KR101549116B1 - 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법 - Google Patents

화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법 Download PDF

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이재호
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Abstract

본 발명은 화학 기상 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면 증착챔버와; 증착챔버의 내부에 위치하며 기판이 안착되는 기판 안착부와; 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 개시제를 공급하는 개시제 공급부와; 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 모노머(monomer)를 공급하는 모노머 공급부와; 증착챔버에 결합되며, 개시제 공급부 및 모노머 공급부로부터 공급받은 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 기판의 상부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 분사부와; 기판 상부에 위치하며, 분사부를 통해 분사된 혼합 액적이 통과함에 따라 상기 혼합 액적을 가열하여 기화시키는 가열부를 포함하는, 화학 기상 증착 장치가 제공된다.

Description

화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법 {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD}
본 발명은 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 액상의 개시제 및 액상의 모노머를 증착챔버 내부로 분사한 후 증발시킴으로써 증착챔버 내부에 분사되는 개시제 및 모노머의 분사량을 증가시키고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판의 박막 증착 시간을 단축시켜 공정 택 타임(tack time)을 줄일 수 있는 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있으며, 이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두 되고 있다.
한편, 유기 전계 발광 소자의 제조 공정 중 봉지 공정에 이용되는 봉지박막, 박막트랜지스터(thin film transistor)에 이용되는 절연막 등의 박막을 형성하기 위해 개시제를 이용한 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition, iCVD)이 사용될 수 있다.
개시제를 이용한 화학 기상 증착 방법은 개시제(initiator)와 모노머(monomer, 단량체)를 기화하여 기상에서 중합 반응이 이루어지게 함으로써 기판의 표면에 폴리머(poymer)를 증착하는 방법이다.
이러한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 방법의 경우 폴리머(polymer)를 형성하는 모노머 및 모노머의 연쇄반응을 개시시키기 위해 사용되는 개시제는 기상으로 증착챔버 내부로 분사되고 기판 표면에 증착되어 중합 반응에 의한 폴리머를 형성한다.
그러나, 기판이 대형화되고 있는 실정에서 기판의 증착을 위하여 더 많은 양의 개시제 및 모노머가 소요되고, 기상의 개시제 및 기상의 모노머 분사 방식은 증착챔버 내부로의 분사량이 적어 대면적 기판의 경우 박막을 증착하기 위한 증착 시간이 길어져서, 공정 택 타임(tact time)이 증가하는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제10- 2011-0049571호(2011. 05. 12 공개)
본 발명은, 액상의 개시제 및 액상의 모노머를 증착챔버 내부로 분사한 후 증발시킴으로써 증착챔버 내부에 분사되는 개시제 및 모노머의 분사량을 증가시키고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판의 박막 증착 시간을 단축시켜 공정 택 타임(tack time)을 줄일 수 있는 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 증착챔버와; 증착챔버의 내부에 위치하며 기판이 안착되는 기판 안착부와; 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 개시제를 공급하는 개시제 공급부와; 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 모노머(monomer)를 공급하는 모노머 공급부와; 증착챔버에 결합되며, 개시제 공급부 및 모노머 공급부로부터 공급받은 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 기판의 상부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 분사부와; 기판 상부에 위치하며, 분사부를 통해 분사된 혼합 액적이 통과함에 따라 상기 혼합 액적을 가열하여 기화시키는 가열부를 포함하는, 화학 기상 증착 장치가 제공된다.
화학 기상 증착 장치는 분사부에 연결되어 캐리어 가스(carrier gas)를 분사부로 공급하는 캐리어 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
캐리어 가스는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)일 수 있다.
분사부는, 상기 혼합액이 토출되는 내측노즐과, 내측노즐이 삽입되어 배치되며, 내주면과 내측노즐의 외주면 사이를 따라 캐리어 가스가 토출되는 외측노즐을 구비하는 분사노즐을 포함할 수 있다.
가열부는, 혼합 액적이 기화되도록 가열하여 개시제 기상 입자와 모노머 기상 입자를 생성하는 제1 가열부와; 제1 가열부 하측에 위치하며, 개시제 기상 입자를 가열하여 활성화시키는 제2 가열부를 포함할 수 있다.
제1 가열부의 가열 온도는 제2가열부의 가열 온도 보다 높을 수 있다.
제1 가열부 및 제2 가열부 각각은, 일정 간격으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 열선을 포함할 수 있다.
제1 가열부의 열선의 이격 거리는, 제2 가열부의 열선의 이격 거리 보다 클 수 있다.
가열부는, 제2 가열부 하측에 위치하며, 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 가열하여 냉각을 방지하는 제3 가열부를 포함할 수 있다.
제3 가열부는, 일정 간격으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 열선을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 분사부를 통해 증착챔버 내부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 단계와; 분사된 혼합 액적을 증착챔버 내부에 배치되는 가열부를 통과시켜 기화시키는 단계와; 혼합 액적이 기화되어 형성된 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 기판 상에 증착시켜 폴리머(polymer) 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 화학 기상 증착 방법이 제공된다.
혼합 액적의 기화 단계는, 혼합 액적을 증착챔버 내부에 결합되는 제1 가열부 및 제2 가열부를 순차적으로 통과시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 액상의 개시제 및 액상의 모노머를 증착챔버 내부로 분사한 후 증발시킴으로써 증착챔버 내부에 분사되는 개시제 및 모노머의 분사량을 증가시키고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판의 박막 증착 시간을 단축시켜 공정 택 타임(tack time)을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 분사노즐을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 가열부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 방법의 순서도이다.
이하, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부한 도면을 참조하여 설명함에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 분사노즐을 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 가열부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3에는, 증착챔버(10), 기판 안착부(50), 기판(30), 분사부(100), 내측노즐(110), 외측노즐(130), 가열부(200), 제1 가열부(210), 열선(215, 235, 255), 제2 가열부(230), 제3 가열부(250), 개시제 공급부(310), 모노머 공급부(330), 캐리어 가스 공급부(350)가 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는, 증착챔버(10)와; 증착챔버(10)의 내부에 위치하며 기판(30)이 안착되는 기판 안착부(50)와; 증착챔버(10)의 외부에 마련되며, 액상의 개시제를 공급하는 개시제 공급부(310)와; 증착챔버(10)의 외부에 마련되며, 액상의 모노머(monomer)를 공급하는 모노머 공급부(330)와; 증착챔버(10)에 결합되며, 개시제 공급부(310) 및 상기 모노머 공급부(330)로부터 공급받은 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 기판(30)의 상부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 분사부(100)와; 기판(30) 상부에 위치하며, 분사부(100)를 통해 분사된 혼합 액적이 통과함에 따라 상기 혼합 액적을 가열하여 기화시키는 가열부(200)를 포함하여, 액상의 개시제 및 액상의 모노머를 증착챔버(10) 내부로 분사한 후 증발시킴으로써 증착챔버(10) 내부에 분사되는 개시제 및 모노머의 분사량을 증가시키고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판(30)의 박막 증착 시간을 단축시킬 수 있다.
증착챔버(10)는 그 내부에서 기판(30)에 대한 박막 증착이 이루어지는 곳으로, 진공 펌프(미도시)에 의하여 내부가 진공 상태로 유지될 수 있으며, 대기압 상태에서 박막 증착이 이루어지는 경우에는 내부가 대기압 상태로 유지되는 것도 가능하다.
기판 안착부(50)는 증착챔버(10)의 내부에 위치하며 기판(30)이 안착된다. 기판 안착부(50)는 증착챔버(10)의 하부에 위치하며, 기판(30)의 하면을 지지한다.
개시제 공급부(310)는 증착챔버(10)의 외부에 마련되며, 액상의 개시제를 공급한다. 개시제 공급부(310)는 액체 상태의 개시제를 저장하고 있다가, 증착공정을 진행하기 위하여 후술할 분사부(100)에 액상의 개시제를 공급한다.
개시제(initiator)는 본 발명의 공정에서 모노머(monomer)가 폴리머(polymer)를 형성할 수 있도록 첫 반응의 활성화를 유도하는 물질이다. 본 실시예의 개시제는 열 개시제 또는 UV 개시제 등이 적용될 수 있으나, 열 공급에 의해 분해되어 모노머를 활성화시킬 수 있는 개시제이면 물질이 특별히 한정되지 않는다.
모노머 공급부(330)는 증착챔버(10)의 외부에 마련되며, 액상의 모노머를 공급한다. 모노머 공급부(330)는 모노머를 액체 상태로 저장하고 있다가, 증착공정을 진행하기 위하여 후술할 분사부(100)에 액상의 모노머를 공급한다.
모노머는 폴리머 형성을 위해 사용될 수 있는 단위체이며, 개시제에 의해 활성화될 수 있는 물질이면 특별히 한정되지 않는다.
액상의 개시제 및 액상의 모노머의 공급은 펌프에 의한 공급 방법 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.
분사부(100)는 증착챔버(10)에 결합되며, 개시제 공급부(310) 및 모노머 공급부(330)로부터 공급받은 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 기판(30)의 상부로 분사하여 혼합 액적을 생성한다.
본 실시예에서는 분사부(100)가 증착챔버(10) 상부에 결합되어 기판 안착부(50) 상부에 위치하는 가열부(200) 상부에 혼합액적을 넓게 분포시켜 분사하도록 구성하였다.
개시제와 모노머의 액체 상태의 혼합액은 분사부(100)를 거치면서 미세한 물방울 형태의 액적(atomozied drops) 상태로 변환되어 기판(30) 상부로 분사된다.
한편, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는, 분사부(100)에 연결되어 캐리어 가스(carrier gas)를 분사부(100)로 공급하는 캐리어 가스 공급부(350)를 더 포함할 수 있다.
분사부(100)로 공급되는 캐리어 가스는 개시제와 모노머의 혼합액을 운반하여 증착챔버(10) 내부로 분사시킨다.
캐리어 가스는 개시제와 모노머 혼합액을 증착챔버(10) 내부로 운반하여 분사시키기 위한 운반 매체로 불활성 기체나 혼합액과 반응하지 않는 가스 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 가스는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)일 수 있으나, 이러한 가스의 종류에 의해 한정되는 것은 아니며 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 분사부(100)는, 혼합액이 토출되는 내측노즐(110)과, 내측노즐(110)이 삽입되어 배치되며, 내주면과 내측노즐(110)의 외주면 사이를 따라 캐리어 가스가 토출되는 외측노즐(130)을 구비하는 분사노즐을 포함 할 수 있다.
내측노즐(110)은, 개시제 공급부(310)와 모노머 공급부(330)로부터 공급받은 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액이 이동하며 증착챔버(10) 측벽을 관통하는 내측노즐 바디(111)와, 일단이 내측노즐 바디(111)와 연통되고 타단이 증착챔버(10) 내부를 향해 위치하여 혼합액을 기판(30) 상부로 분사하는 내측노즐 팁(113)을 포함한다.
외측노즐(130)은, 캐리어 가스가 이동하며 증착챔버(10) 측벽을 관통하는 외측노즐 바디(131)와, 일단이 외측노즐 바디(131)와 연통되고 타단이 증착챔버(10) 내부를 향해 위치하여 캐리어 가스를 기판(30) 상부로 분사하는 외측노즐 팁(133)을 포함한다.
혼합액은 내측노즐(110)로 공급되고, 캐리어 가스는 외측노즐(130)의 내주면과 내측노즐(110)의 외주면 사이에 공급되어, 분사노즐의 선단에서 동시에 분출되는데, 외측노즐 팁(133)에서 분출되는 캐리어 가스가 내측노즐 팁(113)에서 분출되는 혼합액에 충격을 가하면서 개시제와 모노머 혼합액을 더욱 미세한 혼합 액적으로 변환시키게 된다.
한편, 가열부(200)는 기판(30) 상부에 위치하며, 분사부(100)를 통해 분사된 혼합 액적이 통과함에 따라 상기 혼합 액적을 가열하여 기화시킨다. 분사된 혼합 액적은 중력에 의해 증착챔버(10) 상부에서 하부로 하강하면서 가열부(200)를 통과하는데, 혼합 액적이 가열부(200)를 통과하면서 가열되어 기화된다.
가열부(200)는, 혼합 액적이 기화되도록 가열하여 개시제 기상 입자와 모노머 기상 입자를 생성하는 제1 가열부(210)와, 제1 가열부(210) 하측에 위치하며 개시제 기상 입자를 가열하여 활성화 시키는 제2 가열부(230)를 포함할 수 있다.
제1 가열부(210)는 혼합 액적이 기화되도록 가열하여 기체 상태의 개시제 기상 입자와 모노머 기상 입자를 생성한다. 제1 가열부(210)는 증착챔버(10) 내에 혼합 액적이 분사되는 분사영역 하부에 위치하며, 분사되어 하강하는 혼합 액적을 가열하여 기화시킨다.
제2 가열부(230)는 제1 가열부(210) 하측에 위치하는데, 제1 가열부(210)를 통과하여 기화된 개시제 기상 입자가 제2 가열부(230)를 다시 통과하면서 재가열되고 열분해되어 개시제 기상 입자가 활성화된다. 제1 가열부(210)의 가열 온도는 제2 가열부(230)의 가열 온도 보다 높을 수 있다. 혼합 액적을 기화시키기 기화열이 개시제를 활성화시키기 위한 분해열보다 크기 때문이다.
한편, 제2 가열부(230)의 하부에는 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 가열하여 냉각을 방지하는 제3 가열부(250)가 배치될 수 있다. 제3 가열부(250)는 활성된 개시제 기상 입자의 온도가 떨어지는 것을 방지하여 안정적으로 기판(30)에 폴리머 박막 증착이 이루어질 수 있도록 한다.
제1 가열부(210) 및 제2 가열부(230) 각각은, 일정 간격으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 열선(215, 235)을 포함할 수 있다. 제1 가열부(210)의 열선(215)은 기판(30)에 대향하여 혼합 액적이 통과하도록 증착챔버(10) 내부에 일 방향을 따라 배치될 수 있으며, 제2 가열부(230)의 열선(235)은 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자가 통과하도록 증착챔버(10) 내부에 일 방향을 따라 배치될 수 있다.
복수 개의 제1 가열부(210)의 열선(215)과 복수 개의 제2 가열부(230)의 열선(235)은 서로 평행하게 배치될 수 있으며, 서로 교차하도록 배치될 수도 있다.
제3 가열부(250)의 열선(255)은 기판(30)에 대향하여 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자가 통과하도록 증착챔버(10) 내부에 일 방향을 따라 배치된다.
이와 같이. 개시제와 모노머를 액상의 형태로 증착챔버(10) 내부로 분사하여 종래의 기상의 분사 방식에 비해 증착챔버(10) 내부에 분사되는 개시제와 모노머의 분사량을 늘릴 수 있고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판(30)의 박막 증착 시간을 단축시켜 공정 택 타임(tack time)을 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 방법의 순서도이다. 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 방법은, 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 분사부(100)를 통해 증착챔버(10) 내부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 단계와; 분사된 혼합 액적을 상기 증착챔버(10) 내부에 배치되는 가열부(200)를 통과시켜 기화시키는 단계와; 혼합 액적이 기화되어 형성된 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 기판(30) 상에 증착시켜 폴리머(polymer) 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
이하에서는 도 1을 참고하여 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 증착챔버(10) 외부에 마련되는 개시제 공급부(310) 및 모노머 공급부(330)를 통하여 분사부(100)에 액상의 개시제 및 액상의 모노머가 공급된다(S400).
공급된 액상의 개시제 및 액상의 모노머의 혼합액이 분사부(100)를 통해 증착챔버(10) 내부에 위치하는 기판(30) 상부로 분사되어, 개시제 및 모노머의 혼합 액적의 형태로 변환된다(S500).
분사된 혼합 액적은 중력에 의해 하강하여, 가열부(200)를 통과하면서 혼합 액적이 가열부(200)에 의해 가열되어 기화된다(S600).
상기 기화시키는 단계(S600)는 혼합 액적을 증착챔버(10) 내부에 결합되는 제1 가열부(210) 및 제2 가열부(230)를 순차적을 통과시키는 단계를 포함할 수 있다.
분사부(100)에 의해 기판(30) 상부로 분사된 혼합 액적은 중력에 의해 하강됨에 따라, 제1 가열부(210) 및 제2 가열부(230)를 순차적으로 통과하는데, 제1 가열부(210)를 통과하면서 혼합 액적이 기화되어 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 생성하며, 제2 가열부(230)를 통과하면서 개시제 기상 입자가 열분해되어 활성화된다.
가열부(200)를 통과하면서 생성된 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자는 기판 안착부(50)에 안착되는 기판(30)의 표면에 증착되고, 중합 반응에 의해 기판(30)의 표면에 폴리머 박막이 형성된다(S700).
이와 같이. 개시제와 모노머를 액상의 형태로 증착챔버(10) 내부로 분사하여 종래의 기상의 분사 방식에 비해 증착챔버(10) 내부에 분사되는 개시제와 모노머의 분사량을 늘릴 수 있고, 개시제 및 모노머의 분사량이 증가됨에 따라 기판(30)의 박막 증착 시간을 단축시켜 공정 택 타임(tack time)을 줄일 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
10: 증착챔버 50: 기판 안착부
30: 기판 100: 분사부
110: 내측노즐 130: 외측노즐
200: 가열부 210: 제1 가열부
215, 235, 255: 열선 230: 제2 가열부
250: 제3 가열부 310: 개시제 공급부
330: 모노머 공급부 350: 캐리어 가스 공급부

Claims (12)

  1. 증착챔버와;
    상기 증착챔버의 내부에 위치하며 기판이 안착되는 기판 안착부와;
    상기 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 개시제를 공급하는 개시제 공급부와;
    상기 증착챔버의 외부에 마련되며, 액상의 모노머(monomer)를 공급하는 모노머 공급부와;
    상기 증착챔버에 결합되며, 상기 개시제 공급부 및 상기 모노머 공급부로부터 공급받은 액상의 상기 개시제와 액상의 상기 모노머의 혼합액을 상기 기판의 상부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 분사부와;
    상기 기판 상부에 위치하며, 상기 분사부를 통해 분사된 상기 혼합 액적이 통과함에 따라 상기 혼합 액적을 가열하여 기화시키는 가열부를 포함하는, 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분사부에 연결되어 캐리어 가스(carrier gas)를 상기 분사부로 공급하는 캐리어 가스 공급부를 더 포함하며,
    상기 분사부로 공급되는 상기 캐리어 가스에 의해 상기 혼합액이 분사되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 캐리어 가스는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 분사부는,
    상기 혼합액이 토출되는 내측노즐과, 상기 내측노즐이 삽입되어 배치되며, 내주면과 상기 내측노즐의 외주면 사이를 따라 상기 캐리어 가스가 토출되는 외측노즐을 구비하는 분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는,
    상기 혼합 액적이 기화되도록 가열하여 개시제 기상 입자와 모노머 기상 입자를 생성하는 제1 가열부와;
    상기 제1 가열부 하측에 위치하며, 상기 개시제 기상 입자를 가열하여 활성화시키는 제2 가열부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 가열부의 가열 온도는 상기 제2 가열부의 가열 온도 보다 높은 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부 각각은, 일정 간격으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 가열부의 열선의 이격 거리는, 상기 제2 가열부의 열선의 이격 거리 보다 큰 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 가열부는,
    상기 제2 가열부 하측에 위치하며, 상기 개시제 기상 입자 및 상기 모노머 기상 입자를 가열하여 냉각을 방지하는 제3 가열부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 가열부는, 일정 간격으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 장치.
  11. 액상의 개시제와 액상의 모노머의 혼합액을 분사부를 통해 증착챔버 내부로 분사하여 혼합 액적을 생성하는 단계와;
    상기 분사된 혼합 액적을 상기 증착챔버 내부에 배치되는 가열부를 통과시켜 기화시키는 단계와;
    상기 혼합 액적이 기화되어 형성된 개시제 기상 입자 및 모노머 기상 입자를 기판 상에 증착시켜 폴리머(polymer) 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 화학 기상 증착 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기화시키는 단계는,
    상기 혼합 액적을 상기 증착챔버 내부에 결합되는 제1 가열부 및 제2 가열부를 순차적으로 통과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190057468A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 한국과학기술원 서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법
WO2021167194A1 (ko) * 2020-02-21 2021-08-26 한국과학기술원 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(scvd)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치
KR20210106872A (ko) * 2020-02-21 2021-08-31 한국과학기술원 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(sCVD)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013139620A (ja) 2011-12-28 2013-07-18 Samsung Display Co Ltd 薄膜蒸着装置及びそれを利用した薄膜蒸着方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013139620A (ja) 2011-12-28 2013-07-18 Samsung Display Co Ltd 薄膜蒸着装置及びそれを利用した薄膜蒸着方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190057468A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 한국과학기술원 서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법
KR102111835B1 (ko) 2017-11-20 2020-05-15 한국과학기술원 서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법
WO2021167194A1 (ko) * 2020-02-21 2021-08-26 한국과학기술원 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(scvd)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치
KR20210106872A (ko) * 2020-02-21 2021-08-31 한국과학기술원 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(sCVD)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치
JP2022524666A (ja) * 2020-02-21 2022-05-10 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 硫黄を開始剤として使用した化学気相蒸着（ｓＣＶＤ）を用いた高分子膜とその製造方法及び製造装置
JP7089073B2 (ja) 2020-02-21 2022-06-21 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 硫黄を開始剤として使用した化学気相蒸着（ｓＣＶＤ）を用いた高分子膜とその製造方法及び製造装置
KR102443090B1 (ko) * 2020-02-21 2022-09-14 한국과학기술원 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(sCVD)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치

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