JPH05289091A

JPH05289091A - 電極基板

Info

Publication number: JPH05289091A
Application number: JP8543092A
Authority: JP
Inventors: Mikio Katayama; 幹雄片山; Naofumi Kondo; 直文近藤; Ikuo Sakono; 郁夫迫野; Yoshiharu Kataoka; 義晴片岡; Manabu Takahama; 学高浜; Makoto Miyanochi; 誠宮後
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-04-07
Filing date: 1992-04-07
Publication date: 1993-11-05

Abstract

(57)【要約】【目的】電極基板において、電極の低比抵抗化を図
る。【構成】絶縁基板２０１上に電極を配置した電極基板
において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜２０
３上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜２０
４が積層されてなるものである。また、絶縁基板上に電
極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル
膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造である
タンタル膜、窒化タンタル膜をこの順に積層されてなる
ことを特徴とするものである。特に、該窒化タンタルか
らなる下地膜２０３の膜厚が１０〜１０００Åであり、
該窒化タンタル膜中の窒素濃度が７mol％以上１３mol％
以下、又は３３mol％以上であるとき、特にタンタル膜
２０４の比抵抗が低下し、好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電極基板に関するもの
であり、特に液晶表示素子に用いて有用な例えばマトリ
クス基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子には絶縁基板上に電極が配
置された一対の電極基板が用いられ、この間に液晶が封
入されている。

【０００３】この電極基板の一例として、ＴＦＴ素子を
組み込んだ液晶表示素子の電極基板がある。

【０００４】この電極基板はゲート配線電極とソース配
線電極がマトリクス状に配置されこの隙間部分に表示用
の絵素電極が配置され、それぞれの絵素電極にはＴＦＴ
が設けられ、ゲート配線電極及びソース配線電極に接続
されている。

【０００５】図９はこの電極基板の１つのＴＦＴ部分の
断面図である。

【０００６】図９において、絶縁基板９０１の表面には
Ｔａ₂Ｏ₅からなるベース絶縁膜９０２が形成される。こ
の絶縁基板上にゲート配線電極９０９と呼ばれる電極が
形成される。ゲート電極９０９には陽極酸化可能な金属
であるタンタルまたは窒化タンタルが用いられる。

【０００７】その後、ＴａＯ_xからなる第１のゲート絶
縁膜９１０が前記ゲート電極９０９表面を電解液にて陽
極酸化処理を施すことによって形成される。更に第２の
ゲート絶縁膜９０３としてＳｉＮｘが基板全面に形成さ
れる。この第１及び第２のゲート絶縁膜９１０，９０３
は更にこの上に形成されるソース配線電極９０７ｂ及び
ドレイン電極９０７ａと、先に形成したゲート配線電極
９０９とのリークを防止するためのものである。

【０００８】第２のゲート絶縁膜９０３上には半導体層
９０４として真性アモルファスシリコン半導体、エッチ
ングストッパー膜９０５としてＳｉＮｘがＣＶＤにより
形成される。次にアモルファスシリコンにリン等をドー
ピングしたｎ⁺型半導体層９０６が形成される。これは
半導体層９０４とこの上に形成されるソース配線電極９
０７ｂ及びドレイン電極９０７ａとのコンタクトを良好
にするために設けられている。

【０００９】そしてソース配線電極９０７ｂ及びドレイ
ン電極９０７ａとしてＴｉ膜が形成され、ドレイン電極
９０７ａに接してＩＴＯからなる絵素電極９０８ａが形
成される。ソース配線電極９０７ｂ上にもソース配線電
極９０７ｂの断線を防止するためにＩＴＯで断線冗長膜
９０８ｂを形成する。

【００１０】この構造では、ゲート配線電極９０９にタ
ンタル薄膜または窒化タンタル薄膜を用いている。これ
はこれらの薄膜が耐薬品性に優れているため以後数回行
われるエッチング工程にてエッチング液に腐食されない
からである。

【００１１】しかしながら、比抵抗が６０〜１８０μΩ
ｃｍと高く、大型の液晶表示素子の場合にはゲート配線
電極の両端で信号到達時間に差が生じ均一な表示が得ら
れないという問題があった。

【００１２】比抵抗を下げる方法として図１０に示す構
造が提案されている。図１０はこの電極基板の１つのＴ
ＦＴ部分の断面図である。

【００１３】ここではゲート配線電極以外は上記と同じ
であるが、ゲート電極配線が下層ゲート配線電極１０１
１がアルミニウムで形成され、下層ゲート配線１０１１
を覆うように上層ゲート配線１００９が形成されてい
る。このように下層ゲート配線電極１０１１を設け、こ
れを上層ゲート配線１００９で保護することによって比
抵抗を下げ、かつ耐薬品性も確保することができる。

【００１４】また、特開平２−７３３３０号公報ではＴ
ＦＴを組み込んだ電極基板の付加容量用電極として窒化
タンタル膜にタンタル膜を積層し、更にこのタンタル膜
を陽極酸化して酸化タンタル膜を形成した３層構造の電
極が提案されている。この付加容量用電極には比抵抗が
低いことと、誘電率が大きい即ち付加容量用が大きいこ
とが求めらる。適度に窒素を添加した窒化タンタル膜は
タンタル膜に比べて比抵抗が低く、また、陽極酸化して
得る酸化タンタル膜は、タンタル膜を用いたほうが窒化
タンタル膜を用いるより大きい誘電率が得られる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、下層に
アルミニウムを用いたような２層構造の電極は低い比抵
抗が得られるのであるが、上層ゲート配線電極に何らか
の欠陥が存在した場合下層ゲート配線のアルミニウムが
後工程において腐食されてしまうという問題点があっ
た。

【００１６】また、適度に窒素を添加した窒化タンタル
膜はタンタル膜より低比抵抗を示すが、ゲート配線電極
として用いるには比抵抗が充分小さくない。

【００１７】本発明は上記点に鑑み、耐薬品性に優れ低
比抵抗の電極を備えた電極基板を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の電極基板は絶縁
基板上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒
化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶
構造であるタンタル膜が積層されてなることを特徴とす
るものである。

【００１９】また、本発明の電極基板は、絶縁基板上に
電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタ
ル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造であ
るタンタル膜、窒化タンタル膜をこの順に積層されてな
ることを特徴とするものである。

【００２０】この窒化タンタル膜からなる下地膜は１０
〜１０００Åが好ましい。

【００２１】また、該窒化タンタル膜中の窒素濃度が７
mol％以上１３mol％以下、または３３mol％以上である
ことが好ましい。

【００２２】

【作用】通常スパッタリングで形成されるタンタル膜の
結晶構造は正方晶で比抵抗は６０〜１８０μΩｃｍであ
るが、窒化タンタル膜からなる下地膜上にタンタル膜を
形成すると結晶構造が体心立方晶構造となる。体心立方
晶構造のタンタル膜は正方晶構造タンタル膜や窒化タン
タル膜より更に低い比抵抗を示す。

【００２３】体心立方晶構造のタンタル膜の比抵抗値は
下地膜である窒化タンタル膜中の窒素濃度によって決定
され、この窒素濃度が７mol％以上１３mol％以下、また
は３３mol％以上であるとき特に低抵抗タンタル膜が得
られる。

【００２４】電極自信の比抵抗はタンタル膜と下地膜で
ある窒化タンタル膜で決定される。従って抵抗の高い窒
化タンタル膜はできるだけ薄いほうが望ましい。しか
し、この膜が薄すぎると体心立方晶構造のタンタル膜が
得られないので、１０〜１０００Åの膜厚が適当であ
る。

【００２５】また、この体心立方晶構造であるタンタル
膜の更に上に窒化タンタル膜を形成すると表面がタンタ
ル膜であるときに比べて、陽極酸化して表面を絶縁性の
酸化タンタルしたとき、より誘電率の低い絶縁性に優れ
た絶縁膜が得られる。

【００２６】

【実施例】

（実施例１）絶縁性基板上に膜厚３００Åの窒化タンタ
ル膜を窒化タンタル膜中の窒素濃度を変えて形成し、こ
の上に膜厚３０００Åのタンタル膜を積層した。

【００２７】図１１に窒化タンタルとタンタルにおける
窒化タンタル中の窒素濃度と比抵抗の関係を示す。

【００２８】窒素濃度が２ｍｏｌ％までのときはタンタ
ルの結晶構造が正方晶構造である。窒素濃度が２ｍｏｌ
％以上では体心立方晶構造のタンタル膜が得られた。

【００２９】タンタル膜は窒素濃度が７mol％以上１３m
ol％以下、３３mol％以上で２５μΩｃｍと低い比抵抗
を示している。

【００３０】また、本構造を電極に用いる場合、電極自
信の比抵抗はタンタル膜と下地膜である窒化タンタル膜
で決定される。従って、窒化タンタル膜も低比抵抗であ
ることが望ましい。窒化タンタル膜は７mol％〜１３mol
％付近に比抵抗の最小値もっており、上記タンタル膜の
比抵抗を合わせて考えると、窒化タンタル膜中の窒素濃
度が７mol％以上１３mol％以下であることが最も好まし
い。

【００３１】また、体心立方晶構造のタンタル膜より比
抵抗の高い窒化タンタル膜はできるだけ薄いほうが望ま
しい。しかし、この膜が薄すぎると体心立方晶構造のタ
ンタル膜が得られないので、１０〜１０００Åの膜厚が
適当である。

【００３２】（実施例２）本発明の電極基板の一実施例
を図１に基づいて説明する。図１にＭＩＭ素子を有する
電極基板の平面図を示す。

【００３３】絶縁性基板上に、ベース絶縁膜を介して、
マトリクス状に配されたＭＩＭ素子１０１と、該ＭＩＭ
素子に電気的に接続された絵素電極１０３と、該ＭＩＭ
素子を連結する信号配線電極１０２とを有している。

【００３４】図２に図１のＡ−Ａ′における断面図を示
す。以下製造方法に従って本実施例を説明する。

【００３５】まず、ガラス、石英等からなる絶縁性基板
２０１上にスパッタリング法により膜厚７０００Åの五
酸化タンタルからなるベース絶縁膜２０２を積層する。
次に、膜厚３００Åの窒化タンタルからなる下地膜２
０３および膜厚３０００Åのタンタル膜２０４を積層す
る。この工程は後述するように図３に示すスパッタリン
グ装置を用いて行う。

【００３６】更に、通常のフォトリソグラフィ工程によ
り下地膜２０３およびタンタル膜２０４を同時に所定形
状にパターニングし、信号配線電極１０２とする。

【００３７】次に、陽極酸化法により下地膜２０３およ
びタンタル膜２０４を覆う膜厚７００Åの酸化絶縁膜２
０５を形成する。このときの酸化絶縁膜２０５が形成さ
れたため、タンタル膜の膜厚は２６００Åに減少してい
る。

【００３８】更に、膜厚１５００Åのチタンを堆積し、
パターニングすることにより所定形状の対向電極２０６
を形成する。このタンタル膜２０４、酸化絶縁膜２０
５、対向電極２０６がＭＩＭ素子１０１となる。

【００３９】更に、膜厚７００ÅのＩＴＯを堆積し、パ
ターニングすることにより対向電極２０６に電気的に接
続された絵素電極２０７を形成して電極基板とする。す
る。この絵素電極２０７は図１の絵素電極１０３と同一
である。

【００４０】以下に、図３にここで用いたスパッタリン
グ装置の概念図を示し、下地膜２０３およびタンタル膜
２０４の積層方法について説明する。

【００４１】装置はローダ３０１、アンローダ３０２、
およびスパッタリングチャンバ３０３の３つの部分から
なり、これらはゲートバルブ３０４で分けられており、
それぞれをポンプ３０５で真空にすることができる。

【００４２】スパッタリングチャンバ３０３は少なくと
も２つの電極３０９を備えており、ローダ３０１側の電
極には、ホットプレスによって作られた窒素モル濃度１
５％窒化タンタルのターゲット３０６が装着されてお
り、アンローダ３０２側の電極にはタンタルのターゲッ
ト３０７が装着されている。スパッタチャンバ３０３に
はスパッタガスとしてアルゴンが導入できるようになっ
ている。

【００４３】ローダ３０１からスパッタリングチャンバ
３０３に入った基板３１０は、矢印３１１方向に搬送さ
れ、窒化タンタルターゲット３０６上で窒素モル濃度１
０％で膜厚３００Åの窒化タンタル下地膜２０３が形成
されるよう、スパッタパワーおよび搬送速度が設定され
ている。続いて、タンタルターゲット３０７上でタンタ
ル膜２０４が積層される。同一の搬送速度で膜厚３００
０Åのタンタル膜２０４が形成されるよう適当なスパッ
タリングパワーが選ばれる。

【００４４】このとき、タンタル膜２０４は窒化タンタ
ル下地膜２０３上に真空を破ることなく、連続して積層
される。従って、従来のように別の膜を積層するたびに
真空を破らなければならない方法に比べて不純物の混入
が少なく、結晶性のよい膜が得られる。

【００４５】このようにして形成したタンタル膜２０４
は体心立方晶構造になり、比抵抗２５μΩｃｍ程度の信
号配線電極１０２有する電極基板を得ることができる。
この電極基板を液晶表示素子に用いることにより、信
号配線電極１０２両端で信号到達時間に差が生じること
なく均一な表示が得られる。更に低比抵抗であるので配
線幅を小さくすることができ、高解像度な液晶表示素子
を実現できる。

【００４６】（実施例３）本発明の他の実施例を図４に
基づいて説明する。図４にＴＦＴを有する電極基板の１
つのＴＦＴ部分の断面図を示す。

【００４７】ガラス、石英等からなる絶縁基板４０１の
表面にＴａ₂Ｏ₅からなるベース絶縁膜４０２を膜厚７０
００Åの厚さに形成する。

【００４８】次に、３０Åの窒化タンタル膜からなる下
地膜４０３と３０００Åのタンタル膜４０４を積層す
る。この工程は後述するスパッタリング装置にて真空を
破らずに連続して成膜する。

【００４９】図５は本実施例にて使用する円筒型スパッ
タリング装置の概念図である。窒化タンタルターゲット
５０１及びタンタルターゲット５０２を図５に示す位置
に、複数個円筒型スパッタリング装置内に設置する。こ
のスパッタリング装置では絶縁基板４０１は５０３に示
す位置に、複数枚設置することにより、これまでより１
度に多数枚の成膜処理が可能となり、生産性を向上させ
ることができる。

【００５０】この装置で、まず窒化タンタルタ−ゲット
５０１のみ放電させ、絶縁基板４０１が設置されている
円筒部を回転させることにより均一な窒化タンタル膜か
らなる下地膜４０３のみを絶縁基板４０１上に成膜す
る。次に同様にタンタルタ−ゲット５０２のみを放電さ
せ、絶縁基板４０１が設置されている円筒部を回転させ
ることにより均一なタンタル膜４０４のみを絶縁基板４
０１上に成膜する。ここで本実施例では、窒化タンタル
タ−ゲット５０２は、窒素濃度が４０mol％である窒化
タンタルターゲットを用いた。

【００５１】図５に示されている装置を用いることによ
り、窒素濃度４０mol％の窒化タンタルターゲットを用
いて窒化タンタル膜からなる下地膜４０３を形成すると
窒素濃度３５mol％窒化タンタル膜からなる下地膜４０
３が形成された。その上にタンタル膜４０４を成膜する
と、体心立方構造の低比抵抗タンタル膜４０４が得られ
た。

【００５２】なお、本スパッタリング装置において、ベ
ース絶縁膜４０２と、窒化タンタル膜からなる下地膜４
０３、タンタル膜４０４の三層を真空を破らずに連続し
て成膜してもよい。

【００５３】その後、窒化タンタル膜からなる下地膜４
０３及びタンタル膜４０４を同時にパターニング処理を
行い、ゲート配線電極とする。

【００５４】更に陽極酸化処理を施し第１のゲート絶縁
膜４０５を形成する。

【００５５】次に第２のゲート絶縁膜４０６としてＣＶ
ＤによりＳｉＮ_x（例えばＳｉ₃Ｎ₄）を約３０００Åの
厚さに積層し、引きつづいて半導体層４０７として真性
アモーファスＳｉ半導体を５００Åの厚さに、エッチン
グストッパー膜４０８としてＳｉＮ_x（例えばＳｉ
₃Ｎ₄）を約３０００Åの厚さに形成する。

【００５６】更にｎ⁺型半導体層４０９を３００Å形成
し、この上に、ソース配線電極４１０ｂ及びドレイン電
極４１０ａをＴｉを用いて厚さ３０００Å程度に形成す
る。ドレイン電極４１０ａ上には絵素電極４１１ａ、ソ
ース電極上には断線冗長用膜４１１ｂとしてスパッタリ
ング等にてＩＴＯを約２０００Åの厚さに形成する。ま
た、絵素電極４１１ａ上には異物等による短絡を防ぐた
めの保護膜４１２を全面または絵素部を穴空き構造とし
て形成してもよい。

【００５７】このようにして形成した電極基板を液晶表
示素子に用いることにより、ゲート配線電極両端で信号
到達時間に差が生じることなく均一な表示が得られる。
更に低比抵抗であるのでゲート配線電極幅を小さくする
ことができ、高解像度な液晶表示素子を実現できる。

【００５８】（実施例４）実施例３においてベース絶縁
膜４０２としてＴａ₂Ｏ₅を用いる代わりにＴａＯｘＮｙ
（ｘ，ｙは任意の０より大きい値）を膜厚７０００Å形
成する。

【００５９】また、窒化タンタル膜４０３は図６に示す
装置で、まず窒素分圧０.０３Ｐａにてアルゴンと窒素
の混合ガス中でタンタルタ−ゲット６０２をスパッタリ
ングし、その際６０３の位置に絶縁基板４０１が設置さ
れている円筒部を回転させることにより均一な窒素濃度
１０mol％の窒化タンタル膜４０３を絶縁基板４０１上
に３０Åの厚さに形成する。

【００６０】次に窒素ガスを止め、アルゴンガスのみで
タンタルタ−ゲット６０２をスパッタリングし絶縁基板
４０１が設置されている円筒部を回転させることにより
均一なタンタル薄膜４０４をＴａＮ_X膜４０３上に約３
０００Åの厚さに形成する。このようにして体心立方構
造のタンタル膜４０４が得られ、低比抵抗のゲート配線
電極となる。

【００６１】以下、実施例３と同様にしてＴＦＴを有す
る電極基板を形成する。

【００６２】ベース絶縁膜４０２であるＴａＯｘＮｙ薄
膜は、Ｔａ₂Ｏ₅に比べ絶縁抵抗が高く安定であり、この
薄膜をベース絶縁膜として使用することによってゲート
配線電極間のベース絶縁膜４０２，絶縁基板４０１によ
るリークを防止することができる。また、このベース絶
縁膜４０２とこの後に形成される窒化タンタルからなる
下地膜４０３及びタンタル膜４０５が連続で積層によっ
て膜と膜との界面が滑らかにつながり、結晶性のよいタ
ンタル膜４０５が得られる。

【００６３】このようにして形成した電極基板を液晶表
示素子に用いることにより、ゲート配線電極両端で信号
到達時間に差が生じることなく均一な表示が得られる。
更に低比抵抗であるのでゲート配線電極幅を小さくする
ことができ、高解像度な液晶表示素子を実現できる。

【００６４】（実施例５）本発明の他の実施例を図７に
基づいて説明する。図７にＴＦＴを有する電極基板の１
つのＴＦＴ部分の断面図を示す。

【００６５】ガラス、石英等からなる絶縁基板７０１の
表面にＴａ₂Ｏ₅からなるベース絶縁膜４０２を膜厚７０
００Åの厚さに形成する。

【００６６】この上に窒素濃度が１０ｍｏｌ％の窒化タ
ンタルの下地膜７０３を３００Å，体心立方構造をもつ
タンタル膜７０４を２６００Åを積層し、更に窒素濃度
が２０ｍｏｌ％の第２の窒化タンタル膜７０５を２００
０Åを連続してスパッタリングにて形成し、フォトリソ
グラフィー工程でパターン化する。

【００６７】このようにして低比抵抗のゲート配線電極
を得ることができる。

【００６８】そしてこの表面を陽極酸化して第１のゲー
ト絶縁膜７０６を形成する。

【００６９】第２の窒化タンタル薄膜７０５を形成する
ことによって、陽極酸化して得る第１のゲート絶縁膜７
０６が、タンタル膜を陽極酸化した場合に比べて絶縁
性、耐熱性に優れたものとなる。

【００７０】以下、実施例３と同様にして、第２のゲー
ト絶縁膜７０７、半導体層７０８、エッチングストッパ
ー層７１３、ｎ＋型半導体層７０９、ソース配線電極７
１０及びドレイン電極７１１、絵素電極７１２ｂ及び断
線冗長用膜７１２ａを形成してＴＦＴを有する電極基板
とする。

【００７１】このようにして形成した電極基板を液晶表
示素子に用いることにより、ゲート配線電極両端で信号
到達時間に差が生じることなく均一な表示が得られる。
更に低比抵抗であるのでゲート配線電極幅を小さくする
ことができ、高解像度な液晶表示素子を実現できる。

【００７２】（実施例６）本発明の他の実施例を図８に
基づいて説明する。図７にＴＦＴを有する電極基板の１
つのＴＦＴ部分の断面図を示す。

【００７３】ガラス、石英等からなる絶縁基板８０１の
表面にＴａＯｘＮｙ（ｘ，ｙは任意の０より大きい値）
からなるベース絶縁膜４０２を膜厚７０００Åの厚さに
形成する。

【００７４】この上に窒素濃度が１０ｍｏｌ％の窒化タ
ンタルからなる下地膜８０３を３００Å，体心立方構造
をもつタンタル膜８０４を２６００Å，を連続してスパ
ッタリングにて形成し、フォトリソグラフィー工程でパ
ターン化する。次に窒素濃度が２０ｍｏｌ％の第２の窒
化タンタル膜８０５を２５００Åスパッタリングにて形
成し、該窒化タンタルからなる下地膜８０３及びタンタ
ル膜８０４の二層膜のパターン形状より少なくとも３〜
５μｍ以上の重なるようにパターン化する。従って、タ
ンタル膜８０４と窒化タンタルからなる下地膜８０３を
第２の窒化タンタル膜８０５で包み込む構造となる。

【００７５】このようにして低比抵抗のゲート配線電極
を得ることができる。

【００７６】そしてこの表面を陽極酸化して第１のゲー
ト絶縁膜８０６を形成する。

【００７７】タンタル膜８０４と窒化タンタルからなる
下地膜８０３を第２の窒化タンタル膜８０５で包み込む
ことによって実施例５で示す構造よりも第１のゲート絶
縁膜８０６の絶縁性、耐熱性が向上する。

【００７８】以下、実施例３と同様にして、第２のゲー
ト絶縁膜８０７、半導体層８０８、エッチングストッパ
ー層８１３、ｎ＋型半導体層８０９、ソース配線電極８
１０及びドレイン電極８１１、絵素電極８１２ｂ及び断
線冗長用導電膜８１２ａを形成してＴＦＴを有する電極
基板とする。

【００７９】このようにして形成した電極基板を液晶表
示素子に用いることにより、ゲート配線電極両端で信号
到達時間に差が生じることなく均一な表示が得られる。
更に低比抵抗であるのでゲート配線電極幅を小さくする
ことができ、高解像度な液晶表示素子を実現できる。

【００８０】

【発明の効果】本発明によれば、電極基板において耐薬
品性に優れ、低比抵抗の電極を備えた電極基板を提供す
ることができ、この電極基板を液晶表示素子等の表示素
子に用いることにより、電極両端で信号到達時間に差が
生じることなく均一な表示が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すＭＩＭ素子を有する電
極基板の平面図である。

【図２】同図のＡ−Ａ’断面図、である。

【図３】本発明の一実施例に用いたスパッタリング装置
の概念図である。

【図４】本発明の一実施例を示すＴＦＴ素子を有する電
極基板の平面図である。

【図５】本発明の一実施例に用いた他のスパッタリング
装置の概念図である。

【図６】本発明の一実施例に用いた他のスパッタリング
装置の概念図である。

【図７】本発明の他の実施例を示すＴＦＴ素子を有する
電極基板の平面図である。

【図８】本発明の他の実施例を示すＴＦＴ素子を有する
電極基板の平面図である。

【図９】従来のＴＦＴ素子を有する電極基板の平面図で
ある。

【図１０】従来のＴＦＴ素子を有する電極基板の平面図
である。

【図１１】本発明の電極基板の電極の特性を示す図であ
る。

【符号の説明】

２０１，４０１，７０１，８０１絶縁基板２０３，４０３，７０３，８０３下地膜２０４，４０４，７０４，８０４タンタル膜２０５，４０５，７０６，８０６第１のゲート絶縁膜７０５，８０５第２の窒化タンタル膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者片岡義晴大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者高浜学大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者宮後誠大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に電極を配置した電極基板にお
いて、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が
体心立方晶構造であるタンタル膜が積層されてなること
を特徴とする電極基板。
【請求項２】絶縁基板上に電極を配置した電極基板にお
いて、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が
体心立方晶構造であるタンタル膜、窒化タンタル膜をこ
の順に積層されてなることを特徴とする電極基板。
【請求項３】該窒化タンタルからなる下地膜の膜厚が１
０〜１０００Åであることを特徴とする請求項１または
２記載の電極基板。
【請求項４】該窒化タンタル膜中の窒素濃度が７mol％
以上１３mol％以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２または３記載の電極基板。
【請求項５】該窒化タンタル膜中の窒素濃度が３３mol
％以上あることを特徴とする請求項１または２または３
記載の電極基板。