一區域係結合至傳輸噴嘴且具有小於第一內徑之第二內徑。第二區域具有大於第二內徑之且小於容置室之內徑之第三內徑並與噴嘴單元結合。第三區域連接第一區域與第二區域且具有內徑。當第三區域變的更靠近第二區域，第三區域之內徑逐漸增加。
於例示性實施例中，蒸氣供應單元更包含：第二加熱器，圍繞該供應噴嘴以加熱供應噴嘴；以及冷卻塊，圍繞第二加熱器以冷卻第二加熱器之外圍區域。
於例示性實施例中，沉積源更包含使汽化室對於蒸氣供應單元相對位移之汽化室位移單元。蒸氣供應單元包含供應噴嘴，其係連接容置室與噴嘴單元且具有皺摺區域，皺摺區域之形狀依據汽化室之位移而變化。
於例示性實施例中，汽化室更包含：沉積材料供應單元，供應液化沉積材料至噴霧噴嘴；以及氣體供應單元，供應載送氣體至噴霧噴嘴。
本發明概念之例示性實施例亦提供一種薄膜沉積方法，其包含：汽化沉積材料以產生沉積材料之蒸氣並通過形成於噴嘴單元之輸出孔而輸出沉積材料之蒸氣至基板之表面。基板係固定，且噴嘴單元相對於基板位移以輸出沉積材料之蒸氣。
於例示性實施例中，噴嘴單元從基板之一端直線位移至基板之另一端。
於例示性實施例中，基板係被支撐處於上-下方向之一狀態，且噴嘴單元於基板之上部及下部之間位移。
於例示性實施例中，基板係設置以使沉積材料沉積之基板之表面直接朝下，且噴嘴單元於基板之下側邊位移。
於例示性實施例中，光線照射單元係準備於沿著噴嘴單元之位移方向之噴嘴單元之前面或背面之至少其一中，且光線照射單元與噴嘴單元一起位移以使光照射至沉積材料沉積之基板之區域。
於例示性實施例中，該光線照射單元照射紫外光。
於例示性實施例中，沉積材料係藉由霧化液化沉積材料至使用噴霧噴嘴之容置室且加熱容置室之內部空間而汽化，噴霧噴嘴之內徑係小於容置室之內徑。
於例示性實施例中，液化沉積材料係與載送氣體一起噴射至容置室之內部空間。
於例示性實施例中，載送氣體包含惰性氣體。
1000、1000’、1000”‧‧‧薄膜沉積設備
100‧‧‧基板支撐單元
110、291‧‧‧支撐板
200‧‧‧沉積源
210‧‧‧基底
220‧‧‧汽化室
221‧‧‧腔室
222‧‧‧容置室
225‧‧‧噴霧噴嘴
226‧‧‧沉積材料供應單元
231‧‧‧載送氣體供應單元
235‧‧‧傳輸噴嘴
237‧‧‧第一加熱器
238、252、266‧‧‧冷卻塊
240‧‧‧蒸氣供應單元
241‧‧‧供應噴嘴
242‧‧‧第一區域
243‧‧‧第二區域
244‧‧‧第三區域
243a‧‧‧皺摺區域
251‧‧‧第二加熱器
260‧‧‧噴嘴單元
261‧‧‧輸出噴嘴
262‧‧‧輸出孔
264‧‧‧第三加熱器
280、280a、280b‧‧‧光線照射單元
290‧‧‧汽化室位移單元
292‧‧‧導引軌道
300‧‧‧沉積源位移單元
A‧‧‧區域
D1‧‧‧第一內徑
D2‧‧‧第二內徑
D3‧‧‧第三內徑
Ds、Dc‧‧‧內徑
P‧‧‧基板
L‧‧‧液化沉積材料
S‧‧‧蒸氣
本發明之更完整評價及其更多隨附之優點將藉由參閱與附圖相關聯之下列詳細說明而變得更顯而易見且更好理解，其中相似參考符號代表相同或相似元件，其中：第1圖係表示根據本發明原則之實施例建構的薄膜沉積設備之斜視圖；第2圖係第1圖之薄膜沉積設備之剖面圖；第3圖係第2圖的區域A之放大圖；第4圖係描述根據本發明原則之實施例的薄膜沉積設備之薄膜沉積方法之示意圖；第5圖係根據本發明原則之另一實施例建構之薄膜沉積設備之斜視圖；第6圖係根據本發明原則之另一實施例建構之薄膜沉積設備之斜視圖；以及 第7圖係表示第6圖之沉積設備的薄膜之剖面圖。
於傳統有機發光顯示裝置中，可見光可藉由分別從陽極電極與陰極電極注入之電洞與電子於有機發光層結合而產生。可藉由於有機發光層、陽極電極與陰極電極間之間選擇性地插入例如電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層、電洞注入層等有機層而改進光發射特性。
有機發光顯示裝置之電極、有機發光層及有機層可以各種方式形成。方法之其一可為沉積法。使用沉積法，可供應沉積材料之蒸氣至基板，且沉積材料可藉由照射光於沉積材料沉積於其上之基板表面而硬化。薄膜沉積設備可包含沉積沉積材料之沉積單元及硬化沉積材料之硬化單元。沉積單元及硬化單元可於獨立腔室而實施。此會使設備總長度增加。特別是，於薄膜沉積設備處理大尺寸基板的例子中，會增加面積(foot print)與作業時間(tact time)。
本發明之概念現將參照其中繪示本發明概念之實施例之附圖而更充分地說明。然而，本發明之實施例可以許多不同形式實施且不應詮釋為受此處所述之實施例所限。相反地，此些實施例係提供以使得本揭露將徹底且完整，且將充分涵蓋本發明概念之範疇予所屬技術領域具有通常知識者。在圖式中，層及區域之尺寸與相對尺寸係為了清晰起見而誇大。整份說明書中相同之參考符號代表相同之元件。
其將理解的是，儘管於此可使用“第一(first)”、“第二(second)”及“第三(third)”等用語描述各個元件、構件、區域、層及/或部位，但此些元件、構件、區域、層及/或部位並不應侷限於此些用語。此 些用語僅係用以區分一元件、構件、區域、層或部位與另一元件、構件、區域、層或部位。因此，下述之第一元件、構件、區域、層或部位可描述為第二元件、構件、區域、層或部位，而不脫離本發明概念之教示。
空間相關用語，例如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“下(under)”、“上(above)”、“上(upper)”等可為了解釋方便而用以描述圖中所示之元件或特徵與其他元件或特徵間之關係。其將理解的是，除了圖式所繪示之定向以外，空間相關用語係旨在涵蓋裝置於使用或操作中之不同定向。舉例而言，當翻轉圖式中之裝置時，原本被描述為位於另一元件或特徵之“下(below)”或“下(beneath)”或“下(under)”之元件將接著定向為位於另一元件或特徵之“上(above)”。因此，例示性用語“下(below)”及“下(under)”可涵蓋上方及下方兩種定向。裝置亦可另外定向(旋轉90度或其他定向)，且在此使用之空間相關用語將作相對應之詮釋。此外，可以理解的是，當一層狀結構被稱為介於兩層結構之間時，其可為兩層結構之間僅有的層狀結構，或亦可存在一或多個中間層。
於此所使用之術語係僅用以描述特定之實施例之目的，且非旨在侷限本發明之實施例。當在此使用時，除非文字有另行清楚標示，否則單數形式“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”係旨在一併包含複數形式。將進一步理解的是，若在此使用時，用語“包括(comprises)”及/或“包含(comprising)”係指出提及之特徵、數字、步驟、作業、元件及/或構件之存在，但未排除其他一或多個特徵、數字、步驟、作業、元件、構件及/ 或其組合之存在或增加。另外，當於此使用時，詞彙“及/或”係包括一或多個相關列出項目之任何及所有組合。
其將理解的是，當一元件被稱為位於另一元件“上(on)”、“連接於(connected to)”、“耦接於(coupled to)”或“鄰接於(adjacent to)”另一元件時，其可直接位於其他原件上、連接於、耦接於或鄰接於其他元件，或可存在中介元件。反之，而當一元件被稱為“直接位於其上(directly on)”、“直接連接於(directly connected to)”、“直接耦接於(directly coupled to)”或“直接鄰接於(immediately adjacent to)”另一元件時，則中介元件並不存在。
除非另行定義，否則在此所使用之用語(包括技術及科學用語)具有與本發明所屬領域具有通常知識者一般理解之相同意思。且將進一步理解的是，例如一般使用字典中所定義之用語應解釋為具有與相關領域之意義相符之意義，且除非於此解釋地定義，否則將不予以理想化或過度正式化地詮釋。
第1圖係表示根據本發明原則之實施例建構的薄膜沉積設備之斜視圖。第2圖係第1圖之薄膜沉積設備之剖面圖。
參閱第1圖及第2圖，薄膜沉積設備1000可供應沉積材料之蒸氣至基板P以於基板P之一表面上形成薄膜。薄膜沉積設備1000可包含基板支撐單元100、沉積源200、及沉積源位移單元300。基板P可包含用於平面顯示裝置之基板、能形成複數個平面顯示裝置之母玻璃。沉積源200可汽化沉積材料以供應沉積材料之蒸氣至基板P。沉積材料可包含用於有機發光元件之有機薄膜材料。沉積材料可藉由混合電荷傳輸材 料、電荷產生材料及發光材料而提供。沉積源位移單元300可使沉積源200相對於基板支撐單元100而位移。於本說明書及後附之申請專利範圍中，詞彙”蒸氣”代表於氣態的液滴之膠體懸浮。
基板支撐單元100可為固定，且可支撐基板P。基板支撐單元100可包含矩形支撐板110，其具有寬於基板P之面積。基板P可固定於支撐板110之一表面以被支撐板110支撐。支撐板110可使用靜電力或機械力支撐基板P。支撐板110之一表面可設置於上-下方向以支撐基板P。基板P可藉由支撐板110於基板P站立於上-下方向之條件而被支撐。於本說明書及後附之申請專利範圍中，“上-下方向(up-and-down direction)”代表對齊重力場之重力方向之垂直方向。
沉積源200可位於基板支撐單元100之一側邊。沉積源200可位於鄰近支撐基板P之支撐板110之一表面。沉積源200可包含基底210、汽化室220、蒸氣供應單元240、噴嘴單元260、光線照射單元280及汽化室位移單元290。基底210可支撐沉積源之元件。組成元件220、240、260、280及290可安裝於基底210中。汽化室220可汽化沉積材料。蒸氣供應單元240可用沉積材料之蒸氣供應噴嘴單元260。噴嘴單元260可輸出沉積材料之蒸氣至基板P。光線照射單元280可照射光線至沉積材料已沉積之基板P之區域。汽化室位移單元290可使汽化室220相對於蒸氣供應單元240位移。
汽化室200可用沿著一方向設置於一排之複數個汽化室而形成。各汽化室220可汽化沉積材料以供應沉積材料之蒸氣至蒸氣供應單元240。後文中，汽化室220排列之方向可表示為第一方向X。當從上往 下看垂直於第一方向X之方向可表示為第二方向Y。垂直於第一方向X及第二方向Y之方向可表示為Z方向。第二方向Y可平行於汽化室220、蒸氣供應單元240及噴嘴單元260排列之方向。第三方向Z可平行於上-下方向。各汽化室220可配置以具有相同結構。
汽化室可包含腔室221、容置室222、噴霧噴嘴225、沉積材料供應單元226、載送氣體供應單元231、傳輸噴嘴235、第一加熱器237及冷卻塊238。
腔室221可提供內部空間。各種裝置可提供於腔室221內。容置室222可位於腔室221內。容置室222內可形成空間。容置室222之內部空間可提供作為沉積材料汽化為蒸氣之空間。噴霧噴嘴225可耦合於容置室222背面，且傳輸噴嘴235可耦合於容置室222前面。噴霧噴嘴225之內徑(inside diameter)Ds可小於容置室222之內徑Dc。噴霧噴嘴225可霧化液化的沉積材料以供應至容置室222之內部空間。噴霧噴嘴225可包含霧化器。
沉積材料供應單元226及載送氣體供應單元231可結合至噴霧噴嘴225。沉積材料供應單元226可供應液化之沉積材料至噴霧噴嘴225，且載送氣體供應單元231可供應載送氣體至噴霧噴嘴225。載送氣體可包含惰性氣體。噴霧噴嘴225可供應液化之沉積材料及載送氣體。
液化之沉積材料及載送氣體可於其通過噴霧噴嘴225時壓縮，且其體積可於其供應進容置室222時膨脹。因此，液化之沉積材料及載送氣體可被霧化。載送氣體可由高壓供應以防止噴霧噴嘴225被沉積材料堵塞。
第一加熱器237可提供以環繞容置室222。容置室222之內部空間可被第一加熱器237加熱。霧化之沉積材料可被第一加熱器237加熱以便於容置室222中包持蒸氣狀態。
容置室222之內壓力可正比於容置室222內沉積材料之蒸氣量。當容置室222之內壓力增加時，沉積材料之蒸氣可供應至傳輸噴嘴235。
第3圖係第2圖的區域A之放大圖。參閱第1圖至第3圖，傳輸噴嘴235可具有小於容置室222內徑Dc之第一內徑D1。當通過傳輸噴嘴235時，沉積材料之蒸氣可壓縮。
冷卻塊238可提供以環繞第一加熱器237。冷卻塊238可冷卻第一加熱器237之外圍區域。冷卻塊238可預防外部裝置被第一加熱器237加熱。
蒸氣供應單元240可分別連接至汽化室220。蒸氣供應單元240可設置於第二方向Y之汽化室220之前面。蒸氣供應單元240可包含供應噴嘴241、第二加熱器251及冷卻塊252。
供應噴嘴241可結合至傳輸噴嘴235。供應噴嘴241可具有第一區域242、第二區域243及第三區域244。第一區域242可連接至傳輸噴嘴235，且可具有小於傳輸噴嘴235之第一內徑D1之第二內徑D2。第二區域243可具有大於第一區域243之第二內徑D2且小於容置室222之內徑Dc之第三內徑D3。第三區域244可置於第一區域242及第二區域243之間，且可連接第一區域242及第二區域243。當越接近第二區域243，第三區域244之內徑可逐漸增加，正比於第二區域243與第三區域244之間 距。亦即，第三區域244可具有漏斗型狀。當通過第一區域242時，沉積材料之蒸氣可再次壓縮。當通過第三區域244及第二區域243時，沉積材料之蒸氣的體積可膨脹。沉積材料可於上述製程中處於蒸氣狀態。第二區域243可具有皺褶區域243a。皺褶區域243a之形狀可隨汽化室220之位移而變化。汽化室220可於蒸氣供應單元240於第一方向X位移時對準相同線。此時，皺褶區域243a之形狀可隨汽化室220之位移而變化。
第二加熱器251可提供於供應噴嘴241附近以圍繞供應噴嘴241。供應噴嘴241之內部可被第二加熱器251加熱。於供應噴嘴241之沉積材料之蒸氣可被第二加熱器251再次加熱以便保持蒸氣狀態。
冷卻塊252可提供以圍繞第二加熱器251。冷卻塊252可冷卻第二加熱器251之外圍區域。冷卻塊252可預防外部裝置被第二加熱器251加熱。
噴嘴單元260可設置於蒸氣供應單元240之前面，且可連接至蒸氣供應單元240。噴嘴單元260可包含輸出噴嘴261、第三加熱器264及冷卻塊266。
輸出噴嘴261可由設置平行於第一方向X之複數個輸出噴嘴形成。輸出噴嘴261可置於對應基板P之第一方向X寬度之範圍。輸出噴嘴261可連接至噴霧噴嘴241。輸出孔262可形成於輸出噴嘴261以便輸出沉積材料之蒸氣。沉積材料之蒸氣可供應至對應基板P之第一方向寬度之區域。
第三加熱器264可提供於輸出噴嘴261附近以圍繞輸出噴嘴261。輸出噴嘴261之內部可被第三加熱器264加熱。殘留於輸出噴嘴261之沉積材料之蒸氣可被第三加熱器264再次加熱以便保持蒸氣狀態。
冷卻塊266可提供以圍繞第三加熱器264。冷卻塊266可冷卻第三加熱器264之外圍區域。冷卻塊266可預防外部裝置被第三加熱器264加熱。
光線照射單元280可照射至基板P之沉積材料欲沉積之區域。光線照射單元280可用設置以於第一方向X分離之複數個光線照射單元而形成。光線照射單元280可設置於對應輸出噴嘴261於第一方向X設置的寬度之寬度內。光線照射單元280可置於噴嘴單元260之下部分以便與噴嘴單元260分離。光線照射單元280可照射紫外光。光線照射單元280包含紫外光發射二極體(UV LED)。設置於基板P上之沉積材料可藉由從光線照射單元280照射之光而硬化。
汽化室位移單元290可於第一方向X位移汽化室220以使汽化室220、蒸氣提供單元240及噴嘴單元260對準於相同線。汽化室位移單元290可包含支撐板291及導引軌道292。支撐板291可固定於基底210之上表面。支撐板291可沿第一方向X設置。導引軌道292可設於支撐板291，且可提供以於第一方向X移動。汽化室220可藉由導引軌道292之位移而對準。
沉積源位移單元300可位移沉積源200。沉積源位移單元300可將沉積源200進行掃描位移。沉積源位移單元300可與基底210結合且可位移基底210。於位移基底210、汽化室220、蒸氣供應單元240、噴 嘴單元260、光線照射單元280及汽化室位移單元290可如一整體般位移。沉積源位移單元300可於基板P之上部及下部之範圍位移沉積源200。當沉積源200位移時，沉積單元260可輸出沉積材料之蒸氣至基板P。光線照射單元280可跟著噴嘴單元260位移，以使光線照射至基板P之沉積材料欲沉積之區域。因為噴嘴單元260及光照射單元280一起位移，故沉積材料之沉積及硬化可同時執行。例如，沉積源位移單元300可包含沿第三方向Z設置之導引軌道，以使沉積源可於第三方向Z延導引軌道移動。
後文中，使用上述薄膜沉積設備之薄膜沉積方法將參考附圖而更完整描述。
第4圖係描述根據本發明概念之實施例的薄膜沉積設備之薄膜沉積方法之圖。
參閱第4圖，立於上-下方向之基板P可被支撐板110支撐。液化的沉積材料L可從沉積材料供應單元226供應，且載送氣體可從載送氣體供應單元231提供。載送氣體可為高壓氣體。當通過噴霧噴嘴225時，液化之沉積材料L及載送氣體可被壓縮，然後可供應進容置室222。當供應至容置室222時，液化之沉積材料L及載送氣體可膨脹以霧化。容置室222之內部空間可被第一加熱器237加熱。被加熱的霧化之沉積材料可於容置室222中保持蒸氣狀態。
容置室222之內壓可變得正比於殘留於容置室222之沉積材料之蒸氣量，以使沉積材料之蒸氣S流進傳輸噴嘴235。沉積材料之蒸氣S可依序供應至傳輸噴嘴235、供應噴嘴241及輸出噴嘴261。當通過傳 輸噴嘴235及供應噴嘴241時，沉積材料之蒸氣S可再次壓縮及再次膨脹。沉積材料之蒸氣S可藉由第一加熱器237、第二加熱器251及第三加熱器264而加熱以保持蒸氣狀態。沉積材料之蒸氣S可透過輸出噴嘴261之輸出孔262輸出而沉積於基板P上。
當沉積材料之蒸氣S輸出時，沉積源位移單元300可於第三方向Z位移沉積源200。沉積源位移單元300可將沉積源200沿第三方向Z從基板P之下部至其上部進行掃描位移。噴嘴單元260可從基板P之下部至其上部被直線位移以輸出沉積材料之蒸氣。從輸出噴嘴261輸出的沉積材料之蒸氣可於下至上方向沉積在基板P上。光線照射單元280可與輸出噴嘴261從輸出噴嘴261之下部一起位移以便照射紫外光至基板P之沉積材料沉積之區域。於一步驟中執行薄膜之形成及硬化製程可藉由沉積沉積材料之蒸氣S於基板P上，然後照射紫外光至基板P之沉積區域。
第5圖係根據本發明概念之另一實施例建構之薄膜沉積設備之斜視圖。
不像第1圖的薄膜沉積設備，參閱第5圖，光線照射單元280a及280b可提供於噴嘴單元260之上部及下部。若沉積源200從基板P之上區域降低至下區域，於噴嘴單元260之上部之光線照射單元280b可照射光線至沉積材料沉積之基板P之區域。若沉積源200從基板P之下區域上升至上區域，於噴嘴單元260之下部之光線照射單元280a可照射光線至沉積材料沉積之基板P之區域。因為位於噴嘴單元260之上部及下部之光線照射單元280a及280b根據沉積源200之位移方向而選擇性地照射光線，於處理複數個基板時可降低沉積源200之位移次數。
第6圖係根據本發明原則之另一實施例建構之薄膜沉積設備之斜視圖。第7圖係表示第6圖之沉積設備的薄膜之剖面圖。
參閱第6圖及第7圖，基板支撐單元100可固定於第三方向Z之沉積源200之上側邊。基板P可固定於基板支撐單元100之下表面。基板P可被支撐以使沉積材料沉積於其上之表面係直接朝下。
沉積源200可供應沉積材料之蒸氣S至基板P之下表面。汽化室220、蒸氣供應單元240及噴嘴單元260可依序設置於上及下方向。輸出噴嘴261之輸出孔262可設置以直接朝向基板P之下表面。沉積源位移單元300可直線位移沉積源200從基板P之一端至其另一端。光線照射單元280可預備於噴嘴單元260之前面及後面之至少其一。光線照射單元280可與輸出噴嘴261一起位移，且可照射光線至沉積材料將沉積之基板P之區域。
根據本發明概念之實施例之薄膜沉積設備可根據基板P的尺寸與重量而選擇性地使用。基板P的尺寸與重量可根據大尺寸顯示裝置之需求而增加。若由於大尺寸基板的重量，難以使用第7圖所述之基板支撐方法，基板可在如於第1圖至第5圖描述之站立的狀態被支撐。既然這樣，基板支撐單元100可支撐基板P而不受其重量影響。更進一步，其可預防基板P由於重量而彎曲。因此，沉積材料可均勻沉積於基板P之各區域上。
因為沉積源200可相對於固定的基板支撐單元100移動，故可能有效率的沉積沉積材料於大尺寸基板P上。不同的，若基板支撐單元100可相對於固定的沉積源200移動，則不容易位移大尺寸基板P。更 進一步，因為沉積材料的沉積及硬化係依序執行於腔室內，其可降低設備的體積及作業時間。
以上所述內容僅為舉例性，而非為限制性者，且符合本發明之精神與範疇下而進行之任何修改，均應包含於後附之申請專利範圍中。因此，為了最大化允許之範圍，本發明之範疇係依據申請專利範圍及其等效物之廣義允許解釋，且不應侷限或限制於上述之具體描述。
1000‧‧‧薄膜沉積設備
200‧‧‧沉積源
210‧‧‧基底
220‧‧‧汽化室
221‧‧‧腔室
240‧‧‧蒸氣供應單元
252、266‧‧‧冷卻塊
260‧‧‧噴嘴單元
262‧‧‧輸出孔
280‧‧‧光線照射單元
290‧‧‧汽化室位移單元
300‧‧‧沉積源位移單元
P‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種薄膜沉積設備，其包含：一基板支撐單元，係支撐一基板；一沉積源，係汽化一沉積材料以供應該沉積材料之蒸氣至該基板之表面上；以及一沉積源位移單元，係移動該沉積源以使該沉積源相對該基板支撐單元位移，其中，該沉積源包含：一汽化室，該沉積材料係於其中汽化以產生該沉積材料之蒸氣；一噴嘴單元，具有複數個輸出孔，該沉積材料之蒸氣係透過該複數個輸出孔而輸出至該基板；一蒸氣供應單元，連接該汽化室及該噴嘴單元且供應該沉積材料之蒸氣至該噴嘴單元；一光線照射單元，係位於該噴嘴單元之一側邊且照射光線以硬化該沉積材料沉積之該基板之一區域；以及一汽化室位移單元，使該汽化室對於該蒸氣供應單元相對位移，且該汽化室、該蒸氣供應單元及該噴嘴單元對齊於同一軸線上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該基板支撐單元支撐該基板於基板處於一上-下方向之一狀態，該沉 積源位移單元於該基板之一上部及一下部之間以該上-下方向位移該沉積源，且該光線照射單元係位於該噴嘴單元之一上側邊及一下側邊之至少其一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該基板支撐單元支撐該基板以使欲沉積該沉積材料之一表面係直接朝下，該噴嘴單元供應該沉積材料之蒸氣至設置於該基板支撐單元之一下側邊之該基板，且該光線照射單元係位於沿著該沉積源之一位移方向之該噴嘴單元前面及後面之至少其一中。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該光線照射單元照射紫外光。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該汽化室包含：一容置室，具有一內部空間；一噴霧噴嘴，係與該容置室結合且霧化一液化沉積材料至該容置室之該內部空間；以及一第一加熱器，圍繞該容置室且加熱該容置室之該內部空間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜沉積設備，其中該汽化室更包含連接該容置室及該蒸氣供應單元且具有小於該容置室之一內徑之一第一內徑之一傳輸噴嘴；以及 其中該蒸氣供應單元包含具有一第一區域、一第二區域及一第三區域之一供應噴嘴，該第一區域係結合至該傳輸噴嘴且具有小於該第一內徑之一第二內徑，該第二區域具有大於該第二內徑之且小於該容置室之該內徑之一第三內徑並與該噴嘴單元結合，以及該第三區域連接該第一區域與該第二區域且具有一內徑，當該第三區域變的更靠近該第二區域，該第三區域之該內徑逐漸增加。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜沉積設備，其中該蒸氣供應單元更包含：一第二加熱器，圍繞該供應噴嘴以加熱該供應噴嘴；以及一冷卻塊，圍繞該第二加熱器以冷卻該第二加熱器之一外圍區域。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜沉積設備，其中該蒸氣供應單元包含一供應噴嘴，其係連接該容置室與該噴嘴單元且具有一皺摺區域，該皺摺區域之形狀依據該汽化室之位移而變化。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜沉積設備，其中該汽化室更包含： 一沉積材料供應單元，供應該液化沉積材料至該噴霧噴嘴；以及一氣體供應單元，供應一載送氣體至該噴霧噴嘴。
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