TWI569078B - An electrode substrate, a display device including the same, and a touch panel - Google Patents

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Description

電極基板及具備其之顯示裝置以及觸控面板
本發明係關於一種電極基板、具備該電極基板的顯示裝置以及觸摸面板。尤其關於防止佈線剝離之對策。
近年來，正在開發藉由使觀察者的左右眼分別識別從不同視點看到之像而給予視差進行3D顯示(立體三維顯示)的液晶顯示裝置，其中一部份已產品化。
作為如此之液晶顯示裝置例如有：將光之透過區域和遮斷區域交替形成為條狀之視差屏障與液晶顯示面板加以組合，藉由該視差屏障對液晶顯示面板所顯示之右眼用影像和左眼用影像分別給予特定的能見角，只要是從空間內特定的觀察區域，便能夠識別對應於左右眼之像，觀察者即使不使用過濾系統等視覺補助工具，也能夠識別3D顯示。
以下2D/3D切替型液晶顯示裝置(例如參照專利文獻1)已為公眾所知曉。即，藉由由切換液晶面板構成切換視差屏障機能之有效和無效的機構，而能夠於3D顯示和2D顯示(平面二維顯示)之間進行切換。
切換液晶面板，係一對基板經框狀密封材貼合在一起，將液晶層封入該密封材內側而構成者。於構成該切換液晶面板的兩枚基板之相對的內側表面且與顯示區域相對應的視差屏障區域，設置有用於切換視差屏障功能的開關電極。引出佈線的一端部重疊連接在開關電極上。引出佈線，係沿著視差屏障區域外側的額緣區域延伸並引出至基 板緣部，其引出頂端部構成外部連接端子，經該外部連接端子與外部電路連接。
近年來，觸摸面板係作為輸入裝置廣泛應用於液晶顯示裝置等顯示裝置。上述輸入裝置係藉由用手指或筆等在該顯示畫面上進行各種操作而將資訊輸入顯示裝置。
觸摸面板按照其工作原理分為電阻膜方式、靜電電容方式、紅外線方式、超音波方式、電磁感應方式等。眾所周知，其中的靜電電容方式觸摸面板，因其會使顯示裝置的光學特性較難以損失，非常適合顯示裝置上使用。
在靜電電容方式觸摸面板上且對應於顯示區域的觸摸區域設置有用於檢測觸摸位置的觸摸檢測電極。引出佈線的一端部與觸摸檢測電極重疊連接。引出佈線係沿觸摸區域外側的額緣區域延伸且被引出至基板緣部，其引出頂端部構成外部連接端子，經該外部連接端子與外部電路連接。
上述切換液晶面板、觸摸面板中，為能夠識別顯示影像，需要對應於顯示區域之區域(視差屏障區域、觸摸區域)是透明的。位於該區域的開關電極、觸摸檢測電極係由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，以下稱其為ITO)等透明導電性氧化物形成。另一方面，因為位於與非顯示區域相對應之區域的引出佈線不是遮蔽顯示影像的佈線，所以不需要該引出佈線是透明的，為了防止在由透明導電性氧化物形成的開關電極與觸摸檢測電極的連接部份發生電觸反應，該引出佈線之材料適於採用：鈦(Ti)、鉬(Mo)等高熔點金屬(參照例如專利文獻2、3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本公開特許公報特開2004-139054號公報
[專利文獻2]：日本公開特許公報特開2002-222954號公報(段落0020欄)
[專利文獻3]：日本公開特許公報特開2006-47985號公報(段落0117~0119欄)
然而，如上所述，於構成切換液晶面板、觸摸面板等之電極基板上，係由透明導電性氧化物形成開關電極、觸摸檢測電極作為透明電極、由高熔點金屬形成引出佈線之情形，存在引出佈線易於自該透明電極上剝離之問題。
本申請發明人對如此之電極基板做了各種研究探討。結果發現上述問題之原因係為：形成透明電極之透明導電性氧化物和形成引出佈線之高熔點金屬相互間的氧化還原反應和殘留於透明電極上的引出佈線部份的膜應力。
也就是說，若例如由鈦(Ti)形成的引出佈線有一部份重疊連接在由ITO形成的透明電極上，則會在透明電極和引出佈線之間產生氧化還原反應，透明電極和引出佈線間的密着性會因此而下降。而且，形成透明電極的ITO的晶體結構係立方晶系方鐵錳礦(Bixbyite)型結構，而形成引出佈線的鈦(Ti)之晶體結構係六方晶系的六方最密填充結 構，所以會由於晶系之不同而在形成透明電極上之引出佈線部份時，引出佈線部份膨脹和收縮而導致過大的膜應力殘留於該引出佈線部份。以上兩主要原因共同導致引出佈線易於自透明電極上剝離。
因為若引出佈線自透明電極上剝離，則這些透明電極和引出佈線間便不會導通，而不能夠使該電極基板正常工作，所以會產生包含該電極基板的不良品，產量百分率(yield percentage)下降，製造成本增大。
本發明正是鑑於上述各點而完成者，其目的在於：防止引出佈線自透明電極上剝離，使這些引出佈線和透明電極可靠地連接而使電極基板正常動作。
為達成上述目的，於本發明，為防止引出佈線和透明電極的氧化還原反應且減小引出佈線的膜應力，對引出佈線和透明電極的接觸部做了改進。
具體而言，本發明以具備基礎基板(Base Substrate)、設置於該基礎基板上且由透明導電性氧化物形成的透明電極、以及一端部與該透明電極重疊連接且另一端側被引出至上述基礎基板外緣一側的引出佈線之電極基板、具備該電極基板的顯示裝置以及觸摸面板為對象。採用以下解決機構。
也就是說，第一樣態發明是一種電極基板。上述引出佈線之與透明電極的接觸部係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度在35atoms/cm2以上且65atoms/cm2以下。
該第一樣態發明中，引出佈線之與透明電極的接觸部係 由高熔點金屬氮化物形成。在此，如果上述引出佈線之接觸部氮濃度小於35 atoms/cm2，則無法充分地將該引出佈線和由透明導電性氧化物形成之透明電極間的相互氧化還原反應抑制至能夠防止引出佈線剝離。另一方面，如果上述引出佈線之接觸部氮濃度高於65 atoms/cm2，則於為形成該引出佈線而形成膜時，沈積於膜形成裝置內的膜易於剝離，該剝離下來之膜會變成顆粒源，大量顆粒會附著於基板表面，或顆粒混入已形成之膜內等，此乃不良現象。除此以外，因為若氮濃度增高，高熔點金屬氮化物的比電阻則增大，所以還存在佈線電阻變得過高，引出佈線無法起作用之虞。相對於此，第一樣態發明中，因為上述引出佈線之接觸部氮濃度在35 atoms/cm2以上，所以該引出佈線和透明電極的相互氧化還原反應得以充分抑制。而且，因為上述引出佈線之接觸部氮濃度在65 atoms/cm2以下，所以為形成該引出佈線而形成膜時會產生的顆粒得以抑制，防止了顆粒朝著基板表面附著，或者顆粒朝著已形成之膜內混入。還能夠邊確保該引出佈線之導電性邊使其發揮作用。再者，因為高熔點金屬氮化物的晶體結構是立方晶系結構，晶系與透明導電性氧化物相同，所以形成引出佈線形成時殘留於該佈線的膜應力會減小。因此，能夠防止引出佈線自透明電極上剝離，能夠使這些引出佈線和透明電極可靠地連接而使電極基板正常動作。
第二樣態發明係如此，第一樣態發明的電極基板中進一步具備：覆蓋上述引出佈線的絕緣膜、以及與上述引出佈 線的引出頂端部重疊連接且被引出至上述絕緣膜外部並由透明導電性氧化物形成的連接端子。上述引出佈線之與連接端子的接觸部亦係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下。
該第二樣態發明中，因為引出佈線被絕緣膜覆蓋，所以能夠藉由該絕緣膜阻止來自外部的濕氣進入引出佈線，從而能夠良好地防止引出佈線被腐蝕。而且，因為與該引出佈線連接且被引出至上述絕緣膜外部的連接端子係由透明導電性氧化物形成，所以耐腐蝕性高，於大氣中亦難以被腐蝕。是以，在與外部電路等的連接部位，能夠避免由於連接端子被腐蝕而使其電阻增大，最終引起連接不良等。
因為引出佈線之與連接端子的接觸部係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下，所以就是該引出佈線和由透明導電性氧化物形成的連接端子之間，也能夠發揮與上述引出佈線和透明電極之間一樣的作用。從而能夠防止引出佈線自連接端子上剝離，使這些引出佈線和連接端子可靠地連接而使電極基板無不良地正常動作。
第三樣態發明係如此，第一或第二樣態發明的電極基板中，上述引出佈線係由障壁金屬層(Barrier Metal Layer)和低電阻金屬層積層構成。上述障壁金屬層係構成與上述透明電極的接觸部，由高熔點金屬氮化物形成；上述低電阻金屬層係由電阻較該障壁金屬層為低的低電阻金屬形成。
該第三樣態發明中，引出佈線係具有障壁金屬層和低電 阻金屬層依次積層形成的至少雙層之積層結構。因為障壁金屬層係由高熔點金屬氮化物形成且構成與透明電極的接觸部，所以能夠具體發揮與上述第一樣態發明一樣的作用效果。因為低電阻金屬層係由電阻較障壁金屬層為低的低電阻金屬形成，所以與引出佈線僅由高熔點金屬氮化物形成之情形相比，引出佈線係被低電阻化。藉此，能夠確保應用本發明的裝置所需要的引出佈線的導電性。
第四樣態發明係如此，第一至第三樣態任一樣態發明的電極基板中，上述高熔點金屬氮化物是氮化鈦(TiN)、氮化鉬(MoN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)或氮化鉻(CrN)。
根據該第四樣態發明，能夠具體發揮本發明的作用效果。因此，能夠防止產生含有電極基板的不良品，防止產量百分率下降，製造成本增大。
第五態樣發明係如此，第一至第四態樣中任一態樣發明的電極基板中，上述透明導電性氧化物是ITO或者銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，以下稱其為IZO)。
於該第五態樣發明，透明電極係由ITO或IZO形成。因為ITO和IZO既具有導電性，又具有較高的透明度，所以在將本發明用在與顯示面板重疊使用之附加功能部件例如切換液晶面板、觸摸面板等之情形，能夠良好地識別該顯示面板的顯示畫面。
第六態樣發明是一種顯示裝置，其具備根據所輸入之影像資料產生顯示影像的顯示面板、給予由該顯示面板產生之顯示影像的第一顯示區域和第二顯示區域分別不同之特 定能見角的視差屏障機構、以及藉由切換該視差屏障機構效果之有效和無效而對第一顯示狀態和第二顯示狀態加以切換之切換液晶面板。上述切換液晶面板具有第一至第五態樣中任一樣態發明的電極基板。
依據該第六態樣發明，因為第一至第五態樣發明的電極基板具有可靠地連接引出佈線和透明電極而能夠使電極基板無不良地正常動作的優良特性，所以即使作為顯示裝置，也能夠防止產量百分率下降，製造成本增大，從而能夠謀求低成本化。
第七態樣發明是一種觸摸面板，其具備第一至第五態樣任一樣態發明的電極基板，具有設置有上述透明電極的區域即能夠檢測接觸體所接觸之觸摸位置的觸摸區域、設置在該觸摸區域外側的區域即用以與外部電路連接的端子區域。上述引出佈線被從上述觸摸區域一側引出至上述端子區域一側，經上述端子區域與當接觸體接觸上述觸摸區域時檢測該接觸體之接觸位置的控制器電連接。
依據該第七態樣發明，第一至第五態樣發明的電極基板具有可靠地連接引出佈線和透明電極而能夠使電極基板無不良地正常動作的優良特性，所以即使作為觸摸面板，也能夠防止產量百分率下降，製造成本增大，從而能夠謀求低成本化。
依據本發明，因為引出佈線之與透明電極的接觸部係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度為35atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下，所以能夠防止引出佈線自透明電極上剝離，從而能夠可靠地連接這些引出佈線和透明電極而使電極基板無不良地正常動作。其結果，針對電極基板、具備該電極基板的顯示裝置、觸摸面板等裝置，能夠防止產量百分率下降，製造成本增大，從而能夠謀求低成本化。
以下，參照圖面詳細說明本發明的實施方式。此外，本發明並不限於以下各實施方式。
<<發明第一實施方式>>
在該第一實施方式中，作為顯示裝置之一例，對構成為能夠切換2D顯示和3D顯示的2D/3D切換型液晶顯示裝置S1做說明。
-2D/3D切換型液晶顯示裝置S1的構成-
本實施方式中的2D/3D切換型液晶顯示裝置S1的剖面結構示於圖1。
2D/3D切換型液晶顯示裝置S1是一種透過型液晶顯示裝置，其具備：液晶顯示面板DP、配置在該液晶顯示面板DP之背面一側的光源裝置即背光單元BL、配置在上述液晶顯示面板DP之表面一側亦即與背光單元BL相反之一側的切換液晶面板SP。
<液晶顯示面板DP的構成>
液晶顯示面板DP具備：相互相向配置的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，以下稱其為TFT)基板1和反基板2、將這些TFT基板1和反基板2的兩外周緣部相互黏合起來的 框狀密封材3、以及在TFT基板1和反基板2之間被密封材3包圍而封入的液晶層4。
該液晶顯示面板DP是TFT基板1和反基板2二者相重的區域，在密封材3的內側亦即設置有液晶層4的區域具有進行影像顯示的例如矩形顯示區域D。該顯示區域D由複數影像的最小單位即像素排列為矩陣狀而形成。
顯示用液晶面板DP，在顯示區域D周圍具有例如矩形框狀的非顯示區域，在該非顯示區域的一條邊一側TFT基板1從反基板2突出，該反基板2的側表面露端子區域(未圖示)。軟性印刷電路(FPC：Flexible Printed Circuits)等佈線基板經異向性導電膜安裝在該端子區域，包含與應該顯示的影像相對應之影像資料的顯示用信號是從外部電路經該佈線基板輸入液晶顯示面板DP。
雖未圖示，TFT基板1在是基礎基板的玻璃基板等絕緣性基板上具有：相互平行延伸著設置的複數閘極佈線、在與該各閘極佈線交叉之方向上相互平行延伸著設置的複數源極佈線、在各閘極佈線和各源極佈線的各個交叉部對應於各像素而設的TFT以及與該汲極連接的像素電極。TFT基板1構成為：藉由切換各TFT的接通/截止有選擇地將電位施加在與該各TFT相對應的像素電極上。
雖未圖示，反基板2在是基礎基板的玻璃基板等絕緣性基板上具有：與上述閘極佈線和源極佈線相對應而設置為格柵狀的黑矩陣、由在該黑矩陣的格柵間對應於各像素週期排列而設的例如紅色層、綠色層以及藍色層構成的複數 濾色層、覆蓋著這些黑矩陣和各濾色層而設且與上述像素電極組相向的共用電極以及柱狀設置在該共用電極上的光間隔物(photospacer)。
這些TFT基板1和反基板2例如形成為矩形，在相互相向的內側表面上分別設置有配向膜(未圖示)，且在外側表面上分別設置有第一偏光片H1和第二偏光片H2。TFT基板1上的第一偏光片H1和反基板2上的第二偏光片H2係其透過軸相差90°。液晶層4由例如具有電光特性的向列型液晶材料等形成。
<背光單元BL的構成>
雖未圖示，背光單元BL具備LED(Light Emitting Diode)、冷陰極管等光源、導光板以及反射板、擴散板、稜鏡板等複數光學板。背光單元BL構成為：使從光源入射至導光板的光作為均勻的面狀光自導光板的出射面經各光學板朝著液晶顯示面板DP一側出射。
<切換液晶面板SP的構成>
切換液晶面板SP係經雙面膠片等貼合材9貼合在液晶顯示面板DP上，切換液晶面板SP具備：相互相向而設且皆為電極基板的驅動基板5和共用基板6、將這些驅動基板5和共用基板6的兩外周緣部相互黏合起來的框狀密封材7、以及被密封材7包圍而封入在驅動基板5和共用基板6之間的液晶層8。
切換液晶面板SP是驅動基板5和共用基板6二者相重的區域，在密封材7的內側亦即設置有液晶層8的區域具有例如 矩形形狀的視差屏障區域B。該視差屏障區域B係配置在與液晶顯示面板DP的顯示區域D相對應之區域。如後所述，其能夠發揮作為具有格柵狀透光部和在該透光部的格柵之間配置為矩陣狀的遮光部的視差屏障機構的功能。
切換液晶面板SP具有設置在視差屏障區域B周圍的例如矩形框狀的額緣區域F。額緣區域F配置在與液晶顯示面板DP的非顯示區域相對應的區域。在該額緣區域F的一邊一側設置有驅動端子區域DT(圖1中未圖示，參照圖2)，在該驅動端子區域DT，驅動基板5從共用基板6突出，其共用基板6的側表面露在外部。在額緣區域F的另一邊一側設置有共用端子區域CT(圖1中未圖示，參照圖5)，在該共用端子區域CT，共用基板6從驅動基板5突出，該驅動基板5的側表面露在外部。FPC等佈線基板經異向性導電膜安裝在各端子區域DT、CT，控制驅動狀態的驅動(ON)/非驅動(OFF)的控制信號從外部電路經該佈線基板輸入切換液晶面板SP。
<驅動基板5的構成>
驅動基板5的構成示於圖2~圖4。圖2係驅動基板5的概略俯視圖；圖3係將驅動基板5上開關電極12和外部連接端子16之連接結構部份放大概略示出的俯視圖；圖4係從該圖左側起依次顯示圖3中A-A線、B-B線、C-C線、D-D線的剖面結構的剖面圖。
如圖2所示，驅動基板5在是基礎基板的玻璃基板等絕緣性基板10上具有：條狀排列於視差屏障區域B之複數驅動 開關電極12、與該各驅動開關電極12電連接且針對每一個該開關電極12設置的在額緣區域F被從視差屏障區域B一側引出至驅動端子區域DT一側的引出佈線14、以及針對每一條該引出佈線14設置在該各引出佈線14的引出目的地的外部連接端子16。
驅動開關電極12，分別形成為在圖2中沿上下方向(Y軸方向：例如畫面縱向)線狀延伸的細長的近似長方形狀。圖2中，驅動開關電極12沿左右方向(X軸方向：例如畫面橫向)留有規定間隔地設置，於該驅動開關電極12彼此間形成間隙。如圖3所示，於各驅動開關電極12的一端側，佈線12a被自該開關電極12引出，且在其頂端形成有內部連接端子12b。這些各驅動開關電極12係由透明導電性氧化物即ITO或IZO形成，構成本發明的透明電極。
外部連接端子16，係沿著絕緣性基板10的端緣相互留有規定間隔地排列為一排。這些各外部連接端子16係由透明導電性氧化物即ITO或IZO形成，係與上述驅動開關電極12由同一膜形成。
引出佈線14係從視差屏障區域B的周圍相互排列著延伸到驅動端子區域DT跟前。各引出佈線14係其引出基端部14a與內部連接端子12b重疊連接，其引出頂端部14b與外部連接端子16重疊連接。如圖4(B-B剖面、C-C剖面)所示，這些各引出佈線14係由障壁金屬層15A和電阻金屬層15B依次積層而成。
障壁金屬層15A構成與內部連接端子12b和外部連接端子 16的接觸部。該障壁金屬層15A係由高熔點金屬氮化物即氮化鈦(TiN)形成，其氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下，比電阻在150 μΩcm以上且500 μΩcm以下的範圍內。低電阻金屬層15B係由電阻較氮化鈦(TiN)為低的低電阻鈦(Ti)形成，比電阻在60 μΩcm以上且75 μΩcm以下的範圍內。
藉由如此地引出佈線14之與內部連接端子12b和外部連接端子16的接觸部由氮濃度35 atoms/cm2~65 atoms/cm2的氮化鈦(TiN)形成，便能夠防止該引出佈線14自兩連接端子12b、16上剝離。
也就是說，如果使引出佈線14之與內部連接端子12b和外部連接端子16的接觸部由氮化鈦(Ti)形成，則能夠收到抑制該引出佈線14和兩連接端子12b、16的相互氧化還原反應之效果。此處，若該引出佈線14之接觸部氮濃度小於35 atoms/cm2，則無法充分地將該引出佈線和連接端子12b、16間之相互氧化還原反應抑制至能夠防止引出佈線14剝離。另一方面，如果上述引出佈線之接觸部氮濃度高於65 atoms/cm2，則於為形成該引出佈線14而形成膜時，沈積於膜形成裝置內的膜易於剝離，該剝離下來之膜會變成顆粒源，大量顆粒會附著於基板表面，或顆粒混入已形成之膜內等，此乃不良現象。除此以外，因為若氮濃度增高，氮化鈦(TiN)的比電阻則增大，所以還存在佈線電阻變得過高，引出佈線14無法起作用之虞。
相對於此，本實施方式中，因為使構成引出佈線14之與 內部連接端子12b和外部連接端子16的接觸部之障壁金屬層15A的氮濃度在35 atoms/cm2以上，所以能夠充分地抑制該引出佈線14和兩連接端子12b、16的相互氧化還原反應；因為障壁金屬層15A的氮濃度在65 atoms/cm2以下，所以能夠防止為形成該引出佈線14時產生顆粒，顆粒附著於基板表面，或顆粒混入已形成之膜內等；能夠將障壁金屬層15A的比電阻抑制在能夠確保作為佈線所需之導電性的範圍內；因為該障壁金屬層15A上積層有低電阻金屬層15B，所以與僅由氮化鈦(TiN)形成該引出佈線14之情形相比，能夠實現低電阻化，從而能夠確保驅動基板5所需要之引出佈線14的導電性；因為氮化鈦(TiN)的晶體結構是立方晶系結構，與ITO、IZO等透明導電性氧化物晶系相同，所以能夠減小形成引出佈線14時殘留於該佈線14的膜應力。結果係能夠防止引出佈線14自內部連接端子12b和外部連接端子16上剝離。
如上所述，從抑制該障壁金屬層15A和連接端子12b、16的氧化還原反應之觀點出發，較佳者，係上述障壁金屬層15A中之氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下。更較佳者，係上述障壁金屬層15A中之氮濃度在40 atoms/cm2以上且50 atoms/cm2以下。
此外，本實施方式中，係使障壁金屬層15A由氮化鈦(TiN)形成，但除此以外，障壁金屬層15A還可以由氮化鉬(MoN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)或者氮化鉻(CrN)形成來代替由氮化鈦(TiN)形成；由其它高熔點金屬形成也無 妨。低電阻金屬層15B還可以由鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)或者鉻(Cr)形成來代替由鈦(Ti)形成；由其它高熔點金屬形成也無妨。
<共用基板6的構成>
共用基板6的構成如圖5、圖6所示。圖5係共用基板6的概略俯視圖；圖6係將共用基板6中開關電極22和外部連接端子26之連接結構部份放大概略示出的俯視圖。
如圖5所示，共用基板6係在是基礎基板的玻璃基板等絕緣性基板20上具有：在視差屏障區域B條狀排列的複數共用開關電極22、與該各共用開關電極22電連接且針對每個該開關電極22設置的在額緣區域F被從視差屏障區域B一側引出至共用端子區域CT一側的引出佈線24、以及在該各引出佈線24的引出目的地給每條該佈線24設置的外部連接端子26。
共用開關電極22，係分別形成為沿X軸方向線狀延伸的細長的近似長方形狀，與上述驅動開關電極12交叉。該共用開關電極22在Y軸方向上留有規定間隔地設置，於該開關電極22彼此間形成有間隙。如圖6所示，在各共用開關電極22的一端側，佈線22a被從該開關電極22引出且在其頂端形成有內部連接端子22b。這些各共用開關電極22亦係由透明導電性氧化物即ITO或IZO形成，構成本發明的透明電極。
外部連接端子26沿著絕緣性基板20外緣相互留有規定間隔地排列成一排。這些各外部連接端子26由透明導電性氧 化物即ITO或IZO形成，係與上述共用開關電極22由同一膜形成。
引出佈線24係從視差屏障區域B的周圍相互排列著延伸到共用端子區域CT跟前。各引出佈線24係其引出基端部24a與內部連接端子22b重疊連接，其引出頂端部24b與外部連接端子26重疊連接。
與驅動基板5側的引出佈線14一樣，這些各引出佈線24係由氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下(較佳者係40 atoms/cm2以上且50 atoms/cm2以下)的氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層和由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層依次積層而成。藉此，就是於共用基板6，也會在引出佈線24與內部連接端子22b和外部連接端子26之間發揮與驅動基板5一樣的作用，從而能夠防止該引出佈線24自兩連接端子22b、26上剝離。
此外，本實施方式中，係使引出佈線24的障壁金屬層由氮化鈦(TiN)形成，但除此以外，該障壁金屬層還可以由氮化鉬(MoN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)或者氮化鉻(CrN)形成來代替由氮化鈦(TiN)形成；由其它高熔點金屬形成也無妨。引出佈線24的低電阻金屬層亦並不限於鈦(Ti)，還可以由鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)或鉻(Cr)形成；由其它高熔點金屬形成也無妨。
這些驅動基板5和共用基板6例如形成為矩形，在相互相向的內側表面上分別設置有配向膜(未圖示)。而且，在共用基板6的外側表面上設置有第三偏光片H3。該共用基板6 上的第三偏光片H3與上述反基板2上的第二偏光片H2係其透過軸的方向一致。液晶層8例如由具有電光特性的向列型液晶材料等形成。
<2D/3D切換型液晶顯示裝置S1的顯示動作>
在構成如上所述的液晶顯示裝置S1中，以普通的進行2D顯示的2D顯示狀態和藉由使觀察者的左右眼睛分別識別從不同視點看到的像而給予視差進行3D顯示的3D顯示狀態中之任一顯示狀態進行影像顯示。
於進行顯示動作時之液晶顯示面板DP，在閘極信號依次輸出給各閘極佈線，閘極佈線被驅動，連接在已被驅動之同一閘極佈線上的TFT一齊成為導通狀態時，源極信號經各源極佈線送至處於導通狀態之各TFT，規定的電荷經該各TFT寫入像素電極。如此之對像素電極的選擇性電荷寫入動作係按線順序針對構成顯示區域D的像素的所有行實施。因此，會在TFT基板1的各像素電極和反基板2的共用電極之間產生電位差，規定的電壓施加於液晶層4。然後，於液晶顯示面板DP，藉由依據施加於液晶層4之電壓大小改變液晶分子的配向狀態，調節來自背光單元BL的光在液晶層4的透過率而顯示影像。
於進行3D顯示狀態下之顯示動作時，在液晶顯示面板DP，顯示出右眼用影像和左眼用影像分別被沿畫面橫向分割為複數列，相互之列混合著交替排布而成的複合影像。
於3D顯示狀態下之切換液晶面板SP，使其驅動成為工作狀態，不同電位一齊施加給各驅動開關電極12和各共用 開關電極22。此時，係規定電壓施加於各驅動開關電極12和各共用開關電極22之間，已通過這些各驅動開關電極12和各共用開關電極22相重之區域的光的偏光軸係被相對於已通過兩開關電極12、22相重之區域間的光的偏光軸改變90°。是以，因為已通過各驅動開關電極12和各共用開關電極22相重之區域的光的偏光軸與第三偏光板H3的透過軸成90°的角度，所以已通過各驅動開關電極12和各共用開關電極22相重之區域的光不會透過第三偏光板H3。另一方面，因為已通過兩開關電極12、22相重之區域間的光的偏光軸與第三偏光板H3的透過軸平行，所以已通過兩開關電極12、22相重之區域間的光會透過第三偏光板H3。
本實施方式中，藉由切換液晶面板SP和第三偏光片H3相結合的光學作用，切換液晶面板SP中驅動開關電極12和共用開關電極22相重的區域成為遮光部，該兩驅動電極間的各區域成為透光部，在視差屏障區域，有效地發揮具有格柵狀透光部和在該透光部的格柵之間矩陣狀佈置的遮光部的視差屏障之功能。也就是說，切換液晶面板SP和第三偏光片H3之組合構成本發明的視差屏障部件。
顯示於上述液晶顯示面板DP的右眼用影像和左眼用影像之複合影像，經由上述切換液晶面板SP和第三偏光片H3形成的視差屏障，將右眼用影像和左眼用影像分為不同的能見角，以使觀察者的左右眼識別從不同視點看到的像進行3D顯示。此時，就是使顯示畫面旋轉90°，將縱向和橫向加以切換，也會因為具有視差屏障具有矩陣狀佈置的 遮光部，顯示於液晶顯示面板DP的複合影像也朝著同一方向旋轉90°進行顯示，則能夠將該複合影像的右眼用影像和左眼用影像分別分離為規定的能見角，從而能夠實現所希望的3D顯示。本實施方式中，在液晶顯示面板DP，由與右眼用影像相對應之像素構成的區域和由與左眼用影像相對應之像素構成的區域分別成為第一顯示區域和第二顯示區域。
另一方面，當進行2D顯示狀態之顯示時，在液晶顯示面板DP顯示出普通的二維平面影像。而且，在切換液晶面板SP中，使其驅動為非工作狀態，對各驅動開關電極12和各共用開關電極22施加相同的電位，使視差屏障功能無效，將已入射之光以原有的偏光軸出射。由此觀察者的雙眼則會識別出相同的像而進行2D顯示。
[製造方法]
接下來，舉一例說明上述2D/3D切換型液晶顯示裝置S1的製造方法。本實施方式中，以先製造出一枚驅動基板5和一枚共用基板6，再將兩枚基板5、6加以貼合來製造出一枚切換液晶面板SP的單枚方式製造方法為例進行說明，但除此以外，本實施方式對自一枚基板製作複數面板之方式(成組列印：gang printing)的製造方法也適用。在該自一枚基本製作複數面板之方式的製造方法下，製作含複數單元單位的母面板，將以單元為單位切割該母面板而同時製作出複數切換液晶面板SP。以上所述對液晶顯示面板DP亦同。
2D/3D切換型液晶顯示裝置S1的製造方法係包括：切換液晶面板製造製程、液晶顯示面板製造製程、背光單元製造製程以及模組化製程。
<切換液晶面板製造製程>
切換液晶面板製造製程係包括：驅動基板製造製程、共用基板製造製程以及貼合製程。
<驅動基板製造工程>
驅動基板製造製程示於圖7(a)至圖7(c)。此外，該圖7(a)至圖7(c)係分別顯示圖4中相對應位置之剖面。
首先，利用濺鍍法於事先已準備之玻璃基板等絕緣性基板10上形成由具有立方晶系方鐵錳礦型結構的ITO或IZO形成的透明導電膜。如圖7(a)所示，藉由光刻將該透明導電膜圖型化，形成驅動開關電極12和外部連接端子16。
接著，如圖7(b)所示，利用濺鍍法於已形成有驅動開關電極12和外部連接端子16的基板上，依次形成具有立方晶系氯化鈉(NaCl)型結構的氮化鈦(TiN)膜60和六方晶系晶體結構的鈦(Ti)膜62，以形成由這些膜積層而成的金屬積層膜64。如圖7(c)所示，藉由光刻將該金屬積層膜64圖型化而形成引出佈線14。
如此則能夠製造出驅動基板5。
<共用基板製造製程>
與上述驅動基板製造製程一樣，藉由重複進行光刻於事先已準備之玻璃基板等絕緣性基板20上，形成共用開關電極22、引出佈線24以及外部連接端子26，製造共用基板 6。
<貼合製程>
利用印刷法等在驅動基板5和共用基板6的表面形成配向膜後，根據需要進行配向摩擦處理。接下來，用密封材分配器等相對於驅動基板5和共用基板6的表面將由紫外線固化型樹脂形成的密封材7描繪成框狀，向該密封材7的內側區域滴入規定量的液晶材料。
然後，於減壓狀態下隔著密封材7和液晶材料貼合驅動基板5和共用基板6而構成液晶層8後，再將該已貼合之貼合体放置於大氣壓下，對貼合体之表面加壓。且在該狀態下利用紫外線照射密封材7使其固化，以將驅動基板5和共用基板6黏合而製造出切換液晶面板SP。之後，再將第三偏光板H3貼在驅動基板5的外側表面上。
<液晶顯示面板製造製程>
液晶顯示面板製造製程係包括TFT基板製造製程、反基板製造製程以及貼合製程。
<TFT基板製造製程>
利用重複進行光刻之公知方法於已事先準備之玻璃基板等絕緣性基板上形成閘極佈線、源極佈線、TFT以及像素電極，來製造TFT基板1。
<反基板製造製程>
利用重複進行光刻之公知方法於已事先準備之玻璃基板等絕緣性基板上形成黑矩陣、濾色層、共用電極以及光間隔物，來製造反基板2。
<貼合製程>
相對於TFT基板1和反基板2之表面形成配向膜以後，再根據需要進行配向摩擦處理。接下來，與切換液晶面板製造製程中的貼合製程一樣，貼合TFT基板1和反基板2構成液晶層4，使密封材3固化，黏合兩枚基板1、2，以製造液晶顯示面板DP。然後，再將第一偏光板H1和第二偏光板H2分別貼在TFT基板1和反基板2的外側表面上。
<背光單元製造製程>
首先，利用公知的注射成型裝置成型將成為導光板之基礎的丙烯酸樹脂板，在該丙烯酸樹脂板上形成用以使光散射的例如點狀圖型來製造導光板。接下來，將反射薄膜、擴散板、稜鏡板等光學板貼在該導光板上將它們組裝在一起。之後，將LED、冷陰極管等光源安裝在導光板和光學板之貼合体上，來製造背光單元BL。
<模組化製程>
經異向性導電膜將FPC等佈線基板分別安裝在切換液晶面板SP和液晶顯示面板DP各自的端子區域DT、CT。用雙面膠片等貼合材9將切換液晶面板SP和液晶顯示面板DP貼合在一起，將背光單元BL放在液晶顯示面板DP的背面一側。如此將切換液晶面板SP、液晶顯示面板DP以及背光單元BL模組化。
經以上製程，則能夠製造出圖1所示2D/3D切換型液晶顯示裝置S1。
-第一實施方式之效果-
依據該第一實施方式，因為構成驅動基板5上的引出佈線14與內部連接端子12b和外部連接端子16之接觸部的障壁金屬層15A係由氮化鈦(TiN)形成，氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下，所以能夠防止該引出佈線14自兩連接端子12b、16上剝離，可靠地連接這些引出佈線14和兩連接端子12b、16而使驅動基板5無不良地正常動作。
因為共用基板6上的引出佈線24亦具備與上述驅動基板5上的引出佈線14同樣的結構，所以能夠防止該引出佈線24自內部連接端子22b和外部連接端子26上剝離，可靠地連接這些引出佈線24和兩連接端子22b、26而使共用基板6也無不良地正常動作。
因此，針對切換液晶面板SP、具備該切換液晶面板SP之2D/3D切替型液晶顯示裝置S1，能夠防止產量百分率下降、製造成本增大，從而能夠實現低成本化。
<<第一實施方式的變形例>>
圖8係上述第一實施方式的變形例的引出佈線14的結構剖面圖，從該圖中左側起依次顯示與圖4中B-B線和C-C線的剖面相對應之位置。
上述第一實施方式中，係使引出佈線14具有由氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層15A和由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層14B依次積層而成的雙層結構(Ti/TiN)。但本變形例中之引出佈線14係具有：由氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層15A、由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層15B以及由氮化鈦 (TiN)形成的氮化金屬層15C依次積層而成的三層結構(TiN/Ti/TiN)。
係利用濺鍍法，在形成氮化鈦(TiN)膜60和鈦(Ti)膜62以後，進一步於已形成有驅動開關電極12和外部連接端子16的基板上形成氮化鈦(TiN)膜而形成三層結構的金屬積層膜，再藉由光刻將該金屬積層膜圖型化而形成引出佈線14，由此而能夠製造出具備如此積層結構的引出佈線14的驅動基板5。
此外，該變形例中係說明驅動基板5的引出佈線14的結構，但除此以外，共用基板6的引出佈線24也能夠採用同樣的結構。
<<發明第二實施方式>>
該第二實施方式中，作為顯示裝置之一例，對將本發明應用於觸摸面板時所形成的帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2做說明。
-帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2的構成-
帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2的剖面結構示於圖9。
帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2是一種透過型液晶顯示裝置，具備結構與上述第一實施方式相同的液晶顯示面板DP和背光單元BL、設置在液晶顯示面板DP的表面一側的電極基板即觸摸面板TP。
<觸摸面板TP的構成>
觸摸面板TP的構成示於圖10至圖12。圖10係觸摸面板TP的概略俯視圖；圖11係將觸摸面板TP上的觸摸位置檢測 用電極22和外部連接端子48的連接結構部份放大示出的俯視圖；圖12係從圖中左側依次顯示圖11中A-A線、B-B線、C-C線、D-D線的剖面結構的俯視圖。
本實施方式的觸摸面板TP直接形成在構成液晶顯示面板DP之反基板2的絕緣性基板30表面，使帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2構成得整體很薄。觸摸面板TP構成為投影型靜電電容方式的觸摸面板。如圖10所示，該觸摸面板TP具有用以檢測由接觸體(使用者的手指等)接觸的觸摸位置的區域即例如矩形觸摸區域T、不能夠檢測設置在該觸摸區域T周圍的例如矩形框狀額緣區域F、以及設置在該額緣區域F的一邊一側(圖10中右側)端子區域TT。觸摸區域T配置在與液晶顯示面板DP的顯示區域D相對應的區域；額緣區域F配置在與非顯示區域相對應的區域。
觸摸面板TP具備：配置在觸摸區域T的觸摸檢測用電極32、38、與該觸摸檢測用電極32、38電連接、在額緣區域F上被從觸摸區域T一側引出至端子區域TT一側的複數引出佈線46、設置在各引出佈線46的引出目的地的外部連接端子48以及與該各外部連接端子46電連接的外部電路即控制器50。
該觸摸檢測用電極32、38由矩陣狀配置的複數第一電極32(圖10中帶斜線的電極)、和同樣矩陣狀配置的複數第二電極38(圖10中空白電極)構成。這些第一電極32和第二電極38，在圖10中沿斜向交替排布，整體配置為蜂窩狀。
第一電極32例如形成為近似矩形，圖10中，該矩形的角 部份別對準左右方向(X軸方向)與上下方向(Y軸方向)地以規定間隔配置著。而且，如圖11所示，沿X軸方向排列的複數第一電極32，係藉由相鄰的第一電極32彼此由第一連結部34連結在一起而形成為一體，構成第一電極組36。也就是說，第一電極32和第一連結部34沿X軸方向交替配置，由經該第一連結部34形成為一體的第一電極32之行形成的第一電極組36沿Y軸方向相互平行地排列有複數行。第一電極32和第一連結部34由ITO或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，以下稱為IZO)等透明導電氧化物形成。
第二電極38例如也形成為近似矩形，矩形的四個角部份別對準X軸方向與Y軸方向地以規定間隔配置著。沿Y軸方向排列的複數第二電極38，係藉由相鄰的第二電極38由第二連結部40連結在一起而電連接，構成第二電極組42。也就是說，第二電極38和第二連結部40在Y軸方向上交替配置著，由經該第二連結部40電連接的第二電極38之列形成的第二電極組42沿X軸方向相互平行地排列有複數列。第二電極38與第二連結部40也係由ITO或IZO等透明導電氧化物形成。
如圖12(A-A剖面)所示，上述第一電極組36(第一電極32)、第一連結部34以及第二電極組42(第二電極38)形成在構成反基板2之絕緣性基板30的外側表面。僅第一連結部40被島狀層間絕緣膜44覆蓋。另一方面，第二連結部40在層間絕緣膜44上沿著與第一連結部34交叉的方向延伸，經該層間絕緣膜44構成跨越第一連結部34的架橋結構，其兩 端部與第二電極38的角部相連接。
如此，本實施方式中，因為第一電極組36與第二電極組42設置於同一層，所以能夠使形成於觸摸位置的第一電極32與手指等接觸體之間的靜電電容變化量以及形成於觸摸位置的第二電極38與手指等接觸體之間的靜電電容變化量相等。由此則能夠減小在第一電極32和第二電極38的靜電電容變化的靈敏度差，從而能夠進行靈敏度良好的觸摸位置檢測。
如圖11所示，在上述各第一電極組36和各第二電極組42之一側，佈線43係被自第一電極32或第二電極38引出，且在其頂端形成有內部連接端子44。本實施方式中，這些第一電極組36、第二電極組42、佈線42以及內部連接端子44構成本發明的透明電極。
如圖12(A-A剖面)所示，上述第一電極組36(第一電極32)、第二電極組42(第二電極38)、第二連結部40以及層間絕緣膜39由保護絕緣膜49覆蓋。該保護絕緣膜49由丙烯酸類有機絕緣材料等形成，如圖11所示，在端子區域TT未形成有該保護絕緣膜49，而使各外部連接端子48露出在外部。
外部連接端子48，係沿著構成反基板2的絕緣性基板30的端緣相互留有規定間隔地排列成一排。這些各外部連接端子48係由透明導電性氧化物即ITO或IZO形成，與上述第一電極32和第二電極38由同一膜形成。因為如此露出在保護絕緣膜49外部的外部連接端子48係由ITO或IZO形 成，所以耐腐蝕性高，大氣中也難以被腐蝕。是以，在外部連接端子48與外部回路之連接部位，能夠避免由於該連接端子48被腐蝕而導致其電阻增大，最終導致連接不良。
引出佈線46從觸摸區域T周圍相互排列著延伸到端子區域TT跟前。這些各引出佈線46被層間絕緣膜49覆蓋，其整體配置在較層間絕緣膜49之外緣靠內。由此而能夠利用層間絕緣膜49阻止來自外部的濕氣等進入，從而能夠良好地防止引出佈線46被腐蝕。
就各引出佈線46而言，係引出基端部46a與內部連接端子44重疊連接，引出頂端部46b與外部連接端子48重疊連接。如圖12(B-B剖面和C-C剖面)所示，與上述第一實施方式中的驅動基板5和共用基板6的引出佈線14一樣，這些各引出佈線46亦係由氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下(較佳者在40 atoms/cm2以上且50 atoms/cm2以下)的氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層47A和由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層47B依次積層構成。是以，引出佈線46與內部連接端子44和外部連接端子48之間會發揮與上述實施方式1中驅動基板5一樣的作用，從而能夠防止該引出佈線46自兩連接端子44、48上剝離。
此外，本實施方式中，係使障壁金屬層47A由氮化鈦(TiN)形成，但除此以外，障壁金屬層47A還可以由氮化鉬(MoN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)或者氮化鉻(CrN)形成來代替由氮化鈦(TiN)形成；由其它高熔點金屬形成也無妨。低電阻金屬層47B還可以由鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)或 者鉻(Cr)形成來代替由鈦(Ti)形成；由其它高熔點金屬形成也無妨。
<控制器50的構成>
控制器50作為被稱為例如捲帶式自動接合(TAB：(Tape Automated Bonding)的驅動集積電路安裝於端子區域TT。控制器50作為檢測電路52具備：藉由觸摸區域T被接觸體觸摸來檢測處於觸摸位置的第一電極32、第二電極38與接觸體之間所產生的靜電電容之變化的靜電電容檢測電路、或者藉由被觸摸來檢測處於觸摸位置的第一電極32、第二電極38各電極中所產生的阻抗之變化的阻抗檢測電路。控制器50構成為：藉由對經由引出佈線46由檢測電路52檢測之信號彼此加以比較，來檢測觸摸區域T的接觸體的觸摸位置和該觸摸位置的移動動作。
-製造方法-
舉一例對帶上述觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2的製造方法做說明。帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2的製造方法包括觸摸面板製造製程、液晶顯示面板製造製程、背光單元製造製程以及模組化製程。此外，因為液晶顯示面板製造製程和背光單元製造製程與上述第一實施方式相同，所以省略其詳細說明。
<觸摸面板製造製程>
觸摸面板製造製程示於圖13和圖14。圖13係顯示觸摸面板製造製程之前半部份的製程圖。圖14係顯示觸摸面板製造製程之後半部份的製程圖。此外，這些圖13和圖14顯示 與圖12相對應之位置的剖面。
首先，利用濺鍍法於事先已準備之玻璃基板等絕緣性基板30上形成由具有立方晶系方鐵錳礦型結構的ITO或IZO形成的透明導電膜。如圖13(a)所示，藉由光刻將該透明導電膜圖型化，形成第一電極組36(第一電極32)、第一連結部34、第二電極組42(第二電極38)以及外部連接端子48。
接著，如圖13(b)所示，利用濺鍍法於已形成有第一電極組36(第一電極32)、第一連結部34、第二電極組42(第二電極38)以及外部連接端子48的基板上，依次形成具有立方晶系氯化鈉(NaCl)型結構的氮化鈦(TiN)膜60和六方晶系晶體結構的鈦(Ti)膜62，以形成由這些膜積層而成的金屬積層膜64。如圖13(c)所示，藉由光刻將該金屬積層膜64圖型化而形成引出佈線46。
接著，利用化學氣相沈積法(CVD：Chemical Vapor Deposition)，於已形成有引出佈線46的基板上形成由例如氮化矽(SiN)形成的絕緣膜，以覆蓋第一電極組36(第一電極32)、第一連結部34、第二電極組42(第二電極38)、外部連接端子48以及引出佈線46。然後，藉由光刻將該絕緣膜圖型化，如圖14(a)所示，形成層間絕緣膜39。
接下來，利用濺鍍法於已形成有層間絕緣膜39的基板上形成由ITO或IZO形成的透明導電膜。然後，藉由光刻將該透明導電膜圖型化，如圖14(b)所示，形成第二連結部40。
利用自旋塗層(Spin Coating)法或狹縫塗佈(Slit Coating) 法，於已形成有第二連結部40的基板上形成由例如丙烯酸類有機絕緣膜材料形成的絕緣膜。然後，藉由光刻將該絕緣膜圖型化，如圖14(c)所示，除去位於端子區域TT的絕緣膜部份，使外部連接端子48自該絕緣膜露出而形成保護絕緣膜49。
如此即能夠製造出觸摸面板TP。之後，將該帶觸摸面板的基板30投入反基板製造製程。液晶顯示面板製造製程中，除了在該基板30的背面一側製作黑矩陣和濾色膜等結構而製造帶觸摸面板TP的反基板2這一點與上述第一實施方式不同以外，其它製程皆同且皆進行。
<模組化製程>
經異向性導電膜將FPC等佈線基板安裝在液晶顯示面板DP的端子區域，再將控制器50安裝在觸摸面板TP的端子區域TT，然後將將背光單元BL放置於帶觸摸面板TP的液晶顯示面板DP之背面一側。如此地將帶觸摸面板TP的液晶顯示面板DP和背光單元BL模組化。
經由執行以上製程，則能夠製造出圖9所示帶觸摸面板TP之液晶顯示裝置S2。
-第二實施方式之效果-
依據該第二實施方式，因為引出佈線46與內部連接端子44和外部連接端子48之接觸部的障壁金屬層47A係由氮化鈦(TiN)形成，氮濃度在35 atoms/cm2以上且65 atoms/cm2以下，所以能夠防止該引出佈線46自兩連接端子44、48上剝離，可靠地連接這些引出佈線46和兩連接端子44、48而 使觸摸面板TP無不良地正常動作。因此，針對觸摸面板TP、具備該觸摸面板TP的液晶顯示裝置S2，能夠防止產量百分率下降、製造成本增大，從而能夠實現低成本化。
<<第二實施方式的變形例>>
圖15係上述第二實施方式的變形例所關係之引出佈線46的結構剖面圖，自該圖中左側依次顯示與圖12中之B-B線和C-C線的剖面相對應之位置。
上述第二實施方式中，係使引出佈線46具有由氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層47A和由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層47B依次積層而成的雙層結構(Ti/TiN)。但本變形例中之引出佈線46係具有：由氮化鈦(TiN)形成的障壁金屬層47A、由鈦(Ti)形成的低電阻金屬層47B以及由氮化鈦(TiN)形成的氮化金屬層47依次積層而成的三層結構(TiN/Ti/TiN)。
係利用濺鍍法，在已形成有第一電極組36(第一電極32)、第一連結部34、第二電極組42(第二電極38)以及外部連接端子48的基板上，在形成氮化鈦(TiN)膜60和鈦(Ti)膜62以後，進一步氮化鈦(TiN)膜而形成三層結構的金屬積層膜，再藉由光刻將該三層結構的金屬積層膜圖型化而形成引出佈線46，由此而能夠製造出具備如此之積層結構的引出佈線46的觸摸面板TP。
<<其它實施方式>>
上述第一、第二實施方式及其變形例還可以採用以下構成及製造方法。
<第一電極32、第一連結部34、第二電極38、第二連結部40的配置>
圖16係將其它實施方式所關係觸摸面板TP的觸摸區域T部份放大示出的概略俯視圖。圖17係顯示圖16中XVII-XVII線之剖面結構的剖面圖。
上述第二實施方式中，係說明第一電極32、第一連結部34以及第二電極38形成於基板30表面，僅第一連結部34由層間絕緣膜39覆蓋，第二連結部40經層間絕緣膜39跨越第一連結部34的架橋結構之結構，但並不限於此。
例如，如圖16和圖17所示，第一電極32、第二電極38、第二連結部40形成於基板30表面，相鄰第二電極38的角部與其間之第二連結部40重疊連接，僅該第二連結部40之中央部份由層間絕緣膜39覆蓋，第一連結部34經層間絕緣膜39跨越第二連結部40的架橋結構亦可。層間絕緣膜39設置在幾乎整個觸摸區域T，在該層間絕緣膜39上設置第一電極組36(第一電極32)和第二電極組42(第二電極38)亦可。
<2D/3D切替型液晶顯示裝置的構成>
圖18係概略示出其它實施方式中2D/3D切替型液晶顯示裝置S3的剖面結構的剖面圖。
上述第一實施方式中，係說明不具備觸摸面板TP的2D/3D切替型液晶顯示裝置S1，但本發明並不限於此。如圖18所示，2D/3D切替型液晶顯示裝置S3亦可以具備觸摸面板TP。於該情形下，從使液晶顯示裝置S3作為一個整體薄型化的觀點而言，較佳者係觸摸面板TP直接形成於構成 切換液晶面板SP的基板(例如共用基板6)表面。
如此之帶觸摸面板TP的2D/3D切替型液晶顯示裝置S3中，較佳者，係驅動基板5和共用基板6結構與上述第一實施方式一樣，觸摸面板TP結構與上述第二實施方式一樣。若如此構成它們，則能夠可靠地連接引出佈線14和內部連接端子12b以及外部連接端子16而使驅動基板5正常動作；可靠地連接引出佈線24和內部連接端子22b以及外部連接端子26而使共用基板6正常動作；可靠地連接引出佈線46和內部連接端子44以及外部連接端子48而使觸摸面板TP正常動作。因此，能夠大幅度改善作為帶觸摸面板TP的2D/3D切替型液晶顯示裝置S3的產量百分率之下降、製造成本之增大。
帶觸摸面板TP的2D/3D切替型液晶顯示裝置S3中，驅動基板5和共用基板6中僅至少一方具有與上述第一實施方式相同的結構亦可；僅觸摸面板TP具有與上述第二實施方式相同的結構亦可。即使是如此之結構，也能夠為帶觸摸面板TP的2D/3D切替型液晶顯示裝置S3的產量百分率下降、製造成本增大之改善做出貢獻。
上述第一實施方式中，對結構為切換液晶面板SP配置於液晶顯示面板DP前面一側的2D/3D切換型液晶顯示裝置S1做了說明。但本發明並不限於此。例如，還可以是結構為切換液晶面板SP配置於液晶顯示面板DP背面一側的2D/3D切換型液晶顯示裝置。
上述第一實施方式中，以2D/3D切換型液晶顯示裝置S1 為例做了說明。但本發明並不限於此，在第二顯示狀態被分為不同能見角的影像，並不僅僅需要像右眼用影像和左眼用影像那樣相互關連。
例如，還可以考慮將本發明應用於對汽車駕駛位置上的駕駛人顯示汽車導航系統的影像且對駕駛人鄰座上的人顯示電視節眼之影像那樣的顯示裝置。於對複數觀察者顯示不同影像之情形，適當設定視差屏障之遮光部和透光部的配置型樣，亦即，驅動開關電極12和共用開關電極22的配置型樣，做到能夠將經視差屏障識別之液晶顯示面板DP的影像分成相隔規定距離的複數觀察者中之每個觀察者所應該觀察之影像。
本發明所關係之開關液晶面板DP、觸摸面板TP等附加功能裝置，不僅對液晶顯示裝置S1、S2、S3適用，對有機電致發光(EL：Electro Luminescence)顯示裝置、無機電場發光顯示裝置、電漿顯示裝置、場致發射顯示裝置(FED：Field Emission Display)、表面傳導電子發射顯示裝置(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display)等其它各種顯示裝置也適用。
<觸摸面板TP之構成>
上述第二實施方式中，以投影型靜電電容方式的觸摸面板TP為例做了說明。但本發明並不限於此。本發明還可以是例如表面靜電電容方式的觸摸面板。該表面靜電電容方式的觸摸面板具備：設置在觸摸區域之整面上的位置檢測用透明電極、為使觸摸區域內之電場分佈均勻化而由設置 在該透明電極周緣部份的複數段(segment)形成的線狀電極、與設置在該線狀電極的四個角部的端子部分別係一端部重疊連接且另一端側被引出至基板外緣一側的複數(例如4條)引出佈線、經該各引出佈線向上述端子部施加一定的交流電壓且檢測經由該端子部流動之電流的電流檢測電路。該表面靜電電容方式的觸摸面板，係藉由檢測根據觸摸位置而變化之各端子部和接地點間的阻抗，以檢測觸摸位置及其移動。若再具備由透明導電性氧化物形成的透明電極和其一部份與該透明電極重疊連接的引出佈線，則能夠將本發明應用至各種方式的觸摸面板。
以上係對本發明較佳實施方式及其變形例做了說明，但是本發明的技術範圍並不限於上述實施方式之範圍。上述實施方式係示例，還可以將上述各構成要素、各處理加工工藝組合利用而構成各種變形例，這些變形例也在本發明之範圍內是本領域技術人員能夠理解的。
-產業可利用性-
綜上所述，本發明對電極基板、具備該電極基板的顯示裝置以及觸摸面板有用。尤其對要求防止引出佈線自透明電極上剝離、可靠地連接這些引出佈線和透明電極而使電極基板正常動作之電極基板、具備該電極基板的顯示裝置以及觸摸面板適用。
5‧‧‧驅動基板(電極基板)
6‧‧‧共用基板(電極基板)
10,20,30‧‧‧絕緣性基板(基礎基板)
12‧‧‧驅動開關電極(透明電極)
12a,22a,42‧‧‧佈線
12b,22b,44‧‧‧內部連接端子
14,24,46‧‧‧引出佈線
14a‧‧‧基端部
14b‧‧‧頂端部
15A,47A‧‧‧障壁金屬層
15B,47B‧‧‧低電阻金屬層
16,26,48‧‧‧外部連接端子
22‧‧‧共用開關電極(透明電極)
32‧‧‧第一電極(透明電極)
38‧‧‧第二電極(透明電極)
50‧‧‧控制器
DP‧‧‧液晶顯示面板
S1,S2,S3‧‧‧液晶顯示裝置
SP‧‧‧切換液晶面板
T‧‧‧觸摸區域
TP‧‧‧觸摸面板(電極基板)
TT‧‧‧端子區域
圖1係概略示出第一實施方式之2D/3D切替型液晶顯示裝置的剖面結構的剖面圖。
圖2係概略示出驅動基板的俯視圖。
圖3係將驅動基板的開關電極和外部連接端子之連接結構部份放大概略示出的俯視圖。
圖4係顯示圖3中A-A線、B-B線、C-C線、D-D線的剖面結構的剖面圖。
圖5係概略示出共用基板的俯視圖。
圖6係將共用基板的開關電極和外部連接端子之連接結構部份放大概略示出的俯視圖。
圖7(a)-(c)係顯示第一實施方式之驅動基板的製造方法的製程圖，顯示與圖4相對應之位置的剖面圖。
圖8係顯示第一實施方式之變形例所關係引出佈線的結構、與圖4中B-B線、C-C線的剖面相對應之位置的剖面圖。
圖9係概略顯示具備第二實施方式所關係觸摸面板之液晶顯示裝置的剖面結構的剖面圖。
圖10係概略示出第二實施方式所關係觸摸面板的俯視圖。
圖11係將第二實施方式所關係觸摸面板的觸摸檢測電極和外部連接端子之連接結構部份放大概略示出的俯視圖。
圖12係顯示圖11中A-A線、B-B線、C-C線、D-D線的剖面結構的剖面圖。
圖13(a)-(c)係顯示第二實施方式所關係觸摸面板的製造方法中前半製程的製程圖，與圖12相對應位置的剖面圖。
圖14(a)-(c)係顯示第二實施方式所關係觸摸面板的製造 方法中後半製程的製程圖，與圖12相對應位置的剖面圖。
圖15係顯示上述第二實施方式的變形例所關係之引出佈線的結構、與圖12中之B-B線和C-C線的剖面相對應之位置的剖面圖。
圖16係將其它實施方式所關係觸摸面板的觸摸區域部份放大示出的俯視圖。
圖17係顯示圖16中XVII-XVII線的剖面結構的剖面圖。
圖18係概略示出具備其它實施方式所關係觸摸面板的2D/3D切替型液晶顯示裝置的剖面結構的剖面圖。
10‧‧‧絕緣性基板
12‧‧‧驅動基板
12b‧‧‧內部連接端子
14‧‧‧引出佈線
14a‧‧‧基端部
14b‧‧‧頂端部
15A‧‧‧障壁金屬層
15B‧‧‧低電阻金屬層
16‧‧‧外部連接端子

Claims (12)

  1. 一種電極基板，其特徵在於包含：基礎基板；透明電極，其包含設置在上述基礎基板上之透明導電性氧化物；及引出佈線，其一端部與上述透明電極重疊連接且另一端側被引出至上述基礎基板之外緣側；且上述引出佈線之與上述透明電極的接觸部係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度在35atoms/cm2以上且65atoms/cm2以下。
  2. 如請求項1之電極基板，其中上述引出佈線之與上述透明電極的接觸部，氮濃度在40atoms/cm2以上且50atoms/cm2以下。
  3. 如請求項1或2之電極基板，其進一步包含：絕緣膜，其覆蓋上述引出佈線；及連接端子，其與上述引出佈線的引出頂端部重疊連接且包含被引出至上述絕緣膜外部之透明導電性氧化物；且上述引出佈線之與連接端子的接觸部亦係由高熔點金屬氮化物形成，氮濃度在35atoms/cm2以上且65atoms/cm2以下。
  4. 如請求項3之電極基板，其中上述引出佈線之與上述連接端子的接觸部，氮濃度在40atoms/cm2以上且50atoms/cm2以下。
  5. 如請求項1之電極基板，其中上述高熔點金屬氮化物是氮化鈦、氮化鉬、氮化鉭、氮化鎢或氮化鉻。
  6. 如請求項1之電極基板，其中上述引出佈線係由障壁金屬層和低電阻金屬層積層而構成，該障壁金屬層係包含構成與上述透明電極接觸的接觸部之高熔點金屬氮化物，該低電阻金屬層係包含電阻較該障壁金屬層為低的低電阻金屬層。
  7. 如請求項6之電極基板，其中上述障壁金屬層係包含氮化鈦、氮化鉬、氮化鉭、氮化鎢或氮化鉻；上述低電阻金属層係包含鈦、鉬、鉭、鎢或鉻。
  8. 如請求項7之電極基板，其中上述障壁金属層的比電阻在150μΩcm以上且500μΩcm以下；上述低電阻金属層的比電阻在60μΩcm以上且75μΩcm以下。
  9. 如請求項6之電極基板，其中在上述低電阻金屬層上進一步積層有包含高熔點金屬物之金屬層。
  10. 如請求項1之電極基板，其中上述透明導電性氧化物係銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
  11. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：顯示面板，其根據所輸入之影像資料產生顯示影像； 視差屏障機構，其給予由該顯示面板生成之顯示影像的第一顯示區域和第二顯示區域分別不同之特定之能見角；及切換液晶面板，其藉由切換該視差屏障機構之效果之有效和無效而對第一顯示狀態和第二顯示狀態加以切換；且上述切換液晶面板具有如請求項1至10中任一項之電極基板。
  12. 一種觸摸面板，其特徵在於包含：如請求項1至10中任一項之電極基板；設置有上述透明電極的區域即能夠檢測接觸體所接觸之觸摸位置的觸摸區域；及設置在該觸摸區域之外側的區域即用以與外部電路連接的端子區域；且上述引出佈線被從上述觸摸區域一側引出至上述端子區域一側，經上述端子區域與當接觸體已接觸上述觸摸區域時檢測該接觸體之接觸位置的控制器電連接。
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